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TWI573895B - Ｃｖｄ反應器及ｃｖｄ反應器用之基板架 - Google Patents

Ｃｖｄ反應器及ｃｖｄ反應器用之基板架 Download PDF

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TWI573895B
TWI573895B TW101140700A TW101140700A TWI573895B TW I573895 B TWI573895 B TW I573895B TW 101140700 A TW101140700 A TW 101140700A TW 101140700 A TW101140700 A TW 101140700A TW I573895 B TWI573895 B TW I573895B
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gap
central
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TW101140700A
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TW201329281A (zh
Inventor
亞登 博伊德
丹尼爾 克拉森斯
休果 席爾瓦
Original Assignee
愛思強歐洲公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of TW201329281A publication Critical patent/TW201329281A/zh
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Description

CVD反應器及CVD反應器用之基板架
本發明首先係有關於一種CVD反應器，其包括：反應器殼體；佈置於該反應器殼體內之處理室，藉由進氣機構可將至少一處理氣體送入該處理室；基板架，該基板架在其朝向該處理室的頂面具有一或多個凹槽，該等凹槽被構造成使得各基板僅貼靠在相對於該凹槽之底部突起的選定支撐區上；佈置於該基板架下方之加熱裝置，其與該基板架之底面間相隔一間隙，其中，該基板架的底面具有中央區及包圍該中央區之周邊區，若以自該加熱裝置至該基板架之傳熱方向為參照，則該中央區位於該凹槽的中心區域下方，該周邊區位於該凹槽的近邊緣區域下方，且該中央區的構造不同於該周邊區之構造。
JP 2002-146540描述該種CVD反應器。基板架具有由一凹坑構成的凹槽，此凹槽在其中心區域具一其他凹坑。由此形成相對於凹槽底部之中心區域突起的階梯狀邊緣，基板貼靠在該階梯狀邊緣上。基板架下方設有加熱裝置，其與基板架底面間相隔一間隙。加熱裝置由若干彼此間被凹坑隔開的周邊段構成。基板架底面在一位於凹槽之中心區域下方的中央區具有一凹坑，故此處之隔離間隙的隙高大於包圍該中央區之周邊區內的隙高。中央區下方設有可為該中央區加熱之 中央加熱元件。在沿徑向與該中央加熱元件相隔一間隙處設有一包圍該第一加熱元件之其他加熱元件，此加熱元件可單獨為周邊區加熱。
EP 0 160 220 B2描述一種基板架，基板在此同樣僅貼靠於凹槽之邊緣。
US 2011/0049779 A1係研究在CVD反應器內以不同溫度為基板塗佈不同層時基板因該等層之不同特性而隆起此一課題。舉例而言，倘若在一塗佈過程中將熱膨脹係數大於基板之層沉積於該基板且在隨後之處理步驟中降低或提高基板溫度，該基板便會朝其中一方向或另一方向隆起。由於基板僅支撐在選定之支撐區上，特定言之僅支撐在邊緣上，餘下部分懸空於凹槽底部上方，故其主要透過氣體在基板與凹槽底部間導熱來得到加熱。如若基板向上隆起，則中間區域的氣隙變大，此處傳向基板的熱量減少，致使該區域基板表面的溫度低於邊緣區域。其結果為沉積於基板之電活性或光活性層橫向特性不一致。尤其在製造發光二極體及MQW(Multi Quantum Well，多量子井)時，此種不均勻性極為不利。
DE 10 2006 018 514 A1描述一種基板架，其中多個凹槽中各內嵌一旋轉驅動式支架，該等支架可分別承載一或多個基板。基板位於可旋轉支架的頂面。可旋轉支架支撐在氣墊上。形成該氣墊之氣體可具有不同之導熱能力。支架底面設 有凹處，故該氣墊在凹槽底部與支架底面間具有多個不同隙高之區域。藉由改變氣體之導熱能力可對支架頂面的溫度分佈施加影響，進而可對基板溫度施加局部影響。
有鑒於此，本發明之目的在於提供若干能改良特定言之由第III及第V主族元素構成之多層結構之均勻性的措施。
本發明用以達成上述目的之解決方案為本發明的申請專利範圍，其中，該加熱裝置實施為大體平整之熱源。該熱源可由被螺旋狀敷設的加熱絲構成。各螺紋線間的間距可處於該隙寬之數量級範圍內。該平整熱源藉其整個面積沿該基板架提供均勻熱功率。既透過熱輻射亦透過導熱來將熱量傳遞至該基板架。設有氣體沖洗單元，以便用具不同導熱能力的沖洗氣體沖洗該間隙。若用導熱能力較高的沖洗氣體(如氫氣)沖洗該間隙，則在熱輸送過程中係以導熱起主導作用。若用導熱能力較低的沖洗氣體沖洗該間隙，則在熱輸送過程中熱輻射起主導作用。本發明中的間隙具有某種隙寬，使得將具第一導熱能力的第一沖洗氣體變換為具第二導熱能力的第二沖洗氣體時，自該加熱裝置至該基板架的熱輸入在該周邊區與在該中央區會有所不同。採用上述設計方案來構造該基板架以及將該基板架相對於平整且大致均勻之熱源進行佈置，藉此便可對隆起所造成的輸入該基板的熱流不均現象予以補償。本發明中的補償手段為自加熱裝置至基板架的 傳熱不均，其中，熱流發生因地而異的變化係因沖洗氣體之導熱能力的變化而引起。
在第一實施方案中，該中央區下方之間隙的隙寬不同於該周邊區之隙寬。若需以使得凹槽底部之中心區域及近邊緣區域具同一溫度的方式實施生長過程，則採用低導熱沖洗氣體。此時，自該加熱裝置至該基板架的熱輸送由熱輻射主導，不同隙寬對熱輸送僅有輕微影響。而在基板中央向下隆起的處理步驟中，需要使凹槽底部之中心區域的溫度略低於周邊區，以便對因凹槽底部與基板之間隙在中央有所減小而造成的熱輸送增大予以補償，此時則用高導熱沖洗氣體沖洗加熱裝置與基板架間的間隙，使得熱輸送在此由導熱主導，且隙寬較大之區域內的熱輸送大於隙寬較小之區域。對該加熱裝置的功率相應進行再調節。該基板架的底面可在其中央區具有凹坑。該基板架的底面亦可在其中央區具有朝向該加熱裝置的材料堆積，如突出部。該凹槽的底部或者該凹處的底部或者材料堆積之朝向該加熱裝置的端面可有所隆起。該隆起可呈階梯狀。在第二實施方案中，該基板架的底面在其中央區的反射度不同於周邊區，該第二實施方案亦可與該第一實施方案相結合。若該中央區的反射度更高，則在由熱輻射主導的熱輸送中，該周邊區所吸收的熱量大於中央區，因為周邊區內的吸收度大於中央區。同樣，該中央區的吸收度亦可能大於該周邊區。此時，該周邊區的反射度較佳大於該 中央區。可透過對該基板架底面實施塗佈來實現具不同反射度或不同吸收度的區域。採用此種配置的情況下，當該加熱裝置與該基板架間之熱輸送由導熱主導，即例如採用氫氣為沖洗氣體時，可使該凹槽的底部獲得大致橫向之均勻溫度分佈。若該凹槽之底部的中央區域需要獲得低於該基板下方之周邊區的溫度，則採用導熱能力較低的氣體(如氮氣)，從而使得熱輸送由熱輻射主導。
該CVD反應器之基板架的另一特徵在於，支撐該基板之肋條沿該大致呈圓形之凹槽的邊緣分佈。其中，該肋條可與該凹槽之壁部間隔一定距離。該CVD反應器的另一特徵在於，自該凹槽之邊緣出發設有若干朝向凹槽內部的突出部，以便以在整個周邊上與凹槽壁間隔同一邊緣間距的方式支撐該貼靠於該肋條上的基板。該CVD反應器的又一特徵在於，該肋條於較佳均勻分佈於周邊上的該等突出部所在之區域分別具一中斷部。在該基板貼靠該肋條的區域內，自該基板架至該基板的熱輸送透過藉由直接材料接觸而實現之導熱而實現。在該等突出部之區域，該基板架獲得另一接觸該基板之接觸面。然而，此處與基板之間距較小，其所傳遞給基板的熱量會大於其他周邊，從而可能造成局部升溫的後果。為對此傳遞至基板的局部更大熱流予以補償，本發明提出針對先前技術的獨有改良方案：肋條在突出部之區域有所中斷。該等中斷部的周長可與該等突出部的周長大致相等。
本發明的基板架可由石墨製成。亦可用石英、金屬或晶體材料製造該基板架。該熱源較佳為載流電阻器，尤佳為加熱絲。
採用本發明設計方案的基板架較佳可呈圓形且繞其中心軸並受到旋轉而驅動。該基板架在其頂面具有多個圍繞該中心環形佈置的凹槽。該中心亦可設有一凹槽。該加熱裝置不需要隨同旋轉，因其被構造為整個面積具大致均勻的溫度分佈。因此，該CVD反應器的另一特徵在於，該基板架可藉由一旋轉驅動裝置相對於該位置固定分配給該反應器殼體的加熱裝置並受到旋轉而驅動。
下面聯繫附圖說明本發明之實施例。
圖2為一CVD反應器之橫截面圖。該CVD反應器具有向外氣密封閉之殼體1。輸入管道13伸入殼體1。輸出管道14則自該殼體伸出。利用輸入管道13可將例如包含三甲基鎵、三甲基銦或三甲基鋁的合適處理氣體送入進氣機構2。對該進氣機構僅作了示意性圖示。在進氣機構2內不但可送入包含第III主族元素的起始材料，亦可送入包含第V主族元素之起始材料。起始材料分別由一運載氣體送入，該運載氣體例如可為氫氣。圖2中作示意性圖示之進氣機構2為蓮蓬頭。其具有多個出氣孔15，處理氣體可經該等出氣孔進入佈置於下方之處理室4。進氣機構2內設有多個彼此分開 的不同腔室，在該等腔室內可各送入一處理氣體。藉此可將不同之處理氣體分開送入處理室4。
在未圖示實施例中，進氣機構2採用其他設計，例如實施為中央進氣機構，使得氣體垂直穿過處理室。
處理室4之底部由例如由石墨構成之基板架的頂面3'構成。基板架3與進氣機構2一樣呈圓形。基板架3的頂面3'設有多個凹坑5。圖1為該等凹坑5之空間分佈。凹坑5形成圓形凹槽。凹槽5之壁部5"的徑向內側分別設一肋條6。此為圓形肋條6，基板7之邊緣段可貼靠在該圓形肋條上。肋條頂面略低於頂面3'，故基板表面與頂面3'齊平。
在圖2至圖5所示之第一實施例中，凹槽5的底部5'採用平整設計，使得基板底面與凹槽底部5'間形成氣隙，若基板不隆起，則該氣隙所在之處隙高一致。
基板架3的底面3"具有凹處8。在圖2至圖4所示之實施例中，凹處8具有平行於凹槽底部5'之平整凹處底部8'。凹槽8具有延伸軌跡呈圓弧線之凹槽壁8"，其中，凹處8之壁部8'的圓弧線與凹槽5之壁部5"同心。凹處8之延伸範圍僅覆蓋一中央區b，此中央區位於凹槽底部5'之中心區域下方。中央區b被一周邊區a包圍，該周邊區在凹槽5的邊緣區域下方延伸。
加熱裝置9在基板架3下方平行於基板架3延伸。加熱裝置9為簡化圖示。加熱裝置9由被螺旋狀敷設的加熱絲10 構成。加熱絲10通電後變熱。該加熱線圈10所輸出之熱功率在加熱裝置9的整個面積上皆保持基本恆定，從而使加熱裝置9得以輸出大體均勻之表面熱功率(Flächenwärmeleistung)。加熱裝置9以數毫米之間距在基板架3設有凹槽5的整個區域下方延伸。由此在基板架3之底面3"與加熱裝置9的頂面9'間形成傳熱間隙12。
間隙12之隙寬s具重要作用，下文還將對此作進一步說明。
參考數字11代表沖洗氣體入口，藉此可將沖洗氣體送入間隙12。此沖洗氣體可指純氣體，如氫氣、氮氣、氬氣或氦氣。亦可指上述氣體或其他氣體(特別是惰性氣體)之混合。選用某種隙寬s，使得在採用500℃至1100℃處理溫度時，僅需選取沖洗氣體便可使得自加熱裝置9至基板架3的熱輸送在導熱主導與熱輻射主導間進行變動。若需以導熱主導方式進行熱輸送，則將導熱能力較高的氣體(如氫氣)送入間隙12。若需以熱輻射主導方式進行熱輸送，則將導熱能力較低的氣體(如氮氣)送入間隙12。
凹處8的深度，即底部8'與底面3"的間距選用某種大小，使得此處在採用導熱主導熱輸送時所傳遞的熱功率小於周邊區域。
基板架3透過熱輻射或導熱將自加熱裝置9輸送至基板架3的熱量穿過處理室4送往已冷卻之處理室蓋。為此，本實 施例中的蓮蓬頭2具有若干未圖示之冷卻通道，冷卻介質流過該等冷卻通道從而將該蓮蓬頭之朝向處理室4的底面冷卻。
在圖5所示之第二實施例中，基板架3之底面之環繞凹處8的邊緣段塗佈有反射表面21。
在圖6所示之第三實施例中，凹槽5的底部5'盤形凹下。底部5'於此處形成階梯狀凹坑18。作為替代方案，該底部5'亦可具有特定言之階梯狀的隆起。
在圖7所示之第四實施例中，凹處8的底部8'呈碗狀。該底部形成階梯狀凹坑19。採用此方案後，間隙12在周邊區a之區域內的隙寬s最小。在中央區b，即凹處8所延伸的區域，間隙12具有大於隙寬s的不同隙寬t、t'、t"。此處亦可採用凸度方案來替代凹度方案。
在圖8所示之第五實施例中，基板架3之底面3'在中央區b之區域內具有較高反射度。該中央區在此具有一表面反射度更高的區域20。此處可指對加熱裝置9所輻射之紅外光的反射程度較高的塗層。中央區b之區域內的表面段20的反射度至少高於底面3'在周邊區a的表面。該周邊區對加熱裝置9所釋放輻射的吸收程度高於中央區b。
所有上述實施例中，基板架3對於加熱裝置9所釋放的熱輻射基本上是不可透過的，而基板7例如可由藍寶石構成，則完全可以被熱輻射穿透。因此，自凹槽5之底部5'至基板 7的熱輸送主要透過導熱且利用基板7之底面與凹槽5之底部之間的氣體進行。
圖9所示之第六實施例與圖8所示之第五實施例的不同之處在於，並非為中央區設置反射表面20，而是與圖5所示之第二實施例一樣為周邊區a設置強反射表面21。
圖10為一凹槽5，例如圖2至圖5所示之第一實施例之凹槽的俯視圖。用於承載基板7之邊緣區域的支撐區由圓形肋條6構成，該肋條之圓周內部形成自由空間，該肋條與該凹槽之壁部5"的間距極小。肋條6多處中斷，中斷處沿肋條6之周邊均勻分佈。故該肋條6分成多個分肋條，其末端6'皆被自由間隙16隔開。在此情況下，該自由間隙構成肋條6之中斷部。
在此中斷部16之區域，若干突出部17徑向向內突出於凹槽5之邊緣5"。突出部17之沿周向所測延伸度與中斷部16之沿周向所測延伸度大致相等。突出部17用於將基板7之邊緣7'保持在相對凹槽5之邊緣5"的間隔位置上。
肋條6與凹槽5之壁部5"間隔一定距離，從而在肋條6與壁部5"之間形成通道。
該裝置的工作方式如下：該裝置用於將LED結構沉積於藍寶石基板。第一預備步驟係將基板表面加熱至約1100℃的溫度。在500℃至1000℃的溫度條件下沉積一晶核層。其中，經由輸入管道13及進 氣機構2將氣態起始材料，如第III主族的一元素與第V主族的一元素之氫化物的金屬有機化合物送入處理室4。氣態反應產物及運載氣體經排氣管道14重新排出。沉積晶核層過程中，基板7幾乎不會發生彎曲，故該基板底面與底部5'的間距在圖3所示之實施例中基本相等。此處理步驟中經由沖洗氣體入口11將氮氣送入間隙12。此時係利用熱輻射來實現自加熱裝置9至基板架3的熱輸送，從而將周邊區a與中央區b大體加熱至同一溫度水平。
下一處理步驟係在1050℃至1100℃的溫度條件下首先沉積一由GaN構成的緩衝層。再往該層上沉積一N型摻雜GaN層。在此過程中，基板7會如圖4所示朝凹槽底部5'彎曲。在此情況下，若區域a、b的溫度相等，則中央區b所輸入基板7的熱功率會大於周邊區a。為將兩區域內的熱輸送保持於大致相等的水平上，需要採取本發明之措施以便暫時減小中央區b內自加熱裝置9至基板架3的熱輸送。為此，經由沖洗氣體人口11將導熱能力較高的氣體，如氫氣送入間隙12。此舉使得具最小隙寬s之周邊區a於單位時間所傳遞至基板架3的熱量大於中央區b，該中央區之間隙t大於間隙s。遂使凹槽底部5'在中央區b內升至一略低於周邊區a之溫度的溫度。透過熱輻射或導熱將自下而上所輸入的熱量自該基板表面送往已冷卻之處理室蓋。
隨後將一多量子井結構InGaN-GaN沉積於該N型摻雜緩 衝層。沉積該MQW結構時的溫度為700℃至800℃。如圖3所示，該基板在此溫度條件下大體平整貼靠於肋條6。
基板7亦可能如圖5所示向上隆起。此時，為透過對熱流進行局部控制來實施補償，就必須將中央區b加熱至高於周邊區a的溫度水平。例如可透過以下方式實現此點：例如可透過設置反射表面21來減小周邊區a中之輻射主導熱輸送範圍內的熱輸入。基板架底面3"例如可敷設有反射層21。亦可透過對兩導熱能力相差很大之氣體的混合比例進行均衡來達到圖3及圖4所示之狀態，在此等狀態下，周邊區a與中央區b分別受到同等程度的加熱或者周邊區a之受加熱程度高於中央區b。
最後步驟係將一由P型摻雜AlGaN構成的P型接觸層沉積於該MQW結構。沉積溫度為800℃至950℃。可採用之前與圖4相關的方式將基板7在此過程中朝凹槽底部5'略有彎曲此一情況考慮在內。
可在基板架3持續旋轉的情況下實施所有處理步驟。為此，基板架3可在未圖示驅動構件的作用下圍繞其中心軸Z並受到旋轉而驅動。此時，基板架3以不變的間距12相對於保持在位置固定狀態的加熱裝置9進行旋轉。
在圖8及圖9所示之實施例中，周邊區a與中央區b在導熱主導狀態下(即採用導熱能力較高的沖洗氣體時)均勻升溫。此處若採用氮氣或另一導熱能力較低的沖洗氣體為沖洗 氣體，則在輻射主導狀態下會在凹槽底部5'之區域形成局部之溫度不均。在此情況下，圖8所示之第四實施例中周邊區a的升溫幅度大於中央區b，或者在圖9所示之第五實施例中中央區b的升溫幅度大於周邊區a。
貼靠於支撐區6之基板7在其支撐面之區域(即邊緣區域)的受熱程度更高，因為基板在此處與肋條6接觸。亦存在一自凹槽邊緣5"至基板架邊緣7'的熱流。此熱輸送在突出部17之區域有所增大，因為突出部17與基板架邊緣7'的間隙小於凹槽邊緣5"與基板架邊緣7'的間隙。為對該局部有所增大的熱流予以補償，在肋條6中設置前述中斷部16，其延伸長度大致與突出部17之延伸長度相等。
所有已揭示特徵(自身即)為發明本質所在。故本申請之揭示內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭示之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項採用可選並列措辭對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。
1‧‧‧反應器殼體
2‧‧‧進氣機構
3‧‧‧基板架
3'‧‧‧基板架頂面
3"‧‧‧基板架底面
4‧‧‧處理室
5‧‧‧凹坑/凹槽
5'‧‧‧凹槽底部
5"‧‧‧壁部/邊緣/凹槽邊緣
6‧‧‧肋條/支撐區
6'‧‧‧末端
7‧‧‧基板
7'‧‧‧基板架邊緣/邊緣
8‧‧‧凹處/凹槽/凹坑
8'‧‧‧凹處底部
8"‧‧‧凹槽壁
9‧‧‧加熱裝置
9'‧‧‧加熱裝置的頂面
10‧‧‧加熱絲/加熱線圈
11‧‧‧沖洗氣體入口/氣體沖洗單元
12‧‧‧傳熱間隙/間距
13‧‧‧輸入管道/送氣管道
14‧‧‧輸出管道/排氣管道
15‧‧‧出氣孔
16‧‧‧中斷部
17‧‧‧突出部
18‧‧‧(盤形)凹坑
19‧‧‧凹坑
20‧‧‧反射表面
21‧‧‧反射表面
a‧‧‧周邊區
b‧‧‧中央區
s‧‧‧隙寬
t‧‧‧隙寬
Z‧‧‧中心軸
圖1為總共包括七個凹槽5之基板架3的俯視圖，其中六個凹槽均勻分佈在中央凹槽5周圍；圖2為沿圖1中II-II線所截取之剖面圖；圖3與圖2相似，但一單個凹槽之區域被放大； 圖4與圖3相似，基板7向下隆起；圖5為如圖3之第二實施例，基板7向上隆起；圖6為本發明第三實施例與圖3相似之視圖；圖7為如圖3之第四實施例；圖8為如圖3之第五實施例；圖9為如圖3之第六實施例；及圖10為一單個凹槽之俯視圖。
3‧‧‧基板架
3'‧‧‧基板架頂面
5‧‧‧凹坑/凹槽
5'‧‧‧凹槽底部
5"‧‧‧壁部/邊緣/凹槽邊緣
6‧‧‧肋條/支撐區
7‧‧‧基板
7'‧‧‧基板架邊緣/邊緣
8‧‧‧凹處/凹槽/凹坑
8'‧‧‧凹處底部
8"‧‧‧凹槽壁
9‧‧‧加熱裝置
10‧‧‧加熱絲/加熱線圈
11‧‧‧沖洗氣體入口/氣體沖洗單元
12‧‧‧傳熱間隙/間距
a‧‧‧周邊區
b‧‧‧中央區
s‧‧‧隙寬
t‧‧‧隙寬

Claims (13)

  1. 一種CVD反應器，其包括：反應器殼體(1)；佈置於該反應器殼體內之處理室(4)，藉由進氣機構(2)可將至少一處理氣體送入該處理室；基板架(3)，該基板架在其朝向該處理室(4)的頂面(3')具有一或多個凹槽(5)，該等凹槽被構造成使得各基板(7)僅貼靠在相對於該凹槽(5)之底部(5')突起的選定支撐區(6)上；佈置於該基板架(3)下方之加熱裝置(9)，其與該基板架(3)之底面(3")間相隔一間隙(12)，其中，該基板架(3)的底面(3")具有中央區(b)及包圍該中央區之周邊區(a)，若以自該加熱裝置(9)至該基板架(3)之傳熱方向為參照，則該中央區位於該凹槽(5)的中心區域下方，該周邊區位於該凹槽(5)的近邊緣區域下方，且該中央區的構造不同於該周邊區之構造，其特徵在於，該加熱裝置(9)係設置為大致平整之熱源，設有氣體沖洗單元(11)，以便用具不同導熱能力的沖洗氣體沖洗該間隙(12)，該間隙(12)具有某個隙寬(s，t)，使得將具第一導熱能力的第一沖洗氣體變換為具第二導熱能力的第二沖洗氣體時，自該加熱裝置(9)至該基板架(3)的熱輸入在該周邊區(a)與在該中央區(b)有所不同。
  2. 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該中央區(b)下方之間隙(12)的隙寬(t，t'，t")不同於該周 邊區(a)下方之隙寬(s)。
  3. 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該基板架(3)的底面(3")在該中央區(b)具有凹坑(8)。
  4. 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該凹槽(5)之底部(5'，8')或該凹處(8)之底部(5'，8')係碗狀隆起。
  5. 如申請專利範圍第4項之CVD反應器，其中，該底部(5'，8')之隆起大致呈階梯狀。
  6. 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該基板架(3)的底面(3")在該中央區(b)的反射度不同於在該周邊區(a)。
  7. 如申請專利範圍第6項之CVD反應器，其中，該中央區(b)及/或該周邊區(a)上塗佈有一反射塗層。
  8. 如申請專利範圍第1項之CVD反應器，其中，該加熱裝置(9)係由螺旋狀佈置的加熱絲(10)構成。
  9. 一種利用相應處理步驟在申請專利範圍第1至8項中任一項之CVD反應器中的基板(7)上沉積一或多個上下疊置之層的方法，其中，在至少一第一處理步驟中在第一溫度條件下沉積具第一組成之第一層，在至少一第二處理步驟中在第 二溫度條件下沉積具第二組成之第二層，且該二組成及該二溫度各不相同，其特徵在於，在該第一處理步驟中將第一沖洗氣體或沖洗氣體混合物送入該間隙(12)，在該第二處理步驟中將第二沖洗氣體或沖洗氣體混合物送入該間隙，其中，該第一沖洗氣體或沖洗氣體混合物與該第二沖洗氣體或沖洗氣體混合物至少在傳熱能力方面有所不同。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，在該第一處理步驟中，自該加熱裝置(9)至該基板架(3)的熱輸送在該二區域(a，b)中的至少一區域內為熱輻射主導，而在該第二處理步驟中為導熱主導。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該凹槽(5)之底部(5')之中心區域內的平均溫度在該第一處理步驟中與該底部(5')之邊緣區域的平均溫度大致相等，該二溫度在該第二處理步驟中有所不同。
  12. 一種基板架，其係使用於CVD反應器中，該基板架包含一或多個凹槽(5)，該一或多個凹槽具有一相對於該凹槽(5)之底部(5')突起之用於該基板(7)的支撐區，該支撐區構造為沿該凹槽之邊緣(5")延伸的肋條(6)，多個突出部(17)自該凹槽邊緣(5")出發伸入該凹槽(5)，以便以與該凹槽(5)之邊緣(5")間隔一定距離的方式支撐該基板(7)之邊緣(7')，其特徵 在於，該肋條(6)在該等突出部(17)之區域有所中斷。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板架，其中，該等中斷部(16)的周長與該等突出部(17)的周長大致相等。
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