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TWI579651B - Ｅｕｖ反射式成像投影光學單元 - Google Patents

Ｅｕｖ反射式成像投影光學單元 Download PDF

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TWI579651B
TWI579651B TW101135497A TW101135497A TWI579651B TW I579651 B TWI579651 B TW I579651B TW 101135497 A TW101135497 A TW 101135497A TW 101135497 A TW101135497 A TW 101135497A TW I579651 B TWI579651 B TW I579651B
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TW
Taiwan
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optical unit
imaging
imaging optical
image
plane
Prior art date
Application number
TW101135497A
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English (en)
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TW201333635A (zh
Inventor
喬哈尼斯 勞夫
湯瑪士 斯奇凱坦茲
Original Assignee
卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 filed Critical 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
Publication of TW201333635A publication Critical patent/TW201333635A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI579651B publication Critical patent/TWI579651B/zh

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    • G—PHYSICS
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Description

EUV反射式成像投影光學單元 【交互參照文獻】
德國專利申請案DE 10 2011 083 888.0之內容以引用方式併入。
本發明有關如申請專利範圍第1項前言部分的EUV反射式成像投影光學單元及如申請專利範圍第5及7項前言部分的反射式成像光學單元。
此類成像光學單元請見US 2010/0231886 A1。此類成像光學單元屬於投影曝光裝置的一部分及在以投影微影來成像光罩(reticle)之結構以產生積體電路時使用。
本發明之目的在於開發序言中所言類型的成像光學單元，以減少惱人的極化影響(polarization influence)。
根據第一方面，此目的根據本發明利用具有如申請專利範圍第1項所述特徵的成像光學單元達成。
根據本發明，已知藉由提供經由包括不同於0之角度的至少兩個主光線平面(chief ray plane)傳播的主光線，可減少惱人的極化影響。中 央物體場點(central object field point)的主光線因此不再在僅僅一個平面中延伸。這可用來補償對反射鏡反射率的極化影響，其一般差異在於首先垂直於及其次平行於相應反射鏡上的入射平面。利用主光線的傳播定義相應主光線平面是指，中央物體場點入射在反射鏡上的主光線及中央物體場點離開反射鏡的主光線包括不同於0的角度且橫跨(span)主光線平面，即，兩個主光線位在主光線平面中。因成像光學單元的較大影像場側數值孔徑(image-side numerical aperture)所引起的較大照射角(illumination angle)而出現惱人的極化影響，可利用根據本發明的光學單元減少此惱人的極化影響。惱人的極化影響可在成像光在光學單元反射鏡反射期間出現。
成像光學單元可具有影像側數值孔徑為至少0.4。成像光學單元的影像場可具有至少為1 mm2的面積。成像光學單元的影像場(image field)可具有面積超過1 mm2及可具有側向尺寸(lateral dimension)大於10 mm。此處，影像場是成像光學單元能夠以小於指定值的像差(aberration)進行成像的區域。
已發現如申請專利範圍第2項之彼此垂直之主光線平面尤其適於減少惱人的極化影響。
如申請專利範圍第3項之僅有兩個主光線平面能夠實現不會太複雜之成像光學單元的設計。
如申請專利範圍第4項之中間影像(intermediate image)得以影響成像光學單元之光束路徑輪廓(beam path profile)中的入射角，其中在減少惱人的極化影響時，可使用入射角作為額外的自由度。成像光學單元可具有僅僅一個中間影像。也可以有具有一個中間影像以上的其他具體實施例。
根據另一方面，利用具有如申請專利範圍第5項所述特徵的 成像光學單元達成序言中所言目的。
在此，將雙衰減量定義為D=(u-v)/(u+v)，其中u代表成像光學單元中所有反射鏡在成像光最大反射極化方向(maximally reflected polarization direction)中的總反射率(overall reflectivity)，及v代表與其垂直之成像光極化的對應總反射率。
根據本發明，已知本發明各種方面得以實現在成像期間交互作用之照射之繞射級(diffraction order)的極化分布(polarization distribution)，此極化分布導致較小雙衰減量(diattenuation)或針對照射之正切極化有所偏好的雙衰減量(亦即，其中在反射式光學單元的反射鏡處，和與正切極化分量垂直之徑向極化分量相較，正切極化分量是以較大的反射率而反射)。偏好正切極化減少在成像期間的惱人極化影響。
根據本發明，已知在複數個包括不同於0之角度的主光線平面上的光線導引提供減少惱人極化影響的選項。這麼做時，已知未必要獨立於光瞳座標(pupil coordinate)或獨立於照射角來儘量減小雙衰減量。對於特定應用而言，分別使對於特定絕對照射角(specific absolute illumination angle)(即，所有成對之具有相同半徑(即，與光瞳中心的距離相同)的光瞳座標)的雙衰減量保持較小已經足夠，其中對於不同絕對照射角的雙衰減量一定相異。舉例而言，可藉由使用在光學單元反射鏡上具有較小最大入射角的反射式成像光學單元，實現在所有光瞳座標上的較小最大雙衰減量(maximum diattenuation)；其中最大入射角例如不超過20°、不超過15°或甚於小於15°。尤其在最大影像側數值孔徑的區域中，成像光學單元的設計根據本發明係設計致使其中有較小最大雙衰減量，其小於10%，或其中有針對正切於成像光學單元光瞳中心之極化有所偏好的雙衰減量。成像光學單 元可具有精確一個中間影像。也可以有具有一個中間影像以上的其他具體實施例。可將反射式成像光學單元體現為EUV投影光學單元。成像光學單元的影像場可具有面積超過1mm2及可具有側向尺寸大於10mm。此處，影像場是成像光學單元能夠以小於指定值的像差進行成像的區域。
如申請專利範圍第6項之對於所有光瞳座標的較小最大雙衰減量尤其有利。
根據另一方面，利用具有如申請專利範圍第7項所述特徵的成像光學單元達成序言中所言目的。
如申請專利範圍第項7之成像光學單元(偏好正切於成像光學單元光瞳中心的極化，又稱為「正切雙衰減量」(tangential diattenuation))的優點對應於上文參考根據前面兩個方面之成像光學單元所討論的優點。出現正切雙衰減量的特定照射角可以是特定絕對照射角或大約此特定絕對照射角的照射角範圍。環形照射設定是此種照射的一個實例。接著，對於整體環形照射設定可存在正切雙衰減量。在特定光瞳座標周圍的區域亦可具有正切雙衰減量。其他照射角則不需要有正切雙衰減量。舉例而言，在四極照射設定的情況中，個別極可具有正切雙衰減量，而其他極則無。正切雙衰減量可出現在最大照射角處，即，在成像光學單元的邊緣側光瞳座標(edge-side pupil coordinate)處。在成像光學單元光瞳中心區域中的較小照射角的情況中，雙衰減量可與正切方向有所偏差。舉例而言，在光瞳座標之從中心覆蓋1/2數值孔徑的區域中的雙衰減量可為最多20%或最多10%。正切雙衰減量因而可出現在此光瞳邊界(pupil boundary)外，即，朝向較大照射角。光瞳邊界未必要位在影像側數值孔徑的一半處；而是其亦可位在30%及70%數值孔徑之間的區域中的不同點處。
亦可以組合方式實施上述根據本發明之成像光學單元的特徵。因此可利用通過包括不同於0的角度的至少兩個主光線平面的光線導 引，達成所指定較小雙衰減量值或偏好正切極化的雙衰減量。
如申請專利範圍第8項之照射系統、如申請專利範圍第9項之投影曝光裝置、如申請專利範圍第10項之方法及如申請專利範圍第11項之微結構化或奈米結構化組件的優點對應於上文參考成像光學單元所解說的優點。
1‧‧‧投影曝光裝置
2‧‧‧光源
3‧‧‧照射光/成像光
4‧‧‧物體場
5‧‧‧物體平面
6‧‧‧照射光學單元
7‧‧‧投影光學單元/成像光學單元
8‧‧‧影像場
9‧‧‧影像平面
10‧‧‧反射遮罩
11‧‧‧光罩固持器
12‧‧‧基板/晶圓
13‧‧‧基板固持器
14‧‧‧光線束
15‧‧‧光線束
16‧‧‧主光線
16M2、16M3、16M5、16M6‧‧‧主光線區段
17‧‧‧通道開口
18‧‧‧成像光線
19‧‧‧中間影像
20‧‧‧通道開口
M1-M6‧‧‧反射鏡
將參考圖式詳細解說本發明的例示性具體實施例。其中：圖1示意性顯示用於EUV微影的投影曝光裝置；圖2以示意性及局部透視方式顯示投影曝光裝置之具有六個反射鏡的反射式成像光學單元，其中示意性顯示中央物體場點之主光線的光束路徑；圖3顯示具有四個反射鏡之反射式成像光學單元的另一具體實施例；圖4顯示兩個線圖及關於雙衰減量對成像光之相依性的明暗刻度，該成像光取決於根據圖3之成像光學單元的照射角照射中央影像場點；圖5顯示具有四個反射鏡之反射式成像光學單元的另一具體實施例；圖6以類似於圖4的圖解顯示雙衰減量對成像光的相依性，該成像光取決於根據圖5之成像光學單元的照射角照射中央影像場點；圖7至9以透視圖顯示投影曝光裝置之具有六個反射鏡之反射式成像光學單元之另一具體實施例的反射鏡配置，其中進而顯示來自複數個場點之複數個個別光線的光束路徑；圖10以類似於圖4的圖解顯示雙衰減量對成像光的相依性，該成像光取決於根據圖7至9之成像光學單元的照射角照射中央影像場點；及圖11及12顯示根據圖7至9之成像光學單元的兩個側視圖。
用於EUV投影微影的投影曝光裝置1具有照射光或成像光3的光源2。光源2為EUV光源，產生光的波長範圍例如在5 nm與30 nm之間，尤其在5 nm與10 nm之間，或大約13.5 nm。在圖1中，示意性圖解照射光3的光束路徑。照射光學單元6適用於從光源2將照射光3引導至物體平面(object plane)5中的物體場(object field)4。投影光學單元或成像光學單元7係用於按照預定的縮小比例，將物體場4成像於影像平面(image plane)9中的影像場8中。在圖2以後圖解的例示性具體實施例之一者可用於投影光學單元7。根據圖1的投影光學單元7具有縮小因數(reduction factor)為4。亦可使用其他縮小比例，如，4×、5×或大於8×的縮小比例。在投影光學單元7中，將影像平面9配置平行於物體平面5。成像反射遮罩(mask)10(又稱為「光罩」)與物體場4重合的一個區段。反射遮罩10由光罩固持器11固持。
藉由投影光學單元7的成像發生於基板12的表面上，基板12的形式為晶圓，由基板固持器13承載。圖1在光罩10及投影光學單元7之間示意性圖解照射光3進入該投影光學單元的光線束14，及在投影光學單元7及基板12之間示意性圖解照射光3從投影光學單元7發出的光線束15。投影光學單元7的影像場側數值孔徑為0.4。在圖1中，這並未按比例繪製。
為了幫助說明投影曝光裝置1及投影光學單元7的各種具體實施例，在圖式中指明xyz直角座標系統，從此系統中展現圖式中圖解組件的相應位置關係。在圖1，x方向延伸垂直於圖式平面並向圖中延伸。y方向向右延伸，而z方向向下延伸。
投影曝光裝置1屬於掃描器類型(scanner type)。在投影曝光裝置1操作期間，在y方向中掃描光罩10及晶圓12二者。亦可使用步進 機類型(stepper-type)的投影曝光裝置1，其中在晶圓12的個別曝光之間，光罩10及晶圓12在y方向中逐步位移。
圖2示意性顯示投影光學單元7的具體實施例。在圖2中圖解中央物體場點之主光線16在物體場4及影像場8之間的光束路徑。根據圖2的投影光學單元7具有總共六個反射鏡，其按照主光線16從物體場4開始之光束路徑的順序依序編號為M1至M6。
在圖2中，所圖解的所有項目均為反射鏡M1至M6之反射表面的示意性剖面，且省略了固持結構或支撐基板的圖解。在圖2的透視圖中，可看見反射鏡M2的後側(其為背對反射表面)。根據圖2的圖解是反射鏡M4至M6的縱剖面(meridional section)。
主光線16延伸平行於在物體場4及反射鏡M1之間的yz平面。反射鏡M1將主光線16偏轉至平行於xy平面的主光線平面中。主光線16延伸平行於反射鏡M1及M4之間的xy平面。反射鏡M4將主光線16從平行於xy平面的主光線平面偏轉至平行於yz平面的主光線平面中。主光線16延伸平行於反射鏡M4及影像場8之間的yz平面，其中主光線16在反射鏡M4及影像場8之間的yz側投影面(yz-profile plane)與在物體場4及反射鏡M1之間的yz側投影面重合。
反射鏡M6是昏暗的(obscured)，即，其在反射鏡M4及M5之間的光束路徑中具有成像光3的通道開口17。
根據圖2之成像光學單元7的第一主光線平面由主光線16在反射鏡M5反射期間的輪廓(profile)指定。入射於反射鏡M5上的主光線區段16M5及離開反射鏡M5的主光線區段16M6包括不同於0的角度α及因此橫跨第一yz主光線平面。
第二主光線平面由主光線16在反射鏡M2反射期間的輪廓指定。在反射鏡M2反射的兩個主光線區段16M2及16M3同樣包括不同於0的角度及橫跨平行於xy平面的第二yz主光線平面。
兩個主光線平面由反射鏡M5及M2指定且平行於yz平面及平行於xy平面，兩個主光線平面包括不同於0的角度，明確地說這兩個主光線平面彼此垂直。
根據圖2的成像光刪除本案申請專利範圍第11項。學單元7具有僅僅兩個主光線平面。
由於成像光3延伸通過包括不同於0的角度的兩個主光線平面，在成像光3通過成像光學單元7時，使成像光3的雙衰減量均等。
成像光3首先具有在xy平面中的極化分量，及其次在yz平面中的極化分量。下值：D=(u-v)/(u+v)
稱為成像光學單元7的雙衰減量，其中u代表成像光學單元中所有反射鏡M1至M6對於最大反射極化方向的總反射率，及v代表與其垂直之極化的對應總反射率。
對於分別考慮的絕對照射角(以其來照射成像光學單元7之影像場8的影像場點)，根據圖2的成像光學單元7具有最大雙衰減量為10%。
照射角的測量始於影像平面9上貫穿中央影像場點的法線。
可組態根據圖2的成像光學單元7致使在整個影像場8上考慮的情況下，其對於所有照射角具有最大雙衰減量為20%。
圖3顯示成像光學單元7的進一步具體實施例。此具體實施例尚未針對投影用途而最佳化並用於解說其原理。除了中央物體場點之主光線16的輪廓，還圖解其他一些成像光線18的輪廓，光線18屬於中央影像場點的不同光瞳座標或照射角。
根據圖3的成像光學單元7具有總共四個反射鏡，其按照個別光線16、18從物體場4開始之光束路徑的順序依序編號為M1至M4。同樣地，圖3為反射表面的剖面，且未圖解固持結構及基板。反射鏡M1至M4承載鉬/矽雙層形式的雙層塗層。根據圖3的成像光學單元7係針對所用波長13.5nm而設計。根據圖3之成像光學單元7的成像比例為1×。影像場側孔徑為0.2。
在物體場4及反射鏡M3之間，主光線16延伸於第一主光線平面(延伸平行於yz平面)中。此第一yz主光線平面由主光線16在例如反射鏡M1及M2反射期間的輪廓指定，如上文在根據圖2之具體實施例的內容中解說。
反射鏡M3使主光線16偏轉離開第一主光線平面yz，其中主光線16在反射鏡M3反射後，在xz平面中延伸直到影像場8。反射鏡M4配置在yz平面外並可座落在圖3圖式平面的前方或後方。
主光線16延伸平行於反射鏡M4及影像場8之間的z軸。
根據圖3之成像光學單元7的第二主光線平面(即，平行於xz軸的平面)由主光線16在例如反射鏡M3及M4反射期間的輪廓指定。
圖4顯示雙衰減量D對中央影像場點之照射角的相依性。
在圖4b中，例如針對根據圖3之光學單元7的入射光瞳(entrance pupil)，於相應光瞳座標bx,by標繪雙衰減量D(bx,by)。具有相同半徑(即，與根據圖4a及4b的座標系統原點相距相同距離，原點則與光學單元7之入射光瞳的中心重合)的光瞳座標屬於相同照射角。值bx 2+by 2因此構成絕對照射角的度量(measure)，其測量始於影像平面上穿過中央影像場點的法線，其中相對於此法線分別考慮為照射角的角度首先測量於xz平面中及其次測量於yz平面中，其角度為光瞳座標的值bx,by，以根據圖3之成像光學單元7的影像場側數值孔徑為單位。在圖4a及4b中以百分率標繪雙衰減量D。
取決於光瞳座標bx,by的相應值D如圖4c的明暗刻度所示。在圖4a及4b的中心，即，在垂直照射區域中的最小光瞳座標處，雙衰減量較小。越朝向外側，即，朝向較大的絕對照射角，雙衰減量D(bx,by)增加，其中雙衰減量的值的輪廓約略旋轉對稱。在既定絕對數值孔徑的情況中，即，在分別考慮為絕對照射角的情況中，雙衰減量D在此絕對照射角下在平均雙衰減量值附近的變化因此較小，及除了最大影像場側數值孔徑之區域中的照射角，對於甚至更小的照射角，雙衰減量D的變化小於20%及小於10%。在根據圖4b的圖解中，在分別考慮之照射角的雙衰減量從此照射角的平均雙衰減量值的變化小於10%。
除了以絕對值標繪的雙衰減量D，圖4a在相應光瞳座標bx,by亦指示較佳為成像光學單元7的反射鏡M1至M4所反射之極化方向的輪廓。在圖4a之第二象限的區域中，即，在負bx值及正by值處，對於良好的概算，在光瞳中心周圍偏好正切極化。此偏好正切極化的概算雖有限制，但仍亦適用於圖4a中的第一及第三光瞳座標象限。偏好正切極化有利於成像，即使雙衰減量的絕對值大於例如20%亦是如此。在雙衰減量值按照圖4c之明暗刻度轉變之間的邊界線再次以圖4a的實線劃清。
下文使用圖5及6解說成像光學單元7之另一具體實施例。 對應於上文參考圖1至4(及尤其參考圖3及4)所解說之組件及功能的組件及功能具有相同參考符號，且不再詳細論述。
對比於根據圖3的成像光學單元7，根據圖5的成像光學單元7具有在光束路徑中在反射鏡M2及M3之間的中間影像19。由於此中間影像，在成像光線18(尤其在後續反射鏡M3及M4上)的入射角分布上產生變更。這對於首先平行於xz平面及其次平行於yz平面之成像光3之極化分量的反射率(尤其是反射鏡M3及M4)導致對應修改的影響。
圖6繼而顯示根據圖5之整體成像光學單元7的所得雙衰減量。除了最大照射角之外，整體而言，雙衰減量極小，且對於大部分的照射角而言，幾乎等於零。大於15%的雙衰減量僅出現在根據圖6b之光瞳座標的第一象限區域中，即，在正bx值及正by值的區域中。幾乎在所有光瞳座標處出現的雙衰減量不超過20%。
在此，所描述成像光學單元7的具體實施例在各例中為反射式光學單元，即，沒有折射組件的純反射鏡光學單元。
下文使用圖7至12解說成像光學單元7之另一具體實施例。對應於上文參考圖1至6(及尤其參考圖3及4)所解說之組件及功能的組件及功能具有相同參考符號，且不再詳細論述。與上文參考圖1至6所使用的xyz座標系統相比，下文用以說明根據圖7以後之成像光學單元7之組件位置關係的直角xyz座標系統繞著z軸旋轉90°，且因此光罩10及晶圓12的掃描現在發生於x方向中。
根據圖7至12的成像光學單元7總共有六個反射鏡，其以照射光3在物體場4及影像場8間之成像光束路徑中的照射順序依序編號為M1至M6。在此顯示的是照射光3之複數個個別光線的成像光束路徑，這些個別光線則從複數個物體場點開始。影像場8具有在x方向中為2mm 及在y方向中為26 mm的場尺寸。物體場4因而具有在x及y方向中放大4倍的尺寸。根據圖7以後的成像光學單元7因此在物體場4及影像場8之間縮小4倍。附接於反射鏡M2的是限制照射光或成像光3之光束的孔徑光闌(aperture stop)。可將此孔徑光闌體現為反射鏡M2上的塗層。
反射鏡M1至M4位在共同平面(common plane)中，該共同平面延伸垂直於xz平面及對yz平面傾斜。反射鏡M3至M6及影像場8配置在延伸平行於xz平面的第二平面中。物體場4及反射鏡M1及M2亦位在平行於xz平面且與反射鏡M3至M6所位在的平面隔開的平面中。主光線平面yz及主光線平面xz為直角xyz座標系統的一部分及包括90°角，即，這兩個主光線平面彼此垂直。在反射鏡M4及M5間之成像光束路徑中有中間影像19。在空間上，該中間影像座落在最後一個反射鏡M6中之通道開口20的區域中，在反射鏡M4及M5之間遞送的照射光3從通道開口通過反射鏡M6。
根據圖7至12的成像光學單元7具有影像側數值孔徑0.45。根據圖7至12之成像光學單元7的縮小比例為4×。對於物體場4的中央場點而言，成像光3的主光線角(chief ray angle)CRA(比較圖12)對物體平面5的法線為9.5°。
下文以光學設計程式CODE V®的設計資料為基礎，說明根據圖7至12之成像光學單元7的光學設計。
利用以下方程式說明反射鏡M1至M6的反射自由形式表面(freeform reflection surface)：
Z是自由形式表面在點x,y的矢高(arrow height)(其中x2+y2=r2)。
c為常數，對應於對應之非球面透鏡的頂點曲率(vertex curvature)。k對應於對應之非球面透鏡的錐形常數。cij是單項式xiyj的係數。通常根據成像光學單元7內之反射鏡的所需光學性質決定c、k及cij的值。
自由形式表面在數學上亦可用Zernike多項式描述，這例如解說於光學設計程式CODE V®的手冊中。或者，亦可借助二維樣條表面(two-dimensional spline surface)描述自由形式表面。此範例為Bezier曲線或非均勻有理基本樣條(non-uniform rational basis splines，NURBS)。舉例而言，二維樣條表面可藉由xy平面中的點格柵及相關聯的z值描述，或藉由這些點及與其相關聯的梯度(gradient)描述。取決於相應的樣條表面類型，使用如關於其連續性及可微分性具有特定性質的多項式或函數，利用格柵點間之內插，獲得完整表面。此範例為分析函數(analytic function)。
反射鏡M1至M6承載多個反射層，使其對入射EUV照射光3的反射最佳化。照射光或成像光3之個別光線在反射鏡表面上的撞擊角越接近垂直入射，越能改良反射的最佳化。
下列光學設計表格的第一個表格(表1)分別指明光學表面(即，反射鏡M1至M6的反射表面)之頂點曲率(半徑)的倒數(reciprocal)。
下列表格的第二個表格(表2)指明反射鏡M1至M6的離心及斜角或傾斜值，其形式為平移參數(translation parameter)XDE、YDE、ZDE及旋轉參數ADE、BDE、CDE。
這些參數的意義對應於從光學設計程式CODE V®得知的參數。以下將再次簡短解說此意義。應注意，關於離心，與從CODE V®得知 的描述相比，仍進行繞著y軸額外旋轉180°。這導致在反射鏡之間或在參考表面之間的正距離值。當使用CODE V®定義光線交點側(ray intersection side)，光線交點側(SID)將設定為「NEG」。此光線交點側(SID)參數如說明於CODE V® 10.4參考手冊，第I卷，第4-60頁(2011年9月)。
ADE 表面繞著x軸旋轉α角(單位：度)。
BDE 表面繞著y'軸旋轉β角(單位：度)，y'軸自旋轉y軸而出現。
CDE 表面繞著z"軸旋轉γ角(單位：度)，z"軸藉由首先繞著x軸旋轉及其次繞著y'軸旋轉而出現自z軸。
XDE 表面在x軸中的平移(單位：mm)。
YDE 表面在y軸中的平移(單位：mm)。
ZDE 表面在z軸中的平移(單位：mm)。
以下第三個表格(表3a及3b)指明單項式xiyj在上述反射鏡M1至M6之自由形式表面方程式中的係數cij。
反射鏡M1至M5各沒有用於照射光3的通道開口。
在剖面圖中，反射鏡M3及M6背對背設置。
圖10顯示根據圖7至12之整體成像光學單元7的所得雙衰減量。除了最大照射角之外，整體而言，雙衰減量極小，且對於大部分的照射角而言，幾乎等於零。在所觀察光瞳座標區域中的雙衰減量在各例中均小於20%。
為了產生微結構化或奈米結構化組件，尤其是微晶片(尤其是記憶體晶片)形式的半導體組件，如下使用投影曝光裝置1：一開始提供反射遮罩10及基板12。其後，借助投影曝光裝置，將光罩10上的結構投 影至晶圓12的感光層上。微結構或奈米結構於是在晶圓12上產生，及因此藉由顯影感光層而產生微結構化組件。
4‧‧‧物體場
5‧‧‧物體平面
7‧‧‧投影光學單元/成像光學單元
8‧‧‧影像場
9‧‧‧影像平面
16‧‧‧主光線
18‧‧‧成像光線
M1-M4‧‧‧反射鏡

Claims (10)

  1. 一種EUV反射式成像投影光學單元(7)，具有至少四個反射鏡(M1至M4；M1至M6)，其將一物體平面(5)中的一物體場(4)成像於一影像平面(9)中的一影像場(8)；具有一第一主光線平面(yz)，其由一中央物體場點之一主光線(16)在一反射鏡(M1、M2；M5、M6)反射期間的傳播所定義；具有一第二主光線平面(xy；xz)，其由該中央物體場點之該主光線(16)在其他反射鏡(M2；M3、M4)之一者反射期間的傳播所定義；其特徵在於：該兩個主光線平面(yz、xy；yz、xz)包括不同於0的一角度。
  2. 如申請專利範圍第1項之成像光學單元，其中該兩個主光線平面(yz、xy；yz、xz)彼此垂直。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成像光學單元，其中僅有兩個主光線平面(yz、xy；yz、xz)。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之成像光學單元，其中在該物體場(4)及該影像場(8)間之成像光束路徑中有一中間影像(19)。
  5. 一種反射式成像光學單元(7)，具有至少四個反射鏡(M1至M4；M1至M6)，其將一物體平面(5)中的一物體場(4)成像於一影像平面(9)中的一影像場(8)；具有一影像側數值孔徑為至少0.4；其特徵在於：在考慮經由該影像場(8)的情況下，該成像光學單元(7)對於一特定、分別考慮的照射角具有一最大雙衰減量(D)為10%。
  6. 如申請專利範圍第5項之成像光學單元，其中考慮在該影像場(8) 上的情況下，該成像光學單元(7)對於所有光瞳座標(bx,by)具有一最大雙衰減量(D)為20%。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之成像光學單元，具有一影像側數值孔徑為至少0.4；其中在考慮經由該影像場(8)的情況下，該成像光學單元(7)對於一特定照射角具有一雙衰減量，該雙衰減量對於正切於該光學單元(7)之一光瞳的中心而極化的成像光所造成衰減的程度是小於對於垂直於該中心而極化的成像光所造成衰減的程度。
  8. 一種照射系統，具有一照射光學單元(6)，用於以照射光或成像光(3)照射物體場(8)；具有一如申請專利範圍第1至7項任一者之成像光學單元(7)。
  9. 一種投影曝光裝置，具有一如申請專利範圍第8項之照射系統；具有一光源(2)，用於產生該照射光或該成像光(3)。
  10. 一種用於投影微影產生微結構化或奈米結構化組件的方法，包含以下步驟：提供一基板(12)，至少按區段塗佈一層感光材料於該基板上；提供一光罩(10)，其具有要成像的結構；提供一如申請專利範圍第9項之投影曝光裝置；借助該投影曝光裝置(1)，將該光罩(10)的至少一區段投影於該基板(12)之感光層的一區域中。
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