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TWI542066B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

有機發光二極體顯示器 Download PDF

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TWI542066B
TWI542066B TW103120002A TW103120002A TWI542066B TW I542066 B TWI542066 B TW I542066B TW 103120002 A TW103120002 A TW 103120002A TW 103120002 A TW103120002 A TW 103120002A TW I542066 B TWI542066 B TW I542066B
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TW
Taiwan
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layer
light emitting
light
thickness
diode display
Prior art date
Application number
TW103120002A
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TW201547079A (zh
Inventor
李竣凱
李育豪
吳忻蕙
Original Assignee
群創光電股份有限公司
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Publication date
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Priority to US14/706,901 priority patent/US20150357592A1/en
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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Description

有機發光二極體顯示器
本揭露內容是有關於一種有機發光二極體顯示器，且特別是有關於一種具有良好顯示品質的有機發光二極體顯示器。
有機發光二極體(OLED)顯示器具有厚度薄、主動發光而無需背光源、無視角限制等優點。隨著消費者對電子產品高顯示畫質的期待，有機發光二極體顯示器的影像解析度必須朝向高解析度畫素及高顯示品質發展。
然而，在製作有機發光二極體顯示器中的發光元件之過程中，仍可能因為種種製程因素，而使面板顯示顏色不均、純度不足、或發光強度較低等現象。因此，研發具有高顯示品質的有機發光二極體顯示器為目前重要的課題之一。
本揭露內容係有關於一種有機發光二極體顯示器。實施例之有機發光二極體顯示器中，經由金屬層的設計與調整金屬層與兩個發光層的相對距離，則可以調整有機發光二極體顯示器的發光特性。
根據本揭露內容之一實施例，係提出一種有機發光 二極體顯示器。有機發光二極體顯示器包括一第一電極層、一第二電極層、一第一發光層和一第二發光層、一第一n型電荷生成層、一第二n型電荷生成層以及一第一金屬層。第一發光層和一第二發光層形成於第一電極層和第二電極層之間。第一n型電荷生成層和第二n型電荷生成層形成於第一發光層和第二發光層之間。第一金屬層形成於第一n型電荷生成層和第二n型電荷生成層之間，其中第一金屬層具有一第一厚度。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100、200‧‧‧有機發光二極體顯示器
110‧‧‧第一電極層
110a、120a、160a、160b‧‧‧表面
120‧‧‧第二電極層
130‧‧‧第一發光層
130a、140a‧‧‧發光面
140‧‧‧第二發光層
151‧‧‧第一n型電荷生成層
153‧‧‧第二n型電荷生成層
160‧‧‧第一金屬層
170‧‧‧p型電荷生成層
181‧‧‧第一電洞注入層
182‧‧‧第一電洞傳輸層
183‧‧‧第一電子傳輸層
184‧‧‧第二電洞注入層
185‧‧‧第二電洞傳輸層
186‧‧‧第二電子傳輸層
187‧‧‧電子注入層
290‧‧‧第二金屬層
I、I-1、I-2、II、II-1、II-2、III、IV、V-1、V-2、VI-1、VI-2、VII-1、VII-2、VIII-1、VIII-2‧‧‧曲線
L1‧‧‧第一距離
L2‧‧‧第二距離
L1’‧‧‧第三距離
L2’‧‧‧第四距離
M1、M2‧‧‧發光單元
T1‧‧‧第一厚度
T2‧‧‧第二厚度
T3~T5‧‧‧厚度
第1圖繪示根據本揭露內容一實施例之有機發光二極體顯示器之示意圖。
第2圖繪示根據本揭露內容另一實施例之有機發光二極體顯示器之示意圖。
第3A~3B圖分別繪示根據本揭露內容之比較例1及實施例1之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖。
第4圖繪示根據本揭露內容之比較例2及實施例2之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖。
第5A~5B圖分別繪示根據本揭露內容之比較例3及實施例3之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖。
第6A~6B圖分別繪示根據本揭露內容之比較例4及實施例4之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖。
根據本揭露內容之實施例，於原本的串聯式有機發光二極體顯示器中添加一金屬層來令一個有機發光二極體顯示器具有兩個發光單元的特性，並經由金屬層材質與厚度的選擇以及調整金屬層與兩個發光層的距離等，則可以調整有機發光二極體顯示器的發光特性。以下係參照所附圖式詳細敘述本揭露內容之實施例。圖式中相同的標號係用以標示相同或類似之部分。需注意的是，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，實施例所提出的細部結構僅為舉例說明之用，並非對本揭露內容欲保護之範圍做限縮。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些結構加以修飾或變化。
第1圖繪示根據本揭露內容一實施例之有機發光二極體顯示器100之示意圖。如第1圖所示，有機發光二極體顯示器100包括一第一電極層110、一第二電極層120、一第一發光層130、一第二發光層140、一第一n型電荷生成層(n-type charge generation layer)151、一第二n型電荷生成層153以及一第一金屬層160。第一發光層130和第二發光層140形成於第一電極層110和第二電極層120之間，第一n型電荷生成層151和第二n型電荷生成層153形成於第一發光層130和第二發光層140之間。第一金屬層160形成於第一n型電荷生成層151和第二n型 電荷生成層153之間，其中第一金屬層160具有一第一厚度T1，第一厚度T1例如是大於或等於10奈米(nm)。第一n型電荷生成層151和第二n型電荷生成層153為低功函數材料參雜電子傳輸材料，例如Bphen參雜鋰金屬等。
實施例中，第一金屬層160之第一厚度T1例如是10~150奈米，第一金屬層160的材質可包括反射性金屬(refractive metal)，例如可包括銀、鋁或其組合。
實施例中，第一電極層110例如是陽極(anode)，第二電極層120例如是陰極(cathode)。實施例中，第一電極層110例如是反射電極層或透明電極層，第二電極層120例如是透明電極層。
如第1圖所示，實施例中，有機發光二極體顯示器100更可包括一p型電荷生成層170。p型電荷生成層170形成於第二發光層140和第二n型電荷生成層153之間。p型電荷生成層170為強拉電子材料(例如F4-TCNQ)參雜電洞傳輸材料，例如三氧化鉬(MOO3)等。
如第1圖所示，以第一金屬層160相隔開來，一個有機發光二極體顯示器100可視同具有兩個發光單元M1和M2。利用p型電荷生成層170和n型電荷生成層151、153連接兩個發光單元M1和M2，藉此可在定電流驅動時使發光亮度提高為兩倍。相對來說，當令有機發光二極體顯示器100所提供的亮度固定時，則可以降低驅動電流，進而可以延長有機發光二極體顯示器100的壽命。此外，添加第一金屬層160來令一個有機發光二極體顯示器具有兩個發光單元M1和M2的特性，並經由第一金 屬層160材質與厚度的選擇以及調整第一金屬層160與第一發光層130、第二發光層140、第一電極層110、第二電極層120的距離等則可以調整有機發光二極體顯示器100的發光特性。
如第1圖所示，第一n型電荷生成層151具有一厚度T3，第二n型電荷生成層153具有一厚度T4，p型電荷生成層170具有一厚度T5。實施例中，厚度T3與厚度T4之總和約為10~100奈米，本實施例中係以10奈米為例；厚度T5約為5~100奈米，本實施例中係以10奈米為例。
再者，實施例中，厚度T3相對於厚度T4之比例例如是1：1~1：10。
實施例中，如第1圖所示，有機發光二極體顯示器100更可包括一第一電洞注入層(hole injection layer；HIL)181、一第一電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)182和一第一電子傳輸層(electron transport layer；ETL)183。第一電洞注入層181形成於第一電極層110上，亦即位於第一發光層130與第一電極層110之間。第一電洞傳輸層182形成於第一發光層130和第一電洞注入層181之間，第一電子傳輸層183形成於第一n型電荷生成層151和第一發光層130之間。
實施例中，如第1圖所示，有機發光二極體顯示器100更可包括一第二電洞注入層184、一第二電洞傳輸層185、一第二電子傳輸層186和一電子注入層187。第二電洞注入層184形成於第二n型電荷生成層153之上，亦即位於第二發光層140與第二n型電荷生成層153之間。第二電洞傳輸層185形成於第二發光層140和第二電洞注入層184之間，第二電子傳輸層186 形成於第二發光層140上，亦即位於第二發光層140與第二電極層120之間。電子注入層187形成於第二電子傳輸層186和第二電極層120之間。
第2圖繪示根據本揭露內容另一實施例之有機發光二極體顯示器200之示意圖。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第2圖所示，有機發光二極體顯示器200更可包括一第二金屬層290。第二金屬層290形成於p型電荷生成層170和第二n型電荷生成層153之間。第二金屬層290具有一第二厚度T2，第二厚度T2例如是小於或等於1奈米。第二金屬層290例如是具有高導電性的金屬，可以修飾p型電荷生成層170和第二n型電荷生成層153之間的介面，增進電荷生成的功能，可以幫助電子和電洞的傳導，並提高電荷生成的效率。
在有機發光二極體顯示器中，根據法布裏-珀羅(Febry-Perot)原理，兩個金屬層(例如是兩片電極)之間會形成微共振腔(micro cavity)，當光源放進兩個金屬層之間時，光就會在裡面共振。兩個共振腔分別對應到兩個發光單元M1和M2。共振的情況會影響發光強度，大約可以由以下公式表示：
其中Rb表示底部一金屬層(反射電極)的反射率，zb表示自該金屬層(反射電極)至發光位置的距離，Rt表示頂部另一 金屬層(半透明電極)的反射率，k表示波向量，Lcav表示共振腔的長度，Icav表示發光強度。
此外，尚有其他參數會影響出光的強度和顏色。除了反射電極的反射率之外，反射電極的穿透率、吸收率以及發光層的發光顏色都會對出光的強度和顏色造成影響。此外，發光層的發光面可以視為反節點的位置，發光層的發光面到反射電極之間的相位差是2π的整數倍時會形成建設性干涉。
實施例中，發光單元M1的共振腔中，第一發光層130之一發光面130a與第一電極層110之一表面110a相隔一第一距離L1，第一發光層130之發光面130a與第一金屬層160之一表面160a相隔一第二距離L2，於本實施例中，第一距離L1例如是45~65奈米或140~240奈米，第二距離L2例如是45~65奈米或140~240奈米。當然也可以係其他數值，只要L1和L2的和滿足發光層的發光面到反射電極之間的相位差是2π的整數倍時會形成建設性干涉即可。
實施例中，發光單元M2的共振腔中，第二發光層140之一發光面140a與第二電極層120之一表面120a相隔一第三距離L1’，第二發光層140之發光面140a與第一金屬層160之一表面160b相隔一第四距離L2’，第三距離L1’例如是55~65奈米，第四距離L2’例如是55~65奈米。同上述，只要符合上述其中L1’與L2’的和即可視為共振腔的長度Lcav，且滿足第二發光層140的發光面140a到第二電極層120和第一金屬層160之間的相位差是2π的整數倍時會形成建設性干涉即可。
以下係就實施例作進一步說明。請同時參照第1 圖，以下實施例及比較例中，分別改變有機發光二極體顯示器100中之部分元件的特性，並對各個實施例及比較例的有機發光二極體顯示器進行發光強度及色度座標之量測。然而以下之實施例為例示說明之用，而不應被解釋為本揭露內容實施之限制。
第3A~3B圖分別繪示根據本揭露內容之比較例1及實施例1之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖，其中第一發光層130和第二發光層140均發出綠光(單色光)，第一電極層110是反射電極層，第二電極層120是透明電極層。如此一來，有機發光二極體顯示器100會形成單面出光，朝向陰極(第二電極層120)的方向發出光線。
實施例1中，第一金屬層160的厚度T1例如是10~40奈米，較佳例如是10~30奈米。
第3A~3B圖及以下表1所示之結果是對厚度T1為10奈米、厚度T3和厚度T4為5奈米、厚度T5為10奈米、距離L1、距離L2、距離L1’及距離L2’均為55奈米的有機發光二極體顯示器100進行量測而得。比較例1與實施例1皆具有p型電荷生成層，其中比較例1不具有第一金屬層160，實施例1則具有第一金屬層160。
如第3A圖所示，比較例1中，曲線I-1對應發光單 元M1之發光特徵，曲線I-2對應發光單元M2之發光特徵，曲線I對應有機發光二極體顯示器整體之發光特徵。如第3B圖所示，實施例1中，曲線II-1對應發光單元M1之發光特徵，曲線II-2對應發光單元M2之發光特徵，曲線II對應有機發光二極體顯示器整體之發光特徵。
如第3B圖所示，相較於比較例1，實施例1中，發光單元M1之共振腔的共振結果提升，其發光強度提高；此外，如曲線I和II所示，有機發光二極體顯示器整體的發光強度也從約0.80提升至0.90。再者，如表1所示，實施例1的色度座標之x值下降且y值提高，代表綠色光的純度提高。
第4圖繪示根據本揭露內容之比較例2及實施例2之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖，其中第一發光層130發出藍光，第二發光層140發出黃光，第一電極層110是反射電極層，第二電極層120是透明電極層。如此一來，有機發光二極體顯示器100單面出光，並且藍光和黃光混合而發出白光，並朝向陰極(第二電極層120)的方向發出光線。
實施例2中，第一金屬層160的厚度T1例如是10~40奈米，較佳例如是10~30奈米。
第4圖及以下表2所示之結果是對厚度T1為10奈米、厚度T3和厚度T4為5奈米、厚度T5為10奈米、距離L1和距離L2均為45奈米及距離L1’及距離L2’均為60奈米的有機發光二極體顯示器100進行量測而得。比較例2與實施例2皆具有p型電荷生成層，其中比較例2不具有第一金屬層160，實施 例2則具有第一金屬層160。
如第4圖所示，曲線III對應比較例2之有機發光二極體顯示器之發光特徵，曲線IV對應實施例2之有機發光二極體顯示器之發光特徵。
如第4圖所示，相較於比較例2，實施例2中，發出藍光的發光單元M1之共振腔的共振結果提升，其發光強度提高；此外，發光單元M2之共振腔的長度縮短恰好有利於黃光的共振，因此發出黃光的發光單元M2之共振腔的共振結果也提升，其發光強度也提高。再者，如表2所示，實施例2的發光強度增強至146%，且色度座標之y值提高，代表發出的白光較為暖色系。
第5A~5B圖分別繪示根據本揭露內容之比較例3及實施例3之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖，其中第一電極層110和第二電極層120均是透明電極層。如此一來，有機發光二極體顯示器100可雙面出光，朝向陽極(第一電極層110)和陰極(第二電極層120)的方向均發出光線。
實施例3中，第一金屬層160的厚度T1例如是10~150奈米。
第5A~5B圖及以下表3所示之結果是對厚度T1為 10奈米、厚度T3和厚度T4為5奈米、厚度T5為10奈米、距離L1、距離L2、距離L1’及距離L2’均為55奈米的有機發光二極體顯示器100進行量測而得。比較例3與實施例3皆具有p型電荷生成層，其中比較例3不具有第一金屬層160，實施例3則具有第一金屬層160。
如第5A圖所示，比較例3中，曲線V-1對應第一電極層110(陰極)的發光單元M1之發光特徵，曲線V-2對應第二電極層120(陽極)的發光單元M2之發光特徵。如第5B圖所示，實施例3中，曲線VI-1對應第一電極層110(陰極)的發光單元M1之發光特徵，曲線VI-2對應第二電極層120(陽極)的發光單元M2之發光特徵。
如第5B圖所示，相較於比較例3的結構中完全沒有任何反射電極或任何反射金屬層，實施例3中，由於第一金屬 層160的存在，使得發光單元M1之共振腔和發光單元M2之共振腔的共振結果均提升，因此兩面的發光強度均提高。再者，如表3所示，實施例3中，兩面的發光強度均大幅提高。
第6A~6B圖分別繪示根據本揭露內容之比較例4及實施例4之有機發光二極體顯示器的發光波長範圍對應發光強度的關係圖，其中第一發光層130發出紅光，第二發光層140發出綠光，第一電極層110和第二電極層120均是透明電極層。如此一來，有機發光二極體顯示器100可雙面出光，朝向陽極(第一電極層110)和陰極(第二電極層120)的方向均發出光線。此外，實施例4之第一金屬層160之厚度令其為不透明，因此第一發光層130和第二發光層140發出的光不發生混光。
實施例4中，第一金屬層160的厚度T1例如是10~150奈米，較佳例如是30~150奈米。
第6A~6B圖所示之結果是對厚度T1為30奈米、厚度T3和厚度T4為5奈米、厚度T5為10奈米、距離L1和距離L2均為65奈米以及距離L1’及距離L2’均為55奈米的有機發光二極體顯示器100進行量測而得。比較例4與實施例4皆具有p型電荷生成層，其中比較例4不具有第一金屬層160，實施例4則具有第一金屬層160。
如第6A圖所示，比較例4中，曲線VII-1對應第一電極層110(陽極)的發光單元M1之發光特徵，曲線VII-2對應第二電極層120(陰極)的發光單元M2之發光特徵。如第6B圖所示，實施例4中，曲線VIII-1對應第一電極層110(陽極)的發光單元M1之發光特徵，曲線VIII-2對應第二電極層120(陰極)的發光單 元M2之發光特徵。
如第6A圖所示，比較例4的結構中完全沒有任何反射電極或任何反射金屬層，因此第一螢光層130的紅光和第二螢光層140的綠光之間沒有任何阻擋物，因而發生混色而顯示黃光。相對地，如第6B圖所示，實施例4中，由於第一金屬層160的存在，使得發光單元M1之共振腔和發光單元M2之共振腔的共振結果均提升，且阻擋兩個共振腔內的光線射向另一個共振腔。因此，有機發光二極體顯示器100之兩面的發光強度不僅均提高，且可以顯示各自的顏色光，使得兩面螢幕可以收到不同的訊息，但共用一個主體，而有利於超薄螢幕的製作。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧有機發光二極體顯示器
110‧‧‧第一電極層
110a、120a、160a、160b‧‧‧表面
120‧‧‧第二電極層
130‧‧‧第一發光層
130a、140a‧‧‧發光面
140‧‧‧第二發光層
151‧‧‧第一n型電荷生成層
153‧‧‧第二n型電荷生成層
160‧‧‧第一金屬層
170‧‧‧p型電荷生成層
181‧‧‧第一電洞注入層
182‧‧‧第一電洞傳輸層
183‧‧‧第一電子傳輸層
184‧‧‧第二電洞注入層
185‧‧‧第二電洞傳輸層
186‧‧‧第二電子傳輸層
187‧‧‧電子注入層
290‧‧‧第二金屬層
L1‧‧‧第一距離
L2‧‧‧第二距離
L1’‧‧‧第三距離
L2’‧‧‧第四距離
M1、M2‧‧‧發光單元
T1‧‧‧第一厚度
T2‧‧‧第二厚度
T3~T5‧‧‧厚度

Claims (10)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，包括：一第一電極層和一第二電極層；一第一發光層和一第二發光層，形成於該第一電極層和該第二電極層之間；一第一n型電荷生成層(n-charge generation layer)和一第二n型電荷生成層，形成於該第一發光層和該第二發光層之間；一第一金屬層，形成於該第一n型電荷生成層和該第二n型電荷生成層之間，其中該第一金屬層具有一第一厚度；以及一p型電荷生成層，形成於該第二發光層和該第二n型電荷生成層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一金屬層之該第一厚度係10~150奈米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一金屬層之該第一厚度係10~40奈米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一金屬層包括銀、鋁或其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，更包括： 一第二金屬層，形成於該p型電荷生成層和該第二n型電荷生成層之間，其中該第二金屬層具有一第二厚度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一n型電荷生成層具有一第三厚度，該第二n型電荷生成層具有一第四厚度，該p型電荷生成層具有一第五厚度，該第三厚度與該第四厚度之總和係為10~100奈米，該第五厚度係為5~100奈米。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一n型電荷生成層具有一第三厚度，該第二n型電荷生成層具有一第四厚度，該第三厚度相對於該第四厚度之比例係為1：1至1：10。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一發光層之一發光面與該第一電極層之一表面相隔一第一距離，該第一距離係45~65奈米或140~240奈米，該第一發光層之該發光面與該第一金屬層之一表面相隔一第二距離，該第二距離係45~65奈米。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二發光層之一發光面與該第二電極層之一表面相隔一第三距離，該第三距離係55~65奈米，該第二發光層之該發光面與該第一金屬層之一表面相隔一第四距離，該第四距離係55~65 奈米。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，更包括：一第一電洞注入層，形成於該第一電極層與該第一發光層之間；一第一電洞傳輸層，形成於該第一發光層和該第一電洞注入層之間；一第一電子傳輸層，形成於該第一n型電荷生成層和該第一發光層之間；一第二電洞注入層，形成於該第二n型電荷生成層與該第二發光層之間；一第二電洞傳輸層，形成於該第二發光層和該第二電洞注入層之間；一第二電子傳輸層，形成於該第二發光層與該第二電極層之間；以及一電子注入層，形成於該第二電子傳輸層和該第二電極層之間。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102377466B1 (ko) * 2015-10-29 2022-03-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106058066B (zh) * 2016-08-12 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
US10840471B2 (en) * 2016-12-28 2020-11-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device having color changing layer
KR102735978B1 (ko) * 2018-12-21 2024-11-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN111370585A (zh) * 2018-12-26 2020-07-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及显示装置
US11700738B2 (en) 2019-08-23 2023-07-11 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with patterned anodes and optical cavities
CN113036062A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 一种有机电致发光材料叠层器件
CN113851597B (zh) * 2021-09-29 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种串联式oled器件及显示器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US7560862B2 (en) * 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
JP5476061B2 (ja) * 2008-07-30 2014-04-23 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN102891260B (zh) * 2011-07-22 2016-02-10 海洋王照明科技股份有限公司 叠层有机电致发光器件及其制备方法

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