TWI598951B - 半導體晶圓的蝕刻裝置及半導體晶圓的蝕刻方法 - Google Patents
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- semiconductor wafer
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 181
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 170
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 269
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 50
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本發明係有關於半導體晶圓的蝕刻裝置及半導體晶圓的蝕刻方法。
作為矽裝置用基板來使用的矽晶圓等的半導體晶圓，是用線鋸將以柴可拉斯基法等拉起的晶棒切出，再經過刷磨等的機械加工、蝕刻、表面研磨等的複數階段的處理而製造。
實行蝕刻的目的是以不破壞在先前步驟的機械加工中製造出來的平坦度的狀態下，將機械加工中造成的加工歪斜或晶圓正反表面的微小缺陷、以及附著物去除。在這個蝕刻中，會將半導體晶圓浸漬於既定的蝕刻液，在這個狀態下旋轉，藉由半導體晶圓與蝕刻液之間的化學反應來除去半導體晶圓的正反表面的化學材料。
第1圖係顯示蝕刻裝置100的概略圖。蝕刻裝置100主要具備在內部儲存蝕刻液的蝕刻槽101、可旋轉地支持並收納複數片半導體晶圓W的晶圓匣102。如第2圖所示，晶圓匣102為了收納半導體晶圓W而具備2片分離配置的側面板103a、103b。又，2片的側面板103a、103b之間分離配置了中央分隔
板104。又，這些側面板103a、103b及中央分隔板104藉由主滾輪106連結保持。主滾輪106設置有接觸支持構件107。回到第1圖，收納於晶圓匣102的內部的複數片半導體晶圓W會藉由接觸支持構件107而分別被接觸支持。又，蝕刻裝置100中，還具備用以旋轉半導體晶圓的驅動部108、升降晶圓匣的升降機構(圖示省略)。
使用這種構造的實施裝置100來蝕刻半導體晶圓W的情況下，首先將複數片半導體晶圓W以表面彼此平行的縱列狀態收納到晶圓匣102。在晶圓匣102的內部，複數片的半導體晶圓W被接觸支持構件107所接觸支持。然後，藉由升降手段，將收納複數片半導體晶圓W的晶圓匣102浸泡到處於循環供給蝕刻液的狀態下的蝕刻槽101中。
接著，藉由配置於蝕刻裝置100的驅動部108以既定的速度旋轉，透過各種齒輪使主滾輪106跟著旋轉。藉此，設置於主滾輪106的接觸支持構件107所支持的複數片半導體晶圓W也跟著連動旋轉。這樣一來，在晶圓匣102的內部，複數片半導體晶圓W分別繞中心軸旋轉，以進行半導體晶圓W的蝕刻處理。
然而，上述的蝕刻裝置100中，半導體晶圓W各自產生的旋轉流會在半導體晶圓W間碰撞，又半導體晶圓W之間的相對旋轉流速相當快，因此例如半導體晶圓W的外周附近會發生蝕刻液的亂流，而導致半導體晶圓W的外周部的平坦度特性的惡化。
專利文獻1、2揭露了一種配置複數片分隔板的蝕
刻裝置，作為抑制上述蝕刻液亂流的技術。
專利文獻1：日本特開2005-050943號公報
專利文獻2：日本特開2006-032641號公報
然而，上述專利文獻1、2記載的使用複數片分隔板的蝕刻當中，在半導體晶圓W的中央部的平坦度改善並不充分，會產生類似隆起一樣的凹凸。
本發明的目的是提供一種半導體晶圓的蝕刻裝置及半導體晶圓的蝕刻方法，能夠改善蝕刻後的平坦度。
本發明人努力研究蝕刻後的晶圓的平坦度後的結果，獲得以下成果。
<實驗1>
首先，使用具備沒有習知的分隔板的晶圓匣的蝕刻裝置進行蝕刻，然後進行確認晶圓的平坦度的狀況的實驗。準備矽晶圓作為半導體晶圓，準備氟酸、硝酸及硝酸混合的酸來作為蝕刻液。使用具備第2圖所示的晶圓匣102的第1圖所示的蝕刻裝置100來蝕刻複數片的半導體晶圓W，藉由表面研磨裝置(圖示省略)對蝕刻後的半導體晶圓W的表面進行表面研磨。然後，關於蝕刻後與表面研磨後的矽晶圓，會使用晶圓表面測量器(ADE9300：美國ADE公司製)來作為測量機器，測量表面的平坦度。結果顯示於第3、4圖。
如第3圖所示，蝕刻後的半導體晶圓W的中央部形
成凹凸，平坦性差。又，如第4圖所示，表面研磨後的半導體晶圓W的中央部也形成凹凸。像這樣，可知蝕刻後的半導體晶圓W的平坦度與表面研磨後的半導體晶圓W的平坦部有很大差異。
<實驗2>
接著，使用具備第2圖所示的晶圓匣102的第1圖所示的蝕刻裝置100來蝕刻複數片的半導體晶圓W時，關於1次處理內的晶圓，會使用晶圓表面測量器(ADE9300：美國ADE公司製)來作為測量機器，測量表面的平坦度。平坦部量測如第5圖所示，將測量對象的半導體晶圓W分割成邊長為25mm的正方形單元，對位於半導體晶圓W的中央部的4個單元以及位於半導體晶圓W的外周部的20個單元分別計算出平坦度(SFQR)。結果顯示於第6圖。第6圖的橫軸表示按照裝填順序的各半導體晶圓W，縱軸的SFQR分別表示半導體晶圓W的中央部的4個單元的平均以及半導體晶圓W的外周部的20個單元的平均。又，SFQR(Site Front Least Square Range)是對於各個區塊，將設定的區塊內以最小平方法算出資料的區塊內平面當作是基準平面，以這個平面的+側(也就是將晶圓的主表面朝上水平放置時的上側)、-側(同下側)的各自最大位移量的絕對值的和來表示的評價值。
從第6圖，獲得因為收納於晶圓匣102的內部的位置不同，半導體晶圓W的平坦部不同的結果。具體來說，相對於收納於晶圓匣102的內部的中央及外側的半導體晶圓W的較佳的平坦度，可確認收納於除此之外的位置的半導體晶圓W的
平坦度惡化。收納於晶圓匣102的內部的中央及外側的半導體晶圓W鄰接側面板103a、103b及中央分隔板104，相對於於此，收納於除此之外的位置的半導體晶圓W具有半導體晶圓W彼此相鄰的這點差異。因此，可推測沒有鄰接側面板103a、103b及中央分隔板104的半導體晶圓W當中，鄰接的半導體晶圓W是旋轉體，旋轉的半導體晶圓W所產生的蝕刻液的亂流會使半導體晶圓W的平坦度惡化。
<實驗3>
基於上述實驗2的檢討結果，為了抑制鄰接的半導體晶圓W的旋轉所產生的蝕刻液的亂流，如第7圖所示，會準備晶圓匣202，其在收納於內部的複數片的半導體晶圓W之間設置有複數片表面平坦的分隔板205。使用具備第7圖所示的晶圓匣202的第1圖所示的蝕刻裝置100來蝕刻複數片的半導體晶圓W，藉由表面研磨裝置(圖示省略)對蝕刻後的半導體晶圓W的表面進行表面研磨。然後，關於蝕刻後與表面研磨後的矽晶圓，會使用晶圓表面測量器(ADE9300：美國ADE公司製)來作為測量機器，測量表面的平坦度。結果顯示於第8、9圖。從第8、9圖所示的結果中能夠確認，半導體晶圓W的中央部的隆起這種凹凸比起上述第3、4圖的結果來說有所減輕。從這個結果確認到藉由設置複數片的分隔板可抑制蝕液產生亂流。然而，半導體晶圓W的中央部的隆起這種凹凸的改善還不是相當充分。
第10圖顯示半導體晶圓W的附近的蝕刻液的流向。蝕刻中會讓半導體晶圓W旋轉，因此蝕刻槽101的蝕刻液
會對每個半導體晶圓W分別產生旋轉流。在距離旋轉中心遠的半導體晶圓W的外周部附近，因為旋轉而移動的每一定時間的距離大，在半導體晶圓W的中央部附近，因為旋轉而移動的每一定時間的距離小。因此，因為每一定時間移動距離的差，在半導體晶圓W的外周部附近的蝕刻液的流動快，在半導體晶圓W的中央部附近的蝕刻液的流動慢。特別是，因為在半導體晶圓W的中央部附近的蝕刻液的流動慢，蝕刻反應下產生的反應生成氣體難以從半導體晶圓W的表層剝離，可推測這個反應生成氣體會妨礙蝕刻反應的進行，因而造成半導體晶圓W的中央部所產生的凹凸的惡化。
<實驗4>
因此，為了確認半導體晶圓W的旋轉所產生的旋轉流的影響，第7圖所示的晶圓匣202中，適當變更設置的複數片分隔板205之間的間隔，進行半導體晶圓W的蝕刻，測量蝕刻後的半導體晶圓W的平坦度(SFQR)。結果顯示於第11圖。從第11圖可見，半導體晶圓W的中央部的平坦度有當分隔板205間的間隔越狹窄時越改善，當分隔板205間的間隔越擴大時越惡化的傾向。又，可看見半導體晶圓W的外周部的平坦部有當分隔板205間的間隔越狹窄時越惡化，當分隔板205間的間隔越擴大時越改善的傾向。
如上述，因為分隔板205間的間隔變化，半導體晶圓W的中央部的平坦部與外周部的平坦部跟著變動，這是因為半導體晶圓W與分隔板205之間的間隔變化，流到半導體晶圓W的附近的蝕刻液的流動跟著變化。這是半導體晶圓W的中央部
與外周部的蝕刻的差所顯現出來的結果。從這個結果中可思考到，如果控制到半導體晶圓W的中央部附近的蝕刻液的流速與半導體晶圓W的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同，使半導體晶圓W的中央部附近的蝕刻液的流動比習知快，就可促進半導體晶圓W的中央附近的反應生成氣體的剝離。藉此，思考出解決因為反應生成氣體的剝離太慢而妨礙蝕刻的進行的情況，使半導體晶圓W的中央部與外周部的蝕刻反應均一化。本發明根據上述見解而完成。
也就是，本發明的半導體晶圓的蝕刻裝置，包括：蝕刻槽，儲存蝕刻液；晶圓匣，可進出該蝕刻槽，以可旋轉的方式收納複數片的半導體晶圓；以及複數片的分隔板，配設於該晶圓匣的內部該複數片的半導體晶圓之間，其中在旋轉該半導體晶圓的狀態下，利用該分隔板控制該蝕刻液的流速，使得該半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速會與該半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同。
根據本發明，使半導體晶圓旋轉的狀態下，利用分隔板控制蝕刻液的流速，使得半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速會與半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同。藉由分隔板來控制晶圓附近的蝕刻液的流速，促進晶圓的中央部附近的反應生成氣體的剝離，因此消除了因為反應氣體的剝離太慢而妨礙蝕刻進行的狀況。如此一來，晶圓的中央部與外周部被蝕刻到幾乎相同的程度，因此能夠提升蝕刻後的平坦度。最終，作為蝕刻後的最終產品的研磨後的晶圓的平坦度也有所改善。
本發明的半導體晶圓的蝕刻裝置中，關於鄰接的該分隔板之間的間隔，在對應到該半導體晶圓的中央部的中央領域的間隔比對應到該半導體晶圓的外周部的外周領域的間隔小較佳。
根據本發明，將鄰接的該分隔板之間的間隔設定成在對應到半導體晶圓的中央部的中央領域的間隔比對應到半導體晶圓的外周部的外周領域的間隔小。藉此，能夠控制半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速與半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同。
本發明的半導體晶圓的蝕刻裝置中，關於鄰接的該分隔板之間的間隔，在該中央領域的間隔在17mm以下，且在該外周領域的間隔在32mm以上。
根據本發明，鄰接的該分隔板之間的間隔在該中央領域的位置是在17mm以下，且在該外周領域的位置是在32mm以上。在分隔板的中央領域的間隔以及外周領域的間隔在上述範圍內的話，能夠控制半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速與半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同。
本發明的半導體晶圓的蝕刻裝置中，關於該分隔板的厚度，在該中央領域的厚度會比在該外周領域的厚度大較佳。
根據本發明，分隔板的厚度在該中央領域的位置會比在該外周領域的位置大，藉此能夠控制半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速與半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液
的流速幾乎相同。
本發明的半導體晶圓的蝕刻裝置中，在該分隔板的外周領域的厚度與該半導體晶圓的厚度幾乎相同。
根據本發明，分隔板的外周領域的厚度與半導體晶圓的厚度幾乎相同，因此能夠適度地緩衝半導體晶圓之間的相對旋轉流速，而適當地抑制蝕刻液的亂流產生。
本發明的半導體晶圓的蝕刻方法，包括：使用半導體晶圓的蝕刻裝置，該半導體晶圓的蝕刻裝置具備：蝕刻槽，儲存蝕刻液；晶圓匣，可進出該蝕刻槽，以可旋轉的方式收納複數片的半導體晶圓；以及複數片的分隔板，配設於該晶圓匣的內部該複數片的半導體晶圓之間。該半導體晶圓的蝕刻方法更包括：保持將該半導體晶圓浸泡於該蝕刻液的狀態，一邊使該半導體晶圓旋轉一邊進行蝕刻，其中在旋轉該半導體晶圓的狀態下，利用該分隔板控制該蝕刻液的流速，使得該半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速會與該半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同。
根據本發明，使用上述的蝕刻裝置，以分隔板來控制蝕刻液的流速。藉由分隔板來控制晶圓附近的蝕刻液的流速，促進晶圓的中央部附近的反應生成氣體的剝離，因此消除了因為反應氣體的剝離太慢而妨礙蝕刻進行的狀況。如此一來，晶圓的中央部與外周部被蝕刻到幾乎相同的程度，因此能夠提升蝕刻後的平坦度。最終，作為蝕刻後的最終產品的研磨後的晶圓的平坦度也有所改善。
本發明的半導體晶圓的蝕刻方法中，該複數片的
半導體晶圓的旋轉會交互地進行正旋轉與逆旋轉。
根據本發明，能夠交互地以正旋轉與逆旋轉來旋轉半導體晶圓，藉此更加抑制蝕刻液的亂流產生。
10、100‧‧‧蝕刻裝置
11、101‧‧‧蝕刻槽
12、102、202‧‧‧晶圓匣
13a、13b、103a、103b‧‧‧側面板
14、104‧‧‧中央分隔板
15、205‧‧‧分隔板
16、106‧‧‧主滾輪
17、107‧‧‧接觸支持構件
18、108‧‧‧驅動部
151‧‧‧中央領域
152‧‧‧外周領域
153‧‧‧突出部
154‧‧‧平坦部
155‧‧‧傾斜部
W‧‧‧半導體晶圓
第1圖係顯示習知的蝕刻裝置的概略圖。
第2圖係習知晶圓匣的概略圖。
第3圖係顯示以具備第2圖的晶圓匣的蝕刻裝置中進行蝕刻後的晶圓的平坦度。
第4圖係顯示以具備第2圖的晶圓匣的蝕刻裝置中進行蝕刻，再進行表面研磨後的晶圓的平坦度。
第5圖係顯示晶圓的平坦度的量測位置。
第6圖係顯示以具備第2圖的晶圓匣的蝕刻裝置中進行蝕刻，1次處理內的晶圓的平坦度。
第7圖係顯示配置分隔板於複數片晶圓之間的晶圓匣的概略圖。
第8圖係顯示以具備第7圖的晶圓匣的蝕刻裝置中進行蝕刻後的晶圓的平坦度。
第9圖係顯示以具備第7圖的晶圓匣的蝕刻裝置中進行蝕刻，再進行表面研磨後的晶圓的平坦度。
第10圖係顯示在晶圓附近的蝕刻液的流動。
第11圖係顯示變更第7圖的晶圓匣的分隔板間的間隔時，分隔板間的間隔與晶圓平坦度的關係。
第12圖係顯示本實施型態的蝕刻裝置的概略圖。
第13圖係顯示配置本實施型態的分隔板的晶圓匣的概略圖。
第14圖係顯示第13圖的分隔板的概略圖。
第15圖顯示比較例1中使用不同分隔板的蝕刻後的晶圓平坦度。
第16圖顯示實施例1中使用不同分隔板的蝕刻後的晶圓平坦度。
第17圖顯示比較例1中使用不同分隔板的研磨後的晶圓平坦度。
第18圖顯示實施例1中使用不同分隔板的研磨後的晶圓平坦度。
以下，參照圖式說明本發明的實施型態。首先，說明蝕刻裝置的構造。第12圖係顯示蝕刻裝置10的概略圖。蝕刻狀10主要具備在內部儲存蝕刻液的蝕刻槽11、可旋轉地支持並收納複數片半導體晶圓W的晶圓匣12。如第13圖所示，晶圓匣12為了收納半導體晶圓W而具備2片分離配置的側面板13a、13b。又，2片的側面板13a、13b之間分離配置了中央分隔板14。側面板13a與中央分隔板14之間、側面板13b與中央分隔板14之間，配置了複數片分隔板15。又，這些側面板13a、13b、中央分隔板14及分隔板15藉由主滾輪106連結保持。主滾輪16設置有接觸支持構件17。回到第12圖，收納於晶圓匣12的內部的複數片半導體晶圓W會藉由接觸支持構件17而分別被接觸支持。又，蝕刻裝置10中，還具備用以旋轉半導體晶圓的
驅動部18、升降晶圓匣12的升降機構(圖示省略)。
<分隔板的構造>
第14圖係顯示本實施型態的分隔板15的形狀的概略圖。圖中的左側是平面圖。右側是剖面圖。第14圖中，分隔板15的形狀從剖面來看，表面及背面形成線對稱。因此，僅說明表面側而省略背面側的說明。分隔板15的表面從剖面來看，其中央領域151形成有比起外周領域152更朝向外突出的突出部153。突出部153從平面觀看，形成圓形並且具有平坦部154及傾斜部155。平坦部154位於突出部153的中央，其表面形成平坦的圓形。傾斜部155以緩和的傾斜連接平坦部154的外周與外周領域152的內周。又，突出部153會形成為，當晶圓匣12收納半導體晶圓W時，半導體晶圓W的外周、突出部153的外周(傾斜部155的外周)、平坦部154的外周成為略同心圓狀。突出部153的大小為收納於晶圓匣12的半導體晶圓W的直徑的70~80%為佳，75%更佳。平坦部154的大小為收納於晶圓匣12的半導體晶圓W的直徑的30~50%為佳，40%更佳。另外，本實施型態中，會使用對蝕刻液具有耐性的聚丙烯來作為分隔板15的材質。然而，如果是具有一定程度的強度及耐酸性的素材的話，也可以使用聚氯乙烯等其他的材質。
<半導體晶圓>
半導體晶圓W被排列成表面彼此平行，並且收納於晶圓匣12的內部空間。在此，本實施型態的蝕刻裝置10中，作為蝕刻對象的半導體晶圓W例如矽晶圓、砷化鎵晶圓等。又，這些半導體晶圓W的尺寸會使用4~12吋左右大小。
<蝕刻液>
蝕刻液能夠使用一般常用的。例如氟化氫(HF)、硝酸(HNO3)、醋酸(CH3COOH)、過氧化氫(H2O2)、各種磷酸等的混合酸液組成的酸蝕刻液、或者是氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氨(NH3)等的鹼蝕刻液等。另外，蝕刻液會被未圖示的溫度調節機構調整到預先決定的既定溫度。
<半導體晶圓的蝕刻方法>
接著，說明上述構造的蝕刻裝置10的動作。首先，供給蝕刻液至蝕刻槽11。蝕刻液可隨時供給至蝕刻槽11。從蝕刻槽11的上端溢出的蝕刻液會被回收槽(圖示省略)回收。被回收的蝕刻液被濾網(圖示省略)濾過，而除去因為蝕刻而包含於回收的蝕刻液中的異物等。然後，追加蝕刻中消耗的不足成份，調整組成後再供給至蝕刻槽11。以這種方式循環蝕刻液。接著，將複數片半導體晶圓W收納於預先設有複數片分隔板15的晶圓匣12中。收納的半導體晶圓W會分別被接觸支持構件17所接觸支持，形成各表面之間彼此平行的縱列狀態。收納半導體晶圓W後，旋轉驅動部108的驅動馬達，使主滾輪16旋轉。藉由主滾輪16的旋轉，使被接觸支持構件17所接觸支持的半導體晶圓W旋轉。藉由控制驅動馬達的旋轉數，將半導體晶圓W以10~60rpm的速度旋轉，每個任意秒就將旋轉方向切換為正旋轉、逆旋轉。
在這個狀態下，將收納半導體晶圓W的晶圓匣12浸泡至蝕刻槽11，實施半導體晶圓W的蝕刻。蝕刻結束後，將晶圓匣12從蝕刻槽11拉起，移動到未圖示的洗淨槽進行洗淨。
[其他的實施型態]
另外，本發明並不僅限定於上述實施型態。在不脫離本發明的要旨的範圍內可作各種的改良及設計的變更。例如，雖將分隔板15的突出部153做成具有平坦部154及傾斜部155的形狀，但不限定於此。例如，也可以是沒有傾斜部只有平坦部154的形狀。又，也可以形成剖面觀看下突出部153的外周為半橢圓狀。此外，本發明的實施型態的具體構造及形狀等可以是能夠達成本發明目的的範圍內的其他構造。
[實施例]
接著，藉由實施例及比較例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於這些例子。準備第7圖所示的晶圓匣202，在收納於內部的複數片半導體晶圓之間設置有複數片表面平坦的分隔板205。第7圖所示的晶圓匣202的鄰接的分隔板205之間的間隔為33mm。又，準備第13圖所示的晶圓匣12，設置有中央領域151形成突出部153的複數片分隔板15。第13圖所示的晶圓匣12的鄰接分隔板15之間的間隔，在突出部153的平坦部154的位置是17mm，且在外周領域152的位置是33mm。作為處理對象的半導體晶圓W，會準備刷磨處理完畢的200mm φ的矽晶圓。然後，使用具備第7圖所示的晶圓匣202的第1圖所示的蝕刻裝置100，用以下的條件對複數片矽晶圓蝕刻，以表面研磨裝置(圖示省略)對蝕刻後的矽晶圓的表面進行表面研磨(比較例1)。同樣地，使用具備第13圖所示的晶圓匣12的第12圖所示的蝕刻裝置10，用以下的條件對複數片矽晶圓蝕刻，以表面研磨裝置(圖示省略)對蝕刻後的矽晶圓的表面進行表
面研磨(實施例1)。
(蝕刻條件)
蝕刻液：氟酸、硝酸、醋酸的混合酸；旋轉數：30rpm(正逆交互旋轉)；蝕刻時間：180秒。
關於蝕刻後與表面研磨後的矽晶圓，會使用晶圓表面測量器(ADE9300：美國ADE公司製)來作為測量機器，測量表面的平坦度。平坦度測量如第5圖所示，將測量對象的係晶圓分割成邊長為25mm的正方形單元，對各個單元計算出平坦度(SFQR)。結果顯示於第15~18圖。第15圖顯示比較例1的蝕刻後的晶圓平坦度。第16圖顯示實施例1的蝕刻後的晶圓平坦度。第15、16圖的各單元所示的數值是將比較例1的蝕刻後的矽晶圓的平坦度最大值當作1時的相對值。又，第17圖顯示比較例1的表面研磨後的晶圓平坦度。第18圖顯示實施例1的表面研磨後的晶圓平坦度。第17、18圖的各單元所示的數值是將比較例1的表面研磨後的矽晶圓的平坦度最大值當作1時的相對值。
從第15~18圖中可確認，相對於比較例1，實施例1中，矽晶圓的中央度的平坦度大幅改善。
10‧‧‧蝕刻裝置
11‧‧‧蝕刻槽
12‧‧‧晶圓匣
13a、13b‧‧‧側面板
14‧‧‧中央分隔板
15‧‧‧分隔板
16‧‧‧主滾輪
17‧‧‧接觸支持構件
18‧‧‧驅動部
W‧‧‧半導體晶圓
Claims (7)
- 一種半導體晶圓的蝕刻裝置，包括：蝕刻槽，儲存蝕刻液；晶圓匣，可進出該蝕刻槽，以可旋轉的方式收納複數片的半導體晶圓；以及複數片的分隔板，配設於該晶圓匣的內部該複數片的半導體晶圓之間，其中在旋轉該半導體晶圓的狀態下，利用該分隔板控制該蝕刻液的流速，使得該半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速會與該半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓的蝕刻裝置，其中關於鄰接的該分隔板之間的間隔，在對應到該半導體晶圓的中央部的中央領域的間隔會比對應到該半導體晶圓的外周部的外周領域的間隔小。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體晶圓的蝕刻裝置，其中關於鄰接的該分隔板之間的間隔，在該中央領域的間隔在17mm以下，且在該外周領域的間隔在32mm以上。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之半導體晶圓的蝕刻裝置，其中關於該分隔板的厚度，在該中央領域的厚度會比在該外周領域的厚度大。
- 如申請專利範圍第1至4項任一項所述之半導體晶圓的蝕刻裝置，其中在該分隔板的外周領域的厚度與該半導體晶圓的厚度幾乎相同。
- 一種半導體晶圓的蝕刻方法，包括：使用半導體晶圓的蝕刻裝置，該半導體晶圓的蝕刻裝置具備：蝕刻槽，儲存蝕刻液；晶圓匣，可進出該蝕刻槽，以可旋轉的方式收納複數片的半導體晶圓；以及複數片的分隔板，配設於該晶圓匣的內部該複數片的半導體晶圓之間，保持將該半導體晶圓浸泡於該蝕刻液的狀態，一邊使該半導體晶圓旋轉一邊進行蝕刻，其中在旋轉該半導體晶圓的狀態下，利用該分隔板控制該蝕刻液的流速，使得該半導體晶圓的中央部附近的蝕刻液的流速會與該半導體晶圓的外周部附近的蝕刻液的流速幾乎相同。
- 如申請專利範圍第6項所述之半導體晶圓的蝕刻方法，其中該複數片的半導體晶圓的旋轉會交互地進行正旋轉與逆旋轉。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015110014A JP6455319B2 (ja) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201709312A TW201709312A (zh) | 2017-03-01 |
| TWI598951B true TWI598951B (zh) | 2017-09-11 |
Family
ID=57746483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105112384A TWI598951B (zh) | 2015-05-29 | 2016-04-21 | 半導體晶圓的蝕刻裝置及半導體晶圓的蝕刻方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6455319B2 (zh) |
| TW (1) | TWI598951B (zh) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1915714C3 (de) * | 1969-03-27 | 1975-07-10 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zum Xtzen von Halbleiterscheiben mit einem mit Ätzflüssigkeit gefüllten Gefäß und einem in die Ätzflüssigkeit eingetauchten, mit waagrechter Achse rotierenden Ätzkorb |
| JPS5128760A (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-11 | Hitachi Ltd | Banjobutsunoetsuchingusochi |
| JPS6421939A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Matsushita Electronics Corp | Wafer cassette |
| JP2573504Y2 (ja) * | 1993-06-30 | 1998-06-04 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体ウェハのウェット処理装置 |
| JP3065061B1 (ja) * | 1999-02-05 | 2000-07-12 | 日本電気株式会社 | ウェハ洗浄装置 |
| JP4509501B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2010-07-21 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 円板状部材のエッチング方法及び装置 |
| JP4366264B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-11-18 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハのエッチング装置 |
| JP4390650B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-12-24 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハのエッチング装置 |
| JP2006108512A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Ses Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2007149956A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハのエッチング方法 |
-
2015
- 2015-05-29 JP JP2015110014A patent/JP6455319B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-21 TW TW105112384A patent/TWI598951B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6455319B2 (ja) | 2019-01-23 |
| TW201709312A (zh) | 2017-03-01 |
| JP2016225447A (ja) | 2016-12-28 |
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