TWI569348B

TWI569348B - 基板處理裝置及噴嘴清洗方法

Info

Publication number: TWI569348B
Application number: TW103118472A
Authority: TW
Inventors: 甲斐義廣; 池田義謙; 篠原和義; 小田哲也; 田中曉; 吉田祐希; 相原明德
Original assignee: 東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2013-05-31
Filing date: 2014-05-27
Publication date: 2017-02-01
Also published as: JP6077437B2; KR102237507B1; US9764345B2; TW201519348A; KR20140141514A; JP2015006652A; US20140352730A1

Description

基板處理裝置及噴嘴清洗方法

本發明所揭露之實施形態係關於一種基板處理裝置及噴嘴清洗方法。

習知之基板處理裝置，係藉由對半導體晶圓或玻璃基板等基板供應處理液，而進行基板之處理。

於如此之基板處理裝置中，可能會於噴注處理液之噴嘴本身附著噴注後之處理液，而造成此處理液成為污染物質而殘留於噴嘴。若於如此噴嘴髒污之狀態下進行基板處理，則附著於噴嘴之污染物質可能會飛散至基板而污損基板。因此，有時會於基板處理裝置上設置噴嘴清洗裝置。

例如，於日本專利文獻1中揭露一種噴嘴清洗裝置，其藉由對噴嘴噴附清洗液，而去除附著於噴嘴之髒污。

[先行技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利公開第2007-258462號公報

然而，如日本專利文獻1所記載之技術，於採用噴附清洗液之方式之情形時，容易於噴嘴產生清洗不均之問題。又，亦要求包含噴嘴清洗裝置之周邊機器，不要大型化。

本實施形態之一態樣之目的，在於提供一種基板處理裝置及噴嘴清洗方法，其可提升清洗性能，且達到小型化。

實施形態之一態樣之基板處理裝置，具備：對基板噴注處理液之噴嘴；移動噴嘴之移動機構；及清洗噴嘴之噴嘴清洗裝置。噴嘴清洗裝置具備：清洗槽及溢流槽。清洗槽具備：貯存部，貯存用以清洗噴嘴之清洗液；及溢流部，將超過既定水位之清洗液從貯存部排出。溢流槽相鄰配置於清洗槽，其接收從溢流部所排出之清洗液，再排出至外部。又，於清洗噴嘴之情形時，在清洗槽之貯存部內，將噴嘴浸漬於清洗液；於進行從噴嘴噴注處理液之假注液處理之情形時，從噴嘴將處理液噴注至噴注溢流槽內。

依據實施形態之一態樣，可提升清洗性能，且可達成小型化。

W‧‧‧基板

1‧‧‧基板處理系統

2‧‧‧基板搬入/出部

3‧‧‧基板運送部

4‧‧‧基板處理部

100‧‧‧控制裝置

101‧‧‧控制部

102‧‧‧記憶部

11‧‧‧處理室

111‧‧‧旋轉驅動機構

112‧‧‧升降機構

12‧‧‧基板固持部

121‧‧‧旋轉固持機構

121a‧‧‧旋轉軸

121b‧‧‧平台

121c‧‧‧基板固持體

121d‧‧‧升降軸

121e‧‧‧升降板

121f‧‧‧升降銷

122‧‧‧處理液回收機構

122a‧‧‧回收杯

122b‧‧‧回收口

122c‧‧‧回收空間

122d‧‧‧區隔壁

122e‧‧‧第1回收部

122f‧‧‧第2回收部

122g‧‧‧排出口

122h‧‧‧排出口

122i‧‧‧排氣口

122l‧‧‧升降杯

122p‧‧‧傾斜壁部

13‧‧‧噴嘴單元

131‧‧‧噴嘴頭

132‧‧‧噴嘴臂

133‧‧‧移動機構

134‧‧‧第1噴嘴

135‧‧‧第2噴嘴

136‧‧‧第3噴嘴

14‧‧‧噴嘴清洗裝置

14A‧‧‧噴嘴清洗裝置

14B‧‧‧噴嘴清洗裝置

14C‧‧‧噴嘴清洗裝置

14D‧‧‧噴嘴清洗裝置

201~209‧‧‧閥

21‧‧‧載體

301‧‧‧純水供應源

302‧‧‧DHF供應源

303‧‧‧IPA供應

304‧‧‧清洗液供應源

305‧‧‧氣體供應源

31‧‧‧前壁

32‧‧‧基板運送裝置

33‧‧‧基板傳遞台

401~405‧‧‧排液管

41‧‧‧基板運送裝置

42‧‧‧基板處理裝置

51‧‧‧清洗槽

51A‧‧‧清洗槽

51B‧‧‧清洗槽

51C‧‧‧清洗槽

511‧‧‧貯存部

511a‧‧‧第1內周部

511b‧‧‧第2內周部

511C‧‧‧貯存部

512‧‧‧排出口

512C‧‧‧排出口

513‧‧‧溢流部

513B‧‧‧溢流部

513C‧‧‧溢流部

514‧‧‧溢流部

514B‧‧‧溢流部

52‧‧‧溢流槽

52C‧‧‧溢流槽

521‧‧‧貯存部

521a‧‧‧第1內周部

521b‧‧‧第2內周部

521C‧‧‧貯存部

522‧‧‧排出口

522C‧‧‧排出口

53‧‧‧假注液槽

53C‧‧‧假注液槽

531‧‧‧貯存部

531a‧‧‧第1內周部

531b‧‧‧第2內周部

531C‧‧‧貯存部

532‧‧‧排出口

532C‧‧‧排出口

54‧‧‧氣體供應部

55‧‧‧清洗液供應部

【圖1】圖1係第1實施形態之基板處理系統之構成示意圖。

【圖2】圖2係第1實施形態之基板處理裝置之構成示意圖。

【圖3】圖3係噴嘴頭之構成示意圖。

【圖4】圖4係第1實施形態之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

【圖5】圖5係第1實施形態之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

【圖6】圖6係清洗液供應部及氣體供應部之構成示意圖。

【圖7】圖7係清洗液供應部之構成示意圖。

【圖8】圖8係氣體供應部之構成示意圖。

【圖9A】圖9A係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖9B】圖9B係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖9C】圖9C係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖9D】圖9D係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖9E】圖9E係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖9F】圖9F係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖9G】圖9G係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖10A】圖10A係第1實施形態之假注液處理之動作例之示意圖。

【圖10B】圖10B係第1實施形態之假注液處理之動作例之示意圖。

【圖11】圖11係第1實施形態之基板處理裝置之構成示意圖。

【圖12】圖12係第1實施形態之第1變形例之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

【圖13】圖13係第1實施形態之第2變形例之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

【圖14】圖14係第2實施形態之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

【圖15A】圖15A係第2實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

【圖15B】圖15B係第2實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

【圖15C】圖15C係第2實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

【圖15D】圖15D係第2實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

【圖15E】圖15E係第2實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

【圖16】圖16係第3實施形態之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

【圖17A】圖17A係第3實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

【圖17B】圖17B係第3實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

【圖17C】圖17C係第3實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖17D】圖17D係第3實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖17E】圖17E係第3實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

【圖18A】圖18A係槽清洗處理之動作例之示意圖。

【圖18B】圖18B係槽清洗處理之動作例之示意圖。

【圖18C】圖18C係槽清洗處理之動作例之示意圖。

[發明之實施形態]

以下，參考添附圖式，詳細說明本案所揭露之基板處理裝置及噴嘴清洗方法之實施形態。又，本發明不限於以下所示之實施形態。

(第1實施形態)

<1-1.基板處理系統之構成>

首先，以圖1說明第1實施形態之基板處理系統之構成。圖1係第1實施形態之基板處理系統之構成圖。又，以下，為了使位置關係更為明確，規定相互垂直之X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正向設為鉛直向上方向。

如圖1所示，基板處理系統1具備：基板搬入/出部2；基板運送部3；及基板處理部4。此等基板搬入/出部2、基板運送部3及基板處理部4係於X軸正向，以基板搬入/出部2、基板運送部3及基板處理部4之順序連接。

基板搬入/出部2係為用以將複數片(例如25片)基板W共同以載體21搬入及搬出之處理部。於基板搬入/出部2上，例如4個載體21以密接於基板運送部3之前壁31之狀態並排載置。

基板運送部3相鄰配置於基板搬入/出部2，於內部具基板運送裝置32及基板傳遞台33。基板運送裝置32於載體21與基板傳遞台33之間，執行基板W之運送。

基板處理部4相鄰配置於基板運送部3。基板處理部4具備基板運送裝置41及複數個基板處理裝置42。基板處理裝置42係沿著基板運送裝置41之移動方向並排配置，基板運送裝置41於基板傳遞台33與基板處理裝置42之間，執行基板W之運送。而基板處理裝置42對由基板運送裝置41所搬入之基板W，進行既定之藥液處理。

又，基板處理系統1具備控制裝置100。控制裝置100係控制基板處理系統1之動作之裝置。控制裝置100如為電腦，具備控制部101及記憶部102。記憶部102中，儲存著用以控制後述噴嘴清洗處理或假注液處理等各種處理之程式。控制部101藉由讀出記憶於記憶部102之程式並執行之，而控制基板處理系統1之動作。

又，此程式可記錄於可利用電腦讀取之記錄媒體，亦可從該記錄媒體安裝於控制裝置100之記憶部102。可利用電腦讀取之記錄媒體如為：硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

<1-2.基板處理裝置之構成>

其次，以圖2說明第1實施形態之基板處理裝置42之構成。

圖2係為第1實施形態之基板處理裝置42之構成示意圖。

如圖2所示，第1實施形態之基板處理裝置42於處理室11內，具備：基板固持部12；噴嘴單元13；及噴嘴清洗裝置14。

基板固持部12具備：旋轉固持機構121及處理液回收機構122。旋轉固持機構121使基板W固持為水平，並使所固持之基板W繞著鉛直軸之周圍旋轉。處理液回收機構122圍繞著旋轉固持機構121配置，用以接收因基板W旋轉所產生之離心力而往基板W外面飛濺之處理液，並加以回收。

噴嘴單元13係從以旋轉固持機構121所固持之基板W之上方，向基板W供應處理液。此噴嘴單元13具備：噴嘴頭131；噴嘴臂132，使噴嘴頭131支撐於水平；移動機構133，使噴嘴臂132旋轉移動及升降移動。

在此，參考圖3說明噴嘴頭131之構成。圖3係為噴嘴頭131之構成示意圖。

如圖3所示，噴嘴頭131具備可分別噴注不同種類之處理液之3個噴嘴。具體而言，噴嘴頭131具備：噴注純水之第1噴嘴134；噴注DHF(稀氫氟酸)之第2噴嘴135；及噴注IPA(異丙醇)之第3噴嘴136。

第1噴嘴134經由閥201連接至純水供應源301；第2噴嘴135經由閥202連接至DHF供應源302。又，第3噴嘴136經由閥203連接至IPA供應源303。

第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136皆鉛直向下噴注處理液。又，第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136三者，當從噴嘴臂132中之移動機構133側之基端部，沿著噴嘴臂132之延伸方向觀看噴嘴頭131時，從左至右，以第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136之順序排列配置。又，第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136可藉由移動機構133共同移動。

噴嘴清洗裝置14係用以清洗噴嘴單元13所具備之噴嘴134~136，配置於基板W外面之噴嘴單元13之待機位置。

<1-3.噴嘴清洗裝置之構成>

其次，參考圖4及圖5，說明噴嘴清洗裝置14之構成。圖4及圖5係為第1實施形態之噴嘴清洗裝置14之構成示意圖。又，圖4為噴嘴清洗裝置14之示意頂視圖；圖5為圖4之A-A線剖面圖。

如圖4所示，噴嘴清洗裝置14具備：清洗槽51；溢流槽52；及假注液槽53。此等槽於X軸正向以溢流槽52、清洗槽51及假注液槽53之順序相鄰配置。

<1-3-1.清洗槽>

清洗槽51具備：貯存部511，貯存用以清洗噴嘴134~136之清洗液；排出口512，排出貯存於貯存部511之清洗液。清洗液如常溫(如20℃)之純水。又，為了提高清洗力，亦可使用較常溫為高之加熱至既定溫度(45~80℃左右)之純水作為清洗液。

如圖5所示，貯存部511具有：第1內周部511a，從上端部至端部具有一定內部尺寸；及漏斗狀之第2內周部511b，上端部連接於第1內周部511a之下端部，從上端部往下端部逐漸縮徑。又，排出口512設於第2內周部511b之下端部。

於貯存部511之內部，設置用以對貯存部511供應清洗液之清洗液供應部。又，於貯存部511之上方，設置用以使清洗後之噴嘴134~136乾燥之氣體供應部54。

在此，參考圖6~圖8，說明清洗液供應部及氣體供應部54之構成。圖6係清洗液供應部及氣體供應部54之構成示意圖。又，圖7係清洗液供應部之構成示意圖，圖8係氣體供應部54之構成示意圖。又，圖6係為圖5之B-B線剖面圖。

如圖6所示，清洗液供應部55係設於貯存部511之第2內周部511b之上端部附近。清洗液供應部55經由閥204連接至清洗液供應源304，將清洗液供應源304所供應之清洗液經由閥204供應至貯存部511內。

清洗液供應部55將較從排出口512排出之清洗液為多之清洗液，供應至貯存部511內。因此，藉由從清洗液供應部55將清洗液供應至貯存部511內，而使清洗液貯存於貯存部511內。

如圖7所示，清洗液供應部55例如於俯視清洗槽51之情形時，係以對第2內周部511b之上端部(第1內周部511a之下端部)之一邊而言，靠近與此邊相鄰之另一邊(此為Y軸正向側之邊)側之狀態下設置。

又，清洗液供應部55於俯視觀察下係朝沿著上述另一邊之方向，供應清洗液。藉此，於從清洗液供應部55所供應之清洗液流過漏斗狀之第2內周部511b而到達排出口512之過程中，於貯存部511內，形成清洗液之旋轉流。

又，第2內周部511b之上端部俯視觀察呈大致矩形，且下端部俯視觀察呈圓形，隨著從上端部往下端部，剖面形狀從大致矩形平順地變成圓形，而形成第2內周部511b。藉此，可於貯存部511容易形成旋轉流。

為了於貯存部511內形成旋轉流，清洗液供應部55所供應之清洗液最終只要能沿著貯存部511之內周面流過即可。亦即，清洗液供應部55只要為：至少朝著於俯視觀察下偏離第1內周部511a中心之位置供應清洗液之構成即可，而不限於圖6及圖7所示之構成。

例如，清洗液供應部55亦可為以下構成：於俯視清洗槽51之情形時，設於第2內周部511b之上端部(第1內周部511a之下端部)之一邊之中央，並對此邊以外之另一邊斜斜地供應清洗液。

以上係以第1內周部511a俯視觀察呈大致矩形時為例，但第1內周部511a亦可為如俯視觀察呈圓形或橢圓形。

如圖5或圖6所示，第2內周部511b具有偏心之漏斗形狀，而如圖7所示，形成於第2內周部511b之下端部之排出口512，於俯視貯存部511之情形下，係配置於偏離第1內周部511a中心之位置。

如此，藉由將排出口512配置為偏離第1內周部511a中心，可使從排出口512排出清洗液時所產生之漩渦中心位置，偏離第1內周部511a之中心。

藉此，於進行噴嘴134~136之清洗時，可防止於噴嘴134~136之前端面形成空氣積存處，可抑制噴嘴134~136之前端面之清洗不均。

其次，說明氣體供應部54。如圖6所示，氣體供應部54係設於貯存部511之上方。具體而言，氣體供應部54係分別設置於面對清洗槽51之Y軸方向之2個壁面。如圖6所示，於各壁面於水平方向並排配置複數個氣體供應部54。

氣體供應部54經由閥205連接至氣體供應源305，從此氣體供應源305經由閥205所供應之N₂等氣體於水平方向噴出。

具體而言，如圖8所示，配置於Y軸負向側之壁面之氣體供應部54，朝著Y軸正向，亦即，朝著Y軸正向側之壁面直直地噴出氣體。另一方面，配置於Y軸正向側之氣體供應部54則對著Y軸負向斜斜地噴出氣體。

藉此，可防止配置於一側之氣體供應部54所噴出之氣體，與配置於另一側之氣體供應部54所噴出之氣體相衝突，可防止因氣體彼此衝突而導致風壓下降。

<1-3-2.溢流槽及假注液槽>

其次，說明溢流槽52及假注液槽53之構成。首先，說明溢流槽52之構成。

如圖4及圖5所示，溢流槽52係相鄰配置於清洗槽51之X軸負向側，接收從清洗槽51所溢流之清洗液，並排出至外部。此溢流槽52具備貯存部521及排出口522。

如圖5所示，貯存部521具有：第1內周部521a，從上端部至下端部具有一定內部尺寸；及漏斗狀之第2內周部521b，上端部連接於第1內周部521a之下端部，從上端部往下端部逐漸縮徑。又，排出口522設於第2內周部521b之下端部。

於清洗槽51之溢流槽52側之上端部，設置溢流部513。溢流部513係形成為較清洗槽51之其他上端部為低之部位，超過既定水位之清洗槽51內之清洗液(換言之，即達到溢流部513之清洗液)，從此溢流部513排出至溢流槽52。

又，溢流槽52之排出口522形成為較清洗槽51之排出口512為大。藉此，因使清洗槽51之排出口512形成為小，故容易將清洗液貯存於貯存部511內，並可將從噴嘴134~136所去除之髒污，立即從溢流槽52之大的排出口522排出。

接著，說明假注液槽53之構成。假注液槽53係相鄰配置於與清洗槽51之溢流槽52所配置之側之相反側，與清洗槽51及溢流槽52相同，具備貯存部531及排出口532。

如圖5所示，貯存部531具有：第1內周部531a，從上端部至下端部具有一定內部尺寸內部尺寸；及漏斗狀之第2內周部531b，上端部連接於第1內周部531a之下端部，從上端部往下端部逐漸縮徑。排出口532設於第2內周部531b之下端部。

此假注液槽53於假注液處理時容置第3噴嘴136(參考圖3)，接收第3噴嘴136所噴注之處理液(IPA)而排出。所謂假注液處理係為：例如為了防止處理液之劣化，於對基板W未噴注處理液之待機中，從噴嘴134~136適當噴注處理液之處理。

如此，於設於噴嘴頭131之3個噴嘴134~136中，第3噴嘴136之假注液處理係於假注液槽53進行。

另一方面，第1噴嘴134及第2噴嘴135之假注液處理則於溢流槽52進行。如此，溢流槽52亦可用作為第1噴嘴134及第2噴嘴135用之假注液槽，其相關要點於後說明。

<1-4.噴嘴清洗裝置之具體動作>

<1-4-1.噴嘴清洗處理>

其次，說明噴嘴清洗裝置14之具體動作。首先，參考圖9A~圖9G，說明噴嘴清洗處理之動作。圖9A~圖9G係第1實施形態之噴嘴清洗處理之動作例之示意圖。

又，圖9A~圖9G之噴嘴清洗處理如以每一批次進行，但不限於此，亦可於每次對1片基板W之基板處理結束後進行。

首先，控制部101(參考圖1)控制移動機構133(參考圖2)，將噴嘴頭131從基板W上往噴嘴清洗裝置14移動，如圖9A所示，將第1噴嘴134及第2噴嘴135配置於清洗槽51之貯存部511內。此時，第3噴嘴136配置於假注液槽53內。

接著，控制部101藉由打開閥204(參考圖6)，而從清洗液供應部55將清洗液供應至清洗槽51之貯存部511內。藉此，清洗液貯存於貯存部511內，配置於貯存部511內之第1噴嘴134及第2噴嘴135浸漬於清洗液(參考圖9B)。

如此，噴嘴清洗裝置14藉由使第1噴嘴134及第2噴嘴135浸漬於貯存在貯存部511內之清洗液，而清洗第1噴嘴134及第2噴嘴135。藉此，可從前端部至上部為止均勻地清洗第1噴嘴134及第2噴嘴135。

又，因於貯存部511內形成清洗液之旋轉流，利用此旋轉流，可提高第1噴嘴134及第2噴嘴135之清洗力。

超過貯存部511內之既定水位之清洗液，從溢流部513往溢流槽52溢流，再從溢流槽52之排出口522排出至基板處理裝置42外部。

控制部101於打開閥204起經過既定時間後，藉由關閉閥204，而使貯存部511內之清洗液全部從排出口512排出。

接著，控制部101控制移動機構133以移動噴嘴頭131，如圖9C所示，將第3噴嘴136配置於清洗槽51之貯存部511內。此時，第1噴嘴134及第2噴嘴135配置於溢流槽52內。

接著，控制部101藉由打開閥204(參考圖6)，而從清洗液供應部55將清洗液供應至清洗槽51之貯存部511內。藉此，清洗液貯存於貯存部511內，而浸漬清洗配置於貯存部511內之第3噴嘴136(參考圖9D)。

接著，控制部101藉由打開閥205(參考圖6)使氣體供應部54噴出氣體，並控制移動機構133，使噴嘴頭131上升及下降(參考圖9E)。藉此，可利用來自氣體供應部54之氣體，將殘存於第3噴嘴136之清洗液加以去除或氣化，而使第3噴嘴136乾燥。

接著，控制部101控制移動機構133以移動噴嘴頭131，如圖9F所示，將第1噴嘴134及第2噴嘴135再次配置於清洗槽51之貯存部511內。其後，控制部101控制移動機構133使噴嘴頭131上升及下降(參考圖9G)，利用來自氣體供應部54之氣體，將殘存於第1噴嘴134及第2噴嘴135之清洗液，加以去除或氣化。藉此，使第1噴嘴134及第2噴嘴135乾燥。

其後，控制部101關閉閥205，停止來自氣體供應部54之氣體供應，而結束一連串之噴嘴清洗處理。

噴嘴清洗處理後之噴嘴頭131於起始位置之狀態(亦即，第1噴嘴134及第2噴嘴135配置於清洗槽51內；第3噴嘴136配置於假注液槽53內之狀態)，待機至下次基板處理開始為止。

如此，噴嘴清洗裝置14可從清洗液供應部55將清洗液供應至清洗槽51，並使超過既定水位之清洗液溢流至溢流槽52，而浸漬清洗各噴嘴134~136。

藉此，因為從噴嘴134~136所去除之髒污立即排出不會停留在貯存部511，故可防止髒污再附著於噴嘴134~136。又，因可於貯存部511內先持續形成旋轉流，故可能維持旋轉流之高清洗力。

在此，控制部101於將噴嘴頭131移往噴嘴清洗裝置14之前，亦可於貯存部511內供應清洗液HDIW，進行暫時貯存之前處理。

如此，噴嘴清洗裝置14藉由進行前處理，可於進行正式處理前，排出殘留於連接清洗液供應源304及清洗液供應部55之配管內之溫度下降之純水，可於正式處理時，即時供應既定溫度之純水。又，將高溫之純水暫時貯存於貯存部511，可使貯存部511加溫，故於正式處理中將高溫純水供應至貯存部511內之時，可抑制所供應之純水之溫度下降。

<1-4-2.假注液處理>

其次，參考圖10A及圖10B，說明假注液處理之動作。圖10A及圖10B係第1實施形態之假注液處理之動作例之示意圖。圖10A表示第3噴嘴136之假注液處理之動作例；圖10B表示第1噴嘴134及第2噴嘴135之假注液處理之動作例。

又，圖10A及圖10B之假注液處理係於滿足既定條件(例如，自上一次假注液處理起之經過時間等)時執行，但不限於此，亦可於每次上述噴嘴清洗處理結束時執行。藉由於噴嘴清洗後進行假注液處理，可將於噴嘴清洗處理時進入噴嘴134~136內部之清洗液，於下一次基板處理前排出。

如圖10A所示，控制部101於進行第3噴嘴136之假注液處理時，控制移動機構133(參考圖2)以移動噴嘴頭131，使第3噴嘴136配置於假注液槽53內。此時，第1噴嘴134及第2噴嘴135配置於清洗槽51內。

其後，控制部101以既定時間打開閥203，以既定時間從第3噴嘴136噴注處理液IPA。從第3噴嘴136所噴注之IPA從假注液槽53之排出口532排出至外部。

另一方面，於進行第1噴嘴134及第2噴嘴135之假注液處理時，如圖10B所示，控制部101控制移動機構133以移動噴嘴頭131，使第1噴嘴134及第2噴嘴135配置於溢流槽52內。此時，第3噴嘴136配置於清洗槽51內。

其後，控制部101以既定時間打開閥201及閥202，分別以既定時間從第1噴嘴134噴注純水；而從第2噴嘴135噴注DHF。從第1噴嘴134所噴注之純水及從第2噴嘴135所噴注之DHF，從溢流槽52之排出口522排出至外部。

如此，於第1實施形態之噴嘴清洗裝置14中，亦可將接收從清洗槽51所溢流之清洗液並排出之溢流槽52，用作為第1噴嘴134及第2噴嘴135用之假注液槽。如此，藉由使溢流槽與假注液槽能共用，因不需另外設置假注液槽，故能使噴嘴清洗裝置14小型化。

又，因為溢流槽52亦可用作為假注液槽，可利用於噴嘴清洗處理時從清洗槽51所溢流之清洗液，去除於假注液處理時附著於溢流槽52之處理液。即，亦可將於噴嘴清洗處理時從清洗槽51所溢流之清洗液，用作為用以清洗作為假注液槽之溢流槽52之清洗液。

又，在此，係將溢流槽52之排出口522形成為較清洗槽51之排出口512為大，但亦可將溢流槽52之排出口522形成為與清洗槽51之排出口512為相同程度之大小。藉此，因溢流之清洗液容易貯存於溢流槽52內，故可使用溢流之清洗液，清洗溢流槽52之更廣範圍。

又，第1實施形態之噴嘴清洗裝置14中，將用以進行噴注有機系處理液IPA之第3噴嘴136(相當於第1實施形態之「第1噴嘴」之一例)之假注液處理之假注液槽53，與用以進行噴注其他處理液之第1噴嘴134及第2噴嘴135(相當於第1實施形態之「第2噴嘴」之一例)之假注液處理之溢流槽52分別設置。藉此，可避免如DHF之其他藥液與IPA相混蝕。

又，在此，係於噴嘴清洗處理結束後，進行假注液處理，但假注液處理亦可於噴嘴清洗處理中進行。

例如，如圖9D所示，第1噴嘴134及第2噴嘴135於第3噴嘴136之清洗中係配置於溢流槽52內。因此，於第3噴嘴136之清洗中，亦可進行第1噴嘴134及第2噴嘴135之假注液處理。

又，如圖9F所示，於將第1噴嘴134及第2噴嘴135移動至清洗槽51之貯存部511內時，第3噴嘴136係配置於假注液槽53內。因此，於將第1噴嘴134及第2噴嘴135移動至清洗槽51之貯存部511內後，於圖9G所示之第1噴嘴134及第2噴嘴135之乾燥處理進行前或乾燥處理執行中，亦可進行第3噴嘴136之假注液處理。

如此，因於噴嘴清洗處理中進行假注液處理，故可縮短清洗處理及假注液處理所需時間。

<1-5.基板處理部之構成>

其次，參考圖11，說明基板處理裝置42之配管構成。圖11係第1實施形態之基板處理裝置42之構成之示意圖。

如圖11所示，於基板固持部12所備之旋轉固持機構121中，於中空圓筒狀之旋轉軸121a之上端部上，水平安裝圓環狀之平台121b。於平台121b之周緣部上，於圓周方向間隔地安裝複數個基板固持體121c，該複數個基板固持體121c與基板W之周緣部相接觸，並水平固持基板W。

旋轉軸121a與旋轉驅動機構111相連，利用旋轉驅動機構111使旋轉軸121a及平台121b旋轉，而使以基板固持體121c固持於平台121b之基板W旋轉。此旋轉驅動機構111連接於控制部101(參考圖1)，利用控制部101而控制旋轉。

又，基板固持部12中，升降軸121d可自由升降地插通於旋轉軸121a及平台121b之中央之中空部，並於升降軸121d之上端部，安裝圓板狀之升降板121e。於升降板121e之周緣部上，於圓周方向間隔地安裝複數個升降銷121f，該複數個升降銷121f與基板W之下面相接觸，並使基板W升降。

升降軸121d與升降機構112相連，利用升降機構112使升降軸121d及升降板121e升降，而使固持於升降銷121f之基板W升降。此升降機構112連接於控制部101，利用此控制部101而控制升降。

又，基板固持部12所備之處理液回收機構122，具備回收杯122a，其包圍基板W之下方及外周外方且開放基板W之上方。回收杯122a於基板W之外周外方形成回收口122b，並於下方形成與回收口122b相連通之回收空間122c。

又，回收杯122a於回收空間122c之底部形成同心環狀之區隔壁122d，將回收空間122c之底部區隔成同心雙重環狀之第1回收部122e及第2回收部122f。於第1回收部122e及第2回收部122f之底部，在圓周方向間隔地形成排出口122g、122h。

排出口122g經由排液管401連接至閥206。從排出口122g所排出之藥液(此為IPA)，經由排液管401及閥206排出至基板處理裝置42外部。

排液管401與排液管402相連，排液管402係與噴嘴清洗裝置14所備之假注液槽53之排出口532相連。藉此，於假注液處理中從第3噴嘴136噴注至假注液槽53之IPA，經由排液管402及閥206而排出至基板處理裝置42外部。

如此，基板處理裝置42中，基板處理時從基板固持部12之排出口122g所排出之IPA排出路徑，與假注液處理時從假注液槽53之排出口532所排出之IPA排出路徑為共通。

排出口122h經由排液管403分別連接至閥207、208、209。閥207、208、209係藉由控制部101控制開關。例如排出酸系藥液之情形時，藉由控制部101打開閥207。藉此，從排出口122h所排出之酸系藥液，經由排液管403及閥207而排出至基板處理裝置42外部。

又，於排出鹼系藥液之情形時，藉由控制部101打開閥208，使得從排出口122h所排出之鹼系藥液，經由排液管403及閥208而排出至基板處理裝置42外部。又，於回收藥液之情形時，藉由控制部101打開閥209，使得從排出口122h所排出之藥液，經由排液管403及閥209而被回收。

排液管403與排液管404相連，而排液管404係與噴嘴清洗裝置14所備之清洗槽51之排出口512相連。又，排液管404與排液管405相連，而排液管405與溢流槽52之排出口522相連。

藉此，噴嘴清洗處理中從清洗槽51及溢流槽52所排出之清洗液，與假注液處理中從第1噴嘴134及第2噴嘴135所分別噴注之純水及DHF，經由閥207~209之任一個而排出至基板處理裝置42外部。

如此，基板處理裝置42中，基板處理時從基板固持部12之排出口122h所排出之藥液排出路徑，與噴嘴清洗處理時及假注液處理時從清洗槽51及溢流槽52所排出之藥液排出路徑為共通。

於回收杯122a上，在區隔壁122d之中途部中較排出口122g、122h更為上方處，於圓周方向間隔地形成複數個排氣口122i。

又，回收杯122a具有升降杯122l。升降杯122l以既定間隔配置於區隔壁122d之正上方。升降杯122l與用以使升降杯122l升降之升降機構(未示於圖中)相連。此升降機構藉由控制部101控制升降。

升降杯122l具有傾斜壁部122p，傾斜壁部122p於上端部朝內側上方傾斜直至回收杯122a之回收口122b為止。傾斜壁部122p沿著回收空間122c之傾斜壁平行伸延至回收杯122a之回收口122b，傾斜壁部122p與回收杯122a之回收空間122c之傾斜壁相接近。

若使用未示於圖中之升降機構使升降杯122l下降，則於回收空間122c之內部中，回收杯122a之傾斜壁與升降杯122l之傾斜壁部122p之間，形成從回收口122b通往第1回收部122e之排出口122g之流道。

又，若使用未圖示之升降機構使升降杯122l上升，則於回收空間122c之內部中，升降杯122l之傾斜壁部122p之內側，形成從回收口122b通往排出口122h之流道。

基板處理裝置42於進行基板處理時，依據所使用處理液之種類，使處理液回收機構122之升降杯122l升降，而從排出口122g、122h之其一排出液體。

例如，於從第2噴嘴135對基板W噴注酸性處理液DHF以處理基板W之情形時，控制部101於控制旋轉驅動機構111以既定轉速旋轉基板固持部12之平台121b之狀態下，打開閥202。藉此，DHF供應源302所供應之DHF從第2噴嘴135噴注至基板W上面。

此時，控制部101控制未圖示之升降機構使升降杯122l下降，而預先形成從回收口122b通往第1回收部122e之排出口122g之流道。

藉此，供應至基板W之DHF因基板W旋轉所產生之離心力作用而往基板W之外周外方甩出，而從回收杯122a之回收口122b回收至回收空間122c之第1回收部122e。

又，於從第3噴嘴136對基板噴注有機系處理液IPA以處理基板W之情形時，控制部101於控制旋轉驅動機構111以既定轉速旋轉基板固持部12之平台121b之狀態下，打開閥203。藉此，IPA供應源303所供應之IPA從第3噴嘴136噴注至基板W上面。

此時，控制部101控制未圖示之升降機構使升降杯122l上升，而形成從回收口122b通往第2回收部122f之排出口122h之流道。

藉此，供應至基板W之IPA因基板W旋轉所產生之離心力作用而往基板W之外周外方甩出，而從回收杯122a之回收口122b回收至回收空間122c之第2回收部122f。

如上所述，第1實施形態之噴嘴清洗裝置14具備：清洗槽51；溢流槽52；及控制部101。清洗槽51具備：貯存部511，用以貯存對基板W噴注處理液之噴嘴134~136之清洗液；及溢流部513，將超過既定水位之清洗液從貯存部511排出。溢流槽52相鄰配置於清洗槽51，接收溢流部513所排出之清洗液並排出至外部。控制部101控制用以移動噴嘴134~136之移動機構133。又，控制部101於清洗噴嘴134~136之情形時，使噴嘴134~136移往清洗槽51之貯存部511內，並浸漬於貯存部511所貯存之清洗液；而於待機中進行從噴嘴134、135噴注處理液之假注液處理之情形時，使噴嘴134、135移往溢流槽52，並將處理液噴注至溢流槽52內。因此，依據第1實施形態之噴嘴清洗裝置14，可提升清洗性能並更達成小型化。

於上述例中，清洗液僅溢流至溢流槽52，然而清洗液亦可溢流至假注液槽53。此點參考圖12加以說明。圖12為第1實施形態之第1變形例之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

如圖12所示，第1變形例之噴嘴清洗裝置14A具備清洗槽51A(取代上述之清洗槽51)。清洗槽51A於假注液槽53側之上端部亦具備溢流部514，超過既定水位之清洗液從溢流部514亦排出至假注液槽53。

如此，藉由使清洗液亦溢流至假注液槽53，換言之，使假注液槽53亦用作為溢流槽，可利用溢流之清洗液來清洗假注液槽53。

溢流部亦可構成為藉由清洗液有效率地清洗溢流槽52及假注液槽53。此點參考圖13加以說明。圖13為第1實施形態之第2變形例之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。

如圖13所示，第2變形例之噴嘴清洗裝置14B具備清洗槽51B(取代清洗槽51)。清洗槽51B與第1變形例之清洗槽51A相同，於溢流槽52側及假注液槽53側分別具備溢流部513B、514B。

此等溢流部513B、514B形成為使溢流之清洗液對鉛直方向(Z軸方向)斜斜流入之流道。藉此，經由溢流部513B、514B分別流入溢流槽52及假注液槽53之清洗液，不會立即從排出口522、532排出，而會於溢流槽52及假注液槽53內邊旋轉邊排出。

藉由如此構成，因為溢流之清洗液容易停留於溢流槽52及假注液槽53內，故可利用溢流之清洗液有效率地清洗溢流槽52及假注液槽53。

(第2實施形態)

於上述第1實施形態中，說明於清洗槽51兩側分別配置溢流槽52及假注液槽53之情形時之例。然而，假注液槽之配置不限於第1實施形態中所示之例。以下說明假注液槽之其他配置例。

圖14為第2實施形態之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。又，於以下說明中，針對與已說明部分為相同之部分，賦予與已說明部分相同符號，而省略重複說明。

如圖14所示，第2實施形態之噴嘴清洗裝置14C具備：清洗槽51C；溢流槽52C；及假注液槽53C。

第2實施形態之噴嘴清洗裝置14C中，假注液槽53C相鄰配置於溢流槽52C。具體而言，清洗槽51C、溢流槽52C及假注液槽53C於X軸正向以假注液槽53C、溢流槽52C及清洗槽51C之順序排列配置。

清洗槽51C具備：貯存部511C；排出口512C；及溢流部513C。貯存部511C與第1實施形態之貯存部511不同，形成為可同時容置第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136之大小。排出口512C設於貯存部511C之下端部，溢流部513C形成於溢流槽52C側之上端部。

溢流槽52C具有與第1實施形態之溢流槽52相同之貯存部521C及排出口522C，以貯存部521C接收從溢流部513C流入之清洗液並從排出口522C排出。

假注液槽53C具備貯存部531C及排出口532C。貯存部531C與第1實施形態之貯存部531不同，形成為可同時容置第1噴嘴134及第2噴嘴135之大小。又，排出口532C設於貯存部531C之下端部。

其次，參考圖15A~圖15E，說明第2實施形態之噴嘴清洗裝置14C之具體動作。圖15A~圖15E為第2實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。

首先，控制部101(參考圖1)控制移動機構133(參考圖2)以移動噴嘴頭131，如圖15A所示，將第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136配置於清洗槽51C之貯存部511C內。

接著，控制部101利用打開閥204(參考圖6)，而從清洗液供應部55將清洗液供應至清洗槽51C之貯存部511C內。藉此，清洗液貯存於貯存部511C內，而配置於貯存部511C內之第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136則浸漬於此清洗液(參考圖15B)。

如此，噴嘴清洗裝置14C同時浸漬清洗第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136。此時，貯存部511C內之超過既定水位之清洗液，則從溢流部513C排出至溢流槽52C。

控制部101於打開閥204起經過既定時間後，將閥204加以關閉。藉此，使貯存部511C內之清洗液全部從排出口512C排出。

接著，控制部101藉由打開閥205(參考圖6)，而從氣體供應部54噴出氣體。而且，控制部101控制移動機構133使噴嘴頭131上升及下降(參考圖15C)。藉此，使第1噴嘴134，第2噴嘴135及第3噴嘴136乾燥。

其後，控制部101關閉閥205，停止從氣體供應部54供應氣體，而結束噴嘴清洗處理。

接著，於進行假注液處理之情形時，控制部101則控制移動機構133而移動噴嘴頭131，使第1噴嘴134及第2噴嘴135配置於假注液槽53C內；使第3噴嘴136配置於溢流槽52C內(參考圖15D)。

其後，控制部101以既定時間打開閥201~203，以既定時間從第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136噴注處理液。從第1噴嘴134及第2噴嘴135所噴注之處理液由假注液槽53C接收，並從假注液槽53C之排出口532C排出至基板處理裝置42外部。又，從第3噴嘴136所噴注之處理液由溢流槽52C接收，並從溢流槽52C之排出口522C排出至基板處理裝置42外部(參考圖15E)。

又，於第1實施形態中，係從1個噴嘴(第3噴嘴136)將處理液噴注至假注液槽53內，相對於此，於第2實施形態中，則是分別由2個噴嘴(第1噴嘴 134及第2噴嘴135)將處理液噴注至假注液槽53內。因此，如圖15E所示，將第2實施形態之假注液槽53C之排出口532C之口徑，形成為較第1實施形態之假注液槽53之排出口532之口徑為大。藉此，可防止假注液處理時之液體殘留等。

如此，依據第2實施形態之噴嘴清洗裝置14C，藉由將假注液槽53C與溢流槽52C相鄰設置，而可同時執行第1噴嘴134及第2噴嘴135(相當於第2實施形態之「第1噴嘴」之一例)之假注液處理與第3噴嘴136(相當於第2實施形態之「第2噴嘴」)之假注液處理。因此，可縮短假注液處理所需時間。

又，第2實施形態之噴嘴清洗裝置14C具備清洗槽51C，而清洗槽51C具有可同時容置第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136之貯存部511C，因此，可縮短噴嘴清洗處理所需時間。

又，第2實施形態之清洗槽51C之構成亦可應用於第1實施形態之噴嘴清洗裝置14、14A、14B。

(第3實施形態)

於上述各實施形態中，係以噴嘴清洗裝置分別具備溢流槽及假注液槽之情形時為例說明，然而，如處理液彼此無相混蝕之疑慮時，則噴嘴清洗裝置不一定非得具備假注液槽。因此，以下，說明不具備假注液槽之噴嘴清洗裝置。

圖16係第3實施形態之噴嘴清洗裝置之構成示意圖。又，於以下說明中，針對與已說明部分為相同之部分，賦予與已說明部分相同符號，而省略重複說明。

如圖16所示，第3實施形態之噴嘴清洗裝置14D之構成為：從第2實施形態之噴嘴清洗裝置14C，去除假注液槽53C。具體而言，噴嘴清洗裝置14D具有：清洗槽51C及溢流槽52C。

其次，參考圖17A~圖17E，說明第3實施形態之噴嘴清洗裝置14D之具體動作。圖17A~圖17E為第3實施形態之噴嘴清洗處理及假注液處理之動作例之示意圖。又，圖17A~圖17C所示之噴嘴清洗處理動作，因與圖15A~圖15C所示動作相同，故省略其說明。

於進行假注液處理之情形時，控制部101控制移動機構133以移動噴嘴頭131，分別將第1噴嘴134及第2噴嘴135配置於溢流槽52C內，而將第3噴嘴136配置於清洗槽51C內(參考圖17D)。

其後，控制部101以既定時間打開閥201~203，以既定時間從第1噴嘴134、第2噴嘴135及第3噴嘴136噴注處理液。從第1噴嘴134及第2噴嘴135所噴注之處理液，由溢流槽52C接收，並從溢流槽52C之排出口522C排出至基板處理裝置42外部。又，從第3噴嘴136所噴注之處理液，由清洗槽51C接收，並從清洗槽51C之排出口512C排出至基板處理裝置42外部(參考圖17E)。

如此，第3實施形態之噴嘴清洗裝置14D，因亦可利用清洗槽51C作為第3噴嘴136用之假注液槽，故可使裝置更為小型化。

(第4之實施形態)

噴嘴清洗裝置亦可於進行噴嘴清洗處理前，進行用以清洗清洗槽51本身之槽清洗處理。此點參考圖18A~圖18C加以說明。圖18A~圖18C為槽清洗處理之動作例之示意圖。又，在此，以第1實施形態之噴嘴清洗裝置14為例，說明槽清洗處理，然而，槽清洗處理亦可於其他之噴嘴清洗裝置14A~14D中實施。

如圖18A所示，於噴嘴清洗處理中將噴嘴頭131配置於清洗槽51內之前(亦即，圖9A所示狀態之前)，進行槽清洗處理。於此狀態中，控制部101首先藉由打開閥205(參考圖6)，而從氣體供應部54噴出氣體。藉此，當於氣體供應部54內存有垃圾等之情形時，可將此垃圾等從氣體供應部54排出。又，閥205之開放時間如為30秒。控制部101於打開閥205起經過既定時間後，將閥205加以關閉。

接著，控制部101藉由打開閥204(參考圖6)，而從清洗液供應部55將清洗液供應至清洗槽51之貯存部511內。藉此，將清洗液貯存於貯存部511內。又，超過貯存部511內之既定水位之清洗液，從溢流部513溢流至溢流槽52，而從溢流槽52之排出口522排出至基板處理裝置42外部(參考圖18B)。又，閥204之開放時間如為30秒。

接著，控制部101於打開閥204起經過既定時間後，將閥204加以關閉。藉此，貯存部511內之清洗液全部從排出口512排出，而結束槽清洗處理(參考圖18C)。其後，控制部101開始進行圖9A~圖9G之噴嘴清洗處理。

如此，藉由進行槽清洗處理，例如，即使於上一次噴嘴清洗處理中從噴嘴頭131所去除之髒污殘留於清洗槽51或清洗液供應部55(參考圖6)內部，亦可於噴嘴清洗處理前將此髒污去除。因此，於其後進行之噴嘴清洗處理中，可防止如此之髒污再度附著於噴嘴頭131。

又，於上述例中，係使氣體從氣體供應部54噴出後，將清洗液貯存於清洗槽51並使其溢流，然而，使氣體從氣體供應部54噴出之處理，亦可於將清洗液貯存於清洗槽51並使其溢流之處理之後，或者前後進行。

更進一步的效果或變形例，可由熟悉本技術領域者輕易得知。因此，本發明之更廣泛之態樣，不限於如上所顯示且記述之特定詳細且代表性之實施形態。因此，於不脫離所附加之專利請求範圍及尤其均等物所定義之總括性發明概念之精神或範圍下，可做各種變更。