TWI588925B - Light irradiation device - Google Patents

Description

光照射裝置

本發明係關於照射紫外線的光照射裝置。更詳細來說，本發明係關於可理想地適用於半導體及液晶等的製造工程之光阻劑的光灰化處理、附著於奈米壓印法之模板的圖案面之光阻劑的去除處理、液晶用的玻璃基板及矽晶圓等的乾式洗淨處理、印刷基板製造工程之除膠渣處理的光照射裝置。

例如於半導體元件及液晶面板等的製造工程中，進行光阻劑的灰化處理、對於玻璃基板或矽晶圓的乾式洗淨處理。又，於奈米壓印法中，進行附著於模板的圖案面之光阻劑的去除處理。進而，於印刷基板製造工程中，對於配線基板材料，進行除膠渣處理及絕緣層的表面的粗面化處理。然後，作為執行該等處理的手段，公知有於包含氧氣等之活性種源的處理用氣體的氣氛下，對於被照射物照射紫外線的光照射裝置(例如參照專利文獻1)。

於該光照射裝置中，藉由對被處理物周圍的 處理用氣體照射真空紫外線，處理用氣體中的氧氣會分解而產生氧自由基。然後，藉由該氧自由基接觸被處理物，進行對於被處理物的灰化，具體來說附著於被處理物的被處理面、被處理物之異物的灰化。

於此種光照射裝置中，伴隨對於被處理物的灰化進行，消費身為活性種源的氧氣，並且產生CO₂等的分解氣體。因此，因為被處理物周圍的處理用氣體中之活性種源的濃度降低，並且CO₂等的分解氣體吸收紫外線，氧自由基的產生量降低。根據此種理由，通常一邊從被處理物的一端側朝向另一端側供給新鮮的處理用氣體，一邊進行對於該被處理物之紫外線的照射。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2002-075965號公報

然而，於前述的光照射裝置中，判明有以下的問題。

因對於被處理物的灰化所產生的CO₂等的分解氣體與處理用氣體一起流動。因此，處理用氣體的流向的下游側區域之氧氣的濃度，係比供給新鮮的處理用氣體的上游側區域之氧氣的濃度還低。又，下游側區域之CO₂等的分解 氣體的濃度，係比上游側區域的分解氣體的濃度還高。藉此，下游側區域之氧自由基的產生量比上游側區域之氧自由基的產生量還低，故難以涵蓋被處理物的被處理物整面均勻地進行處理。

本發明的目的，係提供可涵蓋被處理物的被處理面整面均勻地進行處理的光照射裝置。

本發明的光照射裝置，係具備被處理物配置於內部的處理室、對於前述被處理物射出真空紫外線的紫外線射出燈、及對前述處理室內供給包含活性種源之處理用氣體的氣體供給手段的光照射裝置，其特徵為：藉由於前述處理室之被處理物配置區域的兩側，設置用以對該處理室供給處理用氣體的氣體供給口及排出該處理室內之氣體的氣體排出口，於該處理室內形成有處理用氣體從該氣體供給口朝向該氣體排出口流通的氣體流通路徑；前述氣體供給口之氣體量的前述氣體排出口之到達度被控制成60~95%。

於本發明的光照射裝置中，具有設定前述氣體供給口之氣體量的處理用氣體供給量調整手段，與測定前述氣體排出口之氣體量的流量計為佳。

又，具有設定前述氣體供給口之氣體量的處理用氣體供給量調整手段，與測定前述氣體排出口之氣體壓力的壓 力計為佳。

具有設定前述氣體供給口之氣體量的處理用氣體供給量調整手段，與測定前述氣體排出口之氣體中的特定氣體成分的濃度的氣體濃度測定手段為佳。

又，於前述氣體流通路徑之處理用氣體的流通方向的兩側方的位置，形成有從前述處理室洩漏氣體的氣體洩漏部為佳。

又，回收從前述處理室洩漏之氣體的氣體回收室，以包圍該處理室之方式設置為佳。

於此種光照射裝置中，於動作中，前述氣體回收室的內壓被保持為比前述處理室的內壓還低的壓力為佳。

又，於動作中，前述氣體回收室的內壓被保持為比大氣壓還低的壓力為佳。

依據本發明的光照射裝置，藉由氣體供給口之氣體量的氣體排出口之到達度被控制成60~95%，於處理用氣體流通路徑的下游側區域中，抑制活性種源之濃度的降低，並且抑制分解氣體之濃度的上升。因此，可涵蓋被處理物的被處理面整面均勻地進行處理的光照射裝置。

10‧‧‧載置台

12‧‧‧氣體供給口

13‧‧‧氣體排出口

15‧‧‧處理室形成材

20‧‧‧光源單元

21‧‧‧殼體

22‧‧‧紫外線透射窗

25‧‧‧紫外線射出燈

40‧‧‧處理用氣體供給手段

41‧‧‧氣體管

42‧‧‧流量計

45‧‧‧處理用氣體供給量調整手段

46‧‧‧氣體管

47‧‧‧臭氧濃度計

48‧‧‧流量計

50‧‧‧氣體回收室形成材

51‧‧‧一側壁部

52‧‧‧另一側壁部

55‧‧‧空氣導入口

56‧‧‧氣體吸引口

57‧‧‧差壓計

W‧‧‧被處理物

S1‧‧‧燈管收容室

S2‧‧‧處理室

S3‧‧‧氣體回收室

〔圖1〕揭示本發明的光照射裝置的一例之內部的構 造概略的說明用剖面圖。

〔圖2〕揭示圖1所示之光照射裝置中，卸下光源單元之狀態的俯視圖。

〔圖3〕揭示圖1所示之光照射裝置中，處理室形成材的側壁圖之形狀的說明圖。

〔圖4〕揭示實驗例中所測定之氣體供給口之氣體量的氣體排出口之到達度，與灰化處理之均勻度的關係的圖表。

以下，針對本發明之光照射裝置的實施形態詳細進行說明。

圖1係揭示本發明的光照射裝置的一例之內部的構造概略的說明用剖面圖。圖2係揭示圖1所示之光照射裝置中，卸下光源單元之狀態的俯視圖。

於該光照射裝置中，例如設置有載置略平板狀的被處理物W的載置台10。於載置台10上，隔著沿著該載置台10之上面的周緣部所配置之矩形框狀的處理室形成材15，配置有光源單元20。

光源單元20係具備略正方體之箱型形狀的殼體21。於該殼體21的下壁部，設置有透射真空紫外線之略平板狀的紫外線透射窗22。於殼體21的內部，形成有密閉之燈管收容室S1。又，在紫外線透射窗22與載置台10之間，藉由被處理室形成材15包圍，形成有處理被處 理物W的處理室S2。

又，於圖示之範例的光照射裝置中，回收從處理室S2洩漏之氣體的氣體回收室S3以包圍該處理室S2之方式設置。具體說明的話，該光照射裝置係具備於上壁部具有開口之略正方體的箱型形狀的氣體回收室形成材50。於該氣體回收室形成材50的內部，收容載置台10及處理室形成材15。光源單元20係在殼體21被嵌入於氣體回收室形成材50的開口之狀態下，配置於處理室形成材15上。然後，藉由利用氣體回收室形成材50的內面與載置台10及處理室形成材15的外面包圍，形成氣體回收室S3。

於燈管收容室S1，棒狀的複數紫外線射出燈25以於相同水平面中相互平行之方式配置。又，於燈管收容室S1之紫外線射出燈25的上方，設置有反射鏡(未圖示)。又，於殼體21，設置有藉由例如氮氣等的惰性氣體對燈管收容室S1內進行清洗的氣體清除手段(未圖示)。

作為紫外線射出燈25，只要是放射真空紫外線者，可使用公知的各種燈管。具體來說例如，作為紫外線射出燈25，可例示放射185nm之真空紫外線的低壓水銀燈、放射中心波長為172nm之真空紫外線的氙準分子燈、或者於發光管內封入氙氣，並且於發光管的內面例如塗布射出190nm的真空紫外線之螢光體所成的螢光準分子燈等。

作為構成紫外線透射窗22的材料，只要是對於從紫外線射出燈25放射的真空紫外線具有透射性，且具有對於真空紫外線及產生之活性種的耐性者即可。作為此種材料，可使用例如合成石英玻璃。

於載置台10，於配置被處理物W的被處理物配置區域的一側(圖中右側)，於處理室S2內供給處理用氣體的氣體供給口12以貫通載置台10的厚度方向之方式形成。又，於配置被處理物W的被處理物配置區域的另一側(圖中左側)，排出處理室S2內之氣體的氣體排出口13以貫通載置台10的厚度方向之方式形成。藉此，於處理室S2內形成有處理用氣體從氣體供給口12朝向氣體排出口13流通的氣體流通路徑。氣體供給口12及氣體排出口13個別之開口形狀，係成為沿著紫外線射出燈25的燈管軸方向延伸的帶狀。

於氣體供給口12，連接有氣體管41。於該氣體管41，連接有對處理室S2供給處理用氣體的處理用氣體供給手段40。於氣體管41，設置有測定氣體供給口12之氣體量的流量計42。又，於氣體管41，在處理用氣體供給手段40與流量計42之間的位置，設置有設定氣體供給口12之氣體量的處理用氣體供給量調整手段45。

作為從處理用氣體供給手段40供給的處理用氣體，使用包含活性種源者。作為處理用氣體中包含的活性種源，只要是因承受真空紫外線而產生活性種者即可。作為此種活性種源的具體例，可舉出有發生氧(O₂)、臭 氧(O₃)等之氧自由基者、發生水蒸氣等之OH自由基者、發生鹵素自由基者(例如發生四氟化碳(CF₄)等之氟自由基者。發生氯(Cl₂)等之氯自由基者、發生溴化氫(HBr)等之溴自由基者)等。在該等之中，發生氧自由基者為佳。

處理用氣體中之活性種源的濃度，係50體積%以上為佳，更理想為70體積%以上。使用此種處理用氣體的話，藉由該處理用氣體承受真空紫外線，可產生充分量的活性種，故可確實進行所期望的處理。

於氣體排出口13，連接有氣體管46。於該氣體管46，設置有測定氣體排出口13之氣體中特性氣體成分例如臭氧的濃度的臭氧濃度計47及測定氣體排出口13之氣體量的流量計48。

又，於載置台10，設置有對被處理物W進行加熱的加熱手段(未圖示)為佳。依據此種構造，伴隨被處理物W之被處理面的溫度上升，可促進活性種所致之作用。因此，可有效率地進行對於被處理物W的處理。又，藉由處理用氣體流通於氣體供給口12，可對處理室S2內供給被加熱過的處理用氣體。因此，即使藉由處理用氣體沿著被處理物W的被處理面流通，也可使被處理物W的被處理面的溫度上升，結果，可更確實獲得前述效果。

加熱手段所致之加熱條件，係被處理物W之被處理面的溫度成為例如80℃以上，340℃以下的條件為佳，更 理想為成為80℃以上，200℃以下的條件。

在從處理室S2之氣體供給口12到氣體排出口13為止的氣體流通路徑之處理用氣體的流通方向的兩側方的位置，形成有將處理室S2內的氣體從該處理室S2洩漏至氣體回收室S3的氣體洩漏部。具體說明的話，在處理室形成材15之氣體流通路徑的兩側(圖2中上側及下側)之側壁部的上端，與光源單元20的殼體21之下面之間，如圖3所示，形成有間隙G，藉由該間隙G形成氣體洩漏部。

再者，於本實施形態中，已記載形成圖3之間隙G，但是，該間隙G只要是氣體可洩漏者即可，可採取各種形態。例如，在光源單元20的殼體21的下面與處理室形成材15之間，及紫外線透射窗22與處理室形成材15之間形成有些微的間隙亦可。

於氣體回收室形成材50之一側壁部51，形成有將空氣導入至氣體回收室S3內的空氣導入口55。又，於氣體回收室形成材50之另一側壁部52，形成有將氣體吸引至氣體回收室S3內的氣體吸引口56。該氣體吸引口56係連接於對氣體回收室S3進行減壓的減壓手段(省略圖示)。藉由例如鼓風機等的減壓手段，對氣體回收室S3內的氣體進行排氣，可將氣體回收室S3內保持為減壓狀態。

又，於該光照射裝置，設置有測定處理室S2的內壓與氣體回收室S3的內壓的差的差壓計57。

於本發明的光照射裝置中，如以下所述，進行對於被處理物W之紫外線的照射。

首先，於載置台10上之被處理物配置區域配置被處理物W。該被處理物W係因應需要，藉由設置於載置台10的加熱手段加熱。

接下來，藉由氣體清洗手段，對燈管收容室S1供給惰性氣體。藉此，藉由惰性氣體清洗燈管收容室S1內。

又，藉由處理用氣體供給手段，處理用氣體透過氣體供給口12被供給至處理室S2。被供給至處理室S2內的處理用氣體，係透過氣體排出口13從該處理室S2排出。藉此，於處理室S2內，處理用氣體沿著從氣體供給口12朝向氣體排出口13的氣體流通路徑流通。此時，從氣體供給口12供給至處理室S2內之處理用氣體的一部分，係從氣體洩漏部洩漏至氣體回收室S3。

之後，光源單元20之紫外線射出燈25被點燈。然後，來自紫外線射出燈25的真空紫外線，係透過紫外線透射窗22，照射至被處理物W，並且照射至紫外線透射窗22與被處理物W與流通於間隙的處理用氣體。藉此，因為包含於處理用氣體的活性種源分解，產生活性種。結果，藉由到達被處理物W的被處理面的真空紫外線，及藉由真空紫外線所產生的活性種，進行被處理物W的所需要的處理。

於以上內容中，氣體供給口12之氣體量在氣體排出口13之到達度(以下，稱為「氣體量到達度」) 控制為60~95%，理想為63~93%。該氣體量到達度係代表氣體供給口12之氣體量相對之氣體排出口13之氣體量的比例。於圖示之範例的光照射裝置中，可根據藉由流量計42所測定之氣體量，與藉由流量計48所測定之氣體量，確認氣體量到達度。又，氣體量到達度變化的話，氣體排出口之氣體中的特定氣體成分的臭氧的濃度也會變化。因此，也可藉由預先作成氣體量到達度與氣體排出口之氣體中的臭氧的濃度相關之檢量曲線等，根據藉由臭氧濃度計47所測定之臭氧的濃度，來確認氣體量到達度。

在氣體量到達度未滿60%時，處理用氣體難以從氣體流通路徑之上游側區域流通至下游側區域，於該下游側區域中產生的分解氣體會滯留。因此，氣體流通路徑之下游側區域的分解氣體的濃度變高。另一方面，在氣體量到達度超過95%時，於氣體流通路徑的上游區域中產生的分解氣體的全部或大部分會流至下游側區域。因此，氣體流通路徑之下游側區域的分解氣體的濃度變高。

氣體到達度係可藉由改變氣體洩漏部的大小，具體來說，在處理室形成材S2之氣體流通路徑的兩側之側壁部的上端，與光源單元20的殼體21的下面之間，改變間隙的大小，來進行調整。

又，將紫外線透射窗22與被處理物W的間隔距離設為0.1~3mm時，氣體供給口12之氣體量係以被處理物W上之處理氣體流速成為理想為1~100mm/sec，更理想為2~50mm/sec之方式調整。

被處理物W上之處理用氣體的流速(流通於紫外線透射窗22與被處理物W的間隙之處理用氣體的流速)係可如以下所述來求出。

與處理室S2的氣體流通空間之處理用氣體的流通方向垂直之剖面的剖面積C，係與被處理物W上之處理用氣體的流通空間(紫外線透射窗22與被處理物W的間隙)之處理用氣體的流通方向垂直之剖面積C1，和與被處理物W周圍之處理用氣體的流通空間之處理用氣體的流通方向垂直之剖面的剖面積C2之和(C=C1+C2)。

然後，在前述剖面積C1相對之前述剖面積C2的比率(C2/C1×100)為2%以下時，或氣體量到達度為70%以上時，可藉由以下數式(1)來計算(近似)出前述處理用氣體的流速。

數式(1)：V=Q/C

但是，V是被處理物W上之處理用氣體的流速(單位：m/s)，Q是流通於氣體排出口13之處理用氣體的流量(單位：mm³/sec)，C是與處理室S2的氣體流通空間之處理用氣體的流通方向垂直之剖面的剖面積(單位：mm²)。在此，流通於氣體排出口13之處理用氣體的流量，係將供給至處理室S2之處理用氣體的流量乘以氣體量到達度之值。

又，在前述剖面積C1相對之前述剖面積C2的比率(C2/C1×100)超過2%時，或氣體量到達度未滿70%時，例如使用泛用熱流體解析軟體「ANSYS Fluent」(ANSYS 公司製)，進行後述之條件設定，對處理室S2內之處理用氣體的行動進行解析，藉此，可計算出前述處理用氣體的流速。

流通路徑模型：根據載置台10、被處理物W、紫外線透射窗22、紫外線透射窗22與被處理物W的間隙、密封構件等的形狀及配置等來設定處理用氣體的流通路徑模型。

處理用氣體的物理性條件設定：輸入處理用氣體的密度及黏性係數(例如處理用氣體為氧氣的話，密度為1.2999kg/m³，黏性係數為1.92×10^-5Pa．s)。

邊際條件設定：處理用氣體的流入口(氣體供給口12的開口)以(m/s)設定。處理用氣體的流出口(氣體排出口的開口)設為大氣壓面。

又，為了確認處理用氣體的均勻性，以定常計算進行。又，處理用氣體的流速係作為被處理物W的被處理面之上方空間的平均值來求出(近似)。

又，於光照射裝置的動作中，氣體回收室S3的內壓被保持為比處理室S2的內壓還低的壓力為佳。藉此，可將處理室S2內的氣體透過氣體洩漏部，確實地洩漏至氣體回收室S3。具體來說，處理室S2的內壓與氣體回收室S3的內壓的差，為50Pa以上，尤其為100~500Pa為佳。

又，於光照射裝置的動作中，氣體回收室S3的內壓被保持為比大氣壓還低的壓力為佳。藉此，可防止 被氣體回收室S3回收的處理用氣體流出至外部。又，藉由於氣體回收室S3，從空氣導入口55導入空氣，來稀釋回收的處理用氣體，故容易進行處理用氣體中的有害氣體等的處理。具體來說，氣體回收室S3的內壓與大氣壓的差，為30Pa以上，尤其為30~1000Pa為佳。

又，於光照射裝置的動作中，處理室S2的內壓被保持為比燈管收容室S1的內壓還高的壓力為佳。藉此，可防止燈管收容室S1的氣體流入至處理室S2內。具體來說，處理室S2的內壓與燈管收容室S1的內壓的差，為30Pa以上，尤其為30~1000Pa為佳。

依據本發明的光照射裝置，藉由氣體供給口12之氣體量的氣體排出口13之到達度被控制成60~95%，於處理用氣體流通路徑的下游側區域中，抑制活性種源之濃度的降低，並且抑制分解氣體之濃度的上升。因此，可涵蓋被處理物W的被處理面整面均勻地進行處理的光照射裝置。

於本發明的光照射裝置中，並不限定於前述實施形態，可施加各種變更。

例如，設置測定氣體排出口13之氣壓的壓力計來代替臭氧濃度計47亦可。氣體量到達度變化的話，氣體排出口之氣壓也會變化。因此，也可藉由預先作成氣體量到達度與氣體排出口之氣壓相關之檢量曲線等，根據藉由壓力計所測定之氣壓，來確認氣體量到達度的變化。

<實驗例1>

以下，針對為了確認本發明的效果而進行之實驗例進行說明。

遵從圖1~圖3所示之構造，根據後述的規格，製作實驗用的光照射裝置。

〔載置台(10)〕

尺寸：650mm×560mm×20mm

材質：鋁

氣體供給口12的開口尺寸：500mm×5mm

氣體排出口13的開口尺寸：500mm×10mm

〔紫外線射出燈(25)〕

紫外線射出燈的直徑：40mm

紫外線射出燈的發光長度：700mm

輸入電力：500W

紫外線射出燈的數量：5個

〔紫外線透射窗構件22〕

尺寸：550mm×550mm×5mm

材質：合成石英玻璃

〔處理室S2〕

尺寸：600mm×504mm×0.5mm

〔氣體回收室S3〕

尺寸：800mm×700mm×40mm

以後述之條件使光照射裝置動作，測定氣體排出口之表壓(正壓)及臭氧的濃度。於表1揭示結果。

〔動作條件〕

處理用氣體：氧濃度100%

氣體供給口之氣體量：1L/min

氣體排出口之氣體量：如表1

氣體回收室的表壓(負壓)：70Pa

根據表1的結果，可理解氣體量到達度變化的話，氣體排出口之氣壓及臭氧的濃度也會變化。所以，藉由氣體排出口之氣壓或臭氧的濃度，可確認氣體量到達度的變化。

<實驗例2>

使用實驗例1中製作的光照射裝置，對於後述的印刷配線基板材料，以後述的條件進行除膠渣處理。

〔印刷配線基板材料〕

構造：於銅箔上層積絕緣層，於絕緣層形成通孔所成者。

平面的尺寸：500mm×500mm×0.5mm

銅箔的厚度為35μm

絕緣層的厚度：30μm

通孔的直徑：50μm

〔條件〕

處理用氣體：氧濃度100%

照射窗與印刷配線基板的距離：0.5mm

載置台的溫度：120℃

氣體供給口之氣體量：0.3L/min

氣體排出口之氣體量：如表1

氣體排出口側之表壓(正壓)：如表1

真空紫外線的照射時間：200秒鐘

氣體回收室的表壓(負壓)：70Pa

進行光照射處理之後，針對印刷配線基板材料之處理用氣體的流通路徑之上游側端部離開30mm的位置所形成的通孔、形成於中央位置的通孔及從下游側端部離開30mm的位置所形成的通孔個別之底部(銅箔)，藉由X光能量散布分析法(EDX)來進行元素分析，測定碳與銅的比率(以下，稱為「C/Cu比」)。再者，處理前的印刷配線基板材料之各通孔的底部的C/Cu比都為0.80。

然後，根據取得之C/Cu比，藉由以下數式，求出除膠渣處理的均勻度。於表2及圖4揭示結果。

均勻度=(C/Cu比的最大值-C/Cu比的最小值)/(C/Cu比的最大值+C/Cu比的最小值)×100〔%〕

如表2及圖4所示，氣體量到達度為60~95%的話，關於除膠渣處理可確認到良好的均勻度(均勻度為20%以下)。

10‧‧‧載置台

12‧‧‧氣體供給口

13‧‧‧氣體排出口

15‧‧‧處理室形成材

20‧‧‧光源單元

21‧‧‧殼體

22‧‧‧紫外線透射窗

25‧‧‧紫外線射出燈

40‧‧‧處理用氣體供給手段

41‧‧‧氣體管

42‧‧‧流量計

45‧‧‧處理用氣體供給量調整手段

46‧‧‧氣體管

47‧‧‧臭氧濃度計

48‧‧‧流量計

50‧‧‧氣體回收室形成材

51‧‧‧一側壁部

52‧‧‧另一側壁部

55‧‧‧空氣導入口

56‧‧‧氣體吸引口

57‧‧‧差壓計

W‧‧‧被處理物

S1‧‧‧燈管收容室

S2‧‧‧處理室

S3‧‧‧氣體回收室

Claims (8)

1. 一種光照射裝置，係具備被處理物配置於內部的處理室、對於前述被處理物射出真空紫外線的紫外線射出燈、及對前述處理室內供給包含活性種源之處理用氣體的氣體供給手段的光照射裝置，其特徵為：藉由於前述處理室之被處理物配置區域的兩側，設置用以對該處理室供給處理用氣體的氣體供給口及排出該處理室內之氣體的氣體排出口，於該處理室內形成有處理用氣體從該氣體供給口朝向該氣體排出口流通的氣體流通路徑；於前述氣體流通路徑，形成有從前述處理室洩漏氣體的氣體洩漏部；前述氣體供給口之氣體量的前述氣體排出口之到達度被控制成60~95%。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，具有：處理用氣體供給量調整手段，係設定前述氣體供給口之氣體量；及流量計，係測定前述氣體排出口之氣體量。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，具有：處理用氣體供給量調整手段，係設定前述氣體供給口之氣體量；及壓力計，係測定前述氣體排出口之氣體壓力。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，具有：處理用氣體供給量調整手段，係設定前述氣體供給口之氣體量；及氣體濃度測定手段，係測定前述氣體排出口之氣體中的特定氣體成分的濃度。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，前述氣體洩漏部，形成於前述氣體流通路徑之處理用氣體的流通方向的兩側方的位置。
6. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，回收從前述處理室洩漏之氣體的氣體回收室，以包圍該處理室之方式設置。
7. 如申請專利範圍第6項所記載之光照射裝置，其中，於動作中，前述氣體回收室的內壓被保持為比前述處理室的內壓還低的壓力。
8. 如申請專利範圍第7項所記載之光照射裝置，其中，於動作中，前述氣體回收室的內壓被保持為比大氣壓還低的壓力。