TWI549167B - Input device - Google Patents

Description

輸入裝置

本發明係關於一種能夠檢測操作面之操作位置之輸入裝置，尤其係關於一種連接形成於透明基材表面之透明電極間之橋接配線之構成。

於專利文獻1中揭示有由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)形成將複數個透明電極間電連接之橋接配線(專利文獻1中記載為交叉部分、中繼電極)之輸入裝置。

又，於專利文獻2中揭示有由Mo、Al、Au等形成將複數個透明電極間電連接之橋接配線(專利文獻2中記載為橋接配線)之輸入裝置。

又，於專利文獻3中記載有由具備金屬層之單層或包含至少1層以上之金屬層之複數層之導電體膜而形成將複數個透明電極間電連接之橋接配線(專利文獻3中記載為導電構件)。作為金屬層之材料，可選擇金、銀、銅、鉬等。又，於專利文獻3中，由於在視認側形成金屬氧化物層，從而難以視認導電體膜。

又，於專利文獻4中，作為將複數個透明電極間電連接之橋接配線(專利文獻4中記載為第2透光性導電膜)之一例，記載有由ITO層、銀系金屬層及ITO層積層而成之透光性導電膜。

再者，於構成透明電極之形成面之透明基材與橋接配線之間夾有絕緣層。即，橋接配線係穿過絕緣層之表面而將 各透明電極間電連接。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]：日本專利特開2008-310550號公報

[專利文獻2]：日本專利特開2010-271796號公報

[專利文獻3]：WO 2010/150668號

[專利文獻4]：日本專利特開2011-128674號公報

於專利文獻1中係由ITO形成橋接配線，存在橋接配線之配線電阻變大之問題。

又，如專利文獻2般，藉由使用金屬材料形成橋接配線，能夠使橋接配線之配線電阻低於ITO，但無良好之不可見特性，即無法觀察到橋接配線，進而必需使橋接配線之耐環境性(耐濕性或耐熱性)提高。此外，必需確保與構成橋接配線之形成面之絕緣層之間之良好之密接性。

於專利文獻3中記載有能夠改善橋接配線之不可見性之內容。又，於專利文獻4中記載有能夠使橋接配線之薄片電阻變低之內容。再者，於專利文獻3、4中雖記載有使橋接配線為積層構造之內容，但剖面圖等中並未表示出自絕緣層之表面至透明電極之表面之各層係如何形成。

如此，橋接配線為ITO或金屬層，進而將其等積層而成之構造為公知，但於專利文獻1~4記載之發明中，關於具有於使用Cu、Cu合金或者Ag合金作為構成橋接配線之金 屬層之情形時，能夠實現良好之不可見性、與絕緣層之密接性之確保、耐環境性(高溫環境、高溫.高濕環境)之提高及耐靜電破壞性之提高之橋接配線之輸入裝置之構造無任何記載。

因此，本發明係用於解決上述先前之課題者，其目的尤其在於提供一種於使用Cu、Cu合金或者Ag合金作為低電阻金屬時，能夠確保良好之不可見特性，並且能夠提高橋接配線之耐環境性或耐靜電破壞性等之輸入裝置。

本發明之輸入裝置之特徵在於包括：透明基材；複數個透明電極，其形成於上述透明基材之第1面；橋接配線，其將上述透明電極間電連接；及絕緣層，其形成於上述透明基材與上述橋接配線之間；上述透明電極具備複數個第1透明電極、及複數個包含ITO之第2透明電極，各第1透明電極於第1方向上連結，於上述第1透明電極之連結部之表面形成上述絕緣層，藉由穿過上述絕緣層之絕緣表面而形成之上述橋接配線將各第2透明電極於與上述第1方向交叉之第2方向上連結；上述絕緣層由酚醛樹脂形成；上述絕緣層係填埋上述第1透明電極之連結部與上述第2透明電極之間之空間並且蔓延至上述第2透明電極之表面而形成；上述橋接配線具備積層構造，該積層構造包括：基底層，其自上述絕緣層之表面至上述第2透明電極之表面相 接地形成且包含非晶ITO；金屬層，其僅形成於上述基底層之表面且包含Cu、Cu合金或Ag合金；及導電性氧化物保護層，其僅形成於上述金屬層之表面且包含非晶ITO。

由此，能夠確保良好之不可見特性，並且能夠實現橋接配線之低電阻化及耐靜電破壞性之提高，進而能夠使橋接配線與絕緣層之間之密接性為良好。又，包含非晶ITO之基底層作為對於因包含酚醛樹脂之絕緣層之吸水性所引起之水分之障壁層發揮功能。進而，包含非晶ITO之基底層能夠適當地追隨伴隨環境變化之包含酚醛樹脂之絕緣層之收縮。又，可使包含非晶ITO之導電性氧化物保護層作為對於自橋接配線之表面側流入之水分之障壁層發揮功能。如此亦能夠確保良好之耐環境性(耐濕性、耐熱性)。

又，於本發明中，上述橋接配線較佳為具備3.5 kV以上之ESD(Electrostatic Discharge，靜電放電)特性。又，上述橋接配線之薄片電阻值Rs較佳為55 Ω/□以下。

又，上述金屬層之膜厚較佳為6~10 nm。

又，於本發明中，較佳為，上述橋接配線係藉由在各透明電極之表面、上述絕緣層之表面及上述透明基材之表面上重疊積層上述基底層、上述金屬層及上述導電性氧化物保護層之後，採用光微影技術自上述絕緣層之表面至上述第2透明電極層之表面呈細長之形狀殘留者。

又，較佳為對上述絕緣層實施變白(bleaching)。

又，本發明可較佳地適用於在上述橋接配線之表面連接有光學透明黏著層之構成。又，可較佳地適用於上述透明 基材之第1面側與表面為操作面之面板間藉由上述光學透明黏著層接合而成之構成。

於本發明中，包含Cu合金之上述金屬層較佳為CuNi層。又，包含Ag合金之上述金屬層較佳為AgPdCu層。

根據本發明之輸入裝置，能夠確保良好之不可見特性，並且能夠實現橋接配線之低電阻化及耐靜電破壞性之提高，進而能夠使橋接配線與絕緣層之間之密接性為良好。又，包含非晶ITO之基底層作為對於因包含酚醛樹脂之絕緣層之吸水性所引起之水分之障壁層發揮功能。進而，包含非晶ITO之基底層能夠適當地追隨伴隨環境變化之包含酚醛樹脂之絕緣層之收縮。又，可使包含非晶ITO之導電性氧化物保護層作為對於自橋接配線之表面側流入之水分之障壁層發揮功能。如此亦能夠確保良好之耐環境性(耐濕性、耐熱性)。

圖1係表示在構成本實施形態中之輸入裝置(觸控面板)之透明基材之表面上形成之各透明電極及配線部之俯視圖，圖2(a)係圖1所示之輸入裝置之放大俯視圖，圖2(b)係將圖2(a)沿著A-A切斷且自箭頭方向觀察時之輸入裝置之部分放大縱剖面圖，圖2(c)係與圖2(b)局部不同之輸入裝置之部分放大縱剖面圖。

再者，於該說明書中，「透明」、「透光性」係指可見光線透過率為50%以上(較佳為80%以上)之狀態。進而，霧 度值較佳為6以下。

再者，於圖1中，圖示了在構成輸入裝置1之透明基材2之表面(第1面)2a上形成之各透明電極4、5及配線部6，但實際如圖2(b)般，於透明基材2之表面側設有透明之面板3，且於配線部6之位置存在加飾層，因此，無法自面板3之表面側觀察配線部6。再者，透明電極為透明，故無法視認，但於圖1中示出了透明電極之外形。

透明基材2係由聚對苯二甲酸乙二酯(PET，Polyethylene Terephthalate)等之膜狀之透明基材或玻璃基材等形成。又，各透明電極4、5係由ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)等透明導電材料且藉由濺鍍或蒸鍍等成膜。此處之ITO為結晶ITO。

如圖1所示，於顯示區域11(能夠藉由手指等操作體來進行操作之顯示器所對向之顯示畫面)內形成有複數個第1透明電極4與複數個第2透明電極5。

如圖1、圖2(a)所示，複數個第1透明電極4形成於透明基材2之表面2a上，各第1透明電極4經由細長之連結部7而於Y1-Y2方向(第1方向)上連結。並且，包含在Y1-Y2方向上連結之複數個第1透明電極4之第1電極8於X1-X2方向上空開間隔地排列。

又，如圖1、圖2(a)所示，複數個第2透明電極5形成於透明基材2之表面2a上。如此，第2透明電極5形成於與第1透明電極4相同之面(透明基材2之表面2a)上。如圖1、圖2(a)所示，各第2透明電極5經由細長之橋接配線10而於X1-X2 方向(第2方向)上連結。並且，包含在X1-X2方向上連結之複數個第2透明電極5之第2電極12於Y1-Y2方向上空開間隔地排列。

如圖2(a)(b)所示，於將第1透明電極4間連結之連結部7之表面上形成有絕緣層20。如圖2(b)所示，絕緣層20填埋連結部7與第2透明電極5之間之空間，且亦稍微蔓延至第2透明電極5之表面。

絕緣層20由酚醛樹脂形成。由此，能夠適當地填埋第2透明電極5與連結部7之間之間隙。又，能夠平滑地形成絕緣層20之表面20a，從而能夠減小凹凸。

並且，如圖2(a)(b)所示，橋接配線10自絕緣層20之表面20a形成至位於絕緣層20之X1-X2方向之兩側之各第2透明電極5之表面。橋接配線10將各第2透明電極5間電連接。

如圖2(a)(b)所示，於將各第1透明電極4間連接之連結部7之表面上設有絕緣層20，於該絕緣層20之表面上設有將各第2透明電極5間連接之橋接配線10。如此，成為於連結部7與橋接配線10之間夾有絕緣層20，第1透明電極4與第2透明電極5電絕緣之狀態。並且，於本實施形態中，能夠將第1透明電極4與第2透明電極5形成於相同之面(透明基材2之表面2a)上，從而能夠實現輸入裝置1之薄型化。

再者，連結部7、絕緣層20及橋接配線10均位於顯示區域11內，且與透明電極4、5同樣地以透明、透光性構成。

如圖1所示，顯示區域11之周圍成為邊框狀之加飾區域(非顯示區域)25。顯示區域11為透明、透光性，但加飾區 域25為不透明、非透光性。因而，設於加飾區域25之配線部6或外部連接部27無法自輸入裝置1之表面(面板3之表面)觀察到。

如圖1所示，於加飾區域25形成有自各第1電極8及各第2電極12引出之複數個配線部6。各配線部6具有Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag、Au等金屬材料而形成。

如圖1所示，各配線部6之前端構成與軟性印刷基板(未圖示)電連接之外部連接部27。

如圖2(b)所示，透明基材2之表面2a側與面板3之間經由光學透明黏著層(OCA；Optical Clear Adhesive)30而接合。面板3對材質無特別限定，但較佳應用玻璃基材或塑膠基材。光學透明黏著層(OCA)30為丙烯酸系黏著劑或雙面黏著膠帶等。

於圖1所示之靜電電容式之輸入裝置1中，如圖2(b)所示，當與面板3之操作面3a上接觸時，於手指F與接近手指F之第1透明電極4之間、及與第2透明電極5之間產生靜電電容。根據此時之靜電電容變化，能夠算出手指F之接觸位置。手指F之位置根據與第1電極8之間之靜電電容變化來檢測X座標，並根據與第2電極12之間之靜電電容變化來檢測Y座標(自體電容檢測型)。又，亦可為，對第1電極8與第2電極12之一者之第1電極之一行施加驅動電壓，藉由另一者之第2電極來檢測與手指F之間之靜電電容之變化並由第2電極來檢測Y位置，由第1電極來檢測X位置之相互電容檢測型。

於本實施形態中，在將第2透明電極5間連結之橋接配線10之構造中存在具特徵性之部分。

如圖3(a)所示，第1實施形態之橋接配線10形成為積層構造，該積層構造包括：基底層35，其自絕緣層20之表面20a形成至第2透明電極5之表面5a且包含非晶ITO；金屬層40，其僅形成於基底層35之表面上；及導電性氧化物保護層37，其僅形成於金屬層40之表面上之且包含非晶ITO。

於本實施形態中，可選擇Cu、Cu合金或者Ag合金作為金屬層40。

Cu合金中可選擇CuNi合金。又，Ag合金中可選擇AgPdCu合金。CuNi合金之組成比例如為，Cu約85~75 wt%，Ni約15~25 wt%，將Cu與Ni之各組成比相加為100 wt%。又，AgPdCu合金之組成比例如為，Ag約98 wt%，Pd約1~1.5 wt%，Cu約0.5~1 wt%，將Ag、Pd及Cu之各組成比相加為100 wt%。

選擇Cu、Cu合金、Ag合金之理由在於，其等係即便以能夠不可見橋接配線之膜厚形成亦能夠實現低電阻化，且於耐熱、耐濕、環境試驗中電阻變化亦較小且可維持低電阻之材料。進而，能夠抑制材料費用而實現低成本化。

根據本實施形態之橋接配線10之構成，能夠確保良好之不可見特性，並且能夠實現橋接配線10之低電阻化及耐靜電破壞性之提高，能夠提高橋接配線10與絕緣層20之間之密接性。關於不可見性，藉由將橋接配線10形成為包含非晶ITO之基底層35/金屬層40/包含非晶ITO之導電性氧化物 保護層37之積層構造，能夠抑制橋接配線10之反射率，其結果能夠增大透過率/反射率之比，從而有效地提高不可見特性。又，包含非晶ITO之基底層35亦作為對於因包含酚醛樹脂之絕緣層20之吸水性所引起之水分之障壁層發揮功能，進而能夠適當地追隨相對於環境變化之絕緣層20之收縮。進而，包含非晶ITO之導電性氧化物保護層37作為對於水分之障壁層發揮功能。如此，亦能夠獲得良好之耐環境性(耐濕性、耐熱性)。

又，包含非晶ITO之基底層35能夠使靜電破壞電壓值(耐壓值)增加，從而能夠使耐靜電破壞性提高。

於圖3(a)中，橋接配線10與光學透明黏著層(OCA)30相接，但可使橋接配線10之導電性氧化物保護層37作為對於因由丙烯酸系黏著劑等形成之光學透明黏著層(OCA)30之吸水性所引起之水分之障壁層有效地發揮功能。

此處，絕緣層20之最大膜厚為0.5~4 μm左右，基底層35之膜厚為5~40 nm左右，金屬層40之膜厚為6~10 nm左右，透明導電性氧化物保護層37之膜厚為5~40 nm左右。又，橋接配線之寬度尺寸(Y1-Y2方向上之長度尺寸)為5~50 μm左右，長度尺寸(X1-X2方向上之長度尺寸)為150~500 μm左右。

於本實施形態中，即便將包含具有較非晶ITO充分低之電阻率之Cu、Cu合金或者Ag合金之金屬層40變薄且形成為細寬度，與由非晶ITO之單層膜形成橋接配線之情況相比，亦能夠將橋接配線10低電阻化，並且，於本實施形態 中，藉由使金屬層40之膜厚變薄且使寬度尺寸形成為較小，而能夠提高不可見特性。

又，於本實施形態中，在包含非晶ITO之基底層35及各透明電極4、5中採用ITO(結晶ITO)，此時，基底層35與第2透明電極5之表面接觸，金屬層40不與第2透明電極5之表面接觸。由此，能夠充分確保橋接配線10與包含酚醛樹脂之絕緣層20之密接性，進而，能夠實現耐環境性(高溫環境、高溫‧高濕環境)之提高、及耐靜電破壞性之提高，從而能夠活用金屬層40之低電阻性。

圖3(b)為參考例，與圖3(a)不同，橋接配線10形成為雙層構造。

即，於圖3(b)中，形成為CuNi層34與導電性氧化物保護層37之積層構造。

如圖3(b)所示，CuNi層34自包含酚醛樹脂之絕緣層20之表面形成至第2透明電極5之表面5a，導電性氧化物保護層37僅形成於CuNi層34之表面上。

於該實施形態中，亦能夠確保良好之不可見特性，並且能夠實現低電阻，進而，導電性氧化物保護層37可作為對於水分之障壁層發揮功能，從而提高橋接配線10之耐環境性(耐濕性、耐熱性)。又，亦能夠確保CuNi層34與絕緣層20之間之良好之密接性。

於本實施形態中，最佳為，導電性氧化物保護層37為透明性高之ITO(較佳為非晶ITO)。由此，能夠更有效地提高耐環境性。再者，除此以外，作為透明之導電性氧化物保 護層之材料有ZnO、In₂O₃等。

又，與將CuNi層34形成為單層構造相比，藉由形成為CuNi層34與導電性氧化物保護層37(較佳為ITO)之積層構造，能夠抑制橋接配線10之反射率，其結果能夠增大透過率/反射率之比，從而能夠使不可見特性有效地提高。又，藉由形成為上述積層構造，能夠進一步地實現低電阻化。

再者，於本實施形態中，如圖2(b)所示，於透明基材2之表面2a側設有各透明電極4、5、絕緣層20及橋接配線10，但如圖2(c)所示，亦可於透明基材2之背面2b(第1面)側設有各透明電極4、5、絕緣層20及橋接配線10。於圖2(c)中，作為透明基材2之背面2b與其他透明基材26之間之接合材料的光學透明黏著層(OCA)28與橋接配線10相接。

又，將第1透明電極4間連結之連結部7係由ITO形成。即，能夠將各第1透明電極4與連結部7之間一體地形成。

圖4係表示本實施形態中之輸入裝置1之製造方法之步驟圖。圖4之左圖係部分縱剖面圖，右圖係俯視圖。再者，於左圖及右圖中，尺寸比不同。圖4所示之部分縱剖面圖係與圖2(b)所示之部分縱剖面圖同樣地沿著X1-X2方向切斷之圖。再者，於圖4中圖示出透明電極4、5之部分。

於圖4(a)之步驟中，在透明基材2之表面2a形成包含ITO之各透明電極4、5。此時，將連結第1透明電極4、4間之連結部7與上述第1透明電極4一體地由ITO形成。

接著，於圖4(b)之步驟中，形成包含酚醛樹脂之絕緣層 20，該絕緣層20覆蓋連結部7上並且填埋位於連結部7之X1-X2方向之兩側之第2透明電極5之間。此時，較佳為藉由整面曝光而進行使絕緣層20為透明之變白。

接著，於圖4(c)之步驟中，在各透明電極4、5之表面、絕緣層20之表面及透明基材2之表面形成包含三層構造之橋接配線10，該三層構造為包含非晶ITO之基底層35/包含Cu、Cu合金或者Ag合金之金屬層40/包含非晶ITO之導電性氧化物保護層37。或者，亦可將橋接配線10形成為CuNi層34/包含非晶ITO之導電性氧化物保護層37之雙層構造。此時，可藉由濺鍍或蒸鍍法形成非晶ITO或金屬層。

並且，於圖4(d)中，採用光微影技術等，將橋接配線10自包含酚醛樹脂之絕緣層20之表面至位於絕緣層20之兩側之第2透明電極4之表面以於X1-X2方向上細長之形狀殘留。再者，此時，較佳為以各透明電極4、5之表面未被削除之方式進行選擇蝕刻。由此，能夠將第2透明電極5、5間經由橋接配線10來電連接。

然後，如圖2(b)所示，將透明基材2之表面2a側與表面為操作面3a之面板3間經由光學透明黏著層30來接合。

本實施形態中之輸入裝置可使用於行動電話、數位相機、PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)、遊戲機、汽車導航等。

【實施例】

於實驗中，在透明基材上形成有圖2所示之構造之透明電極(ITO)、絕緣層(酚醛樹脂)及橋接配線。將連結第2透 明電極間之橋接配線形成為以下之表1所示之實施例1之非晶ITO(基底層)/Cu(金屬層)/非晶ITO(導電性氧化物保護層)之三層構造、實施例2所示之非晶ITO(基底層)/CuNi(金屬層)/非晶ITO(導電性氧化物保護層)之三層構造、非晶ITO(基底層)/AgPdCu(金屬層)/非晶ITO(導電性氧化物保護層)之三層構造、CuNi/非晶ITO(導電性氧化物保護層)之雙層構造、比較例1之CuNi單層、比較例2~比較例4之ITO單層膜。

表1中，示出了各層之膜厚、橋接配線之寬度尺寸(圖2(a)所示之Y1-Y2方向之長度)及橋接配線之長度尺寸(圖2(a)所示之X1-X2方向之長度)。再者，關於表1所示之透過率、反射率，係於加工成橋接配線之形狀之前，以整體形成於基材表面之狀態(整體膜狀態)進行測定。

表1所示之不可見等級×係以比較例2之ITO單層膜為基 準。再者，於比較例2中，觀察到包含非晶ITO之橋接配線。○為傾斜時可觀察到橋接配線總數之10%以下之狀態，◎為即便傾斜亦無法觀察到橋接配線之狀態。

又，關於橋接配線之薄片電阻值Rs，將大於60 Ω/□之情形設為×，將60 Ω/□以下設為○。

又，關於作為加速試驗將溫度設為85℃、濕度設為85%RH之環境試驗中之電阻變化，將變化率為±100%以上或者產生斷線之情形設為×，將變化率為±30%以上且未達±100%之情形設為△，將變化率未達±30%之情形設為○。

又，關於85℃時乾燥氛圍中之環境試驗中之密接性，若出現斷線則為×，若無斷線則為○。

又，關於ESD(Electro-Static Discharge)試驗(靜電破壞電壓試驗)，將1 kV以上且2 kV以下設為△，將大於2 kV且未達4 kV設為○，將4 kV以上設為◎。

如表1所示，於比較例1中，在將溫度設為85℃、濕度設為85%之環境試驗中觀察到較高之電阻上升，又，ESD特性(靜電破壞電壓)低至1.5 kV以下。

又，於比較例2中，不可見性較差，進而，關於將溫度設為85℃、濕度設為85%之環境試驗及ESD特性(靜電破壞電壓)亦無法獲得良好之結果。

又，於比較例3及比較例4中，薄片電阻非常變高，又，關於ESD特性(靜電破壞電壓)亦無法獲得良好之結果。

於表1所示之比較例1~比較例4中，不可見特性、薄片電阻值Rs、環境試驗中之某一者為×，因而綜合評價亦為×。

相對於此，於實施例1~3中，薄片電阻值Rs、不可見特性、環境試驗中之任一者均為○以上。又，於實施例1~3中，能夠獲得良好之ESD特性(靜電破壞電壓)。

又，如參考例般，藉由將橋接配線形成為CuNi/非晶ITO，與形成為CuNi單層(比較例1)相比，能夠抑制反射率，結果能夠增大透過率/反射率之比，從而能夠獲得良好之不可見特性。又，能夠實現橋接配線之低電阻化。

但如表1所示般，參考例無如比較例般×之評價，但與實施例1~3相比結果稍差。

根據表1之實驗結果，將橋接配線形成為非晶ITO/金屬層(Cu、Cu合金或者Ag合金)/非晶ITO之實施例1~3於薄片電阻值Rs、不可見特性、環境試驗及ESD特性(靜電破壞電壓)之任一者中均可獲得良好之結果，因而綜合評價設為○或◎。

此處，橋接配線之金屬層由Cu形成之實施例1與金屬層由CuNi合金形成之實施例2或由AgPdCu合金形成之實施例3相比，反射率較低，即便使金屬層之膜厚變厚，亦能夠獲得較高之不可見性，故對於耐靜電破壞性之提高有利。

1‧‧‧輸入裝置

2‧‧‧透明基材

2a‧‧‧透明基材之表面

2b‧‧‧透明基材之背面

3‧‧‧面板

3a‧‧‧操作面

4‧‧‧第1透明電極

5‧‧‧第2透明電極

5a‧‧‧第2透明電極之表面

6‧‧‧配線部

7‧‧‧連結部

8‧‧‧第1電極

10‧‧‧橋接配線

11‧‧‧顯示區域

12‧‧‧第2電極12

20‧‧‧絕緣層

20a‧‧‧絕緣層之表面

25‧‧‧加飾區域

26‧‧‧其他透明基材

27‧‧‧外部連接部

28‧‧‧光學透明黏著層

30‧‧‧光學透明黏著層(OCA)

34‧‧‧CuNi層

35‧‧‧基底層

37‧‧‧導電性氧化物保護層

40‧‧‧金屬層

F‧‧‧手指

X1‧‧‧方向

X2‧‧‧方向

Y1‧‧‧方向

Y2‧‧‧方向

圖1係表示在構成本實施形態中之輸入裝置(觸控面板)之透明基材之表面上形成之各透明電極及配線部之俯視圖。

圖2(a)係圖1所示之輸入裝置之放大俯視圖，圖2(b)係將圖2(a)沿著A-A切斷且自箭頭方向觀察時之輸入裝置之部 分放大縱剖面圖，圖2(c)係與圖2(b)局部不同之輸入裝置之部分放大縱剖面圖。

圖3(a)係第1實施形態中之橋接配線之放大縱剖面圖，圖3(b)係參考例中之橋接配線之放大縱剖面圖。

圖4(a)~(d)係表示本實施形態中之輸入裝置之製造方法之步驟圖，圖4之右圖係部分縱剖面圖，圖4之左圖係俯視圖。

1‧‧‧輸入裝置

5‧‧‧第2透明電極

5a‧‧‧第2透明電極之表面

7‧‧‧連結部

10‧‧‧橋接配線

20‧‧‧絕緣層

20a‧‧‧絕緣層之表面

30‧‧‧光學透明黏著層(OCA)

34‧‧‧CuNi層

35‧‧‧基底層

37‧‧‧導電性氧化物保護層

40‧‧‧金屬層

Claims (11)

1. 一種輸入裝置，其特徵在於包括：透明基材；複數個透明電極，其形成於上述透明基材之第1面；橋接配線，其將上述透明電極間電連接；及絕緣層，其形成於上述透明基材與上述橋接配線之間；上述透明電極具備複數個第1透明電極及複數個包含ITO之第2透明電極，各第1透明電極於第1方向上連結，於上述第1透明電極之連結部之表面形成上述絕緣層，藉由穿過上述絕緣層之絕緣表面而形成之上述橋接配線將各第2透明電極於與上述第1方向交叉之第2方向上連結；上述絕緣層由酚醛樹脂形成；上述絕緣層填埋上述第1透明電極之連結部與上述第2透明電極之間之空間，並且蔓延形成至上述第2透明電極之表面；上述橋接配線具備積層構造，該積層構造包括：基底層，其自上述絕緣層之表面至上述第2透明電極之表面相接地形成且包含非晶ITO；金屬層，其僅形成於上述基底層之表面、不與上述第2透明電極接觸、且包含Cu、Cu合金或Ag合金；及導電性氧化物保護層，其僅形成於上述金屬層之表面且包含非晶ITO，且僅有上述基底層與上述第2透明電極之表面接觸。
2. 如請求項1之輸入裝置，其中上述橋接配線具備3.5kV以上之ESD特性。
3. 如請求項1或2之輸入裝置，其中上述橋接配線之薄片電阻值Rs為55Ω/□以下。
4. 如請求項1或2之輸入裝置，其中上述金屬層之膜厚為6~10nm。
5. 如請求項1或2之輸入裝置，其中上述橋接配線係藉由在各透明電極之表面、上述絕緣層之表面及上述透明基材之表面重疊積層上述基底層、上述金屬層及上述導電性氧化物保護層之後，採用光微影技術自上述絕緣層之表面至上述第2透明電極層之表面呈細長之形狀殘留而成者。
6. 如請求項1或2之輸入裝置，其中對上述絕緣層實施變白(bleaching)。
7. 如請求項5之輸入裝置，其中對上述絕緣層實施變白。
8. 如請求項1或2之輸入裝置，其中於上述橋接配線之表面相接有光學透明黏著層。
9. 如請求項8之輸入裝置，其中上述透明基材之第1面側與表面為操作面之面板之間係藉由上述光學透明黏著層而接合。
10. 如請求項1或2之輸入裝置，其中包含Cu合金之上述金屬層為CuNi層。
11. 如請求項1或2之輸入裝置，其中包含Ag合金之上述金屬層為AgPdCu層。