TWI598575B - 氣壓量測裝置及氣壓量測方法 - Google Patents

Description

氣壓量測裝置及氣壓量測方法

本發明是有關於一種氣壓量測裝置及氣壓量測方法。

以微機電技術製作的微型壓力計，目前已廣泛應用於消費性電子產品、車用電子產品、醫療電子產品及工業電子產品等應用領域。惟，所述產品的使用環境多異，以單一型態的氣壓量測裝置而言，當所述產品在差異較大的環境下使用，常受限於壓力計的感測範圍或感測精度，而無法準確地量測出所處環境下的壓力或是因壓力變化過大而導致失效。

舉例來說，對於量測精度較大的壓力計，其通常是藉由薄膜結構的細微變形，而據以取得精確的壓力值。然其若處在壓力變化較大的環境，例如航空器，由於短時間內壓力變化過大，因此容易造成薄膜的變形量過大而導致輸出飽和甚或薄膜損傷。據此，如何使壓力計能兼具較大壓力感測範圍及較高的感測精度，並藉以提高壓力計的適用性，實為相關人員所需思考解決的課題。

本發明提供一種氣壓量測裝置與氣壓量測方法，藉由複合式的壓力量測結構與間歇式的量測方法，以有效提高氣壓量測時的精度並擴大其適用範圍。

本發明的氣壓量測裝置，包括第一感測單元與第二感測單元。第一感測單元包括半導體層結構、薄膜以及支撐件。半導體層結構具有連通外部環境的腔體。薄膜可移動且可變形地配置於半導體層結構且懸於腔體。支撐件設置於半導體層結構與薄膜之間。半導體層結構與薄膜之間適於提供靜電力而驅動薄膜，以使半導體層結構的局部、支撐件與薄膜接觸在一起並在腔體內形成密閉空間。薄膜分隔於外部環境與密閉空間之間，且薄膜因外部環境與密閉空間的氣壓差異而變形。

本發明的氣壓量測方法，適用於氣壓量測裝置。氣壓量測裝置包括第一感測單元與第二感測單元，其中第一感測單元的量測精度大於第二感測單元的量測精度，而第二感測單元的量測範圍大於第一感測單元的量測範圍。氣壓量測方法包括：啟動第二感測單元，以及在第二感測單元作動的期間，在第一時序啟動第一感測單元，而在第二時序關閉第一感測單元。

在本發明的一實施例中，上述的氣壓量測裝置還包括彈性件，連接在半導體層結構與薄膜之間。所述靜電力驅使薄膜朝向半導體層結構移動並使彈性件變形，而使腔體形成密閉空間。當移除所述靜電力時，彈性件的彈性恢復力驅使薄膜復位，且使腔體連通於外部環境。

在本發明的一實施例中，上述的氣壓量測裝置還包括控制模組，電性連接第一感測單元與第二感測單元。當密閉空間未形成時，控制模組的訊號處理單元藉由第二感測單元而測得外部環境的氣壓。當密閉空間形成時，訊號處理單元藉由薄膜的變形以測得外部環境的氣壓變化。

在本發明的一實施例中，上述的氣壓量測裝置還包括殼體，上述的第一感測單元、第二感測單元與控制模組設置於殼體內部。殼體具有開孔，連通外部環境與殼體內部。

在本發明的一實施例中，上述的半導體層結構包括非導電區域與疊置在非導電區域上的導電區域。上述控制模組的驅動單元提供偏壓至導電區域與薄膜，而在導電區域與薄膜之間產生所述靜電力。

在本發明的一實施例中，上述的支撐件與薄膜為一體結構，且支撐件從薄膜朝向非導電區域延伸。所述靜電力驅動薄膜朝向導電區域移動，以使支撐件接觸於非導電區域而形成密閉空間。

在本發明的一實施例中，上述的腔體至少包含第一空間與第二空間。第一空間與第二空間經由半導體層結構的至少一空隙而相互連通。當支撐件未接觸於非導電區域時，第一空間、第二空間與外部環境連通。當支撐件接觸於非導電區域時，第一空間與第二空間形成上述的密閉空間。

在本發明的一實施例中，上述的支撐件與半導體層結構為一體結構，且支撐件從非導電區域朝向薄膜延伸。所述靜電力驅動薄膜朝向導電區域移動，以使薄膜接觸於支撐件而形成上述的密閉空間。

在本發明的一實施例中，上述的腔體至少包含第三空間。當薄膜未接觸於支撐件時，第三空間與外部環境連通。當薄膜接觸於支撐件時，第三空間形成密閉空間。

在本發明的一實施例中，上述第一感測單元的量測精度大於第二感測單元的量測精度，而上述第二感測單元的量測範圍大於第一感測單元的量測範圍。

在本發明的一實施例中，在上述的第二感測單元作動的期間，第一感測單元持續地啟閉。

在本發明的一實施例中，上述的第一感測單元包括半導體層結構、薄膜以及支撐件。半導體層結構具有連通外部環境的腔體。薄膜配置於半導體層結構且懸於腔體。支撐件位於薄膜與半導體層結構之間。上述的氣壓量測方法還包括，在上述的第一時序時，驅動薄膜朝向半導體層結構移動，以使支撐件接觸在薄膜與半導體層結構之間並形成密閉空間。薄膜分隔於外部環境與密閉空間之間，以使薄膜因外部環境與密閉空間的氣壓差異產生變形而測得外部環境的氣壓。

在本發明的一實施例中，上述的半導體層結構包括非導電區域與導電區域，導電區域疊置在非導電區域上，且導電區域正對於上述的薄膜。上述的支撐件與薄膜為一體結構。支撐件從薄膜朝向非導電區域延伸，而上述的氣壓量測方法還包括：提供偏壓於導電區域與薄膜而產生靜電力，以驅動薄膜朝向導電區域移動，而使支撐件接觸於非導電區域並形成上述的密閉空間。

在本發明的一實施例中，上述的半導體層結構包括非導電區域與導電區域，導電區域疊置在非導電區域上，且導電區域正對於上述的薄膜。上述的支撐件與半導體層結構為一體結構。支撐件從非導電區域朝向薄膜延伸，而上述的氣壓量測方法還包括：提供偏壓於導電區域與薄膜而產生靜電力，以驅動薄膜朝向導電區域移動，而使薄膜接觸於支撐件並形成上述的密閉空間。

基於上述，在本發明的上述實施例中，氣壓量測裝置藉由第一感測單元是以可動薄膜設置於半導體層結構且懸於腔體，進而藉由靜電力驅動薄膜，並使薄膜、支撐件與半導體層結構的局部是相互接觸而在腔體內形成密閉空間，故能藉由薄膜因密閉空間與外部環境的氣壓差異而變形，並據以得知此時較為精確的氣壓值。一旦不使用，則靜電力消除而解除前述構件的密閉空間的狀態，讓腔體內部的氣壓能與外部環境一致，因而有效地防止因壓力變化過大所可能讓薄膜失效的狀態。此舉藉由第一感測單元的結構設計而得以使氣壓量測裝置具有高精度與耐用性等效果。

此外，本發明於上述實施例所述氣壓量測方法，其以能量測較大範圍但精度較低的第二感測單元與前述第一感測單元搭配。即，在第二感測單元啟動的同時，以間歇式啟閉第一感測單元。如此，當處於壓力變化較大的環境時，能先以第二感測單元順利地量測出所處環境的氣壓後，再啟動第一感測單元，使其以薄膜的變形而進一步得出較為精確的氣壓數值。所述第一感測單元是以間歇方式啟閉，以讓使用者取得較為精確的氣壓數值的同時，也避免薄膜處於壓力變化過大的環境而導致失效。據此，藉由第一感測單元與第二感測單元的相互搭配，氣壓量測裝置及氣壓量測方法均能因此兼具較大量測範圍以及較精確氣壓數值而具有較佳的適用性與耐用性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依據本發明一實施例的一種氣壓量測裝置的示意圖。圖2是圖1的氣壓量測裝置的第一感測單元的俯視示意圖。圖3與圖4分別繪示第一感測單元於不同狀態的剖視示意圖，其是沿圖2所示剖線A-A’為之。請先參考圖1，在本實施例中，氣壓量測裝置100包括殼體140及配置在殼體內的第一感測單元110、第二感測單元120以及控制模組130，其中控制模組130包括有特殊應用積體電路（Application-specific integrated circuit，ASIC）或其他具有類似功能之元件組成之功能性模組，其電性連接第一感測單元110與第二感測單元120。第一感測單元110例如是以微機電技術所製成的電容式壓力感測器，而第二感測單元120例如是壓阻式壓力感測器。

再者，於本實施例中，第一感測單元110的量測精度大於第二感測單元120的量測精度，而第二感測單元120的量測範圍大於第一感測單元110的量測範圍，由於第一感測單元110可偵測較小範圍的壓力變化且量測精度較高，而第二感測單元120可偵測大範圍的絕對壓力值且量測精度較低，因此，本發明之氣壓量測裝置能兼顧量測的範圍與精度。舉例來說，第一感測單元110能偵測外部環境較小範圍的壓力變化而其量測精度約為0.01hPa，第二感測單元120的感測範圍為300hPa至1100hPa且其最高量測精度為1hPa。據此，以控制模組130作為控制第一感測單元110與第二感測單元120之用，以藉由分別啟閉第一感測單元110與第二感測單元120，而使二者在量測氣壓時相互搭配。此外，如圖1所示，殼體140具有開口142以連通外部環境，且開口142鄰近第二感測單元120而遠離第一感測單元110，以避免第一感測單元110因鄰近開口142而易受外物影響無法作動的情形發生。

以下先行敘述本實施例之相關構件的部分，後續再敘述其操控方式。

請同時參考圖2至圖4，在本實施例的第一感測單元110適於配置在電路基板112上，而第一感測單元110包括半導體層結構BS、薄膜111、支撐件113以及彈性件118，其中半導體層結構BS是由堆疊在電路基板112上的多層半導體層114與116所構成，且同時形成腔體。在此，所述腔體實際上包含如圖3、圖4所示的第一空間S1、第二空間S2以及位在第一空間S1旁側且與外部環境相連通的空間S1a與空間S1b。薄膜111可移動且可變形地配置於半導體層結構BS並懸於腔體。支撐件113設置於薄膜111與半導體層結構BS之間。半導體層116隨同半導體層114配置於電路基板112上且位於腔體中，半導體層116具有多個電極115，其背對電路基板112而正對於薄膜111，並因而使半導體層結構BS形成具有所述電極115的導電區域A1，以及不具有所述電極115的非導電區域A2，前述控制模組130電性連接至電極115（導電區域A1）。在此，所述電路基板112、半導體層114與116以及電極115均能藉由半導體製程所形成，因此這些構件其中至少任意二者可為一體結構。

此外，彈性件118連接在半導體層結構BS的半導體層114與薄膜111之間，如圖2所示，彈性件118實質上亦為半導體層，其藉由所示鏤空的第一空隙118a而得以形成為具有彈性的結構。如此一來，懸於腔體的薄膜111便能藉由彈性件118而如圖3、圖4所示呈上、下移動的運動狀態。據此，當控制模組130提供偏壓至導電區域A1處的電極115與薄膜111時，便能產生靜電力而驅使薄膜111朝向半導體層116上的導電區域A1移動，並因此變形彈性件118，如圖4所示；相反地，當控制模組130不再提供所述偏壓而使靜電力消失後，薄膜111便能因彈性件118的彈性恢復力而復位，如圖3所示。類似前述，薄膜111、彈性件118與支撐件113也是能藉由半導體製程而一同形成。

請同時參考圖3與圖4，在此值得注意的是，支撐件113與薄膜111為一體結構，且支撐件113從薄膜111朝向半導體層116上的非導電區域A2延伸。當前述靜電力驅動薄膜111朝向導電區域A1移動，會使支撐件113隨著薄膜111移動而接觸（抵接）於非導電區域A2，進而讓半導體層結構BS的局部、支撐件113與薄膜111形成密閉空間V1。

詳細而言，本實施例所述第一空間S1是位於薄膜111與導電區域A1之間，而第二空間S2是位於導電區域與電路基板112（以及部分半導體層114）之間，且第一空間S1與第二空間S2是經由半導體層結構BS的至少一第二空隙116a（在本實施例中繪示多個第二空隙為例，但不因此設限）而相互連通。

據此，如圖3所示，當尚未有靜電力形成時，即支撐件113未接觸非導電區域A2時，第一空間S1與第二空間S2除（經由第二空隙116a）彼此連通外，其尚能藉由空間S1a、S1b及前述彈性件118的第一空隙118a而與外部環境連通，因此腔體所包含之空間實際上與外部環境連通而保持一致的氣壓。接著，如圖4所示，當薄膜111因靜電力而朝向導電區域A1移動以讓支撐件113接觸於非導電區域A2時，此時第一空間S1與第二空間S2形成密閉空間V1。因此，薄膜111便會因密閉空間V1與外部環境的氣壓差異而產生變形，如圖4的虛線所示，進而據以得知此時的氣壓值。

圖5繪示圖1的第二感測單元的剖視示意圖。圖6繪示氣壓量測裝置之相關構件的方塊圖，以描述構件之間的電性連接關係。圖7繪示本發明一實施例關於感測單元的作動-時序示意圖。請先參考圖5，本實施例的第二感測單元120包括電路基板122、半導體層124、薄膜126以及設置在薄膜126上的壓力感測單元128，其中電路基板122與半導體層124類似於前述實施例之結構，而薄膜126則是採適用於較大壓力感測範圍者，其上配置的壓力感測單元128用以測得薄膜126因氣壓而產生的變形量（如圖5虛線所示），而據以得知當下的對應氣壓值。

請同時參考圖6與圖7，控制模組130實質上是藉由驅動單元132而據以分別啟、閉第一感測單元110與第二感測單元120，同時也能提供偏壓至第一感測單元110以控制其薄膜111的上、下移動位置，達到密閉空間V1的形成與否。再者，當圖3至圖5所示的第一感測單元110與第二感測單元120如圖1所示配置於殼體140內之後，便能藉由控制模組130操控第一感測單元110與第二感測單元120，其中控制模組130的訊號處理單元134用以分別處理第一感測單元110、第二感測單元120因各自薄膜110、126變形所產生的電容或電阻變化，而據以判斷出當下的氣壓值。

在此僅以圖7所示作動-時序示意圖予以說明，首先於初始步驟先行啟動第二感測單元120，以藉其直接獲得初步的氣壓值，如前所述，第二感測單元120能適用於較大的壓力改變範圍，因此能不受影響地進行感測，而此時第一感測單元110處於如圖3所示的關閉狀態，因此薄膜111內、外（即，腔體與外部環境）的壓力一致，因而避免第一感測單元110的薄膜111因壓力變化而受損。接著，於第二感測單元120作動的期間，在第一時序t1時啟動第一感測單元110，因此如圖4所示，第一感測單元110內形成密閉空間V1，而以薄膜111分隔在密閉空間V1與外部環境之間，因而讓氣壓差異所造成薄膜111變形而使第一感測單元110能測得當下的氣壓值。如前所述，第一感測單元110的量測精度大於第二感測單元120的量測精度，因而此時氣壓量測裝置100能在第二感測單元120已取得初步氣壓值的情形下，藉由第一感測單元110而取得更進一步精確的氣壓值。

接著，在第二時序t2時，再將第一感測單元110予以關閉，以讓第一感測單元110從圖4所示狀態恢復至圖3所示狀態。此時密閉空間V1消失，而腔體內、外氣壓而得以再次平衡，達到重置（reset）的效果，而後再於不同時序再次開啟第一感測單元110並持續重複所述啟、閉動作。如此一來，在第二感測單元120的作動期間，隨著間歇式地啟、閉第一感測單元110，氣壓量測裝置100便能形成兼具高動態範圍及高精度的感測系統，且避免第一感測單元110可能因壓力變化過大而發生輸出飽和甚至失效的情形發生。此外，前述時序並未予以限制，其能依據氣壓量測裝置所應用的產品與使用環境而予以適當地變更。

圖8是本發明另一實施例的第一感測單元的剖視示意圖。圖9繪示圖8的第一感測單元於另一狀態的剖視示意圖。請同時參考圖8與圖9，與前述實施例不同的是，本實施例的第一感測單元210中，支撐件213是與半導體層結構的半導體層216為一體結構。

進一步地說，第一感測單元210適於配置在電路基板212上，而第一感測單元210包括半導體層結構（包含多個半導體層214與216）、薄膜211以及彈性件218。與前述實施例類似地，半導體層結構具有腔體，薄膜211經由彈性件218連接至半導體層214而可移動地懸於腔體，半導體層216上設置有正對於薄膜211的多個電極215，且以控制模組130（如圖1、圖6所示，在本實施例中予以省略）電性連接至電極215以供其偏壓，且因此形成導電區域B1以及非導電區域B2。再者，支撐件213是從半導體層216的非導電區域B2朝向薄膜211延伸，且在本實施例中，所述腔體實質上為開放空間，亦即本實施例的腔體實質上是包含位於半導體層216的導電區域B1與薄膜211之間的第三空間S3、位於第三空間S3旁側（非導電區域B2與薄膜211、彈性件218之間）的空間S3a、S3b，以及薄膜211與電路基板212之間的空間S3c。

據此，當第一感測單元210未開啟時，第三空間S3實質上經由空間S3a、S3b與彈性件218的第一空隙218a而與空間S3c、外部環境連通，以讓前述空間與外部環境的氣壓得以平衡。再者，當控制模組130提供偏壓至導電區域B1處的電極215與薄膜211時，所形成靜電力便能驅動薄膜211朝向導電區域B1移動，而使薄膜211接觸位在非導電區域B2處的支撐件213，進而使第三空間S3成為密閉空間。如此一來，外部環境與密閉空間（第三空間S3）之間的氣壓差異便能藉由薄膜211的變形而顯現（如圖9所示虛線），以使第一感測單元210得以測得當下的氣壓值，而達到與前述實施例相同的效果。

綜上所述，在本發明的上述實施例中，氣壓量測裝置藉由量測精度較高的第一感測單元與量測範圍較大的第二感測單元的相互搭配，其中第一感測單元還進一步地藉由靜電力驅使薄膜、支撐件與半導體層結構的局部之間形成密閉空間與否，並藉由控制方法達到間歇式啟、閉第一感測單元的目的，以此讓第一感測單元得以提供較為精確的氣壓值，同時也能避免因壓力變化過大而造成輸出飽和或失效等問題，而讓氣壓量測裝置與氣壓量測方法能因此整合並兼具高動態範圍與高精度的感測效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧氣壓量測裝置
110、210‧‧‧第一感測單元
111、211‧‧‧薄膜
112、212‧‧‧電路基板
113、213‧‧‧支撐件
114、116、214、216‧‧‧半導體層
115、215‧‧‧電極
116a‧‧‧第二空隙
118、218‧‧‧彈性件
118a、218a‧‧‧第一空隙
120‧‧‧第二感測單元
122‧‧‧電路基板
124‧‧‧半導體層
126‧‧‧薄膜
128‧‧‧壓力感測單元
130‧‧‧控制模組
132‧‧‧驅動單元
134‧‧‧訊號處理單元
140‧‧‧殼體
142‧‧‧開口
A-A’‧‧‧剖線
A1、B1‧‧‧導電區域
A2、B2‧‧‧非導電區域
BS‧‧‧半導體層結構
S1‧‧‧第一空間
S2‧‧‧第二空間
S3‧‧‧第三空間
S1a、S1b、S3a、S3b、S3c‧‧‧空間
t1‧‧‧第一時序
t2‧‧‧第二時序
V1‧‧‧密閉空間

圖1是依據本發明一實施例的一種氣壓量測裝置的示意圖。 圖2是圖1的氣壓量測裝置的第一感測單元的俯視示意圖。 圖3與圖4分別繪示第一感測單元於不同狀態的剖視示意圖。 圖5繪示圖1的第二感測單元的剖視示意圖。 圖6繪示氣壓量測裝置之相關構件的方塊圖。 圖7繪示本發明一實施例關於感測單元的作動-時序示意圖。 圖8是本發明另一實施例的第一感測單元的剖視示意圖。 圖9繪示圖8的第一感測單元於另一狀態的剖視示意圖。

100‧‧‧氣壓量測裝置

110‧‧‧第一感測單元

120‧‧‧第二感測單元

130‧‧‧控制模組

140‧‧‧殼體

142‧‧‧開口

Claims (15)

1. 一種氣壓量測裝置，包括一第一感測單元與一第二感測單元，其中該第一感測單元包括： 一半導體層結構，該半導體層結構具有一腔體（cavity），該腔體連通外部環境； 一薄膜（diaphragm），可移動且可變形地配置於該半導體層結構並懸於該腔體；以及 一支撐件，設置於該半導體層結構與該薄膜之間，其中該半導體層結構與該薄膜之間適於提供靜電力而驅動該薄膜，以使該半導體層結構的局部、該支撐件與該薄膜接觸在一起並在該腔體內形成一密閉空間，該薄膜分隔於外部環境與該密閉空間之間，且該薄膜因外部環境與該密閉空間的氣壓差異而變形。
2. 如申請專利範圍第1項所述的氣壓量測裝置，還包括： 一彈性件，連接在該半導體層結構與該薄膜之間，所述靜電力驅使薄膜該朝向該半導體層結構移動並使該彈性件變形而使該腔體形成該密閉空間，當移除所述靜電力時，該彈性件的彈性恢復力驅使該薄膜復位，且使該腔體連通於外部環境。
3. 如申請專利範圍第1項所述的氣壓量測裝置，還包括： 一控制模組，電性連接該第一感測單元與該第二感測單元，當該密閉空間未形成時，該控制模組的一訊號處理單元藉由該第二感測單元而測得外部環境的氣壓，當該密閉空間形成時，該訊號處理單元藉由該薄膜的變形以測得外部環境的氣壓變化。
4. 如申請專利範圍第1項所述的氣壓量測裝置，還包括： 一殼體，該第一感測單元、該第二感測單元與該控制模組設置於該殼體內部，該殼體具有一開孔，連通外部環境與該殼體內部。
5. 如申請專利範圍第3項所述的氣壓量測裝置，其中該半導體層結構包括： 一非導電區域；以及 一導電區域，疊置於該非導電區域上，該控制模組的一驅動單元提供偏壓至該導電區域與該薄膜，並在該導電區域與該薄膜之間形成所述靜電力。
6. 如申請專利範圍第5項所述的氣壓量測裝置，其中該支撐件與該薄膜為一體結構，且該支撐件從該薄膜朝向該非導電區域延伸，所述靜電力驅動該薄膜朝向該導電區域移動，以使該支撐件接觸於該非導電區域而形成該密閉空間。
7. 如申請專利範圍第6項所述的氣壓量測裝置，其中該腔體至少包含一第一空間及一第二空間，該第一空間與該第二空間經由該半導體層結構的至少一空隙而相互連通，當該支撐件未接觸於該非導電區域時，該第一空間、該第二空間與外部環境連通，當該支撐件接觸於該非導電區域時，該第一空間與該第二空間形成該密閉空間。
8. 如申請專利範圍第6項所述的氣壓量測裝置，其中該支撐件與該半導體層結構為一體結構，且該支撐件從該非導電區域朝向該薄膜延伸，所述靜電力驅動該薄膜朝向該導電區域移動，以使該薄膜接觸於該支撐件而形成該密閉空間。
9. 如申請專利範圍第8項所述的氣壓量測裝置，其中該腔體至少包含一第三空間，當該薄膜未接觸於該支撐件時，該第三空間與外部環境連通，當該薄膜接觸於該支撐件時，該第三空間形成該密閉空間。
10. 如申請專利範圍第1項所述的氣壓量測裝置，其中該第一感測單元的量測精度大於該第二感測單元的量測精度，而該第二感測單元的量測範圍大於該第一感測單元的量測範圍。
11. 一種氣壓量測方法，適用於一氣壓量測裝置，該氣壓量測裝置包括一第一感測單元與一第二感測單元，其中該第一感測單元的量測精度大於該第二感測單元的量測精度，而該第二感測單元的量測範圍大於該第一感測單元的量測範圍，該氣壓量測方法包括： 啟動該第二感測單元；以及 在該第二感測單元作動的期間，在一第一時序啟動該第一感測單元，而在一第二時序關閉該第一感測單元。
12. 如申請專利範圍第11項所述的氣壓量測方法，其中在該第二感測單元作動的期間，該第一感測單元持續地啟閉。
13. 如申請專利範圍第11項所述的氣壓量測方法，其中該第一感測單元包括一半導體層結構、一薄膜以及一支撐件，該半導體層結構具有連通外部環境的一腔體，該薄膜配置於該半導體層結構且懸於該腔體，該支撐件位於該薄膜與該半導體層結構之間，該氣壓量測方法還包括： 在該第一時序時，驅動該薄膜朝向該半導體層結構移動，以使該支撐件接觸在該薄膜與該半導體層結構之間並形成一密閉空間，該薄膜分隔於外部環境與該密閉空間之間，以使該薄膜因外部環境氣壓與該密閉空間的氣壓差異產生變形而測得外部環境的氣壓。
14. 如申請專利範圍第13項所述的氣壓量測方法，其中該半導體層結構包括一非導電區域及一導電區域，該導電區域正對於該薄膜，該支撐件與該薄膜為一體結構，該支撐件從該薄膜朝向該非導電區域延伸，而該氣壓量測方法還包括： 提供偏壓於該導電區域與該薄膜而產生靜電力，以驅動該薄膜朝向導電區域移動，而使該支撐件接觸於該非導電區域並形成該密閉空間。
15. 如申請專利範圍第13項所述的氣壓量測方法，其中該半導體層結構包括一非導電區域及一導電區域，該導電區域正對於該薄膜，該支撐件與該半導體層結構為一體結構，該支撐件從該非導電區域朝向該薄膜延伸，而該氣壓量測方法還包括： 提供偏壓於該導電區域與該薄膜而產生靜電力，以驅動該薄膜朝向該導電區域移動，而使該薄膜接觸於該支撐件並形成該密閉空間。