TWI595071B

TWI595071B - Semiconductor wafer surface polishing process surface protection adhesive tape and semiconductor wafer grinding method

Info

Publication number: TWI595071B
Application number: TW104134649A
Authority: TW
Inventors: Hirotoki Yokoi
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2015-10-22
Filing date: 2015-10-22
Publication date: 2017-08-11
Also published as: TW201714997A

Description

半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶及半導體晶圓之研磨加工方法

本發明係關於一種用於半導體元件加工之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，尤其是適宜用於半導體晶圓內面研磨時之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶及使用其之半導體晶圓之加工方法。

於半導體晶圓之加工步驟中，內面研磨、拋光係用於在半導體晶圓表面形成圖案後，使半導體晶圓內面成為特定之厚度。此時，為了保護半導體晶圓表面免受研磨時之應力等或使研磨加工容易，而將半導體加工用表面保護黏著帶貼合於半導體晶圓表面，於此狀態下研磨半導體晶圓內面。作為半導體加工用表面保護黏著帶，例如有於乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等之聚烯烴基材樹脂膜上設置有以丙烯酸聚合物為主成分之黏著劑層者(例如參考專利文獻1)。

通常，上述半導體晶圓藉由內面研磨而薄膜化至特定之厚度後，將預先於基材上積層有黏著劑與接著劑(固晶用接著片)之切晶-固晶片貼合於半導體晶圓內面(研磨面)，利用環狀框將其固定於切晶機之工作盤，利用藉由切晶刀片而切斷之切晶步驟，一次切斷半導體晶圓從而將其晶片化。然後，將多個晶片積層，於基板、晶片間連接導線後利用樹脂進行密封，而成為製品(例如參考專利文獻2)。於上述切晶-固晶片貼合時，為於半導體晶圓表面貼合有半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶之狀態下直接吸附於工作盤之狀態，於貼合切晶-固晶片後，剝離半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶。又，為了使上述切晶-固晶片密接於半導體晶圓，於切晶-固晶片之貼合時，近年來存在於更高溫度(約80℃)進行加熱之情形。

又，貼合於半導體晶圓表面之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，通常為了加以識別並貼合而會被著色。作為著色之方法，有對基材膜著色之方法與對黏著劑著色之方法，但就對於半導體晶圓產生之表面污染之方面而言，一般為對不直接接觸半導體晶圓之基材膜進行著色。

伴隨近年來高密度構裝技術的進步，需要使半導體晶片小型化，顯著進行半導體晶圓之薄膜化。根據半導體晶片之種類，必須使其薄至100μm左右。又，存在如下傾向：為了使可藉由一次加工製造之半導體晶片之數量增多，半導體晶圓之直徑亦被大徑化。迄今為止直徑為5吋或6吋之半導體晶圓為主流，相對於此，近年來由直徑為8~12吋之半導體晶圓加工成半導體晶片成為主流。藉由使半導體晶圓之直徑大徑化，而提高一次加工之產率，削減製造成本。

伴隨此種半導體晶圓之直徑之大徑化，半導體晶圓之形狀亦不斷發生變化。於直徑為5吋或6吋之半導體晶圓為主流之情形時，於半導體晶圓8存在被稱為定向平面(參考下述之圖3)之大缺口7，相對於此，為了進一步提高產率，於8吋以上之直徑之半導體晶圓5具有被稱為凹口(參考下述之圖2)之小缺口6者成為主流。然而，伴隨此種變化，迄今容易進行之半導體晶圓位置之讀取逐漸變得困難。進而，於具有定向平面之半導體晶圓，於定向平面7之外側未貼合半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，相對於此，於具有凹口之半導體晶圓，則覆蓋凹口6而貼合半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護帶。因此，半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護帶之顏色會對感測器辨識性產生嚴重影響。

如上所述，為了提高感測器辨識性，而進行色調之調整等進行應對。然而，伴隨半導體晶圓之薄膜化會產生更多問題。伴隨半導體晶圓之薄膜化，半導體晶圓之翹曲變大，存在因翹曲導致凹口不能通過感測器部分，而感測器不能辨識之情況。又，亦產生因灰塵附著於基材面，而無法檢測出凹口等問題。

[專利文獻1]日本特開2000-8010號公報

[專利文獻2]日本特開2007-53325號公報

本發明係解決如上述般具有凹口之半導體晶圓所特有之問題者。

具體而言，本發明解決上述問題，目的在於提供一種半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶及使用其之半導體晶圓之研磨加工方法，該表面保護黏著帶於矽晶圓等之內面研磨加工步驟中即便應用於需要薄膜化研磨之半導體晶圓亦不產生感測器辨識問題，且兼備貼合視認性及耐熱性，藉此作業性優異

本發明人等人就上述課題進行努力研究，結果發現，藉由將帶之背面之粗糙度設為特定之範圍，且將特定波長下之帶之總光線透過率設為特定之範圍，而解決上述問題，具有貼合視認性，且不引起感測器辨識錯誤，可改善作業性。

此處，帶之背面之粗糙度雖存在各種表面粗糙度(例如中心線平均粗糙度Ra等)，但藉由使用由Rz所規定之表面粗糙度而可解決本發明之上述課題。

即，本發明之課題藉由以下之手段達成。

[1]一種半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其係基材與於該基材之一面側設置黏著劑層而成者，其特徵在於：該基材之未形成黏著劑層之面之表面粗糙度為Rz=0.7~5.0μm，該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶於波長500~600nm之總光線透過率為40~80%，鏡面晶圓之色差(△EM)與將該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶貼合於該鏡面晶圓之狀態下之色差(△ET)之差為△ET-△EM>6.5，該表面保護黏著帶係被使用於貼合於具有凹口之半導體晶圓之表面而對半導體晶圓之內面進行研磨加工之步驟。

[2]如[1]之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其特徵在於：該表面粗糙度Rz為0.7μm以上且未達5.0μm。

[3]如[1]或[2]之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其特徵在於：該基材中含有選自酞青素顏料、萘酞青素(naphthalocyanine)顏料、靛蒽醌(indanthrone)顏料、陰丹士林顏料及三芳基碳陽離子顏料中之顏料。

[4]如[1]至[3]中任一項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其特徵在於：該基材之厚度為80~200μm。

[5]如[1]至[4]中任一項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其特徵在於：該基材由以相同共聚合成分所組成之樹脂構成，該共聚合成分至少包含乙酸乙烯酯。

[6]如[5]之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其特徵在於：該乙酸乙烯酯成分之含量為1.9~10.5質量%。

[7]如[1]至[6]中任一項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其特徵在於：該基材為單層或多層，該基材未形成黏著劑層之側之最外層之基材樹脂之熔點為85℃以上。

[8]一種半導體晶圓之研磨加工方法，係於具有凹口之半導體晶圓之表面貼合半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶而對半導體晶圓之內面進行研磨加工，其特徵在於：該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶係基材與於該基材之一面側設置黏著劑層而成者，該基材之未形成黏著劑層之面之表面粗糙度為Rz=0.7~5.0μm，該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶於波長500~600nm之總光線透過率為40~80%，鏡面晶圓之色差(△EM)與將該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶貼合於該鏡面晶圓之狀態下之色差(△ET)之差為△ET-△EM>6.5。

[9]如[8]之半導體晶圓之研磨加工方法，其特徵在於：該表面粗糙度Rz為0.7μm以上且未達5.0μm。

本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶(以下亦簡稱為表面保護黏著帶)於矽晶圓之內面研磨加工步驟等半導體晶圓之加工中具有貼合視認性，且對於具有凹口之矽晶圓亦具有感測器辨識性，又，耐熱性亦優異。

因此，藉由使用本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，可提高半導體晶圓之內面研磨加工之效率，改善作業性。

本發明之上述內容及其他特徵及優點，適當參考附圖，從下述之記載而可更明確。

1‧‧‧基材(基材膜)

11‧‧‧基材之未形成黏著劑層之面(背面)

2‧‧‧黏著劑層

3‧‧‧半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶

4‧‧‧剝離襯墊

5‧‧‧半導體晶圓(矽鏡面晶圓)

6‧‧‧凹口

7‧‧‧定向平面

8‧‧‧半導體晶圓(矽鏡面晶圓)

圖1係表示本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶一實施形態之剖視圖。

圖2係表示作為感測器辨識部之具有凹口6之半導體晶圓5一例之俯視圖。

圖3係表示作為感測器辨識部之具有定向平面7之半導體晶圓8一例之俯視圖。

以下，一面參考圖式一面詳細說明本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，但本發明不限定於此。

如圖1所示，本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3由基材1與設置於該基材之至少一面之黏著劑層2構成。再者，基材1中，與接觸接著劑層2之面為相反側之面為基材之未形成黏著劑層之面(背面)11，且係成為貼合於半導體晶圓4之狀態下之最外表面之面。

半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3被使用於如下步驟：在貼合於圖2所示之具有凹口6之半導體晶圓5之組入有積體電路之側或形成有電極之側之面(表面)之狀態下，對半導體晶圓5之未組入積體電路之側或未形成電極之側之面(內面)進行研磨加工。

此處，本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3可為基材1及黏著劑層2配合使用步驟或裝置而被預先切斷為特定之形狀(預先切割)之形態，亦可為將未切割之長條片捲取為輥狀之形態。所謂特定之形狀，例如可列舉與半導體晶圓5之直徑相同亦覆蓋凹口6之部分之圓形，只要保護半導體晶圓之積體電路，從而可對半導體晶圓之內面進行研磨加工，且不損害本發明之效果，則可為任何形狀。

再者，只要無特別說明，則於「~」所表示之數值範圍包含前後之數值。

(基材)

本發明所使用之基材1(以下亦稱為基材膜)之主要目的為保護半導體晶圓免受到在對半導體晶圓之內面進行研磨加工時之衝擊，尤其重要的是具有對於水洗等之耐水性與加工零件之保持性。作為此種基材1，例如可列舉日本特開2004-186429號公報所記載者。

再者，作為本發明所使用之基材1之樹脂，通常可使用黏著帶所利用者。例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、離子聚合物等α-烯烴之均聚物或共聚物、聚對酞酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑膠、聚胺甲酸酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等熱塑性彈性體。

基材1可以單層或多層之形式使用選自該等之群中之樹脂，亦可以單層或多層之形式使用混合選自該等之群中之2種以上者。

本發明所使用之基材1之未形成黏著劑層2之面(背面)11之表面粗糙度為Rz=0.7~5.0μm。若Rz未達0.7μm，則於黏著劑之塗佈或基材1之製膜時產生結塊(blocking)，故而出現不能製造等問題。另一方面，若Rz超過5.0μm，則研磨時之灰塵會附著於帶背面11，感測器不能辨識。基材背面11之粗糙度Rz較佳為1.0μm以上且未達5.0，更佳為1.0~4.9μm，進而較佳為1.0~4.5μm，尤佳為1.0~3.5μm，最佳為1.0~2.0μm。

再者，例如藉由對在將基材1製膜時所使用之冷卻輥之粗糙度進行控制，可將基材背面11之粗糙度設為任意之值。因加熱而獲得流動性之樹脂被擠出，然後受到冷卻輥冷卻而被薄膜化。樹脂之冷卻大多使用金屬輥或橡膠輥。例如於使用橡膠輥之情形時，為了賦予剝離性而向橡膠中混入矽粒子，並任意地調整該矽粒子之粒徑，藉此，可調整基材背面11之粗糙度。

如上所述，若利用冷卻輥控制粗糙度，則可對基材1之未形成黏著劑層2之整個面均勻賦予表面粗糙度。

又，關於基材1未形成黏著劑層2之側之最外層之基材樹脂之熔點，就防止對於工作盤之熔合之觀點而言，較佳為85℃以上，更佳為95℃以上，進而較佳為100℃以上，尤佳為110℃以上。再者，熔點之上限值無特別限定，實際上為200℃以下，更佳為180℃以下。

此處，所謂未形成黏著劑層2側之最外層之基材，於基材1為單層之情形時意指單層，於基材1為多層之情形時意指位於距黏著劑層2最遠之位置之基材層。

本發明所使用之基材1可較佳地使用共聚合成分至少包含乙酸乙烯酯之樹脂。又，該乙酸乙烯酯成分之含量較佳為1.9~10.5質量%。作為與乙酸乙烯酯組合之共聚合成分，例如可舉乙烯之類之烯烴等。又，可為二元系共聚物，亦可為三元以上之共聚物。

又，於本發明中，由共聚物構成之樹脂可為無規共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中之任一者。

於本發明中，尤佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(以下亦稱為EVA)。

基材1之樹脂可由以相同共聚合成分所組成之樹脂構成，亦可由以不同共聚合成分所組成之多種樹脂進行積層，亦可混合多種樹脂加以使用。於本發明中，若考慮到對翹曲造成之影響，則較佳為由以相同共聚合成分所組成之樹脂構成之基材1。

為辨識、識別半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，於半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3摻合著色用顏料(以下亦簡稱顏料)等。亦可藉由向黏著劑添加顏料或染料而進行著色，較佳藉由向基材1添加顏料而進行著色。

顏料較佳為藍色顏料，例如可列舉：酞青素顏料、萘酞青素顏料、靛蒽醌顏料、陰丹士林顏料、三芳基碳陽離子顏料。該等之中，較佳為酞青素顏料、萘酞青素顏料，更佳為酞青素顏料，其中，較佳為銅酞青藍。

著色用顏料之摻合量相對於形成基材1之樹脂100質量份，較佳為0.005~1.0質量份，更佳為0.01~0.5質量份。又，更佳為即便為相同樹脂亦藉由多層擠出而薄膜化，並僅於形成黏著劑層之側摻合顏料。藉由僅於形成黏著劑層之側摻合顏料，即便於將半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3浸入至酸等蝕刻液中之情形時，亦不會於酸中露出，故而可防止半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之變色。

於基材1由以不同共聚合成分所組成之多種樹脂積層之情形時，亦可使用除該共聚合成分中至少包含乙酸乙烯酯之樹脂以外之樹脂，例如可列舉高密度聚乙烯(以下亦稱為HDPE)、低密度聚乙烯(以下亦稱為LDPE)等聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴樹脂、乙烯-丙烯酸共聚物或乙烯-甲基丙烯酸共聚物及該等之金屬交聯體(離子聚合物)等聚烯烴類。

於本發明中，該等之中較佳為高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚丙烯。

於積層有多種樹脂之基材1之情形時，於本發明中，較佳將含有含乙酸乙烯酯之樹脂之層設置於形成黏著劑層之側。

本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶所使用之基材1其基於JIS K 7210所測得之熔體流動速率(MFR：Melt flow rate)較佳為1.0~2.9g/10分鐘，更佳為1.5~2.5g/10分鐘，進而較佳為1.8~2.3g/10分鐘。

於基材1之MFR為上述範圍之情形時，於將捲繞成輥狀之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3設置於貼合機上，捲出半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3並將其貼合於半導體晶圓5之表面之步驟中，使加熱至約150℃之切割刀沿半導體晶圓5之外周部旋轉，而將半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3切斷為半導體晶圓形狀，利用此時所產生之熱，以上述半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之基材1覆蓋半導體晶圓5側面之方式進行熔合。其結果為將黏著劑層2與半導體晶圓5之界面利用基材1覆蓋，從而可防止滲流。

即，於MFR超過2.9g/10分鐘之情形時，由於基材1之流動性變高，故而於將熔融後之基材1切斷時，切割刀與半導體晶圓5之外周上之某一點接觸之時間非常短，因此有一旦鋒利地切斷構成基材1之樹脂，則不會進行如覆蓋半導體晶圓5側面之熔合之虞。反之，於未達1.0g/10分鐘時，有基材1之流動性變低，無法利用帶而覆蓋半導體晶圓5之界面之虞。

為了將基材1之MFR設為上述範圍，例如可藉由對樹脂之共聚合對象、乙酸乙烯酯含量、分子量或其分佈進行調整、將MFR不同之樹脂進行混合、或組合該等方法而實現。

本發明所使用之基材1之樹脂可視需要含有穩定劑、潤滑劑、抗氧化劑、抗結塊劑、塑化劑、黏著賦予劑、柔軟材等。

上述基材1之厚度無特別限定，適當設定即可，較佳為80~200μm，更佳為100~180μm。

藉由將厚度設為該範圍，維持半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之形態之性質優異，並且處理時之作業性提高。再者，若過度增加其厚度，則有對基材1之生產性產生影響，導致製造成本增加之虞。

上述基材1之製造方法無特別限定，可藉由壓延法、T模擠出法、吹脹法、澆鑄法等先前之射出、擠出技術而製造，可考慮生產性、所獲得之基材1之厚度精度等進行適當選擇。

(黏著劑層)

本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3所使用之黏著劑之材料無特別限制，可使用先前者。例如可為具有藉由照射放射線進行硬化而黏著性降低從而可容易自半導體晶圓5剝離之性質者。具體而言，可列舉：以(甲基)丙烯酸酯為構成成分之均聚物或具有(甲基)丙烯酸酯作為構成成分之共聚物、(甲基)丙烯酸樹脂、(甲基)丙烯酸酯。

該等樹脂之質量平均分子量較佳為20萬~200萬，更佳為30萬~150萬，進而較佳為40萬~120萬。

再者，質量平均分子量係藉由凝膠滲透層析儀(Waters公司製造，商品名：150-C ALC/GPC)對溶解於四氫呋喃所獲得之1%溶液進行測定，並將測得之值作為聚苯乙烯換算之質量平均分子量而算出者。

作為包含(甲基)丙烯酸酯作為構成成分之聚合物之單體成分，例如可列舉：具有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一基、月桂基、十三基、十四基、硬脂基(stearyl)、十八基及十二基等碳數30以下，較佳為碳數4~18之直鏈或分支之烷基之(甲基)丙烯酸烷酯或(甲基)甲基丙烯酸烷酯。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。

作為上述以外之(甲基)丙烯酸酯樹脂中之構成成分，可包含以下之單體。例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸等含羧基單體；順丁烯二酸酐或伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯磷酸酯等含磷酸基單體；(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如甲基丙烯酸二甲胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁基胺基乙酯等)、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯醯嗎福林、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈。該等單體成分可單獨使用，亦可併用2種以上。

又，作為(甲基)丙烯酸酯樹脂，作為構成成分可包含以下之多官能性單體。例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四 (甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯及胺酯(甲基)丙烯酸酯(urethane(meth)acrylate)。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。

作為丙烯酸酯，可列舉：丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸環氧丙酯、丙烯酸2-羥基乙酯等。又，亦可使用利用例如以甲基丙烯酸酯替代上述丙烯酸酯所得者等甲基丙烯酸系聚合物與硬化劑而成者。

作為硬化劑，可使用日本特開2007-146104號公報所記載之硬化劑。例如可列舉：1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺基甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺基甲基)甲苯、1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺基甲基)苯、N,N,N',N'-四環氧丙基間茬二胺等分子中具有2個以上環氧基之環氧化合物；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯等甲苯二異氰酸酯(TDI)、1,3-伸茬基二異氰酸酯、1,4-伸茬基二異氰酸酯等伸茬基二異氰酸酯(XDI)或二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯等二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)等分子中具有2個以上異氰酸酯基之異氰酸酯系化合物或TDI之三羥甲基丙烷加成物等該等異氰酸酯系化合物之預聚物；四羥甲基-三(β-氮丙啶基)丙酸酯、三羥甲基-三(β-氮丙啶基)丙酸酯、三羥甲基丙烷-三(β-氮丙啶基)丙酸酯、三羥甲基丙烷-三[β-(2-甲基氮丙啶基)]丙酸酯等分子中具有2個以上氮丙啶基之氮丙啶系化合物。

硬化劑之含量只要根據想要之黏著力進行調整即可，相對於樹脂成分100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.1~5質量份。

又，藉由使黏著劑層2中含有光聚合性化合物及光聚合起始劑，可藉由照射紫外線而使其硬化，從而可降低黏著劑之黏著力。作為此種光聚合性化合物，例如廣泛使用如日本特開昭60-196956號公報及日本特開昭60-223139號公報所記載之藉由光照射進行立體網狀化而獲得之分子內具有至少2個以上光聚合性碳-碳雙鍵之低分子量化合物。

具體而言，可使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之寡酯丙烯酸酯等。

作為光聚合起始劑，可使用日本特開2007-146104號公報或日本特開2004-186429號公報所記載之光聚合起始劑。具體而言，可使用異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫、苄基甲基縮酮(benzyl methyl ketal)、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等可使用1種或2種以上。光聚合起始劑之添加量相對於上述樹脂成分100質量份較佳為0.1~15質量份，更佳為5~10質量份。

又，作為黏著劑層2，可使用利用包含聚合物中具有光聚合性碳-碳雙鍵之聚合物、光聚合起始劑及硬化劑之樹脂組成物而成之光聚合性黏著劑層。作為聚合物中具有碳-碳雙鍵之聚合物，較佳為利用任意之方法使側鏈具有碳數為4~12(更佳為碳數8)之烷基之(甲基)丙烯酸酯等單體或共聚合性改質單體之1種或2種以上進行均聚合或共聚合而得之(甲基)丙烯酸系聚合物。

以上述方式形成之光聚合性黏著劑層於將半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3自半導體晶圓5之表面剝離前，自基材1側照射使半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3對半導體晶圓5之表面之黏著力降低之放射線，較佳為紫外線，藉此使黏著力自初期之黏著力大幅降低，可容易地將半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3自被黏著體剝離。

進而於黏著劑可視需要摻合黏著賦予劑、黏著調整剤、界面活性劑、無機化合物填料、其他改質劑等。

於本發明中，黏著劑層2之厚度可根據所欲應用之被黏著體而適當設定，並無特別限制，較佳為10~60μm，更佳為20~50μm。再者，黏著劑層2亦可為積層有多層之構成。

藉由將黏著劑層2之厚度調整於上述範圍，可使生產性優異，製造成本降低。進而，由於不會使黏著劑層2之黏著力過度上升，故而於內面研磨後剝離黏著劑層2時，不存在伴隨剝離黏著力之上升而引起半導體晶圓5之破損或於半導體晶圓5之表面因黏著劑層2產生污染之情形。

又，對於半導體晶圓5之表面之凹凸之密接性優異，於對半導體晶圓5之內面進行研磨加工、藥液處理等時不會滲入水或藥液而產生半導體晶圓5之破損或半導體晶圓5之表面之研磨屑或因藥液導致之污染，放射線照射後之黏著力亦充分降低，於將黏著劑層2自半導體晶圓5剝離時，亦不會破壞半導體晶圓5。

於本發明中，於基材1之一面側設置黏著劑層2時，可使用將上述黏著劑藉由輥式塗佈機、缺角輪塗佈機、模嘴塗佈機、邁爾棒式塗佈機、逆輥塗佈機、凹版塗佈機等已知之方法進行塗佈、乾燥而形成黏著劑層2之方法。此時，為了保護塗佈之黏著劑層2免受環境所導致之污染等，較佳於塗佈之黏著劑層2之表面貼合剝離襯墊4(亦稱為剝離膜)。

作為本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3所使用之剝離膜，可列舉聚丙烯、聚對酞酸乙二酯等合成樹脂。較佳為視需要對其表面實施過矽酮處理等者。剝離膜之厚度通常為10~100μm，較佳為20~50μm。

藉由採用該構成，可獲得保持對於半導體晶圓表面之優異密接性、剝離時之優異易剝離性並且亦兼備低污染性之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。即，藉由在上述基材1之一面側形成黏著劑層2，即便於半導體晶圓表面存在凹凸之情形時，亦可獲得對於半導體晶圓表面之良好之密接性，於對半導體晶圓之內面進行研磨加工、藥液處理等時，防止研磨水、藥液等之滲入，並可防止因該等所導致之半導體晶圓之破損、污染。

又，於將內面研磨加工用表面保護黏著帶3自半導體晶圓表面剝離時，藉由照射放射線使黏著劑層2硬化、收縮，藉此，黏著劑層整體之黏著力充分降低，不破壞半導體晶圓，並可以良好之作業性剝離半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。因此，本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3可在保持對於凹凸之優異之密接性與剝離時之易剝離性之狀態下同時達成低污染性。

本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3於波長500~600nm之總光線透過率為40~80%。總光線透過率之下限較佳為50%以上，更佳為超過50%，進而較佳為51%以上，尤佳為53%以上。另一方面，總光線透過率之上限較佳為70%以下。

若波長500~600nm之總光線透過率未達40%，則凹口之檢測變得困難，感測器辨識會發生錯誤。又，若波長500~600nm之總光線透過率超過80%，則由於透明度較高，故而識別是否貼合會變得困難。

於本發明中，鏡面晶圓之色差(△EM)與將本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3貼合於該鏡面晶圓之貼合有帶之晶圓之色差(△ET)的差為△ET-△EM>6.5。△ET-△EM較佳大於7.0，更佳大於7.8。若△ET-△EM為6.5以下，則無法一眼即看出半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3是否貼合於鏡面晶圓，故而其成為導致半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之雙重貼合等錯誤之重要原因。再者，△ET-△EM之上限並無特別規定，較佳為△ET-△EM<30，更佳為△ET-△EM<25，進而較佳為△ET-△EM<20。

關於本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶對於經#280之砂紙研磨之SUS板於常溫(25℃)下之黏著力，於感壓型黏著劑之情形時較佳為0.3~5.0N/25mm。另一方面，於紫外線硬化型黏著劑之情形時，紫外線硬化前之黏著力較佳為1.0~20N/25mm，紫外線硬化後之黏著力較佳為0.01~1.0N/25mm。感壓型黏著劑之情形與紫外線硬化型之黏著劑不同，難以大幅調整黏著力，因此，若成為5.0N/25mm以上，則會產生剝離不良或糊劑殘留問題。另一方面，若成為0.3N/25mm以下，則會產生灰塵侵入或帶脫落之問題，而會引起晶圓破裂。於紫外線硬化型黏著劑之情形時，藉由紫外線照射可任意地控制剝離時之黏著力，於紫外線硬化前與紫外線硬化後之較佳黏著力之範圍有所不同。

藉由將黏著力調整於上述範圍，研磨過程中半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶不會自半導體晶圓脫落，從而改善滲流或半導體晶圓破裂。又，研磨後之剝離亦變得容易，藉此改善半導體晶圓破損或糊劑殘留。

再者，關於因放射線硬化型黏著帶等剝離而能夠降低黏著力者，係指於研磨加工步驟之前亦即進行黏著力降低處理前後之狀態下所測得之黏著力。

為了賦予此種黏著力，可利用上述黏著劑層之較佳構成而達成，尤其是藉由調整硬化劑之摻合量，可將黏著力設為上述範圍。

又，此外，黏著劑之黏著力可為相同黏著劑，亦可藉由黏著劑層之厚度或基材之種類進行調整。

作為藉由本發明可辨識之凹口尺寸，例如可列舉SEMI規格及JEITA規格所規定之凹口深度為1.00mm(容許誤差+0.25mm、-0.00mm)、凹口角度為90°(容許誤差+5°、-1°)者。藉由使用本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，即便對於具有相較於定向平面而感測器辨識更困難之凹口之半導體晶圓，亦發揮良好之感測器辨識性之效果。

作為具有藉由本發明可辨識之凹口之半導體晶圓，可列舉如8吋、12吋等般經大徑化之半導體晶圓。

(半導體晶圓之研磨加工方法)

本發明之半導體晶圓之研磨加工方法具有如下步驟：對於具有凹口之半導體晶圓之表面貼合本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶。

半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶係基材與於該基材之一面側設置黏著劑層而成者，該基材之未形成黏著劑層之面之表面粗糙度為Rz=0.7~5.0μm，該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶於波長500~600nm之總光線透過率為40~80%，鏡面晶圓之色差(△EM)與將該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶貼合於該鏡面晶圓之狀態下之色差(△ET)之差為△ET-△EM>6.5。

於半導體晶圓之研磨加工方法中使用之本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶係應用先前所說明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶之較佳範圍者。

以下，就本發明之半導體晶圓之研磨加工方法進行更加詳細之說明，但不限定於該等。

首先，將剝離襯墊4自上述半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之黏著劑層2剝離，使黏著劑層2之表面露出，經由該黏著劑層2貼合於具有凹口之半導體晶圓之組入有積體電路之側或形成有電極之側之面(表面)。繼而，經由上述半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之基材層1將半導體晶圓固定於研磨機之工作盤等上，並對半導體晶圓之未組入積體電路之側或未形成電極之側之面(內面)進行研磨加工、藥品處理等。於研磨加工、藥品處理等結束後，剝離該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

此處，半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3對於半導體晶圓之貼合操作例如可使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機(股份)公司製造)之自動編帶裝置。

半導體晶圓之內面之研磨加工操作例如可使用DGP8760(商品名：迪思科(股份)公司製造)之裝置。

又，半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之剝離時機係於對半導體晶圓之內面進行研磨加工而薄膜化之後，將半導體晶圓之內面貼合於在基材上積層有黏著劑與接著劑之切晶-固晶片(切晶帶)之接著面，並進行晶圓黏貼(wafer mount)之後進行。

對於切晶帶之晶圓黏貼及半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之剝離步驟中，例如可使用RAD-2700F(商品名：琳得科(股份)公司製造)之裝置。

於向切晶-固晶片貼合時，藉由在於高溫(約80℃)加熱，使切晶-固晶片密接於半導體晶圓。本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3由於耐熱性優異，故而即便於加熱時亦無熔融、變形等問題，可發揮作為表面保護黏著帶之功能。

本發明之半導體晶圓之研磨加工方法藉由使用感測器辨識性優異、且貼合視認性及耐熱性亦優異之本發明之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3，與先前之研磨加工方法相比，作業效率變高，且作業性進一步提高。

[實施例]

以下，基於實施例對本發明更詳細地說明，但本發明不限定於該等。

(實施例1)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂A，乾摻0.6質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機進行擠出成形，藉此獲得厚度165μm且背面之表面粗糙度Rz=1.2μm之基材膜A。

以甲基丙烯酸2mol%、丙烯酸2-乙基己酯50mol%、丙烯酸2-羥基乙酯30mol%、丙烯酸甲酯18mol%之比率進行摻合，相對於總單體100質量份添加0.2質量份之偶氮雙異丁腈，於經氮氣置換之反應容器內，以溫度70℃使該等於乙酸乙酯溶液中進行共聚合，藉此獲得質量平均分子量80萬之聚合物溶液。於該聚合物溶液中，相對於聚合物100質量份摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名，日本聚氨酯工業股份有限公司製造)2.0質量份，從而獲得黏著劑組成物。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為30μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(實施例1中為基材膜A)，從而獲得厚度195μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(實施例2)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂A，乾摻0.3質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機進行擠出成形，藉此獲得厚度165μm且背面之表面粗糙度Rz=0.7μm之基材膜B。

以甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸2-羥基乙酯22mol%、丙烯酸丁酯77mol%之比率進行摻合，相對於總單體100質量份添加0.3質量份之偶氮雙異丁腈，於經氮氣置換之反應容器內，以溫度70℃使該等於乙酸乙酯溶液中進行共聚合，藉此獲得質量平均分子量30萬之聚合物溶液。於該聚合物溶液中，相對於聚合物100質量份摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名，日本聚氨酯工業股份有限公司製造)1.5質量份，從而獲得黏著劑組成物。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為40μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(實施例2中為基材膜B)，從而獲得厚度205μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(實施例3)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為10.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂C，乾摻0.6質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機進行擠出成形，藉此獲得厚度100μm且背面之表面粗糙度Rz=3.7μm之基材膜C。

以甲基丙烯酸2mol%、丙烯酸2-羥基乙酯29mol%、丙烯酸2-乙基己酯69mol%之比率進行摻合，相對於總單體100質量份添加0.2質量份之偶氮雙異丁腈，於經氮氣置換之反應容器內，以溫度70℃使該等於乙酸乙酯溶液中進行共聚合，藉此獲得質量平均分子量23萬之聚合物溶液。於該聚合物溶液，相對於聚合物100質量份摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名，日本聚氨酯工業股份有限公司製造)1.5質量份，從而獲得黏著劑組成物。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為30μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(實施例3中為基材膜C)，從而獲得厚度130μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(實施例4)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為10.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂C，乾摻0.8質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機進行擠出成形，藉此獲得厚度100μm且背面之表面粗糙度Rz=4.9μm之基材膜D。

以甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸2-羥基乙酯22mol%、丙烯酸2-乙基己酯77mol%之比率進行摻合，相對於總單體100質量份添加0.2質量份之偶氮雙異丁腈，於經氮氣置換之反應容器內，以溫度70℃使該等於乙酸乙酯溶液中進行共聚合，藉此獲得質量平均分子量70萬之聚合物溶液。於該聚合物溶液，相對於聚合物100質量份摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名，日本聚氨酯工業股份有限公司製造)1.5質量份，從而獲得黏著劑組成物。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為30μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(實施例4中為基材膜D)，從而獲得厚度130μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(實施例5)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為10.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂C，乾摻3.0質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機將低密度聚乙烯(LDPE)與乾摻之上述EVA樹脂進行擠出成形，藉此獲得厚度比率為LDPE：EVA=1：1之厚度80μm且背面之表面粗糙度Rz=2.1μm之基材膜E。

以甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸2-羥基乙酯22mol%、丙烯酸2-乙基己酯77mol%之比率進行摻合，相對於總單體100質量份添加0.2質量份之偶氮雙異丁腈，於經氮氣置換之反應容器內，以溫度70℃使該等於乙酸乙酯溶液中進行共聚合，藉此獲得質量平均分子量70萬之聚合物溶液。於該聚合物溶液中，相對於聚合物100質量份摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名，日本聚氨酯工業股份有限公司製造)1.5質量份，從而獲得黏著劑組成物。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為40μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材1(實施例5中為基材膜E)之EVA側，從而獲得厚度120μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(實施例6)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為10.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂C，乾摻5.0質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機將高密度聚乙烯(HDPE)與乾摻之上述EVA樹脂進行擠出成形，藉此獲得厚度比率為HDPE：EVA=3：7之厚度200μm且背面之表面粗糙度Rz=3.2μm之基材膜F。

以甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸2-羥基乙酯22mol%、丙烯酸2-乙基己酯77mol%之比率進行摻合，相對於總單體100質量份添加0.3質量份之偶氮雙異丁腈，於經氮氣置換之反應容器內，以溫度70℃使該等於乙酸乙酯溶液中進行共聚合，藉此獲得質量平均分子量70萬之聚合物溶液。於該聚合物溶液，相對於聚合物100質量份摻合作為硬化劑之Coronate L(商品名，日本聚氨酯工業股份有限公司製造)1.5質量份，從而獲得黏著劑組成物。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為40μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(實施例6中為基材膜F)之EVA側，從而獲得厚度240μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(比較例1)

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為42μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(比較例1中為厚度38μm且背面之表面粗糙度Rz=0.1μm之Teijin Tetoron Film G2C(商品名，Teijin Dupont Films(股份)公司製造))，從而獲得厚度80μm之內面研磨加工用表面保護帶3。

(比較例2)

利用擠出成形機將低密度聚乙烯(LDPE)樹脂進行擠出成形，藉此獲得厚度150μm且背面之表面粗糙度Rz=5.8μm之基材膜G。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為30μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(比較例2中為基材膜G)，從而獲得厚度180μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(比較例3)

於低密度聚乙烯(LDPE)樹脂100質量份，乾摻30質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機將乾摻之樹脂進行擠出成形，藉此獲得厚度300μm且背面之表面粗糙度Rz=2.5μm之基材膜H。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為30μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(比較例3中為基材膜H)，從而獲得厚度330μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(比較例4)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為10.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂C，乾摻4.0質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機將低密度聚乙烯(LDPE)與乾摻之上述EVA樹脂進行擠出成形，藉此獲得厚度比率為LDPE：EVA=3：7之厚度100μm且背面之表面粗糙度Rz=7.1μm之基材膜I。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為30μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(比較例4中為基材膜I)之EVA側，從而獲得厚度130μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

(比較例5)

於100質量份之乙酸乙烯酯成分之含量為20.0質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂D，乾摻0.3質量份之含有藍色顏料銅酞青藍5.0質量%且乙酸乙烯酯成分之含量為6.0質量%之乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂B。利用擠出成形機進行擠出成形，藉此獲得厚度165μm且背面之表面粗糙度Rz=6.8μm之基材膜J。

如圖1所示，以使黏著劑層2之厚度成為30μm之方式將所獲得之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4上，並貼合於基材膜1(比較例5中為基材膜J)，從而獲得厚度195μm之內面研磨加工用表面保護黏著帶3。

再者，樹脂之質量平均分子量係將藉由凝膠滲透層析儀(Waters公司製造，商品名：150-C ALC/GPC)對溶解於四氫呋喃所獲得之1%溶液進行測定，並將測得之值作為聚苯乙烯換算之質量平均分子量而算出者。

(半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶之性能評價)

對上述實施例1~6及比較例1~5中獲得之各半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3進行以下試驗，評價其性能，獲得下述表1、2所示之結果。

(基材膜背面之表面粗糙度測定)

基材膜背面之表面粗糙度Rz係基於JIS B0601，於寬度230mm之基材膜1之沿寬度方向觀察之情形之中心與自中心距離左右80mm之位置之共3處，使用「Handisurf E-30A」(商品名：東京精密(股份)公司製造)，對作為測定長度5mm之長度方向及寬度方向之兩個方向進行測定，並求出十點平均粗糙度Rz而得之值。

(總光線透過率測定)

將剝離襯墊4自實施例及比較例之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3剝離，使用分光光度計UV3101PC&MPC-3100(商品名，島津製作所(股份)製造)以N=3測定來自基材膜1面側之波長500~600nm之總光線透過率，並求出平均值。

(視認性之評價)

將剝離襯墊4自實施例及比較例之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3剝離，使用色彩色差計CR-400(商品名，柯尼卡美能達(股份)公司製造)對其進行色差測定。使用白色校正板，測定以該白色為基準之鏡面晶圓之色差(△EM)。以不使空氣進入之方式將自實施例及比較例之各半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3剝離襯墊4後之內面研磨加工用表面保護黏著帶3貼合於所測定之鏡面晶圓，從而測定帶貼合晶圓之色差(△ET)。計算貼合有帶之晶圓之色差(△ET)與鏡面晶圓之色差(△EM)之差(△ET-△EM)，並利用以下之基準進行評價。

A：△ET-△EM>6.5者

C：△ET-△EM≦6.5者

(感測器辨識性評價)

使用貼合機DR8500III(商品名：日東精機(股份)公司製造)，將剝離掉剝離襯墊4之實施例及比較例之各半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3貼合於如圖2所示之具有凹口6之8吋矽鏡面晶圓(信越半導體工業公司製造，凹口深度1.00mm(容許誤差+0.25mm、-0.00mm)、凹口角度90°(容許誤差+5°、-1°)之半導體晶圓)。

然後，使用DGP8760(商品名：迪思科(股份)公司製造)，將上述半導體晶圓之未貼合半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之面研磨至厚度100μm。使用RAD-2700F(商品名：琳得科(股份)公司製造)對研磨後之上述半導體晶圓進行對切晶帶之晶圓黏貼及半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護帶3之剝離，並利用以下之基準進行評價。

A：可順利剝離者

C：於帶黏合時發生凹口之檢測錯誤者

(翹曲之評價)

以與上述感測器辨識性評價相同之方式將剝離掉剝離襯墊4之實施例及比較例之各半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3貼合於與上述相同之具有凹口6之8吋矽鏡面晶圓(半導體晶圓)，使用具有線內機構之研磨機DGP8760(商品名：迪思科(股份)公司製造)，分別將25片該貼合後之各半導體晶圓之未貼合半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3之面研磨至厚度為50μm，並利用以下之基準進行評價。

A：25片之半導體晶圓之翹曲全部未達10mm者

B：半導體晶圓之至少1片之翹曲為10mm以上且未達20mm者

C：半導體晶圓之至少1片之翹曲為20mm以上者

(耐熱性之評價)

以與上述感測器辨識性評價相同之方式將剝離掉剝離襯墊4之實施例及比較例之各半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶3貼合於與上述相同之具有凹口6之8吋矽鏡面晶圓(半導體晶圓)，以使半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶之面接觸加熱板之方式將該貼合後之各半導體晶圓置於80℃之加熱板上並放置3分鐘。然後，目測觀察半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶之背面(基材膜側)，並利用以下之基準進行評價。

A：未觀測到熔融等，加熱前後無變化者

C：發現因加熱而使背面熔化等變化者

如表1及表2所示，於實施例1~6中，視認性(貼合識別性)並無問題，又，將感測器辨識無錯誤且研磨成薄膜之半導體晶圓黏貼於切晶帶，可將半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶剝離，又，耐熱性亦優異。另一方面，比較例1無法一眼看出半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶是否貼合，視認性存在問題。又，比較例2、4及5因基材背面之表面粗糙度(Rz)較大，故而於半導體晶圓之薄膜研磨時會附著大量矽塵，而發生不能檢測出凹口之錯誤。進而，比較例3顏色較深，總光線透過率較差，故而發生不能檢測出凹口之錯誤。

1‧‧‧基材(基材膜)

2‧‧‧黏著劑層

3‧‧‧半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶

4‧‧‧剝離襯墊

11‧‧‧基材之未形成黏著劑層之面(背面)

Claims

一種半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其係基材與於該基材之一面側設置黏著劑層而成者，其特徵在於：該基材之未形成黏著劑層之面之表面粗糙度為Rz=0.7~5.0μm，該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶於波長500~600nm之總光線透過率為40~80%，鏡面晶圓(mirror wafer)之色差(△EM)與將該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶貼合於該鏡面晶圓之狀態下之色差(△ET)之差為△ET-△EM>6.5，該表面保護黏著帶係被使用於貼合於具有凹口之半導體晶圓之表面而對半導體晶圓之內面進行研磨加工之步驟。
如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其中該表面粗糙度Rz為0.7μm以上且未達5.0μm。
如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其中該基材含有選自酞青素顏料、萘酞青素(naphthalocyanine)顏料、靛蒽醌(indanthrone)顏料、陰丹士林顏料及三芳基碳陽離子顏料中之顏料。
如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其中該基材之厚度為80~200μm。
如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其中該基材由以相同共聚合成分所組成之樹脂構成，該共聚合成分至少包含乙酸乙烯酯。
如申請專利範圍第5項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其中該乙酸乙烯酯成分之含量為1.9~10.5質量%。
如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶，其中該基材為單層或多層，該基材未形成黏著劑層之側之最外層之基材樹脂之熔點為85℃以上。
一種半導體晶圓之研磨加工方法，係於具有凹口之半導體晶圓之表面貼合半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶而對半導體晶圓之內面進行研磨加工，其特徵在於：該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶係基材與於該基材之一面側設置黏著劑層而成者，該基材之未形成黏著劑層之面之表面粗糙度為Rz=0.7~5.0μm，該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶於波長500~600nm之總光線透過率為40~80%，鏡面晶圓之色差(△EM)與將該半導體晶圓之內面研磨加工用表面保護黏著帶貼合於該鏡面晶圓之狀態下之色差(△ET)之差為△ET-△EM>6.5。
如申請專利範圍第8項之半導體晶圓之研磨加工方法，其中該表面粗糙度Rz為0.7μm以上且未達5.0μm。