[go: up one dir, main page]

TWI594505B - 具有多輻射瓣之線圈天線 - Google Patents

具有多輻射瓣之線圈天線 Download PDF

Info

Publication number
TWI594505B
TWI594505B TW103126614A TW103126614A TWI594505B TW I594505 B TWI594505 B TW I594505B TW 103126614 A TW103126614 A TW 103126614A TW 103126614 A TW103126614 A TW 103126614A TW I594505 B TWI594505 B TW I594505B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coil antenna
conductive
radio frequency
lobes
pair
Prior art date
Application number
TW103126614A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201515324A (zh
Inventor
肯納席克弗拉德米爾
巴那沙莫
坦汀汪凱爾R
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201515324A publication Critical patent/TW201515324A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI594505B publication Critical patent/TWI594505B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211Antennas, e.g. particular shapes of coils

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

具有多輻射瓣之線圈天線 【相關申請案之相互參照】
本申請案主張於2013年12月16日,由Vladimir Knyazik等人申請,標題為「具有多輻射瓣之線圈天線」之美國專利申請案序號第14/107,137號的優先權,該案主張於2013年10月4日,由Vladimir Knyazik等人申請,標題為「具有從一圓形無線射頻電力終端輻射的複數個線圈瓣之線圈天線的電漿反應器」之美國臨時申請案序號第61/886,845號的專利權。
電漿反應器的電感耦合電漿源通常包括具有複數個導電線圈的天線,及耦接到該天線的無線射頻電力發電機。
電感耦合電漿源使用於許多電漿反應器中,以便於一工件上執行電漿增強處理,比如蝕刻,該工件比如是一半導體晶圓。電感耦合電漿源包括一或多個無線射頻驅動的感應線圈,用來傳遞電力到電漿中。線圈天線可包括二個或更多的線圈以控制徑向電漿離子分佈密度。典型的線圈天線可以是扁平螺旋導體或圓柱形螺旋彎曲結構。這樣線圈天線的 電感典型非常地高,導致線圈天線的無線射頻電力端子電壓非常高。其結果是通常需要串聯一個電容器到線圈天線,以降低無線射頻電力端子上的電壓。這樣產生了一個問題:導入這樣的一個並聯的電容器卻降低了線圈天線的效率。
隨著典型電感耦合電漿源來的另一個問題是天線中二個或更多的線圈的使用創生出M形徑向電漿離子分佈密度,其中於晶圓的邊緣與晶圓的中心處有明顯的最小值。這問題源於天線不同線圈間的互動或互耦。
一種線圈天線包含複數個導電瓣,相對於一中心軸排列,每一導電瓣包含一延長導體,該延長導體具有一第一終端與一第二終端,該複數個導電瓣具有各別的徑向軸,在該中心軸周圍方位分佈。該線圈天線進一步包含至該複數個導電瓣的第一終端之一第一連接,與至該複數個導電瓣的第二終端的一第二連接,該第一與第二連接改編以耦接至一無線射頻電源。
在一實施例中,每一第一與第二終端面朝徑向向內。在一實施例中,該延長導體的每一複數個導電瓣遵循一循環路徑。
在一實施例中,該複數個導電瓣中之相鄰一些至少部分覆於彼此之上而不彼此接觸。在相關的實施例中,每一瓣界定一封閉區域,該複數個導電瓣中之相鄰一些的封閉區域至少部分彼此重疊,以界定重疊區域。在一進一步相關的實施例中,該重疊區域以一徑向位置的函數變化。
根據一實施例,該線圈天線進一步包含各別可變電容器,在該延長導體中之各別一些與該第一及第二連接之一間串聯連接,及一控制器,改編以管理該各別可變電容器。
根據一實施例,該線圈天線進一步包含各別可變電容器,在該延長導體中之各別一些的部分間串聯連接,及一控制器,改編以管理該各別可變電容器。
在一實施例中,該第一與第二連接包含一對導電環,環繞該中心軸且沿該中心軸以一縫隙距離彼此置換。在相關的實施例中,每一該複數個導電瓣的該延長導體沿該中心軸的厚度少於該縫隙距離。
根據一進一步態樣,用於使用於具有一中心軸的一電漿反應器的線圈天線包含:(a)複數個導電瓣,每一該複數個導電瓣包含具有一對終端的一延長導體,該複數個導電瓣具有各別徑向軸,在該中心軸周圍方位分佈;及(b)一對連接元件以一縫隙距離沿該對稱軸彼此置換,該對終端中之各別一些被耦接至該對連接元件中之各別一些。該對連接元件改編以接收無線射頻電力。
在一實施例中,每一對終端面朝徑向向內。在一實施例中,每一該複數個導電瓣的延長導體沿該對稱軸的厚度少於該縫隙距離。在相關的實施例中,該複數個導電瓣中之相鄰一些至少部分覆於彼此之上而不彼此接觸。在一進一步相關的實施例中,相鄰導電瓣區域彼此重疊,重疊區域與總區域之比例為一徑向位置的函數。在一實施例中,該函數補償在該電漿反應器中徑向電漿離子密度分佈的一預定的不均 勻性。
根據一實施例,各別可變電容器,在該延長導體中之各別部分間串聯連接,一控制器改編以管理該各別可變電容器。
根據另一實施例,各別可變電容器,在該延長導體中之各別一些與該對連接元件間串聯連接,一控制器改編以管理該各別可變電容器。
根據另一態樣,一種線圈天線包含複數個導電瓣,相對於一中心軸排列,每一導電瓣包含一延長導體具有一第一終端與一第二終端,該複數個導電瓣具有各別徑向軸,在該中心軸周圍方位分佈。該複數個導電瓣並聯連接於該第一及第二終端,該第一與第二終端用於耦接至一無線射頻電源。在一實施例中,各別可變電容器串聯連接於該延長導體之中各別一些間。一種控制器被改編以管理該各別可變電容器。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧側壁
104‧‧‧地板
106‧‧‧天花板
108‧‧‧真空泵
110‧‧‧支承座
112‧‧‧支承表面
114‧‧‧工件
116‧‧‧處理氣體噴嘴
118‧‧‧氣體歧管
122‧‧‧氣體供應導管
123‧‧‧處理氣體供應器
128‧‧‧阻抗匹配
129‧‧‧電極
140‧‧‧線圈天線
142‧‧‧無線射頻電力發電機
144‧‧‧無線射頻阻抗匹配
150‧‧‧無線射頻供應環
152‧‧‧無線射頻回程環
154‧‧‧導電瓣
156‧‧‧長軸
158‧‧‧短軸
200‧‧‧雙埠無線射頻電源
200-1‧‧‧第一輸出埠
200-2‧‧‧第二輸出埠
205‧‧‧無線射頻電力發電機
210‧‧‧無線射頻阻抗匹配
214‧‧‧接合點
215‧‧‧分壓電容
220‧‧‧可變電容器
240‧‧‧內天線
241‧‧‧外天線
242‧‧‧第一無線射頻電力發電機
243‧‧‧第二無線射頻電力發電機
244‧‧‧第一無線射頻阻抗匹配
245‧‧‧無線射頻阻抗匹配
250‧‧‧內無線射頻供應環
251‧‧‧外無線射頻供應環
252‧‧‧內無線射頻回程環
253‧‧‧外無線射頻回程環
254‧‧‧內導電瓣
255‧‧‧外導電瓣
256‧‧‧長軸
257‧‧‧長軸
258‧‧‧短軸
259‧‧‧短軸
300‧‧‧線圈天線
400‧‧‧可變電容器
402‧‧‧可變電容器
404‧‧‧可變電容器
410‧‧‧控制器
L‧‧‧長度
L’‧‧‧長度
L”‧‧‧長度
W‧‧‧寬度
W’‧‧‧寬度
W”‧‧‧寬度
本發明更具體的描述,簡要總結如上,可參見其中由隨附圖式說明的實施例,以便本發明的範例實施例實現的方式,可以被詳細地理解。但應當理解的是為了不混淆本發明,某些公知的處理過程不在此討論。
第1圖為實施一種態樣的一電漿反應器的正視剖視圖。
第2圖為第1圖電漿反應器的一線圈天線之正投影。
第3為對應於第2圖的平面圖。
第4圖為對應於第2圖的正視圖。
第5圖為對應於第3圖的平面圖,說明線圈天線的某些幾何參數。
第5A圖描繪第5圖實施例的修改。
第6A圖為描繪一M形徑向電漿離子密度分佈(實線)及一修正電漿離子密度分佈(虛線)。
第6B圖為描繪相鄰導體瓣間重疊比例為一徑向位置的函數,用於轉換第6A圖實線分佈為第6A圖虛線分佈。
第7圖說明一進一步的實施例。
第8圖為具有二獨立徑向區的一實施例之平面圖。
第8A圖描繪一雙埠無線射頻電源的一第一實施例。
第8B圖描繪一雙埠無線射頻電源的一第二實施例。
第9圖為對應於第8圖的一正視圖。
第10圖為對應於第8圖之一正投影。
第11圖說明對應於第8圖之一進一步實施例。
第12圖說明第8圖實施例之修改,其中內線圈為一導體的一單一彎曲結構。
為了便於理解,在可能情況下,相同的附圖標記已被用於指定相同的元件,而該些元件對這些圖式而言是共通的。可以預期的是一實施例的元件與特徵可實益地併入其它實施例中而無須進一步列舉。然而,應指出隨附的圖式僅說明本發明的範例實施例,因本發明可接納其它等效實施例,故而不為限制發明範圍考量。
第1圖根據一實施例,描繪一電漿反應器。該電漿反應器包括一處理腔室100,其由一圓柱形側壁102、一地板104及一天花板106所包圍。一真空泵108抽空該處理腔室100。在該處理腔室100內的一工件支承座110包括一工件支承表面112,用來維持與天花板106是面對關係的一工件114。一陣列的處理氣體噴嘴116延伸至處理腔室100內並耦接到一氣體歧管118。一氣體供應導管122從一處理氣體供應器123耦接到該氣體歧管118。可選擇地,一無線射頻偏壓電力發電機127經由一阻抗匹配128耦接到在工件支承表面112下的一電極129。
第1圖的電漿反應器具有一電感耦合電漿源,包括一線圈天線140、一無線射頻電力發電機142及一無線射頻阻抗匹配144,該無線射頻阻抗匹配144耦接於無線射頻電力發電機142與線圈天線140間。在第1圖的實施例中,線圈天線140疊置於天花板106上。天花板106被改編以允許來自線圈天線140之無線射頻電力的電感耦合進入處理腔室100的內部體積中。例如,該天花板106可以一非導電材料形成,或屬於一種半導體材料。
線圈天線140具有低電感,它的結構最好參見第2圖至第4圖,該些圖式描繪一無線射頻供應環150、一無線射頻回程環152及複數個導電瓣154。無線射頻供應環150連接到無線射頻阻抗匹配144,無線射頻回程環152接地,彼此同軸。每一導電瓣154為一延長導體,具有一終端接到無線射頻供應環150,而其相對的終端接到無線射頻回程環152。
請參照第5圖,每一導電瓣154具有一長軸156橫臥於徑向方向,及一短軸158,正交於長軸156。該長軸156,在一實施例中,與無線射頻供應環150的對稱軸相交。雖然可以使用任何適合的數目,但在第2圖至第4圖的實施例中有6個導電瓣154。在一實施例中,導電瓣154的長軸156定向於無線射頻供應環150對稱軸周圍均勻分佈的角度。每一導電瓣154的長度L沿其長軸156對應於線圈天線140的直徑。每一導電瓣154的寬度W沿其短軸158,以一沿長軸156位置的一預定函數而變化。該預定的函數控制由相鄰導電瓣封閉的區域之重疊,重疊能隨著徑向位置而變化。對於最小電感,這樣的重疊是最小化的。為了增加在選定徑向位置的電漿離子密度,相鄰導電瓣間的重疊在選定位置是增加的,而在其它位置是最小化的。
在第2圖至第4圖的實施例中,無線射頻供應環150與無線射頻回程環152放置於沿對稱軸的不同位置處,以便以一縫隙分離。例如,該無線射頻供應環150較無線射頻回程環152來得接近天花板106。無線射頻供應環150與無線射頻回程環152間的縫隙超過沿每一導電瓣154對稱軸的厚度。這特徵能允許導電瓣154中之相鄰的一些彼此重疊而不彼此接觸。在說明於第2圖至第4圖的實施例中,無線射頻供應環150的直徑小於無線射頻回程環152的直徑。根據一實施例,這種排列可以倒置,以便無線射頻供應環150的直徑可大於無線射頻回程環152的直徑。
一個例子繪示於第6A圖與第6B圖中。第6A圖描 繪徑向電漿離子分佈能量(實線),具有M形非均勻性。第6B圖描繪相鄰導電瓣154重疊區域的比例為一徑向位置的函數。在第6B圖中,重疊的函數或徑向分佈對應於第6A圖M形非均勻性的倒轉。重疊分佈或第6B圖的函數補償(或幾乎消除)第6A圖的M形非均勻性,導致均勻分佈(第6A圖中的虛線)。第5A圖描繪一個例子,說明導電瓣154可如何成形,以於線圈天線140圓形區域的中心與邊緣,最大化相鄰導電瓣間的重疊,及最小化在中心與邊緣間的一中間區域的重疊。
如第7圖所描繪,可變電容器400可各別地串聯連接於各別導電瓣154與無線射頻回程環152間。另外,可變電容器400可各別地串聯連接於各別導電瓣154與無線射頻供應環150間。又進一步,每一導電瓣154可被打散分割為二部分,每一可變電容器可串聯連接於各別導電瓣154的二部分間。一控制器410獨立地控制該可變電容器400。通過改變可變電容器400各別的電容,無線射頻電力之圓週(即,方位角)分佈可選擇性地調整。
第8圖、第9圖及第10圖說明具有同心區的一低電感線圈天線,包括一內天線240及環繞於內天線240的一外天線241。一雙埠無線射頻電源200由一控制器410所控制,以提供應用到該內天線240與外天線241無線射頻電力等級比率之獨立控制。這比率影響在線圈天線之下,一工件上徑向電漿離子密度分佈。
第8圖到第10圖中的內天線240包括一內無線射頻 供應環250、一內無線射頻回程環252與複數個內導電瓣254。內無線射頻供應環250與內無線射頻回程環252跨越連接雙埠無線射頻電源200的一第一輸出埠200-1。在一實施例中,內無線射頻供應環250與內無線射頻回程環252可彼此同軸。每一內導電瓣254為一延長導體,具有一終端連接到內無線射頻供應環250,及其相對終端接到內無線射頻回程環252。
每一內導電瓣254具有一長軸256橫臥於一徑向方向,及一短軸258,正交於該長軸256。長軸256,在一實施例中,與內無線射頻供應環250的一對稱軸相交。雖然可以使用任何適合的數目,但在第8圖到第9圖的實施例中有6個內導電瓣254。在一實施例中,內導電瓣254的長軸256定向於內無線射頻供應環250對稱軸周圍均勻分佈的角度。每一內導電瓣254的長度L'沿其長軸256對應於內線圈天線240的直徑。每一內導電瓣254的寬度W'沿其短軸258,以一徑向位置(即,沿長軸256的位置)的預定函數而變化。該預定的函數控制到相鄰內導電瓣254重疊封閉區域的延伸。對於最小電感,這樣的重疊是最小化的。為了增加在選定徑向位置的電漿離子密度,相鄰內導電瓣間的重疊在選定位置是增加的,而在其它位置是最小化的。
在第8圖到第10圖的實施例中,內無線射頻供應環250與內無線射頻回程環252放置於沿對稱軸的不同位置處,以便以一縫隙分離。例如,內無線射頻供應環250較內無線射頻回程環252來得接近天花板106。內無線射頻供應環 250與內無線射頻回程環252間的縫隙超過沿每一內導電瓣254對稱軸的厚度。這特徵能允許內導電瓣254中之相鄰的一些彼此重疊而不彼此接觸。在說明於第8圖至第10圖的實施例中,內無線射頻供應環250的直徑小於內無線射頻回程環252的直徑。根據一實施例,這種排列可以倒置,以便內無線射頻供應環250的直徑可大於內無線射頻回程環252的直徑。
第8圖到第10圖中的外天線241包括一外無線射頻供應環251、一外無線射頻回程環253與複數個外導電瓣255。外無線射頻供應環251的半徑與外無線射頻回程環253的半徑超過每一內導電瓣254的長度L',以便外環251、253環繞內天線240。內導電瓣254界定一圓形內天線區域而外導電瓣255界定一環形外天線區域。
外無線射頻供應環251與外無線射頻回程環253跨越連接雙埠無線射頻電源200的一第二輸出埠200-2。在一實施例中,外無線射頻供應環251與外無線射頻回程環253彼此同軸。每一外導電瓣255為一延長導體,具有一終端連接到外無線射頻供應環251,及其相對終端接到外無線射頻回程環253。
每一外導電瓣255具有一長軸257橫臥於一徑向方向,及一短軸259,正交於該長軸257。長軸257,在一實施例中,與外無線射頻供應環251的對稱軸相交。雖然可以使用任何適合的數目,但在第8圖到第9圖的實施例中,有8個外導電瓣255。在一實施例中,外導電瓣255的長軸257定向於外無線射頻供應環251對稱軸周圍均勻分佈的角度。 每一外導電瓣255的長度L"沿其長軸257對應於外天線241的外直徑。每一外導電瓣255的寬度W"沿其短軸259,以一徑向位置(即,沿長軸257的位置)的預定函數而變化。該預定的函數控制到相鄰外導電瓣255重疊封閉區域的延伸。對於最小電感,這樣的重疊是最小化的。為了增加在選定徑向位置的電漿離子密度,相鄰內導電瓣間的重疊在選定位置是增加的,而在其它位置是最小化的。
在第8圖到第10圖的實施例中,外無線射頻供應環251與外無線射頻回程環253放置於沿對稱軸的不同位置處,以便以一縫隙分離。例如,外無線射頻供應環251較外無線射頻回程環253來得接近天花板106。外無線射頻供應環251與外無線射頻回程環253間的縫隙超過沿每一外導電瓣255對稱軸的厚度。這特徵能允許外導電瓣255中之相鄰的一些彼此重疊而不彼此接觸。在說明於第8圖至第10圖的實施例中,外無線射頻供應環251的直徑小於外無線射頻回程環253的直徑。根據一實施例,這種排列可以倒置,以便外無線射頻供應環251的直徑可大於外無線射頻回程環253的直徑。
第8A圖描繪雙埠無線射頻電源200的一實施例,顯示雙埠無線射頻電源200至天線的連接。第8A圖的雙埠無線射頻電源200具有一單一無線射頻電力發電機205,經由一無線射頻阻抗匹配210耦接到外導電瓣255的外無線射頻供應環251。雙埠無線射頻電源200包括一接合點214,外無線射頻回程環253與內無線射頻供應環250連接在其中。一分壓電容215連接於接合點214及接地點間。一可變電容器220 連接於內無線射頻回程環252及接地點間。控制器410控制可變電容器220,以各別地改變或控制應用到內天線240與外天線241之無線射頻電力等級的比率。
第8B圖描繪雙埠無線射頻電源200的另一實施例。第8B圖的雙埠無線射頻電源200具有一第一無線射頻電力發電機242,經由一第一無線射頻阻抗匹配244耦接至該內無線射頻供應環250,及一第二無線射頻電力發電機243經由一無線射頻阻抗匹配245耦接至外無線射頻供應環251。內無線射頻回程環252與外無線射頻回程環253都接地。控制器410改變的不是無線射頻發電機242,就是無線射頻發電機243的無線射頻電力等級輸出,以各別地控制或改變到內天線240與外天線241的無線射頻電力的分攤。這特徵能提供徑向電漿離子分佈密度的控制。
第11圖描繪第8圖到第10圖實施例的修改,其中可變電容器402各別地串聯連接於各別內導電瓣254與內無線射頻回程環252間,且可變電容器404可各別地串聯連接於各別外導電瓣255與外無線射頻回程環253間。另外,可變電容器402可各別地串聯連接於各別內導電瓣254與內無線射頻供應環250間,而可變電容器404可各別地串聯連接於各別外導電瓣255與外無線射頻供應環251間。又進一步,每一內導電瓣254可被分割打散為二部分,且每一可變電容器402可串聯連接於各別內導電瓣254的二部分間。同樣地,每一外導電瓣255可被分割打散為二部分,每一可變電容器404可串聯連接於各別外導電瓣255的二部分間。控制器410 獨立地控制每一可變電容器402與404。由改變可變電容器402各別的電容,於內同心區域內的無線射頻電力之圓週(即,方位角)分佈可選擇性地由控制器410調整。由改變可變電容器404各別的電容,於外同心區域內的無線射頻電力之圓週(即,方位角)分佈可選擇性地由控制器410調整。控制器410可以由調整內天線240與外天線241間無線射頻電力比率,控制徑向電漿離子密度分佈。同時,控制器410由單獨調整可變電容器402中之個別一些,可控制內區域內的方位電漿離子密度分佈,而由單獨調整可變電容器404中之個別一些,控制外區域內方位電漿離子密度分佈。
第12圖描繪第8圖到第11圖中任一圖實施例的修改,其中一傳統線圈天線300取代了內線圈天線240。該傳統線圈天線可包括一單一導體,彎曲成平面螺旋或立體螺旋。它的尺寸可以相對較小以限制電感。
雖然前述內容針對本發明,本發明的其它和進一步的實施例可不脫離其基本範圍而設計,其範圍是由所附申請專利範圍所決定。
140‧‧‧線圈天線
142‧‧‧無線射頻電力發電機
144‧‧‧無線射頻阻抗匹配
150‧‧‧無線射頻供應環
152‧‧‧無線射頻回程環
154‧‧‧導電瓣

Claims (20)

  1. 一種線圈天線,包含:複數個導電瓣,該複數個導電瓣相對於一中心軸以各別的徑向方向延伸,該複數個導電瓣之每一者包含一延長導體,該延長導體具有一第一終端與一第二終端;及至該複數個導電瓣的該等第一終端之一第一連接,與至該複數個導電瓣的該等第二終端之一第二連接,該第一與第二連接經調適以耦接至一射頻電源,其中該第一連接與該第二連接包含環繞該中心軸的一對導電環。
  2. 如請求項1所述之線圈天線,其中該複數個導電瓣中的各個導電瓣從該第一與第二終端的各別一終端徑向延伸。
  3. 如請求項1所述之線圈天線,其中該複數個導電瓣之每一者的該延長導體遵循一循環路徑。
  4. 如請求項1所述之線圈天線,其中該複數個導電瓣中之相鄰的導電瓣至少部分覆於彼此之上而不彼此接觸。
  5. 如請求項4所述之線圈天線,其中該複數個導電瓣之每一者界定一封閉區域,該複數個導電瓣中之相鄰導電瓣的該等封閉區域至少部分彼此重疊,以界定重疊區域。
  6. 如請求項5所述之線圈天線,其中該重疊區域以一徑向 位置的函數變化。
  7. 如請求項1所述之線圈天線進一步包含各別可變電容器及一控制器,該等各別可變電容器在該等延長導體中之各別延長導體與該第一及第二連接中之一連接之間串聯連接,該控制器經調適以管理該等各別可變電容器。
  8. 如請求項1所述之線圈天線進一步包含各別可變電容器及一控制器,該等各別可變電容器在該等延長導體中之各別延長導體的部分之間串聯連接,該控制器經調適以管理該等各別可變電容器。
  9. 如請求項4所述之線圈天線,其中該對導電環沿該中心軸以一縫隙距離彼此相隔。
  10. 如請求項9所述之線圈天線,其中該複數個導電瓣之每一者的該延長導體沿該中心軸的厚度少於該縫隙距離。
  11. 一種供使用於具有一中心軸的一電漿反應器的線圈天線,該線圈天線包含:(a)複數個導電瓣,該複數個導電瓣之每一者包含具有一對終端的一延長導體,該複數個導電瓣中之各別導電瓣,由該第一與第二終端中之各別終端,沿各別的徑向方向徑向延伸; (b)一對連接元件,該對終端中之各別終端被耦接至該對連接元件中之各別連接元件,其中該對連接元件包含環繞該中心軸的一對導電環;及(c)其中該對連接元件經調適以接收射頻電力。
  12. 如請求項11所述之線圈天線,其中該對連接元件以一縫隙距離沿一軸方向分離。
  13. 如請求項12所述之線圈天線,其中該複數個導電瓣之每一者的該延長導體沿該中央軸的厚度少於該縫隙距離。
  14. 如請求項13所述之線圈天線,其中該複數個導電瓣中之相鄰導電瓣至少部分覆於彼此之上而不彼此接觸。
  15. 如請求項14所述之線圈天線,其中相鄰導電瓣區域彼此重疊,且重疊區域的比例隨一徑向位置的函數變化。
  16. 如請求項15所述之線圈天線,其中該函數補償在該電漿反應器中,徑向電漿離子密度分佈的一預定的不均勻性。
  17. 如請求項11所述之線圈天線,進一步包含各別可變電容器及一控制器,該等各別可變電容器與該等延長導體中之各別延長導體串聯連接,該控制器經調適以管理該等各別可變電容器。
  18. 如請求項14所述之線圈天線,進一步包含各別可變電容器及一控制器,該等各別可變電容器在該等延長導體中之各別延長導體與該對連接元件中之一連接元件之間串聯連接,該控制器經調適以管理該等各別可變電容器。
  19. 一種線圈天線包含:複數個導電瓣相對於一中心軸而排列,該導電瓣之每一者包含一延長導體,該延長導體具有一第一終端與一第二終端,該複數個導電瓣沿著在該中心軸附近分佈的各別徑向方向延伸;及環繞該中心軸的一對導電環,該複數個導電瓣於該第一與第二終端並聯連接至該對導電環,該對導電環經調適以用於耦接至一射頻電源。
  20. 如請求項19所述之線圈天線,進一步包含各別可變電容器及一控制器,該等各別可變電容器與該等延長導體中之各別延長導體串聯連接,該控制器經調適以管理該等各別可變電容器。
TW103126614A 2013-10-04 2014-08-04 具有多輻射瓣之線圈天線 TWI594505B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361886845P 2013-10-04 2013-10-04
US14/107,137 US9312104B2 (en) 2013-10-04 2013-12-16 Coil antenna with plural radial lobes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201515324A TW201515324A (zh) 2015-04-16
TWI594505B true TWI594505B (zh) 2017-08-01

Family

ID=52776405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103126614A TWI594505B (zh) 2013-10-04 2014-08-04 具有多輻射瓣之線圈天線

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9312104B2 (zh)
TW (1) TWI594505B (zh)
WO (1) WO2015050780A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102630343B1 (ko) * 2017-08-03 2024-01-30 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10971333B2 (en) * 2016-10-24 2021-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Antennas, circuits for generating plasma, plasma processing apparatus, and methods of manufacturing semiconductor devices using the same
US12451327B2 (en) * 2022-02-03 2025-10-21 Tokyo Electron Limited Apparatus for plasma processing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001103346A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Toshiba Corp テレビジョンカメラ装置
US20020037491A1 (en) * 1998-12-01 2002-03-28 Halliday Janet Anne Oral transmucosal delivery
JP2002100615A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ装置
US20040083971A1 (en) * 2000-07-06 2004-05-06 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3372394A (en) * 1963-07-29 1968-03-05 Trw Inc Electronically steerable antenna system utilizing controllable dipolar resonant plasma column
GB8431457D0 (en) * 1984-12-13 1985-01-23 Maxview Aerials Ltd Aerials
US20010045262A1 (en) * 2000-02-28 2001-11-29 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US6673199B1 (en) * 2001-03-07 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity
US6652712B2 (en) * 2001-12-19 2003-11-25 Applied Materials, Inc Inductive antenna for a plasma reactor producing reduced fluorine dissociation
US6876155B2 (en) * 2002-12-31 2005-04-05 Lam Research Corporation Plasma processor apparatus and method, and antenna
KR101063763B1 (ko) 2009-01-22 2011-09-08 서울대학교산학협력단 플라즈마 발생 시스템
JP5451324B2 (ja) 2009-11-10 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020037491A1 (en) * 1998-12-01 2002-03-28 Halliday Janet Anne Oral transmucosal delivery
JP2001103346A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Toshiba Corp テレビジョンカメラ装置
US20040083971A1 (en) * 2000-07-06 2004-05-06 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
JP2002100615A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015050780A1 (en) 2015-04-09
TW201515324A (zh) 2015-04-16
US20150097478A1 (en) 2015-04-09
US9312104B2 (en) 2016-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11935724B2 (en) Symmetric VHF source for a plasma reactor
US12334309B2 (en) Filter device and plasma processing apparatus
JP5561812B2 (ja) プラズマ処理装置
US6463875B1 (en) Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems
CN102421239B (zh) 等离子体处理装置
US20130292057A1 (en) Capacitively coupled plasma source with rf coupled grounded electrode
US12412731B2 (en) Coil structure and plasma processing apparatus
US9117634B2 (en) Antenna unit for generating plasma and substrate processing apparatus including the same
JP2018014337A (ja) 誘導結合プラズマ(icp)リアクタの電力堆積制御
KR20100063813A (ko) 하이브리드 용량성-커플링 및 유도성-커플링 플라즈마 프로세싱 시스템에 대한 방법 및 장치
CN102421238A (zh) 等离子体处理装置
KR20130140035A (ko) 프로세스 챔버 비대칭성의 영향이 감소된 플라즈마 프로세싱 장치
US9412563B2 (en) Spatially discrete multi-loop RF-driven plasma source having plural independent zones
TWI594505B (zh) 具有多輻射瓣之線圈天線
TW201515325A (zh) 帶有複數個徑向瓣的多區域線圈天線
CN116315602A (zh) 天线构造体以及包括其的等离子体处理设备
US20150075717A1 (en) Inductively coupled spatially discrete multi-loop rf-driven plasma source
KR102407388B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 발생용 안테나 구조
US20240258074A1 (en) Antenna Plane Magnets for Improved Performance
KR20190057231A (ko) Icp 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180092684A (ko) Icp 안테나 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101714407B1 (ko) 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees