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TWI595581B - 加強清潔腔室的電漿噴塗塗層而不損傷塗層之方法 - Google Patents

加強清潔腔室的電漿噴塗塗層而不損傷塗層之方法 Download PDF

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TWI595581B
TWI595581B TW102126492A TW102126492A TWI595581B TW I595581 B TWI595581 B TW I595581B TW 102126492 A TW102126492 A TW 102126492A TW 102126492 A TW102126492 A TW 102126492A TW I595581 B TWI595581 B TW I595581B
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ceramic coated
ceramic
sio
coating
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TW102126492A
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TW201407709A (zh
Inventor
班達蘇曼思
孫語南
Original Assignee
應用材料股份有限公司
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    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description

加強清潔腔室的電漿噴塗塗層而不損傷塗層之方法
本發明之實施例一般而言係關於一種可用以清潔陶瓷製品及陶瓷塗覆製品的清潔方法。
半導體製造中所使用之電漿噴塗元件上可隨時間而形成SiOx沉積物。較佳之作法是在不損傷元件上之電漿噴塗塗層的情況下清潔此SiOx沉積物。然而，使用純HF酸移除SiOx沉積物的習知方法亦有可能侵蝕塗層表面，從而損傷電漿噴塗塗層。
實施例提供一種方法，該方法包括將陶瓷塗覆製品浸入包括HF酸溶液的浸泡劑中長達一時段，以移除沉積物並沖洗陶瓷塗覆製品，其中HF酸溶液具有莫耳濃度約為0.1M至1.0M之NH4F。
製品可包括靜電卡盤、蓋、噴淋頭、噴嘴、氣體輸送轂、腔室襯墊套組部件或腔室壁中之一者。浸泡劑可進一 步包括約1%至約15%之H2O2。浸泡劑可包括低於約1%的HF。NH4F可具有約0.5M之莫耳濃度。對於每60nm之SiOx沉積物，時段可約為90秒。陶瓷塗覆製品可包括Al、AlN或Al2O3中之至少一者，且其中塗層可包括三氧化二釔。
沖洗陶瓷塗覆製品之步驟可包括在約攝氏38度至約攝氏42度之溫度下將陶瓷塗覆製品浸泡在去離子水中長達一額外時段。陶瓷塗覆製品浸泡在去離子水中的時段可約為30分鐘。沖洗陶瓷塗覆製品之步驟可包括用去離子水噴塗陶瓷塗覆製品長達約10分鐘。該方法可進一步包括以下步驟：在去離子水中對沖洗後的元件進行超音波清洗處理長達約5分鐘至約2小時，其中，超音波清洗處理係在約8瓦/平方吋至約12瓦/平方吋之功率下執行。
實施例提供一種方法，該方法包括以下步驟：使用包括HF酸溶液之溶液擦拭陶瓷塗覆製品長達一時段，以移除沉積物並沖洗陶瓷塗覆製品，HF酸溶液中具有莫耳濃度約為0.1M至1.0M之NH4F。
溶液可進一步包括約1%至約15%之H2O2。溶液可包括約低於約1%之HF。
實施例提供一種用於半導體製造的製品，該製品已藉由一方法清潔，該方法包括以下步驟：將陶瓷塗覆製品浸入包括HF酸溶液的浸泡劑中長達一時段，以移除沉積物並沖洗陶瓷塗覆製品，HF酸溶液具有莫耳濃度約為0.1M至1.0M之NH4F。
202‧‧‧SiOx沉積物層
204‧‧‧三氧化二釔塗層
410‧‧‧SiOx沉積物
412‧‧‧三氧化二釔塗層
510‧‧‧SiOx沉積物
512‧‧‧三氧化二釔塗層
602‧‧‧IPA擦拭非三氧化二釔塗層區域
604‧‧‧使用已過濾之N11/CDA吹乾製品
606‧‧‧不清潔遮罩表面
608‧‧‧在DI水中浸泡
610‧‧‧吹乾顆粒
612‧‧‧將製品浸入緩衝HF酸之清潔溶液中
614‧‧‧攪拌溶液
616‧‧‧使用DI水噴塗沖洗製品
618‧‧‧自除冷卻劑入口/出口區域之外的全部區域上移遮罩
620‧‧‧在DI溫水中浸泡製品
622‧‧‧使用IPA擦拭以自遮罩上移除殘留物
624‧‧‧在DI水中對製品進行超音波清洗處理
626‧‧‧移除剩餘遮罩
628‧‧‧使用IPA擦拭以自遮罩上移除殘留物
630‧‧‧DI水沖洗
632‧‧‧吹乾製品
634‧‧‧在淨化烘箱內乾燥製品
636‧‧‧在烘箱內使部件自然冷卻至室溫
638‧‧‧在三氧化二釔表面上執行表面顆粒檢查
640‧‧‧量測及記錄三氧化二釔塗層厚度
642‧‧‧在無塵室內封裝製品
藉由在附圖中列舉實例而非限定之方式圖示本發明，在該等附圖中，相似元件符號指示相似元素。應注意，對本揭示案中之「一」或「一個」實施例之不同引用並非一定指示同一實施例，且該等引用意謂至少一個實施例。
第1圖圖示根據一個實施例之方法在清潔溶液中經歷浸沒時間之後的腔室元件之上殘留的矽沉積物。
第2A圖圖示製品在清潔之前的橫剖面穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscope；TEM)視圖。
第2B圖圖示在根據一個實施例之方法之製品在清潔之後的橫剖面TEM視圖。
第3圖圖示根據一個實施例之方法在清潔溶液中經歷各種不同浸沒時間之後的製品的頂部掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)視圖。
第4A圖圖示根據一個實施例之方法在清潔溶液中經歷各種不同的浸沒時間之後的製品的橫剖面TEM視圖。
第4B圖圖示根據一個實施例之方法在清潔溶液中經歷各種不同的浸沒時間之後的製品的橫剖面TEM視圖。
第5圖圖示根據一個實施例之方法在清潔溶液中經歷各種不同的浸沒時間之後的製品的橫剖面TEM視圖。
第6圖圖示根據一個實施例之清潔方法。
實施例係關於一種用於清潔陶瓷製品或具有陶瓷塗層之製品的方法。本發明之實施例提供緩衝HF酸化學物品，該化學物品保持SiOx之移除效果，同時將基板損傷降至最小 及/或減輕基板損傷(例如，對陶瓷塗層之損傷)。根據一個實施例之方法可包括將陶瓷塗覆製品浸沒在包括HF酸溶液之浸泡劑中長達一時段，以移除沉積物並沖洗陶瓷塗覆製品，HF酸溶液具有莫耳濃度約為0.1M至1.0M之NH4F。
在處理期間，曝露於電漿的半導體製造腔室元件可收納SiOx之沉積物。腔室元件可為(例如)蓋、噴淋頭、卡盤、腔室壁、噴嘴、氣體輸送轂、襯墊套組部件等等。該等腔室元件可為陶瓷元件或可為陶瓷塗覆元件。可使用濕洗或乾洗方法週期性地清潔腔室元件上之此SiOx層。
雖然HF酸可用以清潔具有電漿噴塗塗層之半導體製造元件，但HF酸之酸性很高(例如，pH約等於2)，因此可能損傷電漿噴塗塗層。此外，使用HF酸可能損傷包括塊狀陶瓷之半導體製造元件的表面。較佳之作法是在不損傷下方之塗層表面(例如，在不損傷陶瓷塗層之情況下移除SiOx層)或塊狀陶瓷表面的情況下清潔元件上之SiOx沉積物。根據一個實施例，由酸、緩衝劑及H2O2混合而成的緩衝酸溶液可用以清潔SiOx沉積物。可使用之一個示例性緩衝劑為NH4F。
在一個實施例中，HF酸之pH藉由添加緩衝劑而提高。此舉可獲得緩衝HF酸混合物，該混合物之pH約為4。藉由提高溶液之pH，提高動電位。動電位為膠態系統中之動電位。動電位之變化降低清潔後元件上之表面電荷，以減少由HF造成的元件損傷。此外，動電位改變有助於自元件上清潔極小的表面顆粒。
在一個實施例中，濃度低於約1%之HF酸(例如，約0.5%之HF酸)在包括NH4F之溶液中得到緩衝，該NH4F之莫耳濃度處於自約0.1M至約1M之範圍中(例如，約0.5M)，且H2O2處於自約1%至約15%之範圍中(例如，約10%)。若SiOx沉積物為SiO2形式，則可更有效地被移除。當H2O2與SiOx反應時，H2O2協助SiO2之形成，並使全部沉積物易於被移除。
在一個實施例中，基板可為陶瓷、金屬(例如，Al)，或另一材料。基板上之塗層可為三氧化二釔(Y2O3)、基於三氧化二釔之高效能材料(High Performance Material；HPM)、三氧化二釔安定化氧化鋯(YSZ)、Y3Al5O12(YAG)、氧化鋁、YF3、Y4Al2O9 Al2O3(YAM)、石英、SiC、Si3N4、AlN、ZrO2或其他陶瓷。HPM可由化合物Y4Al2O9(YAM)及固溶體Y2-xZrxO3(Y2O3-ZrO2固溶體)組成。在一個實施例中，HPM陶瓷複合物含有77% Y2O3、15% ZrO2及8% Al2O3。在另一實施例中，HPM陶瓷複合物含有63% Y2O3、23% ZrO2及14% Al2O3。在又一實施例中，HPM陶瓷複合物含有55% Y2O3、20% ZrO2及25% Al2O3。該等陶瓷粉之其他分配亦可用於HPM材料。陶瓷塗層可為純釔氧化物，或含有釔氧化物之固溶體，該固溶體可摻雜有ZrO2、Al2O3、SiO2、B2O3、Er2O3、Nd2O3、Nb2O5、CeO2、Sm2O3、Yb2O3或其他氧化物中之一或更多者。在一個實施例中，陶瓷塗層為含有釔氧化物之陶瓷，或使用熱噴塗技術或電漿噴塗技術沉積在金屬或陶瓷基板上之其他含釔氧化物。在替代性實施例中，亦可清潔由塊狀陶瓷組成之腔室 元件。此種塊狀陶瓷可為上述陶瓷中之任一者。
在一個實施例中，在執行清潔方法期間，可將元件浸入酸溶液中。元件之全部浸入可促進重現性，且是清潔元件之有效技術。然而，亦可利用布(例如，藉由擦拭)將此混合物塗覆在表面上以移除所積聚之SiOx。
第1圖圖示使用緩衝HF酸溶液移除SiOx沉積物之效果，該效果顯示為清潔後之腔室元件表面上剩餘Si隨時間推移的百分比。在此，根據一個實施例將半導體製造元件浸入清潔溶液中。浸入120秒之後，沉積物被移除。在一個實施例中，浸入時段約為90秒(例如，對於每60nm沉積物約90秒，或約0.6nm/秒)。然而，清潔溶液之效果可能隨著使用而退化，且在多次使用後(例如，在已使用緩衝HF溶液清潔20-25個元件之後)可更換清潔溶液。
第2A圖圖示元件在清潔之前的橫剖面TEM視圖。在此，於元件上之三氧化二釔塗層204上可發現在半導體製造腔室中隨著使用所積聚之SiOx沉積物層202。而且，在能量色散X射線光譜(energy-dispersive x-ray spectroscopy；EDS)分析中顯示Si存在於元件上。
第2B圖圖示根據一個實施例之方法之元件在使用緩衝HF酸溶液清潔之後的橫剖面TEM視圖。在此，SiOx沉積物層不存在於三氧化二釔塗層204上。而且，EDS分析不指示Si在元件上之存在。
為使元件之效能免受不利影響，清潔方法在移除表面SiOx沉積物期間應對塗層表面造成最小損傷或不造成損 傷。第3圖圖示根據一個實施例之方法在緩衝HF酸溶液中經歷各種不同浸沒時間之後的4kx及10kx元件的頂部掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)視圖。在此，已將電漿噴塗三氧化二釔試樣曝露於緩衝HF清潔溶液長達各種不同時段，該等時段包括0秒(或不曝露)、60秒、120秒及180秒。SEM圖像指示無可偵測之表面損傷。
第4A圖圖示清潔前的不含SiOx沉積物之元件的橫剖面TEM視圖及在緩衝HF溶液中清潔90秒、120秒，及300秒之不含SiOx沉積物之元件的橫剖面TEM視圖。TEM影像指示無可偵測之表面損傷。第4B及4C圖圖示根據一個實施例之方法含有三氧化二釔塗層412(亦即，電漿噴塗塗層)之元件在清潔前及在緩衝HF浸泡劑中經歷各種不同浸沒時間之後的橫剖面TEM視圖。在第4B圖中，在90秒時，SiOx沉積物410仍然存在於三氧化二釔塗層412上。然而，在120秒、150秒及300秒時，SiOx沉積物不存在，且三氧化二釔塗層412未受損傷。
第5圖圖示在執行清潔方法之前存在於三氧化二釔塗層512中之裂紋。第5圖圖示裂紋在90秒時、在120秒時、在150秒時，及在300秒時仍然存在及顯而易見未受影響。SiOx沉積物510在90秒時仍然存在於三氧化二釔塗層512上，但在120秒、150秒及300秒時則被移除，且三氧化二釔塗層512顯而易見未受損傷，其中包括裂紋之數目或尺寸未改變，即使在緩衝HF酸溶液中浸沒300秒之後亦如此。
可藉由本文所述之清潔方法清潔包括腔室下襯墊及 上襯墊套組元件之半導體製造元件。而且，可將該等元件安裝在半導體製造腔室中以測試顆粒。根據一個實施例之方法，製品在清潔之前及清潔之後隨時間推移的顆粒效能測試顯示，在清潔元件之後，顆粒增加物(亦即，在半導體製造期間可能使半導體效能降級的自元件移出的顆粒)不會增多。例如，45nm之顆粒增加物在清潔前處於自約1至約20個的範圍內，及45nm之顆粒增加物在清潔後處於自約0至約35個的範圍內。由此，在緩衝HF酸溶液中清潔不會損傷電漿噴塗塗層之表面。
第6圖圖示根據一個實施例之方法，該方法使用緩衝HF酸溶液清潔處理器腔室元件。例如，清潔方法可用於清潔具有陶瓷塗層(例如，三氧化二釔(Y2O3)電漿噴塗塗層)之鋁元件。清潔方法可用於塗覆有三氧化二釔之元件，該等元件用於例如導體蝕刻腔室中。導體蝕刻係電漿處理之形式的一個實例，用於通過將適當之氣體混合物的高速電漿流引導至基板，以製造諸如金屬晶圓之導電材料上的積體電路。此程式涵蓋對採用Y2O3噴塗鋁元件之腔室的循環清潔，但亦可應用於其他陶瓷塗覆製品。
可用以執行清潔方法之工具及材料包括耐化學品手套、護目用具、去離子(DI)水箱或槽、超音波清潔箱、壓縮熱乾燥氮氣、聚酯熱封polynet等級為10之擦拭布、真空烘箱或氮氣淨化烘箱、顆粒計數器、6密耳聚乙烯袋、4密耳聚乙烯袋、IPA(電子級)、丙酮(電子級)、HF(電子級)、H2O2(電子級)、NH4F(電子級)、具有罩蓋及適宜通風之 超音波箱，以及超音波功率(40KHz、50瓦/加侖)。
在方塊602中，可使用IPA擦拭非三氧化二釔塗層區域。在方塊604中，可在室溫下使用已過濾之N2/潔淨乾燥空氣(clean dry air；CDA)吹乾元件長達至少約2分鐘。在方塊606中，可遮蔽O型環凹槽、射頻墊圈凹槽、焊接罩蓋、冷卻劑入口/出口區域及鍍Ni表面。在方塊608中，可執行在室溫DI水中浸泡長達約10分鐘。在方塊610中，可在室溫下使用已過濾之N2/CDA吹乾元件長達至少約2分鐘。
在方塊612中，根據一個實施例，將元件完全浸入清潔溶液中。在一個實施例中，清潔溶液中為低於約1%之HF及約0.1至約1.0M之NH4F。可選地，清潔溶液中亦可包括約1%至約15%之H2O2混合物。在一個實施例中，可將元件浸入清潔溶液中長達約90秒。或者，可將該元件浸入清潔溶液中長達90秒以上(例如，100秒、120秒或更久)。在方塊614中，將元件浸沒至清潔溶液中時可偶爾攪拌溶液。此舉可使溶液在元件上保持新鮮(使元件持續曝露於新HF及NH4F分子)。在方塊616中，可用DI水噴塗沖洗元件長達至少約10分鐘。
在方塊618中，可自除元件之冷卻劑入口/出口區域以外的所有區域移除遮罩。例如，可將遮罩留在元件之入口/出口區域以在後續之DI水浸泡期間阻止水進入。在方塊620中，可將元件浸泡在DI溫水中(例如，約攝氏38度至約攝氏42度)長達約30分鐘。在方塊622中，可使用IPA擦拭元件以自遮罩移除殘留物。
在方塊624中，可在約10瓦/平方吋(+/-約2瓦/平方吋)下，在DI水中對元件進行超音波清洗處理長達約5分鐘至約2小時(例如，約40分鐘)。在超音波清洗處理期間，可將元件約每10分鐘旋轉一次。
在方塊626中，可自元件移除剩餘遮罩。在方塊628中，可使用IPA擦拭元件以自遮罩移除殘留物。在方塊630中，可執行DI水沖洗長達至少10分鐘。在方塊632中，可在室溫下使用已過濾之N2/CDA吹乾元件。應注意，在一個實施例中，對於所有烘烤製程，不對烘箱進行預熱。
在方塊634中，可在已過濾之N2或CDA淨化烘箱(例如，真空烘箱)中，在約攝氏90度至約攝氏95度下乾燥元件長達至少約3小時。在方塊636中，可在烘箱中將元件自然冷卻至室溫。元件可緩慢傾斜升溫度(例如，約攝氏3度/分鐘)，經烘烤達指定時間，並緩慢冷卻(自然冷卻)至室溫，使得元件不受熱衝擊。
在方塊638中，可在三氧化二釔表面上執行表面顆粒檢查。在方塊640中，在濕洗方法結束時，可量測並記錄每一元件之三氧化二釔塗層厚度。在方塊742中，可在無塵室中封裝元件。在一個實施例中，整個清潔方法的總超音波時間建議不超過1小時。
在一個實施例中，關於上述示例性清潔方法，可觀察到以下技術。元件及組件可利用無滑石粉之乙烯無塵室手套來處理。在濕洗期間可使用耐酸手套及無塵室手套。戴上手套後，觸摸潔淨元件之手僅可觸摸潔淨元件。可採用等級 1000或更佳之無塵室以用於最終清潔、乾燥、最終檢驗及封裝。用於清潔之工具、器具及硬體配件可滿足污染及潔淨要求，且適合用於清潔方法。清潔方法不會在元件表面上形成卷屑、刮痕、坑，或損傷元件表面。浸泡劑可不含有任何可能在元件進入或從溶液抽出時污染元件之表面薄膜。在不使用箱時，可罩蓋住箱。去離子水沖洗可具有2兆歐姆公分或更高之電阻係數。用於乾燥元件之氮氣或潔淨乾燥空氣(CDA)可為乾燥、不含油，及在使用時用0.1微米過濾器過濾。烘箱可符合潔淨要求，且該等烘箱在元件乾燥之使用前可為污染顆粒合格。
可執行進貨檢驗及出廠檢驗。可執行試驗臺上目測檢查以檢查是否存在任何卷屑、裂紋、刮痕或其他異常特徵。可將與正常情況之任何偏差對照元件之序列號記錄在清潔日誌中。可在清潔完成之後執行類似檢驗，該等檢驗包括針對乾燥汙斑之檢查。
可執行以下測試以確保元件之清潔品質。對於污染鑒定，可針對表面痕量金屬污染來分析清潔後元件。可對同一運輸批次中每十個元件中之一個元件應用測試。亦可針對表面痕量金屬，藉由酸性萃取電感耦合電漿質譜法(Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy；ICP-MS)或另一等效方法來分析(在一個位置上)塗覆有三氧化二釔塗之表面。此測試可用以驗證已發生之清潔是否充分。之後，可使用DI水(例如，具有18兆歐姆電阻係數)沖洗萃取區域。
在封裝之前，可驗證元件是否完全乾燥。在一個實 施例中，可在等級1000之無塵室或更佳之無塵室內，或等級100或更佳之無塵室內完成封裝。可將每一元件分別置於未使用的聚乙烯(PE)袋內，並使用雙層袋包裝(例如，厚度為4密耳之PE內袋及厚度為6密耳之PE外袋)。然後，可使用0.1微米過濾乾燥氮氣來淨化該袋，並將該袋真空熱封。在實施例中，不使用抗靜電袋。在一個實例中，聚乙烯袋應保留在原始批量運輸容器內，直至準備使用為止，且可針對金屬雜質及顆粒對袋進行預鑒定，及該等袋僅在無塵室內開封。
上文之描述提出諸如特定系統、元件、方法等之實例之多種特定細節，以便提供對本發明之若干實施例的良好理解。然而，熟習該項技術者將顯而易見，本發明之至少一些實施例可在無需該等特定細節之情況下得以實施。在其他實例中，眾所熟知之元件或方法未詳細描述，或以簡單方塊圖格式展示，以便避免不必要地使本發明模糊化。由此，所提出之該等特定細節僅以示範為目的。特定實施方法可不同於該等示範性細節，且仍然被視作符合本發明之範疇。
本說明書全文中對「一個實施例」或「一實施例」之引用意謂結合實施例所描述之一特定特徵、結構，或特性被包含在至少一個實施例中。由此，在本說明書全文中多處出現的用語「在一個實施例中」或「在一實施例中」並非一定全部指示同一實施例。此外，術語「或」之目的為意謂包含性「或」，而非排他性「或」。在一個實施例中，術語「約」意謂+/-10%。
儘管本文中之方法之操作係以特定次序顯示及描 述，但可更改每一方法之步驟，以便可以不同之次序執行某些步驟，或可不執行某些步驟，或以便至少部份執行或與其他操作同時執行某些步驟。在另一實施例中，不執行該方法之一些步驟。
將理解，以上描述之目的僅為說明，而非限定。熟習該項技術者在閱讀及理解以上描述之後，將顯而易見眾多其他實施例。因此，本發明之範疇應藉由對所附請求項之參考，及該等請求項權利所包含之同等物之全部範疇來決定。
602‧‧‧IPA擦拭非三氧化二釔塗層區域
604‧‧‧使用已過濾之N11/CDA吹乾製品
606‧‧‧不清潔遮罩表面
608‧‧‧在DI水中浸泡
610‧‧‧吹乾顆粒
612‧‧‧將製品浸入緩衝HF酸之清潔溶液中
614‧‧‧攪拌溶液
616‧‧‧使用DI水噴塗沖洗製品
618‧‧‧自除冷卻劑入口/出口區域之外的全部區域上移除遮罩
620‧‧‧在DI溫水中浸泡製品
622‧‧‧使用IPA擦拭以自遮罩上移除殘留物
624‧‧‧在DI水中對製品進行超音波清洗處理
626‧‧‧移除剩餘遮罩
628‧‧‧使用IPA擦拭以自遮罩上移除殘留物
630‧‧‧DI水沖洗
632‧‧‧吹乾製品
634‧‧‧在淨化烘箱內乾燥製品
636‧‧‧在烘箱內使部件自然冷卻至室溫
638‧‧‧在三氧化二釔表面上執行表面顆粒檢查
640‧‧‧量測及記錄三氧化二釔塗層厚度
642‧‧‧在無塵室內封裝製品

Claims (16)

  1. 一種清潔一陶瓷塗覆製品的方法，該方法包含以下步驟：以一遮罩覆蓋該陶瓷塗覆製品之未被陶瓷塗層覆蓋的多個部分；將包含該陶瓷塗層以及一SiOx沉積物之該陶瓷塗覆製品浸入一浸泡劑中長達一時段，以在不損傷該陶瓷塗層的情況下，自該陶瓷塗覆製品移除該SiOx沉積物，其中該浸泡劑包含一HF酸溶液，該HF酸溶液包含莫耳濃度約為0.1M至1.0M之NH4F及H2O2，其中該H2O2可與該SiOx沉積物反應以形成SiO2，而該HF酸溶液可自該陶瓷塗覆製品移除該SiO2，且其中該HF酸溶液並未接觸到該陶瓷塗覆製品之該多個部分；以及沖洗該陶瓷塗覆製品。
  2. 如請求項1所述之方法，其中，該陶瓷塗覆製品包含一靜電卡盤、一蓋、一噴淋頭、一噴嘴、一氣體輸送轂、腔室襯墊套組部件或一腔室壁中之一者。
  3. 如請求項1所述之方法，其中，該HF酸溶液包含約1.2wt%至約15wt%之H2O2。
  4. 如請求項1所述之方法，其中，該HF酸溶液包含低於約1wt%之HF。
  5. 如請求項1所述之方法，其中，該NH4F具有約為0.5M的一莫耳濃度。
  6. 如請求項1所述之方法，其中，該時段約為90秒。
  7. 如請求項1所述之方法，其中，對於每60nm之該SiOx沉積物，該時段約為90秒。
  8. 如請求項1所述之方法，其中，該陶瓷塗覆製品包含Al、AlN或Al2O3中之至少一者，其中該陶瓷塗層包含三氧化二釔，且其中該HF酸溶液可在不損傷三氧化二釔陶瓷塗層的情況下，移除該SiOx沉積物。
  9. 如請求項1所述之方法，其中，沖洗該陶瓷塗覆製品之步驟包含在約攝氏38度至約攝氏42度之一溫度下將該陶瓷塗覆製品浸泡在去離子水中長達一額外時段。
  10. 如請求項9所述之方法，其中，該陶瓷塗覆製品浸泡在該去離子水中之該時段約為30分鐘。
  11. 如請求項1所述之方法，其中，沖洗該陶瓷塗覆製品之步驟包含用該去離子水噴塗該陶瓷塗覆製品長達約10分鐘。
  12. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該去離子水中對該沖洗後的元件進行超音波清洗處理長達約5分鐘至約2小時，其中該超音波清洗處理在約8瓦/平方吋至約12瓦/平方吋之一功率下執行。
  13. 如請求項1所述之方法，其中該陶瓷塗覆製品之該多個部分包含一位於該陶瓷塗覆製品內之凹槽、一焊接罩蓋、一冷卻劑入口、一冷卻劑出口、或一鍍Ni表面之至少一者。
  14. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在沖洗該陶瓷塗覆製品之後，自該陶瓷塗覆製品移除該遮罩之一部分，其中該遮罩之一剩餘部分覆蓋該陶瓷塗覆製品之冷卻劑入口或冷卻劑出口之至少一者；以及在移除該遮罩之該部分之後，將該陶瓷塗覆製品浸入經加熱之蒸餾水中。
  15. 如請求項14所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在將該陶瓷塗覆製品浸入經加熱之蒸餾水之後，移除該遮罩之該剩餘部分；進行對該陶瓷塗覆製品之額外沖洗；以及於一加熱爐中使該陶瓷塗覆製品乾燥。
  16. 如請求項1所述之方法，其中該陶瓷塗覆製品之一第一部分包含該陶瓷塗層，而該陶瓷塗覆製品之一第二部分不具有該陶瓷塗層，該方法進一步包含以下步驟： 在將該陶瓷塗覆製品浸入該浸泡劑之前，進行以下步驟：用酒精擦拭該陶瓷塗覆製品之該第二部分；以及以經過濾之N2與空氣的混合物吹乾該陶瓷塗覆製品。
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