TWI549210B - A sample preparation apparatus for evaluation, a sample manufacturing method for evaluation, and a substrate processing apparatus - Google Patents
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Description
本發明係關於一種製造用以評估基板處理裝置之洗淨能力之評估用樣品之評估用樣品製造裝置、製造評估用樣品之評估用樣品製造方法、及具備評估用樣品製造裝置之基板處理裝置。更具體而言，本發明係關於一種製造作為附著有污染物質之評估用樣品之污染基板之評估用樣品製造裝置，特別是為了對附著於基板上之微粒子之去除性能進行評估，使污染物質附著於基板而製造評估用之污染基板之技術及對基板供給包含污染物質之分散液之技術。於成為對象之基板中，例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，藉由基板處理裝置進行自半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板去除微粒等異物之洗淨步驟。基板處理裝置之洗淨能力例如藉由將預先污染之評估用樣品洗淨而進行評估。
於專利文獻1中所記載之標準粒子自動塗佈機具備：氣霧劑產生器，其對標準粒子稀釋液供給空氣而使標準粒子氣霧劑化；以及粒子附著槽，其可於內部配置基板。於該裝置中，使用純水及標
準粒子分散液，於氣霧劑產生器內生成標準粒子稀釋液。該生成之標準粒子稀釋液經氣霧劑化，進而被去除水分，而供給至基板。藉此，製作表面檢查機校正用之標準污染基板、及洗淨裝置評估用之標準污染基板。
又，於專利文獻2中所記載之方法中，調製微粒子分散液，藉由移液管取出固定量之該微粒子分散液，藉由移液管於基板之表面分批地配置該微粒子分散液。進而，於該方法中，對配置有微粒子分散液之基板進行加熱，使微粒子分散液之溶劑蒸發。藉此，製作評估用基板。
於專利文獻2之方法中，於基板之表面以不均勻之圖案附著有微粒子，故而可藉由於基板之洗淨前及洗淨後對未附著有微粒子之部分進行觀察，由預想不到之現象判定微粒子附著之二次污染。因此，藉由進行洗淨步驟之基板處理裝置對所製作之評估用基板進行處理，藉此，可適當地對基板處理裝置進行評估。
[專利文獻1]日本專利特開平7-335515號公報
[專利文獻2]日本專利特開平9-266189號公報
於半導體裝置等之製造步驟中，通常藉由各種保持構件保持基板並進行搬送。因此，因基板與保持構件之接觸而產生微粒，進而，該微粒殘留於基板與保持構件之接觸部之情況較多。殘留於接觸部之微粒藉由基板處理步驟中之濕式步驟中所使用之液之流動，而
於基板上形成特徵性之式樣(特異模式)。
圖12A及圖12B係表示使基板浸漬於處理液槽中之處理液中進行處理之情況下所產生之特異模式之代表例。此種浸漬處理較多地於統一對多片基板進行處理之批次式之基板處理裝置中進行。圖12A係表示為了使藉由利用3片導板支持基板下部而產生之微粒沿處理液槽內之液之上升流(up-flow)向上方向漂浮而形成之特異模式。又，圖12B係表示為了使藉由寬寬度之保持部支持基板而產生之微粒因處理液槽內之液之上升流之影響而於接觸部附近之較寬範圍內擴散而形成之特異模式。如此，於批次式之基板處理裝置中，有形成由橫穿基板之表面或背面之多條線而構成之污染圖案之情況。
另一方面，於逐一對基板進行處理之單片式之基板處理裝置中，有於基板之周緣部(斜面部)形成環狀之污染圖案(特異模式)之情況。
基板處理裝置之洗淨能力較佳為使用形成有接近形成於實際之處理基板之污染圖案之污染圖案之樣品基板進行評估。
然而，於專利文獻1及專利文獻2之習知技術中，無法於基板上形成任意之污染圖案(污染部分之形狀)。因此，上述之習知技術無法製造由上述之例代表之再現特異模式之評估用樣品基板。因此，就習知而言，使用污染物質均勻地分佈之評估用之樣品基板，模擬地進行半導體洗淨裝置等之基板處理裝置之性能評估。
因此，本發明之目的在於提供一種可於基板上形成任意之污染圖案之評估用樣品製造裝置、評估用樣品製造方法、及基板處理裝置。
為了達成上述目的，本發明提供一種製造用以對基板處理裝置之洗淨能力進行評估之評估用樣品的評估用樣品製造裝置。該裝置包含如下構件：基板保持手段，其保持基板；賦予手段，其對由上述基板保持手段保持之基板之表面賦予含有污染物質之污染液；移動手段，其使由上述基板保持手段保持之基板與上述賦予手段相對移動；以及控制裝置，其基於規定應賦予污染液之基板表面之位置之規定資訊對上述移動手段進行控制，藉由上述賦予手段選擇性地對由上述規定資訊規定之基板表面之位置賦予污染液。根據該構成，可基於規定資訊，而對基板表面上之任意之位置賦予污染物質。
於本發明之一實施形態中，較佳為上述賦予手段包含賦予噴嘴，該賦予噴嘴係藉由將在溶劑中分散有污染物質之污染液之液滴向由上述基板保持手段保持之基板之表面噴出，而將污染液賦予至由上述基板保持手段保持之基板之一部分之區域。於此情況下，較佳為上述控制裝置進而基於上述規定資訊而對上述賦予噴嘴進行控制。根據該構成，可簡單地將污染物質賦予至基板上。
於本發明之一實施形態中，上述評估用樣品製造裝置進而包含污染狀態測定手段，該污染狀態測定手段係對附著於基板之污染物質之位置進行測定。而且，上述控制裝置係基於上述污染狀態測定手段之測定值而生成上述規定資訊。根據該構成，可製造於與附著有污染物質之基板相同之位置被賦予污染物質之評估用之污染基板(評估用樣品)。
於本發明之一實施形態中，上述賦予手段包含數個污染液賦予手段，上述數個污染液賦予手段係將含有之污染物質之大小分別不同之數種污染液分別賦予上述基板之表面。而且，上述污染狀態
測定手段係對附著於基板之污染物質之位置及大小進行測定，上述控制裝置係基於上述污染狀態測定手段之測定值而生成規定應當被賦予上述污染液之基板表面之位置與上述污染液中所含之污染物質之大小之上述規定資訊，藉由上述賦予手段，對由上述規定資訊規定之基板表面之位置賦予包含由上述規定資訊所規定之大小之污染物質之污染液。根據該構成，可將位置及大小不同之污染賦予基板表面，製作評估用樣品。
於本發明之一實施形態中，上述評估用樣品基板製造裝置進而包含洗淨單元，該洗淨單元係於污染液之賦予前將藉由上述賦予手段賦予污染液之基板洗淨。根據該構成，於污染液被賦予之前，基板被洗淨，故而無論被賦予污染液之前之基板之狀態如何，均可製造穩定之品質之評估用之污染基板(評估用樣品)。
於本發明之一實施形態中，進而包含熱處理單元，該熱處理單元係對藉由上述賦予手段而賦予污染液之基板進行熱處理。更具體而言，上述熱處理單元較佳為對上述基板進行加熱及冷卻。根據該構成，可使對評估用之污染基板(評估用樣品)之污染物質之密接度穩定。
於本發明之一實施形態中，上述賦予手段包含塗佈構件，該塗佈構件可保持含有污染物質之污染液，且較基板更柔軟。而且，上述控制裝置藉由上述移動手段而使上述塗佈構件移動，藉此，可使上述塗佈構件接觸於由上述規定資訊規定之基板表面之位置。
又，本發明提供一種評估用樣品製造裝置，該評估用樣品製造裝置係製造用以對基板處理裝置之洗淨能力進行評估之評估用樣品者，其包含：基板保持手段，其保持基板；塗佈構件，其可保持
包含污染物質之污染液且較基板更柔軟；以及移動手段，其藉由使上述塗佈構件移動，而使上述塗佈構件接觸到由上述基板保持手段保持之基板內之任意之位置。
根據該構成，藉由移動手段，將保持污染液之塗佈構件推壓至由基板保持手段保持之基板。由於塗佈構件較基板更柔軟，故而若將塗佈構件推壓至基板，則塗佈構件密接於基板，由塗佈構件保持之污染液被塗佈於基板之一部分。移動手段可使塗佈構件接觸於基板內之任意之位置。因此，評估用樣品製造裝置可針對每一片基板變更污染位置。進而，移動手段可於使塗佈構件接觸到基板之狀態下使塗佈構件沿基板移動。因此，評估用樣品製造裝置可於基板上形成任意之污染圖案。
於本發明之一實施形態中，上述評估用樣品製造裝置進而包含推壓壓力變更手段，該推壓壓力變更手段係變更對由上述基板保持手段保持之基板之上述塗佈構件之推壓壓力。根據該構成，藉由推壓壓力變更手段變更對基板之塗佈構件之推壓壓力。由塗佈構件保持之污染液係由塗佈構件與基板夾持，推壓至基板。若推壓壓力較強，則對基板之污染液之附著力變強，若推壓壓力較弱，則對基板之污染液之附著力變弱。因此，推壓壓力變更手段可藉由變更推壓壓力，而變更對基板之污染液之附著力。
上述塗佈構件可包含能夠保持污染液且較基板更柔軟之刷子，亦可包含能夠保持污染液且較基板更柔軟之海綿。於任一種情況下，上述塗佈構件可包含被推壓至由上述基板保持手段保持之基板之平坦之前端部，亦可包含被推壓至由上述基板保持手段保持之基板之前端較細之前端部。
塗佈構件與基板之接觸面積係伴隨對基板之塗佈構件之推壓壓力而變化。刷子較海綿更易擴展，故而於塗佈構件包含刷子之情況下，可容易地使塗佈構件與基板之接觸面積、即塗佈面積變化。又，由於海綿與刷子相比吸水性較高，故而於塗佈構件包含海綿之情況下，可保持更多之污染液。又，於塗佈構件之前端部平坦之情況下，與塗佈構件之前端部為前端較細之情況相比一次可於更寬闊之面積塗佈污染液。另一方面，於塗佈構件之前端部為前端較細之情況下，與塗佈構件之前端部為平坦之情況相比可更精密地將污染液塗佈於基板上。
本發明進而提供一種評估用樣品製造方法，該評估用樣品製造方法係製造用以對基板處理裝置之洗淨能力進行評估之評估用樣品者，且其包含如下步驟：基板保持步驟，其藉由基板保持手段保持基板；以及污染液賦予步驟，藉由移動手段，使對由上述基板保持手段保持之基板之表面賦予含有污染物質之污染液之賦予手段及由上述基板保持手段保持之基板基於規定應賦予污染液之基板表面之位置之規定資訊相對移動，藉此，選擇性地對由上述基板保持手段保持之基板之表面賦予污染液。
於本發明之一實施形態中，上述賦予手段包含賦予噴嘴，該賦予噴嘴係藉由將於溶劑中分散有污染物質之污染液之液滴向由上述基板保持手段保持之基板之表面噴出，而將污染液賦予至由上述基板保持手段保持之基板之一部分之區域，且上述污染液賦予步驟包含基於上述規定資訊使上述賦予噴嘴動作之步驟。
又，於本發明之一實施形態中，上述污染液賦予步驟包含接觸步驟，該接觸步驟係藉由利用上述移動手段使可保持包含污染
物質之污染液且較基板更柔軟之塗佈構件移動，而使上述塗佈構件接觸於由上述規定資訊所規定之基板表面之位置。
本發明進而提供一種評估用樣品製造方法，該評估用樣品製造方法係製造用以對基板處理裝置之洗淨能力進行評估之評估用樣品者，且其包含：基板保持步驟，其藉由基板保持手段保持基板；以及接觸步驟，其與上述基板保持步驟同時進行，藉由移動手段使可保持包含污染物質之污染液且較基板更柔軟之塗佈構件移動，藉此，使上述塗佈構件接觸於由上述基板保持手段保持之基板內之任意之位置。
進而，本發明提供一種基板處理裝置，其包含：具有如上所述之特徵之評估用樣品製造裝置；以及洗淨單元，其將藉由上述評估用樣品製造裝置而製造之作為評估用樣品之基板洗淨。根據該構成，藉由洗淨單元將利用評估用樣品製造裝置而製造之作為評估用樣品之基板洗淨。因此，可於同一裝置內執行評估用樣品之製造與評估用樣品之洗淨。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置進而包含污染狀態測定手段，該污染狀態測定手段係以利用上述洗淨單元將基板洗淨前及洗淨後之至少一方來測定上述基板之污染狀態。根據該構成，藉由污染狀態測定手段，以利用洗淨單元將基板洗淨前及洗淨後之至少一方對基板之污染狀態進行測定。因此，可於同一裝置內執行評估用樣品之製造、評估用樣品之洗淨、及基板之污染狀態之測定。因此，可於同一裝置內執行評估樣品之製造與基板處理裝置之洗淨能力之評估。
本發明中之上述之、或進而其他目的、特徵及效果係由
以下參照隨附圖式進行敍述之實施形態之說明而明確。
1、100‧‧‧評估用樣品製造裝置
2、205‧‧‧載具保持部
3‧‧‧基板接收部
5‧‧‧污染狀態測定單元
6‧‧‧洗淨單元
7、27‧‧‧賦予單元
8‧‧‧熱處理單元
10、274‧‧‧控制裝置
10c‧‧‧資料通信裝置
10d‧‧‧顯示裝置
10i‧‧‧輸入裝置
10m、274m‧‧‧記憶體
32‧‧‧通道
51、71‧‧‧基座
52、72‧‧‧支架
55‧‧‧圖像獲取裝置
61、283‧‧‧旋轉馬達
62、282‧‧‧旋轉基座
63‧‧‧杯
65‧‧‧洗淨液供給機構
75‧‧‧賦予噴嘴
203、300‧‧‧基板處理裝置
206‧‧‧移動機構
207‧‧‧處理單元
275‧‧‧腔室
276‧‧‧旋轉夾頭
277‧‧‧塗佈構件
278‧‧‧供給裝置
279‧‧‧移動裝置
280‧‧‧推壓壓力變更裝置
281‧‧‧乾燥裝置
284、284A、284B、284C、284D、284E、284F‧‧‧前端部
285‧‧‧固定器
286‧‧‧刷子
287‧‧‧海綿
288‧‧‧貯槽
289‧‧‧溶劑供給配管
290‧‧‧溶劑閥
291‧‧‧攪拌裝置
511、711‧‧‧平台
512、522，712、722‧‧‧導軌
521、721‧‧‧掃描部
715‧‧‧加熱器
751‧‧‧噴出孔
752‧‧‧貯存機構
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載具
CR‧‧‧中心機械手
D51、D52、D71、D72‧‧‧驅動機構
IR‧‧‧索引器機械手
S1~S7、S11~S15、S21~S26‧‧‧步驟
U‧‧‧載具排列方向
W‧‧‧基板、評估用樣品基板
W1、W2‧‧‧寬度
H1、H2‧‧‧高度
圖1係表示本發明之一實施形態之評估用樣品製造裝置之概略構成之平面圖。
圖2係表示上述裝置中所具備之洗淨單元之概略構成之圖。
圖3A係表示上述裝置中所具備之賦予單元之概略構成之平面圖。
圖3B係表示上述賦予單元之概略構成之前視圖。
圖4A係表示上述裝置中所具備之污染狀態測定單元之概略構成之平面圖。
圖4B係表示上述污染狀態測定單元之概略構成之前視圖。
圖5係表示用以製造評估用樣品基板之處理之流程之一例之流程圖。
圖6係表示基於污染狀態測定單元之測定值而生成規定資訊時之流程之流程圖。
圖7係本發明之其他實施形態之評估用樣品製造裝置之示意圖。
圖8A係表示上述裝置中可具備之塗佈構件之一例之示意性的側視圖。
圖8B係上述裝置中可具備之塗佈構件之一例之示意性的側視圖。
圖8C係上述裝置中可具備之塗佈構件之一例之示意性的側視圖。
圖8D係上述裝置中可具備之塗佈構件之一例之示意性的側視圖。
圖8E係上述裝置中可具備之塗佈構件之一例之示意性的側視圖。
圖9A係表示藉由污染液而描繪於基板上之污染圖案之一例之示意圖。
圖9B係表示藉由污染液而描繪於基板上之污染圖案之一例之示意圖。
圖9C係表示藉由污染液而描繪於基板上之污染圖案之一例之示意圖。
圖10係表示製造評估用樣品，且對基板處理裝置之洗淨能力進行評估時之流程之一例之步驟圖。
圖11係本發明之進而其他實施形態之基板處理裝置之示意性的平面圖。
圖12A係表示特異模式之代表例之圖。
圖12B係表示特異模式之代表例之圖。
以下，參照隨附圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。
圖1係表示本發明之一實施形態之評估用樣品製造裝置1之概略構成之平面圖。
評估用樣品製造裝置1具備如下構件：載具保持部2、基板接收部3、索引器機械手IR、中心機械手CR、污染狀態測定單元5、洗淨單元6、賦予單元7、熱處理單元8及控制裝置10。
載具C係可積層並收容多片基板W之收容器。載具C係收容未處理之基板W、及經處理過之基板W，且於該狀態下與多片基板W一併搬送至進行各步驟之裝置。評估用樣品製造裝置1係自載具C取出未處理之基板W，並使污染物質附著於其表面，藉此，製作作為評估用樣品之經處理過基板W(評估用樣品基板)。評估用樣品基板係被搬送至執行洗淨步驟之基板處理裝置並進行處理，且被用於該
基板處理裝置之評估。
載具保持部2係支持數個載具C。載置於載具保持部2上之載具C內之未處理之基板W係藉由索引器機械手IR而搬送至基板接收部3。又，經處理過之基板W係藉由索引器機械手IR而自基板接收部3搬送至載置於載具保持部2上之空的載具C內。
基板接收部3具備暫時地保管基板W之通道32。作為基板搬送機械手之索引器機械手IR係自載置於載具保持部2上之載具C接收未處理之基板W，並載置於通道32。通道32係作為暫時地保管多片基板W之緩衝區而發揮功能。經處理過之基板W係藉由作為基板搬送機械手之中心機械手CR而返回至通道32。返回至通道32之經處理過之基板W係藉由索引器機械手IR而收容於載置在載具保持部2上之載具C內。
於圖1中如由虛線之箭頭概念性地表示般，索引器機械手IR可藉由於保持基板W之狀態下旋轉及進退自如之臂部，而將基板W搬送至任意之位置。雖然圖示省略，但索引器機械手IR係於保持基板W之狀態下於上下方向升降自如。
於圖1中如由虛線之箭頭概念性地表示般，中心機械手CR可藉由於保持基板W之狀態下旋轉及進退自如之臂部而將基板W搬送至任意之位置。中心機械手CR係藉由該動作，而保持載置於基板接收部3之通道32之基板W，並對污染狀態測定單元5、洗淨單元6、賦予單元7、及熱處理單元8傳送基板W。
洗淨單元6係自中心機械手CR接收未處理之基板W，且對該基板W進行洗淨處理之單元。圖2係表示洗淨單元6之概略構成之圖。自中心機械手CR傳送之未處理之基板W係藉由設置於洗淨
單元6中之旋轉夾頭之旋轉基座62(spin base)而保持。旋轉基座62具備吸附基板W之背面之未圖示之抽吸孔，可將基板W以水平之姿勢保持。旋轉基座62能夠以通過基板W之中心之鉛直之旋轉軸線為中心旋轉。旋轉夾頭之旋轉馬達61係於旋轉基座62保持基板W之狀態下使旋轉基座62及基板W繞旋轉軸線旋轉。其結果，基板W係以旋轉軸線為中心於水平面內旋轉。
再者，旋轉夾頭並不限定於吸附基板W之背面之構成，亦可為藉由使基板W之周緣部接觸數個夾持構件而夾持基板W之構成。
於基板W由旋轉基座62保持之後，於基板W之上方配置供給洗淨液之洗淨液供給機構65(例如洗淨液噴嘴)。藉由自洗淨液供給機構65向旋轉狀態之基板W供給洗淨液，而將基板W之表面洗淨。洗淨處理並不限定於來自洗淨液噴嘴之洗淨液之供給，亦可藉由利用刷子等而使物理力作用於基板W之處理面(表面或背面)而進行。
供給至基板W上之洗淨液係藉由基板W之旋轉而甩落至基板W之周圍，且由杯63回收。被杯63回收之洗淨液係藉由未圖示之排液裝置而排液。於停止來自洗淨液供給機構65之洗淨液之供給後，旋轉夾頭使基板W高速旋轉。藉此，去除殘留於基板W之上表面之洗淨液，使基板W乾燥。如此，進行使基板W乾燥之乾燥處理，基板W之洗淨處理結束。繼而，洗淨之基板W係藉由中心機械手CR而被搬送至賦予單元7。
賦予單元7係對洗淨之基板W之處理面中之一部分區域塗佈污染物質之單元。圖3A係表示賦予單元7之概略構成之平面圖。圖3B係於箭頭IIIB方向觀察圖3A之構成之前視圖。賦予單元7
具備基座71(base)、支架72、及數個賦予噴嘴75。基座71係位於賦予單元7之底部之例如由花崗岩(granite)製作之台面(surface plate)。於基座71上經由導軌712配設有用以保持基板W之平台711。平台711係藉由導軌712而被向設定於與基座71之上表面平行之水平方向之基板移動方向(圖3A之上下方向)引導。因此，平台711可於與基座71之上表面平行之基板移動方向移動。平台711係連接於驅動機構D71。驅動機構D71係根據來自控制裝置10之指示，而使平台711相對於基座71移動至基板移動方向(圖3A之上下方向)之任意之位置。
於平台711之內部埋設有加熱器715。因此，控制裝置10可將基板W之溫度設定為任意之溫度(例如80℃等)。進而，於平台711之上表面形成有數個圖示省略之抽吸孔。平台711係藉由利用抽吸孔吸引將由中心機械手CR傳送之基板W以水平之姿勢保持。若控制裝置10驅動驅動機構D71，則基板W與平台711係相對於基座71之上表面平行地一體移動。因此，控制裝置10可將基板W及平台711配置於基板移動方向之任意之位置。
於基座71之上方配設有支架72。支架72具有於前視(參照圖3B)時包圍平台711之形狀，且為由鋁之鑄造物而形成之構造體。支架72係於俯視時，沿與導軌712交叉之方向(更具體而言正交之方向)延伸。支架72與基座71係於上下方向分離。因此，平台711可通過由支架72形成之空間而於基座71上移動。
於支架72上經由導軌722而配設有掃描部721。掃描部721係於保持有噴嘴75之狀態下，藉由導軌722而被向設定於與支架72之長度方向平行之水平方向(圖3B之左右方向)之噴嘴移動方向引導。即，導軌722係於噴嘴移動方向延伸，且於俯視時與導軌712交
叉(更具體而言為正交)。即，導軌712、722具有扭轉之位置關係，且基板移動方向與噴嘴移動方向正交。掃描部721可藉由被導軌722引導，而於噴嘴移動方向移動。又，掃描部721係連接於驅動機構D72。驅動機構D72係根據來自控制裝置10之指示，而使掃描部721相對於支架72移動至噴嘴移動方向(圖3B之左右方向)之任意之位置。
於掃描部721上保持有數個賦予噴嘴75。圖3B係表示使4個賦予噴嘴75搭載於掃描部721之例。賦予噴嘴75之數量可為1個，亦可為2個或3個。亦可使5個以上之賦予噴嘴75搭載於掃描部721。
各賦予噴嘴75例如為藉由利用壓電元件對污染液施加振動而噴射污染液之液滴之噴墨噴嘴。各賦予噴嘴75包括以噴墨方式將於溶劑中分散有污染物質之污染液向基板W噴出之噴出孔751。噴出孔751係形成於與基板W相對向之賦予噴嘴75之下表面。於各賦予噴嘴75內中內置有貯存污染液之貯存機構752。各貯存機構752係於噴出孔751與賦予噴嘴75之內部連通。污染液係自作為供給裝置之貯存機構752供給至賦予噴嘴75。
控制裝置10係選擇數個賦予噴嘴75中之一個以上。繼而，控制裝置10係藉由貯存機構752而將作為污染液之污染液供給至噴出孔751，自所選擇之賦予噴嘴75之噴出孔751將污染液之液滴向下噴出。於賦予噴嘴75之下表面開口之噴出孔751係與基板W之處理面空出既定之間隙(例如5 mm)地相對向，故而自噴出孔751噴出之污染液係附著於基板W之一部分之區域。自賦予噴嘴75對基板W上供給之污染液係因於基板W上其溶劑成分蒸發，而污染物質殘留於基板W上。
作為污染物質，例如可列舉聚苯乙烯乳膠(PSL：PolyStyrene Latex)、矽氧化物(SiO2)、氮化矽(SiN)之微粒子。特別是，PSL被廣泛地使用作為標準粒子，故而容易獲得而較佳。藉由使該等污染物質分散於溶劑中，而調製污染液。
控制裝置10係藉由控制驅動機構D71，而使基板W沿基座71於基板移動方向(圖3A之上下方向)移動。進而，控制裝置10係藉由控制驅動機構D72，而使賦予噴嘴75沿支架72於噴嘴移動方向(圖3B之左右方向)移動。驅動機構D71及驅動機構D72係作為根據控制裝置10之指示使賦予噴嘴75及基板W相對移動之移動單元而發揮功能。控制裝置10可藉由對驅動機構D71及驅動機構D72進行控制，而使賦予噴嘴75與基板W之處理面之任意之位置相對向。因此，控制裝置10可對基板W之處理面內之任意之位置供給污染液。如下所述，控制裝置10係基於內置之記憶裝置或外部連接之記憶裝置中所記憶之規定資訊，而進行對基板W之污染液之供給。
熱處理單元8係對藉由賦予單元7而賦予有污染物質之基板W實施熱處理之單元。雖然未圖示，但熱處理單元8具備於上下積層之烘烤單元(bake unit)及冷卻單元。烘烤單元係將基板W加熱至既定之溫度。所謂既定之溫度例如為100℃~140℃左右之範圍內之溫度，較佳為110℃左右。然而，附著於基板W之污染物質之去除率因加熱溫度而變化，故而較佳為根據污染物質之種類而適當地以不同之溫度進行加熱，或根據評估對象之洗淨方法及洗淨裝置而適當地以不同之溫度進行加熱。冷卻單元係將藉由烘烤單元而升溫之基板W冷卻至既定之溫度為止。所謂既定之溫度例如為常溫(25℃左右)。
污染狀態測定單元5係對包含污染物質之位置、大小、
及個數之基板W之污染狀態進行測定之污染狀態測定裝置。圖4A係表示污染狀態測定單元5之概略構成之圖，圖4B係自箭頭IVB方向觀察圖4A之構成之前視圖。污染狀態測定單元5具備基座51、支架52、及圖像獲取裝置55。基座51係位於污染狀態測定單元5之底部之例如由花崗岩製作之台面。於基座51上，經由導軌512而配設有保持基板W之平台511。平台511係藉由導軌512而被向設定於與基座51之上表面平行之水平方向(圖4A之上下方向)之基板移動方向引導。因此，平台511可於與基座51之上表面平行之基板移動方向移動。又，平台511係連接於驅動機構D52。驅動機構D52係根據來自控制裝置10之指示，而使平台511相對於基座51移動至基板移動方向(圖4A之上下方向)之任意之位置。
又，於平台511之上表面形成有數個圖示省略之抽吸孔。平台511係藉由利用抽吸孔吸引而將由中心機械手CR所傳送之基板W以水平之姿勢保持。若控制裝置10對驅動機構D51進行驅動，則基板W與平台511係相對於基座51之上表面平行地一體移動。因此，控制裝置10可將基板W與平台511配置於基板移動方向之任意之位置。
又，於基座51之上方配設有支架52。支架52具有於前視(圖4B參照)時包圍平台511之形狀，且為由鋁之鑄造物所形成之構造體。支架52係於俯視時沿與導軌512交叉之方向(更具體而言為正交之方向)延伸。支架52與基座51係於上下方向分離。因此，平台511可通過由支架52所形成之空間，並於基座51上移動。
於支架52上經由導軌522而配設有掃描部521。掃描部521係於保持圖像獲取裝置55之狀態下，藉由導軌522而向設定於與
支架52之長度方向平行之水平方向(圖4B之左右方向)之攝影機移動方向引導。即，導軌522係於攝影機移動方向延伸，於俯視時與導軌512交叉(更具體而言為正交)。即，導軌512、522存在歪斜之位置關係，基板移動方向與攝影機移動方向正交。掃描部521係由導軌722引導，藉此，可於攝影機移動方向移動。又，掃描部521係連接於驅動機構D52。驅動機構D52係根據來自控制裝置10之指示，而使掃描部521相對於支架52移動至攝影機移動方向(圖4B之左右方向)之任意之位置。
於掃描部521，保持有圖像獲取裝置55。圖像獲取裝置55係使用CCD(charge coupled device，電荷耦合器件)攝影機等光學機器而獲取圖像，且將獲取之圖像之資料傳送至控制裝置10。圖像獲取裝置55並不限定於CCD攝影機，例如亦可使用雷射散射方式之表面檢查機，對附著於基板W之處理面之污染物質之個數及位置進行測定。又，基板W之污染狀態之測定並不限定於熱處理單元8之處理後，亦可於洗淨前進行。於此情況下，對本來就附著於洗淨前之基板W之處理面之異物(污染物質)之個數及位置進行測定。
控制裝置10係藉由控制驅動機構D51，而使基板W沿基座51向基板移動方向(圖4A之上下方向)移動。控制裝置10係藉由對驅動機構D52進行控制，而使圖像獲取裝置55沿支架52向攝影機移動方向(圖4B之左右方向)移動。圖像獲取裝置55係獲取基板W之一部分之區域之圖像。因此，控制裝置10可使圖像獲取裝置55獲取基板W之處理面內之任意之位置之圖像。因此，污染狀態測定單元5可於基板W之所有區域對污染物質之位置、大小、及個數進行測定。
控制裝置10係內置有CPU(Central Processing Unit，中
央處理裝置)及記憶體10m(記憶裝置)。控制裝置10係統一地對中心機械手CR或賦予單元7之動作等及上述各部進行控制。例如，記憶體10m係記憶規定應藉由賦予單元7賦予污染液之基板W之表面上之位置。控制裝置10具備將規定資訊輸入至記憶體10m之輸入裝置10i。操作員可藉由使用輸入裝置10i輸入規定資訊，而任意地設定利用賦予單元7而賦予之污染物質之賦予位置。進而，控制裝置10具備資料通信裝置10c。資料通信裝置10c係自評估用樣品製造裝置1之外部接收規定資訊等資料。控制裝置10係將資料通信裝置10c所接收之資料儲存於記憶體10m中。
其次，參照圖5，對利用評估用樣品製造裝置1之洗淨評估用之基板W(評估用樣品基板)之製造進行說明。圖5係用以說明本發明之一實施形態之處理之流程之一例之流程圖。
首先，使用控制裝置10之輸入裝置10i將附著有污染物質之位置(規定資訊)輸入至控制裝置10(步驟S1)。規定資訊並不限定於自輸入裝置10i輸入之資料，可為預先儲存於控制裝置10之記憶體10m(記憶裝置)之資料，亦可為基於預先儲存之資料而製成之資料。
其次，控制裝置10係對索引器機械手IR進行控制，依序將載置於載具保持部2之載具C內之多片未處理之基板W搬送至基板接收部3之通道32。中心機械手CR係由控制裝置10控制，藉此，藉由搬送臂部將載置於通道32之基板W搬送至洗淨單元6(步驟S2)。
洗淨單元6係由控制裝置10控制，藉此，將搬入之基板W洗淨，藉由使其乾燥而將基板W之處理面潔淨化。藉此，自此可使利用污染物質污染之基板W之處理面為潔淨之狀態(步驟S3)。
其次，中心機械手CR係由控制裝置10控制，藉此，藉
由搬送臂部將利用洗淨單元6洗淨之基板W取出，搬送至賦予單元7。於賦予單元7中，基板W由賦予單元7之平台711保持。此時，基板W之方向相對於賦予單元7之平台711面向既定之方向(作為例子為圖3A中形成於基板W之凹口成為該圖之向下之位置)。如此，控制裝置10可於對基板W賦予污染物質時，任意地決定藉由污染物質所形成之污染圖案與基板W之方向之關係。
例如，通道32亦可包括使基板W旋轉並使凹口朝向任意之方向之對準機構。藉此，可使基板W之方向於傳送至中心機械手CR前面向既定方向，藉此，可對保持於賦予單元7之平台711上時之基板W之方向進行控制。
賦予單元7係接收來自控制裝置10之指示，對保持基板W之平台711之位置、及賦予噴嘴75之位置進行控制，對基板W之主面之任意之位置噴出污染液(步驟S4)。基板W係藉由埋設於平台711之加熱器715而加熱至例如80℃，故而對基板W供給之污染液之溶劑成分揮發。分散於污染液中之污染物質係藉由溶劑成分之揮發而凝集，於基板W之主面(處理面)內固定於賦予有污染液之位置。
賦予單元7係重複執行此種動作。即，賦予單元7一面自賦予噴嘴75向基板W連續地供給污染液之液滴，一面使基板W與賦予噴嘴75相對移動。藉此，對由規定資訊所規定之基板W之位置賦予污染物質，並且將由規定資訊規定之污染圖案描畫於基板W。
其次，中心機械手CR係由控制裝置10控制，藉此，藉由搬送臂部將利用賦予單元7而賦予有污染物質之基板W取出，且搬送至熱處理單元8之烘烤單元。烘烤單元係對藉由污染液之噴出而於處理面附著有污染物質之基板W進行加熱(步驟S5)。加熱溫度例如為
100℃~140℃左右，若考慮附著力則較佳為120℃。加熱時間例如為3分鐘。
加熱處理之後，中心機械手CR係由控制裝置10控制，藉此，將基板W搬送至冷卻單元。冷卻單元係將經加熱之基板W冷卻。基板W例如被冷卻至常溫(25℃)。中心機械手CR係將冷卻至常溫為止之基板W搬送至污染狀態測定單元5。
污染狀態測定單元5係對附著於基板W之污染物質之個數及位置進行測定，對基板W是否被依據規定資訊污染進行檢查(步驟S6)。
於基板W被依據規定資訊污染之情況(OK之情況)下，控制裝置10係藉由中心機械手CR而將基板W搬送至基板接收部3之通道32，繼而，藉由索引器機械手IR將基板W收納於載置在載具保持部2上之載具C中(步驟S7)。
另一方面，於基板W未被依據規定資訊污染之情況(NG之情況)下，控制裝置10係藉由中心機械手CR使基板W返回至洗淨單元6進行洗淨，去除污染物質後，再次進行賦予處理(步驟S3~S5)。此時，較佳為對污染物質之密度(每單位面積之個數)進行調整後，進行再賦予。例如，控制賦予噴嘴75之動作，增減每一次之污染液噴出量，而增減基板W上之每單位面積之污染液噴出次數，藉此，可調整污染物質之賦予密度。
如上所述，本實施形態之評估用樣品製造裝置1可於基板W上形成任意之污染圖案。因此，評估用樣品製造裝置1可製造具有與藉由既定之濕式步驟所形成之特異模式相同之污染狀態之評估用樣品基板W。又，評估用樣品製造裝置1可藉由對多片基板W之各者
進行上述之一系列之處理，而製造具有相同之特異模式之多片評估用樣品基板W。
圖6係表示基於污染狀態測定單元5之測定值生成規定資訊時之流程之流程圖。於上述之實施形態中，對使用輸入裝置10i對控制裝置10指定規定資訊之情況進行了說明。但是，如以下之圖6所示般，亦可使用藉由特定之濕式處理而形成之具有特異模式之污染基板W來生成規定資訊。具體而言，藉由污染狀態測定單元5對污染基板W之污染狀態進行測定。而且，亦可基於利用污染狀態測定單元5所測定之污染物質之位置，而生成與污染基板W之特異模式對應之規定資訊。
若具體地說明，則首先，控制裝置10係使用索引器機械手IR，將載置於載具保持部2上之載具C內之污染基板W搬送至基板接收部3之通道32。中心機械手CR係由控制裝置10控制，藉此，藉由搬送臂部將載置於通道32中之污染基板W搬送至污染狀態測定單元5(步驟S11)。
其次，被搬送至污染狀態測定單元5之基板W係被保持於平台511上之既定之位置。此時，可藉由任意地設定凹口之位置，而對包含基板W之姿勢與凹口之位置之關係在內之污染物質之位置進行測定。例如，只要藉由通道32所具備之對準機構，於傳送至中心機械手CR前，使基板W旋轉並控制其方向，便可於使基板W保持在平台511上時設定凹口之位置。
污染狀態測定單元5係由控制裝置10控制，藉此，使保持於平台511上之污染基板W與圖像獲取裝置55相對移動。藉此，藉由圖像獲取裝置55對污染基板W之主面進行掃描。藉此，對污染
基板W之主面全域進行拍攝，獲取附著於污染基板W之主面上之污染物質之位置資料(步驟S12)。
利用污染狀態測定單元5所測定之污染物質之位置係示於控制裝置10之顯示裝置10d(參照圖1)中，且由操作員確認(步驟S13)。若操作員之確認結束，則控制裝置10係基於利用污染狀態測定單元5所測定之測定值(污染物質之位置資料)而生成規定資訊，儲存於記憶體10m中(步驟S14)。此處所生成之規定資訊係用作於其他步驟中製作洗淨評估用之評估用樣品基板W時之規定資訊。
生成規定資訊後，控制裝置10係藉由中心機械手CR而將污染基板W自污染狀態測定單元5搬送至基板接收部3之通道32，繼而，藉由索引器機械手IR而將污染基板W搬送至載置於載具保持部2上之載具C。
如此，對藉由特定之濕式處理所形成之具有特異模式之污染基板W之污染狀態進行測定，基於該測定值而生成規定資訊。賦予單元7係對由規定資訊所規定之基板W之位置賦予污染液。因此，評估用樣品製造裝置1可製作與具有特異模式之污染基板W實質上相同之污染狀態之評估用樣品基板。即，評估用樣品製造裝置1可再現藉由特定之濕式處理所形成之特異模式。因此，可正確地進行洗淨裝置等基板處理裝置之評估。
關於以上之實施形態，可施加如下之變更。
例如，於上述之實施形態中，對評估用樣品製造裝置1具備洗淨單元6之情況進行了說明，但若可將處理面潔淨之基板W穩定地搬送至賦予單元7，則亦可省略洗淨單元6。於此情況下，可使評估用樣品製造裝置1之構成簡單化並降低成本。
又，於上述之實施形態中，對評估用樣品製造裝置1具備污染狀態測定單元5之情況進行了說明，但亦可省略污染狀態測定單元5。於此情況下，可使評估用樣品製造裝置1之構成簡單化並降低成本。
又，於上述之實施形態中，對評估用樣品製造裝置1具備熱處理單元8之情況進行了說明，但亦可省略熱處理單元8。例如，於污染液之溶劑成分為揮發性較高之溶劑成分之情況下，即便無熱處理單元8，亦可使污染物質固定於基板W上。若省略熱處理單元8，則可使評估用樣品製造裝置1之構成簡單化並降低成本。
又，於上述之實施形態中，將中心機械手CR配置於中心部，且將洗淨單元6及賦予單元7配置於其周圍，但本發明並不限定於此種配置。例如，亦可以如下之方式構成，即：將洗淨單元6及賦予單元7配置成直線狀，且中心機械手CR之搬送臂部可沿洗淨單元6及賦予單元7移動。
又，於上述之實施形態中，設為將包含PSL之分散液之污染液供給至基板W之構成，但例如亦可設為如下之構成，即：並排設置數個供給除PSL以外包含矽氧化物之粒子之分散液的污染液、或包含氮化矽之粒子之分散液的污染液之賦予噴嘴75。藉此，可製造使用於各種製程之數種評估用之基板W。
又，於上述之實施形態中，關於用作污染物質之PSL之大小未進行敍述，可使用單一之大小之PSL，亦可使用大小不同之數個PSL。於使用大小不同之數個PSL作為污染物質之情況下，賦予單元7具備數個賦予噴嘴75，故而例如亦可針對每個賦予噴嘴75使對基板W賦予之污染物質之大小不同。
進而，規定資訊亦可不僅包含應賦予污染液之基板之位置，亦可包含污染液中所含之污染物質之大小。於此情況下，評估用樣品製造裝置1可製作具有更複雜之特異模式之評估用基板。例如，評估用樣品製造裝置1可藉由利用污染狀態測定單元5獲取0.1 μm以下之污染物質之規定資訊、及0.5 μm以上之污染物質之規定資訊，而製成更接近實際之污染之評估用基板。具體而言，於數個賦予噴嘴75之貯存機構752中，分別貯存有含有大小不同之污染物質之數個種類之污染液。控制裝置10係以對由規定資訊所規定之基板表面之位置賦予包含由該規定資訊所規定之大小之污染物質之污染液的方式控制數個賦予噴嘴75之動作。藉此，可製造不僅再現污染物質之分佈亦再現污染物質之大小之評估用樣品基板。
又，於上述實施形態中，對製造圓板狀之評估用樣品基板之例進行了說明，但亦可製造與液晶顯示裝置用基板等對應之多邊形之評估用樣品基板。
圖7係用以說明本發明之其他實施形態之評估用樣品製造裝置之示意圖。於該實施形態中，例如，於上述之圖1所示之構成中，代替賦予單元7而使用賦予單元27。賦予單元27係以如下之方式構成，即：藉由利用塗佈構件277將污染液塗佈於基板W而對基板W之表面賦予污染物質。圖8A、圖8B、圖8C、圖8D及圖8E係分別表示塗佈構件277之構成例之示意性的側視圖。圖9A、圖9B、及圖9C係表示藉由污染液而描畫於基板W上之污染圖案之一例之示意圖。圖10係表示製造評估用樣品且對基板處理裝置300之洗淨能力進行評估時之流程之一例之步驟圖。以下之說明中之塗佈構件277之形狀及大小只要未特別說明，則為自由狀態下之形狀及大小。所謂自由狀態係
指未施加外力之狀態。
如圖7所示般，該實施形態之評估用樣品製造裝置100包含賦予單元27及污染狀態測定單元5。評估用樣品製造裝置100只要至少包含賦予單元27便可。即，污染狀態測定單元5無需內置於評估用樣品製造裝置100中，亦可為與評估用樣品製造裝置100不同之單元。較佳為評估用樣品製造裝置100包括與圖1所示之評估用樣品製造裝置1類似之構成。即，評估用樣品製造裝置100較佳為包括於圖1之構成中代替賦予單元7而應用有賦予單元27之構成。
評估用樣品製造裝置100係對半導體晶圓等圓板狀之基板W塗佈包含污染物質之污染液，逐一製造用以對基板處理裝置300之洗淨能力進行評估之評估樣品之單片式之裝置。基板處理裝置300可為將基板W洗淨之裝置，亦可為單片式之裝置，且亦可為批次式之裝置。
如圖7所示般，賦予單元27包含：控制裝置274，其對該單元之動作及閥之開關進行控制；腔室275，其包含箱形之隔壁；以及旋轉夾頭276，其於腔室275內水平地保持基板W並繞通過基板W之中心之鉛直之旋轉軸線A1旋轉。評估用樣品製造裝置1進而包含：塗佈構件277，其可保持使基板W污染之污染液且較基板W更柔軟；供給裝置278，其對塗佈構件277供給污染液；移動裝置279，其藉由使塗佈構件277移動，而使塗佈構件277接觸到基板W內之任意之位置；推壓壓力變更裝置280，其變更塗佈構件277對基板W之推壓壓力；以及乾燥裝置281，其使基板W乾燥。
如圖7所示般，旋轉夾頭276包含：圓盤狀之旋轉基座282(spin base)，其可於水平地保持基板W之狀態下繞旋轉軸線A1旋
轉；以及旋轉馬達283，其使旋轉基座282繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾頭276可為夾持基板W之周緣部而水平地保持該基板W之夾持式之夾頭，亦可為藉由吸附作為非器件形成面之基板W之背面(下表面)而水平地保持該基板W之真空式之夾頭。於圖7中，表示旋轉夾頭276為真空式之夾頭之情況。控制裝置274係藉由控制旋轉馬達283，而使基板W繞旋轉軸線A1旋轉。
如圖7所示般，塗佈構件277係於前端部284朝向下方之狀態下由固定器285支持。固定器285係由移動裝置279及推壓壓力變更裝置280支持。塗佈構件277之前端部284係藉由移動裝置279及推壓壓力變更裝置280而被推壓至基板W之上表面。移動裝置279可使塗佈構件277接觸於基板W內之任意之位置，且可於使塗佈構件277接觸到基板W之狀態下使塗佈構件277沿基板W移動。移動裝置279係包含馬達或汽缸等致動器之裝置。塗佈構件277對基板W之推壓壓力係藉由推壓壓力變更裝置280而變更。推壓壓力變更裝置280可於既定之範圍內連續地或階段性地變更塗佈構件277對基板W之推壓壓力，且可將塗佈構件277對基板W之推壓壓力維持為固定。推壓壓力變更裝置280例如為包含對塗佈構件277賦予勢能之彈簧等彈性體、及變更彈性體之彈性變形量之致動器之裝置。
塗佈構件277較基板W更小。即，自垂直於基板W之主面之方向觀察時之塗佈構件277之前端部284之面積較基板W之主面之面積更小。當塗佈構件277被推壓至基板W時，塗佈構件277彎曲並密接於基板W，當塗佈構件277自基板W離開時，塗佈構件277恢復至原來之形狀。塗佈構件277可為如圖7、圖8A、及圖8B所示之筆或刷子等由合成樹脂製之數個纖維構成之刷子286，亦可為如圖
8C及圖8D所示般之合成樹脂製之海綿287。於塗佈構件277為刷子286之情況下，塗佈構件277可包括如圖7所示般之前端平坦之前端部284A，亦可包括如圖8A所示般之前端較細之前端部284B。又，於塗佈構件277為刷子286之情況下，如圖8B所示般，塗佈構件277亦可包括前端平坦且塗佈構件277之寬度W1(朝向與基板W之上表面平行之方向之長度)較塗佈構件277之高度H1(朝向與基板W之上表面垂直之方向之長度)更長之前端部284C。於塗佈構件277為海綿287之情況下亦同樣地，塗佈構件277可包括前端平坦之前端部284D(參照圖8C)，亦可包括前端較細之前端部284E(參照圖8D)。進而，包含海綿287之塗佈構件277亦可包括前端平坦且塗佈構件277之寬度W2較塗佈構件277之高度H2更長之前端部284F(參照圖8E)。
如圖7所示般，供給裝置278包含貯存含有污染物質及溶劑之污染液之向上敞開之貯槽288。貯槽288係配置於腔室275內。貯槽288內之污染液可為於供給至貯槽288前進行調配者，亦可為於貯槽288內進行調配者。於圖7中，表示於貯槽288內調配污染液之構成。於此情況下，供給裝置278包含：溶劑供給配管289，其對貯槽288內供給使污染物質溶解之溶劑；溶劑閥290，其介裝於溶劑供給配管289中；以及攪拌裝置291，其攪拌貯槽288內之液體。污染物質係供給至貯槽288內，溶劑係經由溶劑供給配管289而供給至貯槽288內。污染物質可為微粒(例如SiO2之粉末)，亦可為作為金屬污染物質之一例之硫酸銅，且亦可為有機污染物質。又，溶劑可為純水(去離子水：Deionzied Water)，亦可為酒精，且亦可為除該等以外之液體。污染物質及溶劑係於貯槽288內藉由攪拌裝置291進行攪拌。藉此，污染物質及溶劑被調配成以既定之比率混合之污染液。
如圖7所示般，控制裝置274係藉由對移動裝置279進行控制，而使塗佈構件277之前端部284浸漬於貯槽288內之污染液中(參照圖10之步驟S21)。藉此，污染液滲入塗佈構件277之內部，被保持於塗佈構件277之內部及塗佈構件277之外表面。控制裝置274係於使塗佈構件277之前端部284浸漬於污染液中後，對移動裝置279及推壓壓力變更裝置280進行控制，藉此，一面藉由推壓壓力變更裝置280調整塗佈構件277對基板W之推壓壓力，一面使塗佈構件277之前端部284接觸於基板W之上表面。藉此，將污染液塗佈於基板W之上表面(參照圖10之步驟S22)。由於塗佈構件277較基板W更柔軟，故而當塗佈構件277被推壓至基板W時，塗佈構件277彎曲，塗佈構件277內之污染液向外滲出。因此，將相應於推壓壓力之量之污染液塗佈於基板W上。進而，塗佈構件277彎曲，故而塗佈構件277係以相應於推壓壓力之接觸面積與基板W接觸。因此，塗佈有污染液之基板W內之區域(塗佈區域)之面積係相應於推壓壓力而變化。
控制裝置274係例如於使塗佈構件277之前端部284接觸於基板W之上表面之狀態下，使塗佈構件277沿基板W移動。此時，控制裝置274係藉由移動裝置279而調整塗佈構件277之高度，藉此，可變更塗佈構件277與基板W之接觸面積，亦可藉由推壓壓力變更裝置280而變更推壓壓力。控制裝置274係如此使保持有污染液之狀態之塗佈構件277接觸於基板W，並對基板W描畫任意之污染圖案。塗佈有污染液之基板W內之區域(塗佈區域)可如圖9A所示般為基板W之上表面周緣部之全域，亦可如圖9B所示般為基板W之上表面內之數個區域，且亦可如圖9C所示般為基板W之上表面內之帶狀之區域。亦可藉由污染液於基板W上描畫除該等以外之污染圖案。例如，
可藉由污染液而於基板W上描畫在旋轉軸線A1上具有中心之數個同心圓，亦可藉由污染液而於基板W上描畫橫穿基板W之上表面之數條線。
於塗佈區域為基板W之上表面周緣部之全域之情況下，控制裝置274亦可於使基板W之旋轉停止之狀態下使塗佈構件277沿基板W之上表面周緣部移動。又，亦可使塗佈構件277接觸於基板W之上表面周緣部，並且藉由旋轉夾頭276使基板W旋轉。進而，於此情況下，亦可使用前端部284平坦且其寬度與塗佈區域之寬度(任意之圓周上之朝向直徑方向之長度)相等之塗佈構件277(例如圖9A所示之塗佈構件277)。
又，於塗佈區域為基板W之上表面內之數個區域之情況下，控制裝置274可於使基板W之旋轉停止之狀態下使塗佈構件277接觸到數個區域，亦可藉由於使塗佈構件277自基板W離開時使基板W旋轉，而縮短塗佈構件277之移動距離。進而，塗佈區域為基板W自上表面內之數個區域，於各區域之面積較狹窄之情況下，較佳為使用前端部284前端較細之塗佈構件277(例如圖9B、圖8A、及圖8D所示之塗佈構件277)。
又，於塗佈區域為基板W之上表面內之帶狀之區域之情況下，控制裝置274亦可於使基板W之旋轉停止之狀態下使塗佈構件277沿基板W之上表面移動。進而，於塗佈區域為基板W之上表面內之帶狀之區域且塗佈區域之面積較寬之情況下，較佳為使用前端部284平坦之塗佈構件277(例如圖7、圖8B、圖8C、及圖8E所示之塗佈構件277)。特別是，較佳為使用前端部284平坦且塗佈構件277之寬度較塗佈構件277之高度更長之塗佈構件277(例如圖8B及圖8E
所示之塗佈構件277)。
控制裝置274較佳為具備於上述之實施形態中說明之用以記憶規定資訊之記憶體274m(記憶裝置)。而且，控制裝置274較佳為以如下方式程式化，即：基於規定資訊對移動裝置279進行控制，藉此，於基板W之表面上選擇性地對由規定資訊所規定之位置塗佈污染液。進而，控制裝置274亦能夠以如下之方式程式化，即：基於規定資訊，除控制移動裝置279以外，亦一併控制推壓壓力變更裝置280，藉此，於基板W之表面上選擇性地賦予污染液。
控制裝置274係於將污染液塗佈於基板W之後，使基板W乾燥(參照圖10之步驟S23)。為了將附著於基板W之污染液甩落至基板W之周圍，控制裝置274亦可藉由旋轉夾頭276使基板W高速旋轉而使基板W乾燥。又，控制裝置274亦可藉由使用紅外線燈或加熱器等乾燥裝置281而於基板W靜止之狀態下使基板W乾燥。又，控制裝置274亦可使基板W自然乾燥。無論於何種情況下，作為評估用樣品之基板W均於乾燥後自腔室275搬出。其後，藉由微粒計數器等污染狀態測定單元5對基板W之污染狀態進行測定(參照圖10之步驟S24)。繼而，藉由基板處理裝置300將基板W洗淨(參照圖10之步驟S25)，其後，藉由污染狀態測定單元5對基板W之污染狀態進行測定(參照圖10之步驟S26)。藉由使用該測定結果，對基板處理裝置300之洗淨能力進行評估。
如上所述，於該實施形態中，藉由移動裝置279，將保持污染液之塗佈構件277推壓至由旋轉夾頭276保持之基板W。由於塗佈構件277較基板W更柔軟，故而當將塗佈構件277推壓至基板W時，塗佈構件277密接於基板W，將由塗佈構件277保持之污染液塗
佈於基板W之一部分。移動裝置279可使塗佈構件277接觸到基板W內之任意之位置。因此，評估用樣品製造裝置100可針對每一基板W變更污染位置。進而，移動裝置279可使塗佈構件277於接觸到基板W之狀態下沿基板W移動。因此，評估用樣品製造裝置100可於基板W上形成任意之污染圖案。
進而，於該實施形態中，藉由推壓壓力變更裝置280來變更塗佈構件277對基板W之推壓壓力。由塗佈構件277保持之污染液係由塗佈構件277與基板W夾持，並推壓至基板W。若推壓壓力較強，則污染液對基板W之附著力變強，若推壓壓力較弱，則污染液對基板W之附著力變弱。因此，推壓壓力變更裝置280可藉由變更推壓壓力，而變更污染液對基板W之附著力。進而，若推壓壓力較強，則自塗佈構件277滲出之液量增加，若推壓壓力較弱，則自塗佈構件277滲出之液量減少。因此，推壓壓力變更裝置280可藉由變更推壓壓力，而變更對基板W之污染液之塗佈量。
圖11係本發明之進而其他實施形態之基板處理裝置203之示意性的平面圖。於該圖5中，對於與上述之圖1~圖4B、圖7~9C所示之各部分相同之構成部分，附上與圖1等相同之參照符號並省略其說明。
該實施形態之基板處理裝置203係逐一對基板W進行處理之單片式之裝置。基板處理裝置203具備：索引器區塊(indexer block)，其將基板W搬入；處理區塊，其對搬入至索引器區塊之基板W進行處理；以及控制裝置10，其對裝置之動作及閥之開關進行控制。控制裝置10亦可具有上述之控制裝置274之功能。
索引器區塊具備載具保持部205、索引器機械手IR、以
及IR移動機構206。載具保持部205係保持可收容多片基板W之載具C。數個載具C係於排列在水平之載具排列方向U之狀態下由載具保持部205保持。IR移動機構206係使索引器機械手IR於載具排列方向U移動。索引器機械手IR係進行將基板W搬入至由載具保持部205保持之載具C之搬入動作、及將基板W自載具C搬出之搬出動作。基板W係藉由索引器機械手IR而以水平之姿勢搬送。
另一方面，處理區塊具備對基板W進行處理之數個(例如4個以上)處理單元207、及中心機械手CR。數個處理單元207係以於俯視時包圍中心機械手CR之方式而配置。數個處理單元207包含：賦予單元27，其對基板W之表面賦予污染物質而製造評估樣品；污染狀態測定單元5，其對基板W之污染狀態進行測定；以及洗淨單元6，其進行基板W之洗淨處理。洗淨單元6例如具有如上述之圖2所示般之構成，且為逐一將基板W洗淨之單片式之單元。洗淨單元6包含：旋轉夾頭(參照圖1)；以及洗淨液供給機構65，其向由旋轉夾頭之旋轉基座62所保持之基板W噴出洗淨液；且藉由自洗淨液供給機構65將洗淨液噴出至基板W，而進行基板W之洗淨處理。再者，洗淨單元6中之處理並不限定於利用洗淨液之洗淨，亦可為利用刷子之洗淨、及利用氣體之洗淨。中心機械手CR係進行將基板W搬入至處理單元207之搬入動作、及將基板W自處理單元207搬出之搬出動作。進而，中心機械手CR係於數個處理單元207間搬送基板W。基板W係藉由中心機械手CR以水平之姿勢搬送。中心機械手CR係自索引器機械手IR接收基板W，且將基板W傳送至索引器機械手IR。
控制裝置10係藉由索引器機械手IR及中心機械手CR，而將載具C內之基板W搬入至賦予單元27內。其後，控制裝置
10係藉由利用賦予單元27將污染液塗佈於基板W上，而製造評估用樣品。繼而，控制裝置10係藉由中心機械手CR，而將賦予單元27內之基板W搬入至污染狀態測定單元5內。其後，控制裝置10係藉由污染狀態測定單元5，而測定藉由洗淨單元6洗淨前之基板W之污染狀態。繼而，控制裝置10係藉由中心機械手CR，而將污染狀態測定單元5內之基板W搬入至洗淨單元6內。其後，控制裝置10係藉由洗淨單元6而將基板W洗淨。繼而，控制裝置10係藉由中心機械手CR而將洗淨單元6內之基板W搬入至污染狀態測定單元5內。其後，控制裝置10係藉由污染狀態測定單元5，而測定藉由洗淨單元6洗淨後之基板W之污染狀態。繼而，控制裝置10係藉由索引器機械手IR及中心機械手CR，而將污染狀態測定單元5內之基板W搬入至載具C內。控制裝置10係藉由重複執行該一系列之動作，而逐一對多片基板W進行處理。如此，於該實施形態中，於藉由洗淨單元6對基板W進行洗淨前及洗淨後，藉由污染狀態測定單元5而測定基板W之污染狀態。因此，於同一裝置203內執行評估用樣品之製造及洗淨單元6之洗淨能力之評估。
再者，如圖11所示般，基板處理裝置203亦可代替賦予單元27，而具備參照上述之圖3A及圖3B等進行說明之賦予單元7。
對於參照圖7~圖11進行說明之實施形態，可施加如下之變更。
例如，於上述之實施形態中，對將污染液塗佈於基板之上表面之情況進行了說明，但污染液亦可塗佈於基板之下表面及周端面。即，塗佈污染液之區域亦可為基板之上表面、下表面、及周端面內中之任一區域。
又，於上述之實施形態中，對賦予單元27具備推壓壓力變更裝置之情況進行了說明，賦予單元27亦可不包括推壓壓力變更裝置。
又，於圖11之實施形態中，對基板處理裝置包括污染狀態測定單元5之情況進行了說明，但基板處理裝置亦可不具備污染狀態測定單元5。
又，於上述之實施形態中，對於在賦予單元27中藉由旋轉夾頭保持基板之情況進行了說明，但基板亦可藉由除旋轉夾頭以外之基板保持裝置以非旋轉狀態保持。
又，於上述實施形態中，對基板處理裝置為對圓板狀之
基板進行處理之裝置之情況進行了說明，但基板處理裝置亦可為對液晶顯示裝置用基板等多邊形之基板進行處理之裝置。
至此對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等只不過是為了明確本發明之技術性內容而使用之具體例，本發明不應限定於該等具體例進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
本申請係與於2012年2月27日由日本專利廳提出之日本專利特願2012-40481號、於2012年3月29日由日本專利廳提出之日本專利特願2012-77129號、及於2012年9月21日由日本專利廳提出之日本專利特願2012-208504號對應，該等申請之全部揭示係藉由引用而併入文中者。
7‧‧‧賦予單元
71‧‧‧基座
72‧‧‧支架
75‧‧‧賦予噴嘴
711‧‧‧平台
712‧‧‧導軌
715‧‧‧加熱器
721‧‧‧掃描部
722‧‧‧導軌
751‧‧‧噴出孔
752‧‧‧貯存機構
D71‧‧‧驅動機構
D72‧‧‧驅動機構
W‧‧‧基板、評估用樣品基板
Claims (9)
- 一種評估用樣品製造裝置，其係製造用以對基板處理裝置之洗淨能力進行評估之評估用樣品者，其包含：基板保持手段，其保持基板；塗佈構件，其可保持包含污染物質之污染液，且較基板更柔軟；以及移動手段，其藉由使上述塗佈構件移動，使上述塗佈構件接觸於由上述基板保持手段所保持之基板內之任意位置。
- 如申請專利範圍第1項之評估用樣品製造裝置，其中，其進而包含推壓壓力變更手段，該推壓壓力變更手段係變更對由上述基板保持手段所保持之基板之上述塗佈構件之推壓壓力。
- 如申請專利範圍第1項之評估用樣品製造裝置，其中，上述塗佈構件包含可保持污染液且較基板更柔軟之刷子。
- 如申請專利範圍第1項之評估用樣品製造裝置，其中，上述塗佈構件包含可保持污染液且較基板更柔軟之海綿。
- 如申請專利範圍第1項之評估用樣品製造裝置，其中，上述塗佈構件包含被推壓至由上述基板保持手段所保持之基板之平坦前端部。
- 如申請專利範圍第1項之評估用樣品製造裝置，其中，上述塗佈構件包含被推壓至由上述基板保持手段所保持之基板之前端較細之前端部。
- 一種評估用樣品製造方法，其係製造用以對基板處理裝置之洗淨能力進行評估之評估用樣品者，其包含如下之步驟：基板保持步驟，其藉由基板保持手段保持基板；以及 接觸步驟，其與上述基板保持步驟同時進行，利用移動手段使可保持包含污染物質之污染液且較基板更柔軟之塗佈構件移動，藉此，使上述塗佈構件接觸於由上述基板保持手段所保持之基板內之任意位置。
- 一種基板處理裝置，其包含：申請專利範圍第1至6項中任一項之評估用樣品製造裝置；以及洗淨單元，其將藉由上述評估用樣品製造裝置所製造之作為評估用樣品之基板洗淨。
- 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，其進而包含樣品污染狀態測定手段，該樣品污染狀態測定手段係以藉由上述洗淨單元將上述評估用樣品洗淨前及洗淨後之至少一方，對上述基板之污染狀態進行測定。
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2013
- 2013-02-25 TW TW102106493A patent/TWI549210B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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| TW201342511A (zh) | 2013-10-16 |
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