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TWI575024B - 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層及電子裝置 - Google Patents

用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層及電子裝置 Download PDF

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TWI575024B
TWI575024B TW104117087A TW104117087A TWI575024B TW I575024 B TWI575024 B TW I575024B TW 104117087 A TW104117087 A TW 104117087A TW 104117087 A TW104117087 A TW 104117087A TW I575024 B TWI575024 B TW I575024B
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金佑翰
高尙蘭
郭澤秀
金補宣
金眞敎
羅隆熙
盧健培
朴璽美
裵鎭希
司空峻
李殷善
任浣熙
張俊英
鄭日
黃丙奎
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三星Ｓｄｉ股份有限公司
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Description

用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層及電子裝置 【相關申請的交叉參考】
本申請主張2014年10月7日在韓國知識產權局申請的韓國專利申請第10-2014-0135157號，和2014年12月24日在韓國知識產權局申請的韓國專利申請第10-2014-0188905號的優先權和權益，所述專利申請的全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明是有關於一種用於形成二氧化矽層的組成物、一種二氧化矽層以及一種包含所述二氧化矽層的電子裝置。
隨著半導體技術的發展，已經對具有高度集成(integration)和高速的半導體記憶體單元(semiconductor memory cell)進行了研究，以便在較小半導體晶片中增加集成並改良性能。然而，由於半導體需要高度集成並且電線之間的空間變得狹窄，所以可能出現RC延遲(RC delay)、串擾(cross-talk)、反應 速度降低等，並且因此產生半導體互連(interconnection)方面的問題。為了解決此問題，可能需要裝置之間適當的分隔。
因此，裝置之間適當的分隔由廣泛使用的由含矽材料形 成的二氧化矽層(silica layer)作為半導體裝置的層間絕緣層、裝置之間的平面化層、鈍化膜、絕緣層等來執行。二氧化矽層用作顯示裝置等以及半導體裝置的保護層、絕緣層等。舉例來說，韓國專利公開第2002-0025680號揭露一種包含氮化矽層的半導體裝置，並且韓國專利公開第2005-0104610號揭露一種包含絕緣層(如矽層)的顯示裝置。
一般來說，二氧化矽層由在裝置預定區域塗布含矽材料 並且將其固化而形成，並且因此在二氧化矽層形成時需要滿足間隙填充特徵和間隙蝕刻特徵的材料。
一個實施例提供一種同時確保間隙填充特徵和間隙蝕刻特徵的用於形成二氧化矽層的組成物。
另一實施例提供一種使用用於形成二氧化矽層的組成物的二氧化矽層。
又一實施例提供一種包含二氧化矽層的電子裝置。
根據一個實施例，用於形成二氧化矽層的組成物包含重量平均分子量為約20,000到約70,000並且多分散指數(polydispersity index)為約5.0到約17.0的含矽聚合物和溶劑。
含矽聚合物可以包含重量平均分子量為約20,000到約50,000並且多分散指數為約5.0到約14.0的含矽聚合物；重量平均分子量大於約50,000且小於或等於約70,000並且多分散指數為約11.5到約17.0的含矽聚合物；或其組合。
含矽聚合物可以是聚矽氮烷(polysilazane)、聚矽氧氮烷(polysiloxazane)或其組合。
含矽聚合物可以具有約5.3到約15.5的多分散指數。
含矽聚合物可以具有約22,000到約65,000的重量平均分子量。
溶劑可以包含由苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯(diethylbenzene)、三甲苯(trimethylbenzene)、三乙苯(triethylbenzene)、環己烷、環己烯、十氫萘(decahydronaphthalene)、二戊烯(dipentene)、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷(ethylcyclohexane)、甲基環己烷(methylcyclohexane)、環己烷、環己烯、對薄荷烷(p-menthane)、二丙醚(dipropyl ether)、二丁醚(dibutyl ether)、茴香醚(anisole)、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁酮(methyl isobutyl ketone)以及其組合中選出的至少一者。
含矽聚合物可以以按用於形成二氧化矽層的組成物總量計的約0.1重量%到約30重量%的量包含在內。
含矽聚合物的氧含量可以介於按含矽聚合物的100重量%計的約0.01重量%到約3重量%範圍內，並且含矽聚合物的-SiH3 基團含量可以介於按含矽聚合物中Si-H鍵總量計的約15%到約40%範圍。
根據另一實施例，提供一種使用用於形成二氧化矽層的 組成物製造的二氧化矽層。
根據又一實施例，提供一種包含二氧化矽層的電子裝置。
可以實現同時確保膜平坦度和間隙內部稠密度的二氧化矽層。
圖1是呈現使用根據實例1的組成物製造的具有良好間隙填充特徵的二氧化矽層的電子顯微鏡照片。
圖2是呈現使用根據比較例2的組成物製造的具有不充分間隙填充特徵的二氧化矽層的電子顯微鏡照片。
圖3是呈現使用根據實例3的組成物製造的具有極好間隙蝕刻特徵的二氧化矽層的電子顯微鏡照片。
圖4是呈現使用根據實例1組成物製造的具有良好間隙蝕刻特徵的二氧化矽層電子顯微鏡照片。
圖5是呈現使用根據比較例1的組成物製造的具有不利間隙填充特徵的二氧化矽層的電子顯微鏡照片。
本發明的例示性實施例將在下文中進行詳細描述，並且容易由具有相關領域中常識的人員執行。然而，本發明可以以多種不同形式實施，並且不解釋為限於本文所闡述的例示性實施例。
如本文中所用，當不另外提供定義時，術語「被取代的」是指被由以下各者中選出的取代基取代而代替化合物的氫的一者：鹵素原子(F、Br、Cl或I)、羥基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、疊氮基、甲脒基(amidino group)、肼基、亞肼基、羰基、氨基甲醯基(carbamyl group)、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、烷基、C2到C16烯基、C2到C16炔基、芳基、C7到C13芳烷基、C1到C4氧烷基、C1到C20雜烷基、C3到C20雜芳基烷基、環烷基、C3到C15環烯基、C6到C15環炔基、雜環烷基以及其組合。
在下文中，描述根據一個實施例的一種用於形成二氧化矽層的組成物。
根據一個實施例的用於形成二氧化矽層的組成物包含含矽聚合物和溶劑。
含矽聚合物可以是含矽(Si)原子聚合物而不受特定限制，並且可以是例如聚矽氮烷、聚矽氧氮烷或其組合。
含矽聚合物可以具有約20,000到約70,000的重量平均分子量和約5.0到約17.0的多分散指數(polydispersity index，PDI)。 根據一個實施例，用於形成二氧化矽層的組成物包含重量平均分子量和多分散指數在各自預定範圍內的含矽聚合物，並且因此可 以增加層的間隙密度以及確保層的均勻性，並且因此使層內部缺陷最小化。
含矽聚合物可以包含重量平均分子量為約20,000到約 50,000並且多分散指數為約5.0到約14.0的含矽聚合物；重量平均分子量大於約50,000且小於或等於約70,000並且多分散指數為約11.5到約17.0的含矽聚合物；或其組合。包含滿足重量平均分子量和多分散指數在各自預定範圍內的含矽聚合物的組成物具有極佳蝕刻特徵以及極佳塗布特性，並且因此形成均勻層。另外，組成物被固化相對較長時間，並且可穩定地形成層。
在所述範圍內，含矽聚合物可以具有例如約5.3到約15.5 的多分散指數，並且含矽聚合物可以具有例如約22,000到約65,000的重量平均分子量。
舉例來說，含矽聚合物可以以按用於形成二氧化矽層的 組成物總量計的約0.1重量%到約30重量%，並且具體來說約0.2重量%到約3重量%的量包含在內。
當在所述範圍內包含含矽聚合物時，可以防止包含含矽 聚合物的組成物在熱處理期間收縮，並且因此可以防止其所形成的電荷圖案破裂。更具體來說，含矽聚合物可以以約0.4重量%到約2重量%的量包含在內。
另外，含矽聚合物可以包含在末端處由-SiH3表示的部 分，並且含矽聚合物的-SiH3基團含量可以介於按含矽聚合物中Si-H鍵總量計的約15%到約40%範圍內。本文中，氧含量是由使 用弗拉什EA 1112(FlashEA 1112)(賽默飛世爾科技公司(Thermo Fisher Scientific Inc.))測量的，並且SiH3/SiH是由使用200兆赫的質子NM：AC-200(布魯克公司(Bruker Co.))測量的。
含矽聚合物可以以按用於形成二氧化矽層的組成物總量計的約0.1重量%到約30重量%的量包含在內。當在所述範圍內包含含矽聚合物時，在間隙填充期間不僅可以維持適當黏度，而且還可以形成平整且均勻的層而不具間隙(空隙)。
溶劑可以使用芳香族化合物、脂肪族化合物、飽和烴類化合物、醚、酯、酮等，並且可以專門由苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘(decahydronaphthalene)、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對薄荷烷(p-menthane)、二丙醚(dipropyl ether)、二丁醚(dibutyl ether)、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁酮(methyl isobutyl ketone)以及其組合中選出。
確切地說，溶劑中的至少一者具有大於或等於130℃的高沸點。因此，可以增加層的平坦度。
溶劑可以以除按用於形成二氧化矽層的組成物總重量計的組分外的平衡量包含在內。
用於形成二氧化矽層的組成物可以更包含熱酸產生劑(thermal acid generator，TAG)。
熱酸產生劑可以包含任何因熱而產生酸(H+)的化合物而 不受特定限制。確切地說，它可以包含在90℃或高於90℃下被活化並且產生足夠酸以及具有低揮發性的化合物。所述熱酸產生劑可以例如由甲苯磺酸硝基苄酯(nitrobenzyl tosylate)、苯磺酸硝基苄酯(nitrobenzyl benzenesulfonate)、酚磺酸酯(phenol sulfonate)以及其組合中選出。
熱酸產生劑可以以按用於形成二氧化矽層的組成物總量計的約0.01重量%到約25重量%的量包含在內。
用於形成二氧化矽層的組成物可以更包含表面活性劑。
表面活性劑不受特定限制，並且可以是例如非離子表面活性劑，如聚氧乙烯烷基醚(polyoxyethylene alkyl ether)，如聚氧乙烯十二烷基醚(polyoxyethylene lauryl ether)、聚氧乙烯十八烷基醚(polyoxyethylene stearyl ether)、聚氧乙烯十六烷基醚(polyoxyethylene cetyl ether)、聚氧乙烯油醇醚(polyoxyethylene oleyl ether)等；聚氧乙烯烷基烯丙基醚(polyoxyethylene alkylallyl ether)，如聚氧乙烯壬基酚醚(polyoxyethylenenonyl phenol ether)等；聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物(polyoxyethylene．polyoxypropylene block copolymer)；聚氧乙烯山梨醇脂肪酸酯(polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester)，如山梨醇單月桂酸酯(sorbitan monolaurate)、山梨醇單棕櫚酸酯(sorbitan monopalmitate)、山梨醇單硬脂酸酯(sorbitan monostearate)、山梨醇單油酸酯(sorbitan monoleate)、聚氧乙烯山梨醇單硬脂酸酯(polyoxyethylene sorbitan monostearate)、聚氧 乙烯山梨醇三油酸酯(polyoxyethylene sorbitan trioleate)、聚氧乙烯山梨醇三硬酯酸酯(polyoxyethylene sorbitan tristearate)等；EFTOP EF301、EF303、EF352的氟類表面活性劑(托化工製品有限公司(Tochem Products Co.,Ltd.))、麥格菲斯F171(MEGAFACE F171)、F173(大日本油墨及化學株式會社(Dainippon Ink & Chem.,Inc.))、氟羅拉FC430(FLUORAD FC430)、FC431(住友3M(Sumitomo 3M))、旭防護AG710(Asahi guard AG710)、索龍S-382(Surflon S-382)、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭玻璃株式會社(Asahi Glass Co.,Ltd.))等；其他矽酮類表面活性劑，如有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學株式會社(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.))等。
表面活性劑可以以按用於形成二氧化矽層的組成物總量計的約0.001重量%到約10重量%的量包含在內。在所述範圍內，可以同時改良溶液的分散度以及層的均勻厚度和填充特性。
根據另一實施例，提供一種使用用於形成二氧化矽層的組成物製造的二氧化矽層。
製造二氧化矽層的方法包含在基板上塗布用於二氧化矽層的組成物；乾燥塗布有用於二氧化矽類絕緣層的組成物的基板；並且固化所述基板。
用於形成二氧化矽層的組成物可以呈包含含矽聚合物和溶劑的溶液形式，並且可以使用溶液製程來塗布，例如旋轉塗布、狹縫塗布、絲網印刷、噴墨、一次性滴注(one drop filling，ODF) 或其組合。基板的固化製程可以包含在例如約150℃或大於150℃溫度下的熱處理。
二氧化矽層可以是例如絕緣層、填充層、保護層(如硬 化塗層)等；半導體電容器等。所述絕緣層可以例如在電晶體裝置與位元線之間、電晶體裝置與電容器之間使用，但不限於此。
根據另一實施例，提供一種包含二氧化矽層的電子裝 置。所述電子裝置可以包含顯示裝置、半導體、圖像感測器等。
在下文中，以下實例將更詳細闡明本發明的實施例。然而，這些實例是例示性的，並且本發明並不限於此。
製備用於形成二氧化矽層的組成物 [比較例1]
用乾燥氮氣取代裝備有2升攪拌器和溫度控制器的反應器的內部氛圍。將1,500克無水吡啶放入反應器，並且隨後將所述反應器保持在0℃下。接著，歷經一小時將100克二氯矽烷緩慢注射入其中。然後，在攪拌反應器的同時，歷經3小時將70克氨水緩慢注射入其中。隨後，歷經30分鐘將乾燥氮氣注射入其中，並且移除留在反應器中的氨水。在乾燥氮氣氛圍下，通過1微米特富龍過濾器(Teflon filter)過濾所得白色漿相產物，獲得1,000克過濾溶液。隨後，將1,000克無水二甲苯加入其中，使用旋轉蒸發器將混合物的溶劑由吡啶取代為二甲苯三次以將其濃度調節到30重量%，並且使濃縮產物通過孔徑為0.03微米的特富龍過濾器過濾。
將300克無水吡啶加入過濾溶液，並且在100℃下加熱所述混合物直到它的重量平均分子量達到23,000。
隨後，將1000克無水二丁醚加入其中，並且使用旋轉蒸發器將所得混合物中的溶劑用二丁醚反覆取代三次以將其固體調節到20重量%。
因此，通過所述製程獲得重量平均分子量為23,000並且多分散指數為4.8的聚矽氮烷。在本說明書中，聚矽氮烷的重量平均分子量和多分散指數分別由使用沃特斯(Waters)製造的GPC(PLC泵1515、RI偵測器2414)測量。
接著，過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[比較例2]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為100,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式，由過濾重量平均分子量為100,000並且多分散指數為13.5的聚矽氮烷二丁醚溶液來製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[比較例3]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為140,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式，由過濾重量平均分子量為140,000並且多分散指數為17.5的聚矽氮烷二丁醚溶液來製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[實例1]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分 子量變為8,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為8,000並且多分散指數為2.9的聚矽氮烷二丁醚溶液。
以8：2的重量比使溶液與根據比較例2的聚矽氮烷二丁醚 溶液混合，獲得重量平均分子量為23,000並且多分散指數為6.4的聚矽氮烷二丁醚溶液。過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[實例2]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為8,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為8,000並且多分散指數為2.9的聚矽氮烷二丁醚溶液。
以9：1的重量比使溶液與比較例3的聚矽氮烷二丁醚溶液混合，獲得重量平均分子量為23,000並且多分散指數為7.3的聚矽氮烷二丁醚溶液。過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[實例3]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為8,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為8,000並且多分散指數為2.9的聚矽氮烷二丁醚溶液。
以6：4的重量比使溶液與比較例2的聚矽氮烷二丁醚溶液混合，獲得重量平均分子量為46,000並且多分散指數為11.7的聚矽氮烷二丁醚溶液。過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[實例4]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為8,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為8,000並且多分散指數為2.9的聚矽氮烷二丁醚溶液。
以3：1的重量比使溶液與比較例3的聚矽氮烷二丁醚溶液混合，獲得重量平均分子量為46,000並且多分散指數為12.6的聚矽氮烷二丁醚溶液。過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[實例5]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為8,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為8,000並且多分散指數為2.9的聚矽氮烷二丁醚溶液。
以4：6的重量比使溶液與比較例2的聚矽氮烷二丁醚溶液混合，獲得重量平均分子量為61,000並且多分散指數為14.9的聚矽氮烷二丁醚溶液。過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[實例6]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為8,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為8,000並且多分散指數為2.9的聚矽氮烷二丁醚溶液。
以6：4的重量比使溶液與比較例3的聚矽氮烷二丁醚溶液混合，獲得重量平均分子量為61,000並且多分散指數為15.4的聚矽氮烷二丁醚溶液。過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
[實例7]
通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為10,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為10,000並且多分散指數為3.2的聚矽氮烷二丁醚溶液(1)。
隨後，通過與比較例1相同的製程執行熱處理直到重量平均分子量變為30,000。隨後，通過與比較例1相同的溶劑取代方式獲得重量平均分子量為30,000並且多分散指數為5.8的聚矽氮烷二丁醚溶液(2)。
隨後，以4：6比(重量比)混合聚矽氮烷二丁醚溶液(1)與(2)，並且隨後獲得重量平均分子量為22,000並且多分散指數為5.3的聚矽氮烷二丁醚溶液。過濾所得聚矽氮烷溶液，製備用於形成二氧化矽層的組成物。
所用凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography，GPC)的規格如下：
1.模型
- 沃特斯GPC(PLC泵1515，RI偵測器2414)
- 柱種類：修戴克斯LF-804(Shodex LF-804)
2.測量條件
- 洗析液：THF
- 測量濃度：1%(二甲苯)
- 注射體積：50微升
- 液體的速率：1毫升/分鐘
3.校準曲線
- STD種類：聚苯乙烯STD(修戴克斯(Shodex))
- 數量：12(每(ea))
(580/1,200/2,340/3,950/6,180/13,000/16,500/20,000/55,100/133,000/288,000/1,280,000)
- 精確度：五次多項式(Quintic Polynomial)，R2>0.99。
評估1：間隙填充特徵
在圖案化矽晶圓上塗布根據比較例1到比較例3以及實例1到實例7的各用於形成二氧化矽層的組成物，並且烘烤以形成薄膜。圖案化矽晶圓的圖案的寬度為約40nm，深度為約1μm。接著，在將膜的橫截面連接到支架之後，使用HR塗布機以6mA執行鉑濺鍍8秒。使用電子顯微鏡(S5500，日立株式會社(Hitachi Ltd.))放大100,000倍檢查預處理樣本。在樣本中隨機選取50個凹溝。接著，在50個凹溝中具有孔隙的樣本被評估為「不利」，在 50個凹溝中不具有孔隙的樣本被評估為「良好」。
結果提供於下表1中。
參考表1、圖1及圖2，根據實例1到實例7的用於形成 二氧化矽層的組成物顯示「良好」間隙填充特徵結果，而根據比較例2和比較例3的用於形成二氧化矽層的組成物顯示「不利」間隙填充特徵結果。這是由重量平均分子量和多分散指數在各自預定範圍內的聚矽氮烷組成物形成的膜的間隙填充特徵極佳的原因。
評估2：間隙蝕刻特徵
在圖案化矽晶圓上塗布根據比較例1到比較例3以及實 例1到實例7的各用於形成二氧化矽層的組成物，並且隨後烘烤，形成薄膜。接著，使膜的橫截面在蝕刻溶液(包含0.5重量%HF的水溶液)中浸漬30秒，同時將所述蝕刻溶液保持在18℃下，並且隨後用純水清潔30秒。隨後，使用氮移除保留的水分。隨後，將橫截面連接到支架，並且隨後使用HR塗布機以6mA鉑濺鍍8秒。使用電子顯微鏡(S5500，日立株式會社)放大100,000倍檢 查預處理樣本。依據樣本中的空間程度評估間隙蝕刻特徵。
結果提供於下表2中。
參考表2，根據實例1到實例7的用於形成二氧化矽層的組成物顯示「良好」或「極好」間隙蝕刻特徵結果，而根據比較例2和比較例3的用於形成二氧化矽層的組成物顯示「不利」間隙蝕刻特徵結果。另外，根據比較例2到比較例3的用於形成二氧化矽層的組成物顯示「不利」間隙填充特徵，其可能未受評估。
參考表2及圖3至圖5，由重量平均分子量和多分散指數在預定範圍內的聚矽氮烷組成物形成的層具有極佳間隙蝕刻特徵。
評估3：凝膠化時間
分別用根據比較例1到比較例3以及實例1到實例7的用於形成二氧化矽層的組成物填充40毫升玻璃瓶的一半，並且使它在22℃/50 RH%下在潔淨室中靜置。隨後，每隔一小時裸眼檢查玻璃瓶以檢驗是否凝膠化。凝膠化時間是指組成物變成凝膠狀態所需要的時間。
小於或等於7小時的凝膠化時間是不利的，介於大於7小時到小於或等於12小時範圍內的凝膠化時間是良好的，並且大於或等於12小時的凝膠化時間是極好的。
結果提供於下表3中。
參考表3，根據實例1到實例7的用於形成二氧化矽層的 組成物顯示「良好」或「極好」的凝膠化時間結果，而根據比較例2和比較例3的用於形成二氧化矽層的組成物顯示「不利」的凝膠化時間結果。這些結果是由重量平均分子量和多分散指數在各自預定範圍內的聚矽氮烷組成物形成的層顯示相對較長凝膠化時間，並且因此顯示組成物的極佳穩定性。
雖然已經結合目前視為實用例示性實施例的內容來描述 本發明，但應理解本發明不限於所揭露的實施例，而是相反，本發明旨在涵蓋包含在所附權利要求書的精神和範圍內的各種修改和等效配置。

Claims (8)

  1. 一種用於形成二氧化矽層的組成物，包括：重量平均分子量為20,000到70,000並且多分散指數為5.0到17.0的含矽聚合物；以及溶劑，其中所述含矽聚合物包括重量平均分子量為20,000到50,000並且多分散指數為5.0到14.0的含矽聚合物；重量平均分子量大於50,000且小於或等於70,000並且多分散指數為11.5到17.0的含矽聚合物；或其組合，所述含矽聚合物以按所述用於形成二氧化矽層的組成物總量計的0.1重量%到30重量%的量包含在內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物是聚矽氮烷、聚矽氧氮烷或其組合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物具有5.3到15.5的多分散指數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物具有22,000到65,000的重量平均分子量。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述溶劑包括由苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、 乙酸戊酯、甲基異丁酮以及其組合中選出的至少一者。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物的氧含量介於按所述含矽聚合物的100重量%計的0.01重量%到3重量%範圍內，以及所述含矽聚合物的-SiH3基團含量介於按所述含矽聚合物中Si-H鍵總量計的15%到40%範圍內。
  7. 一種二氧化矽層，使用如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的用於形成二氧化矽層的組成物來製造。
  8. 一種電子裝置，包括如申請專利範圍第7項所述的二氧化矽層。
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