[go: up one dir, main page]

TWI583262B - 驅動器雷射配置、ｅｕｖ輻射產生設備及用於放大脈衝雷射輻射的方法 - Google Patents

驅動器雷射配置、ｅｕｖ輻射產生設備及用於放大脈衝雷射輻射的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI583262B
TWI583262B TW104122612A TW104122612A TWI583262B TW I583262 B TWI583262 B TW I583262B TW 104122612 A TW104122612 A TW 104122612A TW 104122612 A TW104122612 A TW 104122612A TW I583262 B TWI583262 B TW I583262B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser
pulse
frequency
laser radiation
gain
Prior art date
Application number
TW104122612A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201611664A (zh
Inventor
裘奇 夏茲
古瑟 克勞斯
馬修斯 威瑟特
Original Assignee
創浦半導體製造雷射系統公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 創浦半導體製造雷射系統公司 filed Critical 創浦半導體製造雷射系統公司
Publication of TW201611664A publication Critical patent/TW201611664A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI583262B publication Critical patent/TWI583262B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10023—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors
    • H01S3/1003—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors tunable optical elements, e.g. acousto-optic filters, tunable gratings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10015—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by monitoring or controlling, e.g. attenuating, the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10038—Amplitude control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316—Cascaded amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2383—Parallel arrangements
    • H01S3/2391—Parallel arrangements emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • H05G2/0086—Optical arrangements for conveying the laser beam to the plasma generation location
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0078—Frequency filtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

驅動器雷射配置、EUV輻射產生設備及用於放大脈衝雷射輻射的方法
本發明係關於一種用於一EUV輻射產生設備之驅動器雷射配置，該驅動器雷射配置包括：一束源，其用於產生具有一雷射頻率之脈衝雷射輻射；及一放大器配置，其具有用於放大該脈衝雷射輻射之至少一個光學放大器。本發明亦係關於一種包括此一驅動器雷射配置之EUV輻射產生設備及一種用於在一EUV輻射產生設備之一驅動器雷射配置中放大脈衝雷射輻射之方法。
藉由實例之方式，在US 2009/0095925 A1中揭示一EUV光源之一驅動器雷射配置。其中所闡述之驅動器雷射配置包括用於產生脈衝雷射輻射之一束源及用於放大該脈衝雷射輻射之一或多個光學放大器。驅動器雷射配置之束源用以產生所謂的種子脈衝，該等種子脈衝在該光學放大器或該等光學放大器中經放大至數kW(可能10kW或更多)之高雷射功率。由驅動器雷射配置放大之雷射輻射經由一束導引裝置饋送至一聚焦裝置，該聚焦裝置將雷射輻射或雷射束聚焦於一目標區域中。一目標材料提供於目標區域中，該目標材料在被雷射束照射時轉變成一電漿相且在過程中發射EUV輻射。
在上文所闡述之驅動器雷射配置中，一預脈衝及在一短時間週 期之後連續跟隨之一主脈衝通常由束源產生且聚焦於具有目標材料之目標區域上。預脈衝意欲用以影響目標材料以使目標材料(舉例而言)加熱、膨脹、汽化或離子化及/或產生一弱電漿或可能一強電漿。主脈衝意欲用以將受預脈衝影響之大部分材料轉換成電漿相且在過程中產生EUV輻射。預脈衝通常具有比主脈衝顯著低之雷射功率。在US 2009/0095925 A1之驅動器雷射配置中，相同雷射波長用於預脈衝及主脈衝。然而，亦可能將不同波長用於預脈衝及主脈衝，如在WO 2011/162903 A1中所闡述，其中一種子雷射用以產生預脈衝且具有一不同波長之又一種子雷射用以產生主脈衝，該等脈衝藉助於一束組合器組合以便沿著一共同束路徑穿過一或多個放大器及跟隨在驅動器雷射配置之後的束導引裝置。
在上文所闡述之驅動器雷射配置中，(舉例而言)可在(例如)可以錫滴之形式呈現之目標材料處存在經放大雷射輻射之一反射。產生於此一小滴處之向後反射返回至該光學放大器或該等光學放大器中且穿過存在於彼處之增益介質，且因此向後反射亦在該光學放大器或該等光學放大器中經放大。在於光學放大器之增益介質中進行放大之後，即使一弱向後反射亦可足以產生可損壞光學放大器中或光學放大器上游之束路徑中之光學組件或可能機械組件之功率。
為了抑制向後反射之雷射輻射，已知使用使雷射輻射僅沿一個方向通過且亦由於此性質而被稱為光學二極體之所謂的光學隔離器。藉由實例之方式，此等光學隔離器可配置於一束源與一光學放大器之間或者兩個光學放大器之間。藉由實例之方式，DE 41 27 407 A1揭示將一個光學二極體分別地應用於一注入型種子雷射與一共振器之間及一共振器與一放大器之間的實踐。
在上文所闡述之驅動器雷射配置中，可在放大期間產生500W及更多、1kW及更多以及甚至10kW及更多之高雷射功率。此等高雷射 功率之情形中之一問題係：習用光學隔離器中所使用之光學組件可導致強熱誘發像差(特定而言像散)且此外有可能會被雷射輻射損壞。此外，存在一問題係：光學隔離器通常不能夠完全地抑制沿不期望方向傳播之雷射輻射，且因此可能地即使使用一光學隔離器，在高雷射功率之情形中之未經抑制功率分量仍係如此大的以致於儘管使用光學隔離器仍會產生返回的雷射輻射。在當前申請案中使此情況複雜化的係：出於設計原因，基於偏光器或移相器之原理之光學二極體僅可抑制具有一特定相位跳躍或具有一特定相位移位(例如180°)之雷射輻射。在一小滴處之反射之情形中，可能無法滿足此相位跳躍或此相位移位之值，且因此亦出於此原因，光學二極體無法完全地抑制在小滴處反射之雷射輻射。
本發明之目標
本發明係基於以下目標：提供一種用於一EUV輻射產生設備之驅動器雷射配置、一種EUV輻射產生設備及一種用於放大雷射輻射之方法，其中有效地抑制返回的雷射輻射。
本發明之標的物
此目標係藉由一種介紹中所陳述之類型之驅動器雷射配置而達成，該驅動器雷射配置包括：至少一個頻率移位裝置，其用於產生雷射輻射之雷射頻率相對於至少一個光學放大器之一頻率相依增益之一最大頻率之一頻率移位；且其包括：一控制裝置，其經實現或經程式化以按使得針對該雷射輻射(精確而言，針對該雷射輻射之功率)的該光學放大器之該頻率相依增益減小至該光學放大器之一最大增益之90%以下、較佳地70%以下、尤其較佳地50%以下之一方式設定該頻率移位。若複數個光學放大器在該驅動器雷射配置中串聯地連接，則該等光學放大器中之至少一者處之該增益減小至該光學放大器之該最大增益之90%以下、70%以下或50%以下。
在此應用之意義內，一光學放大器之術語「增益」被理解為意指所謂的小信號增益，更精確而言，意指小信號增益之增益係數。在小信號增益中並未考慮飽和效應。在(例如)一CO2氣體雷射或放大器之情形中，光學放大器具有一頻率相依小信號增益或可實質上對應於一洛仁子(Lorentzian)量變曲線之一頻率相依增益量變曲線。增益量變曲線具有在一最大頻率fM下之一(小信號)增益最大值VMAX。根據雷射理論，以下內容適用於(未經正規化)最大增益VMAX，亦即，適用於小信號增益之增益係數：VMAX=C2/(8πfM 2△B)(N2-N1)1/τsp，其中△B表示頻率相依放大器量變曲線之半峰全幅值或放大器頻寬，N2及N1分別地表示上能量級及下能量級之佔用密度，且τsp表示上能量級之平均壽命。(小信號)增益VMAX具有1/長度之單位，例如cm-1。若不考慮飽和，則沿著放大器路徑x進入具有頻率fM及強度I0之放大器之雷射輻射之強度I(x)藉由方程式I(x)=I0exp(VMAX x)而給出。
原則上，光學放大器應藉助於最大可能增益而放大進入的雷射輻射。因此，經輻射至光學放大器中之雷射輻射之雷射頻率通常對應於光學放大器之最大頻率fM。在此處所闡述的一驅動器雷射配置中之一或多個光學放大器之使用中，已發現若相對於最大可能增益而減小針對雷射輻射(至少針對一第一脈衝，亦即所謂的預脈衝)之增益，則係有利的。預脈衝及跟隨在預脈衝之後之主脈衝在其間具有一短暫時間間隔之情況下連續地經輻射至目標材料上。該兩個脈衝共線(但具有一輕微時間偏移)地穿過至少一個光學放大器。預脈衝相對於主脈衝應具有一較低功率。在已知的解決方案中，為了減小第一脈衝之雷射功率，在產生預脈衝時減小束源之雷射功率。
替代在到達至少一個光學放大器之前減小第一脈衝之雷射功率，根據本發明提議在該光學放大器或該等光學放大器中產生第一脈 衝之功率之減小。此係有利的，此乃因(如上文所呈現)第一脈衝之雷射輻射之一部分在目標材料處向後經反射至穿過該光學放大器或該等光學放大器之束路徑中，可能經放大至損壞功率且向後經耦合至束源中。在光學放大器中，藉助於當前可用增益而放大第一脈衝之雷射輻射之向後反射或向後反射分量。尤其在預脈衝之情形中，就減小耦合至光學放大器中的束源之雷射功率而言，對返回的雷射輻射之放大係有問題的，如已知解決方案中之情形。在此情形中，作為耦合輸入雷射輻射之低功率之結果，相當大的「功率」或一高佔用反轉仍存在於增益介質中，其在向後穿過光學放大器時被預脈衝之向後反射使用，且該向後反射經歷一顯著增益。
主脈衝僅在預脈衝之向後反射之後穿過該光學放大器或該等光學放大器。該光學放大器或該等光學放大器中可用之大多數功率在放大主脈衝時被使用，且因此在光學放大器中主脈衝之向後反射僅經歷相對低增益。
藉由在該光學放大器或該等光學放大器中減小第一脈衝之增益，將目標材料處所向後反射之第一脈衝之一部分之增益減小至一對應程度，且因此當向後穿過放大器配置時第一脈衝之向後反射部分之功率係較小的。由於向後反射之經減小雷射功率，因此可將一或多個光學二極體可能地配置於光學放大器之間的束路徑中或(第一)光學放大器上游之束路徑中，以便抑制雷射輻射之經向後反射部分。用於抑制由目標材料向後反射之雷射輻射之光學二極體之使用可在其他方面係有問題的，此乃因光學二極體易被破壞且僅可用於低雷射功率。
在一項實施例中，束源經實現以產生脈衝雷射輻射之一第一脈衝及在時間上跟隨在該第一脈衝之後的一第二脈衝，且控制裝置經實現以將針對第一脈衝的光學放大器之增益減小至針對該第一脈衝的光學放大器之最大(小信號)增益之90%以下、較佳地70%以下、尤其較 佳地50%以下。如上文所闡述，在放大之結束處第一脈衝應具有比第二脈衝低之能量。由於向後反射之問題，因此若藉由在至少一個光學放大器中減小第一脈衝之增益而引起第一脈衝之較低功率或能量，則係有利的。可在放大器配置之一單個光學放大器中減小增益；然而，若在放大器配置之兩個或兩個以上光學放大器中減小增益，則可為更有利的。由於向後反射之經減小增益，因此已發現藉由減小針對第一脈衝的放大器配置之光學增益來相對於經放大第二脈衝之雷射功率減小該經放大第一脈衝之雷射功率係有利的。控制裝置或驅動器雷射配置可經實現以藉助於最大增益而放大第二脈衝，亦即，第二脈衝之雷射頻率通常對應於該光學放大器或該等光學放大器之最大頻率。
在一有利實施例中，頻率移位裝置具有至少一個聲光調變器。亦被稱為一佈雷格胞之一聲光調變器使得以一簡單方式將一雷射束之頻率移位變得可能。為此，通常藉助於音波而在一透明固體中產生一光柵，其中光束在該光柵處繞射且其頻率由於產生晶格之音波之移動而被修改。雷射輻射之頻率移位通常對應於音波之調變頻率或激發頻率，或與其成比例。
在一項開發中，聲光調變器經實現以按至少40MHz、較佳地至少80MHz之一調變頻率操作。如上文所闡述，調變頻率通常對應於雷射輻射(在繞射為+/-1階繞射之情形中)之頻率移位。作為光學放大器之增益之相當寬的光譜之一結果，若頻率移位(且因此聲光調變器之調變頻率)儘可能大，則係有利的。若複數個光學放大器存在於放大器配置中，則產生一頻率移位之一個聲光調變器可分別地存在於兩個或兩個以上光學放大器中。在此情形中，聲光調變器可以使得其沿相同方向導致一頻率移位(亦即，將各別聲光調變器之頻率移位相加)之一方式而實現或配置。然而，由於放大器配置之輸出處之高雷射功率，因此此一配置可為有問題的。亦可能在第一光學放大器上游之束 路徑中配置一個、兩個或兩個以上光學調變器。若束源具有用於產生預脈衝之一第一雷射源及用於產生主脈衝之一第二雷射源(該等雷射源之束路徑藉由該光學放大器或該等光學放大器而組合)，則可將至少一個聲光調變器配置於(特定而言)第一雷射源之束路徑中。
在又一開發中，聲光調變器經實現以將雷射輻射繞射為至少二階繞射，亦即，將人射雷射輻射繞射為二階(+2階或-2階)繞射。以此方式，頻率移位可針對一給定調變頻率而增加。
在又一實施例中，束源具有一頻率移位裝置。在此情形中，此係關於一束源，該束源之雷射波長或雷射頻率係可調諧的或可切換的。控制裝置致動頻率移位裝置以便在第一脈衝之雷射頻率與最大頻率之間引起一頻率移位，因此以便減小第一脈衝之功率。在產生第一脈衝之後，控制裝置藉助於頻率移位裝置而修改雷射頻率，使得束源產生具有通常對應於光學放大器之最大頻率之一雷射頻率之一第二脈衝。
藉由實例之方式，其中存在(例如)由一固態雷射產生之雷射輻射之一頻率轉換之一光學參數振盪器可充當用於調諧束源之雷射波長之一頻率移位裝置。另一選擇係，亦可能在束源中使用兩個不同雷射頻率或雷射波長來產生雷射輻射。藉由實例之方式，一CO2雷射源可用來以10.6μm之一雷射波長產生主脈衝且其可能地可使用CO2雷射氣體之吸收光譜中之一不同線(舉例而言，處於介於10.1μm與10.35μm之間的區間中之一波長處之一線)來產生預脈衝。視情況地，亦可能在束源中提供兩個雷射源，該等雷射源以不同雷射波長產生雷射輻射，舉例而言具有10.6μm之一波長之一第一CO2雷射源及具有介於10.1μm與10.35μm之間的特定範圍內之一波長之一第二CO2雷射源。在此情形中，頻率移位裝置亦可為一切換裝置，該切換裝置出於產生預脈衝或主脈衝之目的而引起吸收光譜中之不同雷射線之激發，或出於產 生預脈衝及主脈衝之目的而在兩個不同雷射源(具有一固定雷射頻率)之間切換，該等雷射源中之一者(其雷射頻率並不對應於最大頻率)充當頻率移位裝置。特定而言，當利用兩個雷射源時，可將頻率移位裝置(舉例而言，呈聲光調變器之形式)配置於產生預脈衝之彼雷射源之束路徑中，使得由產生主脈衝之雷射源發射之雷射輻射之雷射頻率並不經歷一頻率移位。
在又一實施例中，光學放大器具有針對雷射輻射之一(小信號)增益與400MHz或更多之一放大器頻寬。此處，小信號放大器頻寬理解為意指其中光學放大器之最大(功率)增益已降低至50%(「半峰全幅值」)之頻寬。若光學放大器用以放大經實現為一CO2雷射器之一雷射源之雷射輻射，則其可(舉例而言)包括CO2作為雷射氣體。光學放大器之放大器頻寬取決於溫度、壓力及雷射氣體之組合物。對於本申請案而言，可做出此等參數係已知的之假定。由如(例如)一CO2雷射器之一束源發射之雷射輻射之頻寬具有由雷射共振器預定之一顯著較小頻寬或線寬，且因此增益之一減小可由一頻率移位產生。
本發明之又一態樣係關於一種EUV輻射產生設備，其包括：如上文所闡述之一驅動器雷射配置；一真空室，其中一目標材料可配置於一目標位置處；及一束導引裝置，其用於將脈衝雷射輻射自該驅動器雷射配置朝向該目標位置導引。如上文所闡述，通常將具有一較低雷射功率之一預脈衝及在時間上不久之後的具有一較高雷射功率之一主脈衝導引至目標材料(舉例而言，呈錫滴之形式)以便將其改變為一電漿相。
本發明亦係關於一種用於在一EUV輻射產生設備之一驅動器雷射配置中放大脈衝雷射輻射之方法，其包括：在至少一個光學放大器中放大脈衝雷射輻射，其中當放大該雷射輻射時，相對於該光學放大器之一頻率相依增益之一最大頻率而產生該雷射輻射之一雷射頻率之一 頻率移位，使得針對該雷射輻射的該光學放大器之小信號增益減小至該光學放大器之一最大增益之90%以下、較佳地70%以下、尤其較佳地50%以下。在此方法中，相對於該光學放大器之該最大頻率而使雷射頻率移位達使得與經移位頻率相關聯的該光學放大器之該增益降低至該光學放大器之該最大增益之90%以下或70%以下或視情況地50%以下之程度。
在該方法之一個變體中，脈衝雷射輻射包括一第一脈衝及在時間上跟隨在該第一脈衝之後的一第二脈衝，其中第一脈衝藉由光學放大器之增益處於該光學放大器之最大增益之90%以下、較佳地70%以下、尤其較佳地50%以下。如上文所圖解說明，由於向後反射，因此藉由在放大器配置中減小預脈衝之增益而產生預脈衝之經減小功率係有利的。相比之下，可藉助於該光學放大器或該等光學放大器之最大增益而放大第二脈衝，亦即，第二脈衝之雷射頻率通常對應於該光學放大器或該等光學放大器之最大頻率。
本發明亦係關於一種電腦程式產品，其包括經調適以在電腦程式於一資料處理系統上運行時執行如上文所闡述之方法之所有步驟之程式碼構件。藉由實例之方式，該資料處理系統可為上文所進一步闡述之控制裝置，該控制裝置以一適合方式對頻率移位裝置起作用。
在該等圖式之以下闡述中，相同元件符號用於等效形式或功能上等效之組件。
圖1a非常示意性地展示包括一束源2之一EUV輻射產生設備1、具有三個光學放大器4a、4b、4c或放大器級之一放大器配置3、並未以任何更多細節繪示之一束導引裝置5及一聚焦透鏡6。聚焦透鏡6用以將由束源2產生且由放大器配置3放大之雷射輻射7(呈一脈衝雷射束之形式)聚焦於一目標材料8已經引進於其處之一目標區域或一目標位置T處。當被雷射束7照射時，目標材料8轉換為一電漿相且其在過程中發射EUV輻射，該EUV輻射藉助於一聚光器鏡9而聚焦。
在圖1中所展示之實例中，聚光器鏡9具有用於雷射束7之通過之一開口且聚焦透鏡6將一真空室10(目標材料8配置於其中)與束導引裝置5分離。在所展示之實例中，束源2包括一CO2雷射器以便產生一第一脈衝11a(預脈衝)且此後不久產生一第二脈衝11b(主脈衝)，該等脈衝在放大器配置3中一起經放大且經聚焦至目標材料8上或聚焦至目標位置T之區域中。束源2與放大器配置3一起形成EUV輻射產生設備1之一驅動器雷射配置12。
在呈一CO2雷射器之形式之一束源2之所展示之實例中，由束源2產生之雷射輻射7之波長λL係恆定的且處於大約10.6μm。已知關係f=c/λ(其中f表示頻率，λ表示波長且c表示真空中之光速)應用於雷射輻射7之波長λL與雷射輻射7之頻率fL之間。10.6μm之雷射波長λL對應於大約21THz之一雷射頻率fL。如在圖1a中可基於脈衝高度所識別，脈 衝11a、11b兩者皆由束源2以相同功率產生且在放大器配置3之三個光學放大器4a至4c中經放大達一不同程度，使得在放大器配置3之輸出處經放大第一脈衝11a具有比經放大第二脈衝11b低之一雷射功率。針對第一脈衝11a的放大器配置3之增益可(例如)處於針對第二脈衝11b的放大器配置3之增益之90%以下、較佳地70%以下。此係有利的，此乃因第一脈衝11a意欲以比第二脈衝11b低之一功率衝擊於目標材料8上。
放大器配置3中之兩個脈衝11a、11b之不同增益藉由相對於一各別光學放大器4a至4c中之第二脈衝11b之增益而減小一各別光學放大器4a至4c中之第一脈衝11a之增益來達成。為了達成此，在所展示之實例中，呈一聲光調變器13a至13c之形式之一頻率移位裝置(其功能性將在下文中基於圖2及圖3而闡述)配置於三個光學放大器4a至4c中之每一者處。
圖2展示一聲光調變器13，其包括一超音波傳輸器15、一超音波吸收器16及配置於該兩者之間且對雷射波長λL透明的(舉例而言)由鍺製成之一固態晶體18。超音波傳輸器15產生引起密度上之一週期性改變之一音波，且因此固態晶體18之折射率之一週期性調變(亦即，音波)充當一光柵17。相長干擾以布拉格角度θm發生於光柵17處，下式適用於此：sin(θm)=m λL/2Λ，其中Λ表示由超音波或超音波之波長形成之光柵17之光柵週期，且m=...、-2、-1、0、+1、+2、...表示繞射階，其中m=+1階繞射及m=+2階繞射以一例示性方式展示於圖2中。超音波之調變頻率fMOD藉由方程式Λ=cF/fMOD而與晶格週期Λ相關，其中cF表示固態晶體18中之音速。當雷射束7繞射為1階繞射時，其經歷對應於聲光調變器13之激發頻率fMOD之一都蔔勒(Doppler)頻率移位△f。在所展示之實例 中，聲光調變器13經組態以按至少40MHz、較佳地至少80MHz之一調變頻率fMOD操作。
雷射輻射7在聲光調變器13中之頻率移位△f可用以減小雷射輻射7之第一脈衝11a在一各別光學放大器4a至4c中之增益。圖3展示經正規化為一(亦即，光學放大器4a至4c之最大增益VMAX係VMAX=1.0)的一各別光學放大器4a至4c之頻率相依小信號放大19或放大量變曲線。可包括(例如)一雷射氣體(CO2)作為放大器介質之光學放大器4a至4c之頻率相依增益19具有假定一最大頻率fM處之最大增益VMAX之一洛仁子量變曲線，該最大頻率fM與待經放大之雷射輻射7之雷射頻率fL匹配，亦即，fM=fL適用。在圖3中，最大頻率fM經正規化為零但對應於由束源2產生之雷射輻射7之雷射頻率fL，亦即，fM=21THz適用。
由聲光調變器13或13a至13c產生雷射頻率fL之大約130MHz之一頻率移位△f，且因此雷射輻射7以一經移位雷射頻率fL’進入光學放大器4a至4c且針對具有該經移位雷射頻率fL’之雷射輻射7而引起光學放大器4a至4c中之小信號增益。在所展示之實例中，具有經移位雷射頻率fL’之雷射輻射7由具有一較小增益VRED之光學放大器4a至4c放大，該較小增益VRED處於光學放大器4a至4c之最大增益VMAX之大約75%。應理解，若頻率移位△f選定為足夠大，則增益VMAX亦可減小至大約70%以下或視情況地大約50%以下。在所展示之實例中，達成增益19之期望減小所需要之頻率移位△f取決於光學放大器4a至4c之放大器頻寬△B，該放大器頻寬△B處於大約△B=400MHz。在一較小放大器頻寬△B之情形中，需要一較小頻率移位△f以產生期望經減小增益VRED。
在圖1a中所展示之實例中，將聲光調變器13a至13c繪示為經整合至光學放大器4a至4c中。然而，應理解，聲光調變器13a至13c亦可配置於一各別光學放大器4a至4c前面。為了在放大器配置3中用三個光 學放大器4a至4c中減小第一脈衝11a之增益，圖1a之驅動器雷射配置12包括一控制裝置14，在束源2產生第一脈衝11a時，該控制裝置致動具有120MHz之相同調變頻率的圖1a之三個聲光調變器13a至13c(其具有相同設計)。三個聲光調變器13a至13c之頻率移位△f具有相同符號，亦即，在第三聲光調變器13c中經放大之雷射輻射7之經移位雷射頻率fL’處於fL+3×△f，亦即，處於大約fL+360MHz。因此，第三光學放大器4c具有針對雷射輻射7的一經減小增益VRED，該經減小增益VRED處於雷射輻射7之最大增益VMAX之大約35%以下。
若束源2產生第二脈衝11b，則控制裝置14以使得聲光調變器13a至13c並不產生一音波之一方式致動此等聲光調變器，且因此沒有光柵效應且雷射輻射7穿過聲光調變器13a至13c而不具有一頻率移位。以此方式，在三個光學放大器4a至4c中之每一者中藉助於最大可能增益VMAX而放大第二脈衝11b。由於第二脈衝11b之雷射輻射7之傳播沿著自具有1階繞射之雷射輻射7之傳播方向偏離之0階繞射而被引起，因此在於一各別光學放大器4a至4c中放大0階繞射及1階繞射之前，通常需要組合該等0階繞射及1階繞射之兩個束路徑。
應理解，與圖1a中所展示之內容不同，可能在第一光學放大器4a上游之束路徑中配置兩個、三個或三個以上聲光調變器以便在第一光學放大器4a上游已經產生k×△f(k=2、3、...)之一頻率移位。另一選擇係，若一單個聲光調變器13可以一足夠大的調變頻率fMOD操作，則亦可能使用單個聲光調變器13以用於產生所需要之頻率移位△f。然而，不可任意地增加一聲光調變器13之調變頻率fMOD，且因此串聯連接複數個聲光調變器13a至13c以產生期望頻率移位△f可為更有利的。
用於在給定調變頻率fMOD下增加(例如，加一倍)一聲光調變器13a至13c之頻率移位△f之一個選項由以下組成：將聲光調變器13之二階或一較高階(而非一階)繞射饋送至該光學放大器或該等光學放大器 4a至4c以用於放大目的，此乃因在一給定調變頻率fMOD之情形中頻率移位△f之量值在較高階繞射下增加。
在所展示之實例中，針對第二脈衝11b，放大器配置3之輸出處(亦即，在第三放大器級4c之後)之雷射輻射7之第二脈衝11b之雷射功率處於五倍且放大器配置3之放大處於五十倍以上。因此，第一脈衝11a藉由放大器配置3之增益係第二脈衝11b之增益之大約10%。放大器配置3之輸出處之第二脈衝11b之功率通常係大約10kW以上。
圖1b展示驅動器雷射配置12之一例示性實施例，其中束源2具有一第一雷射源2a及一第二雷射源2b。兩個雷射源2a、2b可經實現以依一個(及相同)波長或雷射頻率或可能地依稍微不同之波長或雷射頻率產生雷射輻射7。藉由實例之方式，第一雷射源2a可用來以10.6μm之一波長產生CO2雷射輻射7且第二雷射源2b可用來以(例如)介於10.1μm與10.35μm之間的一第二波長產生CO2雷射輻射7，(或反之亦然)。兩個雷射源2a、2b之束路徑藉由放大器配置3組合或疊加。為此，可利用一(被動)疊加裝置，例如一部分透射鏡，如圖1b中所繪示。
在所展示之實例中，第一雷射源2a用以產生預脈衝且第二雷射源2b用以產生主脈衝。在圖1b中所展示之驅動器雷射配置12中，第二雷射源2b之雷射頻率fL對應於光學放大器4a至4c之最大頻率fM且因此其藉助於最大增益VMAX而放大。相比之下，第一雷射源2a之雷射頻率藉助於配置於第一雷射源2a之束路徑中之兩個聲光調變器13a、13b藉由以一適合預定調變頻率fMOD致動該兩個聲光調變器13a、13b之控制裝置14而變換為一經移位雷射頻率fL’。
在經放大脈衝11a之相同功率/能量之情形中，在圖1b中所展示之實例中，第一雷射源2a以比將係不存在藉由兩個聲光調變器13a、13b之頻率移位△f之情形高之一功率產生第一脈衝11a。在圖1b中，在第一脈衝11a內指示將在不存在頻率移位△f之情況下以其產生第一雷射 源2a之第一脈衝11a之(較低)功率。
圖1c中繪示一驅動器雷射配置12或一EUV輻射產生設備1之又一例示性實施例。在圖1c中所展示之實例中，束源2本身係可調諧的，亦即，其具有可藉助於控制裝置14而致動之一頻率移位裝置13’以便設定雷射頻率fL且(如上文中所闡釋)以便相對於光學放大器4a至4c之最大頻率fM而將該雷射頻率移位，從而以便減小第一脈衝11a之增益。
藉由實例之方式，一光學參數振盪器(其中存在雷射輻射7之一頻率轉換)可充當一頻率移位裝置13’以用於調諧束源2之雷射波長λL。雷射輻射7自身可由(例如)一固態雷射器產生。另一選擇係，亦可能在束源2中以兩個不同雷射頻率或雷射波長產生雷射輻射7。藉由實例之方式，一CO2雷射源可用來以10.6μm之一雷射波長產生主脈衝。為了產生預脈衝，可存在對CO2雷射氣體之吸收光譜中之一不同線(舉例而言，具有介於10.1μm與10.35μm之間的範圍內之一波長之一線)之一激發。如上文中所闡述，可能地亦可在束源2中提供以不同雷射波長產生雷射輻射7之兩個雷射源：舉例而言一第一CO2雷射源，其以10.6μm之一波長產生雷射輻射7；及一第二CO2雷射源，其產生具有上文所規定的介於10.1μm與10.35μm之間的區間中之一波長之雷射輻射7，(或反之亦然)。在此情形中，頻率移位裝置13’可為一切換裝置，該切換裝置出於產生預脈衝或主脈衝之目的而引起吸收光譜中之不同雷射線之激發，或出於產生預脈衝及主脈衝之目的而在兩個不同雷射源之間切換。視情況地，在束源2中亦可藉助於一(被動)疊加裝置而使兩個雷射源之雷射輻射疊加。在此情形中，第一雷射源可充當頻率移位裝置，該第一雷射源之雷射頻率並不對應光學放大器4a至4c之最大頻率。出於在時間上以期望序列產生脈衝11a、11b之目的，束源2僅由控制裝置14致動。
總之，可以上文所闡述之方式有利地執行預脈衝11a之雷射功率相對於主脈衝11b之雷射功率之一減小。在過程中，可能有效地減小(特定而言)在向後穿過放大器配置3傳播期間於目標材料8處所反射的預脈衝11a之雷射輻射7之一部分之增益。
1‧‧‧EUV輻射產生設備
2‧‧‧束源
2a‧‧‧第一雷射源/雷射源
2b‧‧‧第二雷射源/雷射源
3‧‧‧放大器配置
4a‧‧‧光學放大器
4b‧‧‧光學放大器
4c‧‧‧光學放大器
5‧‧‧束導引裝置
6‧‧‧聚焦透鏡
7‧‧‧脈衝雷射輻射/雷射輻射/雷射束
8‧‧‧目標材料
9‧‧‧聚光器鏡
10‧‧‧真空室
11a‧‧‧第一脈衝/脈衝/預脈衝/經放大第一脈衝/經放大脈衝
11b‧‧‧第二脈衝/脈衝/主脈衝/經放大第二脈衝
12‧‧‧驅動器雷射配置
13‧‧‧聲光調變器
13’‧‧‧頻率移位裝置
13a‧‧‧頻率移位裝置/聲光調變器
13b‧‧‧頻率移位裝置/聲光調變器
13c‧‧‧頻率移位裝置/聲光調變器/第三聲光調變器
14‧‧‧控制裝置
15‧‧‧超音波傳輸器
16‧‧‧超音波吸收器
17‧‧‧光柵
18‧‧‧固態晶體
19‧‧‧頻率相依小信號放大/頻率相依增益/增益
fL‧‧‧雷射頻率/頻率
fL’‧‧‧經移位雷射頻率
fM‧‧‧最大頻率/頻率
fMOD‧‧‧調變頻率/激發頻率
T‧‧‧目標位置
VMAX‧‧‧最大增益/小信號增益/增益/最大可能增益/(小信號)增益最大值
VRED‧‧‧增益/經減小增益
△B‧‧‧半峰全幅值/放大器頻寬
△f‧‧‧頻率移位/都蔔勒頻率移位/期望頻率移位
本發明之其他優點自說明及圖式呈現。同樣地，上文所提及且亦將在下文中列示之特徵可發現分別地單獨使用或以任一組合方式一起使用。不應將所展示及闡述之實施例理解為一窮盡性列示，而應理解為具有用於圖解說明本發明之例示性特性。
詳細地：圖1a至圖1c展示具有一驅動器雷射配置之一EUV輻射產生設備之三個例示性實施例之示意性圖解說明，該驅動器雷射配置包括具有三 個光學放大器之一放大器配置及一頻率移位裝置，圖2展示經整合至圖1a之驅動器雷射配置中以便修改脈衝雷射輻射之頻率之一聲光調變器之一示意性圖解說明，及圖3展示圖1a至圖1c之光學放大器中之一者之頻率相依小信號增益之一圖解說明。
1‧‧‧EUV輻射產生設備
2‧‧‧束源
2a‧‧‧第一雷射源/雷射源
2b‧‧‧第二雷射源/雷射源
3‧‧‧放大器配置
4a‧‧‧光學放大器
4b‧‧‧光學放大器
4c‧‧‧光學放大器
5‧‧‧束導引裝置
6‧‧‧聚焦透鏡
7‧‧‧脈衝雷射輻射/雷射輻射/雷射束
8‧‧‧目標材料
9‧‧‧聚光器鏡
10‧‧‧真空室
11a‧‧‧第一脈衝/脈衝/預脈衝/經放大第一脈衝/經放大脈衝
11b‧‧‧第二脈衝/脈衝/主脈衝/經放大第二脈衝
12‧‧‧驅動器雷射配置
13a‧‧‧頻率移位裝置/聲光調變器
13b‧‧‧頻率移位裝置/聲光調變器
14‧‧‧控制裝置
fL‧‧‧雷射頻率/頻率
fL’‧‧‧經移位雷射頻率
fMOD‧‧‧調變頻率/激發頻率
T‧‧‧目標位置

Claims (9)

  1. 一種用於一EUV輻射產生設備(1)之驅動器雷射配置(12)，其包括：一束源(2)，其用於產生具有至少一個雷射頻率(fL)之脈衝雷射輻射(7)，及一放大器配置(3)，其具有用於放大該脈衝雷射輻射(7)之至少一個光學放大器(4a至4c)，其特徵在於至少一個頻率移位裝置(13a至13c、13’)，其用於產生該雷射輻射(7)之該雷射頻率(fL)相對於該至少一個光學放大器(4a至4c)之一第一頻率(fM)，該第一頻率(fM)造成一最大增益(VMAX)，及一控制裝置(14)，其按一方式設定一頻率移位(△f)，該方式使得針對該雷射輻射(7)的該光學放大器(4a至4c)之一增益(VRED)減小至該光學放大器(4a至4c)之該最大增益(VMAX)之90%以下、較佳地70%以下、尤其較佳地50%以下，其中該束源(2)經實現以產生該脈衝雷射輻射(7)之一第一脈衝(11a)及在時間上跟隨在該第一脈衝之後的一第二脈衝(11b)，且該控制裝置(14)經實現以將針對該第一脈衝(11a)的該光學放大器(4a至4c)之該增益(VRED)減小至針對該第一脈衝(11a)的該光學放大器(4a至4c)之該最大增益(VMAX)之90%以下、較佳地70%以下、尤其較佳地50%以下。
  2. 如請求項1之驅動器雷射配置，其中該頻率移位裝置具有至少一個聲光調變器(13a至13c)。
  3. 如請求項2之驅動器雷射配置，其中該聲光調變器(13a至13c)經實現以按至少40MHz、較佳地至少80MHz之一調變頻率(fMOD) 操作。
  4. 如請求項2或3之驅動器雷射配置，其中該聲光調變器(13a至13c)經實現以使該雷射輻射(7)繞射為至少二階繞射(m=+2)。
  5. 如請求項1之驅動器雷射配置，其中該束源(2)具有一頻率移位裝置(13’)。
  6. 如請求項1之驅動器雷射配置，其中該光學放大器(4a至4c)具有針對該雷射輻射(7)之一增益(19)與400MHz或更大之一放大器頻寬(△B)。
  7. 一種EUV輻射產生設備(1)，其包括：如前述請求項中任一項之一驅動器雷射配置(12)，一真空室(10)，其中一目標材料(8)可配置於一目標位置(T)處，及一束導引裝置(5)，其用於將脈衝雷射輻射(7)自該驅動器雷射配置(12)朝向該目標位置(T)導引。
  8. 一種用於在一EUV輻射產生設備(1)之一驅動器雷射配置(12)中放大脈衝雷射輻射(7)之方法，其包括：在至少一個光學放大器(4a至4c)中放大該脈衝雷射輻射(7)，其中在放大該雷射輻射(7)時，相對於該光學放大器(4a至4c)之一第一頻率(fM)而產生該雷射輻射(7)之一雷射頻率(fL)之一頻率移位(△f)，該第一頻率(fM)造成一最大增益(VMAX)，使得針對該雷射輻射(7)的該光學放大器(4a至4c)之一增益(VRED)減小至該光學放大器(4a至4c)之該最大增益(VMAX)之90%以下、較佳地70%以下、尤其較佳地50%以下，其中該脈衝雷射輻射(7)包括一第一脈衝(11a)及在時間上跟隨在該第一脈衝之後的一第二脈衝(11b)，其中該第一脈衝(11a)藉由該光學放大器(4a至4c)之該增益處於該光學放大器(4a至4c)之 該最大增益(VMAX)之90%以下、較佳地70%以下、尤其較佳地50%以下。
  9. 一種電腦程式產品，其包括經調適以在該電腦程式於一資料處理系統上運行時執行如請求項8之方法之所有步驟之程式碼構件。
TW104122612A 2014-07-11 2015-07-13 驅動器雷射配置、ｅｕｖ輻射產生設備及用於放大脈衝雷射輻射的方法 TWI583262B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2014/064958 WO2016005006A1 (de) 2014-07-11 2014-07-11 Treiberlaseranordnung, euv-strahlungserzeugsvorrichtung und verfahren zum verstärken von gepulster laserstrahlung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201611664A TW201611664A (zh) 2016-03-16
TWI583262B true TWI583262B (zh) 2017-05-11

Family

ID=51178918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104122612A TWI583262B (zh) 2014-07-11 2015-07-13 驅動器雷射配置、ｅｕｖ輻射產生設備及用於放大脈衝雷射輻射的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10186827B2 (zh)
EP (1) EP3167693B1 (zh)
KR (1) KR101909842B1 (zh)
TW (1) TWI583262B (zh)
WO (1) WO2016005006A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016005006A1 (de) 2014-07-11 2016-01-14 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Treiberlaseranordnung, euv-strahlungserzeugsvorrichtung und verfahren zum verstärken von gepulster laserstrahlung
WO2017088929A1 (de) 2015-11-27 2017-06-01 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Treiberlaseranordnung, euv-strahlungserzeugungsvorrichtung und verfahren zum verstärken von laserpulsen
US10524345B2 (en) * 2017-04-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser
WO2019011419A1 (de) * 2017-07-12 2019-01-17 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Polarisatoranordnung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung mit einer polarisatoranordnung
DE102018200811B4 (de) * 2018-01-18 2020-02-20 Trumpf Laser Gmbh Verfahren und Lasersystem zum Erzeugen verstärkter Pulse on Demand-Ausgangslaserpulse
CN111048982A (zh) * 2019-11-28 2020-04-21 北京科益虹源光电技术有限公司 一种355nm紫外光的输出方法及系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0674374B1 (en) * 1994-03-21 1998-11-11 Hughes Aircraft Company Optical feedback eliminator
US20060192152A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US20090095925A1 (en) * 2005-06-29 2009-04-16 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4127407A1 (de) 1991-08-19 1993-02-25 Hans Amler Anordnung zum einkoppeln eines injection-seeding-laserstrahls in den resonator eines guetegeschalteten festkoerper-lasers
DE4410650A1 (de) 1994-03-26 1995-09-28 Abb Patent Gmbh Lösbare Kupplungsvorrichtung zwischen zwei miteinander fluchtenden elektrischen Leitern
US7928416B2 (en) 2006-12-22 2011-04-19 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8654438B2 (en) 2010-06-24 2014-02-18 Cymer, Llc Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source
JP5881042B2 (ja) 2010-06-23 2016-03-09 学校法人神奈川大学 乳化物製造用親水性ナノ粒子の製造方法
JP5864949B2 (ja) 2010-11-29 2016-02-17 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム
JP6168760B2 (ja) 2012-01-11 2017-07-26 ギガフォトン株式会社 レーザビーム制御装置及び極端紫外光生成装置
WO2016005006A1 (de) 2014-07-11 2016-01-14 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Treiberlaseranordnung, euv-strahlungserzeugsvorrichtung und verfahren zum verstärken von gepulster laserstrahlung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0674374B1 (en) * 1994-03-21 1998-11-11 Hughes Aircraft Company Optical feedback eliminator
US20060192152A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US20090095925A1 (en) * 2005-06-29 2009-04-16 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system

Also Published As

Publication number Publication date
US10186827B2 (en) 2019-01-22
KR20170031709A (ko) 2017-03-21
EP3167693B1 (de) 2021-11-03
EP3167693A1 (de) 2017-05-17
US20170149202A1 (en) 2017-05-25
WO2016005006A1 (de) 2016-01-14
TW201611664A (zh) 2016-03-16
KR101909842B1 (ko) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI583262B (zh) 驅動器雷射配置、ｅｕｖ輻射產生設備及用於放大脈衝雷射輻射的方法
US6038055A (en) Method and device for generating phase-coherent light pulses
KR102057878B1 (ko) 브래그 ａｏｍ에 의해 ｅｕｖ 광원에서 시드 레이저를 보호하기 위한 시스템 및 방법
JP3698677B2 (ja) レーザパルス制御方法と装置およびｘ線発生方法と装置
JP2007514305A (ja) 高エネルギーの任意波形ソース
JP7441780B2 (ja) 光パルス生成装置及び光パルス生成方法
US20140016655A1 (en) Reducing The Spectral Bandwidth Of Lasers
TWI640140B (zh) 利用一氧化碳雷射於印刷電路板中鑽製通孔之技術
CN107005019A (zh) 具有声光调制器的调q co2激光材料加工系统
CN114976827B (zh) 用于隔离激光系统中的增益元件的系统和方法
US20090185161A1 (en) Optical Measurement Apparatus And Wideband Light Source Apparatus Employable Therein
JP2013174812A (ja) レーザ装置
JP2017517038A (ja) 光学パラメトリック発生器
US10638589B2 (en) Amplifying laser pulses having different wavelengths for EUV radiation generation
US9166359B2 (en) Method and laser oscillator for the generation of a laser beam
CN114361915A (zh) 多周期太赫兹脉冲的产生装置和产生方法
JP6489311B2 (ja) 電磁波発生装置
JP2025125007A (ja) 波長変換機構および波長変換方法
WO2025142579A1 (ja) パルス光出力システム、パルス光出力方法、中性原子励起方法及び量子コンピュータ装置
CN121529287A (zh) 光学放大装置、方法及激光器
JP2007133310A (ja) パルス多重化波長変換光学系
Aleksandrov et al. Characteristics of resonant parametric conversion of infrared radiation in sodium vapor
JPH01295230A (ja) 超短光パルス発生器
JP2017026839A (ja) 光子発生装置
JP2017161619A (ja) 光子発生装置