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TWI569690B - 一種電漿產生裝置與其製備方法 - Google Patents

一種電漿產生裝置與其製備方法 Download PDF

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TWI569690B
TWI569690B TW104102202A TW104102202A TWI569690B TW I569690 B TWI569690 B TW I569690B TW 104102202 A TW104102202 A TW 104102202A TW 104102202 A TW104102202 A TW 104102202A TW I569690 B TWI569690 B TW I569690B
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Taiwan
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plasma generating
generating device
preparing
conductive
electrode
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TW104102202A
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TW201628464A (zh
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徐振哲
楊曜禎
高鵬凱
林子軒
王誌君
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國立臺灣大學
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Priority to US14/806,977 priority patent/US20160217963A1/en
Publication of TW201628464A publication Critical patent/TW201628464A/zh
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/18Assembling together the component parts of electrode systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes

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Description

一種電漿產生裝置與其製備方法
本發明係關於一種電漿產生裝置與其製備方法,更明確的說,本發明是關於一種無需使用精密設備或工具機來製備電漿產生裝置的方法與其成品。
電漿是一具有高能量電子、自由基、帶正負電荷之離子與中性的氣體分子所組成之離子化氣體。其中,因在大部份區域帶有等量的正負電荷離子,故電漿整體而言係維持電中性。電漿主要生成的原因乃為一般大氣中存在著些許的游離電子,受到外部高電場的驅動之下開始獲得能量而被加速。被加速的高能量電子與周遭的氣體分子不停的產生碰撞,碰撞期間中性氣體分子會被激發或解離生成帶有高能量與高反應性的自由基與離子,電漿於焉產生。
在習知多種電漿系統中,微電漿係電漿之其中一或多尺度在1mm以下之電漿系統,其由於小尺寸,有低操作電壓、外形具彈性等特性。微電漿之幾何形狀的定義必須在裝置製備的同時便清楚定義,例如習知技術的微影製程,微電漿之幾何形狀是對應於其所使用之電漿產生裝置的電極形狀,且該電極的形狀是藉由習知技術的半導體製程或微加工製程中,透過所採用的光罩來定義,因此目前實務上,微電漿之幾何外形,是透過 很繁瑣的程序才定義出來。
目前習知技術中,美國專利US 8,535,110號揭示一製備微流道式微電漿之方法,該方法利用具微孔或微流道之高分子與金屬之結合,藉以製備微電漿產生裝置。另外,在IEEE Photon.Technol.Lett第17卷、1543頁(2005年)揭露一以玻璃基材製備半導體微影製程所製備之微電漿產生裝置。在US 8,547,004B2中揭示一製備微電漿陣列之方法,該方法以半導體之微影與蝕刻製程以備製特定圖案之電極,以形成陣列式之微電漿產生裝置。在Applied Physics Letters第95卷,111504頁(2009年)揭露一以玻璃基材製備微電漿產生裝置,該製程係以半導體之鍍膜、微影與蝕刻製備該裝置。在Journal of Microelectromechanical Systems第22卷,256頁(2013年)揭露一以紙為基材製備微電漿產生裝置,該製程以網版印刷並配合機械式裁切之方式製備該裝置。
而在前述之習知技術中,尚無提供一種相對快速而簡單、可隨設計者的即時構思而快速且任意地方式,並降低成本之電漿產生裝置製程;因此,如何以產生任意圖案之電漿的方法。實屬當前極欲解決之問題。
職是之故,針對習知技術中所產生之缺失,本發明提出「一種電漿產生裝置與其製備方法」,以下為本發明之簡要說明。
本發明之一觀點在於提供一種電漿產生裝置,其包含一高電壓驅動組件、一絕緣基板、二電極單元。其中絕緣基板具有一第一表面以及一第二表面,二電極單元分別設置於該第一表面與該第二表面,並與該高電壓驅動組件電性連接;其中,當該些電極單元由該高電壓驅動組件而 被通電時,於該第一表面上將產生一電漿。
本發明之一觀點在於提供一種電漿產生裝置的製備方法,其包含以下步驟:準備一絕緣基板,該絕緣基板具有一第一表面以及一第二表面;分別設置一電極單元於該第一表面與該第二表面上;以及準備一高電壓驅動組件,並與該兩電極單元電性連接,藉以形成一電漿產生裝置。
本發明之另一觀點在於提供一種電漿產生裝置的製備方法,其包含以下步驟:準備一絕緣基板,該絕緣基板具有一第一表面以及一第二表面,其中該第一表面具有一金屬箔;於該第一表面的該金屬箔上設置一蝕刻遮罩,該蝕刻遮罩具有一圖形化電極圖案;於該第二表面上設置一電極,並設置一抗蝕刻保護層;對該絕緣基板進行一濕蝕刻製程,以使該第一表面的該金屬箔被蝕刻出該圖形化電極圖案;除去該蝕刻遮罩,以使該金屬箔形成一已圖形化之電極;除去該第二表面上之該抗蝕刻保護層;以及準備一高電壓驅動組件,並與該些電極單元電性連接,藉以形成一電漿產生裝置。
相較於習知技術,本發明所提供的一種電漿產生裝置與其製備方法,得以利用相對簡單的製程與原材料,來製備出本發明電漿產生裝置,因此本發明具有製程簡易,降低成本之功效。
1、2、3、4‧‧‧電漿產生裝置
10、20、30、40‧‧‧絕緣基板
12、14、22、24‧‧‧電極單元
16、26、38、46‧‧‧蓋體
18‧‧‧高電壓驅動組件
221~224‧‧‧分散型電極
28‧‧‧絕緣材料封裝
301、401‧‧‧金屬箔(已圖形化之電極單元)
31、44‧‧‧抗蝕刻保護膜
32、42‧‧‧蝕刻遮罩
34‧‧‧電極單元
36‧‧‧抗蝕刻保護層
D‧‧‧外緣間距
G1‧‧‧密閉空間
L‧‧‧間距
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
圖一係根據本發明之一實施例所繪製之電漿產生裝置的上視圖,其中圖二係對應圖一中I-I線段所繪製之剖視圖。
圖三係根據本發明之另一實施例所繪製之電漿產生裝置的上視圖,其中圖四係對應圖三中II-II線段所繪製之剖視圖。
圖五A至圖五D係對應圖一中I-I線段所繪製之根據本發明之另一實施例的製備流程剖視圖。
圖六A至圖六D係對應圖三中II-II線段所繪製之根據本發明之另一實施例的製備流程剖視圖。
本說明書僅對本發明之必要元件作出陳述,且僅係用於說明本發明其中之可能之實施例,然而說明書之記述應不侷限本發明所主張之技術本質的權利範圍。除非於說明書有明確地排除其可能,否則本發明並不侷限於特定方法、流程、功能或手段。
此外亦應瞭解的是,目前所述僅係本發明可能之實施例,在本發明之實施或測試中,可使用與本說明書所述裝置或系統相類似或等效之任何方法、流程、功能或手段。除非有另外定義,否則本說明書所用之所有技術及科學術語,皆具有與熟習本發明所屬技術領域者通常所瞭解的意義相同之意義。本說明書目前所述者僅係實例方法、流程及其相關資料。然而在本發明之實際使用時,其可使用與本說明書所述方法及材料相類似或等效之任何方法及手段。
再者,本說明書中所提及之一數目以上或以下,係包含數目本身。且應瞭解的是,本說明書揭示執行所揭示功能之某些方法、流程,存在多種可執行相同功能之與所揭示結構有關之結構,且上述之結構通常可達成相同結果。另外本說明書中所使用的『高電壓』一詞,即為在電漿相關領域中具通常知識者,所熟知之可產生電漿所需的驅動電壓的量值範圍。
首先,請同時參閱圖一至圖二,圖一係根據本發明之一實施例所繪製之電漿產生裝置的上視圖,其中圖二係對應圖一中I-I線段所繪製之剖視圖。
如圖一與圖二所示,本發明之一實施例提供一種電漿產生裝置1,其包含一絕緣基板10、二電極單元12、14、一蓋體16、一高電壓驅動組件18。
其中絕緣基板10具有第一表面S1以及第二表面S2,二電極單元12、14分別設置於第一表面S1與第二表面S2,並與高電壓驅動組件18電性連接;當電極單元12、14由高電壓驅動組件18而被通電時,於第一表面S1上將產生一電漿,其圖形係對應於電極單元12。蓋體16與第一表面S1之間將形成一密封空間G1,並在密封空間G1內灌入氦氣、氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體,且密閉空間G1內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。
於本發明中,蓋體16可選擇性的僅設置於第一表面S1、同時設置於第一表面S1與第二表面S2上,或是不設置;若不設置蓋體16時,電漿產生裝置1產生的電漿為一空氣電漿。
絕緣基板10之材質包含了二氧化矽(如石英、玻璃)、玻璃纖維、氧化鋁、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物樹脂(Acrylonitrile Butadiene Styrene copolymer,ABS)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚醯亞胺(Polyimide,PI)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene,PTFE)、聚氯乙烯(PolyVinyl Chloride,PVC)、酚醛樹脂、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚乳酸(Poly(L-lactide),PLA)、苯乙烯- 丙烯睛共聚物(Acrylonitrile-styrene copolymer,AS)、壓克力(Polymethylmethacrylate,PMMA)、醋酸纖維素(Cellulose acetate,CA)、聚醯胺(Polyamide,PA)、聚醯胺醯亞胺(Polyamide-imide,PAI)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(Polybutylene Terephthalate,PBT)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚縮酫(Polyoxymethylene,POM)、聚氨酯(Polyurethane)之其中至少一者,且絕緣基板10之絕緣定義為絕緣基板10的電阻率要大於1,000Ω-m;於本實施例中,絕緣基板10所選用的是玻璃纖維。
高電壓驅動組件18能產生200伏特以上之電壓差,且得為輸出電壓頻率為100~1,000,000Hz之一脈衝式電源或一交流電源。
其中,如圖一與圖二所示,電極單元12、14之外緣與絕緣基板10之外緣之間有一外緣間距D,其介於2~10mm,以避免當通電時,電極單元12、14會於絕緣基板10之外緣上發生短路現象;於本實施例中,間距D最短是2mm。
請同時參閱圖一、圖三與圖四,圖三係根據本發明之另一實施例所繪製之電漿產生裝置2的上視圖,其中圖四係對應圖三中II-II線段所繪製之剖視圖。本發明之另一實施例提供一種電漿產生裝置2,如圖三、圖四所示。其包含一絕緣基板20、電極單元22、24、一蓋體26、一高電壓驅動組件18以及一絕緣封裝28。
請先參閱圖一與圖三,本發明之電極單元可包含有兩種態樣:一為如圖一所示之整合型電極單元12,一為如圖三所示之分散型電極單元22,其包含有分散型電極221~224,與一電性連接各分散型電極221~224之連接件225。整合型電極單元12、分散型電極221~224以及分散型電極單 元22皆分別形成一圖案(如圖一N字形或如圖三之空心十字形)。
其中如圖三所示,第一表面S1之電極單元22之一內緣與第二表面S2之電極單元24之一外緣之間,在平行於該第一表面之方向上,有一間距L,其數值介於2~10mm,以使電漿能夠在第一表面S1與第二表面S2上較佳的產生;於此實施例中,間距L為2mm。本實施例亦進一步包含有一絕緣封裝28,得選擇性的設置於電漿產生裝置2之一外緣,以進一步避免當通電時,電極單元22、24會於絕緣基板20之外緣上發生短路現象。
於本發明中,電極單元12、14、22(221~224)、24之製備方式包含:利用導電膠、導電漿料或導電漆料進行圖案化之塗佈;貼附經裁切過具一圖案之導電碳膠帶或導電銅膠帶;或是在金屬箔上先以碳粉熱轉印法或微影製程設置一蝕刻遮罩,其具有一圖形化電極圖案,再利用蝕刻製程蝕刻出一具圖案的電極單元。電極單元12、14、22(221~224)、24之材質包含碳、銅、銀、鐵、鈷、鎳、不銹鋼、鋅、鈦、導電碳漆、導電銅漆、導電銀漆、導電銅膠帶、導電碳膠帶、或任何導電膠帶之其中至少一者。
本發明之一觀點在於提供一種電漿產生裝置1、2的製備方法,其包含以下步驟:準備一絕緣基板,該絕緣基板具有一第一表面以及一第二表面;準備二電極單元;分別設置該些電極單元於該第一表面與該第二表面上;以及準備一高電壓驅動組件,並與該些電極單元電性連接,藉以形成一電漿產生裝置。
請一併參閱圖一至圖四,本發明之兩實施例的電漿產生裝置1、2的製備方法是:準備具有第一表面S1以及第二表面S2的絕緣基板10、20;將電極單元12、14、22、24分別設置於第一表面S1與第二表面S2;準 備高電壓驅動組件18,並將高電壓驅動組件18與電極單元12、14、22、24電性連接,來形成電漿產生裝置1、2。
而電漿產生裝置1、2的製備方法進一步包含以下步驟:用一蓋體封裝該第一表面,以形成一密閉空間;以及於該密閉空間內灌入氦氣、氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體;其中該密閉空間內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。
蓋體16可選擇性的僅設置於第一表面S1上、僅設置於第二表面S2上、同時設置於第一表面S1與第二表面S2上或是不設置。而蓋體16與第一表面S1之間將形成一密封空間G1,並在密封空間G1內灌入氦氣、氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體,且密閉空間G1內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。若不設置蓋體16時,電漿產生裝置1產生的電漿為一空氣電漿。
電漿產生裝置1、2的製備方法進一步包含以下步驟:設置一絕緣材料封裝於該電漿產生裝置之一外緣,絕緣材料封裝28可選擇性的設置於電漿產生裝置1、2之絕緣基板10、20的一外緣,係用以避免當通電時,電極單元22、24會於絕緣基板20之外緣上發生短路現象。
其中,關於絕緣基板10、20的材質種類選擇、電極單元12、14、22(221~224)、24的材質種類選擇與製備方法、絕緣基板10、20之一外緣與電極單元12、14、22(221~224)、24之一外緣有一間距D、第一表面S1之電極單元12、22之一內緣與第二表面S2之電極單元14、24的一外緣之間平行於該第一表面之方向上間距L,以及高電壓驅動組件18的參數細節等,皆與前述段落相同,本說明書於此不再贅述。
請參閱圖一、圖五A至圖五B,圖五A至圖五D係對應圖一中I-I線段所繪製之根據本發明之另一實施例的製備流程剖視圖。本發明之一觀點在於提供一種電漿產生裝置3的製備方法,其包含以下步驟:準備一絕緣基板,該絕緣基板具有一第一表面以及一第二表面,其中該第一表面具有一金屬箔;於該第一表面的該金屬箔上設置一蝕刻遮罩,該蝕刻遮罩具有一圖形化電極圖案;於該第二表面上設置一電極,並設置一覆蓋該第二表面與該電極之抗蝕刻保護層;對該絕緣基板進行一濕蝕刻製程,以使該第一表面的該金屬箔被蝕刻出該圖形化電極圖案後,除去該蝕刻遮罩,以使該金屬箔形成一已圖形化之電極;除去該第二表面上之該抗蝕刻保護層;以及準備一高電壓驅動組件,並與該些電極單元電性連接,藉以形成一電漿產生裝置。
其中,本發明之電漿產生裝置3的製備方法的步驟順序不以前段所述的順序為準,使用者可以自身作業方便性自行調整。首先請參閱圖五A與圖五B,進行步驟:準備一絕緣基板30,絕緣基板30具有第一表面S1以及第二表面S2,其中第一表面S1具有一金屬箔301;於第一表面S1的金屬箔301上設置一蝕刻遮罩32,蝕刻遮罩32具有一圖形化電極圖案;於第二表面S2上設置一電極34,並設置一抗蝕刻保護層36。而本發明之電漿產生裝置3的製備方法進一步包含步驟:於第一表面S1的金屬箔301上設置一抗蝕刻保護膜31。其中,抗蝕刻保護膜31係用以避免於之後的濕蝕刻製程中之蝕刻液通透過金屬箔301上之蝕刻遮罩32。
請參閱圖五C,接著進行步驟:對絕緣基板30進行一濕蝕刻製程,以使第一表面S1的金屬箔301被蝕刻出由蝕刻遮罩32形成的圖形化電 極圖案;再請參閱圖五D,進行步驟:除去蝕刻遮罩32,以使金屬箔301形成一已圖形化之電極單元301;除去第二表面S2上之抗蝕刻保護層36;以及準備一高電壓驅動組件18(繪製於圖一),並與電極單元301以及電極34電性連接,藉以形成電漿產生裝置3。
又請參閱圖六A至圖六D,圖六A至圖六D係對應圖三中II-II線段所繪製之根據本發明之另一實施例的製備流程剖視圖。根據前述之電漿產生裝置3的製備方法進一步派生出另一電漿產生裝置4的實施例。
請參閱圖六A與圖六B,電漿產生裝置4的製備方法包含:準備一絕緣基板40,絕緣基板40具有第一表面S1以及第二表面S2,其中第一表面S1與第二表面S2皆具有一金屬箔401;於第一表面S1與第二表面S2的金屬箔401上設置一蝕刻遮罩42,蝕刻遮罩42具有一圖形化電極圖案。而本發明之電漿產生裝置4的製備方法進一步包含步驟:於第一表面S1與第二表面S2的金屬箔401上分別設置一抗蝕刻保護膜44。其中,抗蝕刻保護膜44係用以避免於之後的濕蝕刻製程中之蝕刻液通透過金屬箔401上之蝕刻遮罩42。
請參閱圖六C,接著進行步驟:對絕緣基板40進行一濕蝕刻製程,以使第一表面S1與第二表面S2的金屬箔401被蝕刻出由蝕刻遮罩42形成的圖形化電極圖案;再請參閱圖六D,進行步驟:除去蝕刻遮罩42,以使金屬箔401形成一已圖形化的電極401;以及準備一高電壓驅動組件18(繪製於圖三),並與電極401電性連接,藉以形成電漿產生裝置4。
本發明之電漿產生裝置3、4的製備方法進一步包含步驟:用一蓋體封裝該第一表面,以形成一密閉空間;以及於該密閉空間內灌入氦氣、氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體;其中該 密閉空間內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。
蓋體38、46可選擇性的僅設置於第一表面S1上、僅設置於第二表面S2上、同時設置於第一表面S1與第二表面S2上或是不設置。而蓋體38與第一表面S1之間將形成一密封空間G1,並在密封空間G1內灌入氦氣、氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體,且密閉空間G1內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。若不設置蓋體38、46時,電漿產生裝置3、4產生的電漿為一空氣電漿。其中電極單元301、401與電極34之製備方法包含:利用導電膠、導電漿料或導電漆料進行圖案化之塗佈;貼附經裁切過具一圖案之導電碳膠帶或導電銅膠帶;或是在金屬箔上先以碳粉熱轉印法或微影製程形成蝕刻遮罩32、42,再利用蝕刻製程蝕刻出已圖形化的電極單元301、401、34。等電極單元301、401、34之材質包含碳、銅、銀、鐵、鈷、鎳、不銹鋼、鋅、鈦、導電碳漆、導電銅漆、導電銀漆、導電銅膠帶、導電碳膠帶、或任何導電膠帶之其中至少一者。
其中,關於絕緣基板30、40的材質種類選擇、絕緣基板30、40之一外緣與電極34、電極單元301、401之一外緣有一外緣間距D、第一表面S1之電極單元301、401之一內緣與第二表面S2之電極單元34、401之一外緣之間平行於該第一表面之方向上的間距L、絕緣材料封裝28的設置以及高電壓驅動組件18的參數細節等皆與前述段落相同,本說明書於此不再贅述。
綜上所述,本發明提供一種電漿產生裝置的製備方法,藉由在一絕緣基板的至少其中一面設置一電極單元,並於另一面亦設置電極單元來製備一電漿產生裝置,當通電於兩電極單元時,即可在絕緣基板上產 生電漿,且其外觀形狀係對應於電極單元之圖案。而本發明之電極單元,其製備方式可包含:利用導電膠、導電漿料或導電漆料進行圖案化之塗佈;貼附經裁切過具一圖案之導電碳膠帶或導電銅膠帶;或是在金屬箔上先以碳粉熱轉印法或微影製程設置一蝕刻遮罩,其具有一圖形化電極圖案,再利用蝕刻製程蝕刻出一具圖案的電極單元,或是在單面/雙面銅箔印刷電路板上之至少一面形成出已圖形化的電極,並於另一面設置電極,或形成出已圖形化的電極,來製備一電漿產生裝置,當通電於兩電極單元時,即可在絕緣基板上產生一圖形化的電漿。
相較於習知技術,本發明提供一種電漿產生裝置的製備方法,得以利用相對簡單的製程與原材料,無需使用精密設備或工具機來製備電漿產生裝置,具有製程簡易,降低成本之功效。
1‧‧‧電漿產生裝置
10‧‧‧絕緣基板
12‧‧‧電極單元
18‧‧‧高電壓驅動組件
D‧‧‧外緣間距
S1‧‧‧第一表面

Claims (26)

  1. 一種電漿產生裝置,包含:一高電壓驅動組件;一絕緣基板,具有一第一表面以及一第二表面;以及二電極單元,分別設置於該第一表面與該第二表面,並與該高電壓驅動組件電性連接;其中,當該些電極單元由該高電壓驅動組件而被通電時,於該第一表面上將產生一電漿;其中該些電極單元之製備方式包含:利用導電膠、導電漿料或導電漆料進行圖案化之塗佈;貼附經裁切過具一圖案之導電碳膠帶或導電銅膠帶。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,其中該些電極單元為包含複數個彼此分散之分散型電極,以及用以使該些分散型電極彼此電性連接之複數連接件。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,其中該高電壓驅動組件能產生200伏特以上之電壓差,且得為輸出電壓頻率為100~1,000,000Hz之一脈衝式電源或一交流電源;其中該絕緣基板之電阻率大於1,000Ω-m。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,其中該些電極單元之一外緣與該絕緣基板之一外緣之間,有一外緣間距,該外緣間距介於2~10mm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,進一步包含有一絕緣封 裝,包覆該絕緣基板之一外緣。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,其中該第一表面之該電極單元之一內緣與該第二表面之該電極單元的一外緣平行於該第一表面之方向上的間距,介於2~10mm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,其中該絕緣基板之材質包含二氧化矽、玻璃纖維、氧化鋁、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物樹脂(Acrylonitrile Butadiene Styrene copolymer,ABS)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚醯亞胺(Polyimide,PI)以及聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene,PTFE)、聚氯乙烯(PolyVinyl Chloride,PVC)、酚醛樹脂、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚乳酸(Poly(L-lactide),PLA)、苯乙烯-丙烯睛共聚物(Acrylonitrile-styrene copolymer,AS)、壓克力(Polymethylmethacrylate,PMMA)、醋酸纖維素(Cellulose acetate,CA)、聚醯胺(Polyamide,PA)、聚醯胺醯亞胺(Polyamide-imide,PAI)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(Polybutylene Terephthalate,PBT)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚縮酫(Polyoxymethylene,POM),以及聚氨酯(Polyurethane)之其中至少一者。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,其中該些電極單元之材質包含碳、銅、銀、鐵、鈷、鎳、不銹鋼、鋅、鈦、導電碳漆、導電銅漆、導電銀漆、導電銅膠帶、導電碳膠帶、或任何導電膠帶之其中至少一者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置,進一步包含一蓋體,該蓋體用以封裝該第一表面以形成一密閉空間,並於該密閉空間灌入氦氣、 氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體;其中該密閉空間內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。
  10. 一種電漿產生裝置的製備方法,其包含以下步驟:準備一絕緣基板,該絕緣基板具有一第一表面以及一第二表面;分別設置一電極單元於該第一表面與該第二表面上;以及準備一高電壓驅動組件,並與該兩電極單元電性連接,藉以形成一電漿產生裝置;其中該兩電極單元之製備方式包含:利用導電膠、導電漿料或導電漆料進行圖案化之塗佈;貼附經裁切過具一圖案之導電碳膠帶或導電銅膠帶。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置的製備方法,進一步包含以下步驟:用一蓋體封裝該第一表面,以形成一密閉空間;以及於該密閉空間內灌入氦氣、氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體;其中該密閉空間內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置 的製備方法 ,其中該些電極單元為包含複數個彼此分散之分散型電極,以及用以使該些分散型電極彼此電性連接之複數連接件。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該些電極單元之一外緣與該絕緣基板之一外緣之間有一外緣間距,該外緣間距介於2~10mm。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置的製備方法,進一步包含一步驟:設置一絕緣材料封裝於該電漿產生裝置之一外緣。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該第一表面之該電極單元之一內緣與該第二表面之該電極單元的一外緣平行於該第一表面之方向上之間距,是2~10mm。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該絕緣基板之材質包含二氧化矽、玻璃纖維、氧化鋁、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物樹脂(Acrylonitrile Butadiene Styrene copolymer,ABS)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚醯亞胺(Polyimide,PI)以及聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene,PTFE)、聚氯乙烯(PolyVinyl Chloride,PVC)、酚醛樹脂、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚乳酸(Poly(L-lactide),PLA)、苯乙烯-丙烯睛共聚物(Acrylonitrile-styrene copolymer,AS)、壓克力(Polymethylmethacrylate,PMMA)、醋酸纖維素(Cellulose acetate,CA)、聚醯胺(Polyamide,PA)、聚醯胺醯亞胺(Polyamide-imide,PAI)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(Polybutylene Terephthalate,PBT)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚縮酫(Polyoxymethylene,POM),以及聚氨酯(Polyurethane)之其中至少一者。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該高電壓驅動組件能產生200伏特以上之電壓差,且得為輸出電壓頻率為100~1,000,000Hz之一脈衝式電源或一交流電源;其中該絕緣基板之電阻率大於1,000Ω-m。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該些電極單元之材質包含碳、銅、銀、鐵、鈷、鎳、不銹鋼、鋅、鈦、導電碳漆、導電銅漆、導電銀漆、導電銅膠帶、導電碳膠帶、或任何導電膠帶之其中至少一者。
  19. 一種電漿產生裝置的製備方法,其包含以下步驟:準備一絕緣基板,該絕緣基板具有一第一表面以及一第二表面,其中該第一表面具有一金屬箔;於該第一表面的該金屬箔上設置一蝕刻遮罩,該蝕刻遮罩具有一圖形化電極圖案;於該第二表面上設置一電極,並設置一覆蓋該第二表面與該電極之抗蝕刻保護層;對該絕緣基板進行一濕蝕刻製程,以使該第一表面的該金屬箔被蝕刻出該圖形化電極圖案後,除去該蝕刻遮罩,以使該金屬箔形成一圖形化電極;除去該第二表面上之該抗蝕刻保護層;以及準備一高電壓驅動組件,並與該電極以及該圖形化電極電性連接,藉以形成一電漿產生裝置;其中該第一表面之該電極單元之一內緣與該第二表面之該電極單元的一外緣平行於該第一表面之方向上之間距,是介於2~10mm。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之電漿產生裝置的製備方法,進一步包含以下步驟:用一蓋體封裝該第一表面,以形成一密閉空間;以及 於該密閉空間內灌入氦氣、氖氣、氬氣、氮氣、氧氣、空氣、四氟化碳之至少一種氣體;其中該密閉空間內的氣體壓力範圍係介於0.1~3大氣壓。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該些電極單元與該絕緣基板之一外緣之間,有一外緣間距,該外緣間距介於2~10mm。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之電漿產生裝置的製備方法,進一步包含一步驟:設置一絕緣材料封裝於該電漿產生裝置之一外緣。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該絕緣基板之材質包含二氧化矽、玻璃纖維、氧化鋁、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物樹脂(Acrylonitrile Butadiene Styrene copolymer,ABS)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚醯亞胺(Polyimide,PI)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene,PTFE)、聚氯乙烯(PolyVinyl Chloride,PVC)、酚醛樹脂、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚乳酸(Poly(L-lactide),PLA)、苯乙烯-丙烯睛共聚物(Acrylonitrile-styrene copolymer,AS)、壓克力(Polymethylmethacrylate,PMMA)、醋酸纖維素(Cellulose acetate,CA)、聚醯胺(Polyamide,PA)、聚醯胺醯亞胺(Polyamide-imide,PAI)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(Polybutylene Terephthalate,PBT)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚縮酫(Polyoxymethylene,POM),以及聚氨酯(Polyurethane)其中至少一者。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該高電壓 驅動組件能產生200伏特以上之電壓差,且得為輸出電壓頻率為100~1,000,000Hz之一脈衝式電源或一交流電源;其中該絕緣基板之電阻率大於1,000Ω-m。
  25. 如申請專利範圍第19項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該蝕刻遮罩之設置方式包含碳粉熱轉印法以及微影製程。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之電漿產生裝置的製備方法,其中該圖形化電極與該電極之材質包含碳、銅、銀、鐵、鈷、鎳、不銹鋼、鋅、鈦、導電碳漆、導電銅漆、導電銀漆、導電銅膠帶、導電碳膠帶、或任何導電膠帶之其中至少一者。
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