TWI511050B - Ｌｅｄ封裝及包含此ｌｅｄ封裝之ｒｆｉｄ系統 - Google Patents

Description

LED封裝及包含此LED封裝之RFID系統 相關申請案之交叉參考

本申請案係根據並請求分別於2009年12月23日提出之韓國專利申請案10-2009-0129394及10-2009-0129399之優先權權益，在此併提其全文以供參考。

本發明之實施例係有關發光二極體(LED)封裝及RFID系統；特別是有關RFID標籤，其配置成藉由收發無線信號，與外部讀取器通信，以控制LED封裝。

無線頻率辨識(RFID)係一種通信方法，其藉由使用附裝於辨識用目標之RFID晶片及配置成以RFID晶片傳輸無線信號之RFID讀取器，提供無接觸式辨識。RFID可在傳統光學字元辨識技術方面改進，並推進諸如條碼系統之傳統自動辨識系統。

近年來，RFID系統可用於配送系統RFID系統(後勤)、存取驗證系統、電子支付系統、存取卡系統，此等系統用在交通及安全等。

例如，對於後勤，可替代交貨單、傳票或晶片，使用包含辨識資訊之積體電路(IC)晶片於存貨控制及分類。於存取驗證系統中，藉包含個人資訊之IC卡判定

RFID裝置儲存資料於記憶體內，特別是RFID晶片可包括配置成儲存資訊之非揮發性鐵電記憶體。

非揮發性鐵電記憶體(亦即，鐵電隨機存取記憶體(FeRAM))之資料處理速度通常類似於動態隨機存取記憶體(DRAM)。然而，FeRAM與DRAM之不同在於，即使在供至記憶體裝置之電力切斷時，儲存於FeRAM之資料仍保存著。因此，FeRAM業已相當引人注意，並被視為下一世代記憶體裝置的強力備位產品。

FeRAM類似於DRAM之處在於，FeRAM包含複數個電容器。然而，FeRAM裝置中的電容器由具有高剩餘極化之鐵電材料製成，其即使在供至記憶體裝置之電力切斷時，仍容許儲存於FeRAM之資料被保存著。

第1圖係說明傳統RFID系統之方塊圖。如圖所示，傳統RFID系統包含天線單元1、類比處理單元10、數位處理單元20及資訊儲存單元30。

在此，天線單元1用來接收從外部RFID讀取器發出的無線信號。透過天線單元1收到之無線信號通過天線墊11及12並輸入至類比處理單元10。

類比處理單元10放大無線信號，以產生用來作為RFID晶片之電源之電壓VDD，並從無線信號萃取命令信號，將命令信號輸入數位處理單元20。類比處理單元10亦將通電重設信號POR(響應電壓VDD控制重設操作)及時脈信號CLK輸出至數位處理單元20。

數位處理單元20接收電壓VDD、通電重設信號POR、時脈信號CLK及命令信號CMD，並產生供至類比處理單元10之響應信號RP。此外，數位處理單元20提供位址ADD、輸入/輸出資料I/O、控制信號CTR及時脈信號CLK至資訊儲存單元30。

資訊儲存單元30於對應位址ADD之位置讀取或寫入輸入/輸出資料I/O，並甚至在斷電後保持資料。

RFID系統於各種頻帶中操作，惟RFID系統之操作能力可根據不同頻帶改變。當RFID系統於低頻帶操作時，辨識速度變得更慢，操作範圍變得更小，惟辨識率較少受到外在環境影響。否則，若RFID系統於更高頻帶操作，辨識速度即變得更快，操作範圍變得更廣，惟辨識率受到外在環境影響更鉅。

本發明之實施例提供一種LED封裝，其包括基板及堆疊於基板上之顯示裝置，並包含發光二極體(LED)等。

本發明之實施例提供一種包括基板之封裝，該基板使用矽通孔(TSV)，其具有高導熱性，以改善輸出之相對光流量之效率及附裝於基板之顯示裝置所產生放熱效率。

本發明之實施例提供一種包括LED封裝之系統，該LED封裝耦接至RFID晶片，該RFID晶片配置成遙控LED封裝中所含顯示裝置。

本發明之實施例提供一種包括LED封裝之系統，該LED封裝包含溫度感測器，該溫度感測器配置成根據所感測溫度，控制供入LED裝置之電流量。

根據本發明之實施例，發光二極體LED封裝包括：LED裝置，配置成發光；靜電放電(ESD)裝置，包含ESD電路，該ESD裝置形成在該LED裝置下方；印刷電路板(PCB)，包含電源線，該PCB形成在該ESD裝置下方；以及散熱基板，形成在該PCB下方，並配置成經由該ESD裝置及該PCB除去從該LED裝置收到的熱。

根據本發明之實施例，一種射頻辨識(RFID)系統包括：複數個LED封裝，該LED封裝包含LED裝置；RFID晶片，其配置成響應經由天線收到的無線信號，讀取或寫入資訊；以及操作控制器，其配置成響應自該RFID晶片輸入之控制信號，控制複數個LED封裝之操作。

根據本發明之實施例，LED封裝包括：LED裝置，配置成發光；ESD裝置，包含ESD電路，該ESD裝置形成在該LED裝置下方；PCB，包含電源線，且形成在該ESD裝置下方；散熱基板，形成在該PCB下方，並配置成經由該ESD裝置及該PCB除去從該LED裝置收到的熱；以及溫度感測器，其配置成感測該LED裝置周圍之溫度。

根據本發明之實施例，一種RFID系統，包括：複數個LED封裝，其配置成輸出溫度感測器所感測之溫度偵測信號；RFID晶片，其配置成響應經由天線收到的無線信號，讀取或寫入資訊，並響應該溫度偵測信號，輸出用以控制供至複數個LED封裝之電流量之控制信號；以及操作控制器，其配置成響應該控制信號，控制複數個LED封裝之操作。

此後，將參考附圖說明本發明之具體實施例。圖式無須按一定比例，且於某些例子中，可誇大比例以更清楚顯示本發明的某些特點。

第2圖係顯示根據本發明一實施例之RFID封裝中無線頻率辨識(RFID)晶片100之方塊圖。如圖所示，RFID晶片100包含天線單元ANT、調變器110、解調器120、通電重設單元130、時脈產生器140、數位處理單元150、操作控制器160、資訊處理單元170以及複數個墊PAD1至PADn。在此，複數個墊PAD1至PADn耦接於外部操作控制裝置200。

天線單元ANT接收從RFID讀取器發出之無線信號RF_EXT。天線單元ANT將無線信號RF_EXT輸入RFID晶片100，並透過天線墊(未圖示)至解調器120。從調變器110至天線單元ANT之無線信號被透過天線墊(未圖示)傳至外部RFID讀取器。

又，天線單元ANT將從RFID晶片100收到的無線信號傳至外部RFID讀取器。從調變器110送至天線單元ANT之無線信號被透過天線墊(未圖示)傳至外部RFID讀取器。

解調器120將透過天線ANT輸入之無線信號RF_EX解調以產生命令信號DEMOD，並將命令信號DEMOD輸出至數位處理單元150。調變器110將從數位處理單元150輸入的響應信號RP調變，並將調變之信號傳輸至天線ANT。

通電重設單元130感測從電壓墊P1輸入之電壓VDD，並將通電重設信號POR輸出至數位處理單元150。

在此，用以控制RFID晶片100中內部電路之重設操作之通電重設信號POR隨著自電壓VDD之低位準至高位準之遷移產生。在電壓VDD維持於高位準一預定時間後，通電重設信號POR接著從高位準變成低位準，以重設RFID晶片100之內部電路。

時脈產生器140將時脈信號CLK輸出至數位處理單元150。時脈信號CLK用來根據透過電壓墊P1輸送之電壓VDD控制數位處理單元150之操作。

於本實施例中，藉分別透過墊P1及P2供應之電壓VDD及接地電壓GND操作RFID晶片100。於傳統方法中，當與RFID讀取器通信之RFID標籤收到無線信號時，RFID標籤可由內部電壓放大器供應電壓。

然而，於本實施例中，由於RFID晶片100耦接於外部操作控制裝置200，而此外部操作控制裝置200可接著耦接至若干LED燈，因此，需要更多電力。如此，本實施例經由墊P1及P2，將電壓VDD及接地電壓GND供至RFID晶片100。

收到電壓VDD、通電重設信號POR、時脈信號CLK及命令信號DEMOD，數位處理單元150將命令信號DEMOD解碼以產生控制信號CTR及複數個處理信號。數位處理單元150亦將對應控制信號CTR之響應信號RP及複數個處理信號輸出至調變器110。數位處理單元150將位址ADD、輸入/輸出資料I/O、控制信號CTR及時脈信號CLK輸出至資訊處理單元170。

操作控制器160位於數位處理單元150與複數個墊PAD1至PADn間。根據從數位處理單元150輸入之指示信號，操作控制器160輸出用以控制外部操作控制裝置200之操作之控制信號。外部操作控制裝置200經由複數個墊PAD1至PADn耦接至RFID晶片100之操作控制器160。

在此，複數個墊PAD1至PADn經由連接銷耦接至外部操作控制裝置200，此等連接銷用來作為配置成耦接RFID晶片100與外部操作控制裝置200之連接塊。經由複數個墊PAD1至PADn送來的控制信號LEDC1至LEDCn輸出至外部操作控制裝置200。

外部操作控制裝置包含配置成控制諸如LED之顯示器、摩托車、擴音器等之操作的控制器。

資訊處理單元170包含複數個記憶胞元，其每一者可儲存輸入之信號並輸出所儲存之資料。

資訊處理單元170可包含非揮發鐵電記憶體。鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)之資料處理速度通常類似於動態隨機存取記憶體(DRAM)之資料處理速度。又，FeRAM之構造與DRAM之相似處在於FeRAM包含複數個電容器。然而，FeRAM裝置中的電容器由具有高剩餘極化之鐵電材料製成，其甚至在供至記憶體裝置之電力切斷時仍可保持資料。

第3圖係顯示包含第2圖所示RFID晶片100之RFID系統之方塊圖。如圖所示，RFID系統包含RFID晶片100A至100C、操作控制裝置200A至200C、LED封裝300A至300C及電力控制器PC。如本文所用，“RFID系統”一辭係指包含所有RFID晶片100A至100C、操作控制裝置200A至200C、LED封裝300A至300C及電力控制器PC之設備。

耦接至操作控制裝置200A至200C之RFID晶片100A至100C將控制信號LEDC1至LEDCn輸出至操作控制裝置200A至200C。在此，操作控制裝置200A至200C將從RFID晶片100A至100C輸入之控制信號LEDC1至LEDCn送入LED封裝300A至300。操作控制裝置200A至200C可包含開關裝置(未圖示)。

操作控制裝置200A至200C透過局部電源線LP1至LP3，選擇性供電至LED封裝300A至300。在此，操作控制裝置200A至200C藉從RFID晶片100A至100C輸入之控制信號LEDC1至LEDCn控制。

此外，複數個LED封裝300A至300藉透過局部電源線LP1至LP3供應之局部電力控制。各耦接至局部電源線LP1至LP3之LED封裝300A至300配置成列。

又，電力控制器PC耦接至總電源線GP，並將外部電力供至總電源線GP。操作控制裝置200A至200C從電力控制器PC，經由總電源線GP接收電力。在此，總電源線GP之電壓藉電力控制器PC判定。

第4圖係顯示第3圖所示LED封裝300A之方塊圖。特別地，第4圖顯示沿第3圖之A-A’切面之LED封裝300的剖視圖。

LED封裝300A包含散熱基板310、印刷電路板(PCB)320、靜電放電(ESD)裝置330及LED裝置340。

在此，散熱基板310、印刷電路板(PCB)320、靜電放電(ESD)裝置330及LED裝置340相互耦接。

散熱電極311及312於散熱基板310上方形成為隆起(或局部球形)形狀。下電極321及322於PCB 320下方形成為隆起形狀。在此，PCB 320之下電極321及322電耦接至散熱基板310之散熱電極311及312。於PCB 320上方，上電極323及324形成為隆起形狀。

下電極331及332在ESD裝置330下方形成為隆起形狀。下電極331及332電耦接至上電極323及324。上電極333及334在ESD裝置330上方形成為隆起形狀。

又，LED電極341及342在LED裝置340下方形成為隆起形狀。LED電極341及342電耦接至上電極333及334。

此外，PCB 320包含電源線及矽通孔(TSVs)325及326。TSV 325通過PCB 320。上電極323藉TSV 325電耦接至下電極321。同樣地，TSV 326通過PCB 320。上電極324藉TSV 326電耦接至下電極322。

ESD裝置330包含靜電放電電路及矽通孔(TSVs)335及336。TSV 335通過ESD裝置330。上電極333藉TSV 335電耦接至下電極331。同樣地，TSV 336通過ESD裝置330。上電極334藉TSV 336電耦接至下電極332。

散熱基板310、印刷電路板(PCB)320、ESD裝置330及LED裝置340相互耦接，其每一者透過TSVs 335，336,325及326電連接。

於具有上述構造之LED封裝300A中，若透過局部電源線LP1供電，LED裝置340即發出光hv。在此，LED裝置340之電源端子耦接至屬於導電電極之LED電極341及342。

當LED裝置340發射光時，LED裝置340產生很多熱。此熱透過TSVs 335，336,325及326傳導至散熱基板310。

TSVs 335及336包含具有高導熱性之特徵之材料，以快速地將LED裝置340所產生的熱轉送入散熱基板310。又，TSVs 335及336包含用來將電流供至LED裝置340之導電材料。

此外，散熱基板310包含散熱基板扇，其配置成移除從LED裝置340送來的熱。散熱基板310包含具有高導熱性之特徵的材料，以將LED裝置340所產生的熱轉送入周圍空氣。

第5圖係顯示根據本發明另一實施例之RFID封裝中所含RFID晶片400之方塊圖。RFID晶片400包含天線單元ANT、調變器410、解調器420、通電重設單元430、時脈產生器440、數位處理單元450、操作控制器460、資訊儲存單元470、複數個墊PAD1至PADn及溫度墊TPAD。在此，複數個墊PAD1至PADn耦接至外部操作控制裝置500。

天線單元ANT收到從RFID讀取器傳來的無線信號RF_EXT。透過天線單元ANT輸入至RFID晶片400的無線信號RF_EXT透過天線墊輸入至解調器420。

又，天線單元ANT將從RFID晶片400收到的無線信號傳輸至外部RFID讀取器。從調變器410送至天線單元ANT的無線信號透過天線墊(未圖示)傳輸至外部RFID讀取器。

解調器420將透過天線ANT輸入之無線信號RF_EXT解調以產生命令信號DEMOD，並將命令信號DEMOD輸出至數位處理單元450。調變器410將從數位處理單元450輸入的響應信號RP調變，並將調變之信號傳輸至天線ANT。

通電重設單元430感測從電壓墊P1輸入之電壓VDD，並將通電重設信號POR輸出至數位處理單元450。

在此，用以控制RFID晶片100中內部電路之重設操作之通電重設信號POR隨著自電壓VDD之低位準至高位準之遷移產生。在電壓VDD維持於高位準一預定時間後，通電重設信號POR接著從高位準變成低位準，以重設RFID晶片400之內部電路。

時脈產生器440將時脈信號CLK輸出至數位處理單元450。時脈信號CLK用來根據透過電壓墊P1輸送之電壓VDD控制數位處理單元450之操作。

於本實施例中，藉分別透過墊P1及P2供應之電壓VDD及接地電壓GND操作RFID晶片400。於傳統方法中，當與RFID讀取器通信之RFID標籤收到無線信號時，RFID標籤可由內部電壓放大器供應電壓。

然而，於本實施例中，由於RFID晶片400耦接至外部操作控制裝置500，因此，需要更多電力。如此，本實施例經由墊P1及P2，將電壓VDD及接地電壓GND供至RFID晶片400。

收到電壓VDD、通電重設信號POR、時脈信號CLK及命令信號DEMOD，數位處理單元450將命令信號DEMOD解碼以產生控制信號CTR及複數個處理信號。數位處理單元450亦將對應控制信號CTR之響應信號RP及複數個處理信號輸出至調變器410。數位處理單元450將位址ADD、輸入/輸出資料I/O、控制信號CTR及時脈信號CLK輸出至資訊處理單元470。

操作控制器460位於數位處理單元450與複數個墊PAD1至PADn間。根據從數位處理單元450輸入之指示信號，操作控制器460輸出用以控制外部操作控制裝置500之操作之控制信號。外部操作控制裝置500經由複數個墊PAD1至PADn耦接至RFID晶片400之操作控制器460。

在此，複數個墊PAD1至PADn經由連接銷耦接至外部操作控制裝置500，此等連接銷用來作為配置成耦接RFID晶片400與外部操作控制裝置500之連接塊。經由複數個墊PAD1至PADn送來的控制信號LEDC1至LEDCn輸出至外部操作控制裝置500。

外部操作控制裝置包含配置成控制諸如LED之顯示器、摩托車、擴音器等之操作的控制器。

又，RFID晶片400中所含溫度墊TPAD接收從LED封裝接收之溫度檢測信號T_C。透過溫度墊TPAD輸入之溫度檢測信號T_C被轉送至RFID晶片400之操作控制器460。

操作控制器460將控制信號LEDC1至LEDCn輸出至外部操作控制裝置500，其中控制信號LEDC1至LEDCn被用來控制響應溫度檢測信號T_C施加於LED封裝之電流量。在此，外部操作控制裝置500選擇性將控制信號LEDC1至LEDCn送入LED封裝以控制LED之on/off、強度、亮度等。

資訊處理單元470包含複數個記憶胞元，其每一者可儲存輸入之信號並輸出所儲存之資料。

資訊處理單元470可包含非揮發鐵電記憶體。鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)之資料處理速度通常類似於動態隨機存取記憶體(DRAM)之資料處理速度。又，FeRAM之構造與DRAM之相似處在於FeRAM包含複數個電容器。然而，FeRAM裝置中的電容器由具有高剩餘極化之鐵電材料製成，其甚至在供至記憶體裝置之電力切斷時仍可保持資料。

第6圖係顯示包含第5圖所示RFID晶片400之RFID系統之方塊圖。如圖所示，RFID系統包含RFID晶片400A至400C、操作控制裝置500A至500C、LED封裝600A至600C及電力控制器PC。如本文所用，“RFID系統”一辭係指包含所有RFID晶片400A至400C、操作控制裝置500A至500C、LED封裝600A至600C及電力控制器PC之設備。

耦接至操作控制裝置500A至500C之RFID晶片400A至400C將控制信號LEDC1至LEDCn輸出至操作控制裝置500A至500C。在此，操作控制裝置500A至500C將從RFID晶片400A至400C輸入之控制信號LEDC1至LEDCn送入LED封裝600A至600。操作控制裝置500A至500C可包含開關裝置(未圖示)。

操作控制裝置500A至500C透過局部電源線LP1至LP3，選擇性供電至LED封裝600A至600。在此，操作控制裝置500A至500C藉從RFID晶片400A至400C輸入之控制信號LEDC1至LEDCn控制。

此外，複數個LED封裝600A至600藉透過局部電源線LP1至LP3供應之局部電力控制。各耦接至局部電源線LP1至LP3之LED封裝600A至600配置成列。

又，電力控制器PC耦接至總電源線GP，並將外部電力供至總電源線GP。操作控制裝置500A至500C從電力控制器PC，經由總電源線GP接收電力。在此，總電源線GP之電壓藉電力控制器PC判定。

包含溫度感測器之LED封裝600A至600將溫度感測器所產生之溫度檢測信號T_C輸出至複數個RFID晶片400A至400C之溫度墊TPAD。複數個RFID晶片400A至400C及複數個LED封裝600A至600透過複數個匯流排T_BUS(1)至T_BUS(3)耦接。LED封裝600A至600之每一者將額外溫度感測器所測得之溫度資訊送入RFID晶片400A至400C。

RFID晶片400A至400C響應透過匯流排T_BUS(1)至T_BUS(3)輸入之溫度檢測信號T_C，調整控制信號LEDC1至LEDCn，以調整供至LED封裝600A至600之電流量。

第7圖係顯示第6圖所示LED封裝600A至600之方塊圖。特別地，第7圖顯示沿第6圖之A-A’切面之LED封裝600A的剖視圖。

LED封裝600A包含散熱基板610、印刷電路板(PCB)620、靜電放電(ESD)裝置630及LED裝置640。

在此，散熱基板610、印刷電路板(PCB)620、靜電放電(ESD)裝置630及LED裝置640相互耦接。

散熱電極611及612於散熱基板610上方形成為隆起(或局部球形)形狀。下電極621及622於PCB 620下方形成為隆起形狀。在此，PCB 620之下電極621及622電耦接至散熱基板610之散熱電極611及612。於PCB 620上方，上電極623及624形成為隆起形狀。

下電極631及632在ESD裝置630下方形成為隆起形狀。下電極631及632電耦接至上電極623及624。上電極633及634在ESD裝置630上方形成為隆起形狀。

又，LED電極641及642在LED裝置640下方形成為隆起形狀。LED電極641及642電耦接至上電極633及634。

此外，PCB 620包含電源線及矽通孔(TSVs)625及626。TSV 625通過PCB 620。上電極623藉TSV 625電耦接至下電極621。同樣地，TSV 626通過PCB 620。上電極624藉TSV 626電耦接至下電極622。

ESD裝置630包含靜電放電電路及矽通孔(TSVs)635及636。TSV 635通過ESD裝置630。上電極633藉TSV 635電耦接至下電極631。同樣地，TSV 636通過ESD裝置630。上電極634藉TSV 636電耦接至下電極632。

散熱基板610、印刷電路板(PCB) 620、ESD裝置630及LED裝置640相互耦接，其每一者透過TSVs 635，636,625及626電連接。

PCB 620包含信號傳輸線660。在此，信號傳輸線660包含匯流排T_BUS，其配置成從溫度感測器S，將溫度檢測信號T_C送入RFID晶片400之溫度墊TPAD。

在此，信號傳輸線660於PCB 620上方形成為溝槽的形狀。於信號傳輸線660上方，上電極661形成為隆起形狀。

ESD裝置630包含溫度感測器S及矽通孔(TSV)650。在此，溫度感測器S耦接至通過ESD裝置630之矽通孔(TSV)650。

於矽通孔(TSV)650下方，下電極651形成為隆起形狀。下電極651耦接至上電極661。

於具有上述構造之LED封裝中，若透過局部電源線LP1供電，LED裝置340即發出光hv。在此，LED裝置340之電源端子耦接至屬於導電電極之LED電極341及342。

當LED裝置640發射光時，LED裝置640產生很多熱。此熱透過TSVs 635，636,625及626傳導至散熱基板610。

TSVs 635及636包含具有高導熱性之特徵之材料，以快速地將LED裝置640所產生的熱轉送入散熱基板610。又，TSVs 635及636包含用來將電流供至LED裝置640之導電材料。

此外，散熱基板610包含散熱基板扇，其配置成移除從LED裝置640送來的熱。散熱基板610包含具有高導熱性之特徵的材料，以將LED裝置640所產生的熱轉送入周圍空氣。

第8圖係說明響應溫度，LED裝置之相對光通量之圖表。

透過匯流排T_BUS，將LED封裝600A之溫度感測器S所感測之溫度檢測信號T_C輸出至RFID晶片400之溫度墊TPAD。操作控制器460響應溫度檢測信號T_C輸出控制信號LEDC1至LEDCn，以控制供入LED封裝600A之電流量。

如第8圖所示，自LED裝置640發射出之光線的強度隨著LED裝置640周圍的溫度變高而減少。例如，響應100℃之溫度減少，光強度減少約30%。

第9圖係說明響應溫度，流經LED裝置之電流量之圖表。參考第9圖，流經LED裝置640之電流量恆定，直至達到一溫度點(例如電流下降溫度)為止，在此，流經LED裝置640之電流量快速減少。

第10圖係說明響應溫度，流經第6圖所示LED封裝中所含LED裝置之電流量之圖表。如於第10圖中所示，當溫度感測器S周圍的溫度增高時，LED電流減少，這造成自LED裝置發射出之光線的強度減低。

因此，在溫度偵測信號T_C達到電流下降溫度前，LED裝置640可增加供入LED裝置640之電流量，以補償流經LED裝置640之電流之減少。

然而，若在溫度偵測信號T_C指出溫度超過電流下降溫度時，操作控制器460增加供入LED裝置640之電流量，LED裝置640即可能被破壞。因此，若溫度偵測信號T_C指出溫度超過電流下降溫度，LED裝置640即快速減少供入LED裝置640之電流量，以保護LED裝置640。

近年來，LED裝置已應用於泛光照明，其用在外面，於夜間照射公共或私人建築、運動場及其他場地，當複數個LED裝置個別on/off時，可顯示各種形狀或圖案，又根據使用者的請求、位置等，控制複數個LED裝置，藉由控制流經LED裝置之電流量，調整光強度。

於本實施例中，LED裝置可藉RFID系統控制。亦即，若在RFID標籤個別地附著於LED裝置之後，藉外RFID讀取器轉送無線信號，RFID標籤即察覺傳輸自RFID讀取器的無線信號，並個別接收根據獨特ID資訊之某些評論，藉此，調整或控制on/off狀態及自耦接於RFID標籤之LED裝置發射之光線的強度。

在此，由於RFID標籤較一般遙控器便宜，因此，當RFID標籤用來作為泛光照明之控制手段時，泛光照明之製造成本減少，控制泛光照明之方便性增加。

於本發明之實施例中，LED封裝包含基板及堆疊於基板上之顯示裝置，並包含發光二極體(LED)等。

根據本發明之實施例，封裝包含使用矽通孔(TSV)之基板，該矽通孔(TSV)具有高熱導性，以改進相對光流量之輸出效率及附裝於基板之顯示裝置所產生之放熱效率。

根據本發明一實施例之系統包含耦接於RFID晶片之LED封裝，該RFID晶片配置成遙控LED封裝中所含顯示裝置。

於本發明之一實施例中，系統包含LED封裝，該LED封裝包含溫度感測器，此溫度感測器配置成根據所感測溫度，控制供入LED裝置之電流量。

雖然業已說明與本發明一致之若干例示性實施例，惟須知，熟於本技藝人士可在本揭示內容之原理之精神及範疇內設計出若干其他修改及實施例。更特別的是，可在揭示內容、圖式及後附申請專利範圍之零組件及/或本組合配置之配置中進行若干變更及修改。除了零組件及/或配置之變更及修改外，熟於本技藝人士亦當知替代性使用。

100．．．RFID晶片

ANT．．．天線單元

110．．．調變器

120．．．解調器

130．．．通電重設單元

140．．．時脈發生器

150．．．數位處理單元

160．．．操作控制器

170．．．資訊儲存單元

200．．．外部操作控制裝置

第1圖係說明習知RFID系統之方塊圖

第2圖係顯示根據本發明一實施例之RFID晶片之方塊圖。

第3圖係顯示根據本發明一實施例，包含LED封裝之RFID系統之方塊圖。

第4圖係顯示第3圖所示LED封裝之剖面之方塊圖。

第5圖係顯示根據本發明另一實施例之RFID晶片之方塊圖。

第6圖係顯示根據本發明另一實施例，包含LED封裝之RFID系統之方塊圖。

第7圖係顯示第6圖所示LED封裝之剖面之方塊圖。

第8圖係說明響應溫度，LED裝置之相對光通量之圖表。

第9圖係說明響應溫度，流經LED裝置之電流量之圖表。

第10圖係說明響應溫度，流經第6圖所示LED封裝中所含LED裝置之電流量之圖表。

100．．．RFID晶片

110．．．調變器

120．．．解調器

130．．．通電重設單元

140．．．Clock generator：時脈產生器

150．．．數位處理單元

160．．．操作控制器

170．．．資料儲存單元

200．．．操作控制裝置

ANT．．．天線單元

ADD．．．位址

CLK．．．時脈信號

CTR．．．控制信號

DEMOD．．．命令信號

GND．．．接地電壓

I/O．．．輸入/輸出資料

LEDC1~LEDCn．．．控制信號

P1,P2．．．電壓墊

PAD1~PADn．．．墊

POR．．．通電重設信號

RF_EXT．．．無線信號

RP．．．響應信號

Claims (44)

1. 一種發光二極體(LED)封裝，包括：一LED裝置，配置成發射光線；一靜電放電(ESD)裝置，包含一ESD電路，該ESD裝置設置在該LED裝置下方；一印刷電路板(PCB)，包含一電源線，該PCB設置在該ESD裝置下方；以及一散熱基板，設置在該PCB下方，並配置成釋放從該LED裝置經由該ESD裝置及該PCB所收集的熱。
2. 如申請專利範圍第1項之LED封裝，其中該ESD裝置包括一第一矽通孔(TSV)，其配置成將從該LED裝置收集的熱傳送至該PCB。
3. 如申請專利範圍第2項之LED封裝，其中該TSV包括導電材料，其垂直延伸穿過該ESD裝置。
4. 如申請專利範圍第1項之LED封裝，其中該PCB包括一第二矽通孔(TSV)，其配置成將從該ESD裝置收集的熱傳送至該散熱基板。
5. 如申請專利範圍第4項之LED封裝，其中該第二TSV包括導電材料，其垂直延伸穿過該PCB。
6. 如申請專利範圍第1項之LED封裝，進一步包括：一散熱電極，形成於該散熱基板上；一第一下電極，形成於該PCB下方並耦接於該散熱電極；一第一上電極，形成於該PCB上； 一第二下電極，形成於該ESD裝置下方並耦接於該第一上電極；一第二上電極，形成於該ESD裝置上方；以及一LED電極，形成於該LED裝置下方並耦接於該第二上電極。
7. 如申請專利範圍第1項之LED封裝，進一步包括一溫度感測器，其配置成感測在該LED裝置周圍的溫度。
8. 如申請專利範圍第7項之LED封裝，其中該溫度感測器包含於該ESD裝置中。
9. 如申請專利範圍第7項之LED封裝，進一步包括：一第三TSV，其配置成由該溫度感測器感測到的溫度資訊傳輸至該PCB；以及一第三下電極，形成於該第三TSV下方。
10. 如申請專利範圍第9項之LED封裝，進一步包括：一第三上電極，形成於該PCB上並耦接於該第三下電極；以及一信號傳輸線，形成於該PCB中並耦接於該第三上電極。
11. 一種射頻辨識(RFID)系統，包括：複數個LED封裝，各LED封裝包含一LED裝置；一RFID晶片，其配置成響應經由天線收到的無線信號，讀取或寫入資訊；以及一操作控制器，其配置成響應自該RFID晶片輸入之 控制信號，控制複數個LED封裝之操作。
12. 如申請專利範圍第11項之RFID系統，其中每一LED封裝包括：一LED裝置，配置成發射光線；一ESD裝置，包含一ESD電路，該ESD裝置設置在該LED裝置下方；一PCB，包含一電源線，且設置在該ESD裝置下方；以及一散熱基板，設置在該PCB下方，並配置成釋放從該LED裝置經由該ESD裝置及該PCB所收集的熱。
13. 如申請專利範圍第12項之RFID系統，其中該ESD裝置包括一第一TSV，其配置成將從該LED裝置接收的移除至該該PCB。
14. 如申請專利範圍第13項之RFID系統，其中該第一TSV包括導電材料，其垂直延伸穿過該ESD裝置。
15. 如申請專利範圍第12項之RFID系統，其中該PCB包括一第二TSV，其配置成將從該ESD裝置收集的熱移除至該散熱基板。
16. 如申請專利範圍第15項之RFID系統，其中該第二TSV包括一導電材料，其垂直延伸穿過該PCB。
17. 如申請專利範圍第12項之RFID系統，每個LED封裝進一步包括：一散熱電極，形成於該散熱基板上； 一第一下電極，形成於該PCB下方並耦接於該散熱電極；一第一上電極，形成於該PCB上；一第二下電極，形成於該ESD裝置下方並耦接於該第一上電極；一第二上電極，形成於該ESD裝置上方；以及LED電極，形成於該LED裝置下方並耦接於該第二上電極。
18. 如申請專利範圍第11項之RFID系統，其中該操作控制器包括一開關單元。
19. 如申請專利範圍第11項之RFID系統，進一步包括一局部電源線，其配置成供電給複數個LED封裝。
20. 如申請專利範圍第11項之RFID系統，進一步包括電力控制器，其配置成將一外電供至該操作控制器。
21. 如申請專利範圍第20項之RFID系統，進一步包括一總電源線，其耦接在電力控制器及操作控制器之間。
22. 如申請專利範圍第11項之RFID系統，其中該RFID晶片包括：一解調器，其配置成解調無線信號，以產生一命令信號；一處理單元，其配置成根據該命令信號，產生一控制信號及一響應信號；一調變器，其配置成響應該命令信號，將該響應信 號輸入一天線；接通重設單元，其配置成產生一接通重設信號，並將該接通重設信號輸出至該處理單元；時脈產生器，其配置成產生時脈信號，並將該時脈信號輸出至該處理單元；以及資訊儲存單元，其配置成響應自該處理單元輸入之處理信號，讀取及寫入資訊；其中該資訊儲存單元包括鐵電性隨機存取記憶體。
23. 如申請專利範圍第11項之RFID系統，其中該RFID晶片進一步包括：電壓墊，其配置成供應電壓至該RFID晶片；以及接地電壓墊，其配置成供應接地電壓至該RFID晶片。
24. 如申請專利範圍第11項之RFID系統，其中該RFID晶片進一步包括：一連接單元，耦接於該操作控制器；以及一操作控制單元，其配置成將用以控制該操作控制器之操作的一驅動信號輸入該連接單元。
25. 如申請專利範圍第24項之RFID系統，其中該連接單元包括一墊，其耦接於該操作控制器與該操作控制單元之間。
26. 一種RFID系統，包括：複數個LED封裝，其等配置成輸出由一溫度感測器 所感測之一溫度偵測信號，各LED封裝包含一LED裝置；一RFID晶片，其配置成響應經由一天線接收到的一無線信號，讀取或寫入資訊，並響應該溫度偵測信號，輸出用以控制供至複數個LED封裝之電流量之一控制信號；以及一操作控制器，其配置成響應該控制信號，控制該等複數個LED封裝之操作。
27. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，其中該RFID晶片配置成在該溫度偵測信號上升到預定溫度之前，逐漸增加供至該等複數個LED封裝之電流量，及當該溫度偵測信號超過預定溫度時，減少供至該等複數個LED封裝之電流量。
28. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，其中每一LED封裝包括：一LED裝置，配置成發射光線；一ESD裝置，包含一ESD電路，該ESD訊置在該LED裝置下方；一PCB，包含一電源線，且設置在該ESD裝置下方；一散熱基板，設置在該PCB下方，並配置成釋放從該LED裝置經由該ESD裝置及該PCB收集的熱；以及一溫度感測器，其配置成感測在該LED裝置周圍之溫度。
29. 如申請專利範圍第28項之RFID系統，其中該溫度感測 器包含於該ESD裝置中。
30. 如申請專利範圍第28項之RFID系統，進一步包括：一第一TSV，其配置成將由該溫度感測器所感測之溫度資訊傳輸至該PCB；以及一第一下電極，形成於該第一TSV下方。
31. 如申請專利範圍第30項之RFID系統，進一步包括：一第一上電極，形成於該PCB上並耦接於該第一下電極；以及一信號傳輸線，形成於該PCB中並耦接於該第一上電極。
32. 如申請專利範圍第28項之RFID系統，其中該ESD裝置包括一第二TSV，其配置成將從該LED裝置接收的熱移除至該PCB。
33. 如申請專利範圍第32項之RFID系統，其中該第二TSV包括導電材料，其垂直延伸穿過該ESD裝置。
34. 如申請專利範圍第28項之RFID系統，其中該PCB包括一第三TSV，其配置成將從該ESD裝置收集的熱移除至該散熱基板。
35. 如申請專利範圍第34項之RFID系統，其中該第三TSV包括導電材料，其垂直延伸穿過該PCB。
36. 如申請專利範圍第28項之RFID系統，進一步包括：一散熱電極，形成於該散熱基板上；一第二下電極，形成於該PCB下方並耦接於該散熱 電極；一第二上電極，形成於該PCB上；一第三下電極，形成於該ESD裝置下方並耦接於該第二上電極；一第三上電極，形成於於該ESD裝置上方；以及一LED電極，形成於該PCB該LED裝置下方並耦接於該第三上電極。
37. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，進一步包括一局部電源線，其配置成供電給該等複數個LED封裝。
38. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，進一步包括電力控制器，其配置成將一外電供至該操作控制器。
39. 如申請專利範圍第38項之RFID系統，進一步包括一總電源線，其耦接在該電力控制器與該操作控制器間。
40. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，其中該RFID晶片包括：一解調器，其配置成該解調無線信號，以產生一命令信號；一處理單元，其配置成根據該命令信號，產生一控制信號及一響應信號；一調變器，其配置成響應該命令信號，將該響應信號輸入天線；一接通重設單元，其配置成產生一接通重設信號，並將該接通重設信號輸出至該處理單元； 一時脈產生器，其配置成產生一時脈信號，並將該時脈信號輸出至該處理單元；以及一資訊儲存單元，其配置成響應自該處理單元輸入之處理信號，讀取及寫入資訊；其中該資訊儲存單元包括一鐵電性隨機存取記憶體。
41. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，其中該RFID晶片進一步包括：一電壓墊，其配置成供應一電壓至該RFID晶片；以及一接地電壓墊，其配置成供應一接地電壓至該RFID晶片。
42. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，其中該RFID晶片進一步包括：一連接單元，耦接於該操作控制器；以及一操作控制單元，其配置成將用以控制該操作控制器之操作的一驅動信號輸入該連接單元。
43. 如申請專利範圍第42項之RFID系統，其中該連接單元包括一墊，其耦接於該操作控制器與該操作控制單元之間。
44. 如申請專利範圍第26項之RFID系統，進一步包括一匯流排，其配置成將自複數個LED封裝輸入之溫度偵測信號輸入該RFID晶片。