TWI579965B

TWI579965B - 用於輔助金屬繞線的方法及設備

Info

Publication number: TWI579965B
Application number: TW104117741A
Authority: TW
Inventors: 袁磊; 鈺玲陳; 宗郁桂; 馬布拉漢德
Original assignee: 格羅方德半導體公司
Priority date: 2014-10-24
Filing date: 2015-06-02
Publication date: 2017-04-21
Also published as: TW201616606A; US20160117432A1; CN105552020B; US9519745B2; CN105552020A

Description

用於輔助金屬繞線的方法及設備

本揭示內容係有關於積體電路(IC)內之高效能單元的互連繞線。本揭示內容特別可應用於超越10奈米(nm)技術節點的互連設計及繞線。

所欲設備尺寸及間距已減少到傳統單一圖案化微影技術(例如，193奈米波長微影技術)無法形成具有最終目標圖案之所有特徵之單一帶圖案遮罩層的地步。因此，設備設計者及製造商已開始利用各種雙重圖案化技術，例如自對準雙重圖案化(SADP)。不過，因為內頂點(或內轉角)圓化，所以SADP的阻擋遮蔽(block masking)對於金屬繞線有不利影響。特別是，阻擋遮蔽對於線端需要強制實施最小距離。

因此，亟須一種方法及對應設備使受到內轉角圓化之不利影響的繞線組構合法化。

本揭示內容之一態樣為一種基於輔助金屬繞線來使繞線組構合乎規則的方法。

本揭示內容之另一態樣為一種組構成可基於輔助金屬繞線來使繞線組構合乎規則的設備。

本揭示內容的其他態樣及特徵會在以下說明中提出以及部份在本技藝一般技術人員審查以下內容或學習本揭示內容的實施後會明白。按照隨附申請專利範圍所特別提示，可實現及得到本揭示內容的優點。

根據本揭示內容，一些技術效果的達成部份可藉由一種方法，其係包含下列步驟：判定具有第一內頂點的初始阻擋遮罩(initial block mask)用以形成IC的金屬繞線層；於該金屬繞線層內添加輔助金屬部份；以及判定基於該輔助金屬部份的修正阻擋遮罩用以形成該金屬繞線層。

本揭示內容的數個態樣包括：判定與該初始阻擋遮罩之該第一內頂點關連的繞線違規(routing violation)，其中該輔助金屬部份之該添加係基於該繞線違規。其他態樣包括：該繞線違規係基於一個或多個以下項目：禁入規則、垂直互連存取(VIA)圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。附加態樣包括：判定該金屬繞線層的第一線端，其中該初始阻擋遮罩之該第一內頂點對應至形成該第一線端的步驟。其他態樣包括：判定第一VIA連接在該第一線端處接至該金屬繞線層，其中該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層對於該第一VIA連接的繞線違規。附加態樣包括：判定該金屬繞線層之第二線端與該第一線端在同一個軌跡內；以及判定第二VIA連接在該第二線端處接至該金屬繞線層，其中該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層在該第一VIA連接與該第二VIA連接之間的繞線違規。其他態樣包括：該輔助金屬部份添加至鄰近該第一線端的金屬軌跡。附加態樣包括：修正該金屬繞線層以使該輔助金屬部份連接至該金屬繞線層的數條走線(routing line)。

本揭示內容的另一態樣為一種設備，其係包含：至少一個處理器以及包含一或多個程式之電腦程式碼的至少一個記憶體，該至少一個記憶體與該電腦程式碼係組構成用該至少一個處理器造成該設備進行下列動作：判定具有第一內頂點的初始阻擋遮罩以形成IC的金屬繞線層；於該金屬繞線層內添加輔助金屬部份；以及判定基於該輔助金屬部份的修正阻擋遮罩用以形成該金屬繞線層。

數個態樣包括：更造成該設備：判定與該初始阻擋遮罩之該第一內頂點關連的繞線違規，其中該輔助金屬部份之該添加係基於該繞線違規。其他態樣包括：該繞線違規係基於一個或多個以下項目：禁入規則、VIA環路圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。附加態樣包括：更造成該設備：判定該金屬繞線層的第一線端，其中該初始阻擋遮罩之該第一內頂點對應至形成該第一線端的步驟。其他態樣包括：更造成該設備：判定第一VIA連接在該第一線端處接至該金屬繞線層，其中該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層對於該第一VIA連接的繞線違規。附加態樣包括：更造成該設備：判定該金屬繞線層之第二線端與該第一線端在同一個軌跡內；以及判定第二VIA連接在該第二線端處接至該金屬繞線層，其中該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層在該第一VIA連接與該第二VIA連接之間的繞線違規。另一態樣包括：該輔助金屬部份添加至鄰近該第一線端的金屬軌跡。另一態樣包括：更造成該設備：修正該金屬繞線層以使該輔助金屬部份連接至該金屬繞線層的數條走線。

本揭示內容的另一態樣為一種金屬繞線的方法，該方法包括：判定IC之金屬繞線層會造成繞線違規的組構；添加輔助金屬部份至該金屬繞線層；以及判定基於該輔助金屬部份的阻擋遮罩用以形成滿足該繞線違規的該金屬繞線層。附加態樣包括：該繞線違規在包含VIA連接之該金屬繞線層的線端處係與阻擋遮罩內頂點關連。其他態樣包括：該繞線違規係基於一個或多個以下項目：禁入規則、VIA圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。附加態樣包括：修正該金屬繞線層以使該輔助金屬部份連接至該金屬繞線層的數條走線。

熟諳此技術領域者由以下詳細說明可明白本揭示內容的其他方面及技術效果，其中係僅以預期可實現本揭示內容的最佳模式舉例描述本揭示內容的具體實施例。應瞭解，本揭示內容能夠做出其他及不同的具體實施例，以及在各種明顯的方面，能夠修改數個細節而不脫離本揭示內容。因此，附圖及說明內容本質上應被視為圖解說明用而不是用來限定。

101‧‧‧基板

103‧‧‧硬遮罩

105‧‧‧心軸

105P‧‧‧間距

105W‧‧‧最小寬度

107‧‧‧心軸軌跡

109‧‧‧間隔體

109W‧‧‧寬度

111‧‧‧非心軸區

113‧‧‧非心軸軌跡

115‧‧‧阻擋遮罩

117‧‧‧心軸金屬佈線

119‧‧‧非心軸金屬佈線

121‧‧‧垂直間隔

201、207‧‧‧阻擋遮罩

203‧‧‧外形

205a、205b、205c、205d、211a、211b、411、413、607‧‧‧VIA

209‧‧‧外形

213‧‧‧內頂點

221、241、421‧‧‧長度

223、243、301、303、417、419、503、505‧‧‧線端

305‧‧‧禁入區

307‧‧‧最小分離距離

400‧‧‧非法繞線組構

401、403、409、429‧‧‧金屬佈線

405、407‧‧‧金屬佈線區段

415、425‧‧‧分離距離

427‧‧‧金屬間距

431‧‧‧間隙

450、600‧‧‧組構

451‧‧‧阻擋遮罩

453、455‧‧‧內頂點

500‧‧‧輔助組構

501、601‧‧‧輔助金屬部份

507‧‧‧矩形阻擋遮罩

509‧‧‧間隙

511‧‧‧分離距離

603‧‧‧附加金屬佈線

605‧‧‧金屬佈線

700‧‧‧方法流程

701至707‧‧‧步驟

800‧‧‧電腦系統

801‧‧‧處理器

803‧‧‧記憶體

805‧‧‧儲存器

807‧‧‧顯示器

809‧‧‧輸入裝置

811‧‧‧應用程式

813‧‧‧佈局資料(或資訊)

815‧‧‧設計規則

817‧‧‧形狀及/或單元資料庫(或儲存庫)

在此用附圖舉例說明而不是限定本揭示內容，圖中類似的元件用相同的元件符號表示。

第1A圖至第1E圖示意圖示一習知SADP製程；第2A圖至第2C圖圖示習知SADP製程的阻擋遮蔽規則；第3圖圖示用於習知SADP製程之線端禁入規則的操作；第4A圖及第4B圖圖示在習知SADP製程規則下的非法組態；第5圖根據本揭示內容之一示範具體實施例圖示一輔助繞線；第6圖根據本揭示內容之一示範具體實施例圖示有輔助金屬部份之延伸部份的組態；第7圖根據本揭示內容之一示範具體實施例圖示輔助金屬繞線的方法流程；以及第8圖根據本揭示內容之一示範具體實施例圖示實作輔助繞線的電腦系統。

為了解釋，在以下的說明中，提出各種特定的細節供徹底瞭解示範具體實施例。不過，顯然沒有該等特定細節或用等價配置仍可實施示範具體實施例。在其他情況下，眾所周知的結構及裝置用方塊圖圖示以免不必要地混淆示範具體實施例。此外，除非明示，在本專利說明書及申請專利範圍中表示成分、反應狀態等等之數量、比例及數值性質的所有數字應被理解為在所有情況下可用措辭“約”來修飾。

本揭示內容針對及解決目前與SADP製程之金屬繞線有關的繞線限制。根據本揭示內容具體實施例，金屬繞線組構係藉由布置輔助金屬部份來合法化。

根據本揭示內容具體實施例的方法包括：判定具有第一內頂點的初始阻擋遮罩用以形成IC的金屬繞線層，於該金屬繞線層內添加輔助金屬部份，以及判定基於該輔助金屬部份的修正阻擋遮罩用以形成該金屬繞線層。

此外，熟諳此技術領域者由以下實施方式可明白本揭示內容的其他態樣、特徵及技術效果，其中係僅以預期可實現本揭示內容的最佳模式舉例描述本揭示內容的具體實施例。應瞭解，本揭示內容能夠做出其他及不同的具體實施例，以及在各種明顯的態樣，能夠修改數個細節而不脫離本揭示內容。因此，附圖及說明內容本質上應被視為圖解說明用而不是用來限定。

第1A圖至第1E圖示意圖示習知SADP製程。第1A圖圖示設有硬遮罩103及數個心軸105的基板101。心軸105通過心軸材料的微影蝕刻(lithographic etching)形成。心軸105布置於心軸軌跡107上使得它們有間距105P與最小寬度105W。

談到第1B圖，間隔體109形成於各個心軸105的兩側上，使得它們有寬度109W。間隔體109可藉由間隔體材料的保形沉積及選擇性蝕刻而形成。如圖示，間隔體109將心軸105與非心軸區111隔開。心軸105、間隔體109及非心軸區111可有相等的寬度。

談到第1C圖，心軸105被移除，導致自對準間隔體109將心軸軌跡107與對應至非心軸區111的非心軸軌跡113分開。為了在後續金屬化步驟期間保護其中一個非心軸軌跡113，已添加阻擋遮罩115來取代最右邊非心軸軌跡113。

談到第1D圖，心軸金屬佈線(mandrel metal route)117形成於基板101之先前被對應至心軸軌跡107之心軸105覆蓋的區域中。非心軸金屬佈線119形成於基板101中對應至非心軸軌跡113的區域中。心軸金屬佈線117及非心軸金屬佈線119布置於溝槽中，該等溝槽係藉由將硬遮罩103的暴露部份向下蝕刻進入至該暴露部份正下面的基板101中而形成。如圖示，間隔體109及阻擋遮罩115阻止蝕刻硬遮罩103及基板101的其他部份。

第1E圖圖示網格(gridding)，EDA工具可用它布置對應至心軸軌跡107及非心軸軌跡113的心軸金屬佈線117及非心軸金屬佈線119。心軸金屬佈線117形成於心軸軌跡107上，以及非心軸金屬佈線119形成於非心軸軌跡113上。如圖示，不使用底層非心軸軌跡113，其係對應至阻擋遮罩115的位置用來防止形成金屬佈線。心軸及非心軸金屬佈線的寬度各自對應至寬度105W及109W。軌跡之間的垂直間隔121可等於金屬間距105P。

第2A圖至第2C圖圖示習知SADP製程的VIA圍封規則(enclosure rule)。SADP實施相鄰金屬層中用於VIA連接金屬佈線的最小圍封距離。諸如金屬線端拉回、疊對誤差(overlay error)及VIA大小變異之類的製程變異會造成VIA金屬重疊面積減少而導致只有部份連接或甚至斷路。圍封距離隨著阻擋遮罩的形狀而有所不同。用於特定組構的阻擋遮罩之形狀可基於金屬層中VIA及/或線端的個數及相對位置而改變。

第2A圖圖示使用於習知SADP製程的阻擋遮罩201及207。阻擋遮罩201落在外形203內以及用來形成在VIA 205a至205d的線端。不過，關於阻擋遮罩207，阻擋遮罩207在VIA 211a附近延伸超出外形209用以在VIA 211a及211b形成線端。如圖示，阻擋遮罩207延伸超出外形209的位置對應至內頂點213。由於阻擋遮罩延伸超出在內頂點的所欲區域，如以下在說明第2B圖及第2C圖時所述，所以對於包含與阻擋遮罩之內頂點緊鄰之VIA連接的線端而言，VIA圍封規則需要不同的最小長度。

第2B圖圖示阻擋遮罩201的放大圖。線端223在VIA 205b、阻擋遮罩201之間的長度221在製程變異下必須足以保證VIA連接相鄰金屬層。因為阻擋遮罩201有相對矩形形狀，所以阻擋遮罩201延伸超出外形203的風險低。

第2C圖圖示阻擋遮罩207的放大圖。線端243在VIA 211a、阻擋遮罩207之間的長度241必須足以保證VIA連接相鄰金屬層。不過，不像第2B圖的阻擋遮罩201，阻擋遮罩207延伸超出外形209的風險較大，這是因為存在內頂點213以及製造條件和製程變異會造成阻擋遮罩延伸超出在內頂點鄰域的所欲邊界。因此，SADP製程的VIA圍封規則對於第2B圖中的長度241實施比第2B圖中之長度221大的距離。

一般而言，SADP製程對於有內頂點的阻擋遮罩實施額外的邊限以可靠地適應VIA圍封。距離規則可描述成“寬鬆”或“緊”，這取決於它是否實施較長或較短的VIA環路圍封(loop enclosure)距離。

第3圖圖示用於習知SADP製程之線端禁入規則(line end keep out rule)的操作。金屬佈線之安置及繞線的額外考量是阻擋遮蔽製程的最小特徵尺寸(也被稱為關鍵尺寸(CD))。金屬佈線的線端不能比阻擋遮蔽製程的最小特徵尺寸更靠近。因此，例如，佈線器(router)會確保線端301及303留在禁入區(keep out area)305的界限外。具體言之，佈線器要求線端301及303要有最小分離距離307。

第4A圖圖示在習知SADP製程規則下是違反規則的違規繞線組構400。SADP可用來形成圖示金屬佈線。如圖示，金屬佈線401及403可屬於M1層，而金屬佈線區段405及407和金屬佈線409可屬於M2層。VIA 411 使金屬佈線區段405連接至金屬佈線401，以及VIA 413使金屬佈線區段407連接至金屬佈線403。讓VIA 411及413在同一條金屬軌跡上(亦即，連接至金屬佈線區段405及407)是合乎需要的，因為此一組構產生有效的繞線結構。

不過，組構400必須同時滿足禁入規則、VIA圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。例如，線端417及419之間的分離距離415不能小於阻擋遮蔽製程的最小特徵尺寸。此外，線端417及419的長度421及423各自不能小於與VIA 411及413關連的VIA圍封距離。習知繞線製程也會基於金屬間距427來實施分離距離425。

基於用SADP形成M2層的一般方法，另一金屬佈線429會形成於金屬佈線區段405及407之上，如虛線所示。不過，假設M2層內的繞線不需要金屬佈線429，則藉由添加阻擋遮罩，M2層的繞線可省略掉金屬佈線429，藉此防止在形成M2層時形成金屬佈線429。基於判定繞線層的方法，用來防止金屬佈線429形成的同一個阻擋遮罩也用來形成金屬佈線區段405及407的間隙431。

取決於與一個或多個分離距離415、長度421及423、以及分離距離425有關的數值，緊鄰及分離的約束使得組構400在習知繞線製程下為違反規則。阻擋遮罩用來形成M2層時所需的內頂點可能造成以下項目中之一或更多的違規：禁入規則、VIA圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。

例如，第4B圖圖示阻擋遮罩451，在形成第4A圖組構時可用來建立金屬佈線區段405及407之間的間隙431以及防止形成金屬佈線429。取決於與第4A圖所示的一個或多個分離距離415、長度421及423、以及分離距離425有關的數值，因為內頂點453及455在線端417及419觸發寬鬆的圍封規則，故習知佈線器可能無法建立組構450。組構450可能為違反規則者，因為分離距離425無法適應線端417、419、以及分離距離415。

例如，分離距離415(對應至阻擋遮罩451的最小特徵尺寸)可在45至50奈米之間，而寬鬆圍封規則的最小閾值可在25至30奈米之間。分離距離425的判定可基於SADP製程的金屬間距及金屬寬度。例如，假設金屬間距為48奈米以及預設金屬寬度為22奈米，則可用金屬間距的兩倍減去金屬寬度求出分離距離425((2x48)-22=74奈米)。因為環路圍封(25奈米)及禁入(45奈米)規則之最小閾值的總和(95奈米)明顯超過74奈米，故判定組構450為違反規則。

第5圖根據本揭示內容之一示範具體實施例圖示使第4A圖及第4B圖之組構合乎規則的輔助繞線。輔助組構500係藉由安置輔助金屬部份501於金屬佈線區段405及407之上而達到合乎規則。輔助金屬部份501可為金屬佈線(例如，金屬佈線429)中在金屬佈線區段405及407所屬的相同金屬層(例如，M2層)內的一部份。不同於第4A圖的組構，因為輔助金屬部份501防止使用第4B圖中所示含有內頂點453及455的阻擋遮罩451，所以輔助組構500在線端503及505不會觸發寬鬆環路圍封規則。反而，矩形阻擋遮罩507可用來形成線端503及505之間的間隙509。結果，線端503及505的長度可在減少的同時仍然滿足VIA圍封規則，而分離距離511可滿足禁入規則和阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。因此，輔助金屬部份501允許輔助組構500通過SADP製程規則。

第6圖根據本揭示內容之一示範具體實施例圖示利用輔助金屬部份601的組構600。第6圖可圖示比第5圖寬的透視圖，其中圖示可為M1層之一部份的附加金屬佈線603，以及可為M2層之一部份的金屬佈線605。可增加圖示於第5圖之輔助金屬部份501的長度以形成輔助金屬部份601，使得輔助金屬部份601可連接至金屬佈線605以及使用於M2層內的繞線及/或減少形成M2層所需之阻擋遮罩幾何的複雜度，這取決於M2層的佈局及連接要求。例如，除了被用來使與VIA 411及413關連的違規合乎規則之外，輔助金屬部份601還可用來對VIA 607繞線。

第7A圖根據本揭示內容之一示範具體實施例圖示輔助金屬繞線的方法流程700。例如，方法700可實作於含有處理器及記憶體的晶片組中，如第8圖所示。在步驟701，判定具有第一內頂點的初始阻擋遮罩用以形成IC之金屬繞線層。步驟701可包括判定與初始阻擋遮罩之第一內頂點關連的繞線違規。如上述，該繞線違規可基於一個或多個以下項目：禁入規則、VIA圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。此外，第一內頂點可與形成金屬繞線層之第一線端的步驟一致。此外，VIA連接可位在第一線端。另外，步驟701可包括判定金屬繞線層的第二線端與第一線端在同一個軌跡內，以及判定第二VIA連接在第二線端處接至金屬繞線層。

在步驟703，於金屬繞線層內添加輔助金屬部份。該輔助金屬部份的添加係基於繞線違規。可添加該輔助金屬部份至鄰近上述第一線端的金屬軌跡。

在步驟705，判定基於輔助金屬部份的修正阻擋遮罩用以形成該金屬繞線層。該修正阻擋遮罩滿足基於金屬繞線部份之添加的繞線違規。在這種情形下，該修正阻擋遮罩可滿足該金屬繞線層對於第一VIA連接的繞線違規。該修正阻擋遮罩也可滿足金屬繞線層在第一VIA連接、第二VIA連接之間的繞線違規。

方法流程700也可包括步驟707，其係修正金屬繞線層以使輔助金屬部份連接至金屬繞線層的數條走線。如在說明第6圖時所述，輔助金屬部份可整合於金屬繞線層的繞線內，例如用以提供繞線資源給其他的VIA連接。

描述於本文的方法可經由軟體、硬體、韌體或彼等之組合而據以實施。示範硬體(例如，計算硬體)示意圖示於第8圖。如圖示，電腦系統800包含至少一個處理器801、至少一個記憶體803、以及至少一個儲存器805。電腦系統800可耦合至顯示器807和一或多個輸入裝置809，例如鍵盤與指向設備。顯示器807可用來提供一或多個GUI介面。例如，電腦系統800的使用者可用輸入裝置809與GUI介面互動。儲存器805可儲存應用程式811、佈局資料(或資訊)813、設計規則815、以及至少一個形狀及/或單元資料庫(或儲存庫)817。應用程式811可包括指令(或電腦程式碼)，它們在被處理器801執行時造成電腦系統800完成一或多個方法，例如描述於本文的一或多個方法。在示範具體實施例中，應用程式811可包括一或多個可製造性分析及/或良率提升工具。

本揭示內容的具體實施例可達成數種技術效果，包括合乎規則有效的繞線組構。本揭示內容可應用於與使用於下列產品之各種高度整合半導體設備(特別是，超越10奈米(nm)技術節點)有關的設計及製造：微處理器、智慧型手機、行動電話、手機、機上盒、DVD燒錄機及播放機、汽車導航、印表機及周邊設備、網絡及電信設備、遊戲系統及數位照相機。

在以上說明中，本揭示內容用數個示範具體實施例來描述。不過，顯然仍可做出各種修改及改變而不脫離本揭示內容更寬廣的精神及範疇，如申請專利範圍所述。因此，本專利說明書及附圖應被視為圖解說明用而非限定。應瞭解，本揭示內容能夠使用各種其他組合及具體實施例以及在如本文所述的本發明概念範疇內能夠做出任何改變或修改。

700‧‧‧方法流程

701至707‧‧‧步驟

Claims

一種輔助金屬繞線的方法，其係包含：判定具有第一內頂點的初始阻擋遮罩用以形成積體電路(IC)之金屬繞線層；於該金屬繞線層內添加輔助金屬部份；以及判定基於該輔助金屬部份的修正阻擋遮罩用以形成該金屬繞線層。
如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：判定與該初始阻擋遮罩之該第一內頂點關連的繞線違規，其中，該輔助金屬部份之該添加係基於該繞線違規。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該繞線違規係基於一或多個以下項目：禁入規則、垂直互連存取(VIA)圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。
如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：判定該金屬繞線層的第一線端，其中，該初始阻擋遮罩之該第一內頂點對應至形成該第一線端的步驟。
如申請專利範圍第4項所述之方法，更包括：判定第一VIA連接在該第一線端處接至該金屬繞線層，其中，該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層對於該第一VIA連接的繞線違規。
如申請專利範圍第5項所述之方法，更包括：判定該金屬繞線層之第二線端與該第一線端在同一個軌跡內；以及判定第二VIA連接在該第二線端處接至該金屬繞線層，其中，該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層在該第一VIA連接與該第二VIA連接之間的繞線違規。
如申請專利範圍第4項所述之方法，其中，該輔助金屬部份添加至鄰近該第一線端的金屬軌跡。
如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：修正該金屬繞線層以使該輔助金屬部份連接至該金屬繞線層的數條走線。
一種輔助金屬繞線的設備，其係包含：至少一個處理器；以及至少一個記憶體，包含用於一或多個程式之電腦程式碼，該至少一個記憶體及該電腦程式碼係組構成用該至少一個處理器造成該設備至少完成以下項目：判定具有第一內頂點的初始阻擋遮罩以形成積體電路(IC)的金屬繞線層；於該金屬繞線層內添加輔助金屬部份；以及判定基於該輔助金屬部份的修正阻擋遮罩用以形成該金屬繞線層。
如申請專利範圍第9項所述之設備，其中，更造成該設備：判定與該初始阻擋遮罩之該第一內頂點關連的繞線違規，其中，該輔助金屬部份之該添加係基於該繞線違規。
如申請專利範圍第10項所述之設備，其中，該繞線違規係基於一個或多個以下項目：禁入規則、垂直互連存取(VIA)圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。
如申請專利範圍第9項所述之設備，其中，更造成該設備：判定該金屬繞線層的第一線端，其中，該初始阻擋遮罩之該第一內頂點對應至形成該第一線端的步驟。
如申請專利範圍第12項所述之設備，其中，更造成該設備：判定第一VIA連接在該第一線端處接至該金屬繞線層，其中，該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層對於該第一VIA連接的繞線違規。
如申請專利範圍第13項所述之設備，其中，更造成該設備：判定該金屬繞線層之第二線端與該第一線端在同一個軌跡內；以及判定第二VIA連接在該第二線端處接至該金屬繞線層，其中，該修正阻擋遮罩滿足該金屬繞線層在該第一VIA連接與該第二VIA連接之間的繞線違規。
如申請專利範圍第13項所述之設備，其中，該輔助金屬部份係添加至鄰近該第一線端的金屬軌跡。
如申請專利範圍第9項所述之設備，其中，更造成該設備：修正該金屬繞線層以使該輔助金屬部份連接至該金屬繞線層的數條走線。
一種輔助金屬繞線的方法，其係包含：判定積體電路(IC)之金屬繞線層之會造成繞線違規的組構；添加輔助金屬部份至該金屬繞線層；以及判定基於該輔助金屬部份的阻擋遮罩用以形成滿足該繞線違規的該金屬繞線層。
如申請專利範圍第17項所述之方法，其中，該繞線違規係在包含垂直互連存取(VIA)連接之該金屬繞線層的線端處與阻擋遮罩內頂點關連。
如申請專利範圍第17項所述之方法，其中，該繞線違規係基於一個或多個以下項目：禁入規則、VIA環路圍封規則、以及阻擋遮蔽的最小特徵尺寸。
如申請專利範圍第17項所述之方法，更包括：修正該金屬繞線層以使該輔助金屬部份連接至該金屬繞線層的數條走線。