TWI581364B - 靜電夾頭 - Google Patents

Description

靜電夾頭

本發明係關於靜電夾頭。

以往，在半導體製造裝置中，係對半導體晶圓(例如矽晶圓)進行乾蝕刻(例如電漿蝕刻)等的加工處理。為了提高此加工精度，需要有將半導體晶圓確實地支持於半導體製造裝置內的支持手段。作為此支持手段，已知有藉由靜電引力支持半導體晶圓之靜電夾頭。

當半導體晶圓的溫度產生偏差時，加工精度會降低。為了提高加工精度，必須使被靜電夾頭所支持之半導體晶圓的溫度均一。例如，專利文獻1揭示有在支持半導體晶圓之陶瓷基板(本體基板)的內部具備有加熱電極的靜電夾頭。藉由該加熱電極加熱半導體晶圓。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-317772號公報

然而，前述專利文獻1的靜電夾頭是為了使半 導體晶圓的溫度分布均一，而具有區分成複數個區域的本體基板和配置於各區域的加熱電極之構成，且是各區域的加熱電極分別獨立地進行溫度控制之構成。因此，當加熱電極的數量增加時，用於供電至加熱電極之加熱電極端子的數量也會增加。而當加熱電極端子的數量增加時，必須要將收容加熱電極端子的內部空間(端子孔)因應該加熱電極端子的數量設置於靜電夾頭內部。藉此，靜電夾頭的構造會變複雜。

又，例如，藉由在散熱用金屬基底形成多數端子孔，形成端子孔的部分會無法充分地與本體基板接觸。因此，在形成端子孔的部分，朝金屬基底的散熱性會降低，且溫度局部地變高之熱的奇異點(以下，亦稱為「奇異點」)會在本體基板上產生多數個。因此，半導體晶圓的溫度分布會變得難以均一化。又，藉由在金屬基底形成多數端子孔，會導致本體基板與金屬基底之間的黏著性降低，再者，導致對位變得繁雜等的黏著作業性降低。

又，藉由加熱電極端子的數量及端子孔的數量增加，會導致例如形成於金屬基底內部之冷卻用水路的位置的自由度之類的靜電夾頭內部構成的設計自由度降低。此外，會導致用以將多數個加熱電極端子連接於外部電源的連接工時(man-hour)、形成多數端子孔的孔加工工時等靜電夾頭之製造過程中的工時增加，並導致製造效率降低。

本發明係有鑒於此背景而完成者，目的在提 供一種藉由構造的簡單化可降低本體基板上之奇異點的數量及面積，且因工時降低等而使得製造得以容易化，又製造效率能夠提升之靜電夾頭。

本發明為一種靜電夾頭，其特徵為：具備有：本體基板，係具有基板表面及基板背面，且由陶瓷所構成；吸附用電極，係設置於該本體基板；金屬基底，係具有基底表面及基底背面，且將前述基底表面朝向前述本體基板之前述基板背面側而配置；及內部貫通孔，係貫通該金屬基底的前述基底表面與前述基底背面而形成；在前述本體基板，分別設置配置有加熱電極的複數個加熱區域；在前述內部貫通孔內，配置與前述各加熱區域的前述加熱電極電性連接之複數個加熱電極端子；配置於前述內部貫通孔內的前述複數個加熱電極端子，係與配置於前述內部貫通孔內的連接構件電性連接。

在前述靜電夾頭中，將與本體基板的各加熱區域的加熱電極電性連接之複數個加熱電極端子統合配置於內部貫通孔內。且，統合配置於內部貫通孔內的複數個加熱電極端子，係與配置於內部貫通孔內的連接構件電性連接。

因此，不需要像以往那樣於靜電夾頭內部因應加熱電極端子的數量的程度設置端子孔(本發明的內部貫通孔)。藉此，可將靜電夾頭的構造簡單化，並可降低本體基板上之奇異點的數量及面積。因此，可使被設置於本體基板的吸附用電極所吸附之半導體晶圓等的被 吸附物的溫度分布更均一化。

又，不須像以往那樣在靜電夾頭內部設置多數端子孔，所以可提高靜電夾頭內部之構成的設計自由度。又，在將本體基板和金屬基底藉由例如黏著層等黏著的情況下，可使兩者之間的黏著性提升，再者亦可使對位等的黏著作業性提升。此外，與以往相比，可降低製造過程中的工時(例如孔加工工時)，可達成製造的容易化、製造效率的提升。

又，由於是在內部貫通孔內，將複數個加熱電極端子連接於一個連接構件，所以可以良好效率進行加熱電極端子與外部構件的電性連接作業。藉此，可達成製造的容易化、製造效率的提升。例如，若設成將複數個加熱電極端子匯整地一次連接於一個連接構件，則可降低連接工時，並可更加提高製造效率。

如此，根據本發明，可提供一種藉由構造的簡單化可降低本體基板上之奇異點的數量及面積，且因工時降低等而使得製造容易化，又製造效率得以提升之靜電夾頭。

在前述靜電夾頭中，從前述本體基板的前述基板表面側觀看前述基板背面側時，前述內部貫通孔亦可配置於前述本體基板的任一前述加熱區域內。於此情況，可將成為奇異點的發生原因之內部貫通孔的位置設為對應於特定的加熱區域之位置。藉此，藉由控制該特定的加熱區域的加熱電極並進行溫度調整，可更簡單地進行被吸附物之溫度分布的調整及均一化。

又，前述靜電夾頭亦可為進一步具備貫通端子孔，該貫通端子孔係貫通前述金屬基底的前述基底表面和前述基底背面之間而形成，且供配置與前述吸附用電極電性連接之吸附用電極端子；從前述本體基板的前述基板表面側觀看前述基板背面側時，前述貫通端子孔係與前述內部貫通孔同樣配置於前述加熱區域內。於此情況，可將成為奇異點的發生原因之內部貫通孔及貫通端子孔的位置設為對應於特定的相同加熱區域之位置。藉此，藉由控制該特定的加熱區域的加熱電極並進行溫度調整，可更簡單地進行被吸附物之溫度分布的調整及均一化。

又，亦可為在前述加熱電極端子設置有凸狀公連接部，在前述連接構件設置有複數個與前述加熱電極端子的前述公連接部連接之凹狀母連接部。於此情況，在內部貫通孔內，將複數個加熱電極端子連接於一個連接構件的作業會變容易。又，可提升加熱電極端子與連接構件的電性連接之可靠性。

前述本體基係以使用對設於該本體基板的吸附用電極施加電壓時所產生的靜電引力，可吸附被吸附物之方式構成。作為被吸附物，可列舉半導體晶圓、玻璃基板等。

前述本體基板係可藉由例如積層的複數個陶瓷構成。當設成此種構成時，可容易地在本體基板的內部形成各種構造(例如加熱電極等)。

作為構成前述本體基板的陶瓷材料，可使用 例如以氧化鋁、氧化釔(yttrium oxide)、氮化鋁、氮化硼、碳化矽、氮化矽等的高溫燒成陶瓷為主成分之燒結體。

以構成前述本體基板的陶瓷材料而言，亦可依據用途，使用以低溫燒成陶瓷為主成分之燒結體，該低溫燒成陶瓷係在硼矽酸系玻璃或硼矽酸鉛系玻璃添加有氧化鋁等無機陶瓷填料而成的玻璃陶瓷等。又，亦可使用以鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶等的介電體陶瓷為主成分之燒結體。

此外，在半導體製造之乾蝕刻等的各處理中，可採用各種使用電漿的技術。在使用電漿的處理中，多使用鹵素氣體等腐蝕性氣體。所以，曝露於電漿、腐蝕性氣體的靜電夾頭，需要有高耐蝕性。因此，本體基板較佳為由對電漿、腐蝕性氣體具有耐蝕性的陶瓷材料，例如由以氧化鋁、氧化釔等為主成分的陶瓷材料所構成。

構成前述吸附用電極及前述加熱電極的導體材料並無特別限定，惟藉由同時燒成法形成此等的導體及陶瓷部分(本體基板)時，導體中的金屬粉末的熔點必須比本體基板的燒成溫度高。例如，在本體基板是由所謂的高溫燒成陶瓷(例如氧化鋁等)所構成的情況，可使用鎳(Ni)、鎢(W)、鉬(Mo)、錳(Mn)、此等的合金等，作為導體中的金屬粉末。

又，在本體基板是由所謂的低溫燒成陶瓷(例如玻璃陶瓷等)構成的情況下，可使用銅(Cu)、銀(Ag)、此等的合金等，作為導體中的金屬粉末。又，在本體 基板是由高介電常數陶瓷(例如鈦酸鋇等)所構成的情況下，可使用鎳(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)、鈀(Pd)、白金(Pt)、此等的合金等。

前述吸附用電極及前述加熱電極，係可使用含金屬粉末的導體糊並將該導體糊藉由以往周知的方法例如網版印刷等的方法塗布之後，再進行燒成而形成。

以構成前述金屬基底的金屬材料而言，可使用銅(Cu)、鋁(Al)、鐵(Fe)、鈦(Ti)等。

前述本體基板和前述金屬基底係例如於兩者之間藉由黏著層等而接合(黏著)。以構成黏著層的材料而言，可使用例如矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺(polyamideimide)樹脂、聚醯胺樹脂等的樹脂材料、銦等的金屬材料等。

1‧‧‧靜電夾頭

11‧‧‧本體基板

111‧‧‧基板表面

112‧‧‧基板背面

12‧‧‧金屬基底

121‧‧‧基底表面

122‧‧‧基底背面

21‧‧‧吸附用電極

51‧‧‧內部貫通孔

113、113a、113b‧‧‧加熱區域

41‧‧‧加熱電極

53‧‧‧加熱電極端子

6‧‧‧連接構件

31‧‧‧貫通端子孔

61‧‧‧連接器部

圖1為顯示實施形態1之靜電夾頭的構造之剖面說明圖。

圖2(A)為顯示吸附用電極之俯視圖，圖2(B)為顯示連接於吸附用電極的通路之俯視圖。

圖3(A)為顯示加熱電極之俯視圖，圖3(B)為顯示連接於加熱電極的通路之俯視圖，圖3(C)為顯示連接於驅動器的通路之俯視圖。

圖4(A)為顯示加熱電極端子及連接構件的構造之說明圖，圖4(B)為顯示加熱電極端子和連接構件經電性連接的狀態之說明圖。

圖5為顯示貫通端子孔及內部貫通孔的位置之說明圖。

圖6(A)為顯示在實施形態2的靜電夾頭中加熱電極端子及連接構件的構造之說明圖，圖6(B)為顯示加熱電極端子和連接構件經電性連接的狀態之說明圖。

[實施發明之形態]

以下，將本發明的實施形態連同圖面一起說明。

(實施形態1)

如圖1~圖5所示，本實施形態的靜電夾頭1具備有：本體基板11，係具有基板表面111及基板背面112且由陶瓷所構成；吸附用電極21，係設置於本體基板11；金屬基底12，係具有基底表面121及基底背面122，基底表面121配置成朝向本體基板11之基板背面112側；及內部貫通孔51，係貫通金屬基底12的基底表面121與基底背面122之間而形成。

在本體基板11，分別設有配置有加熱電極41(41a、41b)的複數個加熱區域113(113a、113b)。在內部貫通孔51內，配置有與各加熱區域113(113a、113b)的加熱電極41(41a、41b)電性連接之複數個加熱電極端子53。配置於內部貫通孔51內的複數個加熱電極端子53，係與配置於內部貫通孔51內的連接構件6電性連接。以下，就此靜電夾頭1進行詳細說明。

如圖1所示，靜電夾頭1係用以將作為被吸附 物的半導體晶圓8加以吸附保持裝置。靜電夾頭1具備有本體基板11、金屬基底12和黏著層13等。本體基板11和金屬基底12係藉由配置於兩者之間的黏著層13而接合。

本實施形態中，本體基板11側設為上側，金屬基底12側設為下側。上下方向是指本體基板11與金屬基底12的積層方向，且是本體基板11及金屬基底12的厚度方向。與上下方向(厚度方向)正交的方向是指，靜電夾頭1在平面上擴展的方向(平面方向、面方向)。

如該圖所示，本體基板11係吸附保持半導體晶圓8的構件。本體基板11具有基板表面111及基板背面112，且形成為直徑300mm、厚度3mm的圓板狀。本體基板11的基板表面111係吸附半導體晶圓8的吸附面。本體基板11係積層複數個陶瓷層(省略圖示)而構成。各陶瓷層係由以氧化鋁為主成分的氧化鋁質燒結體所構成。

在本體基板11的內部，配置有吸附用電極21及加熱電極(發熱體)41。吸附用電極21係在本體基板11的內部配置於大致同一平面上。吸附用電極21係藉由施加直流高電壓而產生靜電引力。藉由此靜電引力，而將半導體晶圓8吸附保持於本體基板11的基板表面(吸附面)111。吸附用電極21係由鎢所構成。

加熱電極41係在本體基板11的內部，配置在比吸附用電極21靠下方側(金屬基底12側)。加熱電極41係在本體基板11的內部，配置在大致同一平面上。加熱電極41係由鎢所構成。構成吸附用電極21及加熱電極41的材料，除了前述的鎢之外，可使用鉬、此等的合金等。

如該圖所示，金屬基底12係由鋁或鋁合金所構成的金屬製冷卻用構件(冷卻板)。金屬基底12具有基底表面121及基底背面122，且形成為直徑340mm、厚度32mm的圓板狀。金屬基底12配置於本體基板11的下方側。在金屬基底12的內部，設置有使冷卻媒體(例如，氟化液、純水等)流通的冷媒流路123。

如該圖所示，黏著層13配置於本體基板11與金屬基底12之間。黏著層13係藉由由矽酮樹脂所形成的黏著劑構成。本體基板11和金屬基底12係藉由黏著層13接合。

如圖2(A)所示，如前所述，吸附用電極21係在本體基板11的內部配置於大致同一平面上。吸附用電極21在平面視圖中係形成為圓形。

如圖2(B)所示，在吸附用電極21的下方側(金屬基底12側)，配置有通路22。通路22係沿著本體基板11的中心軸形成於上下方向。通路22係與吸附用電極21連接。

如圖1所示，在靜電夾頭1的內部，形成有從金屬基底12的基底背面122朝向本體基板11側形成於上下方向之剖面圓形的貫通端子孔31。貫通端子孔31係貫通金屬基底12的基底背面122和基底表面121之間，而形成至本體基板11的內部。貫通端子孔31係設置於與後述內部貫通孔51的形成位置不同的位置。在貫通端子孔31嵌入有筒狀絕緣構件32。在貫通端子孔31的底面(本體基板11)，設有金屬化層23。金屬化層23係與通路22電性連 接。亦即，吸附用電極21係藉由通路22與金屬化層23連接。

在金屬化層23設置有吸附用電極端子33。在吸附用電極端子33安裝有端子金屬配件34。端子金屬配件34係與電源電路(省略圖示)連接。用以產生靜電引力的電力係透過吸附用電極端子33等被供給至吸附用電極21。

如圖3(A)所示，本體基板11具有兩個加熱區域113。亦即，本體基板11具有：屬於包含其中心軸的內側區域之第1加熱區域113a、和屬於該第1加熱區域113a的外側區域之第2加熱區域113b。

加熱電極41係如前述，在本體基板11的內部配置於大致同一平面上。加熱電極41具有配置於第1加熱區域113a的第1加熱電極41a和配置於第2加熱區域113b的第2加熱電極41b。長形的第1加熱電極41a及第2加熱電極41b係在第1加熱區域113a及第2加熱區域113b，折返複數次而配置成大致同心圓狀。

如圖3(B)所示，在第1加熱區域113a，於第1加熱電極41a的下方側(金屬基底12側)配置有一對通路421、422。一對通路421、422係與第1加熱電極41a的一對端子部411a、412a分別連接。

又，在第2加熱區域113b，於第2加熱電極41b的下方側(金屬基底12側)配置有一對通路431、432。一對通路431、432係與第2加熱電極41b的一對端子部411b、412b分別連接。

如圖1所示，在一對通路421、422及一對通路431、432的下方側(金屬基底12側)，配置有彼此分離而形成的四個驅動器(內部導電層)441、442、451、452(圖1中僅圖示驅動器441、451)。驅動器441、442、451、452係在本體基板11的內部配置於大致同一平面上。一對驅動器(driver)441、442係與一對通路421、422分別連接。一對驅動器451、452係與一對通路431、432分別連接。

如圖3(C)所示，在一對驅動器441、442的下方側(金屬基底12側)配置有一對通路461、462。一對通路461、462係與一對驅動器441、442分別連接。

又，在一對驅動器451、452的下方側(金屬基底12側)配置有一對通路471、472。一對通路471、472係與一對驅動器451、452分別連接。

如圖1所示，在靜電夾頭1的內部，設置有從金屬基底12的基底背面122朝向本體基板11側形成於上下方向之剖面四角形狀的內部貫通孔51。內部貫通孔51係貫通金屬基底12的基底背面122和基底表面121之間，形成到本體基板11的內部。在內部貫通孔51嵌入有筒狀絕緣構件52。

在內部貫通孔51的底面(本體基板11)，設置有四個金屬化層481、482、491、492(圖1中僅圖示金屬化層481、491)。一對金屬化層481、482係與一對通路461、462分別連接。一對金屬化層491、492係與一對通路471、472分別連接。

如圖4(A)所示，在各金屬化層481、482、491 、492，分別設有加熱電極端子53。加熱電極端子53係藉由硬焊接合於各金屬化層481、482、491、492。亦即，四個加熱電極端子53中，兩個加熱電極端子53係與第1加熱電極41a電性連接，剩下的兩個加熱電極端子53係與第2加熱電極41b電性連接。在各加熱電極端子53設置有凸狀(銷狀)的公連接部531。公連接部531的銷直徑可設為0.2~0.5mm，銷長度可設為2~5mm，配置間距可設為1~2.54mm。

又，在內部貫通孔51內配置有一個連接構件6。連接構件6具有連接器部61和連接纜線62。在連接器部61，設置有四個與凸狀(銷狀)公連接部531對應的凹狀母連接部611。

如圖4(B)所示，加熱電極端子53的公連接部531係被插入連接構件6之連接器部61的母連接部611。四個加熱電極端子53係與一個連接構件6電性連接。連接構件6係與電源電路(省略圖示)連接。用以使第1加熱電極41a及第2加熱電極41b的電力係經由加熱電極端子53、連接構件6等被供給至第1加熱電極41a及第2加熱電極41b。

如圖5所示，內部貫通孔51的所有部分係配置在與本體基板11的第1加熱區域113a對應的位置。又，貫通端子孔31的所有部分係與內部貫通孔51相同，配置在與第1加熱區域113a對應的位置。

又，如前述，在內部貫通孔51內，配置有與第1加熱電極41a及第2加熱電極41b電性連接的四個加熱電極端子53。配置於內部貫通孔51內的四個加熱電極端 子53係與配置於內部貫通孔51內的一個連接構件6電性連接。

雖省略圖示，惟在靜電夾頭1(本體基板11，金屬基底12，黏著層13)的內部，設置有冷卻用氣體供給路，其作為冷卻半導體晶圓8之氦等冷卻用氣體的供給通路。在本體基板11的基板表面(吸附面)111設有：複數個冷卻用開口部(省略圖示)，係冷卻用氣體供給路開口而形成；及環狀冷卻用溝部(省略圖示)，係以自該冷卻用開口部供給的冷卻用氣體擴散到本體基板11的基板表面(吸附面)111整體之方式形成。

其次，說明靜電夾頭1的製造方法。

首先，藉由以往周知的方法，製作以氧化鋁為主成分的陶瓷胚片。在本實施形態中，製作作為本體基板11的複數個陶瓷胚片。

接著，對於複數個陶瓷胚片，將作為貫通端子孔31的空間、作為冷卻用氣體供給路等冷卻氣體的流路之空間、作為通路22，421、422、431、432、461、462、471、472的貫穿孔等形成於所需部位。此外，為了做出更高精度的位置精度，最後會對貫通端子孔31實施研磨加工。

然而，在複數個陶瓷胚片中，將金屬化印墨(metallized ink)填充於貫穿孔內，該貫穿孔係形成於會成為通路22、421、422、431、432、461、462、471、472的位置。又，在複數個陶瓷胚片中，於形成吸附用電極21、加熱電極41(41a、41b)、驅動器441、442、451、452 的位置，藉由網版印刷等方法，塗布金屬化印墨。此外，金屬化印墨係在以氧化鋁為主成分的陶瓷胚片用原料粉末中混合鎢粉末而作成漿料狀。

將複數個陶瓷胚片的位置相互對準而積層，並進行熱壓接。藉此，得到積層片。接著，將積層片切成既定形狀。然後，將積層片在還原環境中，於1400~1600℃之範圍(例如1450℃)的溫度條件下燒成5小時。藉此，獲得由氧化鋁質燒結體所構成的本體基板11。

其次，在本體基板11的所需部位，形成金屬化層23、481、482、491、492等。且，在金屬化層23設置吸附用電極端子33。又，將加熱電極端子53藉由硬焊接合於金屬化層481、482、491、492。在本實施形態中，將四個加熱電極端子53藉由硬焊一次與金屬化層481、482、491、492接合。

其後，使用由矽酮樹脂所構成的黏著劑，接合本體基板11和金屬基底12。此外，對金屬基底12，事先將會成為貫通端子孔31、內部貫通孔51的空間形成於所需部位。藉此，將本體基板11和金屬基底12藉由黏著層13接合。

將連接構件6插入內部貫通孔51內。將四個加熱電極端子53的公連接部531插入連接構件6之連接器部61的母連接部611。藉此，連接加熱電極端子53和連接構件6。藉此，獲得靜電夾頭1。

接著，說明本實施形態之靜電夾頭1的作用效果。

在本實施形態的靜電夾頭1中，於內部貫通孔51內，統合配置有與本體基板11的各加熱區域113a、113b的加熱電極41a、41b電性連接之複數個(四個)加熱電極端子53。統合配置於內部貫通孔51內的複數個(四個)加熱電極端子53係與配置於內部貫通孔51內的連接構件6電性連接。

因此，不須像以往那樣在靜電夾頭1內部因應加熱電極端子53的數量的程度設置端子孔(本實施形態的內部貫通孔51)。藉此，可將靜電夾頭1的構造簡單化，且可降低本體基板11上之奇異點的數量及面積。因此，可使被設置於本體基板11的吸附用電極21所吸附之半導體晶圓(被吸附物)8的溫度分布更加均一化。

又，由於不須像以往那樣在靜電夾頭1內部設置多數端子孔，所以可提高靜電夾頭1內部之構成的設計自由度。又，將本體基板11和金屬基底12如本實施形態所示般藉由黏著層13黏著時，可使兩者間的黏著性提升，再者亦可使對位等的黏著作業性提升。再者，相較於以往，可降低製造過程中的工時(例如孔加工工時)，可達成製造的容易化、製造效率的提升。

由於是在內部貫通孔51內，將複數個加熱電極端子53連接於一個連接構件6，所以可以良好效率進行加熱電極端子53與外部構件(連接構件6)的電性連接作業。藉此，可達成製造的容易化、製造效率的提升。如本實施形態所示，藉由將複數個加熱電極端子53集中地一次連接於1個連接構件6，可降低連接工時，且可更加 提升製造效率。

在本實施形態的靜電夾頭1中，從本體基板11的基板表面111側觀看基板背面112側時，內部貫通孔51係配置於本體基板11的任一加熱區域113內(本實施形態中為第1加熱區域113a內)。因此，可將成為奇異點的發生原因之內部貫通孔51的位置設為對應於特定的加熱區域113(第1加熱區域113a)之位置。藉此，藉由控制該特定的加熱區域113(第1加熱區域113a)的加熱電極41(第1加熱電極41a)並進行溫度調整，可更簡單地進行半導體晶圓(被吸附物)8之溫度分布的調整及均一化。

又，靜電夾頭1進一步具備貫通端子孔31，該貫通端子孔31係貫通金屬基底12的基底表面121和基底背面122而形成，且供配置與吸附用電極21電性連接的吸附用電極端子33。又，從本體基板11的基板表面111側觀看基板背面112側時，貫通端子孔31係與內部貫通孔51同樣配置於加熱區域113(113a)內。因此，可將成為奇異點的發生原因之內部貫通孔51及貫通端子孔31的位置設為與特定的相同加熱區域113(第1加熱區域113a)對應的位置。藉此，藉由控制該特定的加熱區域113(第1加熱區域113a)的加熱電極41(第1加熱電極41a)並進行溫度調整，可更簡單地進行半導體晶圓(被吸附物)8之溫度分布的調整及均一化。

在加熱電極端子53設置有凸狀(銷狀)公連接部531。又，在連接構件6，設置有複數個與加熱電極端子53的公連接部531連接之凹狀母連接部611。因此，在 內部貫通孔51內，將複數個加熱電極端子53連接於一個連接構件6的作業會變容易。又，可提升加熱電極端子53與連接構件6的電性連接之可靠性。

如此，根據本實施形態，可提供一種因為構造的簡單化，所以可降低本體基板上之奇異點的數量及面積，且因工時降低等而使得製造容易化，製造效率得以提升之靜電夾頭1。

(實施形態2)

如圖6(A)、(B)所示，本實施形態係在靜電夾頭1中變更了連接構件6的構成之例。

如圖6(A)所示，連接構件6具有連接器部61和連接纜線62和中繼構件63。在連接器部61設置有四個凸狀(銷狀)連接凸部612。在中繼構件63設置有四個凹狀母連接部631，其供連接加熱電極端子53的公連接部531。又，在中繼構件63設置有四個凹狀連接凹部632，其供連接連接器部61的連接凸部612。

如圖4(B)所示，加熱電極端子53的四個公連接部531係分別被插入連接構件6的中繼構件63的四個母連接部631。又，連接構件6的連接器部61的四個連接凸部612係分別被插入連接構件6的中繼構件63的四個連接凹部632。其他的基本構成係與實施形態1同樣。

接著，說明關於本實施形態的作用效果。

本實施形態中，加熱電極端子53與連接構件6的連接器部61係藉由中繼構件63連接。因此，即便加熱電極端子53的構成(例如公連接部531的銷狀、直徑、長度、間 距等)被變更，也能藉由變更連接構件6的中繼構件63的構成(例如母連接部631的形狀等)，而能夠在不用變更連接構件6的其他部分(例如連接器部61、連接纜線62等)的構成之情況下，容易地進行加熱電極端子53與連接構件6的電性連接。其他基本的作用效果係與實施形態1相同。

(其他實施形態)

本發明絲毫未到受前述實施形態等所限制，在不脫離本發明的範圍內皆可以各種態樣來實施，乃毋庸贅述。

(1)在前述實施形態中，本體基板具有兩個加熱區域(第1加熱區域、第2加熱區域)，惟本體基板亦可具有三個以上的加熱區域。又，加熱電極的數量雖為兩個，但亦可為三個以上。又，加熱電極端子的數量雖為四個，但並不受限於此

(2)在前述實施形態中，內部貫通孔雖配置於本體基板的第1加熱區域內，惟亦可為例如內部貫通孔配置在本體基板的第2加熱區域內。

(3)在前述實施形態中，係於內部貫通孔內配置加熱電極端子，且於貫通端子孔配置吸附用電極端子，惟亦可為例如未設置貫通端子孔，而在內部貫通孔內配置加熱電極端子及吸附用電極端子。

(4)在前述實施形態中，雖然內部貫通孔及貫通端子孔皆配置於本體基板的第1加熱區域內，惟亦可為例如僅將內部貫通孔及貫通端子孔的一者配置於本體基板的第1加熱區域內。

(5)在前述實施形態中，加熱電極端子的數量 為四個且連接構件為一個，然而並不限定於此，只要是複數個加熱電極端子與一個連接構件電性連接即可。例如，亦可作成在一個內部貫通孔內，設置複數個加熱電極端子及一個連接構件A、與其他的複數個加熱電極端子及一個連接構件B之構成。此時，一個連接構件A係具有與複數個加熱電極端子分別連接的複數個連接部，一個連接構件B係具有與複數個加熱電極端子分別連接的複數個連接部。又，亦可作成在一個內部貫通孔內，設置複數個加熱電極端子及一個連接構件C、與一根其他加熱電極端子及電性連接於其他加熱電極端子的外部端子之構成。

11‧‧‧本體基板

31‧‧‧貫通端子孔

51‧‧‧內部貫通孔

53‧‧‧加熱電極端子

61‧‧‧連接器部

113、113a、113b‧‧‧加熱區域

Claims (4)

1. 一種靜電夾頭，其特徵為：具備有：本體基板，係具有基板表面及基板背面，且由陶瓷所構成；吸附用電極，係設置於該本體基板；金屬基底，係具有基底表面及基底背面，且將前述基底表面配置成朝向前述本體基板之前述基板背面側；及內部貫通孔，係貫通該金屬基底的前述基底表面與前述基底背面而形成；在前述本體基板，分別設置配置有加熱電極的複數個加熱區域；在前述內部貫通孔內，配置與前述各加熱區域的前述加熱電極電性連接之複數個加熱電極端子；配置於前述內部貫通孔內的前述複數個加熱電極端子，係與配置於前述內部貫通孔內的連接構件電性連接。
2. 如請求項1之靜電夾頭，其中從前述本體基板的前述基板表面側觀看前述基板背面側時，前述內部貫通孔係配置於前述本體基板的任一前述加熱區域內。
3. 如請求項2之靜電夾頭，其進一步具備貫通端子孔，該貫通端子孔係貫通前述金屬基底的前述基底表面和前述基底背面而形成，且供配置與前述吸附用電極電性連接之吸附用電極端子；從前述本體基板的前述基板 表面側觀看前述基板背面側時，前述貫通端子孔係與前述內部貫通孔同樣配置於前述加熱區域內。
4. 如請求項1至3中任一項之靜電夾頭，其中在前述加熱電極端子設置有凸狀公連接部，在前述連接構件設置有複數個與前述加熱電極端子的前述公連接部連接之凹狀母連接部。