TWI556941B - 在基板上壓印毗連區段之方法 - Google Patents
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Description
本申請案主張2009年8月4日所提申之美國臨時申請案第61/231,182號的優先權，該美國臨時申請案係特此併入以作為參考。
美國政府就本發明具有已償付許可(paid-up license)，且美國政府在有限的情況下具有權利要求專利所有人，依如同由國家標準技術局(NIST)先進技術計畫(ATP)獎助辦法[National Institute of Standards(NIST) ATP Award]所授予70NANB4H3012之條款所提供者的合理條件授權他人。
本案係有關於鄰接區段對準技術。
奈米製造技術係包括極小結構之製造，該極小結構具有100奈米或更小等級之特徵。奈米製造技術已在一應用中具有一相當大之衝擊，該一應用係為積體電路之製程。半導體製程工業一直持續致力於更大的生產良率，同時增加形成於一基板上每單位面積的電路，因此奈米製造技術變得日益重要。奈米製造技術提供了更好的製程管控，同時得以持續地降低所形成結構之最小特徵尺寸。已採用奈米製造技術的其他發展領域包括生物技術、光學技術、機械系統及相似者。
現今所使用之奈米製造技術之示範性技術一般被稱作為壓印微影術。示範性壓印微影術製程係詳細描述於許多刊物中，諸如美國專利公開案第2004/0065976號、美國專利公開案第2004/0065252號與美國專利第6,936,194號，該等公開案/專利皆係特此併入以於此作為參考。
上述各個美國專利公開案及美國專利中所揭露之一壓印微影術技術包括形成一起伏圖樣於一可成形(可聚合)層中，並將一對應於該起伏圖樣之一圖樣轉移至一下層基板中。該基板可被耦接於一運動機台以獲得一所欲之位置來促進該圖樣化製程。該圖樣化製程係使用與該基板間隔開之一模板及施加於該模板與該基板之間之一可成形液體。該可成形液體係被固化以形成一剛性層，該剛性層具有一圖樣，該圖樣係順應於接觸該可成形液體之模板表面之形狀。在固化後，該模板係與該剛性層分離，使得該模板與該基板被間隔開。該基板與該固化層接著係遭受到多數額外製程，用以將對應於該固化層中之圖樣之一起伏影像轉移至該基板中。
本發明一方面係有關於一種方法，包含：用一壓印微影術模板壓印設置於一基板的一第一區段中可聚合材料的一第一部分；使該模板與形成一第一經圖樣化層之可聚合材料的該第一部分分離；使該模板與該第一區段的一部分及一第二區段的一部分重疊；用該模板壓印設置於該基板的該第二區段中可聚合材料的一第二部分；及使該模板與形成一第二經圖樣化層之可聚合材料的該第二部分分離。
本發明之另一方面係有關於一種方法，包含：利用一壓印微影術模板壓印一第一區段以形成具有一第一殘留層的一第一經圖樣化層，該壓印微影術模板具有一第一側與一第二側，該第一側具有多數特徵及鄰接至該等特徵的至少一實質平面部分；設置該壓印微影術模板使得該第一側的該等特徵係與一第二區段重接(superimposition)，且該平面部分係與該第一經圖樣化層重接；及壓印該第二區段以形成具有一第二殘留層之一第二經圖樣化層。
本發明之又另一方面係有關於一種用於以一壓印微影術模板形成一經圖樣化層的方法，包含：設置該壓印微影術模板於一基板的一第一區段上所沉積的可聚合材料之上；降低該模板與該基板之間的距離使得該模板接觸該可聚合材料；固化該可聚合材料；使該模板與形成一第一經圖樣化層之該可聚合材料分離；設置該壓印微影術模板於該第一經圖樣化層及該基板的一第二區段上所沉積的可聚合材料之上；降低該模板與該基板之間的距離使得該模板接觸設置在該第二區段上的該可聚合材料；固化該可聚合材料；使該模板與形成一第二經圖樣化層之該可聚合材料分離。
為使本發明可更詳細地被了解，本發明實施例之說明係參照所附圖式中所例示之實施例而提供。但要注意的是，所附圖式僅例示本發明典型之實施例，因此所附圖式並不被視為範疇之限制。
第1圖例示出依照本發明之一實施例之微影系統之簡化側視圖。
第2圖例示出第1圖中所示基板之簡化側視圖，該基板上設置有一經圖樣化層。
第3圖例示出一模板與具有突出物形成於其上之一基板之簡化側視圖。
第4圖例示出用於壓印多區段以最小化及/或避免突出物之一方法之流程圖。
第5圖例示出用於自一壓印區域的至少一邊緣回縮可聚合材料以最小化及/或避免突出物之一方法之流程圖。
第6圖例示出一基板之俯視圖，該基板具有自一壓印區域之邊緣回縮的經回縮可聚合材料。
第7圖例示出一步進圖樣(stepping pattern)之一實施例。
第8圖例示出一模板之簡化側視圖，該模板於壓印期間與至少一部分之經圖樣化區段重疊。
第9圖例示出使用重疊壓印來壓印一區段之一方法之流程圖。
參照圖示，特別是參照第1圖，其中所例示者係為一微影系統(lithographic system)10，該微影系統係被用於在基板12上形成一起伏圖樣。基板12可被耦接於基板夾具14。如所例示者，基板夾具14為一真空夾具。然而，基板夾具14可為任何夾具，包括但並不限於真空型、銷型、溝槽型、靜電型、電磁型及/或相似者。示範性夾具係描述於美國專利第6,873,087號中，該專利係特此併入以於此作為參考。
基板12及基板夾具14可進一步由機台16所支持。機台16可提供沿著x、y及z軸之運動。機台16、基板12及基板夾具14亦可被設置於一基底上(未顯示)。
與基板12間隔開的係為模板18。模板18可包括從其向基板12延伸之高台(mesa)20，且高台20具有一圖樣化表面22於其上。再者，高台20可被稱作為模20。任擇地，模板18可被形成為沒有高台20。
模板18及/或模20可由如下材料形成，包括但不限於，熔融矽石、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石及/或相似者。如所例示者，圖樣化表面22包含由數個間隔開之凹部24及/或突部26所界定之特徵，但本發明之實施例並不限於此類組構。圖樣化表面22可界定出任何原始圖樣，該原始圖樣形成擬形成於基板12上之圖樣之基礎。
模板18可被耦接於夾具28。夾具28可被組構為，但不限於，真空型、銷型、溝槽型、靜電型、電磁型及/或其他類似夾具型式。示範性夾具係進一步描述於美國專利第6,873,087號中，該專利係特此併入以於此作為參考。再者，夾具28可被耦接至壓印頭30，使得夾具28及/或壓印頭30可被組構以促進模板18之移動。
系統10可進一步包含流體分配系統32。流體分配系統32可被用於沉積可聚合材料34於基板12上。可聚合材料34可使用諸如滴式分配、旋轉塗佈、浸漬塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積及/或相似者之技術設置於基板12上。根據設計考量，可聚合材料34可於界定出模20與基板12之間所欲體積之前及/或之後設置於基板12上。可聚合材料34可包含如美國專利第7,157,036號和美國專利公開案第2005/0187339號中所述之單體混合物，該專利及專利公開案兩者係特此併入以於此作為參考。
參照第1圖與第2圖，系統10可進一步包含能量來源38，該能量來源係被耦接以沿著路徑42導引能量40。壓印頭30及機台16可被組構以將模板18及基板12設置成與路徑42重接。系統10可由處理器54調制，該處理器係與機台16、壓印頭30、流體分配系統32及/或能量來源38相通聯，且系統10可由儲存於記憶體56中的電腦可讀取程式操作。
壓印頭30及機台16任一或兩者變化模20與基板12之間的距離以於其間界定出由可聚合材料34充填之所欲體積。舉例而言，壓印頭30可施加一力量至模板18，使模20接觸可聚合材料34。當所欲體積以可聚合材料34充填之後，能量來源38便產生能量40(如，紫外線輻射)，造成可聚合材料34固化及/或交聯順應於基板12之表面44之形狀及圖樣化表面22，界定出基板12上經圖樣化層46。經圖樣化層46可包含一殘留層48與數個如突部50與凹部52所示之特徵，其中突部50具有一厚度t1，而殘留層具有一厚度t2。
以上提到的系統與製程可進一步被採用於美國專利第6,932,934號、美國專利公開案第2004/0124566號、美國專利公開案第2004/0188381號及美國專利公開案第2004/0211754號中所述之壓印微影術製程及系統中，該等專利/專利公開案各係特此併入以於此作為參考。
參照第3圖，在壓印期間，於基板12上一所欲壓印區域內，數滴可聚合材料34係充填模板18之特徵24及26與高台20之邊緣之間的體積。然而，可聚合材料34可能會溢出基板12上該所欲壓印區域，在基板12上形成如第3圖所例示之突出物60a。例如，基板12上之突出物60a可能會於區段A及/或區段C之壓印期間形成。
模板18上之突出物60b亦可能會於區段A及/或區段C之壓印期間形成。突出物60a及/或60b可能會抑制壓印區段B之形成。舉例而言，突出物60a可能會在基板12上形成一粗糙度，其高度超過區段A之殘留層48a之厚度t2a及/或區段C之殘留層48c之厚度t2c。因此，突出物60可能會因防止模板18達到一適當之與基板12相距之距離而抑制壓印區段(區段B)之形成。
在先前技藝中，基板12之壓印區段係為分離的，使得模板18之壓印區域不會與先前之經壓印區段重疊。然而，此製程卻會提供出在殘留層48中具有不連續性的經圖樣化層46，尤其是當區段之間的空間被提供來容納突出物60a及/或60b時。在CMOS製程(例如，蝕刻、化學-機械拋光(CMP)及相似者)中，一般殘留層48具有一實質固定平均厚度t2而沒有此類區段間的不連續性。此外，基板12的整個表面提供了寶貴的不動產(real-estate)，該不動產應該要最大化以避免浪費。分離壓印區段以避免重疊可能會浪費此寶貴的不動產。
第4至7圖描述並例示出各種可最小化及/或避免突出物60之製程方法。再者，此類方法可提供用於壓印基板12上之數個毗連區段。應注意的是，此類技術可被單一地或經由組合而使用，以最小化及/或避免突出物60。
第4圖例示出用於壓印多區段以最小化及/或避免突出物60a及/或60b之一方法100之流程圖。一般而言，最小化殘留層48的厚度t2可最小化基板上可聚合材料34的總量，並因此最小化突出物60a及/或60b的發生。在一步驟102中，可聚合材料34之一第一體積V1可被決定，以最小化一基板12之一第一區段(區段A)的殘留層48的厚度t2a(例如，少於大約25nm)。在一步驟104中，第一體積V1之可聚合材料34可被沉積在第一區段(區段A)處的基板12上。在一步驟106中，模板18可接觸可聚合材料34。在一步驟108中，可聚合材料34可被固化。在一步驟110中，模板18可與可聚合材料34分離，以在第一區段(區段A)提供第一經圖樣化層48a。在一步驟112中，可聚合材料34之一第二體積V2可被決定，以最小化一基板12之一第二區段(區段B)的殘留層48b的厚度t2b(例如，少於大約25nm)。第二區段(區段B)可鄰接及毗連第一區段(區段A)。第二體積V2可實質與第一體積V1相似。任擇地，第二體積V2可與第一體積V1不同。舉例來說，若第一區段(區段A)及第二區段(區段B)中之基板上材料的沉積是在實質相似時間，第二體積V2可被增加以在第一區段(區段A)可先於第二區段(區段B)被壓印之時承擔可聚合材料的蒸發。
在一步驟114中，第二體積V2之可聚合材料34可被沉積在第二區段(區段B)處的基板12上。在一步驟116中，模板18可接觸可聚合材料34。在一步驟118中，可聚合材料34可被固化。在一步驟120中，模板18可與可聚合材料34分離，以在第二區段(區段B)形成第二經圖樣化層48b。第二區段(區段B)處的第二經圖樣化層48b可具有一殘留層48b實質與第一區段(區段A)處的第一經圖樣化層48a之殘留層48a相似。
第5圖例示出用於限制及/或消除突出物60a及/或60b之另一方法。尤其是流程圖200例示出用於自壓印區域的至少一邊緣回縮可聚合材料34以最小化及/或避免突出物60a及/或60b之一方法。在一步驟202中，用於分配可聚合材料34於一區段上的一滴式圖樣可被決定。舉例來說，該滴式圖樣可藉由讓模板18的特徵24及/或26與要求的殘留層48a之體積及/或厚度相互關聯來決定，使得數液滴在空間上相關聯於模板18的特徵24及/或26之位置，並具有足夠的數量以在壓印期間充填模板18與基板12之間的體積。藉由特徵24及/或26之相互關聯來決定滴式圖樣的示範性技術可至少在美國申請案第11/143,092號、美國申請案第12/170,229號及美國申請案第12/262,669號中被找到，該等美國申請案皆係特此全部併入以作為參考。
在一步驟204中，滴式圖樣可被調整使得在滴式圖樣邊緣處之數液滴(例如，位在經圖樣化層48a的邊緣及/或壓印區域的邊緣)可朝向該滴式圖樣之中心C偏移(例如，朝向區段A的中心)。舉例來說，數液滴可朝向區段A的中心C偏移使得在壓印期間特徵24與26及模板18和基板12之間的體積可在可聚合材料34有機會溢離高台20前被充填。
第6圖例示出使數液滴朝向區段A的中心C偏移一距離d之一範例。距離d可為設立在一區段之邊緣64附近的一周邊。舉例來說，距離d可為設立在一區段之邊緣64附近大約200μm的一周邊。一般而言，距離d在壓印區段的所有邊緣64處係為實質相似的；然而，應注意的是，根據設計考量，距離d可在壓印區段的一個或更多邊緣64處有所不同。舉例來說，距離d就平行邊緣可為相似。再者，距離d的大小可基於先前毗連的經壓印區段及/或模板18的特徵24及/或26之分布而改變。舉例來說，毗連接至一先前之經壓印區段之一區段的邊緣64可具有較該區段之另一邊緣64更大的一距離。偏移在區段的各個邊緣64處可為實質相似，或者此類偏移距離d可在區段的各個邊緣64處有所不同。在一範例中，形成一壓印所需之液滴數目可不在滴式圖樣的調整期間減少；反之液滴可僅僅朝向區段之中心偏移。
在一步驟206中，可聚合材料34可基於該經調整之滴式圖樣被沉積在基板12上。在一步驟208中，當來自依據該經調整之滴式圖樣置於壓印區域周邊之液滴的可聚合材料34到達模20之一邊緣時，模板18與基板12之間的距離可被最小化。在一步驟210中，可聚合材料34可被固化。在一步驟212中，模板18可與在基板12之區段A中形成經圖樣化層48a之已固化的可聚合材料34分離。在一步驟214中，以上各個步驟可被重複用於基板12之區段B。區段B與區段A之殘留層48可具有實質相似之厚度t2。
參閱第7圖，一步進圖樣(stepping pattern)400可被用於使一區段的各個邊緣64毗連至一之前經壓印區段的次數成最適均等。提供步進圖樣400可最小化如第1圖與第2圖中所述及例示之壓印期間可聚合材料34偏離模20的沉積。步進圖樣400一般會安排在基板12上區段的壓印順序，使得在壓印期間區段的各個邊緣64毗連一先前經壓印區段邊緣64。先前經壓印邊緣64係於第7圖中以深色矩形指出。先前經壓印區段之邊緣64可被用於遏制可聚合材料34或對可聚合材料34提供一界限，因而最小化可聚合材料34偏離模20的沉積。
第7圖例示出步進圖樣400，其中基板12的各個區段係被描繪成一標出有壓印順序之正方形。在此步進圖樣400中，該第一區段(參考號碼1)係被壓印於基板12之中心，而隨後的各個區段(參考號碼2、3、4、5…34)則以一類螺旋形方式朝向基板12之邊緣66壓印。利用該類螺旋形壓印模式，一區段之各個邊緣64可毗連至少一個先前經壓印區段(以深色矩形指出)，該經壓印區段具有擬被壓印之區段之邊緣64。鄰接至一先前經壓印區段的邊緣64係以深色矩形指出。此邊緣64可對用於壓印中區段之可聚合材料34提供遏制。舉例來說，在壓印區段6的期間，先前經壓印區段1之一邊緣64及先前經壓印區段4之一邊緣64可對可聚合材料34提供遏制。
參閱第3圖、第8圖與第9圖，一重疊壓印法500可被用來局限經先前壓印區段邊緣之間的可聚合材料34，並最小化及/或避免突出物60a及60b。參閱第8圖與第9圖，在一步驟502中，區段A可利用與第1圖與第2圖相關之系統及製程被壓印以形成具有殘留層48a之經圖樣化層46a。任選地，區段C可被壓印以形成具有殘留層48c之經圖樣化層46c。在一步驟504中，模板18可被設置成與區段B重接，使得模板18的至少一部分19a與區段A的經圖樣化層46a的至少一部分重接。模板18可包括一第一側70與一第二側72。第一側70可包括如關聯第1圖所敘述之特徵24與26。重疊經圖樣化層46a之模板18的部分19a可為實質平面，且被設置成與特徵24與26鄰接。一般而言，當模板18之特徵24與26在壓印製程期間(關聯第1圖及第2圖所詳細描述者)接觸可聚合材料34時，部分19a係在與一鄰接區段之先前經壓印經圖樣化層46(例如區段A的經圖樣化層46a)有一些微距離處。該距離係使得模板18之特徵24與26可接觸可聚合材料34，且部分19a不會接觸先前經壓印經圖樣化層46。
模板18之部分19a可延伸(即，重疊)於經圖樣化層46a之上達一如第8圖所例示之距離d2。一般而言，部分19a可延伸於經圖樣化層46a之殘留層48a之上。殘留層48a的厚度在部分19a的重疊上變成了一個重點，因為一相對厚之殘留層48a可能會抑制鄰接區段的壓印。在一範例中，殘留層48a的厚度係少於5μm以提供鄰接區段之壓印，而不會抑制模板18與設置在該鄰接區段上可聚合材料34之間的接觸。
任選地，模板18的部分19b可同時延伸於另一鄰接區段(例如經圖樣化層46c)之上達一距離d3。距離d2及d3可為實質類似或不同。在一步驟506中，可聚合材料34可在區段B之區中被沉積或塗佈於基板12上。在一步驟508中，區段B可利用第1圖及第2圖的系統及製程壓印。
再次參閱第3圖，應注意的是，藉由在壓印製程期間最小化氣體流量，突出物60a及/或60b的形成可被最小化及/或避免。可聚合材料34在模及/或模板18上的沉積可貢獻於突出物60的形成。因此，藉由調整氣體流量，氣相生成之可聚合材料34可被最小化。藉由最小化可聚合材料34在模20(例如模20的壁)上的沉積，突出物60a及/或60b可被最小化及/或避免。
10．．．(微影)系統
12．．．基板
14．．．基板夾具
16．．．機台
18．．．模板
19a,19b．．．(模板的)部分
20．．．高台、模
22．．．圖樣化表面
24．．．凹部、特徵
26．．．突部、特徵
28．．．夾具
30．．．壓印頭
32．．．流體分配系統
34．．．可聚合材料
38．．．能量來源
40．．．能量
42．．．路徑
44．．．表面
46,46a,46c．．．經圖樣化層
48,48c．．．殘留層
48a,48b．．．殘留層、經圖樣化層
50．．．突部
52．．．凹部
54．．．處理器
56．．．記憶體
60,60a,60b．．．突出物
64,66．．．邊緣
70．．．第一側
72．．．第二側
100．．．方法
102,104,106,108,110．．．步驟
112,114,116,118,120．．．步驟
200．．．流程圖
202,204,206,208．．．步驟
210,212,214．．．步驟
400．．．步進圖樣
500．．．重疊壓印法
502,504,506,508．．．步驟
C．．．中心
d,d2,d3．．．距離
t1,t2,t2a,t2c．．．厚度
第1圖例示出依照本發明之一實施例之微影系統之簡化側視圖。
第2圖例示出第1圖中所示基板之簡化側視圖，該基板上設置有一經圖樣化層。
第3圖例示出一模板與具有突出物形成於其上之一基板之簡化側視圖。
第4圖例示出用於壓印多區段以最小化及/或避免突出物之一方法之流程圖。
第5圖例示出用於自一壓印區域的至少一邊緣回縮可聚合材料以最小化及/或避免突出物之一方法之流程圖。
第6圖例示出一基板之俯視圖，該基板具有自一壓印區域之邊緣回縮的經回縮可聚合材料。
第7圖例示出一步進圖樣(stepping pattern)之一實施例。
第8圖例示出一模板之簡化側視圖，該模板於壓印期間與至少一部分之經圖樣化區段重疊。
第9圖例示出使用重疊壓印來壓印一區段之一方法之流程圖。
10．．．微影系統
12．．．基板
14．．．基板夾具
16．．．機台
18．．．模板
20．．．高台、模
22．．．圖樣化表面
24．．．凹部、特徵
26．．．突部、特徵
28．．．夾具
30．．．壓印頭
32．．．流體分配系統
34．．．可聚合材料
38．．．能量來源
40．．．能量
42．．．路徑
44．．．表面
54．．．處理器
56．．．記憶體
Claims (20)
- 一種在基板上壓印毗連區段之方法，包含：用一壓印微影術模板壓印設置於一基板的一第一區段中可聚合材料的一第一部分；使該模板與形成一第一經圖樣化層之可聚合材料的該第一部分分離；使該模板與該第一區段的一部分及一第二區段重疊；用該模板壓印設置於該基板的該第二區段中可聚合材料的一第二部分；及使該模板與形成一第二經圖樣化層之可聚合材料的該第二部分分離，其中該第一區段之模板重疊侷限可聚合材料之該第二部分，並避免自該第一經圖樣化層之邊緣所生的可聚合材料之第二部分之突出物。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一經圖樣化層包括一第一殘留層且該第二經圖樣化層包括一第二殘留層。
- 如申請專利範圍第2項之方法，其中該第一殘留層及該第二殘留層之厚度係實質相似。
- 如申請專利範圍第2項之方法，其中可聚合材料的該第一部分的體積係被決定以最小化該第一殘留層之厚度。
- 如申請專利範圍第4項之方法，其中該第一殘留層之厚度係少於大約25nm。
- 如申請專利範圍第2項之方法，更包含：決定一滴式圖樣(drop pattern)以供分配可聚合材料的該第一部分於該基板的該第一區段上；調整該滴式圖樣使得該滴式圖樣的數液滴係朝向該滴式圖樣之一中心偏移一距離，其中距離在已移開數液滴之滴式圖樣的數個邊緣建立一週邊；及利用該經調整的滴式圖樣分配可聚合材料於該基板的該第一區段上。
- 如申請專利範圍第6項之方法，其中用於該第一部分的該滴式圖樣係藉由讓該模板的數個特徵與該第一殘留層的一要求之厚度相互關聯來決定，使得分配在該基板上的數滴可聚合材料係在空間上與該模板的數個特徵之位置相互關聯，並有足夠的數量以在壓印期間充填該模板與該基板之間的一體積。
- 如申請專利範圍第6項之方法，其中該距離在該滴式圖樣的全部邊緣係實質相似。
- 如申請專利範圍第6項之方法，其中該距離在該滴式圖樣的至少一邊緣係不同。
- 如申請專利範圍第6項之方法，其中該距離在已知座落有先前經壓印區段之該滴式圖樣的一邊緣係較大。
- 如申請專利範圍第1項之方法，更包含：利用一步進圖樣(stepping pattern)壓印多數區段以均等化一區段之一邊緣毗連至一經先前壓印區段的次數。
- 如申請專利範圍第11項之方法，其中該步進圖樣係以一類螺旋形模式進行。
- 如申請專利範圍第11項之方法，其中被毗連之區段對用於壓印中區段的可聚合材料提供遏制。
- 一種在基板上壓印毗連區段之方法，包含：利用一壓印微影術模板壓印一第一區段以形成具有一第一殘留層的一第一經圖樣化層，該壓印微影術模板具有一第一側與一第二側，該第一側具有多數特徵及鄰接至該等特徵的至少一實質平面部分；設置該壓印微影術模板使得該第一側的該等特徵係與一第二區段重接(superimposition)，且該平面部分係與該第一經圖樣化層之一部分重接；及壓印該第二區段以形成具有一第二殘留層之一第二經圖樣化層，其中與第一經圖案化層重接之該模板平面部分侷限可聚合材料之該第二部分，並避免自該第一經圖樣化層之邊緣所生的可聚合材料之第二部分之突出物。
- 如申請專利範圍第14項之方法，其中該第一殘留層之厚度與該第二殘留層之厚度係實質相似。
- 如申請專利範圍第14項之方法，其中該第一殘留層之厚度係少於約5μm。
- 如申請專利範圍第14項之方法，其中該壓印微影術模板的一第二平面部分係與一第三經圖樣化層重接。
- 如申請專利範圍第14項之方法，其中該平面部分在壓印 該第二區段的期間係與該第一區段重接，且該平面部分係在距該第一殘留層有一距離處。
- 一種在基板上壓印毗連區段之方法，包含：設置該壓印微影術模板於一基板的一第一區段上所沉積的可聚合材料之上；降低該模板與該基板之間的距離使得該模板接觸該可聚合材料；固化該可聚合材料；使該模板與形成一第一經圖樣化層之該可聚合材料分離；以將該壓印微影術模板之一部分延伸超出該第一經圖案化層之一部分的方式，設置該壓印微影術模板於該第一經圖樣化層及該基板的一第二區段上所沉積的可聚合材料之上；降低該模板與該基板之間的距離使得該模板接觸設置在該第二區段上的該可聚合材料；固化該可聚合材料；使該模板與形成一第二經圖樣化層之該可聚合材料分離，其中該延伸超出該第一經圖案化層部分之模板部分侷限可聚合材料之該第二部分，並避免自該第一經圖樣化層之邊緣所生的可聚合材料之第二部分之突出物。
- 如申請專利範圍第19項之方法，其中該第一及第二經圖樣化層的殘留層之厚度係實質相似。
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|---|---|---|---|---|
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| JP5238742B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | 加工方法および加工装置 |
| JP5599356B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-10-01 | 富士フイルム株式会社 | シミュレーション方法、プログラムおよびそれを記録した記録媒体、並びに、それらを利用した液滴配置パターンの作成方法、ナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置。 |
| US10549313B2 (en) * | 2016-10-31 | 2020-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Edge field imprint lithography |
| KR102730502B1 (ko) * | 2017-01-23 | 2024-11-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 임프린트 패턴 형성 방법 |
| US11209730B2 (en) * | 2019-03-14 | 2021-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods of generating drop patterns, systems for shaping films with the drop pattern, and methods of manufacturing an article with the drop pattern |
| US11429022B2 (en) * | 2019-10-23 | 2022-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Systems and methods for curing a shaped film |
| US11474441B2 (en) * | 2020-06-25 | 2022-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Systems and methods for generating drop patterns |
| US12535731B2 (en) * | 2020-08-05 | 2026-01-27 | Shanghai North Ocean Photonics Co., Ltd. | Integrally formed resin diffusing component, doe, and manufacturing method therefor |
| US11567417B2 (en) | 2021-01-20 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Anti-slippery stamp landing ring |
| JP7799461B2 (ja) * | 2021-12-03 | 2026-01-15 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、パターン形成方法、インプリント装置および物品の製造方法 |
| US12136558B2 (en) | 2022-06-30 | 2024-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Generating edge adjusted drop patterns |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070054097A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, imprint apparatus, and process for producing structure |
| US20080018875A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2008183732A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びパターン形成用モールド |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6873087B1 (en) * | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| JP2004505273A (ja) * | 2000-08-01 | 2004-02-19 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィのための透明テンプレートと基板の間のギャップおよび配向を高精度でセンシングするための方法 |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US6932934B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US6936194B2 (en) * | 2002-09-05 | 2005-08-30 | Molecular Imprints, Inc. | Functional patterning material for imprint lithography processes |
| US8349241B2 (en) * | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US20040065252A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Sreenivasan Sidlgata V. | Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards |
| US7179396B2 (en) * | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
| US7396475B2 (en) * | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
| US7157036B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| DE10330456B9 (de) * | 2003-07-05 | 2007-11-08 | Erich Thallner | Vorrichtung zum Erstellen einer Oberflächenstruktur auf einem Wafer |
| US8076386B2 (en) * | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| EP1768846B1 (en) * | 2004-06-03 | 2010-08-11 | Molecular Imprints, Inc. | Fluid dispensing and drop-on-demand dispensing for nano-scale manufacturing |
| US7686970B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US20060266916A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy |
| US20070005409A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | International Business Machines Corporation | Method and structure for overriding calendar entries based on context and business value |
| US7579137B2 (en) * | 2005-12-24 | 2009-08-25 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating dual damascene structures |
| KR101232051B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 펄스 변조신호 발생회로 |
| US20090014917A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Molecular Imprints, Inc. | Drop Pattern Generation for Imprint Lithography |
| JP5274128B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2013-08-28 | キヤノン株式会社 | インプリント方法および基板の加工方法 |
| JP5473266B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法 |
| JP4908369B2 (ja) * | 2007-10-02 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | インプリント方法及びインプリントシステム |
| US8119052B2 (en) * | 2007-11-02 | 2012-02-21 | Molecular Imprints, Inc. | Drop pattern generation for imprint lithography |
| JP2010076219A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | ナノインプリントによる基板の加工方法 |
-
2010
- 2010-07-29 US US12/846,211 patent/US20110031650A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-30 WO PCT/US2010/002136 patent/WO2011016849A2/en not_active Ceased
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- 2010-07-30 KR KR1020127003861A patent/KR101762213B1/ko active Active
- 2010-07-30 JP JP2012523602A patent/JP5728478B2/ja active Active
- 2010-08-03 TW TW099125714A patent/TWI556941B/zh active
-
2019
- 2019-06-11 US US16/437,167 patent/US11199772B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070054097A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, imprint apparatus, and process for producing structure |
| US20080018875A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2008183732A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びパターン形成用モールド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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