TWI549221B

TWI549221B - Electrostatic fixture

Info

Publication number: TWI549221B
Application number: TW100148798A
Authority: TW
Inventors: 南雅人; 佐佐木芳彥
Original assignee: 東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2010-12-28
Filing date: 2011-12-27
Publication date: 2016-09-11
Also published as: KR20130079464A; JP2012151450A; TW201240011A; JP6010296B2

Description

靜電夾具

本發明係關於一種靜電夾具，係於基板處理裝置之處理室內，在載置基板之基板載置台上形成基板載置面。

以液晶顯示裝置(LCD)為首之FPD(Flat Panel Display)之製程中，已知有對於以玻璃基板為首之各種基板施以電漿處理之基板處理裝置。

如此之基板處理裝置，係具有：基板載置台，係於處理室(以下稱為「腔室」)內支撐玻璃基板(以下簡稱為「基板」)；以及上部電極，係和該基板載置台隔著處理空間來對向配置者；對於發揮下部電極功能之基板載置台施加電漿生成用高頻電力(RF)，且對於處理空間導入處理氣體來生成電漿，使用所生成之電漿來對基板載置台之基板載置面上所載置之基板施以既定電漿處理。

形成基板載置台之基板載置面的靜電夾具構成通常主要係包括：形成上層以及下層之作為絕緣層的氧化鋁(Al₂O₃)層、以及配置在該氧化鋁層所構成之上層與下層之間的靜電電極板。從而，對基板施以電漿處理之際，基板載置於靜電夾具之由氧化鋁所構成之上層，氧化鋁層與基板之內面成為抵接。

此處，由於玻璃與氧化鋁為帶電列分離，故將玻璃所構成之基板從靜電夾具上提之際容易發生剝離帶電，基板會因為剝離帶電而帶負電。起因於如此般於基板所發生之負電荷，會有基板表面所形成之電路元件受靜電放電(Electric Static Discharge)而被破壞、或是粒子等污染物質被吸附於基板表面之問題。此外，由於玻璃所構成之基板被載置於氧化鋁層上，會因為兩者之硬度差而發生基板內面受損傷之問題。

做為防止如此之載置於基板載置台之基板的損傷、污染物質附著於基板等之技術，有人提出例如以玻璃層來形成上層以及下層，而於其間配置靜電電極板之靜電夾具(例如參見「專利文獻1」)。

先前技術文獻

專利文獻1 日本特開2009-032718號公報

但是，此種以玻璃層來形成上層以及下層的靜電夾具，係將以往之構成材料加以大幅變更，難以保持和以往品之以氧化鋁層來形成之情況為同等之耐電壓性能，並且玻璃會受到含氟氣體而腐蝕，故有難以確保靜電夾具對含氟氣體之耐受性的問題。

本發明之課題係提供一種靜電夾具，可防止對形成於基板表面之電路元件之破壞以及污染物質附著於基板且可防止基板內面之損傷，即使對於已完成設置之裝置也可輕易適用。

為了解決上述課題，申請專利範圍第1項之靜電夾具，係於基板處理裝置之處理室內，在載置基板之基板載置台上形成基板載置面；其特徵在於：於該基板載置面係形成有和該基板內面之構成材料為同樣材料、且抵接於該基板內面之被膜層。

申請專利範圍第2項之靜電夾具，係於申請專利範圍第1項之靜電夾具中，於該基板載置面係形成有成為外周部與存在於該外周部所圍繞之區域的島部分所突出之突出部的壓紋狀構造；該被膜層係形成於該外周部。

申請專利範圍第3項之靜電夾具，係於申請專利範圍第2項之靜電夾具中，該被膜層係進一步形成於該島部分。

申請專利範圍第4項之靜電夾具，係於申請專利範圍第2項之靜電夾具中，該壓紋狀構造係使得該基板載置面突出而形成突出部，並於該突出部上面形成該被膜層所得者。

申請專利範圍第5項之靜電夾具，係於申請專利範圍第3項之靜電夾具中，該壓紋狀構造係使得該基板載置面突出而形成突出部，並於該突出部上面形成該被膜層所得者。

申請專利範圍第6項之靜電夾具，係於申請專利範圍第2項之靜電夾具中，該壓紋狀構造係將該基板載置面設定為平面，並於該平面上以該被膜層來形成突出部所得者。

申請專利範圍第7項之靜電夾具，係於申請專利範圍第3項之靜電夾具中，該壓紋狀構造係將該基板載置面設定為平面，並於該平面上以該被膜層來形成突出部所得者。

申請專利範圍第8項之靜電夾具，係於申請專利範圍第1項之靜電夾具中，該被膜層係形成於圍繞在該基板載置面之用以自該基板載置面將該基板上提所設置之升降銷進行升降之開口的區域。

申請專利範圍第9項之靜電夾具，係於申請專利範圍第1項之靜電夾具中，該被膜層係遍及於該基板載置面之全面來形成。

申請專利範圍第10項之靜電夾具，係於申請專利範圍第1至9項中任一項之靜電夾具中，該被膜層係以玻璃所形成。

申請專利範圍第11項之靜電夾具，係於申請專利範圍第1至9項中任一項之靜電夾具中，該基板載置面係具有上層、下層、被該上層與下層所挾持之靜電電極板的該靜電夾具之該上層的上部表面，該上層以及下層係由對含氟氣體具耐受性之介電質所構成。

申請專利範圍第12項之靜電夾具，係於申請專利範圍第1項之靜電夾具中，於該基板載置面係形成有成為外周部與存在於該外周部所圍繞之區域的島部分所突出之突出部的壓紋狀構造；該被膜層係形成於該島部分；該外周部係由耐電漿性材料所構成。

申請專利範圍第13項之靜電夾具，係於申請專利範圍第12項之靜電夾具中，該島部分僅由該被膜層所形成。

申請專利範圍第14項之靜電夾具，係於申請專利範圍第12項之靜電夾具中，該島部分係使得該基板載置面突出來形成突出部，並於該突出部上面形成該被膜層。

申請專利範圍第15項之靜電夾具，係於申請專利範圍第12至14項中任一項之靜電夾具中，該被膜層係以玻璃所形成。

申請專利範圍第16項之靜電夾具，係於申請專利範圍第12至14項中任一項之靜電夾具中，該基板載置面係具有上層、下層、被該上層與下層所挾持之靜電電極板的該靜電夾具之該上層的上部表面，該上層以及下層係由對含氟氣體具耐受性之介電質所構成。

依據本發明，由於在基板載置面係形成有和基板內面之構成材料為同樣材料所構成且抵接於基板內面之被膜層，可防止將載置於靜電夾具之基板從該靜電夾具上提之際容易發生之剝離帶電，可防止對形成於基板表面之電路元件之破壞以及污染物質附著於基板，且可防止基板內面之損傷，並且對於已完成設置之裝置也可輕易適用。

以下，針對本發明之實施形態參見圖式來詳述之。

圖1係示意顯示適用具備本發明之實施形態之靜電夾具的基板載置台之基板處理裝置構成截面圖。此基板處理裝置係例如對液晶顯示裝置製造用玻璃基板施以既定電漿處理。

於圖1中，基板處理裝置10係具有腔室11(收容例如單邊為數公尺之矩形玻璃所構成之基板G)，於該腔室11內部之圖中下方配置著載置基板G之載置台(晶座)12。晶座12係以例如表面經耐酸鋁處理之鋁所構成之基材13所構成，基材13經由絕緣構件14而被腔室11底部所支撐著。基材13係呈現截面凸型，於上部設置內建有靜電電極板44之靜電夾具40，其上部平面係成為載置基板G之基板載置面41。

以包圍基板載置面41周圍的方式設有做為屏蔽構件之屏蔽環15，屏蔽環15係以例如氧化鋁等絕緣性陶瓷所構成。

於靜電電極板44連接著直流電源17，一旦對靜電電極板44施加正的直流電壓，則於基板載置面41所載置之基板G的靜電電極板44側這面(以下稱為「內面」)會引發負電荷，藉此於靜電電極板44與基板G之內面之間產生電場，基板G受到起因於該電場之庫倫力或是強森-拉貝克(Johnsen-Rahbek)力的影響而被吸附保持於基板載置面41。

於基材13內部係設置有溫度調節機構(圖示省略)，用以對基材13以及載置於基板載置面41之基板G的溫度進行調節。於該溫度調節機構係被循環供給例如冷卻水或加爾登(Galden，註冊商標)等冷媒，由該冷媒所冷卻之基材13係將基板G加以冷卻。

於基材13周圍係配置有絕緣環18來做為將包含屏蔽環15與基材13之抵接部的側面加以包覆之側邊密封構件。絕緣環18係由絕緣性陶瓷例如氧化鋁所構成。

於貫通腔室11底壁、絕緣構件14以及基材13之貫通孔係以可升降之方式插通有升降銷(lifter pin)21。升降銷21係在當載置於基板載置面41之基板G的搬入以及搬出時產生作動，在將基板G搬入腔室11內之際或是從腔室11搬出之際，通過設置在基板載置面41的開口21a而上升到晶座12上方之搬送位置，除此以外之時候係以埋設狀態收容於基板載置面41內。

於基板載置面41開口出複數熱傳導氣體供給孔(省略圖示)。複數熱傳導氣體供給孔係連接於熱傳導氣體供給部(未圖示)，從熱傳導氣體供給部將做為熱傳導氣體之例如氦(He)氣體供給於基板載置面41以及基板G內面之間隙。供給於基板載置面41以及基板G內面之間隙的氦氣體係將晶座12之熱有效果地傳遞至基板G。

用以供給高頻電力之高頻電源23係經由匹配器24而連接於晶座12之基材13。從高頻電源23施加例如電漿生成用高頻電力，晶座12係發揮下部電極之功能。匹配器24係降低來自晶座12之高頻電力的反射而使得高頻電力朝晶座12之施加效率能最大化。

基板處理裝置10係藉由腔室11之內側壁與晶座12之側面來形成側方排氣流路26。此側方排氣流路26經由排氣管27而連接於排氣裝置28。做為排氣裝置28之TMP(Turbo Molecular Pump)以及DP(Dry Pump)(皆省略圖示)均將腔室11內加以抽真空來減壓。具體而言，DP係將腔室11內從大氣壓減壓至中真空狀態(例如1.3×10Pa(0.1Torr)以下)，TMP係和DP共同作用來將腔室11內減壓至比中真空狀態來得更低之壓力的高真空狀態(例如，1.3×10^- ³Pa(1.0×10^-5Torr)以下)。此外，腔室11內之壓力係受到APC閥(圖示省略)所控制。

於腔室11之天花板部分係對向於晶座12來配置著淋灑頭30。淋灑頭30具有內部空間31，且具有對其與晶座12之間的處理空間S流出處理氣體之複數氣體孔32。淋灑頭30係接地而發揮上部電極之功能，和發揮下部電極功能之晶座12一同構成一對平行平板電極。

淋灑頭30係經由氣體供給管36而連接於處理氣體供給源39。於氣體供給管36設有開閉閥37以及質流控制器38。再者，於腔室11之側壁設有基板搬出入口34，此基板搬出入口34可藉由閘閥35而開閉。此外，經由此閘閥35來對處理對象之基板G進行搬出入。

基板處理裝置10係從處理氣體供給源39經由處理氣體導入管36而被供給處理氣體。所供給之處理氣體係經由淋灑頭30之內部空間31以及氣體孔32而被導入腔室11之處理空間S。被導入之處理氣體係被從高頻電源23經由晶座12而施加於處理空間S之電漿生成用高頻電力所激發而成為電漿。電漿中之離子朝向基板G被拉入，而對基板G施以既定電漿蝕刻處理。

基板處理裝置10之各構成零件之動作係基板處理裝置10所具備之控制部(圖示省略)的CPU依照和電漿蝕刻處理相對應之程式來控制。

其次，針對本發明之靜電夾具(形成圖1之基板處理裝置10中之基板載置台12的基板載置面)來說明。

圖2係本發明之第1實施形態之靜電夾具構成截面圖。做為基板之液晶顯示裝置製造用玻璃基板係載置於此靜電夾具。

於圖2中，靜電夾具40a係配置於晶座12之構成構件的基材13上，主要構成包括：由絕緣性陶瓷之氧化鋁(Al₂O₃)所構成之上層42以及同樣由氧化鋁(Al₂O₃)所構成之下層43、以被上層42與下層43所挾持的方式配置於其間之金屬層所構成之靜電電極板44。上層42之上部表面係成為基板載置面41，於該基板載置面41係設置有和載置於該基板載置面41之基板G內面為同樣材質所構成之被膜層(以下稱為「最上層」)45a。最上層45a係和基板G內面相抵接。

基板G係玻璃製，其內面也為玻璃所構成。對應於此，最上層45a係以玻璃所形成。

最上層45a和基板G內面之構成材料同樣以玻璃材來形成可防止剝離帶電。

於本實施形態，防止剝離帶電之機制被認為如下。一般，將相抵接之2個構件加以剝離之際，會因為兩者帶電列之差而產生靜電。如此之現象稱為剝離帶電。從而，若將基板G內面之構成材料與做為載置該基板G之靜電夾具40a的基板載置面的最上層45a之構成材料的帶電列之差儘可能減少、較佳為成為零，可抑制剝離帶電之發生。是以，於本實施形態，若靜電夾具40a之最上層45a之構成材料係使用和載置於該靜電夾具40a之基板G內面之構成材料為同樣材料(亦即玻璃材)，可消除兩者之帶電列之差，藉此，可有效防止當將載置於靜電夾具40a之基板G從該靜電夾具40a上提之際所發生的剝離帶電。

此外，於最上層45a之周圍係設有做為對於最上層45a與載置於該最上層45a之基板G內面之間所供給之溫度傳遞媒體的氦氣體的流通路46。

如此構成之靜電夾具40a係被組裝於圖1之基板處理裝置 10，當對於基板G施以既定電漿蝕刻處理之際，將該基板G從內面加以支撐。

依據本實施形態，由於在上層42之基板載置面41設有和基板G內面為同樣材質之玻璃材所構成之最上層45a，而可使得基板G內面之帶電列與最上層45a之帶電列成為相同，可防止將載置於靜電夾具40a之基板G自該靜電夾具40a上提之際容易發生之剝離帶電。藉此，可防止因基板G帶負電所致靜電放電而破壞於基板G表面所形成之電路元件、或是污染物質附著於基板G。再者，若基板G內面之構成材料與最上層45a之構成材料同樣由玻璃所構成，可消除基板G內面與抵接於基板G內面之最上層45a之構成材料間的硬度差，可防止因硬度差造成基板內面之損傷。

於本實施形態，做為靜電夾具40a之最上層45a之構成材料雖使用了玻璃材，惟亦可使用和基板G內面之構成材料之玻璃有接近帶電列的材質例如石英、聚醯胺等。石英以及聚醯胺由於和玻璃有接近的帶電列，故即使適用做為最上層45a之構成材料也可抑制與玻璃基板G之間發生剝離帶電。

於本實施形態，最上層45a之厚度係例如10μm~100μm，此最上層45a係以例如玻璃材之熔射、塗布、玻璃板之接著、玻璃板之接著後的部分的剝離等公知方法來形成。

於本實施形態，靜電夾具40a之上層42以及下層43係以介電質之氧化鋁所形成。氧化鋁由於對於含氟氣體例如SF₆、CF₄等所產生之電漿(氟系電漿)具有耐受性，故即便反覆電漿蝕刻處理也不會消耗靜電夾具40a。此外，若不僅是最上層45a連上層42以及下層43皆以玻璃材來形成，則容易發生微龜裂等，難以確保靜電夾具40a之絕緣性。再者，由於玻璃基板之處理多使用含氟氣體，故上層42以及下層43若以玻璃材來形成則露出於氟氣體所生成之電漿的部分會受到損傷。從而，較佳為僅最上層45a使用玻璃材，而上層42以及下層43則使用對氟系電漿具有耐受性之氧化鋁等。

於本實施形態，最上層45a雖設置於基板載置面41全體，但不限定於此。

圖3係本發明之第2實施形態之靜電夾具構成截面圖。此靜電夾具40b有別於圖2之靜電夾具40a之點在於，為了減少基板G內面與靜電夾具40b之上層42表面之基板載置面41的抵接面積，基板載置面41由外周部(以下稱為「堤防部」)所圍繞之部分係形成為壓紋狀，僅此堤防部設置由玻璃材所構成之最上層45b。

此外，所說的壓紋狀乃指例如由配置為棋盤格狀之俯視圓形或是矩形等圖形的複數凸狀島部分與圍繞該島部分之凹部所構成之部分的形狀，換言之，係指某種俯視圖形成為浮雕狀之狀態。

依據本實施形態，由於在容易發生剝離帶電之基板載置面41周圍之堤防部設有玻璃材所構成之最上層45b，故基板載置面41之堤防部與基板G內面會具有相同的帶電列，可防止堤防部之剝離帶電的發生，藉此，可防止因基板G帶負電而破壞於基板G表面所形成之電路元件並可防止污染物質附著於基板G。

圖4係本發明之第3實施形態之靜電夾具構成截面圖。此靜電夾具40c有別於圖3之靜電夾具40b之處在於，於基板載置面41之堤防部與堤防部所圍繞之壓紋狀島部分雙方表面設置玻璃材所構成之最上層45c。

於圖4中，靜電夾具40c之上層42的基板載置面41係被加工為壓紋狀，於堤防部表面形成有由玻璃材所構成之最上層45c1，且於堤防部所圍繞之壓紋狀島部分表面形成有玻璃材所構成之最上層45c2。

依據本實施形態，由於使得靜電夾具40c之最上層45c與基板G內面之材質相同，且最上層45c係由形成於堤防部之最上層45c1與由該堤防部所圍繞之壓紋狀島部分處所形成之最上層45c2而構成，故可消除於載置基板之最上層45c與基板G內面之構成材料間的帶電列之差，且可減少基板G內面與最上層45c之接觸面積。藉此，可更確實地防止剝離帶電之發生，可避免因基板G帶電而破壞形成於基板表面之電路元件、以及粒子附著於基板等。

於本實施形態，最上層45c之厚度係例如0.1μm~10μm為相對地薄，可藉由例如塗布法來輕易形成。從而，可對於已完成設置之裝置的靜電夾具來事後地適用而附加最上層45c，即使於LCD之製造現場也可充分對應。此外，由玻璃材所構成之最上層45c係用以防止載置於靜電夾具40c之由玻璃所構成之基板G內面與靜電夾具40c之由氧化鋁所構成之上層42的直接接觸。

圖5係本發明之第4實施形態之靜電夾具構成截面圖。此靜電夾具40d係和圖4所示第3實施形態之靜電夾具40c同樣地形成被堤防部分所圍繞之壓紋狀，而有別於圖4之靜電夾具40c之處在於，將上層42之基板載置面41設定為平面，於上層42上設置由玻璃材所構成且構成為基板載置面41之堤防部的最上層45d1，且設置由玻璃材所構成之最上層45d2做為存在於堤防部所圍繞之區域的壓紋狀島部分。圖5中之最上層45d係由最上層45d1與最上層45d2所構成。

即使依據本實施形態，也可防止將基板G上提之際所容易發生之剝離帶電，可防止粒子等污染物質附著於基板G，並防止破壞形成於基板表面之電路元件等，且可防止對基板G內面造成損傷。

於本實施形態，最上層45d之厚度為例如10μm~100μm，此最上層45d係藉由例如玻璃材之熔射、塗布、玻璃板之接著、玻璃板之接著後的部分剝離等公知方法來形成。

圖6係顯示本發明之第5實施形態之靜電夾具構成的俯視圖。此靜電夾具係於基板載置面之升降銷進行升降的開口附近設置由玻璃材所構成之最上層。

於圖6中，此靜電夾具40e係具有升降銷21，設置之目的用以在對處理室11內搬入基板G之際或是從處理室11搬出基板G之際可將基板G支撐於基板載置面上方，於該升降銷21進行升降之開口21a周邊部係設置有由玻璃材所構成之最上層45e。

將載置於靜電夾具之基板載置面的基板G從基板載置面加以上提之際，基板G與基板載置面最先出現剝離之部分為將基板G上提之升降銷周邊部，於此升降銷周邊部容易發生剝離帶電。

於本實施形態，有鑑於如此之情事，乃於升降銷21進行升降之開口21a周邊部設置由玻璃材所構成之最上層45f。

依據本實施形態，由於在容易發生剝離帶電之升降銷21進行升降的開口21a周邊部設置有和基板G內面之構成材料相同為由玻璃材所構成之最上層45e，故可有效地防止利用升降銷21來將基板G自基板載置面上提之際的剝離帶電，藉此可防止基板G之帶電，可防止破壞於基板G表面所形成之電路元件、並可防止污染物質附著於基板G等。

上述第2實施形態至第5實施形態之靜電夾具的基板載置面41之堤防部的全部或是一部分適用了玻璃材，不過當施行於基板 G之電漿蝕刻處理所使用之電漿為含有氟離子以及氟自由基之氟系電漿之情況，例如以SF₆、CF₄等所產生之電漿為主成分之情況，有時堤防部會因為該氟系電漿而被蝕刻消耗。

於本發明之第6實施形態，對應於此，基板載置面41之堤防部係以相對於氟電漿具耐受性之絕緣性陶瓷例如氧化鋁或氧化釔所構成。

圖7係本發明之第6實施形態之靜電夾具構成截面圖。

此靜電夾具40e有別於第2實施形態之圖3的靜電夾具40b之處在於，堤防部47(外周部)係和上層42以及下層43同樣由氧化鋁或是氧化釔所形成，而由堤防部所圍繞之壓紋狀島部分(以下稱為「壓紋部分」)48(突出部)僅由玻璃材所形成。

於圖7中，由於在靜電夾具40e之基板載置面41，形成於可能會接觸電漿之部位的堤防部47係以對氟電漿具耐受性之氧化鋁或氧化釔所構成，故即便對基板G表面所施以之電漿蝕刻處理中使用的電漿為以高反應性之氟電漿為主成分的情況，仍可防止堤防部47被消耗。

再者，由於基板G內面之大部分所相接之壓紋部分48係和基板G內面之構成材料以相同之玻璃材所構成，故不僅可防止剝離帶電，且可抑制於基板G內面起因於和基板載置面41之硬度差所致微小傷痕的發生，從而，可防止因為該微小傷痕所致液晶顯示裝置之顯示不良。此外，從抑制微小傷痕發生的觀點來看，壓紋部分48能以和玻璃材為同等硬度或是較低硬度之材料所構成，例如能以氮化硼、氧化鎳、鈦酸鋁等所構成。

再者，由於靜電夾具40e之壓紋部分48僅由玻璃材所形成，故僅需變更玻璃材之配置部位(例如塗布部位)即可變更壓紋部分 48之形成部位，從而，可提高壓紋部分48之配置自由度。

此外，於本實施形態由於堤防部47係由絕緣性陶瓷所形成，故雖於基板G之周緣部內面或多或少可能發生微小傷痕，但由於該基板G之周緣部係對應於液晶顯示裝置之顯示面的周緣部，而為形成TFT列之範圍外，故該微小傷痕幾乎無影響液晶顯示裝置之顯示品質之可能性。

圖8係圖7之靜電夾具之第1變形例之構成截面圖。

於圖8中，靜電夾具40f係具備有：以絕緣性陶瓷所形成之堤防部47；以及，壓紋部分48，係主要由絕緣性陶瓷所形成而於上面形成有由玻璃材所構成之最上層45c3。

靜電夾具40f不同於靜電夾具40e，壓紋部分48並非全部由玻璃材所形成，僅於上面形成由玻璃材所構成之最上層45c3，故可薄化玻璃材所構成之層，從而能以塗布法等簡便方法來形成該層。此外，最上層45c3不光是以塗布法也能藉由例如玻璃材之熔射、薄板玻璃板之接著、玻璃板之接著後利用研磨進行部分性剝離等公知方法來形成。

圖9係圖7之靜電夾具之第2變形例之構成截面圖。

於圖9中，靜電夾具40g係具備有由絕緣性陶瓷所形成之堤防部47以及由玻璃材所構成之1片平板狀內面抵接部49。內面抵接部49係配置於基板載置面41將其周緣以堤防部47來包圍著。當基板G載置於靜電夾具40g之際，基板G內面會抵接於堤防部47以及內面抵接部49。

再者，圖10係圖7之靜電夾具之第3變形例之構成截面圖。

於圖10中，靜電夾具40h係具備有由絕緣性陶瓷所形成之堤防部47以及由玻璃材所構成之平板狀內面抵接部50。內面抵接部 50也和內面抵接部49同樣地藉由堤防部47來包圍其周緣，並形成有成為熱傳導氣體之流路的多數槽渠(溝槽)51。當基板G載置於靜電夾具40h之際，基板G內面會抵接於堤防部47以及內面抵接部50。

即便是靜電夾具40g以及靜電夾具40h，由於基板G內面之大部分所相接之內面抵接部49、50係以和基板G內面之構成材料為相同玻璃材所構成，故不僅可防止剝離帶電，也可抑制於基板G內面因其和基板載置面41之硬度差所發生之微小傷痕。

以上，以上述各實施形態來詳細說明了本發明，惟本發明並不限定於此等實施形態。

10‧‧‧基板處理裝置

40a~40e‧‧‧靜電夾具

41‧‧‧基板載置面

42‧‧‧上層

43‧‧‧下層

44‧‧‧靜電電極板

45a~45e‧‧‧最上層

圖1係示意顯示具備有適用本發明之實施形態之靜電夾具的基板載置台之基板處理裝置之構成截面圖。

圖2係顯示本發明之第1實施形態之靜電夾具構成截面圖。

圖3係顯示本發明之第2實施形態之靜電夾具構成截面圖。

圖4係顯示本發明之第3實施形態之靜電夾具構成截面圖。

圖5係顯示本發明之第4實施形態之靜電夾具構成截面圖。

圖6係顯示本發明之第5實施形態之靜電夾具構成截面圖。

圖7係顯示本發明之第6實施形態之靜電夾具構成截面圖。

圖8係顯示圖7之靜電夾具之第1變形例之構成截面圖。

圖9係顯示圖7之靜電夾具之第2變形例之構成截面圖。

圖10係顯示圖7之靜電夾具之第3變形例之構成截面圖。

12‧‧‧載置台(晶座)

13‧‧‧基材

17‧‧‧直流電源

40a‧‧‧靜電夾具

41‧‧‧基板載置面

42‧‧‧上層

43‧‧‧下層

44‧‧‧靜電電極板

45a‧‧‧被膜層

46‧‧‧流通路

Claims

一種靜電夾具，係於基板處理裝置之處理室內，在載置基板之基板載置台上形成基板載置面；其特徵在於：於該基板載置面係形成有和該基板內面之構成材料為同樣材料、且抵接於該基板內面之被膜層。
如申請專利範圍第1項之靜電夾具，其中於該基板載置面係形成有成為外周部與存在於該外周部所圍繞之區域的島部分所突出之突出部的壓紋狀構造；該被膜層係形成於該外周部。
如申請專利範圍第2項之靜電夾具，其中該被膜層係進一步形成於該島部分。
如申請專利範圍第2項之靜電夾具，其中該壓紋狀構造係使得該基板載置面突出而形成突出部，並於該突出部上面形成該被膜層所得者。
如申請專利範圍第3項之靜電夾具，其中該壓紋狀構造係使得該基板載置面突出而形成突出部，並於該突出部上面形成該被膜層所得者。
如申請專利範圍第2項之靜電夾具，其中該壓紋狀構造係將該基板載置面設定為平面，並於該平面上以該被膜層來形成突出部所得者。
如申請專利範圍第3項之靜電夾具，其中該壓紋狀構造係將該基板載置面設定為平面，並於該平面上以該被膜層來形成突出部所得者。
如申請專利範圍第1項之靜電夾具，其中該被膜層係形成於圍繞在該基板載置面之用以自該基板載置面將該基板上提所設置之升降銷進行升降之開口的區域。
如申請專利範圍第1項之靜電夾具，其中該被膜層係遍及該基板載置面全面來形成。
如申請專利範圍第1至9項中任一項之靜電夾具，其中該被膜層係以玻璃所形成。
如申請專利範圍第1至9項中任一項之靜電夾具，其中該基板載置面係具有上層、下層、被該上層與下層所挾持之靜電電極板的該靜電夾具之該上層的上部表面，該上層以及下層係由對含氟氣體具耐受性之介電質所構成。
如申請專利範圍第1項之靜電夾具，其中於該基板載置面係形成有成為外周部與存在於該外周部所圍繞之區域的島部分所突出之突出部的壓紋狀構造；該被膜層係形成於該島部分；該外周部係由耐電漿性材料所構成。
如申請專利範圍第12項之靜電夾具，其中該島部分係僅由該被膜層所形成。
如申請專利範圍第12項之靜電夾具，其中該島部分係使得該基板載置面突出來形成突出部，並於該突出部上面形成該被膜層。
如申請專利範圍第12至14項中任一項之靜電夾具，其中該被膜層係以玻璃所形成。
如申請專利範圍第12至14項中任一項之靜電夾具，其中該基板載置面係具有上層、下層、被該上層與下層所挾持之靜電電極板的該靜電夾具之該上層的上部表面，該上層以及下層係由對含氟氣體具耐受性之介電質所構成。