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TWI582074B - １，２－苯并苊衍生物、含有其的發光元件材料及發光元件 - Google Patents

１，２－苯并苊衍生物、含有其的發光元件材料及發光元件 Download PDF

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TWI582074B
TWI582074B TW102136440A TW102136440A TWI582074B TW I582074 B TWI582074 B TW I582074B TW 102136440 A TW102136440 A TW 102136440A TW 102136440 A TW102136440 A TW 102136440A TW I582074 B TWI582074 B TW I582074B
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substituted
aryl
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electron
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市橋泰宜
富永剛
田中大作
池田武史
新井猛
池田篤
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東麗股份有限公司
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Publication date
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Description

1,2-苯并苊衍生物、含有其的發光元件材料及發光元件
本發明是有關於可將電能轉換為光的發光元件及該發光元件中所使用的材料。本發明可於顯示元件、平板顯示器(flat-panel display)、背光(backlight)、照明、室內裝飾(interior)、標識、看板、電子照相機及光信號產生器等領域中利用。
近年來活躍地進行有機薄膜發光元件的研究，上述有機薄膜發光元件於自陰極注入的電子與自陽極注入的電洞在夾持於兩極中的有機螢光體內再結合時發光。該發光元件的特徵是薄型、且可在低驅動電壓下高亮度地發光、可藉由選擇螢光材料而多色發光，因此倍受關注。
該研究在由柯達公司的C.W.Tang等人揭示有機薄膜元件可高亮度地發光以來，進行了大量實用化研究，有機薄膜發光元件被採用於行動電話的主顯示器等中等，確實地進行了實用化。然而，技術上的課題仍然較多，其中同時實現元件的高效率化與長壽命化是大的課題之一。
有機薄膜發光元件必須滿足發光效率的提高、驅動電壓的降低、耐久性的提高。其中，發光效率與耐久壽命的同時實現成為大的課題。例如為了使發光效率以及耐久壽命提高，開發了具有1,2-苯并苊骨架或含氮雜環的材料(例如參照專利文獻1~專利文獻5)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2008/059713號
[專利文獻2]國際公開第2007/100010號
[專利文獻3]國際公開第2012/108388號(特別是化38)
[專利文獻4]日本專利特開2009-215559號公報
[專利文獻5]日本專利特開2009-215281號公報
然而，藉由現有技術難以使元件的驅動電壓充分地降低，而且即使降低驅動電壓，元件的發光效率、耐久壽命亦不充分。如上所述，尚未發現可同時實現高的發光效率、低驅動電壓、以及耐久壽命的技術。
本發明的目的在於解決該現有技術的問題，提供可改善發光效率、驅動電壓、耐久壽命的全部的有機薄膜發光元件。
本發明是下述通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物。
[化1]
(式中，Ar表示包含1,2-苯并苊骨架的基。L1及L2是單鍵、經取代或未經取代的伸芳基(arylene group)、或經取代或未經取代的伸雜芳基。A1及A2分別表示碳數為6~40的經取代或未經取代的苯環、碳數為6~40的經取代或未經取代的縮合芳香族烴環、碳數為1~40的經取代或未經取代的單環芳香族雜環、或碳數為1~40的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環。其中，構成A1及A2的至少1個原子是電子接受性氮。而且，在L2為經取代或未經取代的伸芳基、且A2為碳數為6~40的經取代或未經取代的苯環、或碳數為6~40的經取代或未經取代的縮合芳香族烴環的情況下，亦可藉由L2與A2形成環。在L1、L2、A1、A2被取代的情況下的取代基分別選自由烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基及-P(=O)R1R2所構成的群組。R1及R2是芳基或雜芳基。而且R1及R2亦可縮合而形成環。其中，在L1、L2均為單鍵的情況下，A1及A2並不都成為具有2個以上電子接受性氮的雜芳基。而且，在L1或L2的任意一方為單鍵的情況下，另一方的L1或L2並不成為具有2個以上電子接受性氮的伸雜芳基。n為1或2。在n為2時，2個L2-N(A1)(A2)可相同亦可不同。其中，伸雜芳基並不包含伸咔唑基(carbazolvlene group)。而且，在n為2、且L2為單鍵的情況下，L1並不成為3環以上的并苯)
藉由本發明可提供同時實現發光效率、驅動電壓、耐久壽命的有機薄膜發光元件。
對通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物加以詳細說明。
式中，Ar表示包含1,2-苯并苊骨架的基。L1及L2是單鍵、經取代或未經取代的伸芳基、或經取代或未經取代的伸雜芳基。其中，伸芳基並不包含伸蒽基(anthracenylene group)。而且，伸雜芳基並不包含伸咔唑基。A1及A2分別表示碳數為6~40的經取代或未經取代的苯環、碳數為6~40的經取代或未經取代的縮合芳香族烴環、碳數為1~40的經取代或未經取代的單環芳香族雜環、或碳數為1~40的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環。 其中，構成A1及A2的至少1個原子是電子接受性氮。而且，在L2是經取代或未經取代的伸芳基，且A2為碳數為6~40的經取代或未經取代的苯環、或碳數為6~40的經取代或未經取代的縮合芳香族烴環的情況下，亦可藉由L2與A2而形成環。在L1、L2、A1、A2被取代的情況下的取代基分別選自由烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基及-P(=O)R1R2所構成的群組。R1及R2為芳基或雜芳基。而且R1及R2亦可縮合而形成環。其中，在L1、L2均為單鍵的情況下，A1及A2並不都成為具有2個以上電子接受性氮的雜芳基。而且，在L1或L2的任意一方為單鍵的情況下，另一方的L1或L2並不成為具有2個以上電子接受性氮的伸雜芳基。n為1或2。在n為2時，2個L2-N(A1)(A2)可相同亦可不同。
在上述所有基中，氫亦可為氘。而且，例如所謂碳數為6~40的經取代或未經取代的伸芳基，包括對伸芳基進行取代的取代基中所含的碳數在內為6~40，規定了碳數的其他取代基亦與其相同。
而且，「經取代或未經取代」的情況下的取代基較佳的是如上所述的烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基，另外，較佳的是在各取代基的說明中設為較佳的具體取代基。而且，該些取代基亦可 進一步被上述取代基所取代。
「經取代或未經取代」的情況下的「未經取代」是表示取代有氫原子。
在以下所說明的化合物或其部分結構中，關於「經取代或未經取代的」的情況，亦與上述相同。
所謂烷基，表示例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族烴基，其可具有取代基亦可不具取代基。在被取代的情況下的追加的取代基並無特別限制，例如可列舉烷基、芳基、雜芳基等，此方面在以下的記載中亦通用。而且，烷基的碳數並無特別限定，自獲得的容易性或成本的方面考慮，較佳的是1以上、20以下，更佳的是1以上、8以下的範圍。
所謂環烷基，表示例如環丙基、環己基、降冰片基、金剛烷基等飽和脂環式烴基，其可具有取代基亦可不具取代基。烷基部分的碳數並無特別限定，較佳的是3以上、20以下的範圍。
所謂雜環基，表示例如吡喃環、哌啶環、環狀醯胺等在環內具有碳以外的原子的脂肪族環，其可具有取代基亦可不具取代基。雜環基的碳數並無特別限定，較佳的是2以上、20以下的範圍。
所謂烯基，表示例如乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含雙鍵的不飽和脂肪族烴基，其可具有取代基亦可不具取代基。烯基的碳數並無特別限定，較佳的是2以上、20以下的範圍。
所謂環烯基，表示例如環戊烯基、環戊二烯基、環己烯基等包含雙鍵的不飽和脂環式烴基，其可具有取代基亦可不具取代基。
所謂炔基，表示例如乙炔基等包含三鍵的不飽和脂肪族烴基，其可具有取代基亦可不具取代基。炔基的碳數並無特別限定，較佳的是2以上、20以下的範圍。
所謂烷氧基，表示例如甲氧基、乙氧基、丙氧基等經由醚鍵而鍵結有脂肪族烴基的官能基，該脂肪族烴基可具有取代基亦可不具取代基。烷氧基的碳數並無特別限定，較佳的是1以上、20以下的範圍。
所謂烷硫基是將烷氧基的醚鍵的氧原子取代為硫原子而成者。烷硫基的烴基可具有取代基亦可不具取代基。烷硫基的碳數並無特別限定，較佳的是1以上、20以下的範圍。
所謂芳基醚基，表示例如苯氧基等經由醚鍵而鍵結有芳香族烴基的官能基，芳香族烴基可具有取代基亦可不具取代基。芳基醚基的碳數並無特別限定，較佳的是6以上、40以下的範圍。
所謂芳硫基醚基是將芳基醚基的醚鍵的氧原子取代為硫原子而成者。芳基醚基中的芳香族烴基可具有取代基亦可不具取代基。芳基醚基的碳數並無特別限定，較佳的是6以上、40以下的範圍。
所謂芳基表示例如苯基、萘基、聯苯基、菲基、聯三苯基、芘基、1,2-苯并苊基等芳香族烴基。芳基可具有取代基亦可不 具取代基。芳基的碳數並無特別限定，較佳的是6以上、40以下的範圍。
所謂雜芳基是表示呋喃基、硫苯基(thiophenyl)、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、吡嗪基、嘧啶基、萘啶基、苯并呋喃基、苯并硫苯基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并硫苯基、咔唑基等在一個或多個環內具有碳以外的原子的環狀芳香族基，其可未經取代亦可經取代。雜芳基的碳數並無特別限定，較佳的是2以上、30以下的範圍。
所謂鹵素是表示選自氟、氯、溴及碘的原子。
羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基及氧化膦基可具有取代基亦可不具取代基。此處，取代基例如可列舉烷基、環烷基、芳基、雜芳基等，該些取代基亦可被進一步取代。
所謂伸芳基是表示自苯基、萘基、聯苯基等芳香族烴基導出的2價或3價的基，其可具有取代基亦可不具取代基。
在通式(1)的L1及L2為伸芳基的情況下，核碳數較佳的是6以上、12以下的範圍。伸芳基具體可列舉：1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、1,2-伸苯基、4,4'-伸聯苯基、4,3'-伸聯苯基、3,3'-伸聯苯基、1,4-伸萘基、1,5-伸萘基、2,5-伸萘基、2,6-伸萘基、2,7-伸萘基等。更佳的是1,4-伸苯基、1,3-伸苯基。
所謂伸雜芳基是表示自吡啶基、喹啉基、嘧啶基、吡嗪基、萘啶基、二苯并呋喃基、二苯并硫苯基等在一個或多個環內具有碳以外的原子的芳香族基導出的2價或3價的基，其可具有 取代基亦可不具取代基。伸雜芳基的碳數並無特別限定，較佳的是2~30的範圍。
所謂縮合芳香族烴環，例如可列舉萘環、薁環、蒽環、菲環、芘環、1,2-苯并菲(chrysene)環、稠四苯環、聯伸三苯環、乙烷合萘(acenaphthene)環、蔻環、茀環、1,2-苯并苊環、稠五苯環、苝環、五苯(pentaphene)環、苉(picene)環、吡蒽(pyranthrene)環、蒽并蒽烯(anthraanthrene)環等。另外，上述縮合芳香族烴環亦可具有取代基。
所謂單環芳香族雜環，可列舉呋喃環、噻吩環、吡啶環、噠嗪環、嘧啶環、吡嗪環、三嗪環、噁二唑環、三唑環、咪唑環、吡唑環、噻唑環等。另外，上述單環芳香族雜環亦可具有取代基。
所謂縮合芳香族雜環，例如可列舉喹啉環、異喹啉環、喹噁啉環、苯并咪唑環、吲哚環、苯并噻唑環、苯并噁唑環、喹唑啉環、酞嗪環、咔唑環、咔啉環、二氮雜咔唑環(表示構成咔啉環的烴環的碳原子的一個進一步被氮原子取代的環)等。另外，上述縮合芳香族雜環亦可具有取代基。
本發明的1,2-苯并苊衍生物具有1個或2個L2-N(A1)(A2)所表示的基，因此結晶性降低、玻璃轉移溫度變高，因此膜的穩定性提高。
本發明的1,2-苯并苊衍生物具有1,2-苯并苊骨架。1,2-苯并苊骨架具有5π電子系的5員環結構。5π電子系的5員環結構若放入1個電子(被還原)，則成為6π電子系而產生芳香族穩定 化(休克爾法則(Hückel's rule))。因此，5π電子系的5員環結構顯示高的電子親和性，本發明的1,2-苯并苊骨架亦具有高的電子親和性。一般而言有名的縮環芳香族骨架的蒽或芘不具有5π電子系的5員環結構，因此由於還原的芳香族穩定化所引起的電子親和性並不增大，該些現象是具有5π電子系的5員環結構的骨架所特有的性質。
因此，在將本發明的1,2-苯并苊衍生物用於發光元件的情況下，例如在電子傳輸層中使用的情況下，顯示出自電極的良好的電子注入性，可使發光元件的驅動電壓變低。其結果，可使發光元件的發光效率提高。而且，亦有助於發光元件的長壽命化。
而且，1,2-苯并苊骨架具有高的平面性，且分子彼此之間很好地重疊，因此具有高的電荷傳輸性。因此，在構成發光元件的任意層中使用本發明的1,2-苯并苊衍生物的情況下，可效率良好地傳輸自陰極產生的電子或自陽極產生的電洞，因此可使元件的驅動電壓降低。其結果，可使發光元件的發光效率提高。而且，亦有助於發光元件的長壽命化。
而且，1,2-苯并苊骨架對於電荷的穩定性高，可平穩地反覆進行由於電子的還原、或由於電洞的氧化。在發光元件中使用本發明的1,2-苯并苊衍生物的情況下，變得可提高壽命。
所謂包含1,2-苯并苊骨架的基是在分子結構內具有1,2-苯并苊骨架的基，可具有取代基亦可不具取代基。亦可藉由鄰接的取代基而形成環，藉由鄰接的取代基所形成的環的大小並無特 別限定，自分子結構的穩定性的觀點考慮，較佳的是5員環或6員環。而且，所形成的環可為脂肪族環亦可為芳香族環。藉由鄰接的取代基所形成的環亦可進一步具有取代基，或者亦可進一步縮環。在所形成的環中亦可包含碳以外的雜原子。特別是若僅僅由碳及氫構成環，則電化學穩定性增加，有助於元件的耐久性提高，因此較佳。包含1,2-苯并苊骨架的基的碳數並無特別限定，較佳的是16以上、40以下的範圍。具體而言例如可列舉1,2-苯并苊基、苯并1,2-苯并苊基、苯并乙烯合蒽基(benzoaceanthrylenyl)、苯并乙烷合菲基(benzoacephenanthrenyl)、茚并1,2-苯并苊基、苊并1,2-苯并苊基等。
在本發明的1,2-苯并苊衍生物的L2-N(A1)(A2)中，構成A1及A2的至少1個原子是電子接受性氮。另外，作為A1及A2所表示的取代基，包含電子接受性氮的基可直接鍵結於N上，或者包含電子接受性氮的基亦可經由連結基而進行取代。具體而言，亦可A1為苯環，A2為經吡啶基取代的苯環。此處，所謂電子接受性氮是表示在與鄰接原子之間形成多重鍵的氮原子。氮原子具有高的電負性(electronegativity)，因此該多重鍵具有接受電子的性質。因此，具有電子接受性氮的L2-N(A1)(A2)具有高的電子親和性。因此，在發光層或電子傳輸層中使用本發明的通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的情況下，顯示出自電極的良好的電子注入性，可使發光元件的驅動電壓降低。其結果，可使發光元件的發光效率提高。而且，亦有助於發光元件的長壽命化。
而且，L2-N(A1)(A2)具有供電子性氮。此處，所謂供電子性氮是表示與鄰接原子之間的鍵結均為單鍵的氮原子。在L2-N(A1)(A2)中，A1及A2所鍵結的氮原子相當於供電子性氮。供電子性氮相對於電洞的穩定性高，且可平穩地反覆進行由於電洞的氧化。在電洞傳輸層中使用本發明的通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的情況下，變得可使壽命提高。
而且，通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物具有L2-N(A1)(A2)的基，因此電子傳導能階變淺。因此在電子傳輸層中使用本發明的通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的情況下，電子傳輸層與發光層的能量障壁變小，因此變得可自電子傳輸層向發光層注入高的電子，可使發光元件的驅動電壓變低。
另外，通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物具有L2-N(A1)(A2)的基，因此由於昇華性提高、蒸鍍穩定性提高及結晶性降低或玻璃轉移溫度高而使膜的穩定性提高。因此，在發光元件中使用本發明的1,2-苯并苊衍生物的情況下，變得可提高壽命。
根據以上可知本發明的1,2-苯并苊衍生物在分子中具有1,2-苯并苊骨架與L2-N(A1)(A2)，因此同時具有高的電子注入傳輸性、電化學穩定性、良好的昇華性、良好的蒸鍍穩定性、良好的膜質、高的玻璃轉移溫度。由於該些性質，在構成發光元件的任意層中使用本發明的1,2-苯并苊衍生物的情況下，變得可獲得同時實現高發光效率、低驅動電壓及耐久壽命的有機薄膜發光元件。
另外，所謂L2為經取代或未經取代的伸芳基、且A2為 碳數為6~40的經取代或未經取代的苯環、或碳數為6~40的經取代或未經取代的縮合芳香族烴環，藉由L2與A2形成環的情況是指利用L2、A2及其間的氮原子而形成縮合多環結構。例如，在L2為伸苯基、A2為苯基的情況下，該縮合多環結構成為咔唑骨架。而且，在L2為伸萘基、A2為苯基的情況下，該縮合多環結構成為苯并咔唑骨架。
而且，在L1、L2均為單鍵的情況下，A1及A2並不都成為具有2個以上電子接受性氮的雜芳基。所謂具有2個以上電子接受性氮的雜芳基，具體而言為吡嗪、嘧啶、三嗪等基。在L1、L2均為單鍵的情況下，-N(A1)(A2)的電子狀態對1,2-苯并苊骨架造成直接影響。此處，若A1及A2均為具有2個以上電子接受性氮的取代基，則電子接受性的效果過於變大，因此材料的電子傳導能階變深。在將其用於例如電子傳輸層中的情況下，電子傳輸層與發光層的能量障壁變大，因此無法降低發光元件的驅動電壓。
因此，較佳的是不僅L1、L2均為單鍵的情況，而且A1及A2並不都是具有2個以上電子接受性氮的取代基。
而且，在L1或L2的任意一方為單鍵的情況下，另一方的L1或L2並不成為具有2個以上電子接受性氮的伸雜芳基。所謂具有2個以上電子接受性氮的伸雜芳基，具體而言為伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸三嗪基等基。在L1或L2的任意一方為單鍵的情況下，另一方的L1或L2的電子狀態對1,2-苯并苊骨架造成直接影響。此處，若另一方的L1或L2為具有2個以上電子接受性氮的伸雜芳 基，則電子接受性的效果過於變大，因此電子傳導能階變深。在將其用於例如電子傳輸層中的情況下，則電子傳輸層與發光層的能量障壁變大，因此無法降低發光元件的驅動電壓。
因此，較佳的是不僅L1、L2的任意一方為單鍵的情況，而且L1及L2並不是具有2個以上電子接受性氮的取代基。
而且，伸雜芳基並不包含伸咔唑基。若伸雜芳基為伸咔唑基，則在分子內具有供電子性氮的二個基變得直接鍵結，電子傳導能階變得相當淺。在將其用於例如電子傳輸層中的情況下，電極與電子傳輸層的能量障壁變大，因此無法降低發光元件的驅動電壓。其中，在n成為2的情況下，具有供電子性氮的2個基經由連結基而鍵結，因此成為適當的電子傳導能階，變得可低電壓化。
而且，在n為2、且L2為單鍵的情況下，L1並不成為3環以上的并苯。所謂并苯，是具有多個苯環縮合為直線狀的結構的基，所謂3環以上的并苯，具體而言是蒽、稠四苯、稠五苯等的基。在n為2、且L2為單鍵的情況下，若L1為3環以上的并苯，則變得二個胺氮直接被取代為3環以上的并苯。3環以上的并苯的吸收波長長，若直接取代二個胺氮，則吸收波長進一步變長而強烈地吸收可見光。在將其用於例如發光元件中的情況下，化合物自身強烈地吸收藉由發光層而發出的光，因此無法提高發光效率。因此，較佳的是不僅n為2、且L2為單鍵的情況，而且L1並不為3環以上的并苯。
作為Ar的一個形態，較佳的是以下述通式(2)而表示。在Ar以通式(2)而表示的情況下，共軛系適度地擴大。藉此，化合物變得電化學地穩定，進一步提高電荷傳輸性。
式中，R3~R14可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組。R3~R14亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環。其中，在R3~R14中的任意一個位置與L1連結。
通式(2)中的R3~R14在上述中較佳的是選自由氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基及鹵素所構成的群組。藉由使R3~R14為氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基、鹵素，玻璃轉移溫度變高且薄膜穩定性提高。若薄膜穩定性提高，則即使在發光元件中長時間驅動亦可抑制膜的變質，因此耐久性提高。而且，因為是即使在高溫下亦難以分解的取代基，因此耐熱性提高。若耐熱性提高，則在製作元件時可抑制材料的分解，因此耐久性提高。另外，若為芳基或雜芳基，則共軛擴大，因此變得更加電化學穩定，且 電荷傳輸性提高。
在該形態時，通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物較佳的是以下述通式(3)而表示。通式(3)所表示的1,2-苯并苊衍生物的苯并1,2-苯并苊骨架的3位被含有L2-N(A1)(A2)的取代基取代。在苯并1,2-苯并苊衍生物中，若3位被芳香族性取代基取代，則苯并1,2-苯并苊骨架的電子狀態產生較大變化，共軛有效率地擴張，因此電荷傳輸性提高。其結果，可藉由更低電壓使發光元件驅動，可使發光效率進一步提高。另外，藉由使共軛擴大，相對於電荷的穩定性亦進一步提高。其結果，在發光元件中使用本發明的通式(3)所表示的1,2-苯并苊衍生物的情況下，變得可使壽命進一步提高。
通式(3)中的R4~R14可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組。R4~R14亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環。L1、L2、A1、A2及n與上述通式(1)相同。
通式(3)中的R4~R14在上述中較佳的是選自由氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基及鹵素所構成的群組。若R4~R14為氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基、鹵素，則玻璃轉移溫度變高且薄膜穩定性提高。而且，因為是即使在高溫下亦難以分解的取代基，所以耐熱性提高。另外，若為芳基或雜芳基，則共軛擴大，因此變得更加電化學地穩定，且電荷傳輸性提高。
作為Ar的另一個形態，較佳的是以下述通式(4)而表示。在Ar以通式(4)而表示的情況下，共軛系適度地擴大。藉此，化合物變得電化學地穩定，進一步提高電荷傳輸性。
式中，R15~R24可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組。R15~R24亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環。其中，在R15~R24中的任意一個位置與L1連結。
通式(4)中的R15~R24在上述中較佳的是選自由氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基及鹵素所構成的群組。若R15~R24 為氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基、鹵素，則玻璃轉移溫度變高且薄膜穩定性提高。若薄膜穩定性提高，則即使在發光元件中長時間驅動亦可抑制膜的變質，因此耐久性提高。而且，因為是即使在高溫下亦難以分解的取代基，所以耐熱性提高。若耐熱性提高，則可在製作元件時抑制材料分解，因此耐久性提高。另外，若為芳基或雜芳基，則共軛擴大，因此變得更加電化學地穩定，且電荷傳輸性提高。
在該形態時，通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物較佳的是以下述通式(5)而表示。通式(5)所表示的1,2-苯并苊衍生物的1,2-苯并苊骨架的3位被含有L2-N(A1)(A2)的取代基取代。在1,2-苯并苊衍生物中，若3位被芳香族性取代基取代，則1,2-苯并苊骨架的電子狀態產生較大變化，共軛有效率地擴張，因此電荷傳輸性提高。其結果，可藉由更低的電壓使發光元件驅動，可使發光效率進一步提高。另外，藉由使共軛擴大，相對於電荷的穩定性亦進一步提高。其結果，在發光元件中使用本發明的通式(5)所表示的1,2-苯并苊衍生物的情況，變得可使壽命進一步提高。
R16~R24可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組。R16~R24亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環。L1、L2、A1、A2及n與上述通式(1)相同。
通式(5)中的R16~R24在上述中較佳的是選自由氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基及鹵素所構成的群組。若R16~R24為氫、烷基、環烷基、芳基、雜芳基、鹵素，則玻璃轉移溫度變高且薄膜穩定性提高。而且，因為是即使在高溫下亦難以分解的取代基，所以耐熱性提高。另外，若為芳基或雜芳基，則共軛擴大，因此變得更加電化學地穩定，且電荷傳輸性提高。
若L2-N(A1)(A2)為如上所述的結構，則供電子性氮的供電子性變強，因此可使電子傳導能階變淺。因此，在電子傳輸層中使用本發明的通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的情況下，則電子傳輸層與發光層的能量障壁變小，因此變得可自電子傳輸層向發光層的高的電子注入，可使發光元件的驅動電壓進一步變低。
在通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的所有形態中通用，L2-N(A1)(A2)的另一個形態較佳的是下述通式(6)~通式(9)的任意者所表示的結構。若L2-N(A1)(A2)為下述通式(6)~通式(9)的任意者所表示的結構，則可適當地保持供電子性氮的 供電子性，使電子傳導能階變淺。因此，在電子傳輸層中使用本發明的通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的情況下，電子傳輸層與發光層的能量障壁變小，因此變得可自電子傳輸層向發光層的高的電子注入，可使發光元件的驅動電壓變低。而且，若L2-N(A1)(A2)為下述通式(6)~通式(9)的任意者，則玻璃轉移溫度變高且薄膜穩定性進一步提高。若薄膜穩定性提高，則即使在發光元件中長時間驅動亦可抑制膜的變質，因此耐久性進一步提高。而且，因為是即使在高溫下亦難以分解的取代基，所以耐熱性進一步提高。若耐熱性提高，則在製作元件時可抑制材料的分解，因此耐久性進一步提高。
A1表示碳數為1~40的經取代或未經取代的單環芳香族雜環、或碳數為1~40的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環。其中，構成A1的至少1個原子是電子接受性氮。R25~R63可分別 相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組。R25~R63亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環。其中，在R25~R63中的任意一個位置與L1連結。更佳的是在通式(6)的情況下，在R25~R28中的任意一個位置與L1連結，在通式(7)的情況下，在R33~R37或R39中的任意一個位置與L1連結，在通式(8)的情況下，在R44~R47中的任意一個位置與L1連結，在通式(9)的情況下，在R54~R57中的任意一個位置與L1連結。
在通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的所有形態中通用，較佳的是n為1。若n為1，則昇華性、蒸鍍穩定性提高。
通式(2)及通式(3)中的R7及R12較佳的是經取代或未經取代的芳基。若R7及R12為經取代或未經取代的芳基，則變得可適度地回避分子間的π共軛平面的重疊。而且，若為芳基則耐熱性進一步提高。其結果，變得可並不損及苯并1,2-苯并苊化合物的高的電荷傳輸性地實現昇華性的提高、蒸鍍穩定性的提高、結晶性的降低以及高的玻璃轉移溫度所造成的薄膜穩定性的提高。
更佳的是通式(2)及通式(3)中的R7及R12為經取代或未經取代的苯基。若R7及R12為經取代或未經取代的苯基，則變得可適度地回避分子間的π共軛平面的重疊。而且，成為適度的分子量，因此昇華性、蒸鍍穩定性進一步提高。
在通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的所有形態中通用，較佳的是A1為下述通式(10)~通式(12)的任意者所表示的結構。若A1為下述通式(10)~通式(12)的任意者所表示的結構，則表現出高的電子遷移率及高的電子接受性，可使發光元件的驅動電壓進一步變低。其結果，可使發光元件的發光效率進一步提高。而且，亦有助於發光元件的進一步長壽命化。
B1~B19表示CH、經取代的碳原子、或氮原子。其中，在B1~B19中不含氮原子的情況下，A2是包含電子接受性氮的經取代或未經取代的單環芳香族雜環或包含電子接受性氮的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環。而且，在L2-N(A1)(A2)為上述通式(6)~通式(9)的任意者所表示的結構的情況下，B1~B19的任意一個為氮原子。在B1~B19被取代的情況下的取代基與上述通式(1)相同。
在通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物的所有形態中通用，較佳的是A2為下述通式(13)~通式(15)的任意者所表示的結構。若環B為下述通式(13)~通式(15)的任意者所表 示的結構，則表現出高的載子遷移率及高的電子接受性。其結果，變得可進行發光元件的低電壓驅動，可使發光效率提高。而且，由於昇華性提高、蒸鍍穩定性提高及結晶性的降低或高的玻璃轉移溫度而使膜的穩定性提高。
B20~B38表示CH、經取代的碳原子、或氮原子。其中，在上述B1~B19中不含氮原子的情況下，B20~B38的至少1個是氮原子。而且，在L2-N(A1)(A2)為上述通式(6)~通式(9)的任意者所表示的結構的情況下，在B20~B38中不含氮原子。在B20~B38被取代的情況下的取代基與上述通式(1)相同。
在通式(1)中，L1、L2、A1、A2的取代基較佳的是芳基。若L1、L2、A1、A2的取代基為芳基，則變得可由於昇華性的提高、蒸鍍穩定性的提高、結晶性的降低及高的玻璃轉移溫度而使薄膜穩定性提高。作為芳基，並無特別限定，具體而言可列舉苯基、萘基、聯苯基、菲基、聯三苯基、芘基、1,2-苯并苊基等。
在通式(1)中，更佳的是具有包含1,2-苯并苊骨架的 基作為L1、L2、A1、A2的取代基。亦即，通式(1)較佳的是下述通式(16)或下述通式(17)的任意結構。若通式(1)為下述通式(16)或下述通式(17)的任意結構，則具有兩個具有高的電子親和性的1,2-苯并苊骨架，因此表現出高的載子遷移率及高的電子接受性。其結果，變得可進行發光元件的進一步低電壓驅動，可使發光效率提高。而且，可由於昇華性的提高、蒸鍍穩定性的提高、結晶性的降低或高的玻璃轉移溫度而使膜的穩定性提高。
式中，Ar1表示包含1,2-苯并苊骨架的基。Ar、L1、L2、A1、A2及n與上述通式(1)相同。其中，在通式(16)的情況下，L1並不成為單鍵。
更佳的是通式(16)或通式(17)中的Ar1為經取代或未經取代的1,2-苯并苊基。若Ar1為經取代或未經取代的1,2-苯并苊基，則表現出高的載子遷移率及高的電子接受性。而且，成為適度的分子量，因此昇華性、蒸鍍穩定性進一步提高。
在通式(16)或通式(17)中，更佳的是n=1，L2為單鍵。
作為L2-N(A1)(A2)所表示的基，並無特別限定，具體而言可列舉如下所示的例子。
[化13]
[化14]
[化15]
作為通式(1)所表示的1,2-苯并苊衍生物，並無特別限定，具體而言可列舉如下所示的例子。
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
[化26]
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[化28]
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[化30]
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[化36]
[化37]
[化38]
[化39]
[化40]
[化41]
[化42]
[化43]
[化44]
[化45]
在本發明的1,2-苯并苊衍生物的合成中可使用公知的方法。作為在1,2-苯并苊骨架中導入L2-N(A1)(A2)的方法，例如可列舉在鈀觸媒或鎳觸媒下使用經取代或未經取代的鹵化1,2-苯并苊衍生物與經取代或未經取代的L2-N(A1)(A2)的偶合反應的方法，但並不限定於該些方法。另外，在經由伸芳基或伸雜芳基將L2-N(A1)(A2)導入至1,2-苯并苊骨架的情況下，L2-N(A1)(A2)使用經取代的芳基硼酸或雜芳基硼酸，亦可使用被鹵化芳基取代的1,2- 苯并苊衍生物。而且，亦可使用硼酸酯代替上述各種硼酸。
本發明的1,2-苯并苊衍生物較佳的是用作發光元件材料。此處，所謂發光元件材料是表示在發光元件的任意層中使用的材料，如後所述，除了在選自電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層的層中使用的材料以外，亦包含在陰極的保護膜中使用的材料。藉由在發光元件的任意層中使用本發明的1,2-苯并苊衍生物，可獲得高的發光效率，且獲得低驅動電壓及高耐久性的發光元件。
其次，對本發明的發光元件的實施方式加以詳細說明。本發明的發光元件包含陽極與陰極、及插入至該些陽極與陰極之間的有機層，該有機層至少包含發光層與電子傳輸層，該發光層藉由電能而發光。
有機層除了僅僅包含發光層/電子傳輸層的構成以外，亦可列舉：1)電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層及2)電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層、3)電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層等積層構成。而且，上述各層可分別為單層、多層的任意者。
本發明的1,2-苯并苊衍生物在上述元件構成中可用於任意層中，但具有高的電子注入傳輸能力、螢光量子產率及薄膜穩定性，因此較佳的是用於發光元件的發光層或電子傳輸層中。特別是具有優異的電子注入傳輸能力，因此較佳的是用於電子傳輸層中。
在本發明的發光元件中，陽極與陰極具有為了元件發光 而用以供給充分的電流的作用，為了使光出射較佳的是至少一方為透明或半透明。通常情況下，將在基板上所形成的陽極設為透明電極。
陽極中所使用的材料若為可將電洞效率良好地注入至有機層中的材料、且為了使光出射而為透明或半透明，則並不特別限定為氧化錫、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等導電性金屬氧化物，或金、銀、鉻等金屬，碘化銅、硫化銅等無機導電性物質，聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等導電性聚合物等，特佳的是使用ITO玻璃或奈塞玻璃。該些電極材料可單獨使用，亦可將多種材料積層或混合使用。透明電極的電阻若可對元件的發光供給充分的電流即可，因此並無限定，自元件的電力消耗的觀點考慮，較佳的是低電阻。例如若為300Ω/□以下的ITO基板，則作為元件電極而發揮功能，但現在變得亦可供給10Ω/□左右的基板，因此特佳的是使用20Ω/□以下的低電阻的基板。ITO的厚度可根據電阻值而任意選擇，但通常在100nm~300nm之間使用的情況較多。
而且，為了保持發光元件的機械強度，較佳的是在基板上形成發光元件。基板可適宜地使用鈉玻璃或無鹼玻璃等玻璃基板。玻璃基板的厚度若為可充分地保持機械強度的厚度即可，因此若為0.5mm以上便足夠了。關於玻璃的材質，自玻璃的溶出離子少的材質即可，因此較佳的是無鹼玻璃。或者亦市售有實施了SiO2等障壁塗層(barrier coat)的鈉鈣玻璃，因此亦可使用該鈉鈣 玻璃。另外，若第一電極可穩定地發揮功能，則基板並不必須為玻璃，例如亦可在塑膠基板上形成陽極。ITO膜形成方法為電子束法、濺鍍法及化學反應法等，並不受到特別限制。
陰極中所使用的材料若為可將電子效率良好地注入至發光層中的物質，則並無特別限定。一般情況下較佳的是鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁、銦等金屬，或者該些金屬與鋰、鈉、鉀、鈣、鎂等低功函數金屬的合金或多層積層等。其中，自電阻值或成膜容易性、膜的穩定性、發光效率等方面考慮，主成分較佳的是鋁、銀、鎂。特別是若由鎂與銀構成，則本發明中的電子傳輸層及電子注入層的電子注入變容易，變得可低電壓驅動，因此較佳。
另外，為了保護陰極，可列舉如下方法作為較佳例：將鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁及銦等金屬，或使用該些金屬的合金，二氧化矽、二氧化鈦及氮化矽等無機物，聚乙烯醇、聚氯乙烯、烴系高分子化合物等有機高分子化合物積層於陰極上作為保護膜層。而且，本發明的1,2-苯并苊衍生物亦可用作該保護膜層。然而，在使光自陰極側出射的元件結構(頂部發光結構)的情況下，保護膜層可選自在可見光區域具有透光性的材料。該些電極的製作法為電阻加熱、電子束、濺鍍、離子鍍及塗佈等，並無特別限制。
電洞傳輸層可藉由如下方法而形成：將電洞傳輸材料的一種或兩種以上加以積層或混合的方法、或使用電洞傳輸材料與 高分子黏合劑的混合物的方法。而且，電洞傳輸材料必須在賦予電場的電極間效率良好地傳輸來自正極的電洞，較佳的是電洞注入效率高，可效率良好地傳輸所注入的電洞。因此，要求具有適宜的游離電位(ionization potential)，且電洞遷移率大，另外穩定性優異，在製造時及使用時難以產生成為陷阱(trap)的雜質的物質。作為滿足此種條件的物質，並無特別限定，例如較佳的是4,4'-雙(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)聯苯(TPD)、4,4'-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯(NPD)、4,4'-雙(N,N-雙(4-聯苯基)胺基)聯苯(TBDB)、雙(N,N'-二苯基-4-胺基苯基)-N,N-二苯基-4,4'-二胺基-1,1'-聯苯(TPD232)等聯苯胺衍生物，4,4',4"-三(3-甲基苯基(苯基)胺基)三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4"-三(1-萘基(苯基)胺基)三苯基胺(1-TNATA)等被稱為星爆芳基胺的材料群組，具有咔唑骨架的材料(其中咔唑多聚體，具體而言為雙(N-芳基咔唑)或雙(N-烷基咔唑)等咔唑2聚體的衍生物、咔唑3聚體的衍生物、咔唑4聚體的衍生物)、聯伸三苯化合物、吡唑啉衍生物、芪(stilbene)系化合物、腙系化合物、苯并呋喃衍生物或噻吩衍生物、噁二唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等雜環化合物，富勒烯衍生物、聚合物系中的在側鏈具有上述單體的聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚噻吩、聚苯胺、聚茀、聚乙烯咔唑及聚矽烷等。另外，亦可使用p型Si、p型SiC等無機化合物。
本發明的1,2-苯并苊衍生物的電洞遷移率大、另外電化學的穩定性優異，因此亦可用作電洞傳輸材料。本發明的1,2-苯 并苊衍生物亦可用作電洞注入材料，但由於具有高的電洞遷移率，因此可適宜地用作電洞傳輸材料。
本發明的1,2-苯并苊衍生物的電子注入傳輸特性優異，因此在將其用於電子傳輸層中的情況下，存在如下的擔憂：電子在發光層中並不再結合，部分漏出至電洞傳輸層。因此，較佳的是在電洞傳輸層中使用電子阻斷性優異的化合物。其中，含有咔唑骨架的化合物的電子阻斷性優異，可有助於發光元件的高效率化，因此較佳。另外，上述含有咔唑骨架的化合物較佳的是含有咔唑2聚體、咔唑3聚體、或咔唑4聚體骨架。其原因在於該些化合物兼具良好的電子阻斷性與電洞注入傳輸特性。另外，在電洞傳輸層中使用含有咔唑骨架的化合物的情況下，更佳的是組合的發光層包含後述的磷光發光材料。其原因在於：具有上述咔唑骨架的化合物亦具有高的三重態激子阻斷功能，在與磷光發光材料組合的情況下可高發光效率化。而且，若將在具有高的電洞遷移率的方面而言優異的含有聯伸三苯骨架的化合物用於電洞傳輸層中，則獲得載子平衡提高、發光效率提高、耐久壽命提高等效果，因此較佳。若含有聯伸三苯骨架的化合物具有2個以上二芳基胺基，則更佳。上述含有咔唑骨架的化合物、或含有聯伸三苯骨架的化合物可分別單獨地用作電洞傳輸層，亦可相互混合而使用。而且，亦可在不損及本發明的效果的範圍內混合其他材料。而且，在以多層構成電洞傳輸層的情況下，若在任意1層中包含含有咔唑骨架的化合物、或含有聯伸三苯骨架的化合物即可。
亦可在陽極與電洞傳輸層之間設置電洞注入層。藉由設置電洞注入層，發光元件可低驅動電壓化，耐久壽命亦提高。在電洞注入層中可較佳地使用游離電位比通常在電洞傳輸層中使用的材料小的材料。具體而言，除了列舉上述的如TPD232這樣的聯苯胺衍生物、星爆芳基胺材料群組以外，亦可使用酞菁衍生物等。而且，亦較佳的是電洞注入層由受體性化合物單獨構成，或者將受體性化合物摻雜在其他的電洞傳輸材料中而使用。受體性化合物的例子可列舉如氯化鐵(III)、氯化鋁、氯化鎵、氯化銦、氯化銻這樣的金屬氯化物，如氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化釕這樣的金屬氧化物，如三(4-溴苯基)六氯銻酸銨(TBPAH)這樣的電荷遷移錯合物。而且，亦可適宜地使用在分子內具有硝基、氰基、鹵素或三氟甲基的有機化合物或醌系化合物、酸酐系化合物、富勒烯等。該些化合物的具體例可列舉六氰基丁二烯、六氰基苯、四氰基乙烯、四氰基對醌二甲烷(TCNQ)、四氟四氰基對醌二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯(HAT-CN6)、對四氟苯醌(p-fluoranil)、對四氯苯醌、對四溴苯醌、對苯醌、2,6-二氯苯醌、2,5-二氯苯醌、四甲基苯醌、1,2,4,5-四氰基苯、鄰二氰基苯、對二氰基苯、1,4-二氰基四氟苯、2,3-二氯-5,6-二氰基苯醌、對二硝基苯、間二硝基苯、鄰二硝基苯、對氰基硝基苯、間氰基硝基苯、鄰氰基硝基苯、1,4-萘醌、2,3-二氯萘醌、1-硝基萘、2-硝基萘、1,3-二硝基萘、1,5-二硝基萘、9-氰基蒽、9-硝基蒽、9,10-蒽醌、1,3,6,8-四硝基咔唑、2,4,7-三硝基-9- 茀酮、2,3,5,6-四氰基吡啶、馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、C60、及C70等。
在該些化合物中，金屬氧化物或含氰基化合物容易操作且亦容易蒸鍍，因此可容易地獲得上述效果，因此較佳。較佳的是金屬氧化物的例子可列舉氧化鉬、氧化釩、或氧化釕。在含氰基化合物中，(a)在分子內，除了氰基的氮原子以外亦具有至少1個電子接受性氮的化合物，(b)在分子內具有鹵素與氰基的雙方的化合物，(c)在分子內具有羰基與氰基的雙方的化合物，或(d)在分子內具有鹵素與氰基的雙方，另外除了氰基的氮原子以外亦具有至少1個電子接受性氮的化合物成為強的電子受體，因此更佳。此種化合物具體而言可列舉如下所述的化合物。
[化46]
[化47]
在電洞注入層由受體性化合物單獨構成的情況、或者在電洞注入層中摻雜受體性化合物的情況的任意情況下，均是電洞注入層可為1層，亦可積層多層。而且，在摻雜受體化合物的情況下，自可緩和向電洞傳輸層注入電洞的障壁的觀點考慮，所組合使用的電洞注入材料更佳的是與在電洞傳輸層中使用的化合物相同的化合物。
發光層可為單層、多層的任意者，分別由發光材料(主體材料、摻雜材料)而形成，其可為主體材料與摻雜材料的混合物，亦可單獨為主體材料，可為任意者。亦即，在本發明的發光元件中，在各發光層中，可以是僅僅主體材料或摻雜材料發光， 亦可為主體材料與摻雜材料均發光。自效率良好地利用電能、獲得高色純度的發光的觀點考慮，較佳的是發光層包含主體材料與摻雜材料的混合。而且，主體材料與摻雜材料分別可為一種，亦可為多種的組合，可為任意者。摻雜材料可在主體材料的全體中包含，亦可部分地包含，可為任意者。摻雜材料可積層，亦可分散，可為任意者。摻雜材料可控制發光色。摻雜材料的量若過多，則產生濃度淬滅現象，因此較佳的是相對於主體材料而言在20重量%以下使用，更佳的是10重量%以下。作為摻雜方法，可藉由與主體材料的共蒸鍍法而形成，亦可在預先與主體材料混合後同時進行蒸鍍。
發光材料具體而言可使用自以前起已知為發光體的蒽或芘等縮合環衍生物，以三(8-羥基喹啉)鋁為首的金屬螯合化類咢辛化合物(metal chelated oxinoid compounds)，雙苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等雙苯乙烯基衍生物，四苯基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、紫環酮衍生物、環戊二烯衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲哚咔唑衍生物，聚合物系中的聚苯乙炔衍生物、聚對苯衍生物，以及聚噻吩衍生物等，但並無特別限定。
發光材料中所含有的主體材料並無特別限定，可使用萘、蒽、菲、芘、1,2-苯并菲、稠四苯、聯伸三苯、苝、1,2-苯并苊、茀、茚等具有縮合芳基環的化合物或其衍生物，N,N'-二萘基 -N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺等芳香族胺衍生物，以三(8-羥基喹啉)鋁(III)為首的金屬螯合物化類咢辛化合物，二苯乙烯基苯衍生物等雙苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、紫環酮衍生物、環戊二烯衍生物、吡咯并吡咯衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物、吲哚咔唑衍生物、三嗪衍生物，聚合物系中的聚苯乙炔衍生物、聚對苯衍生物、聚茀衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物等，並無特別限定。而且，摻雜材料並無特別限定，可使用萘、蒽、菲、芘、1,2-苯并菲、聯伸三苯、苝、1,2-苯并苊、茀、茚等具有縮合芳基環的化合物或其衍生物(例如2-(苯并噻唑-2-基)-9,10-二苯基蒽或5,6,11,12-四苯基稠四苯等)、呋喃、吡咯、噻吩、矽雜環戊二烯、9-矽雜茀(9-silafluorene)、9,9'-螺環二矽雜茀(9,9'-spirobisilafluorene)、苯并噻吩、苯并呋喃、吲哚、二苯并噻吩、二苯并呋喃、咪唑并吡啶、啡啉、吡啶、吡嗪、萘啶、喹噁啉、吡咯并吡啶、硫雜蒽(thioxanthene)等具有雜芳基環的化合物或其衍生物，硼烷衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、4,4'-雙(2-(4-二苯基胺基苯基)乙烯基)聯苯、4,4'-雙(N-(芪-4-基)-N-苯基胺基)芪等胺基苯乙烯基衍生物，芳香族乙炔衍生物、四苯基丁二烯衍生物、芪衍生物、醛連氮衍生物、吡咯亞甲基(pyrromethene)衍生物、二酮基吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物、2,3,5,6-1H,4H-四氫-9-(2'-苯并噻唑基)喹嗪基[9,9a,1-gh]香豆素等香豆素衍生物，咪唑、噻唑、噻二唑、咔唑、 噁唑、噁二唑、三唑等唑衍生物及其金屬錯合物及以N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺為代表的芳香族胺衍生物等。
而且，在發光層中亦包含磷光發光材料。所謂磷光發光材料是即使在室溫下亦顯示磷光發光的材料。在作為摻雜劑而使用磷光發光材料的情況下，基本上必須即使在室溫下亦可獲得磷光發光，並無特別限定，較佳的是包含選自由銥(Ir)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鋨(Os)、及錸(Re)所構成的群組的至少一種金屬的有機金屬錯合化合物。其中，自即使在室溫下亦具有高的磷光發光產率的觀點考慮，更佳的是具有銥、或鉑的有機金屬錯合物。作為與磷光發光性的摻雜劑組合使用的主體，可適宜地使用吲哚衍生物、咔唑衍生物、吲哚咔唑衍生物、具有吡啶、嘧啶、三嗪骨架的含氮芳香族化合物衍生物、多芳基苯衍生物、螺茀衍生物、三聚茚(truxene)衍生物、聯伸三苯衍生物等芳香族烴化合物衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物等含有硫屬元素的化合物、羥基喹啉鈹錯合物等有機金屬錯合物等，若與基本上使用的摻雜劑相比而言，為三重態能量大，電子、電洞自各自的傳輸層順利地注入且進行傳輸者，則並不限定於該些化合物。而且，亦可含有2種以上的三重態發光摻雜劑，亦可含有2種以上的主體材料。另外，亦可含有1種以上的三重態發光摻雜劑與1種以上的螢光發光摻雜劑。
作為較佳的磷光發光性主體或摻雜劑，並無特別限定， 具體而言可列舉如下所示的例子。
[化49]
本發明的1,2-苯并苊衍生物亦具有高的發光性能，因此可用作發光材料。本發明的1,2-苯并苊衍生物在藍色~綠色區域(400nm~600nm區域)顯示出強的發光，因此可適宜地用作藍色及綠色發光材料。本發明的1,2-苯并苊衍生物亦可用作主體材料，但由於亦具有高的螢光量子產率，因此可適宜地用作摻雜材料。
在本發明中，所謂電子傳輸層是自陰極注入電子，進一步傳輸電子的層。電子傳輸層理想的是電子注入效率高，可效率 良好地傳輸所注入的電子。因此，電子傳輸層較佳的是由具有如下性質的物質而構成：電子親和力大，且電子遷移率大，另外穩定性優異，在製造時及使用時難以產生成為陷阱的雜質。然而，在考慮電洞與電子的傳輸平衡的情況下，電子傳輸層若主要起到可效率良好地阻止來自陽極的電洞並不再結合地流向陰極側的作用，則即使由電子傳輸能力並不那麼高的材料構成，使發光效率提高的效果亦變得與由電子傳輸能力高的材料構成的情況同等。因此，本發明中的電子傳輸層亦包含與可效率良好地阻止電洞遷移的電洞阻擋層同義者。
電子傳輸層中所使用的電子傳輸材料可列舉萘、蒽等縮合多環芳香族衍生物，以4,4'-雙(二苯基乙烯基)聯苯為代表的苯乙烯基系芳香環衍生物，蒽醌或聯對苯醌等醌衍生物，氧化磷衍生物，三(8-羥基喹啉)鋁(III)等羥基喹啉錯合物、苯并羥基喹啉錯合物、羥基唑錯合物、次甲基偶氮錯合物、托酚酮(tropolone)金屬錯合物及黃酮醇(flavonol)金屬錯合物等各種金屬錯合物，自減低驅動電壓、獲得高效率發光考慮，較佳的是使用具有雜芳基環結構的化合物，上述雜芳基環結構由選自碳、氫、氮、氧、矽、磷中的元素構成，且包含電子接受性氮。
包含電子接受性氮的芳香族雜環具有高的電子親和性。具有電子接受性氮的電子傳輸材料容易接收來自具有高的電子親和力的陰極的電子，變得可更低電壓地驅動。而且，向發光層的電子供給變多，再結合概率變高，因此發光效率提高。
包含電子接受性氮的雜芳基環例如可列舉吡啶環、吡嗪環、嘧啶環、喹啉環、喹噁啉環、萘啶環、嘧啶并嘧啶環、苯并喹啉環、啡啉環、咪唑環、噁唑環、噁二唑環、三唑環、噻唑環、噻二唑環、苯并噁唑環、苯并噻唑環、苯并咪唑環、啡啉并咪唑環等。
具有該些雜芳基環結構的化合物例如可列舉苯并咪唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物、吡嗪衍生物、啡啉衍生物、喹噁啉衍生物、喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、聯吡啶或三聯吡啶等寡聚吡啶衍生物及萘啶衍生物等作為較佳的化合物。其中，自電子傳輸能力的觀點考慮，可較佳地使用三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等咪唑衍生物、1,3-雙[(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑基]苯等噁二唑衍生物、N-萘基-2,5-二苯基-1,3,4-三唑等三唑衍生物、浴銅靈(bathocuproine)或1,3-雙(1,10-啡啉-9-基)苯等啡啉衍生物、2,2'-雙(苯并[h]喹啉-2-基)-9,9'-螺二茀等苯并喹啉衍生物、2,5-雙(6'-(2',2"-聯吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基矽雜環戊二烯等聯吡啶衍生物、1,3-雙(4'-(2,2'：6',2"-三聯吡啶基))苯等三聯吡啶衍生物、雙(1-萘基)-4-(1,8-萘啶-2-基)苯基氧化膦等萘啶衍生物。而且，該些衍生物若具有縮合多環芳香族骨架，則玻璃轉移溫度提高，且電子遷移率亦變大，且發光元件的低電壓化效果大，因此更佳。另外，若考慮提高元件耐久壽命、合成的容易性、原料獲得容易，則縮合多環芳香族骨架特佳的是蒽骨架、芘骨架或啡啉骨架。上 述電子傳輸材料可單獨使用，亦可將上述電子傳輸材料的2種以上混合使用、或者將其他電子傳輸材料的一種以上混合於上述電子傳輸材料中而使用。
較佳的電子傳輸材料並無特別限定，具體而言可列舉如下所示的例子。
除該些以外，亦可使用國際公開第2004-63159號、國際公開第2003-60956號、「應用物理快報(Appl.Phys.Lett.)」74，865(1999)、「有機電子(Org.Electron.)」4，113(2003)、國際公開第2010-113743號、國際公開第2010-1817號等中所揭示的電子傳輸材料。
而且，本發明的1,2-苯并苊衍生物亦具有高的電子注入傳輸能力，因此可適宜地用作電子傳輸材料。
在使用本發明的1,2-苯并苊衍生物的情況下，無需限於其各一種，亦可將本發明的多種1,2-苯并苊化合物混合使用，或者在不損及本發明的效果的範圍內將其他電子傳輸材料的一種以上與本發明的1,2-苯并苊化合物混合使用。作為可混合的電子傳輸材料，並無特別限定，可列舉具有萘、蒽、芘等縮合芳基環的化合物或其衍生物、以4,4'-雙(二苯基乙烯基)聯苯為代表的苯乙烯基系芳香環衍生物、苝衍生物、紫環酮衍生物、香豆素衍生物、萘二甲醯亞胺衍生物、蒽醌或聯對苯醌等醌衍生物、氧化磷衍生物、咔唑衍生物及吲哚衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(III)等羥基喹啉錯合物或羥基苯基噁唑錯合物等羥基唑錯合物、次甲基偶氮錯合物、托酚酮金屬錯合物及黃酮醇金屬錯合物。
上述電子傳輸材料可單獨使用，但亦可將上述電子傳輸材料的2種以上混合使用，或者將其他電子傳輸材料的一種以上混合於上述電子傳輸材料中而使用。而且，亦可含有施體性材料。此處，所謂施體性材料是藉由改善電子注入障壁，使自陰極或電 子注入層向電子傳輸層的電子注入變容易，進一步使電子傳輸層的導電性提高的化合物。
本發明中的施體性材料的較佳例可列舉鹼金屬、含有鹼金屬的無機鹽、鹼金屬與有機物的錯合物、鹼土類金屬、含有鹼土類金屬的無機鹽或鹼土類金屬與有機物的錯合物等。鹼金屬、鹼土類金屬的較佳的種類可列舉功函數低且電子傳輸能力提高效果大的鋰、鈉、銫等鹼金屬或鎂、鈣等鹼土類金屬。
而且，自在真空中的蒸鍍容易且操作優異考慮，與金屬單質相比而言，較佳的是無機鹽、或與有機物的錯合物的狀態。另外，於使在大氣中的操作容易、添加濃度控制的容易性的方面而言，更佳的是與有機物的錯合物的狀態。無機鹽的例子可列舉LiO、Li2O等氧化物、氮化物，LiF、NaF、KF等氟化物，Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、Rb2CO3、Cs2CO3等碳酸鹽等。而且，自原料廉價且合成容易的方面考慮，鹼金屬或鹼土類金屬的較佳例可列舉鋰。而且，與有機物的錯合物中的有機物的較佳例可列舉羥基喹啉、苯并羥基喹啉、黃酮醇、羥基咪唑并吡啶、羥基氮茚(hydroxybenzazol)、羥基三唑等。其中，較佳的是鹼金屬與有機物的錯合物，更佳的是鋰與有機物的錯合物，特佳的是羥基喹啉鋰。亦可將2種以上該些施體性材料混合而使用。
適宜的摻雜濃度亦因材料或摻雜區域的膜厚而不同，例如在施體性材料為鹼金屬、鹼土類金屬等無機材料的情況下，較佳的是以電子傳輸材料與施體性材料的蒸鍍速度比成為10000：1 ~2：1的範圍的方式進行共蒸鍍而製成電子傳輸層。蒸鍍速度比更佳的是100：1~5：1，進一步更佳的是100：1~10：1。而且，在施體性材料為金屬與有機物的錯合物的情況下，以電子傳輸材料與施體性材料的蒸鍍速度比成為100：1~1：100的範圍的方式進行共蒸鍍而製成電子傳輸層。蒸鍍速度比更佳的是10：1~1：10，進一步更佳的是7：3~3：7。
而且，在如上所述的本發明的1,2-苯并苊衍生物中摻雜有施體性材料的電子傳輸層可用作連結多個發光元件的串聯結構型元件中的電荷產生層。
在電子傳輸層中摻雜施體性材料而使電子傳輸能力提高的方法在薄膜層的膜厚較厚的情況下特別發揮出效果。在電子傳輸層及發光層的合計膜厚為50nm以上的情況下可特佳地使用。例如存在有為了使發光效率提高而利用干涉效應的方法，其是使自發光層直接放射的光與被陰極反射的光的相位對準而使光的出射效率提高的方法。其最佳條件根據光的發光波長而變化，電子傳輸層及發光層的合計膜厚成為50nm以上，在紅色等長波長發光的情況下，存在成為接近100nm的厚膜的情況。
進行摻雜的電子傳輸層的膜厚可為電子傳輸層的一部分或全部的任意者。在對一部分進行摻雜的情況下，理想的是至少在電子傳輸層/陰極界面設置摻雜區域，即使僅僅在陰極界面附近進行摻雜亦可獲得低電壓化的效果。另一方面，若施體性材料直接與發光層相接，則存在產生使發光效率降低的不良影響的情 況，在這種情況下，較佳的是在發光層/電子傳輸層界面設置未摻雜區域。
在本發明中，亦可在陰極與電子傳輸層之間設置電子注入層。一般情況下，以有助於自陰極向電子傳輸層注入電子的目的而插入電子注入層，在插入的情況下，可使用具有包含電子接受性氮的雜芳基環結構的化合物，亦可使用含有上述施體性材料的層。電子注入層中亦可包含本發明的1,2-苯并苊衍生物。而且，在電子注入層中亦可使用絕緣體或半導體的無機物。藉由使用該些材料，可有效地防止發光元件的短路，且可使電子注入性提高，因此較佳。此種絕緣體較佳的是使用選自由鹼金屬硫屬化合物、鹼土類金屬硫屬化合物、鹼金屬的鹵化物及鹼土金屬的鹵化物所構成的群組的至少一種金屬化合物。電子注入層若由該些鹼金屬硫屬化合物等而構成，則於可使電子注入性進一步提高的方面而言更佳。具體而言，較佳的鹼金屬硫屬化合物例如可列舉Li2O、Na2S及Na2Se，較佳的鹼土類金屬硫屬化合物例如可列舉CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。而且，較佳的鹼金屬的鹵化物例如可列舉LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。而且，較佳的鹼土類金屬的鹵化物例如可列舉CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物或氟化物以外的鹵化物。另外，亦可適宜地使用有機物與金屬的錯合物。在電子注入層中使用有機物與金屬的錯合物的情況下，容易調整膜厚，因此更佳。至於此種有機金屬錯合物的例子，作為與有機物的錯合物中的有機物的較佳例可列舉羥基喹 啉、苯并羥基喹啉、吡啶基苯酚、黃酮醇、羥基咪唑并吡啶、羥基氮茚、羥基三唑等。其中，較佳的是鹼金屬與有機物的錯合物，更佳的是鋰與有機物的錯合物，特佳的是羥基喹啉鋰。
構成發光元件的上述各層的形成方法為電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、分子積層法、塗佈法等，並無特別限定，通常自元件特性的方面考慮，較佳的是電阻加熱蒸鍍或電子束蒸鍍。
有機層的厚度亦由發光物質的電阻值而定，因此無法進行限定，較佳的是1nm~1000nm。發光層、電子傳輸層、電洞傳輸層的膜厚分別較佳的是1nm以上、200nm以下，更佳的是5nm以上、100nm以下。
本發明的發光元件具有可將電能轉換為光的功能。此處，電能主要使用直流電流，亦可使用脈衝電流或交流電流。電流值及電壓值並無特別限制，若考慮元件的電力消耗或壽命，則應以藉由儘可能低的能量獲得最大亮度的方式進行選擇。
本發明的發光元件例如可適宜地用作以矩陣及/或區段方式進行顯示的顯示器。
所謂矩陣方式是將用以顯示的畫素二維地配置為格子狀或馬賽克狀等，藉由畫素的集合顯示文字或影像。畫素的形狀或尺寸由用途而決定。例如在個人電腦(personal computer)、監視器、電視的影像及文字顯示中，使用通常一邊為300μm以下的四邊形的畫素，而且在如顯示面板這樣的大型顯示器的情況下， 變得使用一邊為mm級別的畫素。在單色顯示的情況下，排列相同顏色的畫素即可，但在彩色顯示的情況下，排列紅、綠、藍的畫素而進行顯示。在這種情況下，典型的是三角型與條紋型。而且，該矩陣的駆動方法可為線序駆動方法或主動矩陣的任意者。線序駆動的結構簡單，但在考慮動作特性的情況下，存在主動矩陣優異的情況，因此其亦需要根據用途而適當地使用。
本發明中的所謂區段方式是為了顯示預先決定的資訊而形成圖案，使由該圖案的配置而決定的區域發光的方式。例如可列舉數位鍾或溫度計中的時刻或溫度顯示，音訊設備或電磁爐等的動作狀態顯示及汽車的面板顯示等。而且，上述矩陣顯示與區段顯示亦可共存於相同的面板中。
本發明的發光元件亦可較佳地用作各種機器等的背光。背光主要是用以提高並不自發光的顯示裝置的視認性，在液晶顯示裝置、時鐘、音訊裝置、汽車面板、顯示板及標識等中使用。特別是在液晶顯示裝置(其中特別是研究了薄型化的個人電腦用途)的背光中較佳地使用本發明的發光元件，可提供較現有的背光更薄型、輕量的背光。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明加以說明，但本發明並不限定於該些實施例。
合成例1
化合物[1]的合成
將溴1,2-苯并苊26.0g、雙(頻哪醇基)二硼35.2g、乙酸鉀27.2g、二甲基甲醯胺462mL加以混合而進行氮氣置換。在該混合溶液中加入[1,1'-雙(二苯基膦)二茂鐵]二氯化鈀(II)‧二氯甲烷錯合物0.75g後加熱至100℃。在1小時後冷卻至室溫後，加入乙酸乙酯250mL、甲苯250mL、水250mL進行分液。藉由乙酸乙酯200mL、甲苯200mL對水層進行萃取後，與先前的有機層合併，藉由水500mL進行3次清洗。用硫酸鎂對有機層進行乾燥，將溶劑餾去。藉由矽膠管柱層析法進行純化，對溶出液進行蒸發，進行真空乾燥，藉此獲得16.4g的中間體A。
其次，將中間體A 16.4g、氯碘苯11.9g、二甲氧基乙烷251mL、1.5M碳酸鈉水溶液67ml加以混合而進行氮氣置換。於該混合溶液中加入雙(三苯基膦)二氯化鈀352mg而進行加熱回流。在3小時後，冷卻至室溫後加入水250ml，對析出物進行過濾，藉由真空乾燥機進行乾燥。將過濾物溶解於甲苯中之後，加入活性碳與QuadraSil(註冊商標)，藉由二氧化矽墊進行過濾。將濾液的溶劑餾去後，加入甲醇，對析出的固體進行過濾而使其乾燥。藉由乙酸丁酯100mL對所得的固體進行再結晶，進行過濾後加以真空乾燥，藉此獲得8.4g中間體B的黃綠色固體。
其次，將3-胺基吡啶15.0g、碘苯35.8g、第三丁醇鈉21.5g、甲苯400mL加以混合後進行氮氣置換。在該混合溶液中加入雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)1.83g、雙(二苯基膦基)二茂鐵1.77g而進行加熱回流。在4小時後冷卻至室溫後，進行矽藻土過濾， 加入水250mL而對有機層進行清洗。藉由硫酸鎂對有機層進行乾燥，加入活性碳後進行矽藻土過濾，將溶劑餾去。藉由矽膠管柱層析法進行純化，對溶出液進行蒸發，加入庚烷進行過濾。藉由對所得的固體進行真空乾燥而獲得4.85g中間體C。
其次，將中間體B 3.0g、中間體C 1.8g、第三丁醇鈉1.3g、鄰二甲苯49mL加以混合而進行氮氣置換。於該混合溶液中加入雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)56mg、XPhos 68mg而進行加熱回流。在40分鐘後冷卻至室溫後，進行矽藻土過濾將溶劑餾去。藉由矽膠管柱層析法進行純化，對溶出液進行蒸發。藉由乙酸丁酯進行再結晶後，進行過濾、真空乾燥，藉此獲得3.6g化合物[1]的黃綠色固體(產率為83%)。
所得的黃色固體的1H-NMR分析結果如下所示，確認上述所得的黃綠色固體為化合物[1]。
化合物[1]：1H-NMR(CDCl3(d=ppm))δ 7.10-7.25(m,6H),7.32-7.43(m,4H),7.47-7.55(m,3H),7.61-7.67(m,2H),7.90-8.01(m,5H),8.27(d,1H),8.49(d,1H)。
另外，化合物[1]可使用油擴散泵在1×10-3Pa的壓力下、約230℃下進行昇華純化後用作發光元件材料。高效液相層析法(high performance liquid chromatography，HPLC)純度(測定波長254nm中的面積%)是昇華純化前為99.9%、昇華純化後為99.9%。
[化51]
合成例2
化合物[2]的合成
將苊烯(acenaphthylene)14.0g、二苯基異苯并呋喃25.0g及鄰二甲苯200ml加以混合，在氮氣流下進行加熱回流。在2小時後冷卻至室溫後，將溶劑過濾除去，加入醚300mL。對所得的析出物進行過濾，進行真空乾燥而獲得27.7g中間體D(產率為71%)。
其次，將中間體D 27.7g、乙酸200mL加以混合，加入48%溴化氫水溶液20mL而進行加熱回流。在3小時後將反應混合物冷卻至室溫後，進行過濾，藉由水與甲醇加以清洗。對所得的固體進行真空乾燥，藉此獲得25.8g中間體E(產率為96%)。
其次，將中間體E 25.8g、N-溴琥珀醯亞胺11.3g、氯仿318mL加以混合而進行加熱回流。在1小時後追加N-溴琥珀 醯亞胺3.4g而進一步進行加熱回流。在2小時後冷卻至室溫後，藉由水與硫代硫酸鈉水溶液對氯仿溶液進行清洗。藉由硫酸鎂對有機層進行乾燥，加入活性碳3g後進行過濾，將溶劑餾去。藉由乙酸丁酯800mL對所得的固體進行再結晶，進行過濾後進行真空乾燥，藉此獲得26.9g中間體F(產率為87%)。
其次，將中間體F 9.0g、對氯苯基硼酸3.2g、二甲氧基乙烷93mL、1.5M碳酸鈉水溶液27ml加以混合而進行氮氣置換。於該混合溶液中加入雙(三苯基膦)二氯化鈀130mg進行加熱回流。在3小時後冷卻至室溫後，加入水93ml對析出物進行過濾，藉由真空乾燥機進行乾燥。藉由矽膠管柱層析法對過濾物進行純化，對溶出液進行蒸發。於所得的固體中加入甲醇，對析出物進行過濾後進行真空乾燥，藉此獲得8.4g中間體G(產率為87%)。
其次，將中間體G 3.0g、中間體C 1.2g、第三丁醇鈉0.8g、鄰二甲苯29mL加以混合而進行氮氣置換。於該混合溶液中加入雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)33mg、XPhos 40mg而進行加熱回流。在2小時後冷卻至室溫後，進行矽藻土過濾，將濾液的溶劑過濾除去。藉由矽膠管柱層析法進行純化，對溶出液進行蒸發。藉由乙酸丁酯45mL與鄰二甲苯40mL的混合溶劑對所得的固體進行再結晶，進行過濾後進行真空乾燥，藉此獲得2.49g化合物[2]的黃色固體(產率為67%)。
所得的黃色固體的1H-NMR分析結果如下所示，確認上述所得的黃色固體為化合物[2]。
化合物[2]：1H-NMR(CDCl3(d=ppm))δ 6.63-6.67(m,2H),7.08-7.21(m,6H),7.29-7.48(m,9H),7.56-7.71(m,12H),7.86(d,1H),8.24(dd,1H),8.45(d,1H)。
另外，化合物[2]可使用油擴散泵在1×10-3Pa的壓力下、約320℃下進行昇華純化後用作發光元件材料。HPLC純度(測定波長254nm中的面積%)是昇華純化前為99.9%、昇華純化後為99.9%。
合成例3
化合物[3]的合成
將中間體F 10.0g、雙(頻哪醇基)二硼7.9g、乙酸鉀6.1g、 二甲基甲醯胺52mL加以混合而進行氮氣置換。在該混合溶液中加入[1,1'-雙(二苯基膦)二茂鐵]二氯化鈀(II)‧二氯甲烷錯合物0.51g而加熱至100℃。在1小時後冷卻至室溫後，加入水200mL而對所析出的固體進行過濾。將所得的固體溶解於甲苯中，加入活性碳與QuadraSil(註冊商標)藉由二氧化矽墊進行過濾。將濾液的溶劑餾去後，加入甲醇而對析出的固體進行過濾，進行真空乾燥，藉此獲得10.8g中間體H。
其次，將中間體H 10.8g、溴咔唑5.0g、二甲氧基乙烷101mL、2.0M碳酸鉀水溶液22ml加以混合而進行氮氣置換。於該混合溶液中加入雙乙酸鈀91mg、三(鄰甲苯基)膦308mg而進行加熱回流。在1.5小時後冷卻至室溫後，加入甲苯500mL、水250ml進行分液。藉由水對有機層進行3次清洗，藉由硫酸鎂進行乾燥，加入活性碳後進行矽藻土過濾，將溶劑餾去。藉由鄰二甲苯150mL對所得的固體進行再結晶，進行過濾後進行真空乾燥，藉此獲得7.1g中間體I的黃綠色固體。
其次，將中間體I 3.0g、3-溴吡啶0.92g、第三丁醇鈉0.71g、鄰二甲苯27mL加以混合而進行氮氣置換。在其混合溶液中加入雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)61mg、雙(二苯基膦基)二茂鐵83mg而進行加熱回流。在2小時後冷卻至室溫後，進行矽藻土過濾而將溶劑餾去。藉由矽膠管柱層析法進行純化，對溶出液進行蒸發，加入甲醇而進行加熱回流。在3小時後冷卻至室溫後進行過濾。對所得的固體進行真空乾燥，藉此獲得3.31g化合物[3](產 率為97%)。
所得的黃色固體的1H-NMR分析結果如下所示，確認上述所得的黃綠色固體為化合物[3]。
化合物[3]：1H-NMR(DMSO-d6(d=ppm))δ 6.57-6.66(m,2H),7.33(t,1H),7.40-7.63(m,14H),7.69-7.80(m,7H),7.88(d,1H),8.19(dt,1H),8.32(d,1H),8.43(s,1H),8.77(dd,1H),8.94(d,1H)。
另外，化合物[3]可使用油擴散泵在1×10-3Pa的壓力下、約320℃下進行昇華純化後用作發光元件材料。HPLC純度(測定波長254nm中的面積%)是昇華純化前為99.9%、昇華純化後為99.9%。
實施例1
將堆積有165nm ITO透明導電膜的玻璃基板(Geomatec股份有限公司製造、11Ω/□、濺鍍品)切斷為38mm×46mm而進行蝕刻。用“Semico Clean 56”(商品名、古內化學(Furuuchi Chemical)股份有限公司製造)對所得的基板進行15分鐘的超音波清洗，然後用超純水加以清洗。在製作元件之前對該基板進行1小時的紫 外線(Ultraviolet，UV)-臭氧處理，設置在真空蒸鍍裝置內進行排氣，直至裝置內的真空度成為5×10-4Pa以下。藉由電阻加熱法首先蒸鍍5nm的HAT-CN6作為電洞注入層，其次蒸鍍50nm的HT-1作為電洞傳輸層。其次，將主體材料H-1、摻雜材料D-1以摻雜濃度成為5重量%的方式蒸鍍為20nm的厚度而作為發光層。其次，將化合物[1]蒸鍍為30nm的厚度進行積層而作為電子傳輸層。其次，蒸鍍0.5nm的氟化鋰後，蒸鍍1000nm的鋁作為陰極，製作5mm×5mm見方的元件。此處所謂的膜厚是石英振盪式膜厚監視器的顯示值。該發光元件的1000cd/m2時的特性是驅動電壓為3.7V、外部量子效率為4.5%。而且，將初始亮度設定為1000cd/m2，進行恆定電流驅動時亮度降低50%的亮度減半時間為1600小時。另外，HAT-CN6、HT-1、H-1、D-1是以下所示的化合物。
[化54]
實施例2~實施例30
在電子傳輸層中使用表1中所記載的化合物，除此以外與實施例1同樣地進行而製成發光元件而進行評價。將結果表示於表1中。另外，化合物[4]~化合物[30]是以下所示的化合物。
[化55]
[化56]
[化57]
比較例1~比較例5
在電子傳輸層中使用表1中所記載的化合物，除此以外與實施例1同樣地進行而製成發光元件而進行評價。將結果表示於表1中。另外，E-1~E-5是以下所示的化合物。
[化58]
實施例31
將堆積有165nm ITO透明導電膜的玻璃基板(Geomatec股份有限公司製造、11Ω/□、濺鍍品)切斷為38mm×46mm而進行蝕刻。用“Semico Clean 56”(商品名、古內化學股份有限公司製造)對所得的基板進行15分鐘的超音波清洗，然後用超純水加以清洗。在製作元件之前對該基板進行1小時的紫外線-臭氧處理，設置在真空蒸鍍裝置內進行排氣，直至裝置內的真空度成為5×10-4Pa以下。藉由電阻加熱法首先蒸鍍5nm的HAT-CN6作為電洞注入層，其次蒸鍍50nm的HT-1作為電洞傳輸層。其次，將主體材 料H-1、摻雜材料D-1以摻雜濃度成為5重量%的方式蒸鍍為20nm的厚度而作為發光層。其次，將化合物[1]蒸鍍為20nm的厚度進行積層而作為第1電子傳輸層。另外，在電子傳輸材料中使用化合物[1]、作為施體性材料的鋰，以化合物[1]與鋰的蒸鍍速度比成為20：1的方式積層為10nm的厚度而作為第2電子傳輸層。其次，蒸鍍0.5nm的氟化鋰後，蒸鍍1000nm的鋁作為陰極，製作5mm×5mm見方的元件。該發光元件的1000cd/m2時的特性是驅動電壓為3.5V、外部量子效率為5.1%。而且，將初始亮度設定為1000cd/m2，進行恆定電流驅動時亮度降低50%的亮度減半時間為2200小時。
實施例32~實施例60
在電子傳輸層中使用表2中所記載的化合物，除此以外與實施例31同樣地進行而製成發光元件而進行評價。將結果表示於表2中。
比較例6~比較例10
在電子傳輸層中使用表2中所記載的化合物，除此以外與實施例31同樣地進行而製成發光元件而進行評價。將結果表示於表2中。
實施例61
將堆積有165nm ITO透明導電膜的玻璃基板(Geomatec股份有限公司製造、11Ω/□、濺鍍品)切斷為38mm×46mm而進行蝕刻。用“Semico Clean 56”(商品名、古內化學股份有限公司製造) 對所得的基板進行15分鐘的超音波清洗，然後用超純水加以清洗。在製作元件之前對該基板進行1小時的紫外線-臭氧處理，設置在真空蒸鍍裝置內進行排氣，直至裝置內的真空度成為5×10-4Pa以下。藉由電阻加熱法首先蒸鍍5nm的HAT-CN6作為電洞注入層，其次蒸鍍50nm的HT-1作為電洞傳輸層。其次，將主體材料H-1、摻雜材料D-1以摻雜濃度成為5重量%的方式蒸鍍為20nm的厚度而作為發光層。另外，在電子傳輸材料中使用化合物[1]、作為施體性材料的2E-1，以化合物[1]與2E-1的蒸鍍速度比成為1：1的方式積層為30nm的厚度作為電子傳輸層。該電子傳輸層在表2中表示為第2電子傳輸層。其次，蒸鍍0.5nm的氟化鋰後，蒸鍍1000nm的鋁作為陰極，製作5mm×5mm見方的元件。該發光元件的1000cd/m2時的特性是驅動電壓為3.3V，外部量子效率為5.8%。而且，將初始亮度設定為1000cd/m2，進行恆定電流驅動時亮度降低50%的亮度減半時間為2800小時。
實施例62~實施例90
電子傳輸層、施體性材料使用表3中所記載的化合物，除此以外與實施例61同樣地進行而製成發光元件而進行評價。將結果表示於表3中。2E-1是以下所示的化合物。
[化59]
比較例11~比較例15
電子傳輸層、施體性材料使用表3中所記載的化合物，除此以外與實施例61同樣地進行而製成發光元件而進行評價。將結果表示於表3中。
實施例91
將堆積有165nm ITO透明導電膜的玻璃基板(Geomatec股份有限公司製造、11Ω/□、濺鍍品)切斷為38mm×46mm而進行蝕刻。用“Semico Clean 56”(商品名、古內化學股份有限公司製造)對所得的基板進行15分鐘的超音波清洗，然後用超純水加以清洗。在製作元件之前對該基板進行1小時的紫外線-臭氧處理，設置在真空蒸鍍裝置內進行排氣，直至裝置內的真空度成為5×10-4Pa以下。藉由電阻加熱法首先蒸鍍5nm的HAT-CN6作為電洞注入層，其次蒸鍍50nm的HT-1作為電洞傳輸層。該電洞傳輸層在表3中表示為第1電洞傳輸層。其次，將主體材料H-2、摻雜材料D-2以摻雜濃度成為10重量%的方式蒸鍍為20nm的厚度而作為發光層。其次，將化合物[1]蒸鍍為30nm的厚度而積層為電子傳輸層。其次，蒸鍍0.5nm的氟化鋰後，蒸鍍1000nm的鋁作為陰極，製作5mm×5mm見方的元件。此處所謂的膜厚是石英振盪式 膜厚監視器的顯示值。該發光元件的4000cd/m2時的特性是驅動電壓為4.0V、外部量子效率為10.8%。而且，將初始亮度設定為4000cd/m2，進行恆定電流驅動時的亮度減半時間為1200小時。另外，H-2、D-2是以下所示的化合物。
實施例92
將堆積有165nm ITO透明導電膜的玻璃基板(Geomatec股份有限公司製造、11Ω/□、濺鍍品)切斷為38mm×46mm而進行蝕刻。用“Semico Clean 56”(商品名、古內化學股份有限公司製造)對所得的基板進行15分鐘的超音波清洗，然後用超純水加以清洗。在製作元件之前對該基板進行1小時的紫外線-臭氧處理，設置在真空蒸鍍裝置內進行排氣，直至裝置內的真空度成為5×10-4Pa以下。藉由電阻加熱法首先蒸鍍5nm的HAT-CN6作為電洞注入層，其次蒸鍍40nm的HT-1作為第1電洞傳輸層。另外，蒸鍍10nm的HT-2作為第2電洞傳輸層。其次，將主體材料H-2、摻 雜材料D-2以摻雜濃度成為10重量%的方式蒸鍍為20nm的厚度而作為發光層。其次，將化合物[4]蒸鍍為30nm的厚度而積層為電子傳輸層。其次，蒸鍍0.5nm的氟化鋰後，蒸鍍1000nm的鋁作為陰極，製作5mm×5mm見方的元件。此處所謂的膜厚是石英振盪式膜厚監視器的顯示值。該發光元件的4000cd/m2時的特性是驅動電壓為3.9V、外部量子效率為13.8%。而且，將初始亮度設定為4000cd/m2，進行恆定電流驅動時的亮度減半時間為1900小時。另外，HT-2是以下所示的化合物。
實施例95、實施例99、實施例103
電子傳輸層使用表4中所記載的化合物，除此以外與實施例91同樣地進行而製成元件而進行評價。將結果表示於表4中。
比較例16、比較例20
電子傳輸層使用表4中所記載的化合物，除此以外與實施例 91同樣地進行而製成發光元件元件而進行評價。將結果表示於表4中。
實施例93~實施例94、實施例96~實施例98、實施例100~實施例102、實施例104~實施例106
第2電洞傳輸層及電子傳輸層使用表4中所記載的化合物，除此以外與實施例92同樣地進行而製成元件而進行評價。將結果表示於表4中。另外，HT-3、HT-4是以下所示的化合物。
比較例17~比較例19、比較例21~比較例23
第2電洞傳輸層及電子傳輸層使用表4中所記載的化合物，除此以外與實施例92同樣地進行而製成元件而進行評價。將結果表示於表4中。

Claims (13)

  1. 一種1,2-苯并苊衍生物，其以下述通式(1)而表示： (式中，Ar以下述通式(2)或通式(4)而表示；L1是經取代或未經取代的伸芳基、或經取代或未經取代的伸雜芳基，L2是單鍵、經取代或未經取代的伸芳基、或經取代或未經取代的伸雜芳基；A1及A2分別表示經取代或未經取代的苯環、碳數為6~40的經取代或未經取代的縮合芳香族烴環、碳數為1~40的經取代或未經取代的單環芳香族雜環、或碳數為1~40的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環；其中，構成A1及A2的至少1個原子是電子接受性氮；而且，在L2是經取代或未經取代的伸芳基，且A2為碳數為6~40的經取代或未經取代的苯環、或碳數為6~40的經取代或未經取代的縮合芳香族烴環的情況下，亦可藉由L2與A2形成環；在L1、L2、A1、A2被取代的情況下的取代基分別選自由烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基及-P(=O)R1R2所構成的群組；R1及R2是芳基或雜芳基；而且R1及R2亦可縮合而形成環；其中，在L1、L2均為單鍵的情況下，A1及A2並不都成為具有2個以上電子接受 性氮的基；而且，在L1或L2的任意一方為單鍵的情況下，另一方的L1或L2並不成為具有2個以上電子接受性氮的伸雜芳基；n為1或2；在n為2時，2個L2-N(A1)(A2)可相同亦可不同；其中，伸雜芳基並不包含伸咔唑基；而且，在n為2、且L2為單鍵的情況下，L1並不成為3環以上的并苯)， (式中，R3~R14可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組；R3~R14亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環；其中，在R3~R14中的任意一個位置與L1連結)， (式中，R15~R24可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚 基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組；R15~R24亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環；其中，在R15~R24中的任意一個位置與L1連結)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，上述通式(1)以下述通式(3)而表示： (式中，R4~R14可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組；R4~R14亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環；L1、L2、A1、A2及n與上述通式(1)相同)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，上述通式(1)以下述通式(5)而表示： (式中，R16~R24可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組；R16~R24亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環；L1、L2、A1、A2及n與上述通式(1)相同)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，L2-N(A1)(A2)是下述通式(6)~通式(9)所表示的任意結構： (式中，A1表示碳數為1~40的經取代或未經取代的單環芳香族雜環、或碳數為1~40的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環；其中，構成A1的至少1個原子是電子接受性氮；R25~R63可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組；R25~R63亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環；其中，在R25~ R63中的任意一個位置與L1鍵結)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，n為1。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，R7及R12是經取代或未經取代的芳基。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，R7及R12是苯基。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，A1是下述通式(10)~通式(12)的任意通式所表示的結構： (式中，B1~B19表示CH、經取代的碳原子、或氮原子；其中，在B1~B19中不含氮原子的情況下，A2是包含電子接受性氮的經取代或未經取代的單環芳香族雜環或包含電子接受性氮的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環；而且，在L2-N(A1)(A2)為下述通式(6)~通式(9)所表示的任意結構的情況下，B1~B19的任意一個是氮原子；在B1~B19被取代的情況下的取代基分別選自由烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、羧 基、氧基羰基、胺甲醯基及-P(=O)R1R2所構成的群組；R1及R2是芳基或雜芳基；而且R1及R2亦可縮合而形成環)， (式中，A1表示碳數為1~40的經取代或未經取代的單環芳香族雜環、或碳數為1~40的經取代或未經取代的縮合芳香族雜環；其中，構成A1的至少1個原子是電子接受性氮；R25~R63可分別相同亦可不同，選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、羰基、羧基、氧基羰基及胺甲醯基所構成的群組；R25~R63亦可藉由鄰接的取代基彼此之間形成環；其中，在R25~R63中的任意一個位置與L1鍵結)。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之1,2-苯并苊衍生物，其中，A2是下述通式(13)~通式(15)的任意通式所表示的結構： (式中，B20~B38表示CH、經取代的碳原子、或氮原子；其中，在上述B1~B19中不含氮原子的情況下，B20~B38的至少1個是氮原子；而且，在L2-N(A1)(A2)是上述通式(6)~通式(9)所表示的任意結構的情況下，在B20~B38中不含氮原子；在B20~B38被取代的情況下的取代基分別選自由烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基及-P(=O)R1R2所構成的群組；R1及R2是芳基或雜芳基；而且R1及R2亦可縮合而形成環)。
  10. 一種發光元件材料，其含有如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之1,2-苯并苊衍生物。
  11. 一種發光元件，其是在陽極與陰極之間存在有機層，藉由電能發光的發光元件，其特徵在於：在上述有機層中含有如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之1,2-苯并苊衍生物。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光元件，其中，上述有機層包含電子傳輸層，在上述電子傳輸層中含有如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之1,2-苯并苊衍生物。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項所述之發光元件，其中，上述有機層包含電洞傳輸層，上述電洞傳輸層含有具有咔唑骨架的材料。
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