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TWI594347B - Composite seal body - Google Patents

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TWI594347B
TWI594347B TW102136385A TW102136385A TWI594347B TW I594347 B TWI594347 B TW I594347B TW 102136385 A TW102136385 A TW 102136385A TW 102136385 A TW102136385 A TW 102136385A TW I594347 B TWI594347 B TW I594347B
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TW
Taiwan
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sealing body
composite sealing
flange portion
shape
elastic member
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TW102136385A
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English (en)
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TW201423880A (zh
Inventor
中川一平
Original Assignee
日本華爾卡工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 日本華爾卡工業股份有限公司 filed Critical 日本華爾卡工業股份有限公司
Publication of TW201423880A publication Critical patent/TW201423880A/zh
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Publication of TWI594347B publication Critical patent/TWI594347B/zh

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Description

複合密封體
本發明係關於一種用於半導體製造裝置等之複合密封體之構造。
例如,於半導體製造裝置等中,為了於真空氛圍下設置半導體基板,而於將載置半導體基板之區域與其他區域氣密性地分離時,使用如專利文獻1至專利文獻6所揭示之密封構件(墊片)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開平08-193659號公報
專利文獻2:日本專利特開平11-201288號公報
專利文獻3:日本專利特開2003-343727號公報
專利文獻4:日本專利特開2007-120738號公報
專利文獻5:日本專利特開2007-170634號公報
專利文獻6:日本專利特開2008-164079號公報
近年來,於半導體製造裝置之製造步驟中,採用使用紫外線之步驟。於使用紫外線之情形時,為了容許紫外線通過而使用板狀之石英構件,將載置有半導體基板之區域與其他區域氣密性地分離。於此情形時,亦使用上述密封構件。
然而,認為於石英構件之內部漫反射之紫外線會到達至位於周邊部之密封構件,由於紫外線對密封構件之照射,而密封構件明顯劣化。
本發明係鑒於如上所述之技術性課題而完成者,本發明之目的在於提供一種具備即便於照射有紫外線之情形時,亦可抑制複合密封體之劣化之構造的複合密封體。
關於基於本發明之複合密封體,其係用於包括配置基板之第1裝置、及與上述第1裝置對向配置且使紫外線通過之板狀之第2裝置的半導體製造裝置,以包圍上述基板之周圍之方式進行配置,並藉由被上述第1裝置與上述第2裝置夾入而彈性變形,從而將上述第2裝置之一面側之空間與另一面側之空間氣密性地分離,且該複合密封體包括配置於上述第2裝置側之金屬構件、及配置於上述第1裝置側且可彈性變形之彈性構件。
於另一形態中,上述彈性構件包括本體部、及自上述本體部向外側擴展之凸緣部,且上述金屬構件係以覆蓋隔著上述凸緣部而與上述本體部為相反側之區域之方式進行設置。
於另一形態中,上述本體部之剖面形狀係上述第1裝置側為短邊且上述第2裝置側為長邊之大致梯形形狀。
於另一形態中,上述本體部之剖面形狀朝向上述第1裝置側具有凸形狀之曲面形狀。
於另一形態中,上述凸緣部之端面具有厚度隨著接近上述本體部側而增加之斜面形狀。
於另一形態中,上述凸緣部之端面係如下之斜面:上述第2裝置側位於最外側,並隨著自上述第2裝置側朝向上述第1裝置側而向內側傾斜。
於另一形態中,上述凸緣部之端面係如下之斜面:上述第1裝置側位於最外側,並隨著自上述第1裝置側朝向上述第2裝置側而向內側傾斜。
於另一形態中,上述彈性構件為橡膠狀構件,上述金屬構件為薄膜之鋁構件。
於另一形態中,上述第1裝置包括以包圍配置上述基板之基板配置區域之周圍之方式而設置的溝槽部,該複合密封體具有環狀之形態,並被收容於上述溝槽部。
根據本發明,提供一種具備即便受到紫外線照射亦可抑制劣化之構造的複合密封體。
1‧‧‧半導體製造裝置
11‧‧‧第1裝置
12‧‧‧基板配置區域
13‧‧‧溝槽部
21‧‧‧第2裝置
50‧‧‧半導體基板
100、200、300‧‧‧複合密封體
110、210、310‧‧‧彈性構件
110a‧‧‧短邊部
110b‧‧‧傾斜側面部
110c、210c、310c‧‧‧端面
111、211、311‧‧‧本體部
112、212、312‧‧‧凸緣部
120、220、320‧‧‧金屬構件
210a‧‧‧曲面形狀
A~F‧‧‧區域
D1‧‧‧內直徑
h‧‧‧高度
L1‧‧‧箭頭
w1‧‧‧寬度
圖1係表示實施形態1中之複合密封體之構造之俯視圖。
圖2係表示實施形態1中之複合密封體之構造之側視圖。
圖3係圖1中III-III線箭頭視剖面圖。
圖4係表示實施形態1中之複合密封體之使用狀態的半導體製造裝置之剖面圖。
圖5係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態(變形前)之第1剖面圖。
圖6係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態(變形後)之第2剖面圖。
圖7係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態下之內部壓力之變化的第1剖面圖。
圖8係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態下之內部壓力之變化的第2剖面圖。
圖9係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態下之內部壓力 之變化的第3剖面圖。
圖10係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態下之內部壓力之變化的第4剖面圖。
圖11係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態下之內部壓力之變化的第5剖面圖。
圖12係表示實施形態1中之複合密封體之變形狀態下之內部壓力之變化的第6剖面圖。
圖13係表示實施形態2中之複合密封體之構造之剖面圖。
圖14係表示實施形態2中之複合密封體之變形狀態(變形前)之第1剖面圖。
圖15係表示實施形態2中之複合密封體之變形狀態(變形後)之第2剖面圖。
圖16係表示實施形態3中之複合密封體之構造之剖面圖。
圖17係表示實施形態3中之複合密封體之變形狀態(變形前)之第1剖面圖。
圖18係表示實施形態3中之複合密封體之變形狀態(變形後)之第2剖面圖。
以下,一面參照圖一面對基於本發明之各實施形態中之複合密封體進行說明。再者,於以下所說明之各實施形態中,言及個數、量等之情形時,除特別記載之情形以外,本發明之範圍不必限定於該個數、量等。又,對於相同之零件、相當零件,有時標註相同之參照編號,不重複進行重複之說明。
(實施形態1:複合密封體100)
參照圖1至圖3,對本實施形態中之複合密封體100之構造進行說明。圖1係表示複合密封體100之構造之俯視圖,圖2係表示複合密封 體100之構造之側視圖,圖3係圖1中III-III線箭頭視剖面圖。
參照圖1至圖3,本實施形態中之複合密封體100具有環狀之形態。複合密封體100之大小係根據所使用之半導體製造裝置之大小而適當決定,例如,內直徑(D1)為約360mm,寬度(w1)為約6mm,高度(h)為約3mm左右。
如圖3所示,作為複合密封體100之具體構造,包括可彈性變形之彈性構件110及金屬構件120。彈性構件110包含橡膠狀構件,例如使用氟系橡膠構件(偏二氟乙烯(FKM))。於本實施形態中,作為彈性構件110,使用日本Valqua工業股份有限公司製造之SPOQ ARMOR(註冊商標)。又,作為金屬構件120,使用厚度約0.05mm左右之片狀鋁。金屬構件120較佳為抑制紫外線之通過,抑制紫外線到達彈性構件110的材料。例如,除鋁以外,亦可使用鋁合金、氧化鋁膜等鋁構件。
於設置於下述半導體製造裝置之溝槽部13(參照圖4)之剖面視中,彈性構件110包括:本體部111,其被收容於溝槽部13之內部;及凸緣部112,其未收容於溝槽部13之內部而自溝槽部13露出,並自本體部111向外側擴展。此處,所謂自本體部111向外側擴展,意指如圖3所示,凸緣部112朝向複合密封體100之半徑方向之內側及外側突出。於以下實施形態中亦相同。
金屬構件120係以覆蓋隔著凸緣部112而與本體部111為相反側之區域之方式進行設置。
本體部111之剖面形狀係溝槽部13側(圖3中之下側)為短邊且金屬構件120側為長邊之大致梯形形狀,且具有短邊部110a、傾斜側面部110b、110b。
又,凸緣部112之端面110c具有厚度隨著接近本體部111側而增加之斜面形狀,具體而言,端面110c係如下之斜面:下述第2裝置21側 (圖3中之上側)位於最外側,並隨著自第2裝置21側(圖3中之上側)朝向第1裝置11側(圖3中之下側)而向內側傾斜。
(複合密封體100之使用狀態)
其次,參照圖4至圖6,對複合密封體100之使用狀態進行說明。圖4係表示複合密封體100之使用狀態的半導體製造裝置之剖面圖,圖5係表示複合密封體100之變形狀態(變形前)之第1剖面圖,圖6係表示複合密封體100之變形狀態(變形後)之第2剖面圖。
參照圖4,使用本複合密封體100之半導體製造裝置1包括:第1裝置11,其包含以包圍配置半導體基板50之基板配置區域12之周圍之方式進行設置的溝槽部13;及板狀之第2裝置21,其與該第1裝置11對向配置且使紫外線通過。板狀之第2裝置21係使用石英基板。於該半導體製造裝置1中,溝槽部13係設置成環狀。
參照圖5,表示將複合密封體100載置於溝槽部13之狀態。複合密封體100之本體部111位於溝槽部13,且凸緣部112未收容於溝槽部13之內部,而自溝槽部13露出。又,金屬構件120位於凸緣部112之第2裝置21側。
參照圖6,表示於半導體製造裝置1中,以第2裝置21朝向第1裝置11側下降,基板配置區域12側成為真空狀態之方式進行控制的狀態。複合密封體100因被第1裝置11與第2裝置21夾入而較大地彈性變形,使第2裝置21之一面側(第1裝置11側)之空間與另一面側之空間氣密性地分離。
此時,於對載置於基板配置區域12之半導體基板50照射紫外線(UV)之情形時,如圖6中之第2裝置21內之箭頭L1所示,於第2裝置(石英構件)21之內部漫反射之紫外線到達至位於周邊部之彈性構件110,紫外線照射至彈性構件110。
然而,根據本實施形態1中之複合密封體100,藉由金屬構件 120,紫外線對彈性構件110之照射受到較大抑制,可延遲彈性構件110之劣化之促進。
又,於壓縮彈性構件110時,如圖5及圖6所示,於溝槽部13之內部,彈性構件110較大地變化,藉此可確保作為彈性構件110之氣密性,另一方面,將凸緣部112之變形量抑制為較小。藉此,可防止對彈性變形不足之金屬構件120之龜裂產生等破損。
此處,參照圖7至圖12,對與溫度變化對應之複合密封體100壓縮時之內壓之變化進行說明。圖7至圖12係表示複合密封體100之變形狀態下之內部壓力之變化的第1至第6剖面圖。
圖7係表示於室溫(25℃)之狀態下,未對複合密封體100之本體部111及凸緣部112施加加壓力之狀態。對區域A(彈性構件110之所有區域)未施加壓力。圖8表示於室溫(25℃)之狀態下,對複合密封體100施加了加壓力之狀態(真空壓為約5Torr時)。於本體部111之內部,內部壓力上升。內部壓力為區域A<區域B<區域C。另一方面,凸緣部112之內部壓力之變化與本體部111相比較小。
參照圖9至圖12,進而對複合密封體100之溫度上升之情形進行說明。圖9係表示溫度為70℃之情形。於本體部111之內部,內部壓力進而上升。內部壓力為區域A<區域B<區域C<區域D。另一方面,凸緣部112之內部壓力之變化與本體部111相比較小。
圖10表示溫度為120℃之情形。於本體部111之內部中,區域D擴大,內部壓力進而上升。內部壓力為區域A<區域B<區域C<區域D。另一方面,凸緣部112之內部壓力之變化與本體部111相比較小。
圖11表示溫度為150℃之情形。於本體部111之內部,產生內部壓力高於區域D之區域E,內部壓力進而上升。內部壓力為區域A<區域B<區域C<區域D<區域E。另一方面,凸緣部112之內部壓力之變化與本體部111相比較小。
圖12表示溫度為200℃之情形。於本體部111之內部,區域E擴大,產生內部壓力高於區域F之區域F,內部壓力進而上升。內部壓力為區域A<區域B<區域C<區域D<區域E<區域F。另一方面,凸緣部112之內部壓力之變化與本體部111相比較小。
如此,可確認到:即便於複合密封體100之溫度上升之情形時,本體部111之變形量亦較小,故而可防止對彈性變形不足之金屬構件120之龜裂產生等破損。
以上,根據本實施形態中之複合密封體100,可藉由金屬構件120而較大地抑制紫外線對彈性構件110之照射,從而延遲彈性構件110之由紫外線引起之劣化之促進。
又,於壓縮複合密封體100時,凸緣部112之變形量較小,故而可防止對彈性變形不足之金屬構件120之龜裂產生等破損。
(實施形態2:複合密封體200)
參照圖13,對本實施形態中之複合密封體200之構造進行說明。圖13係表示複合密封體200之構造之剖面圖。
本實施形態中之複合密封體200之基本構成為與上述實施形態1中之複合密封體100相同之形態,具有環狀之形態。複合密封體200之大小係根據所使用之半導體製造裝置之大小而適當決定,例如,內直徑(D1)為約360mm,寬度(w1)為約6mm,高度(h)為約3mm左右。
如圖13所示,作為複合密封體200之具體構造,包括可彈性變形之彈性構件210及反射紫外線之金屬構件220。彈性構件210及金屬構件220所使用之材料與上述實施形態1中之複合密封體100相同。
於設置於下述半導體製造裝置之溝槽部13(參照圖4)之剖面視中,彈性構件210包括:本體部211,其被收容於溝槽部13之內部;及凸緣部212,其未收容於溝槽部13之內部,而自溝槽部13露出,並自本體部211向外側擴展。
金屬構件220係以覆蓋隔著凸緣部212而與本體部211為相反側之區域之方式進行設置。本體部211之剖面形狀朝向溝槽部13具有凸形狀之曲面形狀210a。
凸緣部212之端面210c為與上述實施形態1中之複合密封體100之端面110c相同之形態。
(複合密封體200之使用狀態)
其次,參照圖14及圖15,對複合密封體200之使用狀態進行說明。圖14係表示複合密封體200之變形狀態(變形前)之第1剖面圖,圖15係表示複合密封體200之變形狀態(變形後)之第2剖面圖。
參照圖14,使用該複合密封體200之半導體製造裝置1與實施形態1相同。圖14表示將複合密封體200載置於溝槽部13之狀態。複合密封體200之本體部211位於溝槽部13,凸緣部212未收容於溝槽部13之內部而自溝槽部13露出。又,金屬構件220位於凸緣部212之第2裝置21側。
參照圖15,表示於半導體製造裝置1中,以第2裝置21朝向第1裝置11側下降,基板配置區域12側成為真空狀態之方式進行控制之狀態。複合密封體200因被第1裝置11與第2裝置21夾入而較大地彈性變形,使第2裝置21之一面側(第1裝置11側)之空間與另一面側之空間氣密性地分離。
藉由本實施形態中之複合密封體200,亦可與上述實施形態1中之複合密封體100同樣地,藉由金屬構件220而較大地抑制紫外線對彈性構件210之照射,從而延遲彈性構件210之由紫外線引起之劣化之促進。
又,於壓縮複合密封體200時,凸緣部212之變形量較小,故而可防止對彈性變形不足之金屬構件220之龜裂產生等破損。
於如實施形態1般複合密封體之彈性構件之剖面形狀為大致梯形 形狀之情形時,將複合密封體安裝於溝槽時,於複合密封體之姿勢傾斜之情形時,短邊部部分地抵接於溝槽。其結果,認為彈性構件中產生扭轉,壓縮複合密封體時之接觸面壓變得不均勻。藉由如本實施形態般將彈性構件之剖面形狀設為凸形狀之曲面形狀,即便於複合密封體之姿勢傾斜之情形時,亦可使壓縮時之接觸面壓均勻,可更加提高密封性。
(實施形態3:複合密封體300)
參照圖16,對本實施形態中之複合密封體300之構造進行說明。圖16係表示複合密封體300之構造之剖面圖。
本實施形態中之複合密封體300之基本構成為與上述實施形態1中之複合密封體100相同之形態,具有環狀之形態。複合密封體300之大小係根據所使用之半導體製造裝置之大小而適當決定,例如,內直徑(D1)為約360mm,寬度(w1)為約6mm,高度(h)為約3mm左右。
如圖16所示,作為複合密封體300之具體構造,包括可彈性變形之彈性構件310及反射紫外線之金屬構件320。彈性構件210及金屬構件220所使用之材料與上述實施形態1中之複合密封體100相同。
於設置於下述半導體製造裝置之溝槽部13(參照圖4)之剖面視中,彈性構件310包括:本體部311,其被收容於溝槽部13之內部;及凸緣部312,其未收容於溝槽部13之內部而自溝槽部13露出,並自本體部311向外側擴展。
金屬構件320係以覆蓋隔著凸緣部312而與本體部211為相反側之區域之方式進行設置。本體部311之剖面形狀為與實施形態1中之本體部111相同之形狀。凸緣部312之端面310c為與上述實施形態1中之複合密封體100之端面110c相反之形態,其為如下之斜面:第1裝置11側位於最外側,隨著自第1裝置11側朝向第2裝置21側而向內側傾斜。
(複合密封體300之使用狀態)
其次,參照圖17及圖18,對複合密封體300之使用狀態進行說明。圖17係表示複合密封體300之變形狀態(變形前)之第1剖面圖,圖18係表示複合密封體300之變形狀態(變形後)之第2剖面圖。
參照圖17,使用該複合密封體300之半導體製造裝置1與實施形態1相同。圖17表示將複合密封體300載置於溝槽部13之狀態。複合密封體300之本體部311位於溝槽部13,凸緣部312未收容於溝槽部13之內部而自溝槽部13露出。又,金屬構件320位於凸緣部312之第2裝置21側。
參照圖18,表示於半導體製造裝置1中,以第2裝置21朝向第1裝置11側下降,基板配置區域12側成為真空狀態之方式進行控制之狀態。複合密封體300因被第1裝置11與第2裝置21夾入而較大地彈性變形,使第2裝置21之一面側(第1裝置11側)之空間與另一面側之空間氣密性地分離。
藉由本實施形態中之複合密封體300,亦可與上述實施形態1中之複合密封體100同樣地,藉由金屬構件320而較大地抑制紫外線對彈性構件310之照射,從而延遲彈性構件310之由紫外線引起之劣化之促進。
又,於壓縮複合密封體300時,凸緣部312之變形量較小,故而可防止對彈性變形不足之金屬構件320之龜裂產生等破損。
又,於為紫外線不僅射入至第2裝置(石英構件)21之內部,而且射入至第1裝置11與第2裝置21之間的環境之情形時,若如本實施形態般設置金屬構件320直至端面310c,則如圖18所示,可遮擋自第2裝置21與第1裝置11之間射入之紫外線。
再者,於上述各實施形態中,對在具有溝槽部13之半導體製造裝置配置複合密封體之情形進行了說明,但對於不具有溝槽部13之半導體製造裝置,亦可同樣地應用本發明。
又,於上述各實施形態中,對採用如下構造作為複合密封體之彈性構件之形狀的情形進行了說明,該構造包括:本體部,其被收容於溝槽部13之內部;及凸緣部,其未收容於溝槽部13之內部而自溝槽部13露出,並自本體部向外側擴展;但並不限定於該構造,亦可採用不設置凸緣部之構造。只要為包括配置於溝槽部13側且可彈性變形之彈性構件110、及配置於第2裝置21側且反射紫外線之金屬構件120的複合密封體,則即便於照射有紫外線之情形時,亦可抑制複合密封體之劣化。
又,對如下情形進行了說明,即,可利用金屬構件使紫外線反射,藉此抑制紫外線對彈性構件之照射,從而延遲彈性構件之由紫外線引起之劣化之促進,但並不限定於使100%之紫外線反射之情形,只要為可抑制紫外線對彈性構件之照射的構件,則可為任意金屬構件。
又,於上述各實施形態中,對採用圓環狀之形態作為複合密封體之形狀的情形進行了說明,但關於環狀,並不限定於圓形狀,亦可採用橢圓形狀、四角形狀之環狀形態。
又,即便於使用基於本發明之上述各實施形態中所示之複合密封體的半導體製造裝置中,所使用之所謂半導體,意指組入有元件之半導體基板、構成FPD(平板顯示器)之半導體基板等可採用半導體製造製程之半導體。
以上,對本發明之實施形態進行了說明,但應認為此次所揭示之實施形態於所有方面均為例示,而非限制性者。本發明之範圍係由申請專利範圍所表示,並意圖包含與申請專利範圍均等之意義及範圍內之所有變更。
11‧‧‧第1裝置
13‧‧‧溝槽部
21‧‧‧第2裝置
100‧‧‧複合密封體
110‧‧‧彈性構件
111‧‧‧本體部
112‧‧‧凸緣部
120‧‧‧金屬構件
L1‧‧‧箭頭

Claims (9)

  1. 一種複合密封體,其係用於包括配置基板之第1裝置、及與上述第1裝置對向配置且使紫外線通過之板狀之第2裝置的半導體製造裝置,以包圍上述基板之周圍之方式進行配置,並藉由被上述第1裝置與上述第2裝置夾入而彈性變形,從而將上述第2裝置之一面側之空間與另一面側之空間氣密性地分離;且該複合密封體包括:金屬構件,其配置於上述第2裝置側;及彈性構件,其配置於上述第1裝置側且可彈性變形。
  2. 如請求項1之複合密封體,其中上述彈性構件包括:本體部;及凸緣部,其自上述本體部向外側擴展;且上述金屬構件係以覆蓋隔著上述凸緣部而與上述本體部為相反側之區域之方式進行設置。
  3. 如請求項2之複合密封體,其中上述本體部之剖面形狀係上述第1裝置側為短邊且上述第2裝置側為長邊之大致梯形形狀。
  4. 如請求項2之複合密封體,其中上述本體部之剖面形狀具有朝向上述第1裝置側呈凸形狀之曲面形狀。
  5. 如請求項2至4中任一項之複合密封體,其中上述凸緣部之端面具有厚度隨著接近上述本體部側而增加之斜面形狀。
  6. 如請求項5之複合密封體,其中上述凸緣部之端面為如下之斜面:上述第2裝置側位於最外側,並隨著自上述第2裝置側朝向上述第1裝置側而向內側傾斜。
  7. 如請求項5之複合密封體,其中上述凸緣部之端面為如下之斜面:上述第1裝置側位於最外側,並隨著自上述第1裝置側朝向 上述第2裝置側而向內側傾斜。
  8. 如請求項1之複合密封體,其中上述彈性構件為橡膠狀構件,且上述金屬構件為薄膜之鋁構件。
  9. 如請求項1之複合密封體,其中上述第1裝置包括以包圍配置上述基板之基板配置區域之周圍之方式進行設置的溝槽部,且該複合密封體具有環狀之形態,並被收容於上述溝槽部。
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