TWI555076B

TWI555076B - 基板處理設備及方法

Info

Publication number: TWI555076B
Application number: TW103140558A
Authority: TW
Inventors: 金泰勳
Original assignee: Psk有限公司
Priority date: 2014-03-06
Filing date: 2014-11-21
Publication date: 2016-10-21
Also published as: TW201535498A; CN104900563A; KR20150104813A; KR101594928B1

Description

基板處理設備及方法

本發明係關於一種用於處理基板之設備及方法，更詳細而言，本發明係關於一種利用電漿處理基板之設備及方法。

經受前端(FEOL：Front End Of Line)製程的晶圓，其厚度超過所要厚度以上，因而需要經由背面研磨(Back Grinding)製程而變薄。但是，背面研磨製程後，晶圓之厚度過薄，因而不容易進行晶圓的操作(Handling)。因此，為晶圓操作，利用黏合劑將載體附著於晶圓。載體在作為後續製程之晶片黏接(Chip Bonding)、底部填充(Underfill)、成型(Molding)製程後移除。

載體移除後，晶圓在附著於框架環上所固定的安裝用帶之狀態下進行操作。安裝用帶不僅使得晶圓之操作容易，而且在晶圓分離為個別晶片時防止晶片散開。

在移除載體之晶圓上，黏合劑移除不完全而留下一部分。殘餘黏合劑不容易移除。

本發明之實施例提供一種基板處理設備及方法，其能夠容易地移除在載體移除後晶圓上殘留的黏合劑。

另外，本發明之實施例提供一種能夠防止框架環變性的基板處理設備及方法。

另外，本發明之實施例提供一種能夠防止製程處理時晶圓之扭曲現象的基板處理設備及方法。

另外，本發明之實施例提供一種基板處理設備及方法，其能夠防止在非傳導性薄膜層壓(NCF Lamination)時可能發生的空洞(Void)之產生。

另外，本發明之實施例提供一種能夠防止安裝用帶與基座之間之靜電的基板處理設備及方法。

本發明之目的不限定於此，未提及的其他目的為熟習此項技術者能夠根據以下記載而明確理解的。

本發明提供一種基板處理設備。根據一個實施例，基板處理設備包括：製程腔室，其內部形成有空間；支撐單元，其位於製程腔室內部以支撐處理對象物；氣體供應部，其向製程腔室內部供應製程氣體；且支撐單元包括：基座；陶瓷環，其環繞基座來提供；進一步包括墊片，其在置放於支撐單元中之處理對象物與陶瓷環之間提供間隙。

另外，為使處理對象物位於基座頂部，進一步包括在陶瓷環之頂部邊緣部分凸出提供的引導部。該引導部提供為多個，其環繞基座相互間隔開。

另外，在基座之頂部形成有壓紋。

處理對象物包括：框架環；固定於框架環之內側面的安裝用帶；以及附著於安裝用帶之頂部的晶圓；且該基板處理設備進一步包括阻塞構件，其為覆蓋框架環之環形狀，以使得框架環不暴露於電漿。

阻塞構件提供來使安裝用帶暴露於電漿。

本發明提供基板處理方法。根據一個實施例，該基板處理方法包括：在固定於框架環的安裝用帶上附著已完成背面研磨之晶圓以構成處理對象物之步驟；使處理對象物位於基板處理設備內之步驟；以及，利用激發為電漿之製程氣體移除晶圓表面的黏合劑殘餘物之步驟。

另外，該方法之特徵在於，在該移除黏合劑殘餘物之步驟中，使該安裝用帶暴露於該電漿。

另外，該方法之特徵在於，在該移除黏合劑殘餘物之步驟中，該框架環由阻塞環覆蓋，該安裝用帶不由該阻塞環覆蓋。

本發明之實施例能夠容易地移除在載體移除後晶圓上殘留的黏合劑。

另外，本發明之實施例使框架環暴露於電漿實現最小化，從而能夠防止框架環之變性。

另外，根據本發明之實施例，為誘導安裝用帶與基座之間空氣的排出，在陶瓷環上提供墊片等，從而使空氣容易排出，藉以能夠防止製程進行時晶圓之扭曲現象等。

另外，本發明之實施例使安裝用帶暴露於電漿，移除黏合劑，從而能夠防止在非傳導性薄膜層壓(NCF Lamination)時會發生的空洞(Void)之產生。

另外，本發明之實施例在基座頂部形成壓紋，從而能夠防止安裝用帶與基座之間的靜電。

A-A'‧‧‧線

G‧‧‧間隙

50‧‧‧處理對象物

51‧‧‧晶圓

51a‧‧‧晶圓

51b‧‧‧晶圓

51c‧‧‧晶圓

52‧‧‧矽貫通電極

53‧‧‧凸塊

54‧‧‧載體

55‧‧‧黏合劑

55a‧‧‧黏合劑

61‧‧‧晶片黏接

62‧‧‧底部填充

63‧‧‧成型

71‧‧‧框架環

72‧‧‧安裝用帶

310‧‧‧製程腔室

311‧‧‧主體

312‧‧‧密閉蓋

313‧‧‧排氣孔

314‧‧‧擴散空間

317‧‧‧排氣管線

320‧‧‧支撐單元

322‧‧‧基座

324‧‧‧陶瓷環

324a‧‧‧容納槽

324b‧‧‧引導部

324c‧‧‧墊片

330‧‧‧擋板

331‧‧‧分配孔

340‧‧‧電漿產生部

341‧‧‧振盪器

342‧‧‧波導管

343‧‧‧介電管

350‧‧‧阻塞構件

351‧‧‧阻塞環

352‧‧‧主體

353‧‧‧內側部

354‧‧‧外側部

355‧‧‧升降構件

361‧‧‧移動桿

362‧‧‧第一桿

363‧‧‧第二桿

364‧‧‧第三桿

365‧‧‧托片

368‧‧‧驅動部

370‧‧‧氣體供應部

372‧‧‧氣體供應管線

374‧‧‧氣體儲集部

376‧‧‧氣體埠

410‧‧‧排氣板

411‧‧‧排氣孔

圖1為展示本發明實施例之基板處理設備中所處理的處理對象物之一個實例之立體圖。

圖2至圖8為依次展示製作圖1所示的處理對象物之過程圖。

圖9為展示本發明之一個實施例的基板處理設備之剖面圖。

圖10為展示圖9之基座與陶瓷環之立體圖。

圖11為展示圖9之基座與阻塞構件之俯視圖。

圖12為展示沿著圖11之A-A’線截取的支撐單元與阻塞構件之剖面圖。

圖13及圖14為分別展示本發明另一實施例之基板處理設備之剖面圖。

以下參照附圖，更詳細地說明本發明之實施例。本發明之實施例可變形為多種形態，不得解釋為本發明之範圍限定於以下實施例。本發明實施例提供來用於向熟習此項技術者更完全地說明本發明。因此，為更明確地強調說明，對附圖中元件之形狀進行誇示。

圖1為展示本發明實施例之基板處理設備中提供的處理對象物之立體圖，圖2至圖8為依次展示製作圖1所示的處理對象物之過程圖。

如圖1至圖8所示，提供如圖2所示完成前端(FEOL)製程之晶圓(51)。在晶圓(51)上，如圖3所示依次形成有矽貫通電極(TSV：Through Silicon Via,52)及黏合於載體(54)之凸塊(53)。載體(54)作為矽或玻璃材質的板，當晶圓(51)經過背面研磨製程時，因厚度非常薄而難以操作，因而，欲提供用於晶圓(51)之操作。載體(54)藉助於黏合劑(55)而黏合於晶圓(51)頂部。

為減小封裝(Package)之組裝尺寸，將附著有載體(54)之晶圓(51)提供至背面研磨(Back Grinding)製程。經受前端(FEOL)製程之晶圓(51)由於厚度不必要地過厚，因而如圖4所示，在背面研磨製程中將晶圓(51)背面研磨得極薄。

背面研磨製程後，晶圓(51a)如圖5所示進行倒裝(flip)、晶片黏接(chip bonding,61)。而且，如圖6所示，依次進行底部填充(under fill,62)與成型(molding,63)製程。

如圖7所示，完成成型(63)製程之晶圓(51b)附著於在框架環(71)所固定的安裝用帶(72)上。框架環(71)為具有大於晶圓(51b)之半徑的環形狀，其以不銹鋼 (Stainless)或SUS材質來提供。安裝用帶(72)作為厚度較薄之薄膜，薄膜本身難以支撐晶圓(51b)，因而將其固定於框架環(71)。安裝用帶(72)由3層構成，由基底(Base)薄膜、供晶圓黏合之黏合層以及對其進行保護之保護薄膜構成。框架環(71)具有大於晶圓(51b)之半徑，因而從上部觀察時，在框架環(71)與晶圓(51b)之間區域，安裝用帶(72)暴露於外部。

將晶圓(51b)附著於安裝用帶(72)後，如圖8所示移除載體(54)。載體(54)移除後，安裝用帶(72)暫時替代載體(54)作用，以晶圓(51c)附著於安裝用帶(72)之狀態提供給製程。框架環(71)及安裝用帶(72)使得晶圓(51c)之操作更為容易。而且，安裝用帶(72)在晶圓(51c)劃片(Dicing)分離成個別晶片時，使得晶片因黏合力而不散開或損失。

載體(54)移除後，在晶圓(51c)之頂部殘留有黏合劑(55a)，因而要求用於對此進行移除之追加製程。

在晶圓(51c)頂部之殘留黏合劑(55a)移除製程後，可執行將非傳導性薄膜(NCF：Non Conductive Film)熱壓附於晶圓(51c)頂部以堵塞凸塊(53)之間縫隙的非傳導性薄膜層壓(NCF Lamination)製程。此時，當在安裝用帶(72)之表面殘留有黏合劑時，非傳導性薄膜之邊緣區域由安裝用帶(72)上殘留的黏合劑所黏合，從而會發生在凸塊(53)之間的隙縫中出現空洞(Void)之問題。

圖9為展示本發明之一個實施例的基板處理設備(30)之圖。為了使所述領域中具有通常知識者可更加理解本發明，示例性的將容納槽(324a)、引導部(324b)、墊片(324c)等元件相對於陶瓷環(324)之中心的示意位置(非正確位置)標示於圖9、圖12、圖13及圖14中以方便說明。如圖9所示，基板處理設備(30)包括製程腔室(310)、支撐單元(320)、擋板(330)、電漿產生部(340)、阻塞構件(350)以及氣體供應部(370)。基板處理設備(30)執行利用電漿移除殘留於晶圓(51c)的黏合劑(55a)及殘留於安裝用帶(72)表面的黏合劑之製程。

製程腔室(310)提供執行製程處理之空間。製程腔室(310)具有主體(311)及密閉蓋(312)。主體(311)頂部敞開，在內部形成有空間。在主體(311)之側面形成有供處理對象物(50)出入之開口(未圖示)，開口藉助於諸如狹縫門(slit door)之開閉構件(未圖示)而開閉。開閉構件在製程腔室(310)內執行處理對象物(50)處理期間封閉開口，在處理對象物(50)搬入製程腔室(310)內部時及搬出至製程腔室(310)外部時，打開開口。

在主體(311)之下部壁形成有排氣孔(313)。排氣孔(313)與排氣管線(317)連接。經由排氣管線(317)來調節製程腔室(310)之內部壓力，在製程中發生的反應副產物排出至製程腔室(310)外部。

密閉蓋(312)與主體(311)之上部壁結合，覆蓋主體(311)之敞開頂部，使主體(311)內部密閉。密閉蓋(312)之上端與電漿產生部(340)連接。在密閉蓋(312)上形成有擴散空間(314)。擴散空間(314)愈靠近擋板(330)，寬度愈逐漸變寬，從而具有反漏斗形狀。

支撐單元(320)位於製程腔室(310)內部。支撐單元(320)支撐處理對象物(50)。支撐單元(320)包括基座(322)及陶瓷環(324)。處理對象物(50)置放於支撐單元(320)之頂部，使得晶圓(51c)之底部與基座(322)之頂部相向，框架環(71)之底部與陶瓷環(324)之頂部相向。此時，安裝用帶(72)及晶圓(51c)由於柔軟而在安裝用帶(72)與基座(322)之間形成有空氣層，該空氣層難以藉助於框架環(71)之負載而排出至外部。因此，當為製程而降低製程腔室(310)內之壓力時，空氣層因壓力差而膨脹，因而晶圓(51c)中會發生龜裂及扭曲現象等。

圖10為展示圖9之基座(322)及陶瓷環(324)之立體圖。如圖9及圖10所示，基座(322)支撐晶圓(51c)。基座(322)支撐晶圓(51c)。在基座(322)內部，可形成有供冷卻流體循環之冷卻流路(未圖示)。冷卻流體沿著冷卻流路循環，冷卻基座(322)與處理對象物(50)。由於冷卻流體之循環，抑制晶圓(51c)於電漿製程過程中之溫度上升。在基座(322)之頂部形成有壓紋。因此，安裝用帶(72)與基座(322)之間的空氣容易排出，從而能夠防止安裝用帶(72)與基座(322)之間的靜電。陶瓷環(324)環繞基座(322)之上部側面地提供。

圖11為圖9之支撐單元(320)及阻塞構件(350)之俯視圖，圖12為展示沿圖11所示的A-A'截取的支撐單元(320)與阻塞構件(350)之剖面圖。如圖9至圖12所示，在陶瓷環(324)之邊緣區域形成有容納槽(324a)。容納槽(324a)從陶瓷環(324)之外側面向內側彎入，以使得托片(365)能向上下方向移動。容納槽(324a)可沿陶瓷環(324)之四周而形成為多個。根據實施例，容納槽(324a)可在陶瓷環(324)之一側形成2個，在與之對稱的陶瓷環(324)之另一側形成2個。

在陶瓷環(324)之邊緣區域形成有引導部(324b)。引導部(324b)引導處理對象物(50)，使得處理對象物(50)位於支撐單元(320)上。引導部(324b)在陶瓷環(324)之邊緣頂部提供成向上方凸出。引導部(324b)自其上部觀察時，以切割環之一部分的形狀提供。引導部(324b)提供為多個。引導部(324b)以環繞基座(322)之環狀配置。引導部(324b)在陶瓷環(324)之邊緣區域中的一部分提供，從而安裝用帶(72)與基座(322)之間的空氣容易排出。

在陶瓷環(324)與置放於陶瓷環(324)上的框架環(71)之間可提供有間隙(Gap,G)。間隙(G)可藉助於在陶瓷環(324)及框架環(71)之間提供的墊片(324c)而形成。根據一個示例，墊片(324c)可提供成自陶瓷環(324)之頂部凸出。墊片(324c)可以向上凸出成形的針或半球形狀來提供。墊片(324c)環繞基座(322)相互隔開地提供為多個。藉由提供間隙(G)能夠防止安裝用帶(72)因框架環(71)之負載而受壓。因此，使得無法從安裝用帶(72)與基座(322)之間排出的空氣順利實現排出。

再如圖9所示，擋板(330)藉助於連結構件而結合於主體(311)之上部壁。擋板(330)呈圓盤形狀，與基座(322)之頂部平行地配置。擋板(330)為鋁材質，其於表面氧化後提供。擋板(330)上形成有分配孔(331)。為均一供應自由基，分配孔(331)係於同心圓柱上按既定間隔形成。在擴散空間(314)擴散的電漿流入分配孔(331)。此時，諸如電子或離子等的帶電粒子由擋板(330)俘獲，諸如氧自由基等不帶電荷之中性粒子藉由分配孔(331)，從而供應至處理對象物(50)。

氣體供應部(370)具有氣體供應管線(372)、氣體儲集部(374)以及氣體埠(376)。氣體供應部(370)可在電漿產生部(340)之外部提供。氣體供應部(370)可提供為一或多個。

在氣體供應管線(372)之一端連接有氣體儲集部(374)，在另一端連接有氣體埠(376)。氣體儲集部(374)中儲集之製程氣體經由氣體供應管線(372)供應給氣體埠(376)。

製程氣體用於移除晶圓(51c)表面之殘留黏合劑及安裝用帶(72)表面之殘留黏合劑。為提高黏合劑移除效率，製程氣體可在第一氣體中添加四氟化碳(CF4)等氟系氣體。

氣體埠(376)結合於介電管(343)之上部。經由氣體埠(376)供應之製程氣體流入介電管(343)內部。

電漿產生部(340)提供於製程腔室(310)之上部，產生並供應電漿。電漿產生部(340)包括振盪器(341)、波導管(342)以及介電管(343)。

振盪器(341)產生微波。波導管(342)連接振盪器(341)與介電管(343)。振盪器(341)產生的微波沿著波導管(342)流動，從而提供至介電管(343)。藉助於氣體供應部(370)而供應至介電管(343)內部之製程氣體，藉助於電磁波而激發為電漿狀態。電漿經由介電管(343)而流入擴散空間(314)。

如圖9、圖11及圖12所示，阻塞構件(350)切斷框架環(71)暴露於電漿。阻塞構件(350)使處理對象物(50)置放於支撐單元(320)之頂部，升舉置放於支撐單元(320)之處理對象物(50)。阻塞構件(350)包括阻塞環(351)及升降構件(355)。

阻塞環(351)位於陶瓷環(324)之上部以覆蓋框架環(71)，從而切斷框架環(71)暴露於電漿。阻塞環(351)以陶瓷材質提供。阻塞環(351)為環狀，內徑可大於或與框架環(71)之內徑相應，外徑可小於或與框架環(71)外徑相應。阻塞環(351)具有可自框架環(71)之內側區域覆蓋至框架環(71)之外側邊緣區域的寬度。阻塞環(351)具有主體(352)、內側部(353)以及外側部(354)。主體(352)呈環狀，與框架環(71)之頂部相向置放。主體(352)與框架環(71)保持既定間隔。內側部(353)自主體(352)之內側向下傾斜地延長，其末端與框架環(71)之內側區域接觸。外側部(354)自主體(352)之外側向下傾斜地延長，其末端與框架環(71)之外側邊緣區域接觸。阻塞環(351)不覆蓋露出於外部之安裝用帶(72)。因此，安裝用帶(72)表面之殘留黏合劑藉助於電漿而移除，從而在非傳導性薄膜層壓(NCF Lamination)製程時防止空洞(Void)之產生。

阻塞環(351)切斷安裝用帶(72)暴露於電漿。阻塞環(351)藉由內側部(353)與晶圓(51c)接觸或鄰接，而外側部(354)與框架環(71)接觸或鄰接，因而切斷電漿流入安裝用帶(72)側。在安裝用帶(72)暴露於電漿之情況下，安裝用帶(72)變長，處理對象物(50)之操作出現問題從而使安裝用帶(72)變性。變性的安裝用帶(72)不僅不易移除，而且發生無法完全移除進而在晶圓(51c)上殘留一部分的問題。阻塞環(351)切斷安裝用帶(72)暴露於電漿，從而預防上述問題的發生。

升降構件(355)使阻塞環(351)升降。處理對象物(50)置放於支撐單元(320)或自支撐單元(320)升舉時，升降構件(355)升舉阻塞環(351)。而且，在處理對象物(50)置放於支撐單元(320)期間，升降構件(355)將阻塞環(351)向下降下以覆蓋安裝用帶(72)。升降構件(355)包括移動桿(361)、托片(365)以及驅動部(368)。

移動桿(361)支撐阻塞環(351)，使阻塞環(351)升降。根據實施例，移動桿(361)以三個桿(第一桿(362)、第二桿(363)、第三桿(364))相互連接之結構來提供。第一桿(362)支撐阻塞環(351)。第二桿(363)在第一桿(362)之下部支撐第一桿(362)，在內側形成可供第一桿(362)升降之空間。第一桿(362)可向上下方向移動，其位於第二桿(363) 之內側與第二桿(363)之上部。

第三桿(364)在第二桿(363)之下部支撐第二桿(363)，在內側形成可供第二桿(363)升降之空間。第二桿(363)可向上下方向移動，其位於第三桿(364)之內側與第三桿(364)之上部。

驅動部(368)使移動桿(361)升降。具體而言，驅動部(368)使第一桿(362)與第二桿(363)個別地升降。由於驅動部(368)之驅動，第二桿(363)相對於第三桿(364)升降，第一桿(362)相對於第二桿(363)升降。

托片(365)結合於移動桿(361)，與移動桿(361)一同升降。根據實施例，托片(365)結合於第二桿(363)。托片(365)自第二桿(363)向基座(322)方向延長，其末端位於容納槽(324a)。與第二桿(363)的移動一起，托片(365)沿容納槽(324a)升降。當托片(365)位於容納槽(324a)之上部時，安置框架環(71)。處理對象物(50)在框架環(71)安置於托片(365)之狀態下，與托片(365)之下降一同下降。在托片(365)下降之過程中，處理對象物(50)置放於支撐單元(320)之頂部。與之相反，托片(365)自容納槽(324a)內向外側移動時，框架環(71)置放於托片(365)上。在托片(365)上升之過程中，處理對象物(50)自支撐單元(320)拾起。

以下對利用基板處理設備處理基板之方法進行說明。

如圖1至圖8所示，如上所述，將完成背面研磨之晶圓(51c)附著於在框架環(71)上所固定的安裝用帶 (72)以構成處理對象物(50)。

如圖9及圖12所示，隨後，處理對象物(50)藉助於搬送機器人而提供至製程腔室(310)內部。在製程腔室(310)內，第一桿(362)及第二桿(363)進行升降，托片(365)待機。就處理對象物(50)而言，框架環(71)安置於托片(365)上。在處理對象物(50)由托片(365)支撐之狀態下，第二桿(363)下降。在托片(365)與第二桿(363)一同下降之過程中，處理對象物(50)安置於支撐單元(320)。此時，處理對象物(50)置放成使晶圓(51c)之底部與基座(322)相向，框架環(71)之底部與引導部(324b)相向。之後，第一桿(362)與阻塞環(351)一同下降以覆蓋框架環(71)，從而使安裝用帶(72)露出。

氣體供應部(370)向介電管(343)內部供應製程氣體。

電漿產生部(340)自製程氣體產生電漿。振盪器(341)產生的微波藉由波導管(342)傳遞至介電管(343)內部。微波使自氣體供應部(370)供應至介電管(343)內部之製程氣體激發為電漿狀態。電漿流入擴散空間(314)，經由擴散空間(314)及擋板(330)之分配孔(331)而流入製程腔室(310)內部。電漿向處理對象物(50)之頂部供應，由阻塞環(351)限制與框架環(71)之接觸。此時，露出於外部的安裝用帶(72)不由阻塞環(351)覆蓋。

電漿移除附著於晶圓(51c)頂部之黏合劑及露出於外部的安裝用帶(72)表面之殘留黏合劑。

滯留於製程腔室(310)內部之製程氣體及反應副產物經由排氣板(410)之孔而流入排氣孔(411)，以便排出至外部。

製程處理完成後，第一桿(362)及第二桿(363)上升。托片(365)與第二桿(363)一同上升，同時，自支撐單元(320)升舉處理對象物(50)。在處理對象物(50)支撐於托片(365)期間，搬送機器人進入製程腔室(310)內部，固持框架環(71)。搬送機器人自製程腔室(310)搬出處理對象物(50)。

再如圖2至圖8所示，在此實施例中說明在成型(63)製程後，將晶圓(51b)附著於安裝用帶(72)，在移除載體(54)後，執行對晶圓(51c)上殘留的黏合劑(55a)進行移除的製程。與之不同，黏合劑(55a)移除可在晶片黏接(61)前執行。根據實施例，可在經受前端(FEOL：Front End Of Line)製程之晶圓(51)上黏合載體(54)，於執行背面研磨製程後，在將晶圓(51a)附著於安裝用帶(72)之狀態下移除載體(54)，移除晶圓(51a)上殘留的黏合劑(55a)。然後，依次進行晶片黏接製程、底部填充製程以及成型製程。

此實施例利用在處理空間外部產生電漿並將所產生的電漿供應至處理空間內部而對處理對象物進行處理的基板處理設備進行說明。但是，不同於此，本發明之實施例可提供於在處理空間內部實施電漿之發生及處理對象物之處理的基板處理設備。圖13及圖14為分別展示本發明另一實施例之基板處理設備之剖面圖。如圖13所示，本發明之實施例亦可應用於利用在處理空間內部實施電漿之發生及處理對象物之處理的電感耦合型電漿源方式(ICP)的基板處理設備。另外，如圖14所示，本發明之實施例亦可應用於利用在處理空間內部實施電漿之發生及處理對象物之處理的電容耦合型電漿源方式(CCP)的基板處理設備。

以上詳細說明為對本發明之例示。另外，前述內容展示且說明本發明之較佳實施形態，本發明可在多樣的其他組合、變更及環境下使用。亦即，在本說明書中揭示的發明之概念的範圍、與所記載揭示內容等效之範圍及/或所屬領域之技術或知識的範圍內，可加以變更或修訂。所記載實施例說明用於體現本發明技術思想之最佳狀態，可進行本發明之具體應用領域及用途所要求的多種變更。因此，以上發明之詳細說明並非意欲將本發明限定於所揭示實施形態。另外，隨附申請專利範圍應解釋為亦包括其他實施狀態。