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TWI580025B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

有機發光二極體顯示器 Download PDF

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TWI580025B
TWI580025B TW102105948A TW102105948A TWI580025B TW I580025 B TWI580025 B TW I580025B TW 102105948 A TW102105948 A TW 102105948A TW 102105948 A TW102105948 A TW 102105948A TW I580025 B TWI580025 B TW I580025B
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capacitor plate
boost
driving
thin film
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Application number
TW102105948A
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Inventor
洪相玟
Original Assignee
三星顯示器有限公司
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Publication date
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Description

有機發光二極體顯示器
所描述之技術大致係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器。
有機發光二極體(OLED)顯示器包含二電極與安置在二電極之間的有機發光層。自一電極注入的電子與自另一電極注入的電洞在有機發光層結合以形成激子，而光線藉由激子產生的能量而發射。
有機發光二極體(OLED)顯示器包含含有有機發光二極體(OLED)作為自發光元件的複數個像素，而每一像素包含複數個薄膜電晶體(TFT)以及電容以驅動有機發光二極體(OLED)。
電容包含用於儲存數據訊號的儲存電容以及根據訊號線的電壓改變執行升壓操作以進一步改正灰階顯示的升壓電容，而含有儲存電容與升壓電容的像素之亮度係根據二電容之電容比(capacitance ratio)而改變。
為了有一致的亮度，在複數個像素之間的儲存電容與升壓電容之電容比通常必須是一致的。
然而，升壓電容係通常設定具有比儲存電容小的電容值，從而根據製程分佈的改變量係相對大的。由複數個像素所包含的升壓電容之間的電容值偏差可能產生亮度偏差與顏色偏差。
揭露於背景章節之上述資訊係僅用來加強所述技術背景之理解，所以可能包含未構成該技術領域具有通常知識者已知之先前技術之資訊。
本發明係提供一種能穩定地確保升壓電容值的有機發光二極體(OLED)顯示器。
根據實施例之一種有機發光二極體(OLED)顯示器，包含基板；形成在基板上並施加掃描訊號的掃描線；交叉掃描線並分别施加數據訊號與驅動電壓的數據線與驅動電壓線；連接至掃描線與數據線的開關薄膜電晶體；連接至開關薄膜電晶體之開關汲極電極與驅動電壓線的驅動薄膜電晶體；連接至驅動薄膜電晶體之驅動汲極電極的有機發光二極體(OLED)；連接在驅動電壓線與驅動薄膜電晶體之驅動閘極電極之間的儲存電容；以及含有連接至驅動薄膜電晶體之驅動閘極電極的第一升壓電容板以及重疊第一升壓電容板並連接至掃描線的第二升壓電容板之升壓電容，其中升壓電容之第一升壓電容板之面積係大於第二升壓電容板之面積。
有機發光二極體顯示器可進一步包含形成在基板上並施加鄰近掃描訊號的鄰近掃描線。
儲存電容可包含與第一升壓電容板形成在相同層上的第一儲存電容板，以及重疊第一儲存電容板並連接至共同電壓線的第二儲存電容板。
第一升壓電容板可與驅動薄膜電晶體之驅動半導體層形成在相同層上，而第二升壓電容板可與掃描線形成在相同層上。
第一升壓電容板可為從第一儲存電容板延伸出的延伸部，而第二升壓電容板可為從掃描線突出的突出部。
第一升壓電容板可具有錘狀，而第一升壓電容板可包含平行於驅動電壓線的柄部以及形成在柄部之末端的頭部。
第二升壓電容板之突出部可從掃描線向上與向下突出。
第二升壓電容板之突出部可被安置以完全重疊第一升壓電容板之頭部內部。
在第一升壓電容板之頭部之外垂直線與第二升壓電容板之突出部之外垂直線之間的水平間隔可在約1.2μm至約2μm之範圍內。
在第一升壓電容板之頭部之外水平線與第二升壓電容板之突出部之外水平線之間的垂直間隔可在約1.2μm至約2μm之範圍內。
第一升壓電容板可為從第一儲存電容板延伸出的延伸部，而第二升壓電容板可連接至與驅動電壓線形成在相同層上的升壓連接線。
可進一步包含形成在第一升壓電容板上的閘極絕緣層與覆蓋形成在閘極絕緣層上之第二升壓電容板的層間絕緣層，而升壓連接線可透過形成於層間絕緣層中的接觸孔連接至第二升壓電容板。
升壓連接線可平行於掃描線。
數據線與驅動電壓線在重疊升壓連接線之部分可分别被劃分開，數據線之末端可透過數據連接頭彼此連接，而驅動電壓線之末端可透過驅動電壓連接頭彼此連接。
驅動薄膜電晶體之驅動閘極電極可透過儲存連接頭連接至第一儲存電容板。
儲存連接頭可包含透過形成於層間絕緣層中的接觸孔連接至第一儲存電容板的第一水平儲存連接頭、透過形成於層間絕緣層中的接觸孔連接至第一水平儲存連接頭的垂直儲存連接頭、以及透過形成於層間絕緣層中的接觸孔連接至垂直儲存連接頭的第二水平儲存連接頭。
第二水平儲存連接頭可透過形成於層間絕緣層中的接觸孔連接至驅動閘極電極。
根據本發明之實施例，升壓電容之第一升壓電容板之面積係大於第二升壓電容板之面積，以使根據製程分布的第二升壓電容板之垂直與水平方向移動而造成的升壓電容值之改變比率可以被最小化。
因此，可改進複數個像素之間的色彩偏差斑點(color deviation stain)。
110‧‧‧基板
111‧‧‧緩衝層
121‧‧‧掃描線
122‧‧‧鄰近掃描線
123‧‧‧發光控制線
124‧‧‧初始化電壓線
125a‧‧‧驅動閘極電極
125b‧‧‧開關閘極電極
125c‧‧‧補償閘極電極
125d‧‧‧初始化閘極電極
125e‧‧‧第一發光控制閘極電極
125f‧‧‧第二發光控制閘極電極
127‧‧‧補償半導體層
129‧‧‧第二升壓電容板
131a‧‧‧驅動半導體層
131b‧‧‧開關半導體層
131c‧‧‧補償半導體層
131d‧‧‧初始化半導體層
131e‧‧‧第一發光控制半導體層
131f‧‧‧第二發光控制半導體層
132‧‧‧第一儲存電容板
133‧‧‧第一升壓電容板
133a‧‧‧柄部
133b‧‧‧頭部
140‧‧‧閘極絕緣層
160‧‧‧層間絕緣層
163、164、165、166、167、168‧‧‧接觸孔
171‧‧‧數據線
172‧‧‧驅動電壓線
174‧‧‧連接頭
176a‧‧‧驅動源極電極
176b‧‧‧開關源極電極
176c‧‧‧補償源極電極
176d‧‧‧初始化源極電極
176e‧‧‧第一發光控制源極電極
176f‧‧‧第二發光控制源極電極
177a‧‧‧驅動源極電極
177b‧‧‧開關汲極電極
177c‧‧‧補償汲極電極
177d‧‧‧初始化汲極電極
177e‧‧‧第一發光控制汲極電極
177f‧‧‧第二發光控制汲極電極
180‧‧‧保護層
181、211、212、221、222、69、721、722、731、732‧‧‧接觸孔
191‧‧‧像素電極
21‧‧‧數據連接頭
22‧‧‧驅動電壓連接頭
24‧‧‧驅動電壓連接頭
270‧‧‧共同電極
350‧‧‧阻障壁
351‧‧‧阻障壁開口
370‧‧‧有機發光層
70‧‧‧有機發光二極體
71‧‧‧升壓連接線
72‧‧‧升壓連接線
73‧‧‧第二水平儲存連接頭
OLED‧‧‧有機發光二極體
Cst‧‧‧儲存電容
Cb‧‧‧升壓電容
T1‧‧‧驅動薄膜電晶體
T2‧‧‧開關薄膜電晶體
T3‧‧‧補償薄膜電晶體
T4‧‧‧初始化薄膜電晶體
T5‧‧‧第一發光控制薄膜電晶體
T6‧‧‧第二發光控制薄膜電晶體
En‧‧‧發光控制訊號
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧鄰近掃描訊號
Vint‧‧‧初始化電壓
Dm‧‧‧數據訊號
ELVDD‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共同電壓
X1、X2‧‧‧水平間隔
Y1、Y2‧‧‧垂直間隔
IV-IV、VI-VI‧‧‧剖面線
第1圖係為根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的像素之等效電路。
第2圖係為顯示根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的像素中的複數個薄膜電晶體與電容之位置的示意圖。
第3圖係為根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的像素之布局圖。
第4圖係為在第3圖中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器沿著線IV-IV取得的剖面圖。
第5圖係為根據另一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的像素之布局圖。
第6圖係為第5圖所示之有機發光二極體(OLED)顯示器沿著線VI-VI取得的剖面圖。
下文中，將參考附圖以詳細描述一些實施例，如此熟悉本發明涉及的領域之技術者能夠輕易地執行。熟悉此領域之技術者將理解，所描述之實施例可以各種不同方式修改而皆不脫離本發明的精神或範疇。
為了清楚地說明本發明，與省略本發明說明無關的部分，且說明書中相同或相似組成元件係通常以相同之參考符號代表。
此外，圖式中所示的每一構造之尺寸厚度並不因此受限制。
在圖式中，層、薄膜、面板、區域等之厚度可為了清楚而誇大。在圖式中，為較好理解與描述容易，一些層與區域之厚度可能會過度地呈現。將了解的是當元件，例如層、薄膜、區域或基板，被指在另一元件「上」時，其可能是直接在該其他元件上或亦可存在中介元件。
以下將參考第1圖至第4圖描述根據一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器。
第1圖係為根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的一個像素之等效電路。
如第1圖所示，根據一個實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的一個像素包含複數條訊號線、連接至複數條訊號線的複數個薄膜電晶體(TFT)、電容以及有機發光二極體OLED。
薄膜電晶體包含驅動薄膜電晶體T1、開關薄膜電晶體T2、補償薄膜電晶體T3、初始化薄膜電晶體T4、第一發光控制薄膜電晶體T5以及第二發光控制薄膜電晶體T6，而電容包含儲存電容Cst與升壓電容Cb。
如第1圖所示，訊號線包含傳送掃描訊號Sn的掃描線121、傳送鄰近掃描訊號Sn-1至初始化薄膜電晶體T4的鄰近掃描線122。鄰近掃描線122係為來自鄰近於與掃描線121相關之像素的像素之掃描線。掃描線更包含傳送發光控制訊號En至第一發光控制薄膜電晶體T5及第一發光控制薄膜電晶體T6之發光控制線123、傳送數據訊號Dm並與掃描線121交叉之數據線171、傳送驅動電壓ELVDD並實質上平行於數據線171之驅動電壓線172及傳送初始化驅動薄膜電晶體T1的初始化電壓Vint之初始化電壓線124。
開關薄膜電晶體T2包含連接至掃描線121的閘極電極、連接至數據線171的源極電極以及連接至驅動薄膜電晶體T1的源極電極與驅動電壓線172的汲極電極。開關薄膜電晶體T2根據透過掃描線121傳送的掃描訊號而執行開關操作。
驅動薄膜電晶體T1根據開關薄膜電晶體T2之開關操作而接收數據訊號並供應驅動電流至有機發光二極體(OLED)。
驅動薄膜電晶體T1的閘極電極係連接至儲存電容Cst之一端，而儲存電容Cst之另一端係連接驅動電壓線172。此外，連接至開關薄膜電晶體T2之閘極電極的掃描線121係連接升壓電容Cb之一端，而升壓電容Cb之另一端係連接驅動薄膜電晶體T1的閘極電極。
驅動薄膜電晶體T1之汲極電極電性連接有機發光二極體(OLED)之陽極。此外，有機發光二極體(OLED)之陰極係連接共同電壓ELVSS。如此，有機發光二極體(OLED)係藉由以來自驅動薄膜電晶體T1傳送的驅動電流而發光以顯示影像。
下文中，將更詳細地描述根據一個實施例之有機發光二極體顯示器的一個像素之操作流程。
首先，當初始化薄膜電晶體T4根據透過鄰近掃描線122傳送的鄰近掃描訊號Sn-1而處在導通狀態時，每一儲存電容Cst之一端與驅動薄膜電晶體T1之閘極電極供應有初始化電壓Vint。
接著，開關薄膜電晶體T2與補償薄膜電晶體T3根據透過掃描線121傳送的掃描訊號Sn而開啟。當開關薄膜電晶體T2與補償薄膜電晶體T3處在導通狀態時，透過數據線171傳送的數據訊號Dm被傳送到驅動薄膜電晶體T1之源極電極，而驅動薄膜電晶體T1係接成二極體形式。然後，將數據電壓減去驅動薄膜電晶體T1之臨界電壓而取得的電壓施加至驅動薄膜電晶體T1之閘極電極與源極電極。
接著，第一發光控制薄膜電晶體T5與第二發光控制薄膜電晶體T6係藉由透過發光控制線123傳送的發光控制訊號En而開啟，而在驅動薄膜電晶體T1之閘極電極的電壓係藉由透過掃描線121傳送的掃描訊號Sn之增加而隨之升壓。
當第一發光控制薄膜電晶體T5與第二發光控制薄膜電晶體T6處在導通狀態時，驅動電壓線172之驅動電壓ELVDD供應至驅動薄膜電晶體T1之源極電極，而根據閘極電極與源極電極之間電壓差異的驅動電流係流至驅動薄膜電晶體T1。驅動電流係透過導通的第二發光控制薄膜電晶體T6而傳送到有機發光二極體(OLED)之陽極以使有機發光二極體(OLED)發光。
現在，和第1圖一樣，以下將參考第2圖至第4圖更詳細地描述在第1圖中所示的有機發光二極體顯示器的一個像素之結構。
第2圖係為顯示根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的一個像素中的複數個薄膜電晶體與電容之位置的示意圖，第3圖係為根據一個實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的像素之布局圖，而第4圖係為在第3圖中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器沿著線IV-IV取得的剖面圖。
如第2圖至第4圖所示，有機發光二極體(OLED)顯示器的像素之實施例包含以橫列方向形成並分别施加掃描訊號Sn、鄰近掃描訊號Sn-1、發光控制訊號En以及初始化電壓Vint的掃描線121、鄰近掃描線122、發光控制線123以及初始化電壓線124。像素亦包含與掃描線121、鄰近掃描線122、發光控制線123以及初始化電壓線124交叉並分别 施加數據訊號Dm與驅動電壓ELVDD至像素的數據線171與驅動電壓線172。
像素亦包含驅動薄膜電晶體T1、開關薄膜電晶體T2、補償薄膜電晶體T3、初始化薄膜電晶體T4、第一發光控制薄膜電晶體T5、第二發光控制薄膜電晶體T6、儲存電容Cst、升壓電容Cb以及有機發光二極體70。
驅動薄膜電晶體T1包含驅動半導體層131a、驅動閘極電極125a、驅動源極電極176a以及驅動汲極電極177a。驅動源極電極176a係對應驅動半導體層131a之驅動源極區，而驅動汲極電極177a係對應驅動半導體層131a之驅動汲極區。
開關薄膜電晶體T2包含開關半導體層131b、開關閘極電極125b、開關源極電極176b以及開關汲極電極177b。
補償薄膜電晶體T3包含補償半導體層131c、補償閘極電極125c、補償源極電極176c以及補償汲極電極177c。初始化薄膜電晶體T4包含初始化半導體層131d、初始化閘極電極125d、初始化源極電極176d以及初始化汲極電極177d。
第一發光控制薄膜電晶體T5包含第一發光控制半導體層131e、第一發光控制閘極電極125e、第一發光控制源極電極176e以及第一發光控制汲極電極177e。第二發光控制薄膜電晶體T6包含第二發光控制半導體層131f、第二發光控制閘極電極125f、第二發光控制源極電極176f以及第二發光控制汲極電極177f。
儲存電容Cst包含有閘極絕緣層140設置於其間之第一儲存電容板132與第二儲存電容板127。在此，閘極絕緣層140係為介電材料，而儲存電容Cst之儲存電容值係根據二電容板132與127之間的電壓與電荷來決定。
第一儲存電容板132係與驅動半導體層131a、開關半導體層131b、補償半導體層131c、第一發光控制半導體層131e以及第二發光控制半導體層131f形成在相同層上。第二儲存電容板127係與掃描線121以及鄰近掃描線122形成在相同層上。
驅動薄膜電晶體T1之驅動半導體層131a係與開關半導體層131b與補償半導體層131c及第一發光控制半導體層131e與第二發光控制半導體彼此相連接。
因此，驅動源極電極176a係連接至開關汲極電極177b以及第一發光控制汲極電極177e，而驅動汲極電極177a係連接至補償汲極電極177c以及第二發光控制源極電極176f。第一發光控制源極電極176e係透過形成於層間絕緣層160與閘極絕緣層140中的接觸孔165連接至第一發光控制半導體層131e之源極區。
儲存電容Cst之第一儲存電容板132係連接至補償源極電極176c與初始化汲極電極177d，並透過連接頭174連接至驅動閘極電極125a。連接頭174係與數據線171形成在相同層上。連接頭174係透過形成於層間絕緣層160與閘極絕緣層140中的接觸孔166連接至第一儲存電容板132，並透過形成於層間絕緣層160中的接觸孔167連接至驅動閘極電極125a。
儲存電容Cst之第二儲存電容板127係連接至驅動電壓線172並大致上平行於掃描線121。
升壓電容Cb之第一升壓電容板133係自第一儲存電容板132延伸，而第二升壓電容板129具有從掃描線121向上突出部分與向下突出部分。
第一升壓電容板133具有錘狀，而第一升壓電容板133包含平行於驅動電壓線172的柄部133a以及形成在柄部133a末端的頭部133b。
第二升壓電容板129之突出部分被安置以完全地重疊第一升壓電容板133之頭部133b內部。因此，升壓電容Cb之第一升壓電容板133之面積係大於第二升壓電容板129之面積。
在第一升壓電容板133之頭部133b之外垂直線與第二升壓電容板129之突出部分之外垂直線之間的水平間隔X1與X2可在約1.2μm至約2μm之範圍內，而在第一升壓電容板133之頭部133b之外水平線與第二升壓電容板129之突出部分之外水平線之間的垂直間隔Y1與Y2可在約1.2μm至約2μm之範圍內。
如上所述，升壓電容Cb之第一升壓電容板133之面積係大於第二升壓電容板129之面積，以致於即使因為製程分布產生第二升壓電容板129在垂直方向之移動，升壓電容值之改變比率仍可最小化。因此，可改進複數個像素之間產生的色彩偏差斑點。
開關薄膜電晶體T2係用作為選擇像素以發光的開關元件。開關閘極電極125b係連接至掃描線121。開關源極電極176b係連接 至數據線171。開關汲極電極177b連接驅動薄膜電晶體T1與第一發光控制薄膜電晶體T5。
第二發光控制薄膜電晶體T6之第二發光控制汲極電極177f係透過保護層180之接觸孔181直接連接有機發光二極體70之像素電極191。
接著，參閱第4圖，將描述根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之結構。
特別的是，將基於第二發光控制薄膜電晶體T6以描述薄膜電晶體之結構。此外，其他薄膜電晶體T1、T2、T3、T4與T5在層疊結構上係與第二發光控制薄膜電晶體T6相似，因此對於薄膜電晶體T1、T2、T3、T4與T5將不提供進一步描述。
緩衝層111係形成在基板110上，而第二發光控制半導體層131f與形成升壓電容Cb的第一升壓電容板133係形成在緩衝層111上。基板110係以由玻璃、石英、陶瓷、塑膠或其他相似材料製成的絕緣基板所形成。第二發光控制半導體層131f與第一升壓電容板133係以多晶矽層形成。此外，第二發光控制半導體層131f包含未摻雜有雜質的通道區、以及在通道區兩側摻雜p+的源極區與汲極區。雜質可根據薄膜電晶體類型來選擇。
氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiO2)形成的閘極絕緣層140係形成在第二發光控制半導體層131f上。
包含含有開關閘極電極125b與補償閘極電極125c之掃描線121、含有初始化閘極電極125d與驅動閘極電極125a的鄰近掃描線 122、以及含有第二發光控制閘極電極125f的發光控制線123的閘極線路係形成在閘極絕緣層140上。第二發光控制閘極電極125f係形成以重疊至少一部分第二發光控制半導體層131f，例如通道區。閘極線路更包含形成儲存電容Cst之第二儲存電容板127及形成升壓電容Cb的第二升壓電容板129。
第二儲存電容板127係透過接觸孔168連接至驅動電壓線172，而第二升壓電容板129係連接至掃描線121。
覆蓋第二發光控制閘極電極125f的層間絕緣層160形成在閘極絕緣層140上。閘極絕緣層140與層間絕緣層160包含暴露第二發光控制半導體層131f之汲極區的接觸孔163。與閘極絕緣層140相似，層間絕緣層160係使用陶瓷系材料形成，例如氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiO2)。
包含含有開關源極電極176b、連接頭174、第二發光控制汲極電極177f以及驅動電壓線172之數據線171的數據線路，係形成在層間絕緣層160上。
此外，開關源極電極176b與第二發光控制汲極電極177f係透過分别形成於層間絕緣層160與閘極絕緣層140中的接觸孔163與164而分别地連接開關半導體層131b之源極區與第二發光控制半導體層131f之汲極區。
覆蓋數據線路171、174、177f與172的保護層180係形成在層間絕緣層160上，而像素電極191係形成在保護層180上。像素電極191係透過形成於保護層180中的接觸孔181連接第二發光控制汲極電極177f。
阻障壁350係形成在像素電極191之邊緣上與保護層180上，而阻障壁350包含露出像素電極191的阻障壁開口351。阻障壁350可用樹脂形成，例如聚丙烯酸酯(polyacrylate)樹脂與聚醯亞胺(polyimide)，或是用以矽(silica)系無機材料形成。
有機發光層370係形成在透過阻障壁開口351暴露的像素電極191上，而共同電極270係形成在有機發光層370上。依此方法，形成含有像素電極191、有機發光層370與共同電極270的有機發光二極體70。
在此，像素電極191係為電洞注入電極的陽極，而共同電極270係為電子注入電極的陰極。本發明的實施例不以此為限，而根據有機發光二極體顯示器的驅動方法，像素電極191可為陰極與共同電極270可為陽極。電洞與電子係從像素電極191與共同電極270注入至有機發光層370，而當注入有機發光層370的電洞與電子結合而形成的激子從激發態改變成基態時，有機發光層370發光。
有機發光層370係以低分子的有機材料或高分子的有機材料形成，例如聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))(PEDOT)。此外，有機發光層370可用含有發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)中的至少一層的多層結構來形成。當有機發光層370包含上述的所有層時，電洞注入層(HIL)係安置在為電洞注入電極的像素電極191上，而電洞傳輸層(HTL)、發光層、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)係依序地層疊其上。因為共同電極270係以反射性導電性材料形 成，有機發光二極體顯示器係形成為底發光型有機發光二極體顯示器。反射性材料可包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)與金(Au)。
在一些實施例中，掃描線之一部分係以升壓電容Cb之第二升壓電容板129形成。在其他實施例中，附加的升壓連接線可連接至第二升壓電容板129以藉由掃描線將寄生電容值最小化。
接著，將參考第5圖與第6圖描述另一實施例。
第5圖係為根據另一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的像素之布局圖，而第6圖係為第5圖所示之有機發光二極體(OLED)顯示器沿著線VI-VI取得的剖面圖。
除了連接至第二升壓電容板的附加之升壓連接線外，第5圖與第6圖所示之實施例係大致上等同於第1圖至第4圖所示之實施例，因此省略共同描述。
如第5圖與第6圖所示，在有機發光二極體(OLED)顯示器中，升壓電容Cb之第一升壓電容板133係從第一儲存電容板132延伸出的延伸部，而第二升壓電容板129係連接至與驅動電壓線172形成在相同層上的升壓連接線71。
升壓連接線71係透過形成於層間絕緣層160中的接觸孔69連接至第二升壓電容板129，且升壓連接線71係平行於掃描線121形成。
數據線171與驅動電壓線172在重疊升壓連接線71的部分分别地被劃分開。數據線171之末端係透過與掃描線121係形成在相同層 上的數據連接頭21而彼此連接，而驅動電壓線之末端係透過與掃描線121係形成在相同層上的驅動電壓連接頭22彼此連接。
數據線171之被劃分端係透過層間絕緣層160之接觸孔211與212連接至數據連接頭21，而驅動電壓線172之被劃分端係透過形成於層間絕緣層160中的接觸孔221與222連接至驅動電壓連接頭22。
驅動薄膜電晶體之驅動閘極電極125a係透過儲存連接頭而連接至第一儲存電容板132。
儲存連接頭包含透過形成於層間絕緣層160與閘極絕緣層140中的接觸孔721連接至第一儲存電容板132的第一水平儲存連接頭72、透過形成於層間絕緣層160中的接觸孔722連接至第一水平儲存連接頭72的垂直儲存連接頭24、以及透過形成於層間絕緣層160中的接觸孔732連接至垂直儲存連接頭24的第二水平儲存連接頭73。
第二水平儲存連接頭73係透過形成於層間絕緣層160中的接觸孔731連接至驅動閘極電極125a。
第一水平儲存連接頭72與第二水平儲存連接頭73係與數據線171形成在相同層上，而垂直儲存連接頭24係與掃描線121形成在相同層上。
如上所述，在有機發光二極體(OLED)顯示器之一些實施例中，升壓連接線71係個別地連接至第二升壓電容板129，使掃描線121造成的寄生電容值可以被最小化。升壓連接線71係與數據線171形成在相同層上，從而升壓連接線71與第一升壓電容板133之間的間隔增加，以使因升壓連接線71與第一升壓電容板133重疊而造成的寄生電容值可以被 最小化。因此，即使第二升壓電容板因為製程分布而在垂直方向與水平方向移動，升壓電容值之改變比率仍可以被最小化。
雖然本揭露已結合一些實施例說明，要了解的是本發明並不受限於所揭露之實施例，且相反地，係旨在涵蓋包含於所附之申請專利範圍之精神與範疇內之各種修改及等效配置。
OLED‧‧‧有機發光二極體
Cst‧‧‧儲存電容
Cb‧‧‧升壓電容
T1‧‧‧驅動薄膜電晶體
T2‧‧‧開關薄膜電晶體
T3‧‧‧補償薄膜電晶體
T4‧‧‧初始化薄膜電晶體
T5‧‧‧第一發光控制薄膜電晶體
T6‧‧‧第二發光控制薄膜電晶體
En‧‧‧發光控制訊號
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧鄰近掃描訊號
Vint‧‧‧初始化電壓
Dm‧‧‧數據訊號
ELVDD‧‧‧驅動電壓
X1、X2‧‧‧水平間隔
Y1、Y2‧‧‧垂直間隔

Claims (13)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，包含：一基板；一掃描線，係形成在該基板上並施加一掃描訊號；一數據線以及一驅動電壓線，與該掃描線交叉並分别地施加一數據訊號與一驅動電壓；一開關薄膜電晶體(TFT)，連接至該掃描線與該數據線；一驅動薄膜電晶體，連接至該開關薄膜電晶體之一開關汲極電極與該驅動電壓線；一有機發光二極體，連接至該驅動薄膜電晶體之一驅動汲極電極；一儲存電容，連接在該驅動電壓線與該驅動薄膜電晶體之一驅動閘極電極之間；以及一升壓電容，含有連接至該驅動薄膜電晶體之該驅動閘極電極的一第一升壓電容板以及重疊該第一升壓電容板並連接至該掃描線的一第二升壓電容板；其中該第一升壓電容板具有一錘狀，且該第一升壓電容板包含平行於該驅動電壓線的一柄部以及形成在該柄部之末端的一頭部，其中該第二升壓電容板之突出部係從該掃描線向上與向下突出，且被安置以完全地重疊該第一升壓電容板之該頭部內部；其中該升壓電容之該第一升壓電容板之面積係大於該第二升壓 電容板之面積；其中在該第一升壓電容板之該頭部之一第一外垂直線與該第二升壓電容板之突出部之一第一外垂直線之間的一第一水平間隔係在約1.2μm至約2μm之範圍內；其中在該第一升壓電容板之該頭部之一第二外垂直線與該第二升壓電容板之突出部之一第二外垂直線之間的一第二水平間隔與該第一水平間隔相同；其中該第一升壓電容板之該頭部之該第二外垂直線平行且相對於該第一升壓電容板之該頭部之一第一外垂直線；其中該第二升壓電容板之突出部之該第二外垂直線平行且相對於該第二升壓電容板之突出部之一第一外垂直線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之OLED顯示器，進一步包含形成在該基板上且施加一鄰近掃描訊號的一鄰近掃描線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之OLED顯示器，其中該儲存電容包含：一第一儲存電容板，係與該第一升壓電容板形成在相同層上；以及一第二儲存電容板，係重疊該第一儲存電容板並連接至一共同電壓線。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之OLED顯示器，其中該第一升壓電容板係與該驅動薄膜電晶體之一驅動半導體層形成在相同層上，而該第二升壓電容板係與該掃描線形成在相同層上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之OLED顯示器，其中該第一升壓電容板係為從該第一儲存電容板延伸出的一延伸部，而該第二升壓電容板係為從該掃描線突出的一突出部。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之OLED顯示器，其中在該第一升壓電容板之該頭部之一外水平線與該第二升壓電容板之突出部之一外水平線之間的一垂直間隔係在約1.2μm至約2μm之範圍內。
  7. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，包含：一基板；一掃描線，係形成在該基板上並施加一掃描訊號；一數據線以及一驅動電壓線，與該掃描線交叉並分别地施加一數據訊號與一驅動電壓；一開關薄膜電晶體(TFT)，連接至該掃描線與該數據線；一驅動薄膜電晶體，連接至該開關薄膜電晶體之一開關汲極電極與該驅動電壓線；一有機發光二極體，連接至該驅動薄膜電晶體之一驅動汲極電極；一儲存電容，連接在該驅動電壓線與該驅動薄膜電晶體之一驅動閘極電極之間；以及一升壓電容，含有連接至該驅動薄膜電晶體之該驅動閘極電極的一第一升壓電容板以及重疊該第一升壓電容板並連接至該掃描線的一第二升壓電容板；其中該升壓電容之該第一升壓電容板之面積係大於該第二升壓 電容板之面積；其中該第一升壓電容板係為從該第一儲存電容板延伸出的一延伸部，而該第二升壓電容板連接至與該驅動電壓線形成在相同層上的一升壓連接線。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之OLED顯示器，進一步包含：一閘極絕緣層，係形成在該第一升壓電容板上；以及一層間絕緣層，係覆蓋形成在該閘極絕緣層上的該第二升壓電容板，其中該升壓連接線係透過形成於該層間絕緣層中的一接觸孔連接至該第二升壓電容板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之OLED顯示器，其中該升壓連接線係平行於該掃描線。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之OLED顯示器，其中：該數據線與該驅動電壓線在重疊該升壓連接線之部分分别被劃分開；以及該數據線之末端係透過一數據連接頭彼此連接；且該驅動電壓線之末端係透過一驅動電壓連接頭彼此連接。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之OLED顯示器，其中該驅動薄膜電晶體之該驅動閘極電極透過一儲存連接頭連接至該第一儲存電容板。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之OLED顯示器，其中該儲存連接頭包含： 一第一水平儲存連接頭，係透過形成於該層間絕緣層與該閘極絕緣層中的一接觸孔連接至該第一儲存電容板；一垂直儲存連接頭，係透過形成於該層間絕緣層中的一接觸孔連接至該第一水平儲存連接頭；以及一第二水平儲存連接頭，係透過形成於該層間絕緣層中的一接觸孔連接至該垂直儲存連接頭。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之OLED顯示器，其中該第二水平儲存連接頭係透過形成於該層間絕緣層中的一接觸孔連接至該驅動閘極電極。
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