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Description

背面研磨片

本發明係關於背面研磨片，更詳言之，係關於在研磨具有凸塊等凹凸部分之半導體晶圓等製品的背面時，適合於保護該凸塊等之凹凸部分的表面之用途的背面研磨片。

於資訊終端機之薄型化、小型化、多機能化之迅速地進展中，搭載於在該等的半導體裝置也同樣地尋求薄型化、高密度化。為了裝置之薄型化，期望集聚半導體的半導體晶圓之薄型化。為了因應該期望，係研磨半導體晶圓之背面而進行薄型化。

在近年，係進行研磨在表面具有形成有由高度30μm至100μm左右之焊錫等而成之凸塊(電極)的凹凸部分之半導體晶圓背面。研磨附有如此之凸塊的半導體晶圓背面的情形，一般係貼附有背面研磨片(以下，也稱為「BG片」)用於保護凸塊之凹凸部分的表面。

然而，將一般所用之BG片貼附於附有凸塊的半導體晶圓之情形，於存在凸塊的部分與不存在凸塊的部分之間會產生高低差，而使貼附後之晶圓表面難以變得平坦。因該晶圓表面之高低差，會產生施加於晶圓背面之壓力差，於研磨晶圓之背面時，產生波紋(缺陷、窪陷)或裂紋(裂痕)，而會有半導體晶圓破損之情形。

針對如此之問題，例如於專利文獻1中，揭示一種半導體晶圓表面保護用薄片，其係含有將25℃及60℃下的儲存彈性模數調整如成為特定範圍之樹脂層。該半導體晶圓表面保護用薄片係藉由設置室溫(25℃)下之儲存彈性模數、與高溫(60℃)下之儲存彈性模數係具有差異的樹脂層，並藉由在高溫貼附於晶圓所具有之凸塊的凹凸部分，而使樹脂層軟化，吸收凸塊之凹凸部分，而縮小晶圓表面之高低差，謀求上述問題之解決。

專利文獻

專利文獻1 日本特開第4603578號公報

然而，如專利文獻1，僅使樹脂層在高溫下之儲存彈性模數降低，晶圓之凸塊等之凹凸部分的吸收性並不充分。尤其，由於抑制在凸塊等與BG片之間所產生的空隙之效果並不充分，於研磨晶圓背面時，會有使用於研磨時之水滲入其空隙而晶圓之凸塊的凹凸部分被污染之虞。

又，於將該BG片捲取成卷筒狀時，會有產生BG片之樹脂層從卷筒之邊緣部分滲出之現象。

本發明之目的在於提供一種背面研磨片，其係於半導體晶圓所具有之凸塊凹凸部分的吸收性優異之同時，在捲取成卷筒狀時，可抑制BG片之樹脂層(凹凸吸收層)從卷筒邊緣部分滲出之現象。

本發明人等係發現：針對BG片所具有的凹凸吸收層，藉由從含有特定成分之製膜用組成物形成，且將其調整成為如符合特定之要件之層，而可解決上述問題。

亦即，本發明提供下列[1]至[6]：

[1]一種背面研磨片，其係在基材上具有凹凸吸收層之背面研磨片，該凹凸吸收層係由含有(A)胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯與(B)(A)成分以外之聚合性單體的製膜用組成物所形成，且符合下列必要的條件(a)至(c)之層：(a)以頻率1Hz所測定之70℃下的損失正切為1.5以上；(b)25℃下以壓縮載重10N壓縮1cm×1cm之正方形的該凹凸吸收層後，300秒後之緩和率為30%以下；及(c)以頻率1Hz所測定之25℃下的儲存彈性模數為1.0至10.0MPa。

[2]在上述[1]記載之背面研磨片，其中(B)成分含有具有脂環式結構之(甲基)丙烯酸酯。

[3]在上述[1]或[2]記載之背面研磨片，其中(A)成分含有單官能胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。

[4]在上述[1]至[3]中任一項記載之背面研磨片，其中該製膜用組成物進一步含有(C)含硫醇基之化合物。

[5]在上述[1]至[4]中任一項記載之背面研磨片，其中在該凹凸吸收層上進一步具有黏著劑層。

[6]在上述[1]至[5]中任一項記載之背面研磨片，其被貼附於半導體晶圓之凹凸部分。

由於本發明之背面研磨片(BG片)係半導體晶圓所具有之凸塊等凹凸部分的吸收性優異，尤其在可有效抑制凸塊等與BG片之間的空隙產生之同時，可抑制在捲取成卷筒狀時，BG片之樹脂層(凹凸吸收層)從卷筒邊緣部分滲出之現象。

1a、1b、1c‧‧‧BG片(背面研磨片)

11‧‧‧基材

12‧‧‧凹凸吸收層

13‧‧‧黏著劑層

14‧‧‧剝離材

第1圖(a)~(c)係顯示本發明之背面研磨片之構造之一例的背面研磨片之剖面圖。

[實施發明之形態]

在下列之記載中，「重量平均分子量(Mw)」及「數量平均分子量(Mn)」係利用凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算之值，具體而言，係根據實施例記載之方法所測定之值。

又，在本專利說明書中之記載中，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」係用作為表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」二者之語詞，關於其他之類似用語亦相同。

[背面研磨片(BG片)之構造]

第1圖係顯示本發明之BG片之構造之一例的BG片之剖面圖。

本發明之BG片係如第1圖(a)之BG片1a所示，只要是在基材11上具有凹凸吸收層12之物，並無特別之限制。

例如，可為在凹凸吸收層12上，進一步具有黏著劑層13之如BG片1b的構造；亦可為在黏著劑層13上，進一步具有剝離材14之如BG片1c的構造。

如BG片1b、1c，藉由設置黏著劑層13，能夠容易地調整BG片對於晶圓等之保護對象物的黏著性，又，於BG片之剝離後，也能夠防止凹凸吸收層之殘渣附著於保護對象物的表面上。

基材11之厚度，從賦予BG片適度之彈力的觀點，及捲取時之操作性的觀點，係較佳為5至250μm，更佳為10至200μm，進一步更佳為25至150μm。

凹凸吸收層12之厚度，較佳為按照成為保護對象之凸塊等高度而適度調整，作為具體之數值範圍，較佳為50至1000μm，更佳為70至700μm，進一步更佳為100至500μm。只要凹凸吸收層之厚度為50μm以上，則能夠保護通常之凸塊等。又，只要該厚度為1000μm以下，則能夠減低於BG片彎曲時所產生的歪斜。

設置黏著劑層13之情形，黏著劑層13之厚度係可按照成為保護對象之電路面的凸塊高度而適度調整，但較佳為5至200μm，更佳為7至150μm，進一步更佳為10至100μm。

又，剝離材14之厚度較佳為5至200μm，更佳為10至120μm，進一步更佳為15至80μm。

還有，構成BG片之基材11、凹凸吸收層12、黏著劑層13、及剝離材14等之厚度，係依據JIS K7130所測定之值。

<基材>

雖然在本發明使用之基材並未被特別限定，但較佳為樹脂薄膜。由於相較於紙或不織布，樹脂薄膜之塵埃產生少，而適合為電子元件之加工構件，且由於取得容易而較佳。

藉由在BG片上設置基材，能夠提高BG片之形狀安定性，或賦予BG片彈力。又，將BG片貼附於具有凹凸之被黏著面時，與BG片貼附面相反之面係容易保持平滑。

又，在本發明使用之基材可為由1種樹脂薄膜構成之單層薄膜而構成之基材，亦可為由積層複數之樹脂薄膜的複數層薄膜而構成之基材。

作為本發明之基材所用之樹脂薄膜，可舉出例如，聚烯烴系薄膜、鹵化乙烯基聚合物系薄膜、丙烯酸樹脂系薄膜、橡膠系薄膜、纖維素系薄膜、聚酯系薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚苯乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、環烯烴聚合物系薄膜、及由含有胺甲酸酯樹脂之能量線硬化性組成物之硬化物構成的薄膜等。

該等之中，從將晶圓等之製品研磨至極薄時也能穩定保持製品之觀點，及厚度之精確度高之薄膜的觀點，較佳為選自聚酯系薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚苯乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、環烯烴聚合物系薄膜、及由含有胺甲酸酯樹脂之能量線硬化性組成物之硬化物構成的薄膜之樹脂薄膜，更佳為聚酯系薄膜。

還有，使用由含有胺甲酸酯樹脂之能量線硬化性組成物之硬化物構成的薄膜之情形，從使BG片形狀安定性提高之觀點，及賦予BG片適度之彈力的觀點，較佳為該薄膜之以頻率1Hz所測定之25℃下的儲存彈性模數超過10.0MPa，更佳為15MPa以上者。

還有，該薄膜之以頻率1Hz所測定之25℃下的儲存彈性模數，係與有關要件(c)之凹凸吸收層的儲存彈性模數者同義，且測定法也相同。

作為構成聚酯系薄膜之聚酯，可舉出例如將合芳香族二元酸或其酯衍生物、與二醇或其酯衍生物聚縮所得之聚酯。

作為具體之聚酯系薄膜，可舉出例如由聚對苯二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯等之聚酯構成的薄膜。

還有，在本發明使用之聚酯系薄膜亦可為由聚酯共聚物構成之薄膜，亦可為上述聚酯與相較為少量之其他樹脂的混合物構成的樹脂混合薄膜。

於該等聚酯系薄膜之中，從取得容易且厚度精確度高之觀點，又較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。

還有，從使基材與凹凸吸收層之接著性提高之觀點，亦可使用在樹脂薄膜表面進一步積層易接著層或黏著劑層之基材。

還有，本發明使用之基材中，於不損害本發明效果之範圍內，亦可含有填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒等。

又，基材可為透明者，亦可為不透明者，亦可依照需求而被著色或蒸鍍。

BG片係具有後述的黏著劑層之情形，且構成黏著劑層之黏著劑為能量線硬化型黏著劑之情形，基材係較佳為使黏著劑充分硬化之程度的能量線得以穿透者。

<凹凸吸收層>

構成本發明之BG片的凹凸吸收層，係由含有(A)胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯與(B)(A)成分以外之聚合性單體的製膜用組成物所形成者，且符合-下列必要的條件(a)至(c)之層：(a)以頻率1Hz所測定之70℃下的損失正切為1.5以上；(b)25℃下以壓縮載重10N壓縮1cm×1cm之正方形的該凹凸吸收層後，300秒後之緩和率為30%以下；及(c)以頻率1Hz所測定之25℃下的儲存彈性模數為1.0至10.0MPa。

還有，以必要條件(a)至(c)所規定之凹凸吸收層的各物性值，係藉由記載於實施例之方法所測定之值。

藉由符合上述必要條件(a)，在為了貼附於具有凸塊等之凹凸部分的半導體晶圓等之製品而加熱BG片時，不僅凹凸吸收層會軟化，流動性也會上升。其結果，所得之BG片其半導體晶圓所具有的凸塊等之凹凸部分的吸收性會提高，而能夠在將BG片貼附於半導體晶圓之凹凸部分時，縮小晶圓表面之高低差，能夠充分防止凸塊等之凹凸部分與BG片之間的空隙產生。

以頻率1Hz所測定之70℃下的損失正切係為1.5以上，但從上述觀點，較佳為1.75以上，更佳為2.0以上，進一步更佳為2.1以上，進一步更較佳為2.2以上。

若該70℃下的損失正切小於1.5，則於加熱BG片時，凹凸吸收層之流動性變得不足，會有凸塊等之凹凸吸收性降低之傾向。

還有，關於該損失正切之上限值，雖然並無特別之限制，但該損失正切較佳為5.0以下，更佳為4.4以下，進一步更佳為4.0以下。

藉由符合上述必要條件(b)，將本發明之BG片捲取成卷筒狀時，凹凸吸收層會抑制面方向之變形，能夠有效地抑制凹凸吸收層從卷筒邊緣部分滲出。

還有，在該必要條件(b)所謂之「緩和率」，係指25℃下以壓縮載重10N之力壓縮1cm×1cm之正方形的凹凸吸收層後，測定300秒後之衰減的載重值α(單位：N)，將該載重值α代入下式所算出之值，具體之測定方法係根據實施例所記載之方法。

緩和率(%)=(10-α)/10×100

25℃下以壓縮載重10N壓縮1cm×1cm之正方形的該凹凸吸收層後，300秒後之緩和率為30%以下，但從上述觀點，較佳為29%以下，更佳為28%以下。

由於該緩和率若超過30%，則捲取成卷筒狀時，凹凸吸收層將會在面方向變形，使凹凸吸收層從卷筒之邊緣部分之滲出變得明顯而不佳。

還有，針對該緩和率之下限值，雖然並無特別之限制，但該緩和率較佳為1%以上，更佳為11%以上。

藉由符合上述必要條件(c)，能夠在捲取本發明之BG片成卷筒狀時，一面有效抑制從卷筒邊緣部分凹凸吸收層的滲出，而使凸塊等之凹凸部分的吸收性提高。

以頻率1Hz所測定之25℃下的儲存彈性模數為1.0至10.0MPa，但從上述觀點，較佳為1.1至9.0MPa，更佳為1.2至8.0MPa，進一步更佳為1.3至7.0MPa。

由於該25℃下的儲存彈性模數若小於1.0MPa，則在捲取成卷筒狀時，凹凸吸收層會在面方向變形，使凹凸吸收層的滲出變得明顯而不佳。

另一方面，由於該儲存彈性模數若超過10.0MPa，則凹凸吸收層之柔軟性會降低，而凸塊等之凹凸吸收性惡劣。

於形成凹凸吸收層之製膜用組成物中，從調整所形成的凹凸吸收層為如符合上述必要條件(a)之觀點，係較佳為進一步含有含(C)硫醇基之化合物。

又，於製膜用組成物中，亦可摻合(D)光聚合起始劑或抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等其他的添加劑。

以下，說明關於製膜用組成物中所含之各成分的詳細內容。

[(A)成分：(甲基)丙烯酸胺甲酸酯]

在本發明使用之製膜用組成物中，係含有作為(A)成分之(甲基)丙烯酸胺甲酸酯。

(甲基)丙烯酸胺甲酸酯至少具有(甲基)丙烯醯基及胺甲酸酯鍵之化合物，係具有藉由能量線照射而聚合硬化之性質者。

(甲基)丙烯酸胺甲酸酯中之(甲基)丙烯醯基數(以下，也稱為「官能基數」)亦可為單官能、2官能、或3官能以上，從形成符合上述必要條件(a)至(c)之凹凸吸收層的觀點，較佳為含有單官能(甲基)丙烯酸胺甲酸酯，更佳為單官能(甲基)丙烯酸胺甲酸酯與2官能(甲基)丙烯酸胺甲酸酯之混合物。

若於製膜用組成物中含有單官能(甲基)丙烯酸胺甲酸酯，則由於單官能(甲基)丙烯酸胺甲酸酯於聚合結構中係不參與3次元網狀結構之形成，3次元網狀結構會變得難以形成，而符合上述必要條件(a)至(c)之凹凸吸收層(尤其是符合上述必要條件(b)之凹凸吸收層)會變得容易形成。

(甲基)丙烯酸胺甲酸酯係例如能夠使多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物反應而獲得之末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚物、與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應而獲得。

還有，(甲基)丙烯酸胺甲酸酯可單獨地或組合2種以上而使用。

(多元醇化合物)

多元醇化合物只要是具有2個以上羥基之化合物，則無特別限定。

作為具體之多元醇化合物，可舉出例如伸烷基二醇、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇等。

該等之中，較佳為聚醚型多元醇。

還有，作為多元醇化合物，可為2官能之二醇、3官能之三醇、4官能以上之多元醇中任一種，但從形成符合上述必要條件(a)至(c)之凹凸吸收層的觀點，較佳為2官能之二醇，更佳為聚醚型二醇。

作為從多元醇化合物之羥基價所算出之分子量，較佳為1,000至10,000，更佳為2,000至9,000，進一步更佳為3,000至7,000。若是該分子量為1,000以上，則由於可避免起因於過量胺甲酸酯鍵生成之凹凸吸收層的黏彈性特性的控制變得困難之情形而較佳。另一方面，若是該分子量為10,000以下，則由於能夠防止所得之凹凸吸收層過度軟化而較佳。

還有，從多元醇化合物之羥基價所算出之分子量係由[聚醚型多元醇官能基數]×56.11×1000/[羥基價(單位：mg KOH/g)]所算出之值。

聚醚型二醇較佳為以下式(1)所表示之化合物。

上式(1)中，R係2價烴基，但較佳為伸烷基，更佳為碳數1至6之伸烷基。於碳數1至6之伸烷基中，又較佳為伸乙基、伸丙基、四亞甲基，更佳為伸丙基、四亞甲基。

又，n係環氧烷之重複單元數，而為10至250，但較佳為25至205，更佳為40至185。若n為上述範圍，則使所得之(甲基)丙烯酸胺甲酸酯之胺甲酸酯鍵結濃度成為適度，尤其是調整凹凸吸收層之緩和率為如符合上述必要條件(b)係變得容易。

於上式(1)所表示的化合物中，較佳使用聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基二醇，更佳使用聚丙二醇、聚四亞甲基二醇。

藉由聚醚型二醇與多元異氰酸酯化合物之反應，生成已導入醚鍵結部(-(-R-O-)_n-)之末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚物。藉由使用如此之聚醚型二醇，(甲基)丙烯酸胺甲酸酯係含有從聚醚型二醇所衍生的構成單元。

作為用於聚酯型多元醇之製造的多元酸成分，係能夠使用一般作為聚酯之多元酸成分而為習知之化合物。

作為具體之多元酸成分，可舉出例如己二酸、順丁烯二酸、丁二酸、乙二酸、反丁烯二酸、丙二酸、戊二酸、庚二酸、壬二酸、癸二酸、辛二酸等之二元酸；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、2,6-萘二甲酸等之二元酸；或偏苯三甲酸、均苯四甲酸等之多元酸等之芳香族多元酸；對應於該等之酸酐或其衍生物及二聚物酸、加氫二聚物酸等。

該等之中，從形成具有適當硬度的塗膜之觀點，較佳為芳香族多元酸。

在為了製造聚酯型多元醇之酯化反應中。可因應需要使用各種習知之觸媒。

作為該觸媒，可舉出例如氧化二丁基錫、辛酸亞錫等之錫化合物；鈦酸四丁酯、鈦酸四丙酯等之烷氧基鈦等。

(多元異氰酸酯化合物)

作為多元異氰酸酯化合物，可舉出例如四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族系聚異氰酸酯類；異佛酮二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等之脂環族系二異氰酸酯類；4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、四亞甲基二甲苯二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯等之芳香族系二異氰酸酯類等。

該等之中，從操作性之觀點，較佳為異佛酮二異氰酸酯或六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯。

(具有羥基之(甲基)丙烯酸酯)

能夠使上述之多元醇化合物與多元異氰酸酯反應而獲得之末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚物、與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應，而獲得(甲基)丙烯酸胺甲酸酯。

作為具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，只要是至少在1分子中具有羥基及(甲基)丙烯醯基之化合物，並無特別限定。

作為具體的具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基環己酯、(甲基)丙烯酸-5-羥基環辛酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧丙酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、單(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、單(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等之含羥基之(甲基)丙烯醯胺；使(甲基)丙烯酸與乙烯醇、乙烯酚、雙酚A之二環氧丙酯反應所得之反應物等。

該等之中，較佳為(甲基)丙烯酸羥基烷酯，更佳為(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯。

作為使末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚物及具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應之條件，較佳為在因應需要而添加的溶劑、觸媒之存在下，於60至100℃使其反應1至4小時之條件。

如此進行而獲得之(甲基)丙烯酸胺甲酸酯可為寡聚物、聚合物或該等混合物中任一種，但較佳為(甲基)丙烯酸胺甲酸酯寡聚物。

(甲基)丙烯酸胺甲酸酯之重量平均分子量較佳為1,000至100,000，更佳為3,000至80,000，進一步更佳為5,000至65,000。若該重量平均分子量為1,000以上，則由於起因於在(甲基)丙烯酸胺甲酸酯(A)與聚合性單 體(B)之聚合物中，源自(甲基)丙烯酸胺甲酸酯(A)結構彼此之分子間力，凹凸吸收層被賦予適度之硬度而較佳。

製膜用組成物中之(A)成分的摻合量較佳為20至70質量%，更佳為25至60質量%，進一步更佳為30至50質量%，進一步更較佳為33至47質量%。

[(B)成分：(A)成分以外之聚合性單體]

在本發明使用之製膜用組成物中，從提高製膜性之觀點，作為(B)成分係含有(A)成分以外之聚合性單體。

於本發明中，作為(B)成分使用之聚合性單體係(A)成分之(甲基)丙烯酸胺甲酸酯以外的聚合性化合物，而藉由能量線之照射能夠與其他成分聚合之化合物，且除了重量平均分子量為1000以上的樹脂成分以外之物。

作為(B)成分較佳為具有至少1個(甲基)丙烯醯基之化合物。

還有，於本發明中，所謂「樹脂成分」係指結構中具有重複結構之寡聚物或聚合物，重量平均分子量為1,000以上之化合物。

作為(B)成分使用之聚合性單體的分子量(式量)，較佳為70至900，更佳為80至700，進一步更佳為90至500，進一步更較佳為100至400。

作為(B)成分之聚合性單體，可舉出例如具有碳數1至30之烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有羥基、醯胺基、胺基、環氧基等官能基的(甲基)丙烯酸酯、具有脂環式結構的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族結構的(甲基) 丙烯酸酯、具有雜環式結構的(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、羥乙基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內酯等之乙烯基化合物等。

作為具有碳數1至30之烷基的(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸二十酯等。

作為具有官能基之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等之含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸醯胺、N-丁基(甲基)丙烯酸醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酸醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯酸醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酸醯胺等之含醯胺基之化合物；含第1級胺基之(甲基)丙烯酸酯、含第2級胺基之(甲基)丙烯酸酯、含第3級胺基之(甲基)丙烯酸酯等之含胺基之(甲基) 丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸甲基環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚等之含環氧基之(甲基)丙烯酸酯等。

作為具有脂環式結構之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如(甲基)丙烯酸異降莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛酯等。

作為具有芳香族結構之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如(甲基)丙烯酸苯基羥丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯等。

作為具有雜環式結構之(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、啉丙烯酸酯等。

該等之中，從獲得容易形成符合上述必要條件(b)之凹凸吸收層的製膜用組成物之觀點，作為(B)成分，又較佳為含有具有脂環式結構之(甲基)丙烯酸酯，更佳為含有(甲基)丙烯酸異降莰酯。

製膜用組成物中之具有脂環式結構之(甲基)丙烯酸酯的摻合量，從上述觀點較佳為32至53質量%，更佳為35至51質量%，進一步更佳為37至48質量%，進一步更較佳為40至47質量%。

又，相對於製膜用組成物中所含之(B)成分的全部量，具有脂環式結構之(甲基)丙烯酸酯的摻合量，從上述觀點較佳為52至87質量%，更佳為55至85質量%，進一步更佳為60至80質量%，更進一步更較佳為65至77質量%。

又，製膜用組成物中之(B)成分的摻合量較佳為30至80質量%，更佳為40至75質量%，進一步更佳為50至70質量%，更進一步更較佳為53至67質量%。

製膜用組成物中之(A)成分與(B)成分的質量比[(A)成分/(B)成分]較佳為20/80至60/40，更佳為30/70至50/50，進一步更佳為35/65至45/55。

[(C)成分：含硫醇基之化合物]

在本發明使用之製膜用組成物，從容易形成符合上述必要條件(a)的凹凸吸收層之觀點，較佳為進一步作為(C)成分含有含硫醇基之化合物。

作為含硫醇基之化合物，只要是在分子中具有至少1個硫醇基之化合物，則無特別限制，但從上述觀點，較佳為含多官能的硫醇基之化合物，更佳為含4官能的硫醇基之化合物。

作為具體的含硫醇基之化合物，可舉出例如壬基硫醇、1-十二烷硫醇、1,2-乙烷二硫醇、1,3-丙烷二硫醇、三硫醇、三二硫醇、三三硫醇、1,2,3-丙烷三硫醇、四乙二醇雙(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇四硫二醇、二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)、參[(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰酸酯、1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷、季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)、1,3,5-三(3-巰基丁氧乙基)-1,3,5-三-2,4,6-(1H,3H,5H)-三酮等。

還有，該等含硫醇基之化合物可單獨或組合2種以上而使用。

含硫醇基之化合物的分子量(式量)，較佳為200至3000，更佳為300至2000。若該分子量為上述範圍，則與(A)成分之相溶性變得良好，而能夠使製膜性成為良好。

相對於(A)成分及(B)成分之合計100質量份，(C)成分的摻合量較佳為1.0至4.9質量份，更佳為1.5至4.8質量份，更較佳為1.75至4.75質量份，進一步更佳為2.0至4.7質量份，進一步更較佳為2.4至4.6質量份。

若該摻合量為1.0以上，便容易形成符合上述必要條件(a)之凹凸吸收層，而能夠使凸塊等之凹凸的吸收性提高。另一方面，若該摻合量為4.9質量份以下，則容易形成符合上述必要條件(b)或(c)之凹凸吸收層，而能夠有效地抑制捲取成卷筒狀時之凹凸吸收層的滲出。

[(D)光聚合起始劑]

作為紫外線等之能量線而使用，將由製膜用組成物構成之塗膜硬化而形成凹凸吸收層時，於製膜用組成物中，較佳為進一步作為(D)成分含有光聚合起始劑。

作為光聚合起始劑，可舉出例如苯偶因化合物、苯乙酮化合物、氧化醯基膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物等之光聚合起始劑；胺或醌等之光增感劑等；更具體地，可舉出例如1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、苯偶因、苯偶因甲基醚、苯偶因乙基醚、苯偶因丙基醚等。

該等光聚合起始劑可單獨或組合2種以上而使用。

相對於(A)成分及(B)成分之合計100質量份，(D)成分之摻合量較佳為0.05至15質量份，更佳為0.1至10質量份，進一步更佳為0.3至5質量份。

[其他之添加劑]

於製膜用組成物中，在不損害本發明效果之範圍內，亦可含有其他之添加劑。

作為其他之添加劑，可舉出例如抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑、防鏽劑、顏料、染料等。

摻合該等添加劑之情形，相對於(A)成分及(B)成分之合計100質量份，其他添加劑之摻合量較佳為0.01至6質量份，更佳為0.1至3質量份。

還有，於製膜用組成物中，在不損害本發明效果之範圍內，亦可含有(A)成分以外之樹脂成分，但較佳為作為樹脂成分僅含有(A)成分。

製膜用組成物中所含之(A)成分以外之樹脂成分的含量較佳為5質量%以下，更佳為1質量%以下，進一步更佳為0.1質量%以下，進一步更較佳為實質上0質量%以下。

<黏著劑層>

本發明之BG片亦可在凹凸吸收層上進一步形成黏著劑層。

相對於成為被黏著物的半導體晶圓等之製品，該黏著劑層只要是具有適度之再剝離性，則構成該黏著劑層之黏著劑的種類並未被限定。

作為如此之黏著劑，可舉出例如橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、矽氧烷系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。

又，也能夠使用藉由能量線之照射而硬化成為再剝離性的能量線硬化型黏著劑或加熱發泡型、水膨潤型的黏著劑。

作為能量線硬化型黏著劑，可舉出例如日本特開昭60-196956號公報、特開昭60-223139號公報等所記載的黏著劑。於能量線硬化型黏著劑中，較佳為紫外線硬化型黏著劑。

又，作為水膨潤型黏著劑，可舉出例如日本特公平5-77284號公報、特公平6-101455號公報等所記載的黏著劑。

<剝離材>

作為本發明之BG片構造而具有黏著劑層時，在該黏著劑層上亦可進一步具有剝離材。

作為剝離材，可使用已進行雙面剝離處理之剝離片、或已進行單面剝離處理之剝離片等，可舉出於剝離材用之基材上塗布剝離劑者等。

作為剝離材用基材，可舉出例如聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等聚酯樹脂薄膜；聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等聚烯烴樹脂薄膜等之塑膠薄膜等。

作為剝離劑，可舉出例如矽氧烷系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體；長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。

[背面研磨片之製造方法]

作為本發明之BG片的製造方法，並無特別限制，能夠藉由習知方法而製造。

作為如第1圖(a)之在基材11上形成有凹凸吸收層12之BG片1a之製造方法，可舉出例如在基材11之一側面直接塗布製膜用組成物溶液而形成塗膜後，進行硬化處理，使凹凸吸收層12形成之製造方法；或在剝離材之剝離處理面，直接塗布製膜用組成物溶液而形成塗膜後，進行半硬化處理而在剝離材上形成半硬化層，將該半硬化層與基材11貼合，於去除剝離材前、或去除後，使半硬化層完全硬化而使凹凸吸收層12形成之製造方法等。

另外，作為如第1圖(b)之具有黏著劑層13之BG片1b的製造方法，可舉出例如在以上述方法製作之BG片1a之凹凸吸收層12上，將黏著性組成物之溶液直接塗布、乾燥而使黏著劑層13形成之製造方法；或在剝離材14之剝離處理面，將黏著性組成物之溶液直接塗布、乾燥而而在剝離材14上形成黏著劑層13，將黏著劑層13與凹凸吸收層12貼合，先製造BG片1c，再去除剝離材14之製造方法等。

於形成凹凸吸收層12或黏著劑層13之時，亦可進一步將有機溶劑摻合於製膜用組成物或黏著劑組成物中，而作成製膜用組成物或黏著劑組成物之溶液的形態。

作為所使用之有機溶劑，可舉出例如甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二烷、環己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇、異丙醇等。

還有，該等之有機溶劑可直接使用在製膜用組成物或是黏著劑組成物中所含之各成分合成時所使用的有機溶劑，亦可添加該等以外之1種以上的有機溶劑。

但是，在(A)成分及(B)成分之至少一種係於25℃為液體化合物之情形，並不需要摻合有機溶劑。又，由於不使用有機溶劑時，沒有經歷乾燥步驟之必要，從生產性提高之觀點，較佳為不使用有機溶劑。

製膜用組成物或是黏著劑組成物之溶液，係能夠在基材或剝離材上，藉由習知之塗布方法塗布而形成塗膜。

作為塗布方法，可舉出例如旋轉塗布法、噴霧塗布法、棒塗布法、刮刀塗布法、卷筒塗布法、切削刀塗布法、模頭塗布法、照相凹版塗布法等。

又，在製膜用組成物或是黏著劑組成物之溶液含有有機溶劑之情形，較佳為塗布該溶液後，以80至150℃之溫度加熱30秒至5分鐘而進行乾燥處理。

作為塗布製膜用組成物形成塗膜後之硬化處理，較佳為對所形成的塗膜照射紫外線等能量線，使其聚合硬化而製膜之方法。又，硬化處理可以一次使其完全硬化，亦可分成數次使其硬化。

作為能量線，可舉出例如紫外線、電子線等，較佳為紫外線。

又，能量線之照射量係依照能量線之種類而適當變更。例如，使用紫外線之情形，所照射的紫外線之照度較佳為50至500mW/cm²，更佳為100至340mW/cm²；紫外線之照射量較佳為100至2500mJ/cm²，更佳為150至2000J/cm²。

實施例

在下列之製造例所用之成分及所生成之化合物的重量平均分子量(Mw)係藉由下列記載之方法而測定。

<重量平均分子量(Mw)>

使用凝膠滲透層析裝置(TOSO股份有限公司製、製品名「HLC-8020」)而在下列條件下測定，使用以標準聚苯乙烯換算所測定之值。

(測定條件)

●管柱：「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(任一種皆為TOSO股份有限公司製)

●管柱溫度：40℃

●展開溶劑：四氫呋喃

●流速：1.0mL/min

關於在實施例及比較例所製作之BG片的各物性及評估，係根據下列之方法測定及評估。

(凹凸吸收層之以頻率1Hz所測定之70℃下的損失正切)

在實施例及比較例之BG片的製作過程中，將形成於剝離薄膜上的半硬化層與同樣的剝離薄膜積 層，從所積層的剝離薄膜側，進一步進行4次紫外線照射(使用與在實施例及比較例所用之紫外線照射裝置及紫外線光源為相同者，作為照射條件，燈高度150mm、燈輸出3kW(換算輸出120mW/cm)、光線波長365nm之照度271mW/cm²、照射量1200mJ/cm²(以ORC製作所公司製紫外線光量計「UV-351」測定))，使其完全硬化，被挾持於2片剝離薄膜中，而形成厚度150μm之單層凹凸吸收層。

還有，關於比較例1，從BG片僅分離凹凸吸收層而獲得單層之凹凸吸收層。

積層該等凹凸吸收層，使厚度成為如1至2mm之範圍內而重複積層，獲得凹凸吸收層之積層物。使用所得之凹凸吸收層的積層物，使用黏彈性測定裝置(RHEOMETRIC公司製、製品名「ARES」(捻絲剪切方式))，測定頻率1Hz(6.28rad/sec)中之-20至120℃下的儲存彈性模數及損失彈性模數，而算出70℃下之損失正切。

(25℃下以壓縮載重10N壓縮1cm×1cm之正方形的凹凸吸收層後，300秒後之緩和率)

將在實施例及比較例之BG片的製作過程中所得之在基材上形成有凹凸吸收層的積層物(關於比較例1，係從BG片去除黏著劑層者)切斷成1cm×1cm之正方形，貼合與所切斷之該積層物為相同形狀之晶圓晶片而製作試驗試料。

接著，使用材料強度試驗機(製品名「INSTRON 5581型」、INSTRON公司製)，將所製作的試驗試料如基材朝下而載置於該材料強度試驗機下側之夾具中，藉由上側之夾具而施加10N之力來壓縮後，測定300秒後衰減的載重值α(單位：N)。將該載重值α代入「緩和率(%)=(10-α)/10×100」之計算式而算出緩和率。

(凹凸吸收層以頻率1Hz所測定之25℃下的儲存彈性模數)

從為了獲得凹凸吸收層以頻率1Hz所測定之70℃下的損失正切而測定之-20至120℃範圍之儲存彈性模數的測定結果，獲得25℃下的儲存彈性模數。

(高低差)

使用積層機裝置「RAD3510」(製品名、LINTEC股份有限公司製)，在凸塊高度80μm之附有凸塊之晶圓上貼附在實施例及比較例所製作的BG片，於貼附後隨即以定壓厚度測定器「PG-02」(製品名、TECLOCK公司製)，測定具有凸塊之部分的全部厚度「A」(從晶圓背面至BG片基材薄膜面之距離)、無凸塊之部分的全部厚度「B」，而算出「A-B」作為高低差。高低差越小即意指，起因於凸塊高度之凹凸因BG片而越受到緩和。

(凸塊之凹凸部分的吸收性)

與高低差之評估同樣地，將在實施例及比較例所製作的BG片貼附於附有凸塊之晶圓後，使用數位光學顯微鏡從基材側測定發生於凸塊周邊的圓形空隙之 直徑。空隙之直徑越小，即顯示BG片之凸塊的凹凸部分之吸收性能越高。根據下列之基準而評估凸塊之凹凸部分的吸收性之好壞。

A：空隙之直徑小於150μm。

F：空隙之直徑為150μm以上。

(捲取成卷筒狀時之凹凸吸收層的滲出之有無)

在將與以後述之實施例及比較例所製作的剝離薄膜2相貼合的BG片卷筒狀地捲取於直徑3吋之芯的狀態下，在23℃、50%RH(相對濕度)之環境下放置1星期。放置後，使用光學數位顯微鏡(倍率100倍)，根據下列之基準而評估在卷筒側部之凹凸吸收層有無滲出。

還有，關於比較例1，由於無法以與實施例相同之條件捲取成卷筒狀，未進行評估。

A：完全未觀察到凹凸吸收層的滲出。

B：觀察到一部分凹凸吸收層的滲出。

C：凹凸吸收層的滲出非常顯著。

製造例1 (黏著片之製作)

使用丙烯酸丁酯89質量份、甲基丙烯酸甲酯5質量份、丙烯酸-2-羥乙酯6質量份，在乙酸乙酯溶劑中進行溶液聚合，獲得重量平均分子量(Mw)500,000、玻璃轉移溫度-47.2℃之丙烯酸系共聚物溶液。

於該丙烯酸系共聚物溶液中，相對於丙烯酸系共聚物之固形物100重量份，添加甲基丙烯醯氧乙基異氰酸 酯5質量份(固形物比、相對於丙烯酸系共聚物中之羥基100當量為50當量)，使其反應而獲得分子內具有聚合性雙鍵的紫外線硬化型丙烯酸系共聚物之乙酸乙酯溶液(固形物濃度30質量%)。

還有，於上述溶液中，相對於紫外線硬化型丙烯酸系共聚物之固形物100質量份，混合作為交聯劑之2.7質量份(固形比)之多元異氰酸酯化合物(製品名「BHS8515」、TOYOCHEM公司製)、0.2質量份(固形比)之光聚合起始劑(製品名「DAROCURE TPO」、BASF公司製、氧化二苯基(2,4,6-三甲基苯醯基)膦)，而調製紫外線硬化型黏著劑組成物之溶液。

接著，於剝離薄膜(SP-PET381031、LINTEC股份有限公司製，以下，也稱為「剝離薄膜2」)塗布所調製的紫外線硬化型黏著劑組成物之溶液、乾燥，而形成厚度10μm之黏著劑層，製作了黏著片。

實施例1

摻合作為(A)成分之單官能甲基丙烯酸胺甲酸酯與二官能甲基丙烯酸胺甲酸酯的混合物40質量份(固形物比)、作為(B)成分之丙烯酸異降莰酯(IBXA)45質量份(固形物比)及丙烯酸羥丙酯(HPA)15質量份(固形物比)、作為(C)成分之季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)(製品名「KARENZ MT(註冊商標)PE1」、昭和電工股份有限公司製、第2級4官能之含硫醇之化合物、固形物濃度100質量%)3.5質量份(固形物比)、及作為(D)光聚合起始劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(製品名「DAROCURE 1173」、BASF公司製、固形物濃度100質量%)1質量份(固形物比)。

接著，以噴泉模頭方式，於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜系剝離薄膜(製品名「SP-PET3811」、LINTEC公司製、厚度38μm，以下，也稱為「剝離薄膜1」)上塗布所調製的製膜用組成物之溶液使硬化後之厚度如成為150μm而形成塗膜。

然後，從塗膜側照射紫外線而形成半硬化層。還有，紫外線照射係使用帶式輸送式紫外線照射裝置(製品名「ECS-401GX」EYE GRAPHICS公司製)作為紫外線照射裝置，使用高壓水銀燈(H04-L41 EYE GRAPHICS公司製：H04-L41)作為紫外線光源，以燈高度150mm、燈輸出3kW(換算輸出120mW/cm)、光線波長365nm之照度271mW/cm²、照射量177mJ/cm²(使用ORC製作所公司製紫外線光量計「UV-351」測定)之條件下作為照射條件而進行。

在所形成的該半硬化層上，積層厚度100μm之PET薄膜作為基材，從所積層的剝離薄膜側，進一步進行4次紫外線照射(使用上述紫外線照射裝置、紫外線光源，作為照射條件係以燈高度150mm、燈輸出3kW(換算輸出120mW/cm)、光線波長365nm之照度271mW/cm²、照射量1200mJ/cm²(使用ORC製作所公司製紫外線光量計「UV-351」測定))，使其完全硬化而在基材之PET薄膜上形成厚度150μm之凹凸吸收層。

然後，去除凹凸吸收層上之剝離薄膜1，將露出的凹凸吸收層、與在製造例1所製作的黏著片之黏著劑層貼合後，切斷去除在寬度方向之邊緣的不要部分，製作了與製造例1之黏著片貼合的BG片(片之尺寸係寬度330mm、長度200m，且基材、凹凸吸收層、黏著劑層及剝離薄膜2之寬度係相同)。

實施例2

除了在實施例1之製膜用組成物中，將(C)成分之摻合量變更為4.0質量份之外，係與實施例1同樣地進行，而製作與在製造例1所製作的黏著片貼合之BG片。

實施例3

除了在實施例1之製膜用組成物中，將(C)成分之摻合量變更為4.5質量份之外，係與實施例1同樣地進行，而製作與在製造例1所製作的黏著片貼合之BG片。

實施例4

除了在實施例1之製膜用組成物中，將(C)成分之摻合量變更為1.5質量份之外，係與實施例1同樣地進行，而製作與在製造例1所製作的黏著片貼合之BG片。

比較例1

使用一種BG片(三井化學HIGASHI SERO股份有限公司製)，其係在由厚度50μm之聚酯系薄片所構成之基材上，設置有由乙烯．α-烯烴共聚物所構成之厚 度300μm之凹凸吸收層，進一步於該凹凸吸收層上設置有厚度40μm之黏著劑層。

比較例2

除了在於實施例1之製膜用組成物中，變更(B)成分之IBXA之摻合量為54質量份、HPA之摻合量為6質量份、及(C)成分之摻合量為4.0質量份之外，係與實施例1同樣地進行，而製作與在製造例1所製作的黏著片貼合之BG片。

比較例3

除了在實施例1之製膜用組成物中，變更(B)成分之IBXA之摻合量為30質量份、HPA之摻合量為30質量份、及(C)成分之摻合量為4.0質量份之外，係與實施例1同樣地進行，而製作與在製造例1所製作的黏著片貼合之BG片。

比較例4

除了在實施例1之製膜用組成物中，變更(C)成分之摻合量為5.0質量份之外，係與實施例1同樣地進行而製作與在製造例1所製作的黏著片與所貼合的BG片。

根據上述之方法測定及評估構成在上述之實施例及比較例所製作的BG片之凹凸吸收層的各物性值及BG片之評估。將其結果顯示於表1。

若根據表1，可得知相較於比較例1至4之BG片，實施例1至4之BG片係壓低高低差，凸塊之凹凸部分的吸收性也較比較例之BG片優異。又，也未觀察到捲取成卷筒狀時之凹凸吸收層的滲出。

另一方面，比較例1之BG片，由於構成的凹凸吸收層未符合必要條件(a)，而成為凸塊之凹凸吸收性惡劣的結果。

又，比較例2及4之BG片，由於構成的凹凸吸收層未符合必要條件(b)，係觀察到捲取成卷筒時之凹凸吸收層的滲出。還有，關於比較例2之BG片，由於凹凸吸收層未符合必要條件(c)、25℃時之儲存彈性模數過大，而成為高低差大、凸塊之凹凸部分的吸收性也惡劣之結果。

而且，比較例3之BG片，由於構成的凹凸吸收層未符合必要條件(c)、25℃下的儲存彈性模數過小，而觀察到捲取成卷筒狀時之凹凸吸收層的滲出。

[產業上利用之可能性]

本發明之BG片，由於在半導體晶圓所具有的凸塊等之凹凸部分的吸收性優異，尤其是在可充分防止凸塊等與BG片之間的空隙產生之同時，也能夠於捲取成卷筒狀時抑制從片邊緣部分所產生的凹凸吸收層滲出之發生。

因此，本發明之BG片例如適合作為在背面研磨具有凸塊之半導體晶片時，貼附於半導體晶圓的凸塊等之凹凸部分而保護該凹凸部分之表面保護片。

1a、1b、1c‧‧‧BG片(背面研磨片)

11‧‧‧基材

12‧‧‧凹凸吸收層

13‧‧‧黏著劑層

14‧‧‧剝離材

Claims (6)

1. 一種背面研磨片，其係在基材上具有凹凸吸收層之背面研磨片，該凹凸吸收層係由含有(A)胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯與(B)(A)成分以外之聚合性單體的製膜用組成物所形成，且符合下列必要的條件(a)至(c)之層：(a)以頻率1Hz所測定之70℃下的損失正切為1.5以上；(b)25℃下以壓縮載重10N壓縮1cm×1cm之正方形的該凹凸吸收層後，300秒後之緩和率為30%以下；及(c)以頻率1Hz所測定之25℃下的儲存彈性模數為1.0至10.0MPa。
2. 如請求項1之背面研磨片，其中(B)成分含有具有脂環式結構之(甲基)丙烯酸酯。
3. 如請求項1或2之背面研磨片，其中(A)成分含有單官能胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物。
4. 如請求項1或2之背面研磨片，其中該製膜用組成物進一步含有(C)含硫醇基之化合物。
5. 如請求項1或2之背面研磨片，其中在該凹凸吸收層上進一步具有黏著劑層。
6. 如請求項1或2之背面研磨片，其被貼附於半導體晶圓之凹凸部分。