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TWI573955B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI573955B
TWI573955B TW101141975A TW101141975A TWI573955B TW I573955 B TWI573955 B TW I573955B TW 101141975 A TW101141975 A TW 101141975A TW 101141975 A TW101141975 A TW 101141975A TW I573955 B TWI573955 B TW I573955B
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light
cover
inner cover
light source
emitting device
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TW101141975A
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TW201319449A (zh
Inventor
廖本瑜
姚久琳
李宗憲
王志銘
許明祺
黃苡叡
趙光平
王誌賢
謝明勳
劉建良
Original Assignee
晶元光電股份有限公司
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Publication date
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Description

發光裝置
本發明所揭露的係關於一種發光裝置，特別是關於一種發光裝置具有突起的外罩。
用於固態照明裝置的發光二極體(light-emitting diode；LED)具有耗能低、低發熱、操作壽命長、防震、體積小、 反應速度快以及輸出的光波長穩定等良好光電特性，因此發光二極體被廣泛地應用於家用照明以及儀器指示燈等光電產品。隨著光電科技的發展，固態照明在照明效率、操作壽命以及亮度等方面有顯著的進步，因此近年來發光二極體已經被應用於一般的照明用途上。但是在某些應用上需要具有全方向性光場的發光二極體燈具時，傳統的發光二極體燈具並無法滿足這個需求。
此外發光二極體可以與其他裝置結合以形成發光裝置，像是先將發光二極體放置於基板之上再連接到載體的一側，或是以焊料接點或者黏膠等材料形成於載體與發光二極體之間以形成發光裝置。除此之外，載體上更可以包含電路電性連接到發光二極體的電極。
本發明係揭露一種發光裝置。
這發光裝置包含一個內罩，內罩具有一第一長度的上表面；一個基座位於內罩上，並具基座有一具第二長度的上表面；一個支撐基座的承載體，其中內罩上表面的第一長度大於基座上表面的第二長度。
為了能夠較適當並且扼要的解釋本發明，同樣的名稱或 被標記為相同的數字而出現在說明書中不同的篇章或者圖示之中，一旦被定義之後不論出現在說明書的任何地方應該被認為具有一致或者相同的含意。
以下內容係透過圖示來描述本發明所揭露的各個實施例。
第1圖與第2A圖揭示本發明的第一實施例發光裝置100。發光裝置100是一個燈泡。發光裝置100包含一外罩11、一光源14、一電路單元30電性連接光源14以控制光源14，與一散熱裝置20設置在外罩11與電路單元30之間以將光源14產生的熱帶離發光裝置100。
參考第2A圖，外罩11包含有第一部分111與第二部分112，並在內部形成一個腔室113，而光源14被放置在腔室113的內部。第一部分111被安排在外罩11的中心位置，而第二部分112圍繞著第一部分111並且往第一部分111的反方向對稱性地延伸出去。在一實施例中，第一部分111與第二部分112包含有相同的材料。在本實施例中，外罩11的第一部分111包含有一突出部13由第一部分111往光源14的方向延伸，使得第一部分111具有比第二部分112厚的平均厚度。在一實施例中，第一部分111的平均厚度至少比第二部分的112的平均厚度厚兩倍。第一部分111的突出部13具有一個曲面134面向光源14以定義一個內表面，而這個內表面與光源14相比在平面上的投影具有較大的面 積。在本實施例中，突出部13有一個半圓形的剖面使得第一部分111具有不均勻的厚度，其中第一部分111的中間部131比第一部分111的周圍部132厚。相反地，第二部分112則具有實質上一致的厚度。由於第一部分111的平均厚度比第二部分112的平均厚度厚，第一部分111的穿透率比第二部分112的穿透率差，因此造成部分從光源14發出的光被第一部分111反射。藉由第一部分111與第二部分112的厚度不同，以形成全方向性的光場。在一實施例中，從光源14所發出的光中低於80%的部分能穿過第一部分111，且超過80%從光源14所發出的光是透過第二部分112穿出去。除此之外，第一部分111與第二部分112包含有多個擴散顆粒散佈在其中，例如TiO2、SiO2或空氣，而越多的擴散顆粒使第一部分111與第二部分112的穿透率越差。
發光裝置100更包含一個承載體15以支撐光源14，其外圍部分151連接到外罩11。承載體15位於外罩11與散熱裝置20之間，且光源14直接設置於承載體15上或上方。在另一實施例中，光源14位於腔室113的中心並且透過一支柱(未繪示於圖中)為承載體15所支撐。承載體15以及支柱具有散熱的特性，使得光源14所產生的熱可以傳遞到散熱裝置20，而承載體15與支柱的材料可以是石英、玻璃、ZnO、Al、Cu或者Ni。
在本實施例中，突出部13與外罩11(第一部分111與第 二部分112)包含有同樣的材料，透過成模的方式製作，例如射出成模，以一體成形的方式形成單一個物體。其中”一體成形”所指的是在突出部13與外罩11之間沒有接縫。如第2B圖所示，第二部分112包含有一上部1121從第一部分111延伸以及一下部1122由上部1121往下延伸，而承載體15係連接到下部1122。在一實施例中，第二部分112的上部1121與下部1122係形成兩個分開的部分，然後透過設置在靠近承載體15的連接裝置19連結，如第2B圖所示。另外，連接裝置19可位於外罩11(未繪示於圖中)的中間部分，其中連接裝置19包含了螺絲釘、緊扣件、扣件或夾子。在另一個實施例中，上部1121與下部1122組成一個單一片的構件。外罩11的材料包含有玻璃、丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、聚乙烯(PE)等聚合物，而突出部13可以是實心或者是中空的結構。
參照第2A圖，其中突出部13更包含了反射膜133形成在內表面上。因此當光源14發出的光如圖中箭頭L所示指向各種方向，部分經過第二部分112而離開外罩11的光以及部分往突出部13的光係實質上為反射膜133反射並且往下穿過外罩11，使得部分的光會穿過平面P的下方。光源14具有一個光軸Ax位於第3圖中的θ=0°的方向，平面P則是位於第3圖中的θ=90°方向，是一個垂直於光軸Ax的水平面，並且與放置光源14的承載體15共平面。具體而言， 如第3圖所示的座標系統是用來描述光源14或者發光裝置100所發出的光形成的光場分布，其中光照明的方向是以介於0°到180°之間的座標θ來描述。藉由形成具有反射膜133於其上的突出部13或者透過所形成的第一部分111與第二部分112之間的厚度差，使得發光裝置100發出的光照明方向介於135°到-135°的範圍之間(ψ 1=270°)以達到全方向性的光場。其中”全方向性的光場”是指從光源14所發出超過5%的光是存在於-135°到135°的範圍之間(ψ 2=90°)，而”實質上由反射膜133反射”是指從光源14所發出的超過90%的光是由反射膜133反射並且低於10%的光係穿過第一部分111。在一實施例中，反射膜133可以設置在相對於內表面的外表面之上，其中反射膜133的成分包含了鋁或者是銀。此外，反射膜133可以是一反射層(未繪示於圖中)，包含了形成分佈式布拉格反射鏡的複數個次層。在另一個實施例中，突出部13包含了如奈米結構的粗化表面以散射光。
第4A到4F圖揭示各種不同形狀的外罩。參考第4A圖，突出部23有一個方形的剖面並具有形成於其上的反射膜233。參考第4B圖，突出部33有剖面為方形的第一部份331以及從第一部份331往光源方向延伸的第二部分332，並且第二部分332在橫截面上具有一個截短的切面。此外，反射膜333係形成在突出部33上的第一部份331與第二部分332。參考第4C圖，突出部43包含有兩個剖面為梯形的傾 斜側壁431，並且突出部43更包含有反射膜433形成於其上。參考第4D圖，突出部53具有剖面為方形的第一部份531以及由第一部份531往光源方向延伸並且剖面圖為圓形的第二部份532，突出部53同樣地包含了反射膜533形成於其上。參考第4E圖，突出部63包含一個尖端631位於相對第一部份111的中心位置，以及兩個曲面632由尖端631向外發散式的延伸，而突出部63更包含了反射膜633形成於其上。參考第4F圖，突出部73具有類似第4E圖的結構，除了突出部73具有一個平面731位於相對第一部份111的中心位置之外，突出部73更包含了反射膜733形成於其上。
第5圖揭示本發明的第二實施例發光裝置200的外罩，其中第二實施例發光裝置200具有跟第一實施例發光裝置100相似的結構。在本實施例中，外罩81的第二部分812具有粗化表面8121以散射光線，其中粗化表面8121可以是奈米結構並且可以被形成在第二部分812的數個區域上。
第6圖揭示第1圖中發光裝置100的透視圖，光源14係電性連接到放置在承載體15的載板16上，其中載板16可以是印刷電路板。第7圖係揭露電路單元30的電路圖，電路單元30包含了橋式整流器(未繪示於圖中)電性連接到提供交流電流訊號的電源，以接收交流電流訊號並將交流電流訊號整流成直流電流訊號。在本實施例中，光源14包含 了複數個發光二極體彼此串聯，除此之外複數個發光二極體可以互相並聯或者是串-並聯。光源14可以包含發出相同波長的發光二極體，而在別的實施例中光源14也可以包含發出不同波長的發光二極體，例如可以是紅光、綠光或者是藍光二極體以達到混光的效果；或者在複數個發光二極體上設置波長轉換裝置使得被波長轉換裝置轉換後的光具有與光源14所發出的光不同的波長。在另一個實施例中，光源14可以是點光源、平面光源或者是具有複數個發光二極體排成一列的線光源。
第8A圖係揭示本發明的第三實施例發光裝置300的外罩，第三實施例的發光裝置300具有跟第一實施例發光裝置100類似的結構。發光裝置300包含了一個被放置在腔室113內的內罩18，並且內罩18係設置於光源14的上方並覆蓋著光源14。內罩18的內部被定義了一個內腔室183，並且光源14係被放置於內腔室183的內部。在本實施例中，內罩18包含了兩個傾斜側壁181與一個在兩個傾斜側壁181之間延伸並與傾斜側壁181形成一體成形的凹部182。凹部182具有一個三角狀的剖面，而在本實施例中從光源14發出的光超過80%透過內罩18射向外罩11的突出部111，並被突出部111所反射以形成全方向性的光場。除此之外，第一部份111在平面上具有比內罩18更大的面積。內罩18係中空且與光源14隔開，內罩18的材料可以是聚甲基丙烯酸 甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、聚乙烯(PE)或者是氧化物，例如可以是石英、玻璃或者ZnO。在一個實施例中，傾斜側壁181具有複數個ZnO材質的奈米線形成其上以增加熱輻射的傳導效果。
第8B圖係揭示本發明的第四實施例發光裝置400的外罩，第四實施例的發光裝置400具有跟第三實施例發光裝置300類似的結構。內罩28包含了一個凹部282、一個位於凹部282相對位置的平面283以及在凹部282與平面283之間延伸的兩個傾斜側壁281，其中內罩28係實心且包含有空氣間隙29介於內罩28與光源14之間。除此之外，在內罩28與光源14之間具有導熱係數低於環氧樹脂或是低於0.2 W/m*K的絕熱材料，其中絕熱材料包含奈米矽或者奈米結構的材料。在另一實施例中，波長轉換裝置(未繪示於圖中)形成在平面283及/或兩個傾斜側壁281之上。
第8C圖係揭示本發明的第五實施例發光裝置500的外罩，第五實施例的發光裝置500具有跟第三實施例發光裝置300類似的結構。內罩38被設置在腔室113之內並位於光源14的上方，其中內罩38的內部被定義為一個內腔室313，並且光源14係置於內腔室313的內部。外罩11與內罩38包含了複數個擴散顆粒(未繪示於圖中)在其中，而越多的的擴散顆粒也代表穿透率會越低。因此外罩11與內罩38內的擴散顆粒濃度可以被調整為不相同的濃度以形成全 方向性的光場，其中擴散顆粒的材料包含了TiO2、SiO2或是空氣。在本實施例中，內罩38更包括了波長轉換裝置381形成在外表面上並向著突出部13，以轉換光線並產生與光源14所發出的光不同波長的光線。在一實施例中，內腔室313具有一絕熱材料其導熱係數係低於玻璃或者是低於0.8 W/m*K；或者在一較佳實施例中，絕熱材料的導熱係數係低於環氧樹脂或者低於0.2 W/m*K，以避免波長轉換裝置381所產生的熱傳導回到光源14而減少光源14的發光效率，其中絕熱材料包含了奈米矽或者奈米結構的材料。
第8D圖係揭示本發明的第六實施例發光裝置600的外罩，第六實施例的發光裝置600具有跟第三實施例發光裝置300類似的結構。內罩48具一個擁有球形剖面的第一部分481，以及第二部分482，而內罩48是中空的並且內部被定義為內腔室483，其中光源14置於內腔室483的內部。第二部分482係由Ag或Al的材料組成以反射從光源14發出的光，或者是以Ag或Al的反射膜作為覆蓋在第二部分482之上的材料。
第9A圖係揭示本發明的第七實施例發光裝置700的外罩，外罩41具有形成在內表面411的粗化結構，以及位在內表面411相對位置的平滑外表面412，而外罩41的材料包含了玻璃或塑膠，其中塑膠例如是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚氨酯(PU)、聚乙烯(PE)。在本 實施例中，粗化結構是以噴砂、射出成模、拋光或藉由丙酮，乙酸乙酯，或單甲醚乙酸酯等蝕刻劑以濕蝕刻的方式形成。在本實施例中，整個內表面411上的粗化結構具有均勻的粗化密度。而如第9B圖所示，內表面411的粗化密度則不相同，也就是指粗化結構在中心部分4111到外罩41的外圍部分4112之間具有漸變的粗化密度。由於粗化密度的不同，使得光源14所發出的光相對於被外圍部分4112所散射，較多的部分是被中心部分4111所散射。粗化密度是以霞霧度(Haze value；H value)來衡量，而霞霧度的定義是被散射的光(scattering light；S)與的光總合(total light)之間的比例，其中光的總合所指的是被散射的光(scattering light；S)加上透過的光(transmitted light；T)。中心部分4111的霞霧度介於0.5到0.9之間，而外圍部分4112的霞霧度則介於0.3到0.6之間。
第10A圖係揭示本發明的第八實施例發光裝置800的外罩，第八實施例的發光裝置800具有跟第六實施例發光裝置600類似的結構。內罩58具有第一導光部581和第二導光部582，第一導光部581具有桶狀的剖面以有效率地將光源14產生的光導向第二導光部582。內罩58更包括了波長轉換裝置583設置在第二導光部582之上，使得被波長轉換裝置583轉換過的光具有跟光源14產生的光具有不同的波長。第二導光部582具有梯形的剖面將來自第一導光部581 的光往波長轉換裝置583反射。當光源14發出的光經過第一導光部581與第二導光部582往波長轉換裝置583的方向行進，光線被散佈在波長轉換裝置583內的粒子轉換並散射，造成光線向上和向下地穿過第一導光部581和第二導光部582，並穿透外罩11以形成全方向性的光場。在本實施例中，第一導光部581與第二導光部582具有同樣的材料，像是PMMA、PC、矽或者玻璃。在一實施例中，內罩58具有一絕熱材料其導熱係數低於玻璃或者是低於0.8 W/m*K；或者在一較佳實施例中絕熱材料的導熱係數係低於環氧樹脂或者低於0.2 W/m*K，以避免波長轉換裝置583所產生的熱傳導回到光源14而減少光源14的發光效率，其中絕熱材料包含了奈米矽或者奈米結構的材料。
第10B圖係揭示本發明的第九實施例發光裝置900的外罩，第九實施例的發光裝置900具有跟第八實施例發光裝置800類似的結構。內罩68更包含第三導光部684形成於波長轉換裝置683之上，使得波長轉換裝置683被夾在第二導光部682與第三導光部684之間，而第三導光部684包含有兩個曲面將光線橫向反射，其中第一導光部681、第二導光部682與第三導光部684都可以是實心或者中空的結構。
第10C圖係揭示本發明的第十實施例發光裝置1000的外罩，第十實施例的發光裝置1000具有跟第九實施例發光裝置900類似的結構，並且包含了外罩71、內罩78、第一 導光部781、第二導光部782、第三導光部784。第一導光部781具有梯形的剖面將光線導向第二導光部782，而第二導光部782與第三導光部784都具有半圓形的剖面。波長轉換裝置783被夾在第二導光部782與第三導光部784之間。因為第二導光部782與第三導光部784的形狀，使得發生在第二導光部782、第三導光部784與空氣之間的全反射情形被減輕。同樣的當光源14發出的光線經過第一導光部781、第二導光部782往波長轉換裝置783，光線會被散佈在波長轉換裝置783內的粒子轉換並散射，造成光線向上和向下穿過外罩71以形成全方向性的光場。在一實施例中，第一導光部781、第二導光部782具有一絕熱材料其導熱係數低於玻璃或者是低於0.8 W/m*K；或者在一較佳實施例中絕熱材料的導熱係數係低於環氧樹脂或者低於0.2 W/m*K，以避免波長轉換裝置783所產生的熱傳導回到光源14而減少光源14的發光效率，其中絕熱材料包含了奈米矽或者奈米結構的材料。
第10D圖係揭示本發明的第十一實施例發光裝置1100的外罩，具有一個散熱裝置20延伸到外罩81內的腔室113，與放置在腔室113內的光源14。內罩88是形成在光源14上方並包含了導光部881與位在導光部881上方的波長轉換裝置883，由於光源14的位置係位在腔室113的中心，使得光源14發出的光線往波長轉換裝置883的方向行 進時，光線將會被散佈在波長轉換裝置883內的粒子轉換並散射，造成光線向上和向下地穿過外罩81以形成全方向性的光場。在一實施例中，導光部881具有一絕熱材料其導熱係數低於玻璃或者是低於0.8 W/m*K；或者在一較佳實施例中絕熱材料的導熱係數係低於環氧樹脂或者低於0.2 W/m*K，以避免波長轉換裝置883所產生的熱傳導回到光源14而減少光源14的發光效率，其中絕熱材料包含了奈米矽或者奈米結構的材料。
第11圖係揭示本發明的第十二實施例發光裝置1200。如第11圖所示，發光裝置1200包含了基座21，而其中的內罩98的形狀是一個上表面221為第一長度(L1)、下表面222為第二長度(L2)以及高度(H)的梯形。在本實施例中，基座21往外罩91的腔室113內延伸且光源14是設置於基座21之上。換句話說，基座21與光源14都置於外罩91的腔室113內，而腔室113可以選擇性的填入對光源14發出的光為透明或半透明的材料，並協助降低外罩91內的溫度，尤其是光源14的溫度。特別是填入外罩91內的材料可以是具有低導電性與高透明度的流體或者是固體，舉例來說流體包含了水、乙醇，甲醇，或油。
基座21可以較適當地選擇一種或者多種導熱材料組成，將光源14產生的熱導向散熱裝置20(如第1圖中所示)。導熱材料可以是陶瓷材料、聚合物、或者金屬，其中金屬包 含但不僅限於銅、鋁、鎳、鐵，並且散熱裝置20與基座21可以由同樣的材料組成。此外，基座21的上表面211為第三長度(L3)，而承載體15的長度則是第四長度(L4)。第一長度(L1)與第二長度(L2)之間的比值大於2，而高度(H)與第二長度(L2)之間的比值介於1到1.5之間，其中高度(H)則是介於3到9mm之間，而下表面與高度之間的夾角(α)則介於106°到132.5°之間。在一個實施例中，第一長度(L1)、第二長度(L2)、第三長度(L3)與第四長度(L4)之間的關係是L4>L1>L3以及L4>L1>L2，其中第三長度可以大於、等於或小於第二長度。當第一長度(L1)大於第二長度(L2)、第三長度(L3)的時候，從光源14發出的光線經過側壁981並不會被基座21阻擋而可形成全方向性的光場。第12A到12E圖所示為模擬不同距離(D)的情況下發光強度的分布，而距離(D)如第11圖所示所指的是光源14到承載體15之間的距離。第12A到12E圖分別代表在距離(D)為0、5、10、15與20公分下的模擬圖，當距離(D)越大的時候，出光方向在0°到90°的範圍內光強度也越大。
第13A到13C圖所示為各種不同形狀的內罩，第14A到14C圖所示為當內罩如第13A到13C圖示中各種不同的形狀的情況下，其模擬發光強度分布圖。當內罩208如第13B圖所示具有兩個曲面2081時，發光強度在角度的範圍介於110°到130°之間的方向上比採用如第13A圖所示的內 罩108的情況來的高。除此之外，當內罩308具有光導部3081時，在所有方向的發光強度都比第13A圖中的內罩108更高，因此能達到全方向性光場的效果。
在另一實施例中，第15A圖係揭示與第13B圖中內罩208相似的內罩408的剖面圖。內罩408的上表面具有兩個表面區域4081、兩個側壁4082與一個下表面4083，表面區域4081與下表面4083之間具有一個角度(β1)介於20°到40°之間，並且側壁4082相對於下表面4083存在著一個角度(β2)介於30°到60°之間。如第15B圖所示，表面區域4081與側壁4082形成一直線並相交在一點上形成一尖端4085。內罩408可以選擇性地為位於部分表面區域4081及/或部分側壁4082的波長轉換裝置4086所覆蓋，以包覆整個尖端4085。如第15C圖所示，彎曲的表面區域4081'與側壁4082'組成尖端4085，並且波長轉換裝置4086完整包覆著整個尖端4085。在另一實施例中，側壁4082’可以是曲面並與表面區域4081’連結而形成具有曲面的尖端4085’。如第15D圖所示，內罩408的上表面有兩個斜面區域4081與介於兩個斜面區域4081之間的平面區域4084，而波長轉換裝置4086形成於二個斜面區域4081與平面區域4084之上並具有一致的厚度。如第15E圖所示，波長轉換裝置4086’的厚度由尖端4085往平面區域4084的方向逐漸改變。在一實施例中，波長轉換裝置4086’的厚度在靠近尖端4085的部分比靠近 平面區域4084的部分厚，以產生一致的色溫。
本發明所列舉之實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200‧‧‧發光裝置
11、41、71、81、91‧‧‧外罩
14‧‧‧光源
20‧‧‧散熱裝置
30‧‧‧電路單元
111‧‧‧第一部份
112、812‧‧‧第二部份
113‧‧‧腔室
13、23、33、43、53、63、73‧‧‧突出部
131‧‧‧中間部
132‧‧‧周圍部
133、233、333、433、533、633、733‧‧‧反射膜
134、2081‧‧‧曲面
15‧‧‧承載體
151‧‧‧外圍部分
21‧‧‧基座
221、211‧‧‧上表面
222‧‧‧下表面
1121‧‧‧上部
1122‧‧‧下部
331、531、481‧‧‧第一部份
332、532、482‧‧‧第二部份
431、981、4082、4082’‧‧‧側壁
631、4085‧‧‧尖端
632、4085’‧‧‧曲面
731‧‧‧平面
8121‧‧‧粗化表面
16‧‧‧載板
18、28、38、48、58、68、78、88、98、108、208、308、408‧‧‧內罩
183、313、483‧‧‧內腔室
181、281‧‧‧傾斜側壁
182、282‧‧‧凹部
19‧‧‧連接裝置
29‧‧‧空氣間隙
283‧‧‧平面
381、583、683、783、883、4086、4086’‧‧‧波長轉換裝置
411‧‧‧內表面
412‧‧‧外表面
4111‧‧‧中心部分
4112‧‧‧外圍部分
881、3081‧‧‧導光部
581、681、781‧‧‧第一導光部
582、682、782‧‧‧第二導光部
684、784‧‧‧第三導光部
4081、4081’‧‧‧表面區域
4083‧‧‧下表面
4084‧‧‧平面區域
L1‧‧‧第一長度
L2‧‧‧第二長度
L3‧‧‧第三長度
L4‧‧‧第四長度
H‧‧‧高度
α‧‧‧夾角
D‧‧‧距離
所附上的圖示係為了讓本發明更易於瞭解，並列入說明書之中同屬於說明書的一部分。其中的圖示係描述本發明的實施例，並與說明書一同描述本發明的各項原理。
第1圖為本發明所揭示之發光裝置第一實施例的透視圖。
第2A圖為本發明所揭示之發光裝置第一實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第2B圖為本發明所揭示之發光裝置第一實施例中外罩與內罩的剖面圖以及連接裝置。
第3圖係用以描述本發明所揭示之發光裝置出光的光場分布座標系統。
第4A到4F圖揭示各種不同形狀的外罩。
第5圖為本發明所揭示之發光裝置第二實施例中外罩的剖面圖。
第6圖為本發明所揭示之發光裝置第一實施例的剖面示意圖以及連接裝置。
第7圖為本發明所揭示之發光裝置第一實施例的電路圖。
第8A圖為本發明所揭示之發光裝置第三實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第8B圖為本發明所揭示之發光裝置第四實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第8C圖為本發明所揭示之發光裝置第五實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第8D圖為本發明所揭示之發光裝置第六實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第9A圖為本發明所揭示之發光裝置第七實施例中外罩的剖面圖。
第9B圖為本發明所揭示之發光裝置第七實施例中外罩具有不同粗化密度下的剖面圖。
第10A圖為本發明所揭示之發光裝置第八實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第10B圖為本發明所揭示之發光裝置第九實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第10C圖為本發明所揭示之發光裝置第十實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第10D圖為本發明所揭示之發光裝置第十一實施例中外罩與內罩的剖面圖。
第11圖為內罩的剖面圖。
第12A到12E圖所示為模擬不同距離(D)下發光強度的分布。
第13A到13C圖揭示各種不同形狀的內罩。
第14A到14C圖所示為模擬的發光強度分布。
第15A到15E圖揭示各種不同形狀的內罩。
11‧‧‧外罩
14‧‧‧光源
13‧‧‧突出部
15‧‧‧承載體
111‧‧‧第一部份
112‧‧‧第二部份
113‧‧‧腔室
151‧‧‧外圍部分
131‧‧‧中間部
132‧‧‧周圍部
133‧‧‧反射膜
134‧‧‧曲面

Claims (10)

  1. 發光裝置，包含：一外罩，包含有第一濃度的擴散顆粒；一內罩，設置於該外罩之內並且不跟該外罩直接接觸，並包含有第二濃度的擴散顆粒；以及一光源，設置於該內罩之內，其中，該第一濃度不同於該第二濃度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一波長轉換裝置覆蓋該內罩。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該外罩包含一向內突出之突出部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該擴散顆粒包含空氣。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該外罩更包含一突出部，位於該內罩大約正上方的位置。
  6. 發光裝置，包含：一內罩，包含具有一表面區域的第一上表面、一下表面以及一側壁；一外罩，覆蓋該第一上表面以及該側壁；一光源，被該內罩與該外罩覆蓋；一基座，設置於該內罩之下，並包含有一平行該下表面之第二上表面； 一承載體，設置於該基座之下；以及一波長轉換裝置，覆蓋該表面區域；其中，該內罩的寬度大於該基座。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該側壁與該表面區域形成一尖端。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該表面區域包含一彎曲面。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中，由一剖面圖觀之，該表面區域包含兩個斜面區域與介於該兩個斜面區域之間的一平面區域。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，該波長轉換裝置在該斜面區域上的厚度大於在該平面區域上的厚度。
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