TWI508433B

TWI508433B - 應用於無線接收器的放大器與相關方法

Info

Publication number: TWI508433B
Application number: TW101147897A
Authority: TW
Inventors: Hung-Chuan Pai; Shou-Fang Chen
Original assignee: Mstar Semiconductor Inc
Priority date: 2012-01-10
Filing date: 2012-12-17
Publication date: 2015-11-11
Also published as: CN103199812A; US8665027B2; TW201330491A; US20130176077A1; CN103199812B

Description

應用於無線接收器的放大器與相關方法

本發明係關於一種應用於一無線接收器的放大器與相關方法，且特別係關於一種將一驅動電晶體維持於三極模式(亦稱三極區或線性區)運作以實現無縫增益控制並提昇線性度(linearity)的放大器與相關方法。

無線科技已被廣泛運用於網路系統、廣播系統、定位系統、行動互聯系統以及通訊系統。其中，用以接收無線訊號的無線接收器則是無線科技最重要的環節之一。在現代的無線科技中，無線接收器係以一天線接收無線訊號、將接收的訊號放大、將放大的訊號與本地振盪訊號混波、對混波後的訊號進行濾波(例如低通或帶通濾波)，並進行類比至數位轉換而將濾波後的訊號轉換為數位訊號，以使無線訊號中攜載的資訊、資料、聲音/影像串流、封包及/或訊息能以數位訊號處理。

在將接收的訊號放大時，需考慮的重要因素包括雜訊、頻寬、控制增益的能力以及線性度。放大技術要求的是低雜訊、高線性度與高頻寬，以提供良好的雜訊指數(noise figure)、低訊號失真(distortion)，並支援現代的各種調變方案，例如展頻及/或頻率多工。再者，為了充分運用類比至數位轉換的動態範圍，亦需要精細的放大增益控制。對接收的訊號而言，其訊號強度(magnitude)會因種種因素而劇烈變化，例如無線傳播環境/通道的改變，以及/或者無線訊源與接收器間距離的改變。強度不同的訊號需以不同的增益放大，以使放大後的訊號強度可以符合類比至數位轉換的完整動態範圍。

一種常見的習知放大技術係以兩級放大器實現增益控制；經無線接收的訊號會先經由一低雜訊放大器(low-noise amplifier，LNA)放大，再經由一可變增益放大器(variable-gain amplifier，VGA)放大。在此先前技術中，低雜訊放大器通常係以步階式增益控制(step gain control)實現增益粗調，可變增益放大器則實現增益細調。在低雜訊放大器的步階式增益控制中，低雜訊放大器的增益只能由有限的數種增益等級中擇一，無法細調至兩相鄰增益等級間的任意值。因此，習知技術需使用額外增設的可變增益放大器，以便用較為精細的增益控制填補在低雜訊放大器增益等級間的間隙。然而，此種兩級放大器架構會佔用較大的實體佈局面積，消耗較多的電流與功率，雜訊也會較嚴重，因為要用更多的主動及/或被動元件來實現放大器架構。

為克服習知技術的缺點，本發明提供一種具備無縫增益控制的放大器，例如一低雜訊放大器，其可應用於無線接收器所需的放大功能。在無縫增益控制下，放大器的增益可以被無縫地細調為一增益範圍中任意值。因此，放大技術的需求可用單一一級放大器滿足，且此放大器還可增進線性度，其佔用的布局面積也較小、消耗的功率較低，引發雜訊也較低。

本發明的目的之一係提供一種可應用於無線接收器的放大器，其包括一輸入端、一輸出端、一第一區塊、一第二區塊與一回授電路。輸入端用以接收一輸入訊號，放大器即係響應此輸入訊號而向輸出端提供一輸出訊號。第一區塊包括一第一端、一第二端與一增益控制端，分別耦接輸入端、輸出端與一增益控制訊號，並包括一第一電晶體，運作於三極區。第二區塊包括一第三端與一第四端，分別耦接輸入端與輸出端，並響應輸入訊號而於輸出端導通一電流。回授電路耦接於輸入端與輸出端間，用以在輸入端與輸出端間提供一回授阻抗。

依據本發明一實施例，第一區塊包括一第一電晶體與一第二電晶體。第一電晶體具有一第一閘極、一第一源極與一第一汲極；第一閘極與第一源極分別耦接第一端與一第一供應電壓。第二電晶體具有一第二閘極、一第二汲極與一第二源極，分別耦接增益控制端、第二端與第一汲極。第二電晶體係依據增益控制訊號而調整第一汲極的電壓。

依據本發明一實施例，第二區塊包括一第三電晶體與一第四電晶體。第三電晶體具有一第三閘極、一第三源極與一第三汲極；第三閘極與第三源極分別耦接第三端與一第二供應電壓。第四電晶體具有一第四閘極、一第四源極與一第四汲極，分別耦接一偏壓電壓、第三汲極與第四端。

依據本發明一實施例，放大器可依據增益控制訊號調整輸出訊號相對於輸入訊號的增益，使增益控制訊號的任意兩相異值可以調整出相異的增益。

本發明的目的之一是提供一種控制一放大器的方法，放大器包括有一輸入端、一輸出端、一增益控制端與一第一電晶體，耦接輸出端。此方法包括：由輸入端接收一輸入訊號，以放大器向輸出端提供一輸出訊號，並向增益控制端提供一增益控制訊號，使第一電晶體可維持運作於三極區。

依據本發明一實施例，本發明方法更包括：調整增益控制訊號以調整輸出訊號相對於輸出訊號的增益。增益控制訊號可由一當前值改變至一任意相異值以將增益改變為一相異值。

依據本發明一實施例，第一電晶體具有一第一閘極與一第一汲極，第一閘極耦接輸入端。放大器更包括一第二電晶體，具有一第二閘極與一第二源極，分別耦接增益控制端與第一汲極。本發明方法更包括：藉著向該增益控制端提供增益控制訊號，控制第二電晶體向該第一汲極提供一電壓，使第一電晶體維持運作於三極區。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參考第1圖，其所示意的是依據本發明一實施例的放大器10。放大器10運作於供應電壓Vdd與Vss之間，兩節點n1與n2分別為一輸入端與一輸出端。放大器10由節點n1接收一訊號Si(輸入訊號)，響應訊號Si而向節點n2提供一訊號Sp(輸出訊號)。放大器10，例如一低雜訊放大器，可實現於一無線接收器中；無線訊號可由一天線接收電路18接收為訊號Si，而由放大器10放大後的訊號Sp則可輸出至一混波器(mixer，未繪示)。天線接收電路18可包括一天線、傳輸線與相關的主動及/或被動元件，例如電阻、電感、電容、外接放大器、濾波器及/或表面波(surface acoustic wave，SAW)元件。對放大器10而言，天線接收電路18於節點n1的阻抗可用一電阻Ra模型化。為優化訊號Si的功率，放大器10可匹配電阻Ra，以實現輸入阻抗匹配。

放大器10包括兩(第一與第二)區塊12與14，以及一回授電路16。區塊12耦接於節點n3與n2之間，並包括兩電晶體pm1與pm2，例如兩p通道金氧半場效電晶體。節點n3經由一交流耦合(AC coupling)的電容C2耦接至節點n1，使訊號Si可被耦合至節點n3。一電壓Vcmfb則經由一電阻Rp而耦接至節點n3，用以設定節點n3的直流偏壓，並使輸出節點n2可維持一預設的直流電壓。電晶體pm1的閘極、源極與汲極分別耦接節點n3、供應電壓Vdd與一節點n4；電晶體pm2的閘極、源極與汲極則分別耦接一電壓vp、節點n4與節點n2。電晶體pm2的閘極作為一增益控制端，以將電壓vp接收為一增益控制訊號。

區塊14耦接於節點n1與n2之間，並包括兩電晶體nm1與nm2，例如兩n通道金氧半場效電晶體。電晶體nm1的閘極、源極與汲極分別耦接節點n1、供應電壓Vss與一節點n5。電晶體nm2的閘極、源極與汲極則分別耦接一偏壓電壓vn、節點n5與節點n2。一電壓Vbias經由一電阻Rn耦接於節點n1，以維持節點n1的直流偏壓。

一實施例中，電晶體nm2與pm2可為一對互補(complementary)電晶體，電晶體nm1與pm1則可為另一對互補電晶體。響應訊號Si，電晶體pm1與nm1分別於節點n4與n5導通電流；經由電晶體pm2與nm2的導通，節點n4與n5的電流耦接至節點n2，以驅動訊號Sp。因此，電晶體nm1與pm1形成推挽架構，並整合串接(cascode)的電晶體nm2與pm2。為了節點n1的輸入阻抗匹配，回授電路16被安排在節點n6與n2之間，以提供一回授阻抗，例如以一電阻Rf提供此回授阻抗；其中，節點n6係經由一交流耦合的電容C1耦接至節點n1。由於回授電路16耦接於放大器10的輸入端與輸出端之間，放大器10於節點n1提供的阻抗係由電阻Rf主導；利用回授電路16，不需在推挽架構中附接源極退化(source degenerate)的電感便可滿足輸入阻抗匹配。

雖然推挽架構放大器的兩互補電晶體通常均係運作於飽和區，放大器10的電晶體pm1係特別被偏壓於三極區運作。針對電晶體pm1於源極汲極間導通的電流Id、於源極閘極間跨接的電壓Vgs以及源極汲極間跨接的電壓Vds，若電壓Vgs大於一電壓和(Vds+Vth)，則電晶體pm1就會被驅動至三極區；其中，Vth為電晶體pm1的臨限電壓的絕對值。對於向電晶體pm2的閘極所施加的電壓vp，其電壓值的大小即係用以使電晶體pm2能在節點n4維持一適當電壓，以便使電晶體pm1能持續運作於三極區。另一方面，電晶體nm1則被偏壓於飽和區運作。

延續第1圖，請一併參考第2圖；第2圖係以一電流-電壓關係示意電晶體pm1的運作。於飽和區中，電流Id可近似為(1/2)*μ*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vth)ˆ2]，其中μ、Cox與(W/L)分別是電晶體pm1的載子移動率、單位面積電容與長寬比(aspect ratio，通道寬度對長度之比例)。亦即，若電晶體pm1運作於飽和區，即使當電壓Vds改變，電流Id也幾乎維持於定值。另一方面，於三極區中，電流Id可近似為μ*Cox*(W/L)*[(Vds-Vth)*Vds-(1/2)*(Vgsˆ2)]。在三極區中，電流Id與電壓Vds間的關係(即電流-電壓曲線的斜率的倒數)可用電晶體pm1的汲極源極間電阻rds(亦示於第1圖)近似，而電阻rds的阻值會隨電壓Vds改變而有所變化。舉例而言，如第2圖所示，當電壓Vds分別為電壓值Vds2與Vds1時，電阻rds的阻值分別為rds@Vds2與rds@Vds1；若電壓值Vds2大於Vds1，阻值rds@Vds2會大於rds@Vds1。

請再度參考第1圖，其亦繪示了本發明中訊號Si與Sp的波形；三極區的特性會被用來提昇放大器10的線性度。當輸入訊號Si在一時段T1中循一向上擺幅升高時，電流Id的電流值、電壓Vds的電壓值與電阻rds的阻值均隨之增加；因此，訊號Sp會由一常數直流電壓Vdc向下擺動，其向下的擺幅會超過一訊號Sp0的向下擺幅，此訊號Sp0在第1圖中以虛線繪示，其代表的是當電晶體pm1運作於飽和區時於節點n2所輸出的訊號。

當訊號Si在一時段T2中沿一向下擺幅而降低時，電流Id、電壓Vds與電阻rds均隨之減少，而訊號Sp的向上擺幅亦會被擴大而超過訊號Sp0的向上擺幅。亦即，將電晶體pm1驅動至三極區而非飽和區，節點n2的電壓擺動空間(headroom)就會擴大，進而提昇線性度。

當電晶體pm1維持於三極區運作，偏壓電壓vp亦為輸出訊號Sp對輸入訊號Si間的增益提供無縫增益控制。請參考第3圖，其所示意的是依據本發明一實施例的增益控制與線性度改善。增益隨電壓vp的變化可用以顯示增益控制，而三階截斷點(third order intercept point，IIP3)隨電壓vp增加的情形則可顯示線性度的改善。如圖所示，改變電壓vp之值，增益就可被設定為增益範圍中的任意值，而非區區數個離散分隔的增益等級；如此，便可達成無縫增益控制。亦即，電壓vp可由一當前值改變為任意相異值以將增益調整至一相異值。

放大器10可用以實現自動增益控制。輸入功率(訊號Si的功率)的資訊可利用接收訊號強度指示(received signal strength indication，RSSI)及/或峰值偵測取得，並據以控制電壓vp的電壓值。一實施例中，電壓vp的增益控制實現一無縫增益細調，而放大器10的其他可控制參數，例如在一或多個選定節點的直流偏壓及/或回授電路16提供的阻抗，則係用以實現步階式增益粗調。舉例而言，回授電路16中的電阻Rf可以是一可變電阻，其電阻值可以由複數種相異阻值中擇一，故當回授電路16被切換於不同阻值時，增益就會切換於不同的增益等級；而電壓vp的無縫增益控制則用以填補兩相鄰增益等級間的間隙。

由第3圖中可看出，當電壓vp在同樣範圍中變化時，線性度改善程度(即IIP3範圍)會大於增益範圍。亦即，在增益範圍中的增益下降並非線性度改善的唯一原因；將電晶體pm1驅動至三極區對線性度的提昇會有額外的貢獻。

請參考第4圖，其所示意的是依據本發明一實施例的放大器20。類似於放大器10，放大器20可被納入至一無線接收器的射頻類比前端(frontend)以作為一低雜訊放大器，其可將天線接收電路18的訊號Si放大，據以提供放大後的訊號Sp，例如提供至一混波器(未圖示)。放大器20運作於兩供應電壓Vdd與Vss之間，兩節點a1與a2分別為其輸入端與輸出端，並包括兩區塊22與24，以及一回授電路26。

區塊24包括兩電晶體(如兩n通道金氧半場效電晶體)m1n與m2n，分別互補於區塊26中的兩電晶體m1p與m2p(例如兩p通道金氧半場效電晶體)；電晶體m1p被偏壓至飽和區中運作，而電晶體m1n則被偏壓於三極區中運作。

區塊24耦接於節點a3與a2之間，電晶體m1n的閘極、源極與汲極分別耦接節點a1、供應電壓Vss與一節點a5；電晶體m2n的閘極、源極與汲極則分別耦接一偏壓電壓vn、節點a5與節點a2。偏壓電壓vn為一增益控制訊號，其能使電晶體m2n於節點a5維持適當的電壓，以將電晶體m1n維持於三極區中運作。亦即，使電晶體m1n的源極閘極間電壓Vgs大於電壓和(Vds+Vth_n)，其中Vds為電晶體m1n的汲極源極間電壓，而Vth_n則是電晶體m1n的臨限電壓。節點a3經由一交流耦合的電容Cb耦接至節點a1，而一電壓Vcmfb則經由一電阻R2耦接至節點a3，用以設定節點a3的直流偏壓，以便為輸出節點a2維持一預設的直流電壓。

區塊22耦接於節點a1與a2間；電晶體m1p的閘極、源極與汲極分別耦接節點a1、供應電壓Vdd與一節點a4，電晶體m2p的閘極、源極與汲極則分別耦接一偏壓電壓vp、節點a4與節點a2。一電壓Vbias經由一電阻R1耦接至節點a1，以設定節點a1的直流偏壓。回授電路26耦接於節點a6與a2之間，以一電阻Rf提供一回授阻抗。節點a6則經由一交流耦合的電容Ca耦接至節點a1。

放大器20將電晶體m1n驅動至三極區，據以實現無縫增益控制，並提昇線性度。如訊號Si與Sp的波形所示，當訊號Si於時段Ta中沿一上升擺幅升高時，電晶體m1n於源極與汲極間導通的電流Id、電壓Vds與電晶體m1n於源極與汲極間的電阻rds皆隨之下降，使訊號Sp會比訊號Sp0擁有一更深的向下擺幅；其中，訊號Sp0係假設電晶體m1n運作於飽和區時的輸出訊號。在時段Tb中，當訊號Si隨一向下擺幅降低時，電流Id、電壓Vds與電阻rds會隨之增加，擴大訊號Sp的向上擺幅。

本發明亦提供一種方法，用以控制本發明放大器10與20；當推挽架構的互補驅動電晶體(如電晶體pm1與 nm1)中有一個運作於飽和區，另一個驅動電晶體則以一適當的增益控制訊號(如第1圖中的電壓vp與第4圖中的電壓vn)使其維持於三極區中運作；此增益控制訊號係被施加於一串接電晶體的閘極，而該串接電晶體係耦接於該三極區運作的驅動電晶體。調整增益控制訊號，便可實現無縫增益控制，微調輸出訊號對輸入訊號的增益。如第3圖所示，增益控制訊號可由一當前值改變為任意相異值，以使增益改變為一相異值。

總結而言，相較於習知技術，本發明放大器可用架構簡單的單一一級放大器實現無縫增益控制，不需採用複雜、對雜訊敏感、耗費功率與面積的兩級放大器；再者，本發明放大器可擴大輸出擺動空間，進而提昇線性度。於無線接收器的射頻類比前端中採用本發明放大器進行寬頻放大，有助於無線接收器降低功率消耗、縮減布局面積、提昇線性度，最終能實現較佳的接收品質(如較低的位元錯誤率)。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、20‧‧‧放大器

12、14、22、24‧‧‧區塊

16、26‧‧‧回授電路

18‧‧‧天線接收電路

Ra、Rp、Rn、Rf、rds、R1、R2‧‧‧電阻

pm1、pm2、nm1、nm2、m1p、m2p、m1n、m2n‧‧‧電晶體

C1、C2、Ca、Cb‧‧‧電容

Vcmfb、vp、vn、Vbias、Vgs、Vds、Vdc‧‧‧電壓

Si、Sp、Sp0‧‧‧訊號

n1-n6、a1-a6‧‧‧節點

Vdd、Vss‧‧‧供應電壓

Id‧‧‧電流

T1、T2、Ta、Tb‧‧‧時段

Vds1、Vds2‧‧‧電壓值

rds@Vds1、rds@Vds2‧‧‧阻值

第1圖示意的是依據本發明一實施例的放大器。

第2圖示意的是第1圖放大器中一電晶體的電流-電壓關係。

第3圖示意的是第1圖放大器的無縫增益控制與線性度改良。

第4圖示意的是依據本發明另一實施例的放大器。

10‧‧‧放大器

12、14‧‧‧區塊

16‧‧‧回授電路

18‧‧‧天線接收電路

Ra、Rp、Rn、Rf、rds‧‧‧電阻

pm1、pm2、nm1、nm2‧‧‧電晶體

C1、C2‧‧‧電容

Vcmfb、vp、vn、Vbias、Vgs、Vds、Vdc‧‧‧電壓

Si、Sp、Sp0‧‧‧訊號

n1-n6‧‧‧節點

Vdd、Vss‧‧‧供應電壓

Id‧‧‧電流

T1、T2‧‧‧時段

Claims

一種應用於一無線接收器的放大器，包含：一輸入端，用以接收一輸入訊號；一輸出端，用以輸出一響應該輸入訊號的輸出訊號；一第一區塊，包含一第一端、一第二端、一增益控制端及一運作於三極區之第一電晶體，該第一端及該第二端分別耦接該輸入端及該輸出端，該增益控制端接收一增益控制訊號；以及一第二區塊，包含一第三端與一第四端，分別耦接該輸入端與該輸出端，並於該輸出端導通一電流。
如申請專利範圍第1項的放大器，更包含：一回授電路，耦接於該輸入端與該輸出端之間，用以在該輸入端與該輸出端間提供一回授阻抗。
如申請專利範圍第1項的放大器，其中該第一電晶體包含一第一閘極與一第一源極，分別耦接該第一端與一第一供應電壓。
如申請專利範圍第3項的放大器，其中該第一電晶體更包含一第一汲極，且該第一區塊更包含：一第二電晶體，包含一第二閘極、一第二汲極與一第二源極，分別耦接該增益控制端、該第二端與該第一汲極；其中，該第二電晶體係依據該增益控制訊號調整該第一汲極的電壓。
如申請專利範圍第1項的放大器，其中該第二區塊更包含：一第三電晶體，包含一第三閘極與一第三源極，分別耦接該第三端與一第二供應電壓。
如申請專利範圍第5項的放大器，其中該第三電晶體更包含一第三汲極，且該第二區塊更包含：一第四電晶體，包含一第四閘極、一第四源極與一第四汲極，分別耦接一偏壓電壓，該第三汲極與該第四端。
如申請專利範圍第1項的放大器，其係依據該增益控制訊號調整該輸出訊號對該輸入訊號的一增益，以使該增益控制訊號的任兩相異值對應至相異的該增益。
一種用以控制一低雜訊放大器的方法，該低雜訊放大器包含一輸入端、一輸出端、一增益控制端與一耦接該輸入端之第一電晶體，該方法包含：由該輸入端接收一輸入訊號，並以該低雜訊放大器於該輸出端提供一輸出訊號；以及提供一增益控制訊號至該增益控制端，以使該第一電晶體運作於三極區。
如申請專利範圍第8項的方法，更包含：調整該增益控制訊號，以調整該輸出訊號相對於該輸入訊號的一增益。
如申請專利範圍第8項的方法，其中該第一電晶體包含一第一閘極與一第一汲極，該第一閘極耦接該輸入端，且該低雜訊放大器更包含一第二電晶體；該第二電晶體包含一第二閘極與一第二源極，分別耦接該增益控制端與該第一汲極；該方法更包含：藉由向該增益控制端提供該增益控制訊號，控制該第二電晶體向該第一汲極提供一電壓，以使該第一電晶體維持運作於三極區。
如申請專利範圍第9項的方法，更包含：將該增益控制訊號由一當前值調整至任一相異值，以改變該增益。
一種應用於一無線接收器的放大器，包含：一輸入端，用以接收一輸入訊號；一輸出端，用以輸出一響應該輸入訊號的輸出訊號；一第一區塊，包含一耦接該輸入端的第一端、一耦接該輸出端的第二端、一耦接一增益控制訊號的增益控制端、一第一電壓源與一運作於三極區之第一電晶體，以及一第二區塊，包含一耦接該輸入端的第三端、一耦接該輸出端的第四端與一第二電壓源；其中該第二區塊係於該輸出端導通一電流。
如申請專利範圍第12項的放大器，更包含：一回授電路，直接耦接於該輸入端與該輸出端之間，用以於該輸入端與該輸出端間提供一回授阻抗。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第一電晶體包含一第一閘極，耦接該第一端，以及一第一源極，經由該第一電壓源耦接一第一供應電壓。
如申請專利範圍第14項的放大器，其中該第一電晶體更包含一第一汲極，且該第一區塊更包含：一第二電晶體，包含一第二閘極、一第二汲極與一第二源極，分別耦接該增益控制端、該第二端與該第一汲極；其中該第二電晶體係依據該增益控制訊號調整該第一汲極的電壓。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第二區塊包含：一第三電晶體，包含一第三閘極，耦接該第三端，以及一第三源極，經由該第二電壓源耦接一第二供應電壓。
如申請專利範圍第16項的放大器，其中該第三電晶體更包含一第三汲極，且該第二區塊更包含：一第四電晶體，包含一第四閘極、一第四源極與一第四汲極，分別耦接一偏壓電壓、該第三汲極與該第四端。
如申請專利範圍第12項的放大器，其係依據該增益控制訊號調整該輸出訊號相對於該輸入訊號的一增益，使該增益控制訊號的任兩相異值係對應至相異的該增益。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第一電壓源大於該第二電壓源。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第一電壓源小於該第二電壓源。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第一電晶體係一p通道金氧半場效電晶體。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第一電晶體係一n通道金氧半場效電晶體。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第一電壓源係大於該第二電壓源，且該第一電晶體係一p通道金氧半場效電晶體。
如申請專利範圍第12項的放大器，其中該第一電壓源係小於該第二電壓源，且該第一電晶體係一n通道金氧半場效電晶體。
如申請專利範圍第19項的放大器，其中該第一電晶體係一p通道金氧半場效電晶體。
如申請專利範圍第20項的放大器，其中該第一電晶體係一n通道金氧半場效電晶體。