TWI578061B - 電連接結構及陣列基板 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種電連接結構及一種陣列基板。
液晶顯示面板通常包括陣列基板、對向基板及夾設在所述陣列基板與對向基板之間的液晶層，通過控制所述液晶層中液晶分子的旋轉以控制光線的通過量，進而實現畫面顯示。其中，該陣列基板包括諸如薄膜電晶體、儲存電容以及位於陣列基板周邊的連接墊、連接線等結構。在形成上述結構之後，通常形成一覆蓋上述結構的絕緣覆蓋層，例如形成一平坦化層，並對所述絕緣覆蓋層進行曝光。然而，對所述絕緣覆蓋層進行曝光容易使絕緣覆蓋層的表面不平整，影響陣列基板的穩定性。
鑑於此，有必要提供一種電連接結構，所述電連接結構包括電連接單元、位於所述電連接單元一側的干涉層以及位於所述電連接單元遠離所述干涉層的一側並覆蓋所述電連接單元的絕緣覆蓋層，所述電連接單元包括金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述金屬層對光線的反射率相同。
還有必要提供一種陣列基板，所述陣列基板包括薄膜電晶體、位於所述薄膜電晶體一側的干涉層以及位於所述薄膜電晶體遠離所
述干涉層的一側並覆蓋所述薄膜電晶體的絕緣覆蓋層，所述薄膜電晶體包括金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述金屬層對光線的反射率相同。
相較於習知技術，本發明所提供的電連接結構及陣列基板由於設置了干涉層，能夠降低反射至絕緣覆蓋層的光線強度，使絕緣覆蓋層不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層。
1‧‧‧液晶顯示面板
10‧‧‧陣列基板
11‧‧‧對向基板
12‧‧‧液晶層
100‧‧‧基板
105‧‧‧緩衝層
108‧‧‧干涉層
108a‧‧‧第一干涉層
108b‧‧‧第二干涉層
110‧‧‧電連接單元
114‧‧‧閘極
118‧‧‧連接墊
120‧‧‧金屬層
122‧‧‧絕緣層
172‧‧‧連接墊孔
174‧‧‧接觸孔
132‧‧‧通道層
142‧‧‧源極
144‧‧‧汲極
152‧‧‧絕緣覆蓋層
162‧‧‧畫素電極
146‧‧‧連接線
圖1是本發明具體實施方式所提供的電連接結構的示意圖。
圖2是本發明具體實施方式所提供的陣列基板的示意圖。
圖3是本發明具體實施方式電連接結構的製作方法的流程圖。
圖4至圖8是圖3中各步驟的分步示意圖。
圖9是本發明具體實施方式陣列基板的製作方法的流程圖。
圖10至圖16是圖9中各步驟的分步示意圖。
下面結合附圖將對本發明實施方式作進一步的詳細說明。
在液晶顯示器中陣列基板的形成過程中，經常會在陣列基板上的電連接結構上形成一絕緣覆蓋層，如鈍化層，之後對該絕緣覆蓋層進行曝光以在所述絕緣覆蓋層上開孔或對所述絕緣覆蓋層漂白。然而，對所述絕緣覆蓋層進行曝光容易使該絕緣覆蓋層的表面不平整。經研究發現，導致所述絕緣覆蓋層不平整的原因主要在於對所述絕緣覆蓋層進行曝光時該由金屬層形成的電連接結構會把曝光的光線反射至所述絕緣覆蓋層，導致該絕緣覆蓋層受到了
雙重曝光，進而使得該絕緣覆蓋層的表面被破壞。
因此，在本發明具體實施方式中，通過在陣列基板上設置一對光線的反射率與連接線相同的干涉層，使該干涉層與連接線所反射的反射光形成干涉，降低由所述連接線反射至絕緣覆蓋層的光線強度，進而得到平坦的絕緣覆蓋層。
請參閱圖1，本發明具體實施方式所提供的電連接結構10包括基板100、緩衝層105、干涉層108、連接墊118、絕緣層122、連接線146以及絕緣覆蓋層152。
所述緩衝層105形成在所述基板100上並覆蓋所述基板100。所述干涉層108形成在所述緩衝層105上。所述連接墊118形成在所述干涉層108上。所述絕緣層122覆蓋所述干涉層108及所述連接墊118。所述絕緣層122對應所述連接墊118的位置開設有連接墊孔172。所述連接線146形成在所述絕緣層122上且通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。所述連接墊118與連接線146相互電性連接構成一電連接單元110。所述絕緣覆蓋層152覆蓋所述絕緣層122以及所述連接線146。所述絕緣覆蓋層152遠離所述基板100的一側為平坦的表面。
所述干涉層108能夠將從所述干涉層108遠離所述基板100一側射向所述干涉層108的光線以一定的反射率反射，並將從所述干涉層108靠近所述基板100一側射向所述干涉層108的光線透射。所述干涉層108遠離所述基板100的一側對光線的反射率與所述連接線146對光線的反射率相同。在本實施方式中，所述干涉層108在所述基板100上的投影面積不小於所述連接線146在所述基板100上的投影面積。優選地，所述干涉層108在所述基板100上的投影
面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍。
可以理解，所述緩衝層105不是必要的，在其它實施方式中，所述干涉層108可直接形成在所述基板100上。
在本實施方式中，所述基板100的材質選自透明基材，例如玻璃、石英或有機聚合物等。所述緩衝層105的材質選自透明絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。在本實施方式中，所述干涉層108的材質選自氧化鈮與二氧化矽的聚合物(Nb2O5-SiO2)。所述連接墊118與連接線146的材質選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。在本實施方式中，所述絕緣層122的材質選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。在本實施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機材料，例如採用聚碳酸酯(PC)以及苯並環乙烯(BCB)等。
本發明具體實施方式所提供的電連接結構10由於在所述電連接結構10中設置了與該連接線146反射率相同的該干涉層108，且所述干涉層108在所述基板100上的投影面積不小於所述連接線146在所述基板100上的投影面積，該干涉層108能夠與所述連接線146所反射的光線形成相互干涉，在對所述絕緣覆蓋層152進行曝光時，能夠降低所述絕緣覆蓋層152與所述連接線146對應位置的光線強度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層152。同時，經試驗，當所述干涉層108在所述基板100上的投影面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍時效果最佳，所述干涉層108在不與該連接線146對應的位置基本不會反射多餘的光線，因此基本不會對所述絕緣覆蓋層
152進行不必要的破壞。
在本實施方式中，該電連接結構10是形成在一陣列基板1中的非顯示區域，以下具體實施方式針對該陣列基板1的加以說明。
請參閱圖2，本發明具體實施方式所提供的陣列基板1包括基板100、緩衝層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、閘極114、連接墊118、絕緣層122、通道層132、源極142、汲極144、連接線146、絕緣覆蓋層152以及畫素電極162。
所述緩衝層105形成在所述基板100上並覆蓋所述基板100。所述第一干涉層108a與第二干涉層108b分別形成在所述緩衝層105上，且所述第一干涉層108a與第二干涉層108b相互間隔設置。所述連接墊118形成在所述第一干涉層108a上。所述閘極114形成在所述第二干涉層108b上。所述絕緣層122覆蓋所述緩衝層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、閘極114與連接墊118。所述絕緣層122對應所述連接墊118的位置開設有連接墊孔172。所述通道層132形成在所述絕緣層122上與所述閘極114對應的位置。所述源極142與汲極144形成在所述絕緣層122上且分別覆蓋所述通道層132的兩端。所述連接線146形成在所述絕緣層122上並通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。所述連接墊118與連接線146相互電性連接構成一電連接單元110。所述閘極114、通道層132、源極142與汲極144共同構成一薄膜電晶體。所述絕緣覆蓋層152覆蓋所述絕緣層122、源極142、通道層132、汲極144、以及連接線146。所述絕緣覆蓋層152對應所述連接線146的位置遠離所述基板100的一側為平坦的表面。所述絕緣覆蓋層152對應所述汲極144的位置開設有接觸孔174。所述畫素電極162形成
在所述絕緣覆蓋層152上並通過所述接觸孔174與所述汲極144電性連接。
所述第一干涉層108a與第二干涉層108b能夠將從所述第一干涉層108a及第二干涉層108b遠離所述基板100一側射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線以一定的反射率反射，並將從所述第一干涉層108a與第二干涉層108b靠近所述基板100一側射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線透射。所述第一干涉層108a與第二干涉層108b遠離所述基板100的一側對光線的反射率與所述源極142、汲極144以及連接線146對光線的反射率相同。在本實施方式中，所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積不小於所述連接線146在所述基板100上的投影面積。所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積不小於所述源極142、通道層132以及汲極144在所述基板上的總投影面積。優選地，所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍。所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積為所述源極142、通道層132以及汲極144在所述基板上的總投影面積的1至10倍。
可以理解，所述緩衝層105不是必要的，在其它實施方式中，所述干涉層108可直接形成在所述基板100上。
在本實施方式中，所述基板100的材質選自透明基材，例如玻璃、石英或有機聚合物等。所述緩衝層105的材質選自透明絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。在本實施方式中，所述干涉層108的材質選自氧化鈮與二氧化矽的聚合物(Nb2O5-SiO2)。所述閘極114、連接墊118、源極142、汲極144以
及連接線146與連接線146的材質選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。在本實施方式中，所述絕緣層122的材質選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。在本實施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機材料，例如採用聚碳酸酯(PC)以及苯並環乙烯(BCB)等。在本實施方式中，所述畫素電極162的材質選自氧化銦錫(ITO)。
本發明具體實施方式所提供的電連接結構10由於在所述陣列基板1中設置了與該連接線146反射率相同的第一干涉層108a以及與該源極142與汲極144反射率相同的第二干涉層108b，且所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積不小於所述連接線146在所述基板100上的投影面積，所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積不小於所述源極142、通道層132以及汲極144在所述基板上的總投影面積，該第一干涉層108a與第二干涉層108b能夠與所述連接線146、源極142以及汲極144所反射的光線形成相互干涉，在對所述絕緣覆蓋層152進行曝光時，能夠降低所述絕緣覆蓋層152與所述源極142、汲極144以及連接線146對應位置的光線強度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層152。同時，經試驗，當於所述第一干涉層108a在所述基板100上的投影面積為所述連接線146在所述基板100上的投影面積的1至10倍，且所述第二干涉層108b在所述基板100上的投影面積為所述源極142、通道層132以及汲極144在所述基板上的總投影面積的1至10倍時效果最佳，所述第一干涉層108a與第二干涉層108b在不與所述連接線146、源極142以及汲極144對應的位置不會基本反射多餘的光線，因此基本不會對所述絕緣覆蓋層
152進行不必要的破壞。
請參閱圖3，為本發明具體實施方式所提供的電連接結構10的製作方法的流程圖。所應說明的是，本發明電連接結構10的製作方法並不受限於下述步驟的順序，且在其他實施方式中，本實施例電連接結構10的製作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。下面結合圖3各流程步驟的說明對本發明具體實施方式所提供的電連接結構10的製作方法進行詳細介紹。
步驟S201，請參閱圖4，提供基板100，在所述基板100上依次形成緩衝層105與干涉層108，並在所述干涉層108上形成連接墊118。
具體地，首先在所述基板100上形成一覆蓋所述基板100的緩衝層105。然後，在所述緩衝層105上形成一覆蓋所述緩衝層105的干涉層108。接著，在所述干涉層108上形成一覆蓋所述干涉層108的金屬層120。之後，通過黃光製程圖案化所述金屬層120以形成所述連接墊118。
在本實施方式中，所述基板100的材質選自透明基材，例如玻璃、石英或有機聚合物等。所述緩衝層105的材質選自透明絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。所述干涉層108能夠將從所述干涉層108遠離所述基板100一側射向所述干涉層108的光線以一定的反射率反射，並將從所述干涉層108靠近所述基板100一側射向所述干涉層108的光線透射。在本實施方式中，所述干涉層108的材質選自氧化鈮與二氧化矽的聚合物(Nb2O5-SiO2)。所述連接墊118的材質選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。
可以理解，所述緩衝層105不是必要的，在其它實施方式中，所述干涉層108可直接形成在所述基板100上。
步驟S202，請參閱圖5，形成覆蓋所述干涉層108以及連接墊118的絕緣層122，並在所述絕緣層122對應所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。
具體地，首先形成覆蓋所述干涉層108以及連接墊118的絕緣層122。接著，通過黃光製程圖案化所述絕緣層122以在所述絕緣層122對應所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。
在本實施方式中，所述絕緣層122的材質選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。
步驟S203，請參閱圖6，在所述絕緣層122上形成連接線146，所述連接線146通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。
具體地，首先在所述絕緣層122上形成一金屬層120。之後通過黃光製程圖案化所述金屬層120以形成所述連接線146。
在本實施方式中，所述連接線146的材質選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。所述干涉層108遠離所述基板100的一側對光線的反射率與所述連接線146對光線的反射率相同。
步驟S204，請參閱圖7，形成覆蓋所述連接線146以及絕緣層122上的絕緣覆蓋層152。所述絕緣覆蓋層152遠離所述基板100的一側為平坦的表面。
在本實施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機材料，例如採用聚碳酸酯(PC)
以及苯並環乙烯(BCB)等。
步驟S205，請參閱圖8，對所述絕緣覆蓋層152進行曝光，光線經所述絕緣覆蓋層152射向所述連接線146，並經過所述絕緣覆蓋層152以及絕緣層122射向所述干涉層108。射向所述連接線146與干涉層108的光線分別被所述連接線146與干涉層108反射至所述絕緣覆蓋層152。由於所述連接線146與所述干涉層108對光線的反射率相同，且所反射的光線均由同一光源射出，被所述連接線146與干涉層108反射的光線能夠產生相互干涉，使得反射至所述絕緣覆蓋層152的光線強度降低。因此，所述絕緣覆蓋層152的表面不會被所述反射光破壞，進而所述絕緣覆蓋層152的表面能夠保持平坦。
至此，所述電連接結構10製作完成。
由此，本發明具體實施方式所提供的電連接結構10的製作方法由於在所述電連接結構10中設置了與該連接線146反射率相同的該干涉層108，能夠與所述連接線146所反射的光線形成相互干涉，由此降低所述絕緣覆蓋層152與所述連接線146對應位置的光線強度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層152。
請參閱圖9，為本發明具體實施方式所提供的陣列基板1的製作方法的流程圖。所應說明的是，本發明陣列基板1的製作方法並不受限於下述步驟的順序，且在其他實施方式中，本實施例陣列基板1的製作方法可以只包括以下所述步驟的其中一部分，或者其中的部分步驟可以被刪除。下面結合圖9各流程步驟的說明對本發明具體實施方式所提供的陣列基板1的製作方法進行詳細介紹
。
步驟S301，請參閱圖10，提供基板100，在所述基板100上形成緩衝層105，並在所述緩衝層105上形成第一干涉層108a與第二干涉層108b。
具體地，首先在所述基板100上形成一覆蓋所述基板100的緩衝層105。接著，在所述緩衝層105上形成一覆蓋所述緩衝層105的干涉層。之後，通過黃光製程圖案化所述干涉層以形成所述第一干涉層108a與第二干涉層108b。
在本實施方式中，所述基板100的材質選自透明基材，例如玻璃、石英或有機聚合物等。所述緩衝層105的材質選自透明絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。所述第一干涉層108a與第二干涉層108b能夠將從所述第一干涉層108a與第二干涉層108b遠離所述基板100一側射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線以一定的反射率反射，並將從所述第一干涉層108a與第二干涉層108b靠近所述基板100一側射向所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的光線透射。在本實施方式中，所述第一干涉層108a與第二干涉層108b的材質選自氧化鈮與二氧化矽的聚合物(Nb2O5-SiO2)。
可以理解，所述緩衝層105不是必要的，在其它實施方式中，所述第一干涉層108a與第二干涉層108b可直接形成在所述基板100上。
步驟S302，請參閱圖11，在所述第一干涉層108a上形成連接墊118，並在所述第二干涉層108b上形成閘極114。
具體地，首先在所述緩衝層105上形成一覆蓋所述緩衝層105、第一干涉層108a與第二干涉層108b的金屬層120。之後，通過黃光製程圖案化所述金屬層120以形成所述閘極114以及連接墊118。
在本實施方式中，所述閘極114以及連接墊118的材質選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。
步驟S303，請參閱圖12，形成覆蓋所述緩衝層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、閘極114以及連接墊118的絕緣層122，在所述絕緣層122上與閘極114對應的位置形成通道層132，並在所述絕緣層122對應所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。
具體地，首先形成覆蓋所述緩衝層105、第一干涉層108a、第二干涉層108b、閘極114以及連接墊118的絕緣層122。接著，在所述絕緣層122上形成一覆蓋所述絕緣層122的半導體層。之後，通過黃光製程圖案化所述半導體層以形成所述通道層132。所述通道層132的位置與所述閘極114的位置相對應。在圖案化所述半導體層以形成所述通道層132的同時，通過所述黃光製程圖案化所述絕緣層122以在所述絕緣層122對應所述連接墊118的位置形成連接墊孔172。
在本實施方式中，所述絕緣層122的材質選自透明絕緣材料，例如氧化鋁、氧化矽、氮化矽以及氮氧化矽等。所述通道層132的材質為半導體，例如金屬氧化物、非晶矽或多晶矽等。
步驟S304，請參閱圖13，在所述絕緣層122上形成源極142、汲極144以及連接線146，所述源極142與汲極144設置在所述絕緣層122上且分別覆蓋所述通道層132的兩端，所述連接線146設置在
所述絕緣層122上且通過所述連接墊孔172與所述連接墊118電性連接。
具體地，首先在所述絕緣層122與通道層132上形成一金屬層120。之後通過黃光製程圖案化所述金屬層120以形成所述源極142、汲極144與連接線146。
在本實施方式中，所述源極142、汲極144以及連接線146的材質選自鋁、鈦、鉬、鉭、銅等金屬。所述第一干涉層108a及第二干涉層108b遠離所述基板100的一側對光線的反射率與所述源極142、汲極144以及連接線146對光線的反射率相同。
步驟S305，請參閱圖14，形成覆蓋所述源極142、通道層132、汲極144、連接線146以及絕緣層122的絕緣覆蓋層152。所述絕緣覆蓋層152遠離所述基板100的一側為平坦的表面。
在本實施方式中，所述絕緣覆蓋層152為一鈍化層，所述絕緣覆蓋層152選自常作為鈍化層的有機材料，例如採用聚碳酸酯(PC)以及苯並環乙烯(BCB)等。
步驟S306，請參閱圖15，通過一光罩300遮擋所述絕緣覆蓋層152並透過所述光罩300對所述絕緣覆蓋層152進行曝光，所述光罩300包括對應所述汲極144的位置用於在所述絕緣覆蓋層152上開設接觸孔的第一光罩區310以及所述第一光罩區310周邊的第二光罩區320，所述第二光罩區320的透光率低於所述第一光罩區310的透光率。
經過光線的照射，與該第一光罩區310位置對應的絕緣覆蓋層152被照射的最嚴重，能夠被光阻顯影液去除；與該第二光罩區320
位置對應的絕緣覆蓋層152被光線漂白，增加了光線的透射率。同時，光線經所述絕緣覆蓋層152射向所述連接線146，並經過所述絕緣覆蓋層152以及絕緣層122射向所述第一干涉層108a。射向所述連接線146與第一干涉層108a的光線分別被所述連接線146與第一干涉層108a反射至所述絕緣覆蓋層152。由於所述連接線146與所述第一干涉層108a對光線的反射率相同，且所反射的光線均由同一光源射出，被所述連接線146與第一干涉層108a反射的光線能夠產生相互干涉，使得反射至所述絕緣覆蓋層152的光線強度降低。因此，所述絕緣覆蓋層152的表面不會被所述反射光破壞，進而所述絕緣覆蓋層152的表面能夠保持平坦。相應地，所述第二干涉層108b亦能夠降低所述源極142與汲極144反射光線的強度，保證該所述絕緣覆蓋層152的表面能夠保持平坦。
步驟S307，請參閱圖16，去除所述絕緣覆蓋層152對應所述第一光罩區310的位置以形成接觸孔174，之後在所述絕緣覆蓋層152上形成通過所述接觸孔174與所述汲極144電性連接的畫素電極162。
具體地，首先，通過光阻顯影液去除所述絕緣覆蓋層152對應所述第一光罩區310的位置以形成接觸孔174。接著，在所述絕緣覆蓋層152上形成一透明導電層，之後通過黃光製程圖案化所述透明導電層以形成所述畫素電極162。在本實施方式中，所述畫素電極162的材質選自氧化銦錫(ITO)。
至此，所述陣列基板1製作完成。
本發明具體實施方式提供的陣列基板1的製作方法由於在所述陣列基板1中設置了與該連接線146反射率相同的第一干涉層108a以
及與該源極142與汲極144反射率相同的第二干涉層108b，能夠與所述連接線146、源極142以及汲極144所反射的光線形成相互干涉，在對所述絕緣覆蓋層152進行曝光時，能夠降低所述絕緣覆蓋層152與所述源極142、汲極144以及連接線146對應位置的光線強度，使絕緣覆蓋層152不易被光線破壞，進而得到平坦的絕緣覆蓋層152。
綜上所述，本創作符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本創作之較佳實施例，本創作之範圍並不以上述實施例為限，舉凡熟習本案技藝之人士爰依本創作之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10‧‧‧陣列基板
100‧‧‧基板
105‧‧‧緩衝層
108‧‧‧干涉層
110‧‧‧電連接單元
118‧‧‧連接墊
122‧‧‧絕緣層
172‧‧‧連接墊孔
152‧‧‧絕緣覆蓋層
146‧‧‧連接線
Claims (15)
- 一種電連接結構，包括基板、電連接單元、位於所述電連接單元一側的干涉層以及位於所述電連接單元遠離所述干涉層的一側並覆蓋所述電連接單元的絕緣覆蓋層，所述干涉層形成在所述基板上，所述電連接單元形成在所述干涉層上，所述電連接單元包括金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述金屬層對光線的反射率相同。
- 如請求項1所述的電連接結構，其中，所述干涉層在所述基板上的投影面積不小於所述電連接單元在所述基板上的投影面積。
- 如請求項2所述的電連接結構，其中，所述干涉層在所述基板上的投影面積為所述電連接單元在所述基板上的投影面積的1至10倍。
- 如請求項1所述的電連接結構，其中，所述電連接單元包括相互電性連接的連接墊與連接線，該連接墊與該連接線均為金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與距離該絕緣覆蓋層較近的金屬層對光線的反射率相同。
- 如請求項4所述的電連接結構，其中，所述連接墊形成在所述干涉層上，所述電連接結構還包括一覆蓋所述連接墊的絕緣層，所述連接線形成在所述絕緣層上並通過一開設在所述絕緣層上的連接墊孔與所述連接墊電性連接，所述絕緣覆蓋層覆蓋所述連接線，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述連接線對光線的反射率相同。
- 如請求項1所述的電連接結構，其中，所述干涉層的材質選自氧化鈮與二氧化矽的聚合物。
- 一種陣列基板，該陣列基板包括基板、薄膜電晶體、位於所述薄膜電晶 體一側的干涉層以及位於所述薄膜電晶體遠離所述干涉層的一側並覆蓋所述薄膜電晶體的絕緣覆蓋層，所述干涉層形成在所述基板上，所述薄膜電晶體形成在所述干涉層上，所述薄膜電晶體包括金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述金屬層對光線的反射率相同。
- 如請求項7所述的陣列基板，其中，所述干涉層在所述基板上的投影面積不小於所述薄膜電晶體在所述基板上的投影面積。
- 如請求項8所述的陣列基板，其中，所述干涉層在所述基板上的投影面積為所述薄膜電晶體在所述基板上的投影面積的1至10倍。
- 如請求項7所述的陣列基板，其中，所述薄膜電晶體包括閘極、源極、汲極與通道層，所述閘極、源極與汲極均為金屬層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與距離該絕緣覆蓋層較近的金屬層對光線的反射率相同。
- 如請求項10所述的陣列基板，其中，所述閘極形成在所述干涉層上，所述陣列基板還包括一覆蓋所述閘極與干涉層的絕緣層，所述通道層設置在所述絕緣層上與所述閘極對應的位置，所述源極與汲極形成在所述絕緣層上並分別覆蓋所述通道層的兩端，所述絕緣覆蓋層覆蓋所述源極、汲極與通道層，所述干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述源極與汲極對光線的反射率相同。
- 如請求項11所述的陣列基板，其中，所述陣列基板還包括基板、第二干涉層以及電連接結構，所述干涉層與第二干涉層形成在所述基板上，所述電連接結構形成在所述第二干涉層上並被所述絕緣覆蓋層覆蓋，所述電連接單元包括第二金屬層，所述第二干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述第二金屬層對光線的反射率相同。
- 如請求項12所述的陣列基板，其中，所述電連接單元包括相互電性連接 的連接墊與連接線，該連接墊與該連接線均為第二金屬層，所述第二干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與距離該絕緣覆蓋層較近的第二金屬層對光線的反射率相同。
- 如請求項13所述的陣列基板，其中，所述連接墊形成在所述第二干涉層上，所述絕緣層還覆蓋所述連接墊，所述連接線形成在所述絕緣層上並通過一開設在所述絕緣層上的連接墊孔與所述連接墊電性連接，所述絕緣覆蓋層覆蓋所述連接線，所述第二干涉層靠近所述絕緣覆蓋層的一側對光線的反射率與所述連接線對光線的反射率相同。
- 如請求項14所述的陣列基板，其中，所述第一干涉層與第二干涉層的材質選自氧化鈮與二氧化矽的聚合物。
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