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TWI569089B - Multi-layer substrate, multi-layer substrate manufacturing method, multi-layer substrate quality management methods - Google Patents

Multi-layer substrate, multi-layer substrate manufacturing method, multi-layer substrate quality management methods Download PDF

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TWI569089B
TWI569089B TW101107732A TW101107732A TWI569089B TW I569089 B TWI569089 B TW I569089B TW 101107732 A TW101107732 A TW 101107732A TW 101107732 A TW101107732 A TW 101107732A TW I569089 B TWI569089 B TW I569089B
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multilayer
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TW101107732A
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岡村有造
生田順亮
Original Assignee
旭硝子股份有限公司
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Description

多層基板、多層基板之製造方法、多層基板之品質管理方法
本發明係關於一種多層基板、多層基板之製造方法、及多層基板之品質管理方法。
近年來，伴隨半導體元件之微細化，預計將代替先前之ArF雷射，而使用更短波長之EUV(Extreame Ultra-Violet，極紫外線)光之微影技術(EUVL，Extreme Ultra-violet Lithography)。此處，所謂EUV光係指軟X射線區域或真空紫外線區之波長之光，具體而言為波長0.2~100 nm左右之光。目前，作為微影光源主要研究波長為13.5 nm左右之光之使用。
又，伴隨半導體元件之微細化，微影技術中使用之光罩之缺陷問題變得明顯。尤其，光罩係對光罩基底進行圖案加工而製作，故光罩基底之缺陷問題變得明顯。
為避免光罩基底之缺陷問題，而開發有特定光罩基之缺陷位置，根據缺陷位置改變加工圖案之位置或方向之技術。又，為特定光罩基底之缺陷位置，而提出有形成表示光罩基底之基準位置之凹狀基準標記之技術(例如參照專利文獻1)。
光罩基底係將多層膜成膜於基板上而成之多層基板。於EUVL用光罩基底中，多層膜自基板側起依序包含反射EUV光之反射層、以及吸收EUV光之吸收層。
於先前之方法中，基板上之缺陷位置係將形成於基板上 之基準標記之位置作為基準位置而特定。又，基準標記係轉印於成膜在基板上之多層膜，故而，以被轉印之基準標記之位置為基準位置，特定構成多層膜之各功能層之缺陷位置(例如參照專利文獻2)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際專利公開第2010/110237號
專利文獻2：日本專利特開2004-193269號公報
此處，用於光罩製造步驟之電子束繪圖裝置係使用反射電子束，檢測轉印於多層膜之最上層之基準標記之位置。又，用於光罩製造步驟中之座標測定裝置或光罩外觀檢查裝置係檢測波長190~400 nm之反射紫外線後，檢測轉印於多層膜之最上層之基準標記之位置。
然而，先前之基準標記難以使用反射電子束或反射紫外線，檢測凹狀之基準標記之位置。其原因在於，每次以一層為單位積層功能層時，轉印於功能層之基準標記之邊緣會變圓。又，由於轉印於多層膜之最上層之基準標記之內底面、與多層膜之最上層由相同材料構成，故而，於存在基準標記之部分、及其周邊部分，反射電子束之強度或反射紫外線之強度之差較小。於專利文獻2中，記載有一種於超平滑基板之表面一部分，預先設置有凹部，進而沈積有多層膜而成之設置有基準標記的多層膜光罩基底，且記 載有形成於該基板上之基準標記，可進行電子束之圖案檢測之情況。然而，於基板上製成標記時，存在檢測信號變低，難以獲得要求之檢測位置精度之問題。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可利用反射電子束或反射紫外線，精度良好地檢測基準位置之多層基板、多層基板之製造方法、及多層基板之品質管理方法。
為解決上述目的，本發明提供一種多層基板，其係包含基板、及設置於該基板上之多層膜者，於上述多層膜之與上述基板側為相反側之表面，形成有表示上述多層基板之基準位置之凹狀或凸狀之基準標記，該基準標記之表面之至少一部分材料、與上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層之材料不同。
又，本發明係提供一種多層基板之製造方法，其係包含基板、及設置於該基板上之多層膜之多層基板之製造方法，且包括於上述多層膜之與上述基板側為相反側之表面，形成表示上述多層基板之基準位置之凹狀或凸狀之基準標記之步驟，該基準標記之表面之至少一部分材料、與上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層之材料不同。
進而，本發明係提供一種多層基板之品質管理方法，其係包含基板及設置於該基板上之多層膜、且於上述多 層膜之與上述基板側為相反側之表面形成有表示上述多層基板之基準位置之凹狀或凸狀之基準標記的多層基板之品質管理方法，且包括：特定步驟，其係於上述基板上使上述多層膜成膜前，以位於上述基板上之凹狀或凸狀之臨時基準標記的位置為基準位置，特定位於上述基板上之缺陷位置，及/或於上述多層膜之成膜過程中，以位於上述基板上之凹狀或凸狀之臨時基準標記的位置為基準位置，特定上述多層膜中之至少一層之缺陷位置；檢測步驟，其係檢測上述臨時基準標記與上述基準標記之位置關係；以及換算步驟，其係基於上述檢測步驟之結果，將上述特定步驟中特定之缺陷位置，換算為以上述基準標記之位置為基準位置之位置；上述基準標記之表面之至少一部分之材料、與上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層之材料不同。
進而，本發明又提供一種多層基板之品質管理方法，其係包含基板及設置於該基板上之多層膜、且於上述多層膜之與上述基板側為相反側之表面形成有表示上述多層基板之基準位置之凹狀或凸狀之基準標記的多層基板之品質管理方法，且包括特定步驟，該特定步驟係於上述基板上使上述多層膜成膜前，以位於上述基板上之凹狀或凸狀之臨時基準標記的位置為基準位置，特定位於上述基板上之缺陷位置， 及/或於上述多層膜之成膜過程中，以位於上述基板上之凹狀或凸狀之臨時基準標記之位置為基準位置，特定上述多層膜中至少一層之缺陷位置，上述基準標記係形成為於俯視圖中，與上述臨時基準標記疊合，且上述基準標記之表面之至少一部分之材料、與上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層之材料不同。
根據本發明，可提供一種可利用反射電子束或反射紫外線精度良好地檢測基準位置之多層基板、多層基板之製造方法、及多層基板之品質管理方法。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態，於各圖式中，關於同一或對應之構成，標註同一或對應之符號，並省略說明。
[第1實施形態]
圖1係本發明第1實施形態之EUVL用光罩基底之剖面圖。圖2係將光罩基底進行圖案加工而成之光罩之一例之剖面圖。
EUVL用光罩基底10係如圖1所示包括例如基板20、及形成於基板20上之多層膜30。多層膜30係自基板20側起依序包括反射EUV光之反射層31、保護反射層31之保護層32、用於圖案加工之緩衝層33、吸收EUV光之吸收層34、及相對檢查光具有低於吸收層34之反射率之低反射層35。再 者，保護層32、緩衝層33、及低反射層35係任意之構成，且多層膜30可不包括保護層32、緩衝層33、及低反射層35。多層膜30亦可更包括其他功能層。
EUVL用光罩基底10係依照普通之光罩製作製程進行圖案加工，成為光罩100(參照圖2)。例如，於光罩基底10之多層膜30上塗佈光阻膜進行加熱後，實施電子束或紫外線之繪圖。此時，相應於多層膜30中之至少一層之缺陷位置或存在於基板表面之缺陷位置，調整繪圖圖案之位置或朝向。繼而，藉由顯影、蝕刻而將吸收層34或低反射層35之多餘部分及光阻去除，獲得光罩100。
光罩100係包括圖1所示之低反射層35、將吸收層34進行圖案加工而成之低反射層135、及吸收層134。照射於光罩100上之EUV光係於存在吸收層134之部分被吸收，且於不存在吸收層134之部分由反射層31進行反射。由反射層31反射之EUV光係藉由包含凹面鏡等之成像光學系統，而成像於曝光材料之表面上。
其次，說明光罩基底10之各構成。
基板20係用於將多層膜30成膜者。表示基板20之表面粗糙度之RMS(Root Mean Square，均方根)係例如為0.15 nm以下，且基板20之平坦度係例如為100 nm以下。基板20係於作為光罩基底所使用之溫度區域中要求熱膨脹係數接近0，例如較佳為0±0.05×10-7/℃之範圍內，進而較佳為0±0.03×10-7/℃之範圍內。
基板20係由耐化學藥品性、耐熱性優異且熱膨脹係數較 小之玻璃構成。作為玻璃，使用例如以SiO2為主成分之石英玻璃。石英玻璃可為含有TiO2者。TiO2之含量係例如為1~12質量%。再者，基板20亦可由玻璃以外之矽或金屬等構成。
基板20之背面21(與形成有上述多層膜一側之面為相反側之面)，形成有靜電吸附用之導電層22。導電層22係以薄片電阻達到100 Ω/□以下之方式選擇構成材料之導電率及厚度。作為導電層22之構成材料，使用例如Si、TiN、Mo、Cr、CrN、及TaSi等。該等之中，較佳為因導電層22表面之表面粗糙度較小而與吸持面之密接性優異、且因導電層22之薄片電阻較低而吸持力優異之CrN膜。
導電層22之厚度係例如為10~1000 nm。
作為導電層22之成膜方法，使用有眾所周知之成膜方法、例如磁控濺鍍法、離子束濺鍍法之類的濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition化學氣相沈積)法、真空蒸鍍法、及電解電鍍法等。
於基板20之表面23(形成有上述多層膜一側之面)，成膜有多層膜30，但於使多層膜30成膜前，形成有表示基板20之基準位置之凹狀或凸狀之臨時基準標記(本實施形態中為凹狀之臨時基準標記)40。因此，於使多層膜30成膜之前(更詳細而言，於使最初之層、即反射層31成膜之前)，可以臨時基準標記40之位置為基準位置，特定基板20之缺陷位置，並記錄於磁記錄媒體、光記錄媒體、電子記錄媒體、及紙等記錄媒體中。
圖3係基板及臨時基準標記之一例之俯視圖。如圖3所示，臨時基準標記40係形成3個以上(圖3中為4個)。3個以上之臨時基準標記40並非配置於同一直線上。3個以上之基準點之中，1個基準點成為原點，連接原點與另1個基準點之直線成為X軸，連接原點與剩餘1個基準點之直線成為Y軸。X軸及Y軸可相互正交。
臨時基準標記40係形成於後續步驟中不使用之區域(例如，於光罩之製造步驟中不進行圖案加工之區域)，具體而言，形成於基板20之外周部。
臨時基準標記40係如圖1所示，轉印於依次成膜於基板20上之反射層31、保護層32、緩衝層33、吸收層34、及低反射層35。由此，可以經轉印之臨時基準標記41~45之位置為基準位置，特定各層31~35之缺陷位置(X座標、Y座標)，並記錄於記錄媒體中。
記錄之缺陷位置資訊係供光罩100之製造步驟使用。再者，雖詳情下文描述，但以臨時基準標記40之位置(更詳細而言為臨時基準標記40~45之位置)為基準位置而特定之缺陷位置係換算為以基準標記50之位置作為基準位置之位置(座標轉換)後，供光罩100之製造步驟使用。
於光罩100之製造步驟中，可基於提供之資訊，獲知光罩基底10之缺陷位置(包括深度)，從而可藉由改變例如吸收層34之加工圖案之位置或方向等，而製造高品質之光罩100。又，即便先前因光罩基底10之一部分中包含缺陷而廢棄者，亦可供光罩100之製造步驟使用。
臨時基準標記40之形狀係於俯視圖(自與基板20之表面23相正交之方向觀察)中為例如圖3所示之四邊形、或三角形、圓形、橢圓形或菱形等，且於側視圖中為例如圖1所示之四邊形、或三角形或半圓形等。
臨時基準標記40之尺寸係於例如俯視圖中，最大長度為200 nm以下，較佳為70 nm以下，進而較佳為50 nm以下，且最小長度為10 nm以上，較佳為30 nm以上。凹狀之臨時基準標記40之最大深度為20 nm以下，較佳為10 nm以下，進而較佳為5 nm以下，凹狀之臨時基準標記40之最小深度為1 nm以上，較佳為2 nm以上。若為具有該範圍之尺寸之臨時基準標記40，則可利用將紫外光或可見光用作光源之市售之光罩基底或玻璃基板之自動缺陷檢查裝置(例如LASERTEC公司製造之M7360等)，精度良好地檢測臨時基準標記40之位置，從而可以充分之精度特定多層膜30中之至少一層之缺陷位置或存在於基板20之表面23之缺陷位置。
凹狀之臨時基準標記40係將基板20之表面23之一部分去除而形成。作為去除方法，使用有雷射剝離法、FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)法、奈米壓痕法、微機械加工法(例如，使用Rave公司製造之nm450之機械微細加工法)、使用光阻之圖案化及蝕刻之微影法等。尤其適合使用FIB法、微機械加工法、及雷射剝離法。
作為凹狀之臨時基準標記40，亦可利用基板20之表面23上存在之實際缺陷、例如因研磨或洗淨產生之凹洞等凹缺 陷。
再者，關於凸狀之臨時基準標記之形成方法，將於第2實施形態中進行說明。
反射層31係反射EUV光之層。將照射至光罩100中不存在吸收層134之部分之EUV光係由反射層31反射。其反射率(波長13.5 nm左右之光線反射率)之最大值係例如為60%以上，較佳為65%以上。
反射層31係包含例如使高折射率層與低折射率層交替反覆積層所得之多層結構。高折射率層可使用Mo層，低折射率層可使用Si層。即，反射層31可為Mo/Si多層反射層。Mo層之厚度、Si層之厚度、及重複次數係分別適當設定，例如Mo層之厚度為2.3±0.1 nm，Si層之厚度為4.5±0.1 nm，重複次數為30~60。
再者，反射層31並無特別限定，例如可為Ru/Si多層反射層、Mo/Be多層反射層、Mo化合物/Si化合物多層反射層、Si/Mo/Ru多層反射層、Si/Mo/Ru/Mo多層反射層、及Si/Ru/Mo/Ru多層反射層等。
作為反射層31之成膜方法，採用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等成膜方法。於使用離子束濺鍍法形成Mo/Si多層反射層之情形時，交替重複進行使用Mo靶將Mo層成膜之步驟、及使用Si靶將Si層成膜之步驟。
保護層32係發揮防止反射層31氧化之作用之層。作為保護層32之材料，可使用Si、Ti、Ru、Rh、C、SiC、或該等元素、化合物之混合物、或者於該等元素、化合物中添加 N、O或B等者等。
於使用Ru作為保護層32之材料之情形時，保護層之層厚可形成為較薄之2~3 nm，且兼具下述緩衝層33之功能，故而尤佳。又，於反射層31為Mo/Si多層反射層之情形時，可藉由將最上層設為Si層，而使該最上層發揮保護層之功能。於此情形時，最上層之Si層之層厚係厚於通常之4.5 nm，較佳為5~15 nm。又，於此情形時，亦可於最上層之Si層上，使兼作保護層與緩衝層之Ru膜成膜。再者，保護層32並非必需為1層，亦可為2層以上。
作為保護層32之成膜方法，使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等成膜方法。
緩衝層33將於下文詳細描述，但可發揮於光罩100之製造步驟中，防止因吸收層34之蝕刻製程(通常為乾式蝕刻製程)而使反射層31受到損傷的所謂蝕刻終止層之作用。
作為緩衝層33之材質，選擇不易受到吸收層34之蝕刻製程之影響、即其蝕刻速度慢於吸收層34且不易受到該蝕刻製程之損傷之物質。作為滿足該條件之物質，可例示例如Cr、Al、Ru、Ta及該等之氮化物、以及SiO2、Si3N4、Al2O3或該等之混合物。該等之中，較佳為Ru、CrN及SiO2，更佳為CrN及Ru，Ru因兼具保護層32及緩衝層33之功能，故尤佳。
緩衝層33之膜厚較佳為1~60 nm。
作為緩衝層33之成膜方法，使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾所周知之成膜方法。
吸收層34係吸收EUV光之層。對吸收層34尤其要求之特性係可以使形成於EUV用光罩100上之圖案，經由EUVL曝光機之投影光學系統，準確地轉印於晶圓上之光阻膜之方式，調整來自吸收層34之反射光之強度、相位。
該具體方法存在2種，第1種係使來自吸收層34之反射光之強度儘量變小之方法，且以使來自吸收層34表面之EUV光之反射率成為1%以下、尤其成為0.7%以下之方式，調整吸收層34之膜厚及材料。又，第2種係利用來自反射層31之反射光與來自吸收層34(於吸收層表面形成有低反射層時為低反射層)之反射光之干涉效應之方法，且以使來自吸收層34(於吸收層表面形成有低反射層時為低反射層)之EUV光之反射率為5~15%，且使來自反射層31之反射光與來自吸收層34(於吸收層表面形成有低反射層時為低反射層)之反射光之相位差成為175~185度之方式，調整吸收層34(於吸收層表面形成有低反射層時為低反射層)之膜厚及材料。
於任一種方法中，作為構成吸收層34之材料，較佳為含有40 at%以上、較佳為50 at%以上、更佳為55 at%以上之Ta之材料。作為以用於吸收層34之Ta為主成分之材料，較佳為除了含有Ta以外，且含有Hf、Si、Zr、Ge、B、Pd、H及N中之至少1種以上之元素。
作為含有Ta以外之上述元素之材料之具體例，例如可列舉TaN、TaNH、TaHf、TaHfN、TaBSi、TaBSiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN、 TaPd、及TaPdN等。其中，吸收層34中，較佳為不含氧。
具體而言，吸收層34中之氧含有率較佳為未達25 at%。於光罩基底之吸收層34形成光罩圖案，製作EUV用光罩100時，通常使用乾式蝕刻製程，且作為蝕刻氣體，通常使用氯氣(含有混合氣體)或氟系氣體(含有混合氣體)。
於以防止蝕刻製程造成之反射層31之損傷為目的，在反射層31上形成含有Ru或Ru化合物之膜作為保護層32之情形時，因保護層32之損傷較少，故主要使用氯氣作為吸收層34之蝕刻氣體。然而，於使用氯氣，實施吸收層34之乾式蝕刻製程之情形時，若吸收層34含有氧，則蝕刻速度下降，光阻膜之損傷變大，故而欠佳。作為吸收層34中之氧含有率，更佳為15 at%以下，進而較佳為10 at%以下，尤佳為5 at%以下。
於上述第一方法之情形時、即為使來自吸收層34表面之EUV光之反射率為1%以下，尤其為0.7%以下，吸收層34之厚度較佳為60 nm以上，尤佳為70 nm以上。又，於上述第2方法之情形時，較佳為40 nm~60 nm之範圍，尤佳為45 nm~55 nm之範圍。
作為吸收層34之成膜方法，使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等成膜方法。
吸收層34係於光罩100之製造步驟中，進行圖案加工，而成為吸收層134。
低反射層35係相對於檢查圖2所示之吸收層134之圖案形狀之檢查光，具有低於吸收層34之反射率之層。作為檢查 光，通常使用波長257 nm左右之光。
吸收層134之圖案形狀之檢查係利用於存在吸收層134之部分、及不存在吸收層134之部分中，檢查光之反射率不同而進行。於不存在吸收層134之部分中，通常露出有保護層32。
於存在吸收層134之部分，若積層有低反射層135，則於存在吸收層134之部分與不存在吸收層134之部分，檢查光之反射率之差變大，故檢查精度提高。
低反射層35係包含檢查光之波長中之折射率低於吸收層34之材料。具體而言，可列舉以Ta為主成分之材料。又，除Ta以外，較佳為含有Hf、Ge、Si、B、N、H、及O中之至少1種以上之元素。作為具體例，例如可列舉TaO、TaON、TaONH、TaBO、TaHfO、TaHfON、TaBSiO、TaBSiON、SiN、及SiON等。
於在吸收層34上形成低反射層35之情形時，吸收層34及低反射層35之厚度之總計較佳為10~65 nm，更佳為30~65 nm，進而較佳為35~60 nm。又，若低反射層35之層厚厚於吸收層34之層厚，則存在吸收層34中之EUV光吸收特性下降之虞，故而，較佳為低反射層35之層厚薄於吸收層34之層厚。因此，低反射層35之厚度較佳為1~20 nm，更佳為3~15 nm，進而較佳為5~10 nm。
作為低反射層35之成膜方法，使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等成膜方法。
又，多層膜30亦可包含硬質光罩等功能層。硬質光罩係 形成於吸收層34(於吸收層34上形成有低反射層35，且硬質光罩不具有低反射層35之功能之情形時為低反射層35)之面上者，且上述乾式蝕刻速度慢於吸收層34及/或低反射層35，因此，可使光阻膜之膜厚變薄，從而製成更微細之圖案。作為此種硬質光罩之材料，可使用Cr2O3、Ru、Cr(N、O)等，且其膜厚較佳為2~10 nm。
於上述構成之多層膜30之表面36(與基板20側為相反側之面)中，形成有表示光罩基底10之基準位置之凹狀或凸狀(本實施形態中為凹狀)之基準標記(Fiducial Mark)50。基準標記50係於多層膜30之成膜後形成，故而，與轉印於多層膜30之最上層(與基板20側為相反側之最表層)之臨時基準標記45相比，邊緣較為銳利且側壁角度亦較為陡峭，因此可精度良好地進行檢測。
圖4係表示凹狀之基準標記之剖面分佈、及轉印於多層膜之最上層之凹狀臨時基準標記的剖面分佈之一例之圖。於圖4中，實線表示凹狀之基準標記之剖面分佈之一例，虛線表示轉印於多層膜之最上層之凹狀臨時基準標記的剖面分佈之一例。圖4所示之例係於摻雜有TiO2之石英玻璃基板上，依序積層有反射層(積層40層之Mo/Si，厚度約為280 nm)、保護層(厚度為2.5 nm之Ru層)、吸收層(厚度為51 nm之TaN層)、及低反射層(厚度為7 nm之TaON層)。使形成於基板上之臨時基準標記之深度、及形成於低反射層上之基準標記之深度分別為約80 nm。由圖4可知，凹狀之基準標記之剖面分佈係相較轉印於多層膜之最上層的凹狀 之臨時基準標記之剖面分佈，較為陡峭。
圖5係光罩基底及基準標記之一例之俯視圖。
基準標記50係形成為與目的相應之形狀，例如，如圖5所示，在俯視圖(自與表面36相正交之方向觀察)中形成為十字狀。1個直線狀部分之中心線、與剩餘之直線狀部分的中心線之交點成為基準點。各直線狀部分具有例如4.5~5.5 μm之寬度W、及100~500 μm之長度L。
基準標記50係形成有3個以上。3個以上之基準標記50並未配置於同一直線上。於3個以上之基準點中，1個基準點成為原點，連接原點與另1個基準點之直線成為X軸，連接原點與剩餘之1個基準點之直線成為Y軸。X軸及Y軸可相互正交。
基準標記50係形成於多層膜30之表面36中之後續步驟中不使用之區域(例如，於光罩之製造步驟中不進行圖案加工之區域)，具體而言，形成於多層膜30之外周部。
凹狀之基準標記50較佳為包含與多層膜30之表面36大致垂直之階差面51、及與多層膜30之表面36大致平行之偏移面(內底面)52，以使邊緣變得銳利。
凹狀之基準標記50係將多層膜30之表面36之一部分去除而形成。作為去除方法，使用雷射剝離法、FIB(Focused Ion Beam)法、使用光阻之圖案化及蝕刻之微影法、奈米壓痕法、微機械加工法(例如，使用Rave公司製造之nm450之機械微細加工法)等。尤其適合使用FIB法或微影法。
再者，關於凸狀之基準標記之形成方法，將於第2實施 形態中進行說明。
凹狀之基準標記50係如圖1所示，以貫通多層膜30中之至少最上層(與基板20側為相反側之最表層)之方式形成。因此，凹狀之基準標記50之表面(階差面51及偏移面52)之一部分(偏移面52)包含與多層膜30之最上層不同之材料，故而，可精度良好地檢測基準標記50之位置。該效果係於使用反射電子束或反射紫外線檢測基準標記50之位置時尤為顯著。其原因在於，反射電子像之強度與2次電子像相比，材料不同產生之對比度較強。又，反射紫外線之強度係依存於材料之種類等，可由材料不同而獲得較強之對比度。
圖6係材料不同造成的反射電子像(SEM(scanning electron microprobe，掃描式電子顯微鏡)照片)之對比度差異之說明圖。圖6所示之多層基板係於基板上形成反射層，且於反射層上形成吸收層者。基板係摻雜有TiO2之石英玻璃基板，反射層係Mo/Si多層反射層，吸收層係TaN層。於圖6中，左上部分201係反射層上未積層吸收層且反射層露出之部分之反射電子像，左下部分202係反射層上積層有厚度為35 nm之吸收層之部分之反射電子像。又，於圖6中，右上部分203係反射層上積層有厚度為77 nm之吸收層之部分之反射電子像，右下部分204係反射層上積層有厚度為112 nm之吸收層之部分之反射電子像。由圖6可知，反射電子像中，由材料不同產生之對比度強於由凹凸產生之對比度。
較佳為，構成凹狀之基準標記50的內底面52之材料之質子數、與構成多層膜30之最上層的材料之質子數之差充分大，以使反射電子像中之對比度變強。
圖7係由材料不同產生之紫外線區反射率光譜差異之說明圖。於圖7中，A表示於基板上形成有反射層(積層40層之Mo/Si)之多層基板之光譜，B表示於基板上積層有反射層(積層40層之Mo/Si)、吸收層(厚度為77 nm之TaN層)之多層基板之光譜，C表示於基板上積層有反射層(積層40層之Mo/Si，厚度約為280 nm)、吸收層(厚度為77 nm之TaN層)、低反射層(厚度為7 nm之TaON層)之多層基板之光譜。可知3種多層基板之紫外線區反射率相互不同，且於構成凹狀之基準標記50之內底面52之材料與構成多層膜30之最上層之材料不同之情形時，利用由紫外線區之反射率之差異產生之對比度，易於藉由反射紫外線來檢測基準標記50。
凹狀之基準標記50係如圖1所示，可以除貫通低反射層35以外，且貫通吸收層34之方式形成。其原因在於，低反射層35與吸收層34大多包含類似之材料。
凹狀之基準標記50係如圖1所示，可以除貫通低反射層35及吸收層34以外，且貫通緩衝層33之方式形成，亦可以貫通緩衝層33及保護層32之方式形成。再者，凹狀之基準標記50可以不僅進而貫通保護層32，且貫通反射層31之方式形成。
凹狀之基準標記50之內底面52係於本實施形態中，存在 於反射層31，但亦可存在於吸收層34、緩衝層33、保護層32、及基板20中之任一者，亦可遍佈複數層功能層。
凹狀之基準標記50之深度係根據低反射層35、吸收層34、緩衝層33、保護層32、及反射層31之厚度等而適當設定，但例如為2~300 nm，較佳為7~150 nm，更佳為40~120 nm。
再者，本實施形態係對多層膜30之最上層為低反射層35之情形進行說明，但亦可無低反射層35，且吸收層34為最上層。於此情形時，凹狀之基準標記50可以貫通吸收層34之方式形成，且可以不僅貫通吸收層34而且貫通保護層32或反射層31之方式形成，凹狀之基準標記50之內底面52包含緩衝層33、保護層32、反射層31、及基板20中之任一者即可，亦可遍佈複數層之功能層。
[第2實施形態]
上述第1實施形態係將臨時基準標記及基準標記形成為凹狀。
與此相對，本實施形態係將臨時基準標記及基準標記形成為凸狀。
以下，說明本實施形態之光罩基底之構成，而臨時基準標記及基準標記之形狀以外之構成係與第1實施形態為相同構成，故說明省略。
圖8係本發明第2實施形態之EUVL用光罩基底之剖面圖。
凸狀之臨時基準標記40A係於基板20之表面23，在使多 層膜30成膜之前形成。因此，於使多層膜30成膜之前(更詳細而言，於使最初之層、即反射層31成膜之前)，可以臨時基準標記40A之位置為基準位置，特定基板20之缺陷位置，並記錄於磁記錄媒體、光記錄媒體、電子記錄媒體、及紙等記錄媒體。
凸狀之臨時基準標記40A之形狀係於俯視圖(自與基板20之表面23相正交之方向觀察)中例如為四邊形、或者三角形、圓形、橢圓形或菱形等，且於側視圖中，例如為圖8所示之四邊形、或者三角形或半圓形等。
凸狀之臨時基準標記40A之尺寸係例如於俯視圖中，最大長度為200 nm以下，較佳為70 nm以下，進而較佳為50 nm以下，且最小長度為10 nm以上，較佳為30 nm以上。臨時基準標記40A之最大高度為20 nm以下，較佳為10 nm以下，進而較佳為5 nm以下，又，臨時基準標記40A之最小高度為1 nm以上，較佳為2 nm以上。若為具有該範圍之尺寸之臨時基準標記40A，則可利用以紫外光或可見光為光源之市售之光罩基底或玻璃基板之自動缺陷檢查裝置(例如LASERTEC公司製造之M7360等)，精度良好地檢測臨時基準標記40A之位置，從而可以充分之精度特定多層膜30中至少一層之缺陷位置或基板20之表面23中存在之缺陷位置。
凸狀之臨時基準標記40A係於基板20之表面23局部地使膜成膜而形成。作為具體方法，存在如下之方法：根據需要沈積之材料選擇適當之氣體，且於含有鉑或鎢等金屬化 合物(例如六羰基鎢)或烴化合物(萘或菲等)之氣體環境中，照射離子束或電子束，藉此，促進金屬化合物之分解反應，從而局部地沈積金屬膜。
再者，作為凸狀之臨時基準標記40A，亦可使用存在於基板20之表面23之實際缺陷、例如源自洗淨或環境之附著於表面之微粒等凸缺陷。
臨時基準標記40A係如圖8所示，轉印於依次成膜於基板20上之反射層31、保護層32、緩衝層33、吸收層34、及低反射層35。因此，可以經轉印之臨時基準標記41A~45A之位置為基準位置，特定各層31~35之缺陷位置(X座標、Y座標)，並記錄於記錄媒體中。
記錄之缺陷位置資訊係供光罩之製造步驟使用。再者，詳細情況將於第4之實施形態中說明，但以臨時基準標記40A之位置(更詳細而言為臨時基準標記40A~45A之位置)為基準位置而特定之缺陷位置係換算為以基準標記50A之位置為基準位置之位置後，供光罩之製造步驟使用。
於光罩之製造步驟中，可基於提供之資訊，得知光罩基底10A之缺陷位置(包括深度)，且可藉由改變例如吸收層34之加工圖案之位置或方向等而製造高品質之光罩。又，即便先前因光罩基底10A之一部分中包含缺陷而廢棄者，亦可供光罩之製造步驟使用。
凸狀之基準標記50A係形成於多層膜30之表面(與基板20側為相反側之面)36。基準標記50A係於多層膜30成膜後形成，故與轉印於多層膜30之最上層之臨時基準標記45A相 比，邊緣較為銳利，從而可精度良好地檢測。
凸狀之基準標記50A係形成為與目的相應之形狀，但與第1實施形態相同，例如，形成為俯視圖(自與表面36相正交之方向觀察)中為十字狀。1個直線狀部分之中心線、與剩餘之直線狀部分之中心線之交點成為基準點。
凸狀之基準標記50A係形成有3個以上。3個以上之基準標記50A並非配置於同一直線上。3個以上之基準點中，1個基準點成為原點，連接原點與另1個基準點之直線成為X軸，連接原點與剩餘之1個基準點之直線成為Y軸。X軸及Y軸可相互正交。
凸狀之基準標記50A係形成於多層膜30之表面36中之後續步驟中不使用之區域(例如，於光罩之製造步驟中不進行圖案加工之區域)，具體而言，形成於多層膜30之外周部。
凸狀之基準標記50A較佳為包含與多層膜30之表面36大致垂直之階差面51A、及與多層膜30之表面36大致平行之偏移面(內底面)52A，以使邊緣變得銳利且側壁角度變得陡峭。
凸狀之基準標記50A之高度係根據多層膜30之最上層之材料或厚度等適當設定，但例如為2~300 nm，較佳為7~150 nm，更佳為40~120 nm。
凸狀之基準標記50A係於多層膜30之最上層上，積層與該最上層不同之材料而形成。具體而言，具有在最上層上使與最上層不同材料之膜成膜，且使用微影法進行加工之 方法；及於最上層上局部地使與最上層不同之材料成膜之方法。作為後者之方法，具有如下方法：根據欲沈積之材料選擇適當之氣體，且於含有鉑或鎢等金屬化合物(例如六羰基鎢)或烴化合物(萘或菲等)之氣體環境中，照射離子束或電子束，藉此，促進金屬化合物之分解反應，從而局部地沈積金屬膜。
因此，基準標記50A之表面51A、52A包含與多層膜30之最上層不同之材料，因此，可精度良好地檢測基準標記50A之位置。該效果於使用反射電子束或反射紫外線檢測基準標記50A之位置之情形時尤為顯著。其原因在於，反射電子束之強度相較2次電子像，由材料不同所致之對比度較強。又，反射紫外線之強度係依存於材料之種類等，且可由材料不同而獲得較強之對比度。
再者，本實施形態係對多層膜30之最上層為低反射層35之情形進行說明，但亦可無低反射層35，且吸收層34為最上層。
[第3實施形態]
本實施形態係關於上述光罩基底10之製造方法。再者，上述光罩基底10A之製造方法亦為相同。
圖9係本發明第3實施形態之光罩基底之製造方法之流程圖。
光罩基底10之製造方法係包括準備基板20之步驟S101、於基板20之表面23形成臨時基準標記40之步驟S102、於基板20之背面21使導電層22成膜之步驟S103、於基板20之表 面23使多層膜30成膜之步驟S104~S108、及於多層膜30之表面36形成基準標記50之步驟S109。於各步驟S101~S109之間，可具有洗淨步驟或乾燥步驟等。
使多層膜30成膜之步驟係包括例如於基板20之表面23形成反射層31之步驟S104、於反射層31上形成保護層32之步驟S105、於保護層32上形成緩衝層33之步驟S106、於緩衝層33上形成吸收層34之步驟S107、及於吸收層34上形成低反射層35之步驟S108。
再者，光罩基底10之製造方法可不包含形成臨時基準標記40之步驟S102。於此情形時，代替使用存在於基板20之表面23之凹狀或凸狀之缺陷，作為臨時基準標記。
又，形成導電層22之步驟S103，亦可於使多層膜30成膜之步驟S104~S108之後進行，且其順序並無限制。
[第4實施形態]
本實施形態係關於上述之光罩基底10之品質管理方法。再者，上述光罩基底10A之品質管理方法亦為相同。
圖10係本發明第4實施形態之光罩基底之品質管理方法之流程圖。
光罩基底10之品質管理方法係包括第1特定步驟S201，該第1特定步驟S201係以臨時基準標記40之位置為基準位置，特定基板20之表面23之缺陷位置。
第1特定步驟S201係為提高特定精度，而於在基板20之表面23使多層膜30成膜之步驟S104~S108(參照圖9)之前(更詳細而言，在使最初之層成膜之步驟S104之前)進行。再 者，第1特定步驟S201係利用臨時基準標記40，故於形成臨時基準標記40之步驟S102(參照圖9)之後進行。
第1特定步驟S201可特定缺陷位置，並且特定缺陷之種類(例如，凹狀、凸狀之區別)。關於缺陷之資訊係記錄於記錄媒體中。再者，於無缺陷之情形時，將無缺陷之內容之資訊記錄於記錄媒體中。
特定缺陷位置之方法可為普通方法，例如存在於試驗體(基板20)之表面上掃描紫外線、真空紫外線、及軟X射線等光點，接收來自試驗體之散射光，從而特定缺陷位置之方法等。亦可使用反射光或透射光代替散射光。
光罩基底10之品質管理方法可更包括第2特定步驟S202，該第2特定步驟S202係於多層膜30之成膜過程中，以臨時基準標記40之位置為基準位置，特定多層膜30中之至少一層之缺陷位置。
第2特定步驟S202係如圖10所示，可為例如特定反射層31、保護層32及緩衝層33之缺陷位置之步驟。於此情形時，使用轉印於緩衝層33之臨時基準標記43之位置作為臨時基準標記40之位置。
第2特定步驟S202係於形成反射層31、保護層32及緩衝層33之步驟S104、S105、及S106(參照圖9)之後，且於形成吸收層34之步驟S107(參照圖9)之前進行。
再者，反射層31、保護層32及緩衝層33，一般而言，大多連續地成膜，故集中地特定缺陷位置，但本發明並不限於此。例如反射層31之缺陷位置可於保護層32之形成前特 定，保護層32之缺陷位置可於緩衝層33之形成前特定。
第2特定步驟S202可特定缺陷位置，並且特定缺陷之種類(例如，凹狀、凸狀之區別)。關於缺陷之資訊係記錄於記錄媒體中。再者，於無缺陷之情形時，將無缺陷之內容之資訊記錄於記錄媒體中。
特定缺陷位置之方法可為與第1特定步驟S201中使用之方法相同之方法。
光罩基底10之品質管理方法可更包括第3特定步驟S203，該第3特定步驟S203係以臨時基準標記40之位置為基準位置，特定多層膜30中之其他層之缺陷位置。
第3特定步驟S203係如圖10所示，可為例如特定吸收層34及低反射層35之缺陷位置之步驟。於此情形時，使用轉印於低反射層35之臨時基準標記45之位置，作為臨時基準標記40之位置。
第3特定步驟S203係於形成低反射層35之步驟S108(參照圖9)之後，且形成基準標記50之步驟S109(參照圖9)之前進行。
再者，吸收層34與低反射層35，一般而言大多為連續地成膜，故集中地特定缺陷位置，但本發明並不限於此。例如吸收層34之缺陷位置可於低反射層35之形成前特定。
第3特定步驟S203可特定缺陷位置，並且特定缺陷之種類(例如，凹狀、凸狀之區別)。關於缺陷之資訊係記錄於記錄媒體中。再者，於無缺陷之情形時，將無缺陷之內容之資訊記錄於記錄媒體中。
特定缺陷位置之方法可與第1特定步驟S201中使用之方法相同之方法。
光罩基底10之品質管理方法更包括檢測步驟S204，該檢測步驟S204係檢測臨時基準標記40之位置(更詳細而言為轉印於多層膜30之最上層之臨時基準標記45之位置)與基準標記50之位置之位置關係。檢測步驟S204係利用基準標記50，故於形成基準標記50之步驟S109(參照圖9)之後進行。
檢測臨時基準標記45之位置與基準標記50之位置之位置關係之方法可與第1特定步驟S201中使用之缺陷位置之特定方法相同。
光罩基底10之品質管理方法更包含換算步驟S205，該換算步驟S205係基於檢測步驟S204中之檢測結果，將於第1~第3特定步驟S201~S103中經特定之缺陷位置，換算為以基準標記50之位置為基準位置之位置。以基準標記50之位置為基準位置而特定之缺陷位置資訊係記錄於記錄媒體中，且於光罩100之製造步驟中使用。
如此般，本實施形態係於第1特定步驟S201中，於在基板20上成膜多層膜30之前，特定基板20之缺陷位置，故特定精度良好。又，於第2特定步驟S202中，於多層膜30之成膜過程中，特定多層膜30中之至少一層之缺陷位置，故特定精度良好。
再者，雖使本實施形態之品質管理方法包括第1特定步驟S201、及第2特定步驟S202兩者，其亦可僅包括其中一 步驟。若包括其中一步驟，則特定精度提高。
經特定之缺陷位置係基於臨時基準標記40與基準標記50之位置關係，換算為以基準標記50之位置為基準位置之位置，且供光罩100之製造步驟使用。
光罩100之製造步驟中使用之電子束繪圖裝置、座標測定裝置或光罩外觀檢查裝置可檢測反射電子束或反射紫外線，從而精度良好地檢測基準標記50之位置，且可基於由光罩基底10之供給源提供之資訊，精度良好地獲知缺陷位置。
再者，本實施形態之品質管理方法係使特定吸收層34及低反射層35之缺陷位置之第3特定步驟S203於形成基準標記50之步驟S109(參照圖9)之前實施，但亦可於步驟S109之後實施。於此情形時，第3特定步驟S203可以基準標記50之位置為基準位置而代替臨時基準標記40，從而特定缺陷位置，且特定精度提昇。
[第5實施形態]
上述第1實施形態係將基準標記50形成於與臨時基準標記40充分分離之位置。
與此相對，本實施形態係將基準標記形成為在俯視圖中與臨時基準標記疊合。
以下，說明本實施形態之光罩基底之構成，而關於臨時基準標記及基準標記之形狀以外之構成，因與第1實施形態為相同之構成，故省略說明。
圖11係本發明第5實施形態之EUVL用光罩基底之剖面 圖。
臨時基準標記40係於基板20之表面23上形成為凹狀或凸狀(本實施形態中為凹狀)。又，基準標記50B係於多層膜30之表面36上形成為凹狀或凸狀(本實施形態中為凹狀)，且，以俯視圖中與臨時基準標記40疊合之方式形成。
因此，於光罩基底10A之品質管理方法中，無需檢測臨時基準標記40與基準標記50A之位置關係之檢測步驟S204(參照圖10)、及繼檢測步驟S204之後進行之換算步驟S205(參照圖10)。
凹狀之基準標記50B係如圖11所示，以貫通多層膜30中之至少最上層(與基板20側為相反側之最表層)之方式形成。因此，與上述第1實施形態同樣地，基準標記50B之表面51B、52B之一部分52B包含與多層膜30之最上層不同之材料，故可利用反射電子束或反射紫外線，精度良好地檢測基準標記50B之位置。
於凹狀之基準標記50B之內底面52B，因臨時基準標記40之影響，而可使反射層31、保護層32、緩衝層33、及吸收層34露出。
以上，說明了本發明之第1~第5之實施形態，但本發明並非限制於上述實施形態。可在不脫離本發明之範圍之情況下，對上述實施形態添加各種變形或置換。
例如，上述實施形態之多層基板係為EUVL用光罩基底，但只要為使用反射電子束、反射紫外線、及軟X射線等檢測基準位置者，則無特別限定。
又，於上述實施形態中，臨時基準標記之形狀與基準標記之形狀之組合並無限制，可組合使用凸狀之臨時基準標記與凹狀之基準標記，亦可組合使用凹狀之臨時基準標記與凸狀之基準標記。
本申請案係基於2011年3月7日申請之日本專利申請2011-049414者，且其內容作為參照併入本文。
10‧‧‧多層基板(EUVL用光罩基底)
10A‧‧‧多層基板(EUVL用光罩基底)
10B‧‧‧多層基板(EUVL用光罩基底)
20‧‧‧基板
21‧‧‧基板之背面
22‧‧‧導電層
23‧‧‧基板之表面
30‧‧‧多層膜
31‧‧‧反射層
32‧‧‧保護層
33‧‧‧緩衝層
34‧‧‧吸收層
35‧‧‧低反射層
36‧‧‧多層膜表面
40~45、 40A~45A‧‧‧臨時基準標記
50‧‧‧基準標記
51‧‧‧基準標記之階差面
52‧‧‧基準標記之偏移面(內底面)
50A‧‧‧基準標記
51A‧‧‧基準標記之階差面
52A‧‧‧基準標記之偏移面(內底面)
50B‧‧‧基準標記
51B‧‧‧基準標記之階差面
52B‧‧‧基準標記之偏移面(內底面)
100‧‧‧光罩
134‧‧‧吸收層
135‧‧‧低反射層
201‧‧‧反射電子像
202‧‧‧反射電子像
203‧‧‧反射電子像
204‧‧‧反射電子像
L‧‧‧長度
W‧‧‧寬度
圖1係本發明第1實施形態之EUVL用光罩基底之剖面圖。
圖2係將光罩基底進行圖案加工而成之光罩之一例之剖面圖。
圖3係基板及臨時基準標記之一例之俯視圖。
圖4係表示凹狀之基準標記之剖面分佈、及轉印於多層膜最上層之凹狀臨時基準標記的剖面分佈之一例之圖。
圖5係光罩基底及基準標記之一例之俯視圖。
圖6係材料不同情況下之反射電子像(SEM照片)的對比度差異之說明圖。
圖7係材料不同情況下之紫外線區反射率光譜之差異之說明圖。
圖8係本發明第2實施形態之EUV用光罩基底之剖面圖。
圖9係本發明第3實施形態之光罩基底之製造方法之流程圖。
圖10係本發明第4實施形態之光罩基底之品質管理方法之流程圖。
圖11係本發明第5實施形態之EUVL用光罩基底之剖面圖。
10‧‧‧多層基板(EUVL用光罩基底)
20‧‧‧基板
21‧‧‧基板之背面
22‧‧‧導電層
23‧‧‧基板之表面
30‧‧‧多層膜
31‧‧‧反射層
32‧‧‧保護層
33‧‧‧緩衝層
34‧‧‧吸收層
35‧‧‧低反射層
36‧‧‧多層膜表面
40~45‧‧‧臨時基準標記
50‧‧‧基準標記
51‧‧‧基準標記之階差面
52‧‧‧基準標記之偏移面(內底面)

Claims (11)

  1. 一種多層基板，其係包含基板、及設置於該基板上之多層膜者，且上述多層膜自上述基板側起依序包括反射EUV光之反射層、保護反射層之保護層、及吸收EUV光之吸收層，上述多層膜具有表示上述多層基板之基準位置之基準標記，上述基準標記包括凹狀結構或凸狀結構，上述凹狀結構形成於上述多層基板，且於上述多層膜中，自上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層貫穿至吸收層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層，上述凹狀結構之表面之至少一部份材料、與上述多層膜之上述最表層之材料不同，上述凸狀結構形成於上述多層膜之上述最表層之表面，具有包含與上述最表層材料不同之材料之表面。
  2. 如請求項1之多層基板，其中上述多層膜在上述吸收層之上具有低反射層，上述凹狀結構自上述多層膜之上述最表層貫穿至低反射層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至吸收層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層。
  3. 如請求項1或2之多層基板，其中上述多層膜在上述吸收層及上述保護層之間具有緩衝層，上述凹狀結構自上述多層膜之上述最表層貫穿至低反射層、自上述多層膜之 上述最表層貫穿至吸收層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至緩衝層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層。
  4. 一種多層基板之製造方法，其係包括於基板上形成多層膜之步驟、及形成表示上述多層基板之基準位置之基準標記之步驟，其中形成上述基準標記之步驟包含形成凹狀結構或凸狀結構之步驟，上述多層膜自上述基板側起依序包括反射EUV光之反射層、保護反射層之保護層、及吸收EUV光之吸收層，上述凹狀結構形成於上述多層基板，且於上述多層膜中，自上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層貫穿至吸收層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層，上述凹狀結構之表面之至少一部份材料、與上述多層膜之上述最表層之材料不同，上述凸狀結構形成於上述多層膜之上述最表層之表面，具有包含與上述最表層材料不同之材料之表面。
  5. 如請求項4之多層基板之製造方法，其中上述多層膜在上述吸收層之上具有低反射層，上述凹狀結構自上述多層膜之上述最表層貫穿至低反射層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至吸收層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層。
  6. 如請求項4或5之多層基板之製造方法，其中上述多層膜 在上述吸收層及上述保護層之間具有緩衝層，上述凹狀結構自上述多層膜之上述最表層貫穿至低反射層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至吸收層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至緩衝層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層。
  7. 一種多層基板之品質管理方法，其係包括：形成表示上述多層基板之基準位置之基準標記之步驟，其係於上述基板上形成上述多層膜前，以位於上述基板上之臨時基準標記的位置為基準位置，特定位於上述基板上之缺陷位置，於上述基板上形成上述多層膜以上述臨時基準標記的位置為基準位置，特定上述多層膜中之至少一層之缺陷位置；檢測上述臨時基準標記與上述基準標記之位置關係之步驟；以及基於上述臨時基準標記與上述基準標記之位置關係，將上述基板上之上述缺陷位置及上述多層膜之上述缺陷位置至少一個換算為上述基準標記之上述基準位置之步驟；其中形成上述基準標記之步驟包含形成凹狀結構或凸狀結構之步驟，上述多層膜自上述基板側起依序包括反射EUV光之反射層、保護反射層之保護層、及吸收EUV光之吸收層，上述凹狀結構形成於上述多層基板，且於上述多層膜中，自上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層貫 穿至吸收層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層，上述凹狀結構之表面之至少一部份材料、與上述多層膜之上述最表層之材料不同，上述凸狀結構形成於上述多層膜之上述最表層之表面，具有包含與上述最表層材料不同之材料之表面。
  8. 一種多層基板之品質管理方法，其係包括形成表示上述多層基板之基準位置之基準標記之步驟，該步驟係於上述基板上形成上述多層膜前，以位於上述基板上之臨時基準標記的位置為基準位置，特定位於上述基板上之缺陷位置，於上述基板上形成上述多層膜以上述臨時基準標記之位置為基準位置，特定上述多層膜中之至少一層之缺陷位置，其中上述基準標記係形成為於俯視圖中，與上述臨時基準標記疊合，形成上述基準標記之步驟包含形成凹狀結構或凸狀結構之步驟，上述多層膜自上述基板側起依序包括反射EUV光之反射層、保護反射層之保護層、及吸收EUV光之吸收層，上述凹狀結構形成於上述多層基板，且於上述多層膜中，自上述多層膜之與上述基板側為相反側的最表層貫穿至吸收層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層，上述凹狀結構之表面之至少一部份材料、與上述多層 膜之上述最表層之材料不同，上述凸狀結構形成於上述多層膜之上述最表層之表面，具有包含與上述最表層材料不同之材料之表面。
  9. 如請求項7或8之多層基板之品質管理方法，其中上述多層膜在上述吸收層之上具有低反射層，上述凹狀結構自上述多層膜之上述最表層貫穿至低反射層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至吸收層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層。
  10. 如請求項7或8之多層基板之品質管理方法，其中上述多層膜在上述吸收層及上述保護層之間具有緩衝層，上述凹狀結構自上述多層膜之上述最表層貫穿至低反射層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至吸收層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至緩衝層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層。
  11. 如請求項9之多層基板之品質管理方法，其中上述多層膜在上述吸收層及上述保護層之間具有緩衝層，上述凹狀結構自上述多層膜之上述最表層貫穿至低反射層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至吸收層、自上述多層膜之上述最表層貫穿至緩衝層、或自上述多層膜之上述最表層貫穿至整個反射層。
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