TWI545735B - Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

有機電致發光顯示裝置及其製造方法

本發明係關於一種有機電致發光顯示裝置及其製造方法。

有機電致發光顯示裝置具有於陽極與陰極之間夾入有機膜之構造。通常，積層有複數個有機膜，該一層為發光層。為了於複數個像素獲得一色(例如白色)之發光，將成為發光層之有機膜設置為整體連續。或，為了於複數個像素獲得複數個顏色之發光，將成為發光層之有機膜分離於每個像素，而將成為電洞注入層、電子注入層、電洞輸送層或電子輸送層之有機膜連續設置。無論何種情形，至少一層有機膜係沿著相鄰之像素連續設置。

於高畫質之顯示裝置中，藉由像素之細微化，使彼此相鄰之像素接近。因此，有時電流沿著連續之有機膜，自任一像素之電極洩漏至相鄰之像素。因電流洩漏，而有導致相鄰之像素發光之問題。

於日本特開2009-88320號公報中，揭示有電流洩漏之防止方法，係關於防止於一個像素之陽極與陰極之間之電流洩漏者，異於本發明欲解決之課題。又，於日本特開2010-212177號公報及日本特開2006-140145號公報中，雖揭示有使隔膜(或絕緣膜)之表面粗糙者，但沒有關於形成於其上之有機膜之說明，故未解決電流洩漏之問題。

本發明之目的係防止於彼此相鄰之像素間之電流洩漏。

(1)本發明之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其特徵為包含 如下步驟：準備設置有複數個像素電極之基板；以包含連續覆蓋上述複數個像素電極之共通層之方式，形成有機電致發光膜；於上述有機電致發光膜之上形成共通電極；避開上述複數個像素電極之上方，於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域之上方，於上述共通層照射能量線；且藉由上述能量線之照射，於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域之上方，使上述共通層之導電率下降。根據本發明，由於有機電致發光膜之共通層於彼此相鄰之像素電極之間之區域之上方導電率降低，故可防止於彼此相鄰之像素間之電流洩漏。

(2)如技術方案(1)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中進而包含以載於各個上述像素電極之端部之方式，於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域形成絕緣層之步驟，且以載於上述絕緣層之方式形成上述有機電致發光膜。

(3)如技術方案(1)或(2)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中於形成上述共通電極之前，於上述共通層照射上述能量線。

(4)如技術方案(1)或(2)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中於形成上述共通電極之後，使上述能量線通過上述共通電極照射於上述共通層。

(5)如技術方案(1)或(2)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中進而包含於上述共通電極之上形成封裝膜之步驟，且於形成上述封裝膜之後，使上述能量線通過上述封裝膜及上述共通電極照射於上述共通層。

(6)如技術方案(1)至(5)中任一項之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中通過光罩照射上述能量線，上述光罩具有於上述複數個像素電極之上方阻擋上述能量線通過，且於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域之上方使上述能量線通過之圖案。

(7)如技術方案(1)至(5)中任一項之有機電致發光顯示裝置之製造 方法，其中進而包含：於上述有機電致發光膜之上方，形成阻擋上述能量線之通過之光罩層之步驟，通過上述光罩層之圖案照射上述能量線，上述光罩層之上述圖案係於上述複數個像素電極之上方阻擋上述能量線通過，且使上述能量線於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域之上方通過。

(8)本發明之有機電致發光顯示裝置，其特徵為具有：基板；複數個像素電極，其設置於上述基板；有機電致發光膜，其係以包含連續覆蓋上述複數個像素電極之共通層之方式設置於上述基板；共通電極，其設置於上述有機電致發光膜之上；且上述共通層係於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域上方，具有導電率低於上述複數個像素電極之上方之部分之低導電部。根據本發明，因有機電致發光膜之共通層係於彼此相鄰之像素電極之間之區域之上方，導電率下降，故可防止於彼此相鄰之像素間之電流洩漏。

(9)本發明之有機電致發光顯示裝置，其特徵為具有：基板；複數個像素電極，其設置於上述基板；絕緣層，其係以載於各個上述像素電極之端部之方式，設置於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域；有機電致發光膜，其係以包含連續覆蓋上述複數個像素電極及上述絕緣層之共通層之方式設置於上述基板；共通電極，其設置於上述有機電致發光膜之上；上述絕緣層具有包含複數個凹部及複數個凸部之凹凸形狀之上表面，上述共通層具有載於上述凹凸形狀之各凸部之上段部及載於各凹部之下段部，上述上段部與上述下段部係相互上下錯開定位，且厚度方向之至少一部分彼此不連續，藉此將上述共通層之厚度部分地變薄而提高電阻。根據本發明，藉由使共通層之厚度於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域之上方部分地變薄，而提高電阻。藉此，可防止電流通過共通層於彼此相鄰之像素間洩漏。

(10)如技術方案(9)之有機電致發光顯示裝置，其中上述上段部與 上述下段部之厚度方向之一部分彼此連續。

(11)如技術方案(9)之有機電致發光顯示裝置，其中上述上段部與上述下段部分離。

(12)如技術方案(9)至(11)中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述複數個凹部之底面係沿著一個平面排列，上述複數個凸面之上表面係沿著另一個平面排列。

(13)如技術方案(9)至(11)中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述複數個凹部之底面係沿著一個凸曲面排列，上述複數個凸部之上表面係沿著另一個凸曲面排列。

(14)如技術方案(9)至(13)中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述複數個像素電極係於縱向及橫向排列，各個上述像素電極之平面形狀具有長軸與短軸且朝一方向延長，上述縱向上彼此相鄰之上述像素電極係沿著上述短軸之短邊彼此相鄰，上述橫向上彼此相鄰之上述像素電極係沿著上述長軸之長邊彼此相鄰，上述絕緣層之上述複數個凹部及上述複數個凸部避開相鄰之上述短邊之間之區域，形成於相鄰之上述長邊之間之區域。

(15)本發明之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其特徵為包含如下步驟：準備設置有複數個像素電極之基板；以載於各個上述像素電極之端部之方式，於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域形成絕緣層；以包含連續覆蓋上述複數個像素電極及上述絕緣層之共通層之方式，於上述基板形成有機電致發光膜；於上述有機電致發光膜之上形成共通電極；且上述絕緣層係以具有包含複數個凹部及複數個凸部之凹凸形狀之上表面之方式形成，上述共通層係以具有載於上述凹凸形狀之各凸部之上段部與載於各凹部之下段部之方式形成，上述上段部與上述下段部係相互上下錯開定位，且厚度方向之至少一部分彼此不連續，藉此將上述共通層之厚度部分地變薄而提高電阻。根據本發 明，藉由使共通層之厚度於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域之上方部分地變薄，而提高電阻。藉此，可防止電流通過共通層於彼此相鄰之像素間洩漏。

(16)如技術方案(15)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中形成具有上述凹凸形狀之上述上表面之上述絕緣層之步驟包含如下步驟：設置絕緣材料；及藉由納米壓印對上述絕緣材料賦予上述凹凸形狀。

(17)如技術方案(16)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中於形成具有上述凹凸形狀之上述表面之上述絕緣層之步驟中，以覆蓋上述複數個像素電極之方式設置上述絕緣材料，賦予上述凹凸形狀之步驟後，自各個上述像素電極之至少中央部之上，部分去除上述絕緣材料。

(18)如技術方案(17)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中上述絕緣材料之部分去除係藉由光微影及乾式蝕刻之至少一者進行。

(19)如技術方案(17)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中於賦予上述凹凸形狀之步驟中，藉由上述納米壓印，使上述絕緣材料於各個上述像素電極之至少上述中央部之上方凹陷而使厚度變薄。

(20)如技術方案(19)之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中上述絕緣材料之部分去除係藉由乾式蝕刻進行。

10‧‧‧第1基板

12‧‧‧積體電路晶片

14‧‧‧可撓性配線基板

16‧‧‧電路層

18‧‧‧像素電極

20‧‧‧絕緣層

22‧‧‧有機電致發光膜

24‧‧‧共通層

26‧‧‧低導電部

28‧‧‧共通電極

30‧‧‧第2基板

32‧‧‧彩色濾光片層

34‧‧‧黑色矩陣

36‧‧‧著色層

38‧‧‧填充層

40‧‧‧光罩

42‧‧‧封裝膜

44‧‧‧光罩層

110‧‧‧第1基板

112‧‧‧積體電路晶片

114‧‧‧可撓性配線基板

116‧‧‧電路層

118‧‧‧像素電極

120‧‧‧接點

122‧‧‧絕緣層

122a‧‧‧開口

124‧‧‧凹部

126‧‧‧凸部

128‧‧‧區域

130‧‧‧有機電致發光膜

132‧‧‧共通層

134‧‧‧上段部

136‧‧‧下段部

138‧‧‧共通電極

140‧‧‧封裝膜

142‧‧‧填充層

144‧‧‧第2基板

146‧‧‧彩色濾光片層

148‧‧‧黑色矩陣

150‧‧‧著色層

152‧‧‧絕緣材料

154‧‧‧納諾壓模

218‧‧‧像素電極

222‧‧‧絕緣層

224‧‧‧凹部

226‧‧‧凸部

230‧‧‧有機電致發光膜

234‧‧‧上段部

236‧‧‧下段部

238‧‧‧共通電極

240‧‧‧封裝膜

252‧‧‧絕緣材料

254‧‧‧納諾壓模

256‧‧‧第1封裝膜

258‧‧‧第2封裝膜

260‧‧‧第3封裝膜

322‧‧‧絕緣層

324‧‧‧凹部

326‧‧‧凸部

330‧‧‧有機電致發光膜

332‧‧‧共通層

334‧‧‧上段部

336‧‧‧下段部

圖1係本發明之第1實施形態之有機電致發光顯示裝置之立體圖。

圖2係圖1所示之有機電致發光顯示裝置之II-II線剖面之概略圖。

圖3係用以說明第1實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖4係用以說明第1實施形態之變化例1之有機電致發光顯示裝置 之製造方法之圖。

圖5係用以說明第1實施形態之變化例2之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖6係用以說明第1實施形態之變化例3之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖7係用以說明第1實施形態之變化例4之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖8係本發明之第2實施形態之有機電致發光顯示裝置之立體圖。

圖9係圖8所示之有機電致發光顯示裝置之Ⅸ-Ⅸ線剖面之概略圖。

圖10係表示複數個像素電極之排列之俯視圖。

圖11係用以說明本發明之第2實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖12係用以說明本發明之第2實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖13係用以說明本發明之第2實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖14係用以說明本發明之第2實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖15係表示本發明之第3實施形態之有機電致發光顯示裝置之剖面圖。

圖16係用以說明本發明之第3實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖17係用以說明本發明之第3實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

圖18係表示第3實施形態之變化例之圖。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。圖1係本發明之第1實施形態之有機電致發光顯示裝置之立體圖。圖2係圖1所示之有機電致發光顯示裝置之II-II線剖面之概略圖。

如圖1所示，有機電致發光顯示裝置具有包含玻璃等之透光性之第1基板10。第1基板10具有用於顯示圖像之圖像顯示區域。於第1基板10搭載有用以驅動用於顯示圖像之元件之積體電路晶片12。於第1基板10，為與外部電性連接，連接有可撓性配線基板14。

如圖2所示，於第1基板10設置有電路層16。電路層16包含未圖示之配線、薄膜電晶體及絕緣膜等。於第1基板10(圖2之例中為電路層16之上)設置有複數個像素電極18。像素電極18為陽極。以載於各個像素電極18之端部之方式，於彼此相鄰之像素電極18之間之區域設置有絕緣層20。絕緣層20包圍各個像素電極18之周緣部。

於第1基板10，設置有有機電致發光膜22。有機電致發光膜22載於複數個像素電極18及絕緣層20。有機電致發光膜22係未圖示，包含複數層，且至少包含發光層，進而包含電子輸送層、電洞輸送層、電子注入層及電洞注入層中之至少一層。發光層係以僅發出一色(例如白色)之光之方式構成。

有機電致發光膜22包含連續覆蓋複數個像素電極18之共通層24。於圖2之例中，有機電致發光膜22之全體為共通層24。或，包含複數層之有機電致發光膜22之至少1層(除了至少1層以外)為共通層24(例如電子注入層)，包含至少1層之剩餘層亦可為於每個像素電極18被切斷之層。於由包含2層以上之發光層之串疊構造形成之有機電致發光膜中，配置於彼此相鄰之發光層之間之用以供給電子及電洞之載子產生層亦可為共通層。

共通層24係於彼此相鄰之像素電極18之間之區域之上方，具有導電率低於複數個像素電極18之上方之部分之低導電部26。因存在低導電部26，載體(電子或電洞)不易向共通層24之擴展方向流動。因低導電部26存在於絕緣層20之上，故可阻擋載體於絕緣層20之上方向共通層24之擴展方向流動。對此，於共通層24之複數個像素電極18之上方之部分(除了低導電部26之部分)，於共通層24之厚度方向及擴展方向上電流流通。

於有機電致發光膜22之上設置有共通電極28。共通電極28為陰極。藉由向像素電極18及共通電極28施加電壓，而自各者向有機電致發光膜22注入電洞與電子。注入之電洞與電子於發光層內耦合而發光。因絕緣層20介存於像素電極18之端部與共通電極28之間，故可防止兩者間之短路。

根據本實施形態，因有機電致發光膜22之共通層24於彼此相鄰之像素電極18之間之區域之上方導電率降低，故可防止於彼此相鄰之像素間之電流洩漏。因此，流通電流之像素之相鄰之像素不發光。

於共通電極28之上設置有封裝膜42。封裝膜42係將有機電致發光膜22以遮斷水分之方式封裝。於封裝膜42之上設置有填充層38。

以與第1基板10隔開間隔而對向之方式配置有第2基板30。於第2基板30之第1基板10側之面，設置有彩色濾光片層32。彩色濾光片層32包含黑色矩陣34及著色層36。因上述有機電致發光膜22之發光層(未圖示)發出單一色(例如白色)，故於本實施形態中設置彩色濾光片層32而可全彩顯示。有機電致發光膜22包含發出不同顏色(例如，紅、綠及藍)之複數個發光層之情形時，因發光層發出複數個顏色之光，故無需著色層36。於第1基板10與第2基板30之間設置有填充層38。

圖3係用以說明本發明之第1實施形態之有機電致發光顯示裝置 之製造方法之圖。

於本實施形態中，準備設置有複數個像素電極18之第1基板10。以載於各個像素電極18之端部之方式，於彼此相鄰之像素電極18之間之區域形成絕緣層20。以包含連續覆蓋複數個像素電極18之共通層24之方式，形成有機電致發光膜22。有機電致發光膜22係以載於絕緣層20之方式形成。有機電致發光膜22係藉由蒸鍍或濺鍍形成。

且，於共通層24照射能量線(紫外線、電子線、紅外線等)。能量線係避開複數個像素電極18之上方，照射於彼此相鄰之像素電極18之間之區域(絕緣層20)之上方。藉由能量線之照射，使共通層24之導電率於彼此相鄰之像素電極18之間之區域之上方下降。藉此，於共通層24形成低導電部26。

能量線通過光罩40照射。光罩40具有包含肋狀部及開口之圖案。該圖案係於複數個像素電極18之上方阻擋能量線通過，且於彼此相鄰之像素電極18之間之區域之上方使能量線通過。或，若應用使用雷射光束之雷射掃描，則無需光罩40。

接著，如圖2所示，於有機電致發光膜22之上形成共通電極28。共通電極28係於向共通層24照射能量線之後形成。因於共通電極28之形成前照射能量線，故該照射能量之損失較少。

根據本實施形態，因有機電致發光膜22之共通層24於彼此相鄰之像素電極18之間之區域之上方，導電率下降，故可防止於彼此相鄰之像素間之電流洩漏。

圖4係用以說明本發明之第1實施形態之變化例1之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。於該例中，形成共通電極28之後，將能量線照射於共通層24。使能量線通過共通電極28。

圖5係用以說明本發明之第1實施形態之變化例2之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。於該例中，於共通電極28之上形成封裝膜 42。且，形成封裝膜42之後，使能量線通過封裝膜42及共通電極28而照射於共通層24。藉此，藉由封裝膜42可防止異物混入。

圖6係用以說明本發明之第1實施形態之變化例3之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。於該例中，於共通電極28之上形成封裝膜42，於封裝膜42之上(有機電致發光膜22之上方)形成光罩層44。光罩層44係以例如氧化鈦形成，由阻擋能量線通過之材料形成。將能量線通過光罩層44之圖案進行照射。光罩層44之圖案係於複數個像素電極18之上方阻擋能量線之通過，且於彼此相鄰之像素電極18之間之區域之上方使能量線通過。

圖7係用以說明本發明之第1實施形態之變化例4之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。於該例中，於共通電極28之上(有機電致發光膜22之上方)形成光罩層44，於光罩層44上形成封裝膜42。光罩層44係以例如氧化鈦形成，可阻擋能量線之通過。將能量線通過封裝膜42及光罩層44之圖案進行照射。光罩層44之圖案係於複數個像素電極18之上方阻擋能量線之通過，且於彼此相鄰之像素電極18之間之區域之上方使能量線通過。

圖8係本發明之第2實施形態之有機電致發光顯示裝置之立體圖。圖9係圖8所示之有機電致發光顯示裝置之Ⅸ-Ⅸ線剖面之概略圖。

如圖8所示，有機電致發光顯示裝置具有包含玻璃等之透光性之第1基板110。第1基板110具有用於顯示圖像之圖像顯示區域。於第1基板110上，搭載有用以驅動用於顯示圖像之元件之積體電路晶片112。於第1基板110，為與外部電性連接，連接有可撓性配線基板114。

如圖9所示，於第1基板110設置有電路層116。電路層116包含未圖示之配線、薄膜電晶體及絕緣膜等。於第1基板110(圖9之例中為電 路層116之上)，設置有複數個像素電極118。像素電極118為陽極。

圖10係顯示複數個像素電極118之排列之平面圖。複數個像素電極118係於縱向及橫向排列。各個像素電極118之平面形狀係具有長軸與短軸且朝一方向延長。於縱向上彼此相鄰之像素電極118係沿著短軸之短邊彼此相鄰。於橫向上彼此相鄰之像素電極118係沿著長軸之長邊彼此相鄰。像素電極118係以接點120與電路層116之未圖示之配線電性連接。

如圖9所示，以載於各個像素電極118之端部之方式，於彼此相鄰之像素電極118之間之區域設置有絕緣層122。絕緣層122包圍各個像素電極118之周緣部。換言之，絕緣層122具有使像素電極118之中央部露出之開口122a(參照圖10)。

絕緣層122具有包含複數個凹部124及複數個凸部126之凹凸形狀之上表面。凹凸形狀形成於凸曲面上。因此，複數個凹部124之底面係沿著1個凸曲面排列，複數個凸部126之上表面係沿著另1個凸曲面排列。絕緣層122之複數個凹部124及複數個凸部126係如圖10所示，避開相鄰之短邊之間之區域，形成於相鄰之長邊之間之區域128。

於第1基板110上設置有有機電致發光膜130。有機電致發光膜130載於複數個像素電極118及絕緣層122。有機電致發光膜130係未圖示，包含複數層，且至少包含發光層，進而包含電子輸送層、電洞輸送層、電子注入層及電洞注入層中之至少一層。發光層係以僅發出一色(例如白色)之光之方式構成。

有機電致發光膜130包含連續覆蓋複數個像素電極118及絕緣層122之共通層132。於圖9之例中，有機電致發光膜130之全體為共通層132。或，包含複數層之有機電致發光膜130之至少1層(除了至少1層以外)為共通層132(例如電子注入層)，包含至少1層之剩餘層亦可為於每個像素電極118被切斷之層。於由包含2層以上之發光層之串疊構造 形成之有機電致發光膜130，配置於彼此相鄰之發光層之間之用以供給電子及電洞之載子產生層亦可為共通層132。

共通層132具有載於絕緣層122之凹凸形狀之各凸部126之上段部134與載於各凹部124之下段部136。上段部134與下段部136係相互上下錯開定位。上段部134與下段部136係因厚度方向之一部分彼此於橫向連續，且厚度方向之至少一部分彼此於橫向不連續，故形成段。藉由形成上段部134及下段部136，使共通層132之厚度部分地變薄，而使共通層132之電阻提高。

於有機電致發光膜130之上設置有共通電極138。共通電極138為陰極。藉由向像素電極118及共通電極138施加電壓，自各者向有機電致發光膜130注入電洞與電子。注入之電洞與電子係於發光層耦合而發光。因絕緣層122介存於像素電極118之端部與共通電極138之間，故可防止兩者間之短路。

根據本實施形態，於彼此相鄰之像素電極118之間之區域之上方，使共通層132之厚度部分地變薄，而提高電阻。藉此，可防止電流通過共通層132於彼此相鄰之像素間洩漏。

於共通電極138之上設置有封裝膜140。封裝膜140係將有機電致發光膜130以與水分切斷之方式封裝。於封裝膜140之上設置有填充層142。

以與第1基板110隔開間隔對向之方式配置有第2基板144。於第2基板144之第1基板110側之面，設置有彩色濾光片層146。彩色濾光片層146包含黑色矩陣148及著色層150。因上述有機電致發光膜130之發光層(未圖示)發出單一色(例如白色)，故於本實施形態中設置彩色濾光片層146而可全彩顯示。有機電致發光膜130包含發出不同顏色(例如，紅、綠及藍)之複數個發光層之情形時，因發光層發出複數個顏色之光，故無需著色層150。於第1基板110與第2基板144之間設置有 填充層142。

圖11~圖14係用於說明本發明之第2實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

如圖11所示，準備設置有複數個像素電極118之第1基板110，將絕緣材料152以覆蓋複數個像素電極118之方式設置。

如圖12所示，於絕緣材料152形成凹凸形狀。例如，藉由納米壓印對絕緣材料152賦予凹凸形狀。詳言之，於絕緣材料152按壓具有細微之凹凸之納諾壓模154而轉印其圖案。根據熱納米壓印，於絕緣材料152使用熱可塑性樹脂，加熱至玻璃轉移溫度以上，藉此於軟化之樹脂上壓製轉印納諾壓模154之凹凸。

如圖13所示，自各個像素電極118之至少中央部之上部分去除絕緣材料152。絕緣材料152之部分去除係藉由光微影及乾式蝕刻中至少一者進行。若應用光微影，則如圖13所示，殘留之絕緣材料152其上表面成為凸曲面狀。如此，以載於各個像素電極118之端部之方式，於彼此相鄰之像素電極118之間之區域，形成絕緣層122。絕緣層122具有包含複數個凹部124及複數個凸部126之凹凸形狀之上表面。

如圖14所示，以包含連續覆蓋複數個像素電極118及絕緣層122之共通層132之方式，於第1基板110形成有機電致發光膜130。因有機電致發光膜130係藉由蒸鍍形成，故成為依照基底之表面形狀之形狀。詳言之，上述共通層132係以具有載於絕緣層122之凹凸形狀之各凸部126之上段部134與載於各凹部124之下段部136之方式形成。上段部134與下段部136係相互上下錯開定位。上段部134與下段部136係厚度方向之至少一部分彼此不連續。且，於有機電致發光膜130上形成共通電極138。

根據本實施形態，於彼此相鄰之像素電極118之間之區域之上方，藉由使共通層132之厚度部分地變薄，從而電阻提高。藉此，可 防止電流通過共通層132於彼此相鄰之像素間洩漏。

圖15係表示本發明之第3實施形態之有機電致發光顯示裝置之剖面圖。於本實施形態中，於平面上形成有絕緣層222之凹凸形狀。即，複數個凹部224之底面係沿著1個平面排列，複數個凸部226之上表面係沿著另1個平面排列。又，於共通電極238之上設置複數個封裝膜240(第1封裝膜256、第2封裝膜258及第3封裝膜260)，將有機電致發光膜230以與水分切斷之方式封裝。除此以外之構成符合上述實施形態所說明之內容。

圖16~圖17係用以說明本發明之第3實施形態之有機電致發光顯示裝置之製造方法之圖。

如圖16所示，藉由納米壓印於以覆蓋複數個像素電極218之方式形成之絕緣材料252上賦予凹凸形狀。詳言之，於絕緣材料252按壓具有細微之凹凸之納諾壓模254而轉印其圖案。根據光納米壓印，於絕緣材料252使用光硬化性樹脂，於樹脂上壓製轉印納諾壓模254之凹凸，照射紫外線使樹脂硬化。

又，藉由納米壓印，使絕緣材料252於各個像素電極218之至少中央部之上方凹陷而使厚度變薄。詳言之，納諾壓模254係與絕緣材料252凹陷之位置對應而具有突出區域。於相對凹陷之區域，納諾壓模254具有凹凸。

且，自各個像素電極218之至少中央部之上，部分去除絕緣材料252(參照圖15)。另，絕緣材料252之部分去除係藉由乾式蝕刻進行。

如圖17所示，形成有機電致發光膜230。於有機電致發光膜230之上，如圖15所示，形成共通電極238，形成複數個封裝膜240(第1封裝膜256、第2封裝膜258及第3封裝膜260)。其後之步驟符合第2實施形態所說明之內容。

圖18係表示第3實施形態之變化例之圖。於該例中，有機電致發 光膜330之共通層332亦具有載於絕緣層322之凸部326之上段部334與載於凹部324之下段部336，但上段部334及下段部336係分離。即，上段部334與下段部336係相互上下錯開定位，厚度方向之全體不連續。若將共通層332形成為較薄，則如此般將上段部334及下段部336分離。

本發明並非限定於上述實施形態，可進行各種變形。例如，實施形態中說明之構成可以實質上相同之構成、發揮相同作用效果之構成或可達成同一目的之構成替換。

10‧‧‧第1基板

16‧‧‧電路層

18‧‧‧像素電極

20‧‧‧絕緣層

22‧‧‧有機電致發光膜

24‧‧‧共通層

26‧‧‧低導電部

40‧‧‧光罩

Claims (18)

1. 一種有機電致發光顯示裝置之製造方法，其特徵為包含如下步驟：準備設置有複數個像素電極之基板；以載於各個上述像素電極之端部之方式，於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域形成絕緣層；以包含連續覆蓋上述複數個像素電極之共通層且載於上述絕緣層之方式，形成有機電致發光膜；於上述有機電致發光膜之上形成共通電極；及避開上述複數個像素電極之上方，於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域之上方，向上述共通層照射能量線；且藉由上述能量線之照射，於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域之上方，使上述共通層之導電率下降。
2. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中形成上述共通電極之前，向上述共通層照射上述能量線。
3. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中形成上述共通電極之後，使上述能量線通過上述共通電極而照射於上述共通層。
4. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中進而包含如下步驟：於上述共通電極之上形成封裝膜；且形成上述封裝膜之後，使上述能量線通過上述封裝膜及上述共通電極照射於上述共通層。
5. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中通過光罩照射上述能量線；且 上述光罩具有於上述複數個像素電極之上方阻擋上述能量線通過且於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域之上方使上述能量線通過之圖案。
6. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中進而包含如下步驟：於上述有機電致發光膜之上方，形成阻擋上述能量線通過之光罩層；且通過上述光罩層之圖案照射上述能量線；上述光罩層之上述圖案係於上述複數個像素電極之上方阻擋上述能量線通過且於彼此相鄰之上述像素電極之間之上述區域之上方使上述能量線通過。
7. 一種有機電致發光顯示裝置，其特徵為包含：基板；複數個像素電極，其設置於上述基板；絕緣層，其係以載於各個上述像素電極之端部之方式，設置於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域；有機電致發光膜，其係以包含連續覆蓋上述複數個像素電極及上述絕緣層之共通層之方式設置於上述基板；及共通電極，其設置於上述有機電致發光膜之上；且上述絕緣層具有包含複數個凹部及複數個凸部之凹凸形狀之上表面；上述共通層具有載於上述凹凸形狀之各凸部之上段部與載於各凹部之下段部；上述上段部與上述下段部係相互上下錯開定位，且厚度方向之至少一部分彼此不連續，藉此將上述共通層之厚度部分地變薄而提高電阻。
8. 如請求項7之有機電致發光顯示裝置，其中上述上段部與上述下 段部之厚度方向之一部分彼此連續。
9. 如請求項7之有機電致發光顯示裝置，其中上述上段部與上述下段部分離。
10. 如請求項7至9中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述複數個凹部之底面係沿著一個平面排列，上述複數個凸部之上表面係沿著另一個平面排列。
11. 如請求項7至9中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述複數個凹部之底面係沿著一個凸曲面排列，上述複數個凸部之上表面係沿著另一個凸曲面排列。
12. 如請求項7至9中任一項之有機電致發光顯示裝置，其中上述複數個像素電極係於縱向及橫向排列；且各個上述像素電極之平面形狀具有長軸與短軸且朝一方向延長；上述縱向上彼此相鄰之上述像素電極係沿著上述短軸之短邊彼此相鄰；上述橫向上彼此相鄰之上述像素電極係沿著上述長軸之長邊彼此相鄰；上述絕緣層之上述複數個凹部及上述複數個凸部係避開相鄰之上述短邊之間之區域，形成於相鄰之上述長邊之間之區域。
13. 一種有機電致發光顯示裝置之製造方法，其特徵為包含如下步驟：準備設置有複數個像素電極之基板；以載於各個上述像素電極之端部之方式，於彼此相鄰之上述像素電極之間之區域形成絕緣層；以包含連續覆蓋上述複數個像素電極及上述絕緣層之共通層之方式，於上述基板形成有機電致發光膜；及 於上述有機電致發光膜之上形成共通電極；且上述絕緣層係以具有包含複數個凹部及複數個凸部之凹凸形狀之上表面之方式形成；上述共通層係以具有載於上述凹凸形狀之各凸部之上段部與載於各凹部之下段部之方式形成；上述上段部與上述下段部係相互上下錯開定位，且厚度方向之至少一部分彼此不連續，藉此將上述共通層之厚度部分地變薄而提高電阻。
14. 如請求項13之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中形成具有上述凹凸形狀之上述上表面之上述絕緣層之步驟包含如下步驟：設置絕緣材料；及藉由納米壓印對上述絕緣材料賦予上述凹凸形狀。
15. 如請求項14之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中於形成具有上述凹凸形狀之上述上表面之上述絕緣層之步驟中，以覆蓋上述複數個像素電極之方式設置上述絕緣材料；且賦予上述凹凸形狀之步驟之後，自各個上述像素電極之至少中央部之上，部分去除上述絕緣材料。
16. 如請求項15之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中上述絕緣材料之部分去除係藉由光微影及乾式蝕刻之至少一者進行。
17. 如請求項15之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中賦予上述凹凸形狀之步驟中，藉由上述納米壓印，使上述絕緣材料於各個上述像素電極之至少上述中央部之上方凹陷而使厚度變薄。
18. 如請求項17之有機電致發光顯示裝置之製造方法，其中上述絕緣材料之部分去除係藉由乾式蝕刻進行。