TWI564871B - 驅動器及顯示裝置 - Google Patents

Description

驅動器及顯示裝置

本發明是關於一種驅動器及顯示裝置，且特別是有關於一種具拉降單元的驅動器及顯示裝置。

一般而言，液晶顯示裝置包含有多個畫素單元、閘極驅動電路以及源極驅動電路。源極驅動電路係用以提供多個資料電壓訊號。閘極驅動電路包含多級移位暫存器電路，用以提供多個閘極訊號。閘極訊號用以控制畫素單元中的畫素電晶體的導通和截止，藉以控制所述資料訊號寫入至所述畫素單元。

每一級移位暫存器電路中的輸出電晶體由操作電壓所控制並依序輸出閘極驅動訊號。然而，隨著觸控面板技術的發展，觸控電路需要暫時中斷某一級(或多級)閘極驅動訊號的輸出以進行觸控偵測(例如判斷是否有手指、帶電物體在顯示面板上滑動或停留)。在閘極驅動訊號被中斷輸出的期間內，被中斷當級之移位暫存器電路中的輸出電晶體將持續受到操作電壓高邏輯準位偏壓的影響，因此會導致輸出電晶體老化且充電能力下降，亦可能導致畫素電晶體誤開啟或漏電，或導致驅動電路操作異常。

本發明之一態樣是在於提供一種驅動器。驅動器包含複數級移位暫存器電路用以輸出依序的複數驅動訊號。移位暫存器電路中每一級包含輸出單元以及拉降單元。輸出單元用以由操作節點之電壓所控制，以根據時序訊號於輸出單元之輸出端產生驅動訊號中之對應驅動訊號。拉降單元電性耦接輸出單元於操作節點，並用以接收對觸控電路進行致能之觸控致能訊號，且由觸控致能訊號致能以將操作節點之電壓準位拉降至參考電壓準位。

本發明之另一態樣是在於提供一種驅動器。驅動器包含複數級移位暫存器電路用以輸出依序的複數驅動訊號。其中移位暫存器電路每一級包含第一電晶體以及第二電晶體。第一電晶體之控制端電性耦接操作節點，第一電晶體之第一端用以接收時序訊號，第一電晶體之第二端用以產生驅動訊號中之對應驅動訊號。第二電晶體之控制端用以接收對觸控電路進行致能之觸控致能訊號，第二電晶體之第一端電性耦接第一電晶體之控制端，第二電晶體之第二端用以接收參考電壓。

本發明之又一態樣是在於提供一種顯示裝置。顯示裝置包含驅動器。驅動器包含複數級移位暫存器電路。移位暫存器電路中之每一級包含驅動訊號產生電路、第一電晶體以及第二電晶體。驅動訊號產生電路具有輸出端，用以在輸出端產生驅動訊號。第一電晶體之控制端用以接收對觸控電路進行致能之觸控致能訊號。第一電晶體之第一端電性耦接驅動訊號 產生電路於操作節點。第一電晶體之第二端用以接收參考電壓。第二電晶體之控制端用以接收觸控致能訊號。第二電晶體之第一端電性耦接驅動訊號產生電路之輸出端。第二電晶體之第二端用以接收參考電壓。

綜上所述，透過在移位暫存器電路中增加拉降單元，並根據觸控致能訊號致能將操作節點之電壓準位拉降至參考電壓準位，可避免輸出單元在閘極驅動訊號被中斷輸出的期間內持續受到操作電壓高邏輯準位偏壓的影響，藉此防止輸出單元老化以及充電能力下降，進一步地避免畫素電晶體誤開啟或漏電以及驅動電路的操作異常。

100‧‧‧驅動器

110_(1)‧‧‧第1級移位暫存器電路

110_(2)‧‧‧第2級移位暫存器電路

110_(n)‧‧‧第n級移位暫存器電路

110_(n+m)‧‧‧第(n+m)級移位暫存器電路

200‧‧‧第n級移位暫存器電路單元

210‧‧‧輸出單元

220‧‧‧致能控制單元

230‧‧‧禁能單元

240‧‧‧第一禁能控制單元

250‧‧‧第二禁能控制單元

400‧‧‧顯示器

410‧‧‧觸控電路

600,1000,1100‧‧‧第n級移位暫存器電路

610‧‧‧下拉電路

611‧‧‧下拉單元

612‧‧‧控制單元

TP_EN‧‧‧觸控致能訊號

HC_(n-2)~HC_(n+2)‧‧‧時序訊號

G_(1)~G_(n+m)‧‧‧驅動訊號

Q_(1)~Q_(n+m)‧‧‧操作訊號

Np,Nq‧‧‧節點

SCL,ST_(n-2)~ST_(n+2)‧‧‧控制訊號

H_END‧‧‧第一控制訊號

H_ST‧‧‧第二控制訊號

VSS,VSS_G,VSS_Q‧‧‧參考電壓準位

LC1‧‧‧第一邏輯準位訊號

LC2‧‧‧第二邏輯準位訊號

TR1~TR6,M1~M5‧‧‧電晶體

t1~t6,t1’~t4’‧‧‧時間

C,C1‧‧‧電容

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種驅動器的示意圖；第2圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種第n級移位暫存器電路單元的示意圖；第3圖繪示根據第2圖中移位暫存器電路上的訊號之時序圖；第4圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種顯示裝置的示意圖；第5圖繪示根據第4圖中顯示裝置的訊號之時序圖；第6圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種第n級移位暫存器電路的示意圖； 第7圖繪示根據第6圖中移位暫存器電路的訊號之時序圖；第8圖繪示根據第7圖中拉降電路在期間t1’~t2’內的操作示意圖；第9圖繪示根據第7圖中拉降電路在期間t2’~t3’內的操作示意圖；第10圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種第n級移位暫存器電路的示意圖；以及第11圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種第n級移位暫存器電路的示意圖。

以下揭示提供許多不同實施例或例證用以實施本發明的不同特徵。特殊例證中的元件及配置在以下討論中被用來簡化本揭示。所討論的任何例證只用來作解說的用途，並不會以任何方式限制本發明或其例證之範圍和意義。此外，本揭示在不同例證中可能重複引用數字符號且/或字母，這些重複皆為了簡化及闡述，其本身並未指定以下討論中不同實施例且/或配置之間的關係。

在全篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本揭露之描述上額外的引導。

關於本文中所使用之『耦接』或『連接』，均 可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，而『耦接』或『連接』還可指二或多個元件元件相互操作或動作。在本文中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述各種元件、組件、區域、層與/或區塊是可以被理解的。但是這些元件、組件、區域、層與/或區塊不應該被這些術語所限制。這些詞彙只限於用來辨別單一元件、組件、區域、層與/或區塊。因此，在下文中的一第一元件、組件、區域、層與/或區塊也可被稱為第二元件、組件、區域、層與/或區塊，而不脫離本發明的本意。如本文所用，詞彙『與/或』包含了列出的關聯項目中的一個或多個的任何組合。

第1圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種驅動器100的示意圖。驅動器100包含第1級移位暫存器電路110_(1)、第2級移位暫存器電路110_(2)，…，第n級移位暫存器電路110_(n)，…，第(n+m)級移位暫存器電路110_(n+m)，其中n和m為自然數。各個級移位暫存器電路110_(1)~110_(n+m)用以產生依序的驅動訊號G_(1)~G_(n+m)，各級移位暫存器電路110_(1)~110_(n+m)具有相應的電路結構，且各級移位暫存器電路110_(1)~110_(n+m)依序電性耦接，而傳遞必要的訊號。具體電路及訊號傳遞方式，依後續以第n級移位暫存器電路揭示為代表。各個驅動訊號G_(1)~G_(n+m)可分別經由與驅動器100連接的掃描線(未繪示於圖中)傳送至畫素陣列(未繪示於圖中)中，且用以依序開啟與掃描線連接的畫素電晶體(未繪示於圖中)，藉此控制 畫素陣列中的畫素單元(未繪示於圖中)。

請一併參閱第2圖和第3圖，第2圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種第n級移位暫存器電路單元200的示意圖。第3圖繪示根據第2圖中移位暫存器電路單元200上的訊號之時序圖。其中移位暫存器電路單元200可應用於第1圖中的第n級移位暫存器電路110_(n)。第n級移位暫存器電路單元200包含輸出單元210、致能控制單元220、禁能單元230、第一禁能控制單元240和第二禁能控制單元250。輸出單元210用以透過第n級操作訊號Q_(n)致能，並根據接收的時序訊號HC_(n)產生第n級驅動訊號G_(n)，並傳送至對應的畫素電晶體(未繪示於圖中)，藉此開啟畫素電晶體使得對應的畫素單元(未繪示於圖中)接收資料電壓。

請一併參閱第3圖，致能控制單元220可根據前幾級移位暫存器電路(未繪示於圖中)產生的訊號產生第n級操作訊號Q_(n)(例如：在t2~t3時序中，時序訊號HC_(n-2)、第(n-2)級操作訊號Q_(n-2)和第(n-2)級驅動訊號G_(n-2)拉升第n級操作訊號Q_(n)至致能準位)，並透過電容C的耦合效應搭配時序訊號HC_(n)在t3~t4的時序中將第n級操作訊號Q_(n)之電壓準位拉升超過致能準位(約兩倍於高邏輯準位)，藉此提升輸出單元210之驅動能力，使得此時輸出單元210根據時序訊號HC_(n)產生第n級驅動訊號G_(n)。須注意的是，在此實施例中驅動訊號彼此之間依序產生的順序是以間隔2級為例，例如依序產生第1級驅動訊號G_(1)、第3級驅動訊號G_(3)、第5級驅動訊號G_(5)，或依序產生第2級驅動訊號 G_(2)、第4級驅動訊號G_(4)、第6級驅動訊號G_(6)，然而實際情況驅動訊號彼此之間依序產生的順序之間隔可以為任何整數，並不以此為限。

另外，當要關閉畫素電晶體時，第n級移位暫存器電路單元200則是透過禁能單元230、第一禁能控制單元240和第二禁能控制單元250將第n級操作訊號Q_(n)和第n級驅動訊號G_(n)的電壓準位轉換並維持在低邏輯準位(例如：接地端之電壓準位)。

具體來說，禁能單元230、第一禁能控制單元240和第二禁能控制單元250可接收參考電壓準位VSS，參考電壓準位VSS位於低邏輯準位。禁能單元230可根據控制訊號SCL致能，並且將第n級操作訊號Q_(n)和第n級驅動訊號G_(n)的電壓準位拉降至參考電壓準位VSS。在此架構中，控制訊號SCL可以是後幾級移位暫存器電路(未繪示於圖中)產生的訊號(例如：第(n+2)級驅動訊號G_(n+2))。

第一禁能控制單元240接收第一邏輯準位訊號LC1和第n級操作訊號Q_(n)，第二禁能控制單元250接收第二邏輯準位訊號LC2和第n級操作訊號Q_(n)。第一邏輯準位訊號LC1和第二邏輯準位訊號LC2之電壓準位位於高邏輯準位，且彼此的致能時間互補。當第n級操作訊號Q_(n)位於高邏輯準位時，電晶體TR3、TR4、TR5以及TR6為截止，第一禁能控制單元240和第二禁能控制單元250是處於禁能的狀態。在t5時刻當第n級操作訊號Q_(n)透過禁能單元230拉降至參考電壓準位VSS(即低邏輯準位)時，第一禁能控制單元240和第二 禁能控制單元250透過第n級操作訊號Q_(n)致能，並且分別依據第一邏輯準位訊號LC1和第二邏輯準位訊號LC2輪流致能，並且導通電晶體TR3與電晶體TR4。其中當第一邏輯準位訊號LC1為高邏輯準位偏壓時，第二邏輯準位訊號LC2為參考電壓準位VSS(即低邏輯準位)，進而將第n級操作訊號Q_(n)和第n級驅動訊號G_(n)的電壓準位維持在參考電壓準位VSS。

第4圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種顯示裝置400的示意圖。顯示裝置400包含驅動器100以及觸控電路410。顯示裝置400可以是電視螢幕、電腦螢幕、手機螢幕、觸控式手持裝置之螢幕以及其他具顯示功能的顯示裝置，並不以此為限。驅動器100同第1圖所示，包含移位暫存器電路110_(1)~110_(n+m)。在此實施例中，觸控電路120受觸控致能訊號TP_EN致能用以進行觸控偵測(例如判斷是否有手指、帶電物體在顯示面板上滑動或停留)。觸控電路120進行觸控偵測時需要暫時中斷某一級(或多級)驅動訊號的輸出，例如在驅動訊號G_(n)輸出後，暫時停止驅動訊號G_(n+2)以及後續驅動訊號G_(n+4)~G_(n+m)的輸出。

第5圖繪示根據第4圖中顯示裝置400的訊號之時序圖。可以看到的是在驅動訊號G_(5)輸出後，由於觸控電路120受觸控致能訊號TP_EN致能用以進行觸控偵測，驅動訊號G_(7)以及後續驅動訊號G_(9)~G_(n+m)因此暫時停止輸出。此外第2圖中，第5級移位暫存器電路中亦由於控制訊號SCL(即驅動訊號G_(7))尚未致能，禁能單元230無法將操作訊 號Q_(5)拉降至參考電壓準位VSS，使得操作訊號Q_(5)持續地維持在高邏輯準位。也就是說，在驅動訊號G_(7)被中斷輸出的期間內，第5級移位暫存器電路中的輸出單元210將持續受到操作電壓高邏輯準位偏壓的影響，因此會導致第5級移位暫存器電路中的輸出單元210老化且充電能力下降，亦可能導致畫素電晶體誤開啟或漏電，或導致驅動電路操作異常。

第6圖繪示根據本揭示內容之一實施例中一種第n級移位暫存器電路600的示意圖。移位暫存器電路600包含第2圖所示的移位暫存器電路單元200以及拉降電路610。須補充的是，實際應用中移位暫存器電路600並不限於包含如第2圖所示的移位暫存器電路單元200。拉降電路610中包含拉降單元611、控制單元612。拉降單元611包含電晶體M1以及電晶體M2，電晶體M1電性耦接輸出單元210於操作節點Np以及電晶體M2電性耦接輸出單元210於輸出端Nq，電晶體M1、M2用以接收如第4圖中對觸控電路410進行致能之觸控致能訊號TP_EN，且由觸控致能訊號TP_EN致能以將操作節點Np之電壓準位拉降至參考電壓準位VSS(即低邏輯準位)。控制單元612包含電晶體M3、電晶體M4、電晶體M5以及電容C1。電晶體M3之第一端用以接收第一控制訊號H_END，電晶體M3之第二端電性耦接操作節點Np。電晶體M4之控制端用以接收前一級移位暫存器電路之驅動訊號G_(n-2)，電晶體M4之第一端用以接收第二控制訊號H_ST，電晶體M4之第二端電性耦接電晶體M3之控制端。電晶體M5之控制端用以接收驅動訊號G_(n)，電晶體M5之第一端電性耦接電晶體M3之控制端，電 晶體M5之第二端用以接收參考電壓VSS。電容C1之第一端電性耦接電晶體M3之控制端，電容C1之第二端用以接收參考電壓VSS。

輸出單元210具有輸出端Nq，用以在輸出端Nq產生驅動訊號G_(n)。輸出單元210用以由操作節點Np之電壓Q_(n)所控制，以根據時序訊號(未繪示於圖中)於輸出單元210之輸出端Nq產生驅動訊號G_(n)。在此實施例中，當觸控電路410根據觸控致能訊號TP_EN致能時，同時根據觸控致能訊號TP_EN致能拉降單元611將操作節點Np之電壓Q_(n)準位拉降至參考電壓準位VSS。

舉例來說，請一併參閱第7圖以及第8圖。第7圖繪示根據第6圖中移位暫存器電路600的訊號之時序圖。第8圖繪示根據第7圖中拉降電路610在期間t1’~t2’內的操作示意圖。可以看到的是，在時間t1時驅動訊號G_(5)輸出完畢，但由於在期間t1’~t2’內觸控電路410根據觸控致能訊號TP_EN致能，故驅動訊號G_(7)被中斷輸出。須注意的是，此例中在期間t1’~t2’內由於觸控致能訊號TP_EN亦同時致能拉降單元611中的電晶體M1以及電晶體M2，因此操作節點Np之電壓Q_(5)以及Q_(7)之電壓準位在期間t1’~t2’內被電晶體M1拉降至參考電壓準位VSS。此外，輸出單元210的輸出端Nq之電壓G_(5)以及G_(7)準位亦透過電晶體M2在期間t1’~t2’內被拉降至參考電壓準位VSS。藉此避免第5級移位暫存器電路之輸出單元210在驅動訊號G_(7)被中斷輸出的期間內持續受到操作電壓Q_(5)高邏輯準位偏壓的影響，並防止輸 出單元210老化以及充電能力下降，進一步地避免畫素電晶體誤開啟或漏電以及驅動電路的操作異常。上述以第7級移位暫存器電路之驅動訊號G_(7)被中斷輸出為例，實際應用中可以中斷任意一級移位暫存器電路之驅動訊號G_(n)，本揭示並不以此為限。

請參閱第9圖，第9圖繪示根據第7圖中拉降電路610在期間t2’~t3’內的操作示意圖。如第9圖所示，在時間t2’時觸控致能訊號TP_EN由致能準位切換至低邏輯準位，亦即觸控電路410在時間t2’時禁能。可以看到的是，在期間t2’~t3’內觸控致能訊號TP_EN亦同時禁能拉降單元611中的電晶體M1以及電晶體M2，並且控制單元612的電晶體M3用以於觸控致能訊號TP_EN解除後依據第一控制訊號H_END將操作節點Np之電壓準位拉升至操作電壓準位。例如，在期間t2’~t3’內第7級操作訊號Q_(7)之電壓準位由參考電壓準位VSS拉升至操作電壓準位。

須補充的是，在時間t3’以後，觸控致能訊號TP_EN、第一控制訊號H_END以及第二控制訊號H_ST皆已停止致能，故在後續的時間中拉降電路610則無拉降電壓的操作，因此每一級移位暫存器電路單元200則回復原先依序輸出驅動訊號G_(n)的操作。可以看到的是，驅動訊號G_(7)在期間t3’~t4’內輸出，並透過第7級移位暫存器電路單元200中電容C的耦合效應將第7級操作訊號Q_(7)之電壓準位拉升超過致能準位(約兩倍於高邏輯準位)。此外，由於第5級移位暫存器電路單元200中的禁能單元230根據控制訊號SCL(在此為 驅動訊號G_(7))致能，因此第5級操作訊號Q_(5)和第5級驅動訊號G_(5)的電壓準位透過禁能單元230、第一禁能控制單元240和第二禁能控制單元250維持在參考電壓準位VSS。

請參閱第10圖及第11圖，其分別繪示根據本揭示內容之不同實施例中第n級移位暫存器電路1000以及第n級移位暫存器電路1100的示意圖。如同先前所述，在實際應用中移位暫存器電路600並不限於包含如第2圖所示的移位暫存器電路單元200，可以包含任何輸出驅動訊號的移位暫存器電路。例如移位暫存器電路600可以包含移位暫存器電路1000或移位暫存器電路1100。移位暫存器電路1000中的控制訊號ST_(n-2)~ST_(n+2)可以是某一級的驅動訊號例如驅動訊號G_(n)、G(n-2)，而參考電壓準位VSS_G以及VSS_Q可以相同於參考電壓準位VSS，亦可以是相異的穩定電壓準位。移位暫存器電路1000或移位暫存器電路1100皆包含輸出單元210。因此同樣可透過拉降單元611中的電晶體M1電性耦接輸出單元210於操作節點Np以及電晶體M2電性耦接輸出單元210於輸出端Nq，並根據觸控致能訊號TP_EN致能拉降單元611以將操作節點Np之電壓準位拉降至參考電壓準位VSS(即低邏輯準位)。

綜上所述，透過在移位暫存器電路中增加拉降單元，並根據觸控致能訊號致能將操作節點之電壓準位拉降至參考電壓準位，可避免輸出單元在閘極驅動訊號被中斷輸出的期間內持續受到操作電壓高邏輯準位偏壓的影響，藉此防止輸出單元老化以及充電能力下降，進一步地避免畫素電晶體誤開啟 或漏電以及驅動電路的操作異常。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

200‧‧‧第n級移位暫存器電路單元

600‧‧‧第n級移位暫存器電路

610‧‧‧下拉電路

611‧‧‧下拉單元

612‧‧‧控制單元

TP_EN‧‧‧觸控致能訊號

G_(n),G_(n-2)‧‧‧驅動訊號

Np,Nq‧‧‧節點

H_END‧‧‧第一控制訊號

H_ST‧‧‧第二控制訊號

VSS‧‧‧參考電壓準位

M1~M5‧‧‧電晶體

C1‧‧‧電容

Claims (12)

1. 一種用於顯示裝置之驅動器，包含：複數級移位暫存器電路，用以輸出依序的複數驅動訊號，其中該些級移位暫存器電路中每一級包含：一輸出單元，用以由一操作節點之電壓所控制，以根據一時序訊號於該輸出單元之輸出端產生該些驅動訊號中之一對應驅動訊號；一拉降單元，電性耦接該輸出單元於該操作節點，並用以接收對一觸控電路進行致能之一觸控致能訊號，且由該觸控致能訊號致能以將該操作節點之電壓準位拉降至一參考電壓準位；以及一控制單元，用以於該觸控致能訊號解除後依據一第一控制訊號將該操作節點之電壓準位拉升至一操作電壓準位。
2. 如請求項1所述的驅動器，其中該拉降單元更用以由該觸控致能訊號致能以將該輸出單元之輸出端拉降至該參考電壓準位。
3. 如請求項1所述的驅動器，其中該拉降單元係於該些驅動訊號中兩連續驅動訊號間之一時段內由該觸控致能訊號進行致能。
4. 如請求項1所述的驅動器，其中該拉降單元包含： 一第一電晶體，該第一電晶體之控制端用以接收該觸控致能訊號，該第一電晶體之第一端電性耦接該操作節點，該第一電晶體之第二端用以接收一參考電壓。
5. 如請求項4所述的驅動器，其中該拉降單元更包含：一第二電晶體，該第二電晶體之控制端用以接收該觸控致能訊號，該第二電晶體之第一端電性耦接該輸出單元之輸出端，該第二電晶體之第二端用以接收該參考電壓。
6. 一種用於顯示裝置之驅動器，包含：複數級移位暫存器電路，用以輸出依序的複數驅動訊號，其中該些級移位暫存器電路每一級包含：一第一電晶體，該第一電晶體之控制端電性耦接一操作節點，該第一電晶體之第一端用以接收一時序訊號，該第一電晶體之第二端用以產生該些驅動訊號中之一對應驅動訊號；一第二電晶體，該第二電晶體之控制端用以接收對一觸控電路進行致能之一觸控致能訊號，該第二電晶體之第一端電性耦接該第一電晶體之控制端，該第二電晶體之第二端用以接收一參考電壓；以及一控制單元，用以於該觸控致能訊號解除後依據一第一控制訊號將該操作節點之電壓準位拉升至一操作電壓準位。
7. 如請求項6所述的驅動器，其中該些級移位暫存器電路中每一級之該控制單元更包含：一第三電晶體，該第三電晶體之第一端用以接收該第一控制訊號，該第三電晶體之第二端電性耦接該第一電晶體之控制端。
8. 如請求項7所述的驅動器，其中該些級移位暫存器電路中每一級更包含：一第四電晶體，該第四電晶體之控制端用以接收該觸控致能訊號，該第四電晶體之第一端電性耦接該第一電晶體之第二端，該第四電晶體之第二端用以接收該參考電壓。
9. 如請求項8所述的驅動器，其中該些級移位暫存器電路中每一級之該控制單元更包含：一第五電晶體，該第五電晶體之控制端電性耦接前一級移位暫存器電路之該第一電晶體之第二端，該第五電晶體之第一端用以接收一第二控制訊號，該第五電晶體之第二端電性耦接該第三電晶體之控制端；一第六電晶體，該第六電晶體之控制端電性耦接該第一電晶體之第二端，該第六電晶體之第一端電性耦接該第三電晶體之控制端，該第六電晶體之第二端用以接收該參考電壓；以及一電容，該電容之第一端電性耦接該第三電晶體之控制端，該電容之第二端用以接收該參考電壓。
10. 一種顯示裝置，包含：一驅動器，包含：複數級移位暫存器電路，該些級移位暫存器電路中之每一級包含：一驅動訊號產生電路，具有一輸出端，用以在該輸出端產生一驅動訊號，其中該驅動訊號用以驅動該顯示裝置；以及一第一電晶體，該第一電晶體之控制端用以接收對一觸控電路進行致能之一觸控致能訊號，該第一電晶體之第一端電性耦接該驅動訊號產生電路於一操作節點，該第一電晶體之第二端用以接收一參考電壓；一第二電晶體，該第二電晶體之控制端用以接收該觸控致能訊號，該第二電晶體之第一端電性耦接該驅動訊號產生電路之該輸出端，該第二電晶體之第二端用以接收該參考電壓；以及一控制單元，用以於該觸控致能訊號解除後依據一第一控制訊號將該操作節點之電壓準位拉升至一操作電壓準位。
11. 如請求項10所述的顯示裝置，其中該些級移位暫存器電路中每一級之該控制單元更包含：一第三電晶體，該第三電晶體之第一端用以接收該第一控制訊號，該第三電晶體之第二端電性耦接該操作節點。
12. 如請求項11所述的顯示裝置，其中該些級移位暫存器電路中每一級之該控制單元更包含：一第四電晶體，該第四電晶體之控制端電性耦接該前一級移位暫存器電路中該驅動訊號產生電路之該輸出端，該第四電晶體之第一端用以接收一第二控制訊號，該第四電晶體之第二端電性耦接該第三電晶體之控制端；一第五電晶體，該第五電晶體之控制端電性耦接該驅動訊號產生電路之該輸出端，該第五電晶體之第一端電性耦接該第三電晶體之控制端，該第五電晶體之第二端用以接收該參考電壓；以及一電容，該電容之第一端電性耦接該第三電晶體之控制端，該電容之第二端用以接收該參考電壓。