TWI584081B - Adjustment device for adjusting device and adjustment method thereof - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 165
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 101150095130 URAD gene Proteins 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B15/00—Optical objectives with means for varying the magnification
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- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Description
本發明涉及一種曝光裝置及曝光方法,尤其是涉及一種曝光裝置的調整裝置及調整方法。
平板顯示技術發展較快,尺寸越來越大。如果使用較大視場的物鏡進行曝光能夠有效地提升產率。然而隨著物鏡光學系統視場的增大,設計及加工製造等各方面的難度都會增加。使用相同的視場且大小適中的物鏡採用一定排列方式將多個視場拼接成所需的大視場,根據所需視場大小來選擇拼接的個數,這樣既實現了大視場要求又降低了光學加工製造難度同時具有很高的相容性和靈活性。
由於使用了多個子物鏡進行拼接,每個子物鏡由於自身的性能及裝配公差等成像位置會與理論位置有偏差。同時由於較大的光罩會因重力產生變形,感光基板表面也會有面型的誤差。因此為了能夠使每個視場都能夠成像在理想位置,每個物鏡單元都有獨自的調整裝置來調整成像視場的位置以保證整個拼接視場的性能。
掃描型曝光裝置有配置多個投影光學系統以使鄰接投影區域在掃描方向進行所定量位移且使鄰接投影區域的各個端部在與掃描方向正交的方向重複,即所謂多透鏡方式的掃描型曝光
裝置(多透鏡掃描型曝光裝置)。多透鏡方式的掃描型曝光裝置是由多個狹縫狀的照明區域來照明光罩、在對該照明區域的排列方向成正交的方向上同步掃描光罩和感光基板、透過與多個照明區域的各個對應設置的該多個投影光學系統將設於光罩的圖案曝光於感光基板上的裝置。
專利JP2005331694A公開了一種曝光裝置,所述焦面調整功能透過直角反射鏡或楔形平板組的平移來實現。直角反射鏡平移調整焦面會同時改變最佳物像面的位置,在焦面調整的同時減小了焦深。楔形平板垂向平移調焦方式改變了兩片楔板間的距離將引起像面Y方向的平移。此平移需要使用平行平板的旋轉來補償。像水準平移使用兩片平行平板分別繞X、Y方向旋轉進行調整。三片半透鏡組組成的無焦光學系統任意一片移動調整倍率,同時引入焦面變化,焦面變化需要調焦系統進行補償。
專利US20020005940公開了一種曝光裝置,所述倍率調整功能透過兩片透鏡組成的無焦光學系統的軸向平移來實現。所述焦面調整功能透過三片透鏡組成的無焦光學系統平移來實現。兩片鏡片無焦光學系統平移調節倍率時會引起焦面變化,同樣的三片透鏡無焦光學系統調節焦面時會引起倍率的變化。焦面和倍率調整裝置需要同時使用配合進行焦面或倍率的調整。
現有的焦面和倍率調整機裝置都是分離的,分別對倍率和焦面進行調節,且調整會引入其他不期望出現的串擾,這些串擾需要使用其他裝置進行補償,因此調整過程較為繁瑣。
本發明的目的在於提供一種同時或分別實現焦面、倍
率和位置調整的調整裝置和調整方法,且調整焦面、倍率和位置的同時不會引入其他變化。
為了達到上述目的,本發明提供了一種調整裝置,為入射光面與出射光面為一對平行平面的光學系統,且置於一曝光裝置中,其特徵在於,所述調整裝置包括至少一個楔形透鏡和多個光學透鏡,用於透過調整至少一對相鄰透鏡的相對位置來調整所述曝光裝置對應視場的焦面、倍率以及位置中的至少一個。
進一步地,所述曝光裝置包括光源、光罩、投影光學系統和感光基板,所述調整裝置置於所述光罩和所述投影光學系統之間或者所述投影光學系統和所述感光基板之間或者所述投影光學系統的內部,所述光源照射所述光罩上的圖案成像,並透過所述調整裝置進行光路調整後,投影曝光於所述感光基板上。
進一步地,所述投影光學系統包括至少一個戴森光學系統,所述戴森光學系統包括直角反射鏡、透鏡和凹面反射鏡。
進一步地,所述調整裝置置於多個戴森光學系統之間或戴森光學系統的直角反射鏡和透鏡之間。
進一步地,所述調整裝置包括:第一楔形透鏡,具有第一斜面,及第一楔角;第一光學透鏡,具有第二斜面及相對的第一彎曲面,所述第二斜面靠近且平行上述第一斜面,具有第一楔角,所述第一彎曲面具有第一曲率半徑;第二光學透鏡,具有第二彎曲面及相對的第三彎曲面,所述第二彎曲面靠近上述第一彎曲面,具有與第一曲率半徑相同或者相近的第二曲率半徑,所述第三彎曲面具有第三曲率半徑;
第三光學透鏡,具有靠近所述第三彎曲面的第四彎曲面,具有與第三曲率半徑相同或者相近的第四曲率半徑。
進一步地,所述調整裝置的第一楔角的角度範圍為0.5°~10°。
進一步地,所述調整裝置的第一曲率半徑、第二曲率半徑、第三曲率半徑和第四曲率半徑的半徑範圍為200mm~2000mm。
進一步地,所述調整裝置包括:第一楔形透鏡,具有第一斜面,及第一楔角;第一光學透鏡,具有第二斜面及相對的第一彎曲面,所述第二斜面靠近且平行上述第一斜面,具有第一楔角,所述第一彎曲面具有第一曲率半徑;第二光學透鏡,具有第二彎曲面及相對的第三彎曲面,所述第二彎曲面靠近上述第一彎曲面,具有與第一曲率半徑相同或者相近的第二曲率半徑,所述第三彎曲面具有第三曲率半徑;第三光學透鏡,具有第四彎曲面及相對的第三斜面,所述第四彎曲面靠近上述第三彎曲面,具有與第三曲率半徑相同或者相近的第四曲率半徑,所述第三斜面與第一斜面平行,具有第二楔角;第二楔形透鏡,具有第四斜面,及第二楔角,所述第四斜面靠近上述第三斜面,且與第一斜面平行。
進一步地,所述調整裝置的第一楔角的角度範圍為0.5°~10°。
本發明還提供了一種應用於調整裝置的調整方法,包括將一種調整裝置置於一曝光裝置中,其特徵在於,所述調整裝置
為入射光面與出射光面為一對平行平面的光學系統,且包括至少一個楔形透鏡和多個光學透鏡,所述調整方法還包括透過調整至少一對相鄰透鏡的相對位置來調整所述曝光裝置對應視場的焦面、倍率、位置中的至少一個。
進一步地,所述調整裝置包括第一楔形透鏡、第一光學透鏡、第二光學透鏡和第三光學透鏡,所述第一楔形透鏡具有第一斜面及第一楔角。
進一步地,所述焦面調整透過沿所述第一斜面方向移動第一楔形透鏡實現。
進一步地,所述倍率調整透過沿光軸方向移動所述第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個實現。
進一步地,所述倍率調整透過沿光軸方向移動所述第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個,同時沿第一斜面方向移動第一楔形透鏡,以實現無焦面變化的倍率調整。
進一步地,所述位置調整為平移及/或旋轉調整,是透過傾斜旋轉整個所述調整裝置,及/或沿光軸方向旋轉第一楔形透鏡實現曝光圖案在感光基板上的圖像位置相對平移及/或旋轉。
進一步地,所述調整裝置還包括第二楔形透鏡,所述第二楔形透鏡具有第四斜面及第二楔角,且平行於第一斜面。
進一步地,所述焦面調整透過沿所述第一斜面方向,相對移動所述第一楔形透鏡或第二楔形透鏡以實現焦面的改變。
進一步地,所述倍率調整透過沿光軸方向移動所述第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個以實
現倍率的改變。
進一步地,所述倍率調整透過沿光軸方向移動所述第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個,同時沿第一斜面方向移動第一楔形透鏡、第二楔形透鏡中的一個或多個以實現無焦面變化的倍率調整。
進一步地,所述位置調整為平移及/或旋轉調整,是透過傾斜旋轉整個所述調整裝置,及/或沿曝光光路光軸旋轉第一楔形透鏡及/或第二楔形透鏡實現曝光圖案在感光基板上的圖像位置相對平移及/或旋轉。
本發明還提供了一種曝光裝置,包括光源、光罩、感光基板和上述的調整裝置,所述光源照射光罩上的圖案成像,並透過所述調整裝置進行光路調整後,投影曝光於所述感光基板上。
與現有技術相比,本發明提供了一組特殊形態的調整裝置,能夠同時或分別實現焦面、倍率和位置的連續調整,且調整焦面、倍率和位置的同時不會引入其他變化。
1‧‧‧光源
2‧‧‧光罩
3‧‧‧調整裝置
4‧‧‧直角反射鏡
5‧‧‧透鏡
6‧‧‧凹面反射鏡
7‧‧‧直角反射鏡
8‧‧‧透鏡
9‧‧‧凹面反射鏡
10‧‧‧戴森光學系統
11‧‧‧戴森光學系統
12‧‧‧感光基板
13‧‧‧楔形透鏡
14‧‧‧光學透鏡
15‧‧‧光學透鏡
16‧‧‧光學透鏡
17‧‧‧楔形透鏡
31‧‧‧光學透鏡
32‧‧‧光學透鏡
33‧‧‧光學透鏡
34‧‧‧楔形透鏡
35‧‧‧光學透鏡
36‧‧‧光學透鏡
37‧‧‧光學透鏡
38‧‧‧楔形透鏡
△X‧‧‧X方向平移量
△Y‧‧‧Y方向平移量
圖1為本發明實施例提供的曝光裝置光學系統概略構成圖;圖2A為本發明實施例一提供的調整裝置的結構示意圖;圖2B為本發明實施例二提供的調整裝置的結構示意圖;圖3A為本發明實施例一提供的調整裝置的焦面調整示意圖;圖3B為本發明實施例二提供的調整裝置的焦面調整示意圖;圖4A為本發明實施例一提供的調整裝置的倍率調整示意圖;圖4B為本發明實施例二提供的調整裝置的倍率調整示意圖;
圖5A為本發明實施例一提供的調整裝置的平移調整示意圖;圖5B為本發明實施例一提供的調整裝置的平移調整示意圖;圖6為本發明實施例三提供的調整裝置的結構示意圖。
下面將結合附圖對本發明的具體實施方式進行更詳細的描述,根據下列描述並結合申請專利範圍,本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是,附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比率,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
如圖1所示的曝光裝置光學系統概略構成圖,本發明提供的曝光裝置包括光源1、光罩2、調整裝置3、戴森光學系統10、戴森光學系統11和感光基板12,所述戴森光學系統10包括直角反射鏡4、透鏡5和凹面反射鏡6,所述戴森光學系統11包括直角反射鏡7、透鏡8和凹面反射鏡9,所述調整裝置3放置在光罩2和直角反射鏡4之間,所述調整裝置3整體是一個兩端(即入射光面與出射光面)為平行平面的無焦光學系統,即所述系統不存在光學焦距,對經過所述系統的光沒有匯聚作用,所述調整裝置3可放置在多個位置,如圖1中未標號的虛線方框為調整裝置3其他可放置的位置,但不限於圖1中所示位置,還可將此調整裝置3放置於所有可能對像場進行調節的光路中。所述光源1照射光罩2上的圖案成像,經調整裝置、戴森光學系統10和11投影曝光於所述感光基板12上。
所述曝光裝置包括至少一個戴森光學系統,在圖1中,曝光裝置包括兩個戴森光學系統,即戴森光學系統10和11,這僅僅用於方便描述該曝光裝置,並不限定戴森光學系統的數量為兩個。且根據實際需求,所述戴森光學系統,可以替換成其他光學系
統。
如圖2A所示,在本實施例中,所述調整裝置3的入射光面341與出射光面312為相互平行的平面,厚度為H1,其包括:第一楔形透鏡34,具有第一斜面342,及第一楔角θ 1;第一光學透鏡33,具有第二斜面331及相對的第一彎曲面332,所述第二斜面331靠近且平行上述第一斜面342,具有第一楔角θ 1,所述第一彎曲面332具有第一曲率半徑R1;第二光學透鏡32,具有第二彎曲面321及相對的第三彎曲面322,所述第二彎曲面321靠近上述第一彎曲面332,具有與第一曲率半徑R1相同或者相近的第二曲率半徑R2,所述第三彎曲面322具有第三曲率半徑R3;第三光學透鏡31,具有靠近所述第三彎曲面322的第四彎曲面311,具有與第三曲率半徑R3相同或者相近的第四曲率半徑R4。
所述調整裝置3的第一曲率半徑R1、第二曲率半徑R2、第三曲率半徑R3和第四曲率半徑R4的半徑範圍為200mm~2000mm。所述調整裝置3的鏡片材料使用紫外高透過率材料。所述調整裝置3的第一楔角θ 1的角度範圍為0.5°~10°。
所述光學透鏡31、32和33為從整圓鏡片或是從整圓鏡片上切割得到的一部分,並且不限於圖2A中所示的曲面彎曲方向。所述調整裝置3在光路中的放置順序可以是從透鏡31到34,也可以從透鏡34到31。所述光學透鏡31和33可以為平凸透鏡也可以為平凹透鏡,所述光學透鏡32可以為雙凸透鏡、雙凹透鏡或彎月透鏡。所
述調整裝置3的楔面方向如圖2A所示。
如圖3A所示,其中,所述楔形透鏡34可沿著斜面方向運動,透過增加或減小楔形透鏡34在光路中的厚度來改變透過調整裝置3的光程,實現焦面的改變。此外,由於所述楔形透鏡34沿斜面運動時光學透鏡33與楔形透鏡34間的空氣間隔均保持不變,因此能夠使焦面調整不引入像水準位置的平移。
使用者可以根據實際需求選擇調整裝置3的放置位置,將所述調整裝置3放置在光罩2與直角反射鏡4之間可以改變最佳光罩位置,將調整裝置3放置在感光基板與直角反射鏡7之間可以改變最佳感光基板位置。
焦面調整的靈敏度與第一斜面342的第一楔角θ 1成正比、與楔形透鏡34使用材料的折射率成正比。透過選擇適當的材料和第一楔角θ 1大小即可根據曝光裝置光學系統對調節範圍和調節精度的不同需求提供合適的焦面調整靈敏度。
如圖4A所示,同時改變光學透鏡31與32間和光學透鏡32與33間的空氣間隔的大小或單獨改變其中任一個空氣間隔的大小就能夠實現光學系統倍率的變化,同時使楔形透鏡34沿斜面方向平移能夠消除空氣間隔變化引起的焦面變化,實現無其他影響的倍率調整。
倍率調整的靈敏度和選擇調整的空氣間隔有關,上述兩個空氣間隔的靈敏度都與相鄰兩片光學透鏡的材料和曲率半徑相關,如圖4A所示,光學透鏡31與32間的空氣間隔靈敏度與光學透鏡31的材料、光學透鏡31的曲率半徑R4、光學透鏡32的材料以及光學透鏡32的曲率半徑R3相關,光學透鏡32與33的空氣間隔靈敏度同
理。設計時可以根據曝光裝置光學系統對調節範圍、調節精度的不同需求選擇合適的材料與曲率半徑組合,這樣可以得到對該光學系統機械和控制等方面最佳的靈敏度。同時針對一個以加工好的調整裝置3可以透過選擇調整不同的空氣間隔來得到不同的靈敏度。設計時可以透過不同曲率半徑和材料的組合將兩個空氣間隔的靈敏度設計得有一定的差異,這樣可以透過選擇調整低靈敏度間隔、高靈敏度間隔和同時調整高低靈敏度間隔來得到不同的調整靈敏度以便不同場景需求中使用。
圖5A和5B為調整裝置3的平移調整示意圖。
由於所述調整裝置3整體相當於一塊平行平板,繞x軸旋轉可以調節像面Y方向平移,繞Y軸旋轉可以調整像X方向的平移。圖5A和5B所示分別為調整裝置3繞Y軸旋轉調整像面X方向平移和繞X軸旋轉調整像面Y向平移。其中,X方向平移的距離為△X,Y向平移的距離為△Y。
平移調整的靈敏度與所述四片透鏡31、32、33和34的材料總體的折射率成正比,同時與所述四片透鏡總的厚度H1成正比。同樣的可以透過材料選擇和透鏡厚度的不同得到不同的靈敏度。
此外,所述調整裝置3還可以實現旋轉調整功能。如圖2A所示,透過沿曝光光路光軸旋轉第一楔形透鏡,實現曝光圖案在感光基板上的圖像位置相對旋轉移動。
下面表1為調整裝置3如圖2A所示結構的一個具體實例的詳細資料。所述調整裝置3的四片透鏡全部由普遍使用的對紫外光有高通過率的熔融石英材料組成。光學透鏡31為曲率半徑
800mm的平凹透鏡,光學透鏡32為靠近光學透鏡31一側曲率半徑800mm及靠近光學透鏡33一側曲率半徑900mm的雙凸透鏡,光學透鏡33曲率半徑為900mm,楔形透鏡34和光學透鏡33靠近楔形透鏡34一側的楔角均為5°,所述調整裝置3的四片透鏡中心厚度分別為15mm、15mm、15mm和10mm,光學透鏡31和32之間的空氣間隔為1.6mm,光學透鏡32和33之間的空氣間隔為1.5mm,光學透鏡33和楔形透鏡34之間的空氣間隔為0.5mm。此外,如表1所示,曲率半徑無限大代表透鏡的一側為平面,四片透鏡相互之間為空氣,曲率半徑和中心厚度的單位均為mm。
所述調整裝置3可以實現焦面調整、倍率調整和平移調整功能。所述楔形裝置34沿著斜面方向運動,透過增加或減小楔形透鏡34在光路中的厚度來改變透過調整裝置3的光程,實現焦面的改變;同時改變光學透鏡31與32間和光學透鏡32與33間的空氣間隔的大小或單獨改變其中任一個空氣間隔的大小就能夠實現光學系統倍率的變化,同時使楔形透鏡34沿斜面方向平移能夠消除空氣間隔變化引起的焦面變化,實現無其他影響的倍率調整;所述調整裝置3整體相當於一塊平行平板,繞X軸旋轉可以調節像面Y方向平
移,繞Y軸旋轉可以調整像X方向的平移。
所述調整裝置3使用表1中的詳細資料。此時,該調整裝置3對焦面的調整靈敏度為28.125nm/um,即楔形透鏡沿5°斜面方向向斜上方運動時,每運動1um將會使焦面縮短28.125nm。這個靈敏度比較低,對機械及控制的要求也很低,這樣可以非常容易實現對焦面的精密控制。
光學透鏡31和32之間的空氣間隔的倍率調整靈敏度為0.57ppm/um,即空氣間隔增加10um,系統倍率將增大5.7ppm。光學透鏡32和33之間的空氣間隔的倍率調整靈敏度為-0.53ppm/um,即空氣間隔增加10um,系統倍率將減小5.3ppm。上述兩個間隔的靈敏度絕對值比較接近的原因是使用了相同的材料並且曲率半徑比較接近。當需要對倍率進行精細調整時可以只改變光學透鏡31和32之間的空氣間隔(光學透鏡31軸向移動);當需要更高的靈敏度時,同時反方向改變上述兩個空氣間隔(光學透鏡32軸向移動),這樣能夠得到11ppm/10um的靈敏度。倍率調整帶來的焦面微量變化可使用楔形透鏡34進行焦面補償調整。
使用表1資料的調整裝置3的像面平移靈敏度為17.6nm/urad,即所述調整裝置3整體繞X軸旋轉1urad,像面會在Y方向上平移17.6nm;同樣的,該調整裝置3繞Y軸旋轉1urad,像面會在X方向上平移17.6nm。
本實施例與實施例一的區別在於,如圖2B所示,在實施例二中,所述調整裝置3的入射光面381與出射光面352為相互平行的平
面,厚度為H2,其包括:第一楔形透鏡38,具有第一斜面382,及第一楔角θ 1;第一光學透鏡37,具有第二斜面371及相對的第一彎曲面372,所述第二斜面372靠近且平行上述第一斜面382,具有第一楔角θ 1,所述第一彎曲面372具有第一曲率半徑R1;第二光學透鏡36,具有第二彎曲面361及相對的第三彎曲面362,所述第二彎曲面361靠近上述第一彎曲面372,具有與第一曲率半徑R1相同或者相近的第二曲率半徑R2,所述第三彎曲面362具有第三曲率半徑R3;第三光學透鏡35,具有靠近所述第三彎曲面362的第四彎曲面351,具有與第三曲率半徑R3相同或者相近的第四曲率半徑R4。
所述調整裝置3的第一曲率半徑R1、第二曲率半徑R2、第三曲率半徑R3和第四曲率半徑R4的半徑範圍為200mm~2000mm。所述調整裝置3的鏡片材料使用紫外高透過率材料。所述調整裝置3的第一楔角θ 1的角度範圍為0.5°~10°。
本實施例中的其餘結構技術特徵均與實施例一中的相同,所述光學透鏡35、36和37為從整圓鏡片或是從整圓鏡片上切割得到的一部分,並且不限於圖2B中所示的曲面彎曲方向。所述調整裝置3在光路中的放置順序可以是從透鏡35到38,也可以從透鏡38到35。所述光學透鏡35和37可以為平凸透鏡也可以為平凹透鏡,所述光學透鏡36可以為雙凸透鏡、雙凹透鏡或彎月透鏡。所述調整裝置3的楔面方向如圖2B所示。
如圖3B所示的調整裝置3,其焦面調整的操作方式與圖3A的一致,如圖4B所示的調整裝置3,其倍率調整的操作方式與
圖4A的一致,請參考圖3A和圖4A的操作方式,在此不再贅述。
圖5A和5B為實施例一中調整裝置3的平移調整示意圖,在實施例二中,調整裝置3的平移調整示意圖也為圖5A和5B。
由於所述調整裝置3整體相當於一塊平行平板,繞X軸旋轉可以調節像面Y方向平移,繞Y軸旋轉可以調整像X方向的平移。圖5A和5B所示分別為調整裝置3繞Y軸旋轉調整像面X方向平移和繞X軸旋轉調整像面Y向平移。其中,X方向平移的距離為△X,Y向平移的距離為△Y。
平移調整的靈敏度與所述四片透鏡35、36、37和38的材料總體的折射率成正比,同時與所述四片透鏡總的厚度H2成正比。同樣的可以透過材料選擇和透鏡厚度的不同得到不同的靈敏度。
此外,所述調整裝置3還可以實現旋轉調整功能。如圖2B所示,透過沿曝光光路光軸旋轉第一楔形透鏡,實現曝光圖案在感光基板上的圖像位置相對旋轉移動。
本實施例與實施例一/二的區別在於,如圖6所示,在實施例三中,所述調整裝置3的入射光面171與出射光面132為相互平行的平面,厚度為H3,包括:第一楔形透鏡17,具有第一斜面172,及第一楔角θ 1;第一光學透鏡16,具有第二斜面161及相對的第一彎曲面162,所述第二斜面161靠近且平行上述第一斜面172,具有楔角θ 1,所述第一彎曲面162具有第一曲率半徑R1;
第二光學透鏡15,具有第二彎曲面151及相對的第三彎曲面152,所述第二彎曲面152靠近上述第一彎曲面162,具有與第一曲率半徑R1相同或者相近的第二曲率半徑R2,所述第三彎曲面152具有第三曲率半徑R3;第三光學透鏡14,具有第四彎曲面141及相對的第三斜面142,所述第四彎曲面141靠近上述第三彎曲面152,具有與第三曲率半徑R3相同或者相近的第四曲率半徑R4,所述第三斜面142與第一斜面172平行,具有第二楔角θ 2;第二楔形透鏡13,具有第四斜面131,及第二楔角θ 2,所述第四斜面131靠近上述第三斜面142,且與第一斜面172平行。
所述調整裝置3除實現如圖2A、2B所述調整裝置3的焦面、倍率和平移調整功能外,第一楔形透鏡17或第二楔形透鏡13中的任一片用於焦面調節,另外一片繞光軸旋轉,可以調整像面水準方向旋轉。
本實施例中的其餘結構技術特徵均與實施例一/二中的相同,故在此不再贅述。
上述實施例一、實施例二和實施例三的焦面調整、倍率調整和平移調整功能可以同時使用也可以單獨使用。
綜上,本發明提供了一組特殊形態的調整裝置,能夠同時或分別實現焦面、倍率和平移的連續調整,且調整焦面、倍率和平移的同時不會引入其他變化,所述其他變化包括焦面調整引起的像面平移變化和倍率調整引起的焦面變化。
上述僅為本發明的較佳實施例而已,並不對本發明起到任何限制作用。任何所屬技術領域的技術人員,在不脫離本發明
的技術方案的範圍內,對本發明揭露的技術方案和技術內容做任何形式的等同替換或修改等變動,均屬未脫離本發明的技術方案的內容,仍屬於本發明的保護範圍之內。
1‧‧‧光源
2‧‧‧光罩
3‧‧‧調整裝置
4‧‧‧直角反射鏡
5‧‧‧透鏡
6‧‧‧凹面反射鏡
7‧‧‧直角反射鏡
8‧‧‧透鏡
9‧‧‧凹面反射鏡
10‧‧‧戴森光學系統
11‧‧‧戴森光學系統
12‧‧‧感光基板
Claims (20)
- 一種調整裝置,為入射光面與出射光面為一對平行平面的光學系統,且置於一曝光裝置中,該調整裝置包括至少一個楔形透鏡和多個光學透鏡,用於透過調整至少一對相鄰透鏡的相對位置來調整該曝光裝置對應視場的焦面、倍率以及位置中的至少一個,其中,該調整裝置包括:第一楔形透鏡,具有第一斜面,及第一楔角;第一光學透鏡,具有第二斜面及相對的第一彎曲面,該第二斜面靠近且平行上述第一斜面,具有第一楔角,該第一彎曲面具有第一曲率半徑;第二光學透鏡,具有第二彎曲面及相對的第三彎曲面,該第二彎曲面靠近上述第一彎曲面,具有與第一曲率半徑相同或者相近的第二曲率半徑,該第三彎曲面具有第三曲率半徑;第三光學透鏡,具有靠近該第三彎曲面的第四彎曲面,具有與第三曲率半徑相同或者相近的第四曲率半徑。
- 如請求項1之調整裝置,其中,該曝光裝置包括光源、光罩、投影光學系統和感光基板,該調整裝置置於該光罩和該投影光學系統之間或者該投影光學系統和該感光基板之間或者該投影光學系統的內部,該光源照射該光罩上的圖案成像,並透過該調整裝置進行光路調整後,投影曝光於該感光基板上。
- 如請求項2之調整裝置,其中,該投影光學系統包括至少一個戴森光學系統,該戴森光學系統包括直角反射鏡、透鏡和凹面反射鏡。
- 如請求項3之調整裝置,其中,該調整裝置置於多個戴森光學 系統之間或戴森光學系統的直角反射鏡和透鏡之間。
- 如請求項1之調整裝置,其中,該調整裝置的第一楔角的角度範圍為0.5°~10°。
- 如請求項1之調整裝置,其中,該調整裝置的第一曲率半徑、第二曲率半徑、第三曲率半徑和第四曲率半徑的半徑範圍為200mm~2000mm。
- 如請求項1之調整裝置,其中,該第三光學透鏡還具有與第四彎曲面相對的第三斜面,該第三斜面與第一斜面平行,具有第二楔角;以及該調整裝置還包括第二楔形透鏡,具有第四斜面,及第二楔角,該第四斜面靠近上述第三斜面,且與第一斜面平行。
- 如請求項7之調整裝置,其中,該調整裝置的第一楔角及第二楔角的角度範圍為0.5°~10°。
- 如請求項7之調整裝置,其中,該調整裝置的第一曲率半徑、第二曲率半徑、第三曲率半徑和第四曲率半徑的半徑範圍為200mm~2000mm。
- 一種調整方法,包括將如請求項1至6中任一項的調整裝置置於一曝光裝置中,以及透過調整至少一對相鄰透鏡的相對位置來調整該曝光裝置對應視場的焦面、倍率、位置中的至少一個。
- 如請求項10之調整方法,其中,該焦面調整透過沿該第一斜面方向移動第一楔形透鏡實現。
- 如請求項10之調整方法,其中,該倍率調整透過沿光軸方向移動該第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個實現。
- 如請求項10之調整方法,其中,該倍率調整透過沿光軸方向移動該第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個,同時沿第一斜面方向移動第一楔形透鏡,以實現無焦面變化的倍率調整。
- 如請求項10之調整方法,其中,該位置調整為平移及/或旋轉調整,是透過傾斜旋轉整個該調整裝置及/或沿光軸方向旋轉第一楔形透鏡實現曝光圖案在感光基板上的圖像位置相對平移及/或旋轉。
- 如請求項10之調整方法,其中,該調整裝置還包括第二楔形透鏡,該第二楔形透鏡具有第四斜面及第二楔角,且平行於第一斜面。
- 如請求項15之調整方法,其中,該焦面調整透過沿該第一斜面方向,相對移動該第一楔形透鏡或第二楔形透鏡以實現焦面的改變。
- 如請求項15之調整方法,其中,該倍率調整透過沿光軸方向移動該第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個以實現倍率的改變。
- 如請求項15之調整方法,其中,該倍率調整透過沿光軸方向移動該第一光學透鏡、第二光學透鏡,及第三光學透鏡中的一個或多個,同時沿第一斜面方向移動第一楔形透鏡、第二楔形透鏡中的一個或多個以實現無焦面變化的倍率調整。
- 如請求項15之調整方法,其中,該位置調整為平移及/或旋轉調整,是透過傾斜旋轉整個該調整裝置及/或沿曝光光路光軸旋轉第一楔形透鏡及/或第二楔形透鏡實現曝光圖案在感光基板上的圖像位置相對平移及/或旋轉。
- 一種曝光裝置,該曝光裝置包括光源、光罩、感光基板和請求項1至9中任一項之調整裝置,該光源照射光罩上的圖案成像,並透過該調整裝置進行光路調整後,投影曝光於該感光基板上。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410597382.0A CN105549327B (zh) | 2014-10-29 | 2014-10-29 | 曝光装置的调整装置及调整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201627775A TW201627775A (zh) | 2016-08-01 |
| TWI584081B true TWI584081B (zh) | 2017-05-21 |
Family
ID=55828596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104135434A TWI584081B (zh) | 2014-10-29 | 2015-10-28 | Adjustment device for adjusting device and adjustment method thereof |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10197919B2 (zh) |
| JP (1) | JP6649951B2 (zh) |
| KR (1) | KR101985331B1 (zh) |
| CN (1) | CN105549327B (zh) |
| TW (1) | TWI584081B (zh) |
| WO (1) | WO2016066076A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106292188B (zh) * | 2015-05-24 | 2019-01-18 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 曝光装置 |
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| US11175487B2 (en) | 2017-06-19 | 2021-11-16 | Suss Microtec Photonic Systems Inc. | Optical distortion reduction in projection systems |
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2014
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-
2015
- 2015-10-27 WO PCT/CN2015/092900 patent/WO2016066076A1/zh not_active Ceased
- 2015-10-27 JP JP2017522667A patent/JP6649951B2/ja active Active
- 2015-10-27 KR KR1020177014355A patent/KR101985331B1/ko active Active
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| Publication number | Publication date |
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| KR101985331B1 (ko) | 2019-06-03 |
| TW201627775A (zh) | 2016-08-01 |
| US10197919B2 (en) | 2019-02-05 |
| WO2016066076A1 (zh) | 2016-05-06 |
| JP2017534918A (ja) | 2017-11-24 |
| US20170322493A1 (en) | 2017-11-09 |
| CN105549327A (zh) | 2016-05-04 |
| KR20170077190A (ko) | 2017-07-05 |
| JP6649951B2 (ja) | 2020-02-19 |
| CN105549327B (zh) | 2018-03-02 |
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