TWI559821B - 獲得穩定電漿源之方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於電漿表面處理之技術領域，尤指一種獲得穩定電漿源之方法。
通常，氣體在低電場強度的一密閉環境中為一絕緣體；然而，當藉由一交流射頻(RF)偏壓將該密閉環境之中的電場增強到某個程度時，處於高電場強度的密閉環境中的氣體便會產生放電現象。於該密閉環境中，被釋放出的電子在高電場的加速下而係具備動能，並且，具有足夠能量的電子會將該密閉環境之中的氣體分子內的電子激發，而使氣體分子解離，這種現象稱為解離碰撞(ionization collision)。同時，因解離碰撞所產生的正離子與陰電極碰撞後會再產生二次電子(secondary electrons)，進而使得離子化的氣體分子與自由電子的數量大幅增加。最終，在離子化碰撞過程中，電子可能會因為與氣體離子的復合作用而消失，或者因為漂移、擴散作用而離開電場範圍而消失；當電子的產生速率與消失的速率相等時，密閉環境中的電漿即達到穩定的狀態。
近年來，隨著大型積體電路(Very Large-Scale Integration，VLSI)與超大型積體電路(Ultra Large-Scale Integration，ULSI)的高度發展，電漿表面處理應用成為半導體製程之中所不可或缺的主要應用之一。可想而知，電漿源的設計關係到整個半導體製程的品質優劣，因此，如何提供穩定的電漿源於是成為非常重要的課題。
有鑑於此，Langmuir(蘭牟爾、藍姆)於1924年首先提出電漿量測之研究，其中該研究之架構係例如圖1所繪示之習知的一種電漿量測架構。於圖1中，一探針(electrical probe)2’係直接伸入一電漿反應腔室1’之中；並且，在關閉RF源3’(例如: 脈衝RF頻率產生器)的情況下，電流量測裝置4’透過該探針2’所測得的電流係為零。若將RF源3’開啟並透過電容器6’供應一偏壓(例如:負電壓)至探針2’之上，此時，電漿反應腔室1’內的電漿7’的帶電粒子(例如:離子)則會朝向探針2’表面移動。
於電子移動之初期時，會有較多的電子在每單位時間內抵達探針2’表面，並在探針2’表面形成負電壓；並且，當於探針2’表面的離子累積達一定程度時，便會對離子產生排斥效應，同時對電子產生吸引效應。最終，當探針2’表面上的電子吸引效應與離子排斥效應達到動態平衡之時，探針2’所測得之離子電流會等於電子電流(I+=Ie)；此時，電壓量測裝置5’所測得的電壓值便被稱為浮動電位(floating potential)。
請參閱圖2與圖3，分別為電壓-時間之資料曲線圖以及電流-時間之資料曲線圖。如圖2與圖3所示，隨著所供應的偏壓之增加(由負電壓增加至0電壓)，探針2’所測得之電流係逐漸地減少，最終探針2’所測得之電流值為零；這樣的結果表示該電漿反應腔室1’內部係處於靜止態。並且，根據圖2與圖3之數據資料，工程人員可以藉由調和時間而產生如圖4所示的電流與電壓的關係曲線圖，藉此消除時間變數。如此一來，藉由對每一RF短脈衝串期間所收集的資料應用非線性擬合，即可判定產生於電漿反應腔室1’的電漿7’之相關特性參數，例如：離子飽和電流、離子飽和斜率、浮動電位、電漿電位、電子溫度、電子密度等。
如此一來，藉由將所測得的離子飽和電流、離子飽和斜率、浮動電位、電漿電位、電子溫度、電子密度等電漿表徵參數相比於一預定範圍內的數值，只要所測得的各電漿表徵參數皆落於該預定範圍內，則表示產生於電漿反應腔室1’的電漿7’係已趨於穩定，可作為一穩定電漿源。
於實際的RF電漿系統中，通常藉由以下步驟來監控是否電漿反應腔室1’的電漿7’係已趨於穩定: 步驟(1):引燃電漿，其中係藉由監視離子通量及/或電子溫度及/或浮動電位，以判定電漿是否已經引燃； 步驟(2):使電漿穩定，其中係藉由量測電漿的離子飽和電流、離子飽和斜率、浮動電位、電漿電位、電子溫度、電子密度等電漿表徵參數，並將量測值相比於一參考性的電漿表徵參數，只要所測得的各電漿表徵參數皆落於該參考性的電漿表徵參數的一預定範圍內即可判定電漿穩定；必須補充說明的是，前述的參考性電漿表徵參數係量測自一示範性蝕刻作業之的電漿。
雖然圖1所示之習知的電漿量測架構現已被廣泛地應用；然而，前述習知的電漿量測架構於實務面上仍具有以下主要之缺點：
(1)使用該電漿量測架構雖然可以最終地自一電漿系統中量測到一穩定電漿，但是該電漿量測架構並無法用以協助該電漿系統「獲得一穩定電漿源」或「控制電漿趨於穩定」。更具體的說，該電漿量測架構雖然可以精準地測得產生於電漿反應腔室1’內部的電漿7’的相關特性參數，然而這些參數僅有助於工程人員判定電漿反應腔室1’內部的電漿7’『是否趨於穩定』，並無助於工程人員快速地製造或者獲得一穩定電漿源。除此之外，由於RF電漿系統之電漿7’係經由射頻電壓所激發，因此RF電漿系統之電漿7’的電位包含了直流部分與交流射頻部分；其中，交流射頻部分會造成探針量測上的誤差，導致電漿特性之量測精準度的下降。
(2)對於RF電漿系統而言，不同的環境溫度與濕度皆可能影響電漿的引燃與穩定。如圖5的電流-時間資料曲線圖所示，RF電漿系統在117.5秒的時間點引燃電漿，並且於118.15秒的時間點確認電漿反應腔室1’的電漿7’已經趨於穩定。然而，不同於圖5的是，如圖6的電流-時間資料曲線圖所示，在不同的環境溫溼度的情況下再度引燃電漿(時間點117.5秒)，探針2’所測得的電流係於時間點121.4才開始升高；亦即，電漿反應腔室1’的電漿7’在引燃後必須經過3.9秒才趨於穩定。
(3)承上述第2點，顯然，工程人員只能夠被動地「等待」電漿反應腔室1’的電漿7’趨於穩定，工程人員無法主動地控制電漿反應腔室1’的電漿7’的濃度並使其趨於穩定。
因此，有鑑於現有的電漿量測架構無法提供工程人員主動地由一RF電漿系統中獲得一穩定電漿源或控制電漿趨於穩定，本案之發明人極力加以研究發明，終於研發完成本發明之一種獲得穩定電漿源之方法。
本發明之主要目的，在於提供一種獲得穩定電漿源之方法。不同於習知的電漿量測架構僅能夠供工程人員確認電漿反應腔室內電漿『是否趨於穩定』而無法令工程人員在重啟RF電漿系統之當下便快速地獲得一穩定電漿源，本案所提出的獲得穩定電漿源之方法只需要增設一探針、一電源供應器、一電錶、以及一調控裝置至一ECR電漿系統之中，便能夠透過電錶監測施予探針之上的特定偏壓以及探針所收集的電漿電流的方式，有效地協助工程人員藉由調整微波產生器之功率大小的方式，以調控工作腔體內的電漿電流的大小，最終使得工作腔體內的電漿濃度或表面離子流能夠符合工程人員於一特定製程條件上的需求。
因此，為了達成本發明之主要目的，本案之發明人提出一種獲得穩定電漿源之方法，係包括以下步驟： (1)將一探針伸入該工作腔體內； (2)啟動該抽氣與壓力維持裝置，以將該電漿產生腔體與該工作腔體之內部維持在一低壓真空狀態； (3)啟動該氣體供應裝置以通入一工作氣體至該電漿產生腔體之中，並啟動該微波產生器與該磁力系統以於該電漿產生腔體之中產生一電漿； (4)將該電漿導入該工作腔體內； (5)以一電源供應器供應一特定偏壓至該探針，並確定該工作腔體內之中的該電漿源係滿足一特定製程條件；接著透過連接至該電源供應器的一電錶記錄該特定偏壓以及該探針所收集的一特定電流； 其中，該特定電流即作為一穩定電漿參數，可供工程人員調控設定該ECR電漿系統產生一穩定電漿源以滿足所述之特定製程條件。
較佳地，上述之穩定電漿源之方法，係更包括以下步驟： (6)重啟該氣體供應裝置與該氣體供應裝置，使得該電漿產生腔體與該工作腔體之內部維持在一第二低壓真空狀態；其中，該第二低壓真空狀態係相同或相似於該第一低壓真空狀態； (7)重啟該微波產生器與該磁力系統； (8)透過連接至該電源供應器的該電錶量測該探針所收集的一即時電流； (9)透過連接至該電錶的一調控裝置確認該即時電流與該特定電流的一電流差值是否為零，若是，則執行步驟(11)；若否，則執行步驟(10)； (10)該調控裝置即時性地調整該微波產生器之功率大小，並重複執行該步驟(9)；以及 (11)該工作腔體內之中的該電漿源已滿足該特定製程條件。
為了能夠更清楚地描述本發明所提出之一種獲得穩定電漿源之方法，以下將配合圖式，詳盡說明本發明之較佳實施例。
本發明所提供的獲得穩定電漿源之方法主要係應用於一ECR(電子迴轉共振，Electron Cyclotron Resonance)電漿系統之中。如圖7所示出的一種ECR電漿系統的架構圖，ECR電漿系統1係於架構上包括：一氣體供應裝置10、一微波產生器11、一電漿產生腔體12、一磁力系統13、一工作腔體14、與一抽氣與壓力維持裝置15；並且，為了使該ECR電漿系統1能夠穩定地提供(或產生)電漿源，本發明進一步新增一探針21、一電源供應器22、一電錶23、以及一調控裝置24至該ECR電漿系統1之中。
如圖7所示，電漿產生腔體12係設置連接於該工作腔體14之上，並與該工作腔體14相互連通。並且，該工作氣體供應裝置10係透過管線連接至該電漿產生腔體12，用以通入例如氮氣(N2)或氬氣(Ar)的工作氣體於該電漿產生腔體12之中。另，該微波產生器11係提供頻率範圍係介於1GHz至3GHz的一微波至該電漿產生腔體12之中；如此，在微波的激發下，腔體12中的工作氣體被解離出自由電子，而在特定的微波頻率與磁場強度下，微波頻率與電子在該磁場內的迴旋頻率相當時，會發生電子迴旋共振(ECR)，而大幅增加電漿濃度，該電漿進而被導入該工作腔體14之中。
本發明之技術特徵即在於:利用增設的探針21、電源供應器22、電錶23、與調控裝置24對該ECR電漿系統1的電漿源進行監測與調控，使得該ECR電漿系統1能夠根據工程人員於一特定製程條件的電漿需求，進而對應地提供(產生)特定濃度的電漿源。所述的特定製程條件係例如: 蝕刻速率、沉積速率、或切割速率。
圖7所示，探針21為自外部深入該工作腔體14之中的一導體電極。並且，探針21的一量測面係位於該工作腔體14之中的一均勻電漿區。雖然圖7係繪示探針21水平地深入工作腔體14之中，但不應以此限制探針21與工作腔體14之角度、位置關係。請參閱圖8與圖9，係ECR電漿系統的第二架構圖與第三架構圖。如圖8所示，探針21可以自工作腔體14的底部垂直地伸入於其中，且探針21的一量測面係與該工作腔體14之中的靶材載台141位於同一平面。另外，如圖9所示，探針21係傾斜地伸入工作腔體14之中，且探針21的量測面與該靶材載台141之間，兩者係相對地具有一夾角。除此之外，如圖10所繪出的ECR電漿系統的第四架構圖所示，假設工作腔體14內的一引流電極被電連接至該電源供應器22，則該引流電極可作為電探針(electrical probe)之用途。
如此，上述係已完整、清楚說明該ECR電漿系統1各種可實施架構；接著，以下將透過方法流程圖之輔助，加以說明本發明之一種獲得穩定電漿源之方法。請參閱圖11，係本發明之獲得穩定電漿源之方法的第一實施例的流程圖。如圖11與圖7所示，本發明之獲得穩定電漿源之方法的第一實施例係主要包括5個方法步驟: 步驟(S1):將一探針21伸入該工作腔體14內； 步驟(S2):啟動該抽氣與壓力維持裝置15，以將該電漿產生腔體12與該工作腔體14之內部維持在一低壓真空狀態； 步驟(S3):啟動氣體供應裝置10以通入一工作氣體至該電漿產生腔體12之中，並啟動微波產生器11與該磁力系統13以於該電漿產生腔體12之中產生一電漿源； 步驟(S4):將該電漿源導入工作腔體14之內；以及 步驟(S5):以一電源供應器22供應一特定偏壓至該探針21，並確定該工作腔體14內之中的該電漿源係滿足一特定製程條件；接著透過連接至該電源供應器22的一電錶23記錄該特定偏壓以及該探針21所收集的一特定電流。
承上所述，一旦工程人員於該步驟(S5)之中確定了該背景條件滿足特定製程需要之後，工程人員便可記錄所述特定偏壓以及所述特定電流。如此，工程人員於下次重新啟動ECR電漿系統1之時，便可直接施予該特定偏壓至探針21，並調整微波源功率，直到探針21所收集的電流達到該特定電流值之後，便可確定工作腔體14內的電漿的濃度係能夠用以完成特定的製程條件(例如:蝕刻速率)。
上述步驟(S1)至步驟(S5)係屬於手動監測與調控的方法步驟；然而，不應以此限制本發明之應用性與擴充性。請參閱圖12，係本發明之獲得穩定電漿源之方法的第二實施例的流程圖。如圖12所示，本發明之方法可進一步包括可以自動調控穩定電漿源之6個步驟: 步驟(S6)：重啟該氣體供應裝置10與該氣體供應裝置10，使得該電漿產生腔體12與該工作腔體14之內部維持在一第二低壓真空狀態；其中，該第二低壓真空狀態係相同或相似於該第一低壓真空狀態； 步驟(S7)：重啟該微波產生器11與該磁力系統13； 步驟(S8):重啟電漿時，透過連接至該電源供應器22的該電錶23量測該探針21所收集的一即時電流； 步驟(S9):透過連接至電錶23的一調控裝置24確認該即時電流與該特定電流的一電流差值是否為零，若是，則執行步驟(11)；若否，則執行步驟(10)； 步驟(S10):該調控裝置24即時性地調整該微波產生器11之功率大小，並重複執行該步驟(8)；以及 步驟(S11):該工作腔體14內之中的該電漿源已滿足該特定製程條件。
由上述說明，可以得知前述步驟(S5)所記錄之特定偏壓以及一特定電流的值係被儲存於該調控裝置24之中；如此，當工程人員重啟ECR電漿系統1之後，本發明之方法便透過調控裝置24與電源供應器22供應所述特定偏壓至探針21，進而確認是否探針21所收集的即時性電流等同於所記錄的特定電流。必須特別說明的是，雖然步驟(S6)與步驟(S7)係在符合所述之特定製程條件的氣壓、氣體的工作腔體14環境下，重啟微波產生器11與磁力系統13以點燃電漿；然而，隨著環境溫度與濕度的不同，相同的抽氣速率以及腔內壓力可能無法產生相同濃度的電漿源。
請參閱圖13A至圖13F，係分別為探針在工作腔體內的第一高度至第六高度所測得之電壓-即時電流的資料曲線圖。本案發明人係透過氣體供應裝置10將氬氣通入電漿產生腔體12與工作腔體14之中，並透過抽氣與壓力維持裝置15將工作腔體14之腔體壓力維持在2x10-2 torr左右。進一步地，本案發明人多次地重複執行上述步驟(S6)與步驟(S7)，並透過連接至該電源供應器22的該電錶23量測該探針21所收集的一即時電流(步驟(S8))；其中，所測得之即時電流係整理如圖13A至圖13F所示。由圖13A至圖13F的電壓-即時電流的資料曲線圖，熟悉電漿技術領域的工程人員應該可以輕易地發現到，於每一次重複執行步驟(S6)與步驟(S7)之後，探針21所收集的即時電流之飽和電流的值皆不相同。因此，圖13A至圖13F的實驗資料係證實了一件重要的現象:即使工程師將前一次電漿製程所使用的工作氣體、腔體壓力、微波產生器11之操作功率應用在當次的電漿製程之中，基於產生在工作腔體14內的電漿濃度不同，所述當次的電漿製程之製程結果可能不會相同於前一次電漿製程之製程結果。
即使如此，本案發明人經由多次實驗之後發現，只要適當地微調微波產生器11之功率大小，使得探針21所收集的即時性電流等同於所記錄的特定電流，則可將工作腔體14內的電漿源濃度、表面離子流等參數調整至特定值，以利於工程人員利用該電漿源達成特定的製程(例如:蝕刻製程)。請參閱圖14，係探針在工作腔體內所測得之電壓-平均即時電流的資料曲線圖。由圖14的實驗資料可以發現，將探針21置於工作腔體14內的第一高度、第二高度、與第四高度並重複上述步驟(S6)至步驟(S11)以求得平均即時電流以後，探針21在第一高度、第二高度、與第四高度所測得之電漿的飽和電流平均值係趨近相同，這表示工作腔體14內的電漿濃度可能趨近相同。必須特別說明的是，探針21在第五高度與第六高度所測得之電漿電流明顯低於探針21在第一高度、第二高度、與第四高度所測得之電漿電流，原因在於第五高度與第六高度已脫離電漿之均勻電漿區。
如此，上述說明完整、且清楚地說明本發明之獲得穩定電漿源之方法的詳細步驟與其技術特徵；並且，經由上述可以得知本發明係具有以下之優點：
(1)如第1圖所示，於習知的電漿量測架構僅能夠用於輔助工程人員確認電漿反應腔室內電漿『是否趨於穩定』，無法有助於工程人員於重啟RF電漿系統之當下便快速地製造或者獲得一穩定電漿源。然而，本案所提出的獲得穩定電漿源之方法只需要增設一探針21、一電源供應器22、一電錶23、以及一調控裝置24至一ECR電漿系統1之中，便能夠透過電錶23監測施予探針21之上的特定偏壓以及探針21所收集的電漿電流的方式，有效地協助工程人員藉由調整微波產生器11之功率大小的方式，以調控工作腔體14內的表面電漿電流的大小，最終使得工作腔體14內的電漿濃度能夠符合工程人員於一特定製程條件上的電漿濃度需求。
(2)此外，本案的方法並不需要測量、計算電漿之相關特性參數，例如：離子飽和電流、離子飽和斜率、浮動電位、電漿電位、電子溫度、電子密度等；反之，本案只需要量測電漿邊界的電流(例如邊界飽和電流)即可，因此非常容易直接導入、應用至現有的ECR電漿系統之中。
(3)傳統的ECR電漿運用中，通常有嚴格的環境需求，例如溫度、濕度、壓力等需要嚴格控制，以維持每次重啟電漿源時電漿參數的一致性。這間接限制了ECR電漿的普及化與使用範疇。本發明則是在沒有恆溫恆濕、也沒有橫壓控制的實驗室驗證成功，在手動調整情況下能將表面離子流與需求值的誤差控制在1%以內。因此運用本發明以後，可以讓條件較差的工廠或研究單位也能有穩定的ECR電漿源可用，增加ECR製程的普及度。
必須加以強調的是，上述之詳細說明係針對本發明可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。
＜本發明＞
1‧‧‧ECR電漿系統
10‧‧‧氣體供應裝置
11‧‧‧微波產生器
12‧‧‧電漿產生腔體
13‧‧‧磁力系統
14‧‧‧工作腔體
15‧‧‧抽氣與壓力維持裝置
21‧‧‧探針
22‧‧‧電源供應器
23‧‧‧電錶
24‧‧‧調控裝置
141‧‧‧靶材載台
S1~S5‧‧‧方法步驟
S6~S11‧‧‧方法步驟
1‧‧‧ECR電漿系統
10‧‧‧氣體供應裝置
11‧‧‧微波產生器
12‧‧‧電漿產生腔體
13‧‧‧磁力系統
14‧‧‧工作腔體
15‧‧‧抽氣與壓力維持裝置
21‧‧‧探針
22‧‧‧電源供應器
23‧‧‧電錶
24‧‧‧調控裝置
141‧‧‧靶材載台
S1~S5‧‧‧方法步驟
S6~S11‧‧‧方法步驟
＜習知＞
1’‧‧‧電漿反應腔室
2’‧‧‧探針
3’‧‧‧RF源
4’‧‧‧電流量測裝置
6’‧‧‧電容器
7’‧‧‧電漿
5’‧‧‧電壓量測裝置
1’‧‧‧電漿反應腔室
2’‧‧‧探針
3’‧‧‧RF源
4’‧‧‧電流量測裝置
6’‧‧‧電容器
7’‧‧‧電漿
5’‧‧‧電壓量測裝置
圖1為習知的一種電漿量測架構圖； 圖2為電壓-時間之資料曲線圖； 圖3為電流-時間之資料曲線圖； 圖4為電流與電壓的關係曲線圖； 圖5為電流-時間資料曲線圖； 圖6為電流-時間資料曲線圖； 圖7為一種ECR電漿系統的架構圖； 圖8為ECR電漿系統的第二架構圖； 圖9為ECR電漿系統的第三架構圖； 圖10為ECR電漿系統的第四架構圖； 圖11為本發明之一種獲得穩定電漿源之方法的第一實施例的流程圖； 圖12為本發明之獲得穩定電漿源之方法的第二實施例的流程圖； 圖13A至圖13F為為探針在工作腔體內的第一高度至第六高度所測得之電壓-即時電流的資料曲線圖； 圖14為探針在工作腔體內所測得之電壓-平均即時電流的資料曲線圖。
S1~S5‧‧‧方法步驟
Claims (9)
- 一種獲得穩定電漿源之方法，係應用於一ECR電漿系統(電子迴旋共振，Electron Cyclotron Resonance)之中，其中，該ECR電漿系統係至少包括一氣體供應裝置、一微波產生器、一電漿產生腔體、一磁力系統、一工作腔體、與一抽氣與壓力維持裝置；該獲得穩定電漿源之方法係包括以下步驟： (1)將一探針伸入該工作腔體內； (2)啟動該抽氣與壓力維持裝置，以將該電漿產生腔體與該工作腔體之內部維持在一第一低壓真空狀態； (3)啟動該氣體供應裝置以通入一工作氣體至該電漿產生腔體之中，並啟動該微波產生器與該磁力系統以於該電漿產生腔體之中產生一電漿； (4)將該電漿導入該工作腔體內； (5)以一電源供應器供應一特定偏壓至該探針，並確定該工作腔體內之中的該電漿源係滿足一特定製程條件；接著透過連接至該電源供應器的一電錶記錄該特定偏壓以及該探針所收集的一特定電流； 其中，該特定電流即作為一穩定電漿參數，可供工程人員調控設定該ECR電漿系統產生一穩定電漿源以滿足所述之特定製程條件。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，其中，該微波產生器係提供頻率範圍係介於1GHz至3GHz的一微波至該電漿產生腔體之中。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，其中，該特定製程條件可為下列任一者：蝕刻速率、沉積速率、或切割速率。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，其中，該探針為一導體電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，其中，將該工作腔體內的一引流電極電連接至該電源供應器，則該引流電極即成為該探針。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，其中，該探針的一量測面係位於該工作腔體之中的一均勻電漿區。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，其中，該探針的一量測面係與該工作腔體之中的一靶材載台位於同一平面。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，其中，該探針的一量測面係與該工作腔體之中的一靶材載台之間，兩者係相對地具有一夾角。
- 如申請專利範圍第1項所述之獲得穩定電漿源之方法，更包括一自動調控穩定電漿源之步驟，且該自動調控穩定電漿源之步驟係包括以下詳細步驟： (6)重啟該氣體供應裝置與該氣體供應裝置，使得該電漿產生腔體與該工作腔體之內部維持在一第二低壓真空狀態；其中，該第二低壓真空狀態係相同或相似於該第一低壓真空狀態； (7)重啟該微波產生器與該磁力系統； (8)透過連接至該電源供應器的該電錶量測該探針所收集的一即時電流； (9)透過連接至該電錶的一調控裝置確認該即時電流與該特定電流的一電流差值是否為零，若是，則執行步驟(11)；若否，則執行步驟(10)； (10)該調控裝置即時性地調整該微波產生器之功率大小，並重複執行該步驟(8)；以及 (11)該工作腔體內之中的該電漿源已滿足該特定製程條件。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI803513B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-06-01 | 美商蘭姆研究公司 | 用以達成具有低的角分散之峰值離子能量增強的系統及方法 |
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| TW201713170A (zh) | 2017-04-01 |
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