TWI541856B - Wafer processing tape and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

晶圓加工用膠帶及其製造方法

本發明係關於晶片加工用膠帶及其製造方法。特別是關於具有黏接膜與設於該黏接膜上的接著劑層之之晶圓加工用膠帶及其製造方法。

近年來，為了將半導體晶圓切斷分離(dicing)時供固定半導體晶圓，開發出在基材膜上設黏著劑層之晶圓加工用膠帶。此外，為了把被切斷的半導體晶片黏接於導線架、封裝基板等，或是為了於堆疊封裝層積半導體晶片彼此而黏接，也開發出了具有在黏著劑層上進而被層積接著劑層的構造之晶圓加工用膠帶(切割模片黏接膜(dicing die bonding film))(例如，參照專利文獻1)。

作為這樣的晶圓加工用膠帶(切割模片黏接膜)，考慮到往半導體晶圓之貼附，或是切割時之往環形骨架的安裝等之作業性，有被施以預切加工者(例如，參照專利文獻2)。

被施以預切加工的晶圓加工用膠帶(切割模片黏接膜)的製作步驟，係具備：於脫模膜與接著劑層所構成的接著膜之接著劑層導入特定形狀(例如，圓形)之第1切痕，使第1切痕的外側之不要的接著劑層部分由脫模膜剝離，使在脫模膜上被形成特定形狀的接著劑層之接著膜，與由黏著劑層與基材膜所構成的黏著膜，以接著劑層與黏著劑層相接的方式貼合之一次預切步驟，及於黏著膜以包圍接著劑層的形狀的方式導入特定的形狀(例如，圓形)之第2切痕，使第2切痕的外側之不要的黏著膜部分由接著膜(脫模膜)剝離而捲取，於接著膜(脫模膜)上形成特定形狀的黏著膜之二次預切加工的步驟。

在如前所述之晶圓加工用膠帶之製作，有藉由連續進行前述之2道步驟(一次預切加工步驟及二次預切加工步驟)製作晶圓加工用膠帶之製作方法(第1製作方法)，或者於接著劑層導入特定形狀(例如，圓形)之第1切痕，使第1切痕的外側之不要的接著劑層部分由脫模膜剝離，於脫模膜上被形成特定形狀的接著劑層的接著膜與黏著劑層以及基材膜所構成的黏著膜，以接著劑層與黏著劑層相接的方式貼合之進行了一次預切步驟的接著膜捲取為卷狀，其後，認識接著劑層之位置而位置對準後藉由進行二次預切加工步驟而製作晶圓加工用膠帶的製作方法(第2製作方法)。

此外，對應於半導體裝置的高速化、省電力化、小型化等，半導體裝置也進行著細微化或薄膜化。伴此，半導體晶片的層積數也進行著高層積化，使用於半導體裝置的製造之晶圓加工用膠帶，越來越需要具有比從前更薄(10μm以下)的接著劑層的晶圓加工用膠帶。

於如前所述之需要，進行二次預切加工時，在前述之第1製作方法，不去認識被一次預切加工的接著劑層的位置，而相對於以預先設定的間隔在黏著膜導入第2切痕，在前述第2製作方法，於認識被一次預切加工的接著劑層的位置後，配合於該接著劑層的位置於黏著膜導入第2切痕後，如專利文獻1或專利文獻2所提案的，在基材膜與黏著劑層與接著劑層依此順序被層積的從前的晶圓加工用膠帶，使接著劑層較薄(為10μm以下)的場合，在前述之第2製作方法，會有被一次預切加工的接著劑層的外周部分無法以光學感測器(例如，透過型感測器、反射型感測器)認識之標籤認識性降低的問題發生。因此，在進行基材膜與黏著劑層所構成的黏著膜的預切加工(二次預切加工)時，例如，會有預切刃不動作之生產性的降低，或者無法檢查接著劑層之有無或者進行形狀檢查之招致檢查精度降低的問題發生。

為了解決這樣的感測器認識性降低的問題，藉由使用含有使用光學感測器反應的波長區域的範圍內的光會被吸收或反射的顏料之接著劑層，使光學感測器認識到被一次預切加工的接著劑層的外周部分之接著薄片(接著膜)也被開發出來(例如，參照專利文獻3)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]　日本特開2005-303275號公報

[專利文獻2]　日本特開2006-111727號公報

[專利文獻3]　日本特開2009-059917號公報

然而，在專利文獻3所提議的接著膜或使用此接著膜之晶圓加工用膠帶，因位於接著劑層含有顏料，所以接著劑層之接著性降低，會產生接著膜或使用此接著膜的晶圓加工用膠帶的可信賴性降低之新的問題。

因此，本發明係為了解決前述問題點而完成之發明，目的在於提供即使在接著劑層很薄(10μm以下，特別是5μm以下)的場合，感測器認識性也很良好，且生產性或檢查精度為良好之晶圓加工用膠帶及其製造方法。

本案發明人等，對於前述課題經過銳意檢討的結果，發現於脫模膜、接著劑層及黏著膜依此順序被層積之晶圓加工用膠帶，使接著劑層進行一次預切時被形成於脫模膜之面的切痕，在脫模膜與黏著膜被層積的層積部之對應於有切痕部的位置的部分之600～700nm波長的透過率A與對應於沒有切痕部的位置的部分之600～700nm波長的透過率B之透過率差C(=A-B)，成為0.1%以上的方式形成，即使接著劑層很薄(10μm以下，特別是5μm以下)的場合，感測器認識性、生產性或檢查精度也很良好，從而完成本發明。

亦即，相關於本發明的第1態樣的晶圓加工用膠帶，特徵為具備：長尺寸之脫模膜、具有設於前述脫模膜上的特定的特定平面形狀之1個以上之接著劑層、分別覆蓋前述接著劑層，且在該接著劑層的周圍以接觸於前述脫模膜的方式設置的1個以上之黏著膜；前述脫模膜，在該脫模膜之被層積前述接著劑層之面，被形成沿著該接著劑層的外周之環狀的切痕部，於前述脫模膜與前述黏著膜被層積之層積部，對應於有前述切痕部的位置之前述層積部的600～700nm波長的透過率A與對應於沒有前述切痕部的位置之前述層積部的600～700nm波長的透過率B之透過率差C(=A-B)，為0.1%以上。

又，所謂600～700nm係指600nm以上700nm以下。

相關於本發明之第2態樣之晶圓加工用膠帶，係於相關於本發明之第1態樣之晶圓加工用膠帶，前述透過率差C為0.6～1.3%。

相關於本發明之第2態樣之晶圓加工用膠帶，係於相關於本發明之第1或第2態樣之晶圓加工用膠帶，前述透過率A為75～95%。

相關於本發明之第4態樣之晶圓加工用膠帶，係於相關於本發明之第1至第3態樣之任一態樣之晶圓加工用膠帶，具備於前述脫模膜上以包圍前述黏著膜的外側的方式設置的，由前述黏著膜所構成的周邊部。

相關於本發明之第1態樣之晶圓加工用膠帶之製造方法，特徵為具備：(a)於長尺寸之脫模膜上被設置具有特定的平面形狀之複數個接著劑層，前述脫模膜與前述接著劑層以此順序被層積之接著膜上，以覆蓋前述接著劑層，且在前述接著劑層的周圍接觸於前述脫模膜的方式，層積黏著膜的步驟，(b)於藉由前述步驟(a)形成的前述接著膜與前述黏著膜所構成的層積體，於前述脫模膜與前述黏著膜所構成的層積部，形成複數個由前述黏著膜的表面到達到前述脫模膜為止的，分別之包圍前述接著劑層的環狀之第2切痕部之步驟；於前述步驟(a)之前，具備：(c)於前述脫模膜上設具有特定的平面形狀之複數個前述接著劑層時，沿著該接著劑層的外周之環狀的第1切痕部，形成於前述脫模膜上的步驟；前述步驟(b)，於前述脫模膜與前述黏著膜被層積之前述層積部，根據對應於有前述切痕部的位置之前述層積部之600～700nm波長的透過率A與對應於沒有前述脫模膜與前述切痕部的位置之前述層積部之600～700nm波長的透過率B之透過率差C(=A-B)，認識前述第1切痕部，根據認識的前述第1切痕部形成包圍前述接著劑層的環狀之第2切痕部。

相關於本發明之第2態樣之晶圓加工用膠帶之製造方法，係於相關於本發明之第1態樣之晶圓加工用膠帶之製造方法，前述步驟(c)，係以前述透過率差C成為0.1%以上的方式形成前述第1切痕部。

相關於本發明之第3態樣之晶圓加工用膠帶之製造方法，係於相關於本發明之第1態樣之晶圓加工用膠帶之製造方法，前述步驟(c)，係以前述透過率差C成為0.6～1.3%的方式形成前述第1切痕部。

相關於本發明之第4態樣之晶圓加工用膠帶之製造方法，係於相關於本發明之第1至態樣之任一態樣之晶圓加工用膠帶之製造方法，其中替代前述步驟(b)，而具備(d)藉由前述步驟(a)形成的前述接著膜與前述黏著膜所構成的前述層積體，於前述脫模膜與前述黏著膜所構成的前述層積部，形成複數個由前述黏著膜的表面到達到前述脫模膜為止的，分別之包圍前述接著劑層的環狀之第2切痕部，同時於前述第2切痕部的外側形成第3切痕部的步驟。

根據本發明之晶圓加工用膠帶的話，即使在接著劑層很薄(10μm以下，特別是5μm以下)的場合，也可以使感測器認識性為良好。亦即，於半導體製造步驟，藉由使用本發明之晶圓加工用膠帶，即使在接著劑層很薄(10μm以下，特別是5μm以下)的場合，也可以防止半導體裝置的生產性降低或檢查精度的降低。

以下，根據圖面詳細說明相本發明之實施型態。

圖1(a)係相關於本發明之一實施型態之晶圓加工用膠帶10之立體圖，(b)為其平面圖，(c)為其剖面圖。

如圖1(a)、(b)及(c)瑣事，晶圓加工用膠帶10，具備：長尺寸的脫模膜11，與接著劑層12(22)、黏著膠帶13(23a、23b)。此外，晶圓加工用膠帶10由接著劑層12(22)與黏著膜13(23a)構成切割模片黏接膜(dicing die bonding film)20。

接著劑層12，設於脫模膜11的面11a上，具有對應於半導體晶圓的形狀之標籤形狀。在此，標籤形狀之例舉圓形形狀進行說明，但標籤形狀不限於圓形形狀。以後，把此標籤形狀之接著劑層12稱為標籤形狀接著部22。

脫模膜11，於面11a被形成沿著標籤形狀接著部22的外周之環狀的第1切痕部(以下，稱為第1切痕部)26。

黏著膜13，係由標籤部23a與周邊部23b構成。標籤部23a，覆蓋標籤形狀接著部22，且在標籤形狀接著部22的周圍以接觸於脫模膜11的方式設置。此標籤部23a，具有對應於切割用環形骨架之約略圓形形狀。周邊部23b，未完全包圍此標籤部23a的外側，以標籤部23a與周邊部23b之間之露出的脫模膜11成為連續的方式設置。

又，如圖1所示晶圓加工用膠帶10，係周邊部23b以標籤部23a與周邊部23b之間露出的脫模膜11連續的方式設置，但也可以是如圖2所示，完全包圍周邊部23a的外側，使包圍標籤部23a的外周之脫模膜11分別成為不連續的方式設置之晶圓加工用膠帶10a。此外，如圖3所示，亦可以是不存在周邊部23b，而黏著膜13僅以標籤部23a構成之晶圓加工用膠帶10b。

以下，針對前述之本實施型態的晶圓加工用膠帶10之各構成要素進行詳細說明。

(脫模膜)

脫模膜11，是為了使接著劑層12的操作性變佳之目的而使用的。脫模膜11，於面11a被形成沿著標籤形狀接著部22的外周之環狀的第1切痕部26。

作為脫模膜11，例如使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯化乙烯膜、氯化乙烯共聚合物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚氨酯膜、乙烯‧醋酸乙烯酯共聚合物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸共聚合物膜、乙烯‧(甲基)丙烯酸酯共聚合物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹酯膜等。此外亦使用這些之架橋膜。進而這些之層積膜亦可。

脫模膜11之表面張力，以40mN/m以下較佳，以35mN/m以下更佳。這樣表面張力低的脫模膜11，可以適當的選擇材質而得，此外，於膜的表面塗佈聚矽氧樹脂等施以脫模處理亦可。

脫模膜11之膜厚，通常為5～300μm以上，更佳為10～200μm以上，特佳者為20～150μm程度。

備形成於脫模膜11的面11a之第1切痕部26，於脫模膜11與黏接膜13(23a)被層積之層積部，係以有第1切痕部26的位置之層積部27b之600～700nm波長的透過率A(%)與沒有第1切痕部26的位置之層積部27a之600～700nm波長的透過率B(%)之透過率差C(=A-B)成為0.1%以上的方式被形成的。更佳者為，第1切痕部26，以透過率差C成為0.6～1.3%的方式被形成的。這是因為透過率差C不滿0.1%的話，無法得到充分的感測器認識性。

透過率A、B(%)之測定方法沒有特別限定。透過率A、B(%)之測定光為600～700nm的範圍的話，不管是相通波長或不同波長，把透過率A(%)之測定光與透過率B(%)之測定光設定為相通波長，使透過率A、B(%)為相通波長的光的透過率為較佳。

此外，以透過率A成為75～95%的方式形成進而更佳。這是因為透過率A不滿75%或比95%更大的話，無法得到充分的感測器認識性。

如後所述於在基材膜設黏著劑層的黏著膜13，透過率B係由基材膜的種類與厚度決定，透過率差C係由切痕深度來決定，但要切入多深才會成為0.1%以上係隨著基材膜的種類與厚度而不同。更詳細地說，基材膜的透過率，是看起來越接近透明的透過率越高，越為有色者透過率越低。此外，即使相同材料的脫模膜11，也以在麻面塗佈黏著劑之黏著膜13透過率變高，在鏡面塗佈黏著劑之黏著膜13透過率變低。此外，基材膜的厚度越厚透過率越低。接著，要使透過率差C為0.1%以上，在透過率B越高的場合，對於脫模膜11有必要切入更深。因此，對於脫模膜11的全厚度之第1切痕部26的深度的比率為D時，以比率D成為13～92%的方式形成第1切痕部26即可。

此處，比率D不滿13%會使製造性變得不安定。此外，無法得到充分的感測器認識性。又，製造性為不安定，意味著把接著劑層12一次預切形成標籤形狀接著部22時，一次預切不充分，而使標籤形狀接著部22以外的不要的接著劑層12的部分捲起時，藉由捲起至標籤形狀接著部22的部分等，會有變得無法製造晶圓加工用膠帶10的可能。

此外，比率D比92%更大的話，雖可得到良好的感測器認識性，但一次預切後的晶圓加工用膠帶10的製造步驟，或半導體裝置之製造等使用晶圓加工用膠帶10的作業步驟，會發生脫模膜11之破斷等種種不良情形。例如，在一次預切後之晶圓加工用膠帶10的製造之各捲取步驟(狹縫、二次預切)，會發生由於寬幅尺寸偏移而必須再變更條件之狹縫不良，或是由於脫模膜11的破斷而成為短尺寸製品而必須多次進行接續作業或者再變更條件之捲取不良情形。此外，例如，在半導體裝置的製造之半導體晶圓與切割模片黏接膜(dicing die bonding film)20之貼合步驟發生破斷的場合，脫模膜11被捲入半導體晶圓與切割模片黏接膜(dicing die bonding film)20之間而被貼合會導致全自動裝置發生停止，所以會有變成必須要進行通順生產線之不良情形發生。

(接著劑層)

接著劑層12，係作為在半導體晶圓等被貼合而切斷後，收取半導體晶片時，附著於半導體晶片背面，使晶片固定於基板或導線架時之接著劑使用者。

作為接著劑12，可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚酯碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯酸醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物。

做為高分子，以使用含環氧基之丙烯酸共聚合物為佳。此含有環氧基之壓克力共聚合物，包含0.5～6質量百分比之具有環氧基之丙烯酸環氧丙酯或者甲基丙烯酸甘油醚酯(glycidyl methacrylate)。為了得到與半導體晶圓之高接著力，最好為0.5質量%以上，若在6質量%以下可以抑制凝膠化。作為前述含環氧基丙烯酸共聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)，以-10℃以上30℃以下為佳。

作為官能基單體使用的丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯之量為0.5～6質量%之共聚合物比，但剩下部分可以使用甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯等碳數為1～8之具有烷基的丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、及苯乙烯或丙烯腈等之混合物。其中，以乙基(甲基)丙烯酸酯及/或丁基(甲基)丙烯酸酯特佳。混合比率，最好是考慮共聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)而進行調整。聚合方法沒有特別的限制，例如可以舉出珍珠聚合、溶液聚合等，藉由這些方法而得到共聚合物。作為這樣的含有環氧基丙烯酸共聚合物，例如可以舉出HTR-860P-3(NagaseChemteX(股)製造，商品名)。

丙烯酸系共聚合物的重量平均分子量為5萬以上為佳，特別是以20萬～100萬之範圍為佳。分子量太低的話膜形成變得不充分，太高的話與其他成分之相溶性變差，結果妨礙膜形成。

作為熱硬化性成分使用環氧樹脂的場合，作為硬化劑例如可以使用苯酚系樹脂。作為苯酚系樹脂，可以使用而不特別限於烷基苯酚、多價苯酚、萘酚等苯酚類與醛類之縮合物等。這些苯酚系樹脂所含有的苯酚性氫氧基，藉由環氧樹脂之環氧基與加熱可容易進行附加反應，而形成耐衝擊性高的硬化物。

苯酚系樹脂，可以使用苯酚酚醛清漆樹脂、o-甲酚酚醛清漆樹脂、p-甲酚酚醛清漆樹脂、t-丁基苯酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯甲酚樹脂、聚對位乙烯基苯酚樹脂、双酚A型酚醛清漆樹脂，或者這些的變性物。

其他，作為硬化劑，也可以使用熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑。此硬化劑，係在室溫下與環氧樹脂不反應，藉由加熱至某個溫度以上而活性化，而與環氧樹脂反應的形式之硬化劑。

作為活性化方法，存在著以根據加熱之化學反應產生活性種(陰離子、陽離子)的方法，在室溫附近安定地分散於環氧樹脂中在高溫與環氧樹脂互溶‧溶解，而開始硬化反應的方法、藉由封入分子篩(molecular sieves)型式之硬化劑在高溫溶出而開始硬化反應的方法，根據微膠囊之方法等。

作為熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑，可以舉出各種絡合陽離子(Onium)鹽、二鹽基二酸醯肼化合物、雙氰胺、胺加成物硬化劑、咪唑化合物等高融點活性氫化合物等。

作為熱硬化性成分使用環氧樹脂的場合，作為助劑例如可以使用硬化促進劑等。作為可以使用於本發明的硬化促進劑沒有特別限制，例如，可以使用三級胺、咪唑類、四級銨鹽等。作為於本發明適於使用的咪唑類，例如可以舉出2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓鹽偏苯三酸酯等，可以使用這些之1種亦可併用2種以上。咪唑類，例如由四國化成工業(股)以2E4MZ、2PZ-CN、2PZ-CNS等之商品名市售中。

此外，亦可配合填充物。作為填充物，可以舉出結晶氧化矽、合成氧化矽等氧化矽，或氧化鋁、琉璃球等無機填充物。藉由對硬化性保護膜形成層2添加無機填充物，可以提高硬化後之保護膜的硬度。此外，可以使硬化後之保護膜的熱膨脹係數接近於晶圓的熱膨脹係數，藉此可以減低加工途中之半導體晶圓的翹曲。作為填充物以合成氧化矽為佳，特別是極力除去成為半導體裝置的誤動作的重要原因之α線來源的型式之合成氧化矽為最佳。填充物的形狀可以使用球形、針狀、無定形型式之任一，特別以可以最密填充之球形的填充物為最佳。

進而，為了使異種材料間的界面結合更好，可以配合耦合劑。作為耦合劑以矽烷耦合劑為佳。作為矽烷耦合劑，可以舉出γ-3-(2,3-環氧丙氧)丙基三甲氧基矽烷(glycidyloxypropyltrimethoxysilane)、γ-巰丙基三甲氧基矽烷(Mercaptopropyltriethoxysilane)、γ-氨基丙基三乙氧基矽烷(Aminopropyltriethoxysilane)、γ-脲丙基三乙氧基矽烷(Ureidopropyltriethoxysilane)、N-β-氨乙基-γ-氨基丙基三乙氧基矽烷等。耦合劑的配合量，由添加的效果或耐熱性以及成本來看，以對分別形成分散相與連續相之各個的組成物的合劑100重量份添加0.1~10重量份為佳。

此外，清漆(varnish)化的溶劑，最好使用比較低沸點的甲乙酮、丙酮、甲基異丁基酮、2-乙氧基乙醇、甲苯、丁氧基乙醇、甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇等。此外，為了提高塗膜性的目的，加入高沸點溶劑亦可。作為高沸點溶劑，可以舉出二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺(dimethylformamide)、甲基吡咯烷酮(methylpyrrolidone)、環己酮(Cyclohexanone)等。

接著劑層12的厚度可以適當設定，以5～100μm程度為較佳。

為了提高接著劑層12之破斷強度，增加高分子，減少填充物，減少環氧樹脂(固形)是有效的。此外，為了將低接著劑層12之由脫模膜11剝離之剝離力，減少高分子，減少環氧樹脂(液狀)是有效的。

(黏接膜)

作為黏著膜13，沒有特別限制，只要在切割半導體晶圓時具有使半導體晶圓不剝離之充分的黏著力，在切割後拾取晶片時呈現容易由接著劑層12剝離之低的黏著力者即可。例如，可以適切地使用於基材膜設置黏著劑層者。

作為黏著膜13之基材膜，只要是從前習知者即可，沒有特別限制都可以使用，但在做為後述之黏著劑層使用放射線硬化性的材料的場合，以使用具有放射線透過性者為較佳。

例如，作為該材料，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚合物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚合物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚合物、乙烯-丙烯酸共聚合物、離子聚合物(ionomer)等之α-烯烴之單獨聚合物或共聚合物或這些之混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或者戊烯系共聚合物、聚醯胺-聚醇共聚合物等熱塑性彈性體，以及這些的混合物。此外，基材膜亦可由這些群選出2種以上的材料混合而成，這些被單層化或複層化者亦可。

基材膜的厚度沒有特別限定，適當設定亦可，而以50～200μm為較佳。

作為黏著膜13之黏著劑層所使用的樹脂，沒有特別限定，可以使用用於黏著劑的公知之氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂等。

於黏著劑層的樹脂，以適當配合丙烯酸系黏著劑、放射線聚合性化合物、光聚合開始劑、硬化劑等而調製黏著劑為佳。黏接劑層的厚度沒有特別限定，適當設定亦可，而以5～30μm為較佳。

藉由把放射線聚合性化合物配合於黏著劑層而放射線硬化可以容易由接著劑層12剝離。此放射線聚合性化合物，使用例如藉由光線照射而在應當三次元網狀化的分子內至少具有2個以上的光聚合性碳一碳雙鍵結合的低分子量化合物。

具體而言，可以適用三羥甲基丙烷丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、季戊四醇三丙烯酸、季戊四醇四丙烯酸、二季戊四醇單羥基五丙烯酸、二季戊四醇六丙烯酸、1,4-二丙烯酸丁二酯、1,6-二丙烯酸己二酯、聚二丙烯酸乙二酯、或丙烯酸寡酯等。

此外，除了前述那樣的丙烯酸系化合物以外，亦可使用氨基甲酸酯丙烯酸系寡聚合物。氨基甲酸酯丙烯酸系寡聚合物，係使聚酯型或聚醚型等之多元醇化合物，與多價之異氰酸酯化合物(例如，2,4-三甲苯基二異氰酸酯、2,6-三甲苯基二異氰酸酯、1,3-二甲苯基二異氰酸酯、1,4-二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得到的末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚合物，使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，2-羥基乙基丙酸酯、2-羥基乙基異丁烯酸酯、2-羥基丙基丙酸酯、2-羥基丙基異丁烯酸酯、聚丙烯酸乙二酯、聚異丁烯酸乙二酯等)反應而得的。

於黏接劑層，亦可為由前述樹脂所選擇的2種類以上混合者。

使用光聚合開始劑的場合，例如可以使用異丙基苯基醚、異丁基苯基醚、苯甲酮、米希勒酮(Michler's ketone)、氯硫代呫噸酮(Chlorothioxanthone)、十二烷基硫代呫噸酮、二甲基硫代呫噸酮、二乙基硫代呫噸酮、苯甲基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合開始劑之配合量以相對於壓克力系共聚合體100質量份佔0.01～5質量份較佳。

相關於前述之本發明之一實施型態的晶圓加工用膠帶10(10a、10b)，即使在接著劑層12很薄(10μm以下，特別是5μm以下)的場合，也可以藉由第1切痕部26，而以感測器認識接著劑層12(標籤形狀接著部22)之外周部分。亦即，前述之相關於本發明之一實施型態的晶圓加工用膠帶10(10a、10b)，即使在接著劑層12很薄(10μm以下，特別是5μm以下)的場合，也可以使感測器認識性為良好。亦即，於半導體製造步驟，藉由使用相關於本發明之一實施型態之晶圓加工用膠帶10(10a、10b)，即使在接著劑層12很薄(10μm以下，特別是5μm以下)的場合，也可以在進行黏著膜13的預切加工時，例如，防止預切刃不動作之生產性降低，或無法進行接著劑層的有無或形狀檢查之檢查精度的降低。

其次，說明供製造圖1(a)、(b)及(c)所示之相關於本發明之一實施型態之晶圓加工用膠帶10之用的相關於本發明之一實施型態之晶圓加工用膠帶之製造方法。

圖4及圖5係供說明製造本發明之晶圓加工用膠帶10之用的本發明之一實施型態之晶圓加工用膠帶之製造方法之圖。

如圖4所示，首先，使用預切刃(未圖示)，對於在長尺寸的脫模膜11上被層積接著劑層12的第1層積體25，形成由接著劑層12之表面12a到達脫模膜11為止的環狀的第1切痕部26(步驟1：S1)。此處，替代預切刃而使用模具，以形成第1切痕部26的方式施以沖壓加工亦可。

此時，此第1切痕部26，於後述的步驟3至5形成的脫模膜11與黏接膜13(23a)被層積之層積部，係以對應於有第1切痕部26之層積部27b之600～700nm波長的透過率A與對應於沒有第1切痕部26之層積部27a之600～700nm波長的透過率B之透過率差C成為0.1%以上的方式被形成的。較佳者為，第1切痕部26，以透過率差C成為0.6～1.3%的方式形成。此外，以透過率A成為75～95%的方式形成進而更佳。

又，為了使透過率差C為0.1%以上，對於脫模膜11的全厚度之第1切痕部26的深度的比率為D時，以比率D成為13～92%的方式形成即可。透過率B，係由基材膜的種類與厚度決定，透過率差C係由切痕深度來決定，但要切入多深才會成為0.1%以上係隨著基材膜的種類與厚度而不同。更詳細地說，基材膜的透過率B，是看起來越接近透明的透過率越高，越為有色者透過率越低。此外，即使相同材料的脫模膜11，也以在麻面塗佈黏著劑之黏著膜13透過率變高，在鏡面塗佈黏著劑之黏著膜13透過率變低。此外，基材膜的厚度越厚透過率越低。因此，要使透過率差C為0.1%以上，在透過率B越高的場合，對於脫模膜11有必要切入更深。

其次，將第1切痕部26的外側之不要的接著劑層12由脫模膜11剝離除去，成為僅標籤形狀的接著劑層12之標籤形狀接著部22殘留於脫模膜11上的狀態(步驟2：S2)。

其次，以覆蓋標籤形狀接著部22及露出的脫模膜11的全面的方式，形成層積黏著膜13的第2層積體27(步驟3：S3)。

其次，如圖5所示，在由第2層積體27之脫模膜11與黏著膜13所構成的層積部27c，使用預切刃(未圖示)，形成由黏著膜13的表面13a到達脫模膜11為止的，包圍標籤形狀接著部22的環狀之第2切痕部28，與在第2切痕部28的外側未完全包圍第2切痕部28的第3切痕部29(步驟4：S4)。

又，形成第2切痕部28時，於脫模膜11與黏著膜13被層積之層積部27c，根據對應於有第1切痕部26的位置之層積部27b之600～700nm波長的透過率A與對應於沒有第1切痕部26的位置之層積部27a之600～700nm波長的透過率B之透過率差C(=A-B)，認識第1切痕部26，根據認識的第1切痕部26形成包圍標籤形狀接著部22的環狀的第2切痕部28。

此處，替代預切刃而使用模具，以形成第2切痕部28及第3切痕部29的方式施以沖壓加工亦可。此外，係同時進行第2切痕部28的形成與第3切痕部29的形成，但分別形成亦可。此外在此時，形成順序是哪一方先形成皆可。又，如晶圓加工用膠帶10a(參照圖2)所示的周邊部23b是完全包圍標籤部23a的外側的型態的場合，以成為包圍第2切痕部28的環狀的切痕部的方式形成第3切痕部29。此外，如晶圓加工用膠帶10b(參照圖3)所示的沒有周邊部23b的型態的場合，不形成第3切痕部29，僅形成第2切痕部28。

其次，將第2切痕部28與第3切痕不29之間之不要的黏著膜13由脫模膜11剝離除去，形成由黏著膜13所構成的標籤部23a與周邊部23b(步驟5：S5)。藉此，形成由標籤形狀接著部22與標籤部23a所構成的，亦即，具有由接著劑層12與黏著膜13所構成的切割模片黏接膜(dicing die bonding film)20之晶圓加工用膠帶10。

又，如晶圓加工用膠帶10b(參照圖3)所示的沒有周邊部23b的型態的場合，使第2切痕部28的外側之不要的黏著膜13由脫模膜11剝離除去，僅形成由黏著膜13構成的標籤部23a。

(實施例)

其次，針對本發明之實施例進行說明，但本發明並不被限定於這些實施例。

(接著劑層之形成)

在作為環氧樹脂使用甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(環氧當量197，分子量1200，軟化點70℃)50質量份，作為矽烷耦合劑使用γ-巰丙基三甲氧基矽烷(Mercaptopropyltriethoxysilane)1.5質量份，γ-脲丙基三乙氧基矽烷(Ureidopropyltriethoxysilane)3質量份，平均粒徑16nm的氧化矽填充物30質量份所構成之組合物，加入環己酮(Cyclohexanone)攪拌混合，進而使用砂磨機(bead mill)混練90分鐘。

於此加入丙烯酸樹脂(質量平均分子量：80萬，玻璃轉移溫度-17℃)100質量份，作為6官能基丙烯酸酯單體之二季戊四醇六丙烯酸酯(Dipentaerythritol hexaacrylate)5質量份，作為硬化劑之六亞甲基二異氰酸酯(hexamethylene diisocyanate)之加合物(adduct)0.5質量份，Curezol 2PZ(四國化成(股)製造，商品名，2-苯基咪唑)2.5質量份，混合攪拌，真空脫氣，而得接著劑。

將前述接著劑塗布於厚度38μm之脫模膜上，以110℃加熱1分鐘進行乾燥，形成膜厚5μm的B階段狀態(熱硬化性樹脂之硬化中間狀態)之塗膜，於脫模膜上形成接著劑層，予以冷藏保管。

(黏著膜之形成)

於溶媒之甲苯400g中，加入丙烯酸正丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作為聚合開始劑將過氧苯甲酸汁混合液，適當地調整滴下量，調整反應溫度及反應時間，而得具有官能基之化合物(1)之溶液。

其次，於此高分子溶液，適當調整作為具有放射線硬化性碳碳雙鍵結合及官能基的化合物(2)，另外由甲基丙烯酸與乙二醇所合成的甲基丙烯酸-2-羥基乙酯2.5g、作為聚合禁止劑之對苯二酚而且調整反應溫度及反應時間，得到具有放射線硬化性碳碳雙鍵結合的化合物(A)之溶液。接著，對化合物(A)溶液中的化合物(A)100質量份，加入作為聚異氰酸酯(B)日本聚氨酯公司製造：COLONATEL(音譯)1質量份，作為光聚合開始劑CHIBAGAIGII公司製造：ILUGACURE 184(音譯)0.5質量份，作為溶媒將醋酸乙酯150質量份加入化合物(A)溶液混合而調製放射線硬化性之黏接劑組成物。

接著，將調製之黏著劑層組成物塗佈於基材膜使乾燥膜厚成為20μm，以110℃乾燥3分鐘，而製作出黏著膜。又，作為黏著膜，製作了基材膜為不同的4種類之黏著膜13A～13D。

黏著膜13A，為作為基材膜使用厚度100μm之乙烯-醋酸乙烯共聚合物基材膜之黏著膜。此外，黏著膜13B，為作為基材膜使用厚度110μm之高密度聚乙烯膜之黏著膜。此外，黏著膜13C，為作為基材膜使用厚度100μm之高密度聚乙烯膜之黏著膜。此外，黏著膜13D，為作為基材膜使用厚度100μm之高密度聚乙烯膜與隨機共聚合物之聚丙烯、苯乙烯-丁二烯共聚合物層之2層構成所構成的基材膜之黏著膜。

(相關於實施例1～8之晶圓加工用膠帶之形成)

使冷藏保管的被形成前述膜厚5μm之接著劑層的厚度38μm之脫模膜回到常溫，以由接著劑層的表面達到脫模膜的方式形成第1切痕部進行直徑220mm的圓形預切加工(一次預切加工)。其後，除去接著劑層的不要部分，與黏著膜在室溫層疊。接著，對貼合後的接著劑層的外側之黏著膜，以到達脫模膜的方式形成第2切痕部嘗試與接著劑層為同心圓狀地(配合於晶圓環形骨架形狀之形狀)直徑290mm的圓形預切加工(二次預切加工)。如此嘗試相關於實施例1～8之晶圓加工用膠帶之製作。

又，於嘗試二次預切加工時，於脫模膜與黏接膜被層積之層積部，使用光學感測器，根據對應於第1切痕部的位置之層積部(圖1(c)之層積部27b)之600～700nm波長的透過率A與對應於沒有第1切痕部26的位置之層積部(圖1(c)之層積部27a)之600～700nm波長的透過率B之透過率差C認識第1切痕部，根據認識的第1切痕部嘗試使黏著膜與接著劑層為同心圓狀地進行直徑290mm之圓形預切加工。作為光學感測器，只要是對於在290～850nm的波長區域的光線可以檢測者即可，沒有特別限定。

(相關於比較例1～3之晶圓加工用膠帶之形成)

相關於比較例1～3之晶圓加工用膠帶，係以與相關於前述之實施例1～8之晶圓加工用膠帶的形成相同的方式嘗試製作。此外，嘗試二次預切加工時之認識方法，也與相關於前述實施例1～8之晶圓加工用膠帶之嘗試二次預切加工時的認識方法為相同。

針對製作的相關於實施例1～8以及比較例1～3的晶圓加工用膠帶，進行了感測器認識性的評估。針對相關於實施例1～8的晶圓加工用膠帶之感測器認識性的評估結果顯示於表1，針對相關於比較例1～3的晶圓加工用膠帶之感測器認識性的評估結果顯示於表2。

相關於實施例1～5之晶圓加工用膠帶，是作為黏著膜使用前述之黏著膜13A，使被形成於一次預切加工時之脫模膜的第1切痕部的深度，藉由變更預切刃的按壓壓力(餘隙，clearance)而調整透過率之晶圓加工用膠帶。

相關於實施例6及7之晶圓加工用膠帶，是在實施例6作為黏著膜使用前述之黏著膜13C，在實施例7作為黏著膜使用前述之黏著膜13D，而調整透過率之晶圓加工用膠帶。

相關於實施例8之晶圓加工用膠帶，是作為黏著膜使用前述之黏著膜13B，進而，使被形成於一次預切加工時之脫模膜的第1切痕部的深度，藉由變更預切刃的按壓壓力(餘隙，clearance)進行淺加工而調整透過率之晶圓加工用膠帶。

相關於比較例1之晶圓加工用膠帶，是作為黏著膜使用前述之黏著膜13D，進而，使被形成於一次預切加工時之脫模膜的第1切痕部的深度，藉由變更預切刃的按壓壓力(餘隙，clearance)進行淺加工而調整透過率之晶圓加工用膠帶。

相關於比較例2之晶圓加工用膠帶，是作為黏著膜使用前述之黏著膜13A，使被形成於一次預切加工時之脫模膜的第1切痕部的深度，藉由變更預切刃的按壓壓力(餘隙，clearance)而調整透過率之晶圓加工用膠帶。

相關於比較例3之晶圓加工用膠帶，是作為黏著膜使用前述之黏著膜13B，進而，使被形成於一次預切加工時之脫模膜的第1切痕部的深度，藉由變更預切刃的按壓壓力(餘隙，clearance)進行深加工而調整透過率之晶圓加工用膠帶。

＜透過率之測定＞

使用島津製作所製造之分光光度計UV3101PC，於脫模膜與黏著膜被層積之層積部，針對相關於實施例1～8以及比較例1～3的晶圓加工用膠帶，測定了有第1切痕部的層積部之透過率A(%)與無第1切痕部2之層積部的透過率B(%)。又，測定的透過率為波長600～700nm之透過率。

＜對脫模膜之全厚度的第1切痕部之深度的比率D(%)之測定＞

把藉由一次預切而被賦予至脫模膜的第1切痕部切出適當的尺寸，將此以環氧樹脂等樹脂掩埋固定，研磨凝固之被埋入該樹脂的狀態之供試片，使用光學顯微鏡等測定觀察第1切痕部的深度。其後，由測定之第1切痕部之深度與脫模膜之全厚度算出比率D。

＜感測器認識性的評估＞

於製作實施例1～8及比較例1～3之晶圓加工用膠帶時使用光學感測器，將前述之認識作業(實施例1～8之晶圓加工用膠帶的場合，認識第1切痕部，比較例1～3之晶圓加工用膠帶的場合，認識脫模膜與接著劑層與黏著膜被層積之層積部之作業)，於實施例1～8及比較例1～3之晶圓加工用膠帶分別進行50次，旋轉二次預切刃，調查可以在特定的位置形成第2切痕部的次數之比例，進行感測器認識性的評估。此處，於表1，認識次數，係二次預切刃旋轉，在特定位置可以形成第2切痕部的次數，成功率為認識作業50次中的認識次數之比率(%)。

如表1所示，實施例1～8之晶圓加工用膠帶，於50次之認識作業，二次預切加工之第2切痕部可以形成45～50次。亦即，成功率為90～100%。特別是實施例2～4之晶圓加工用膠帶成功率為100%。

另一方面，如表2所示，在比較例1之晶圓加工用膠帶，50次之認識作業中只有5次無法形成二次預切加工步驟之第2切痕。亦即，成功率為10%。在比較例2之晶圓加工用膠帶，在晶圓加工用膠帶之製造途中發生脫模膜之破斷，而無法製造晶圓加工用膠帶。因此，無法測定透過率A、透過率C以及感測器認識性之評價。在比較例3之晶圓加工用膠帶，50次之認識作業中只有5次無法形成二次預切加工步驟之第2切痕。亦即，成功率為10%。

由以上結果，可知即使接著劑層的厚度為5μm的場合，於脫模膜與黏接膜被層積之層積部，係以對應於第1切痕部的位置之層積部(圖1(c)之層積部27b)之600～700nm波長的透過率A與對應於沒有第1切痕部26的位置之層積部(圖1(c)之層積部27a)之600～700nm波長的透過率B(%)之透過率差C成為0.1%以上的方式形成的相關於實施例1～8之晶圓加工用膠帶10，在標籤認識性及預切加工性上皆為良好。特別是，可知以透過率差C成為0.6～1.3%的方式形成的相關於實施例2～4之晶圓加工用膠帶10，標籤認識性及預切加工性都良好。

10、10a、10b．．．晶圓加工用膠帶

11．．．脫模膜

12．．．接著劑層

13．．．黏著膜

20．．．切割模片黏接膜(dicing die bonding film)

22．．．標籤形狀接著部

23a．．．標籤部

23b．．．周邊部

25．．．第1層積體

26．．．第1切痕部

27．．．第2層積體

28．．．第2切痕部

29．．．第3切痕部

圖1(a)係相關於本發明之一實施型態之晶圓加工用膠帶10之概觀圖，(b)為其平面圖，(c)為其剖面圖。

圖2係相關於本發明之第1實施型態之晶圓加工用膠帶的變形例之晶圓加工用膠帶10a之概觀圖。

圖3係相關於本發明之第1實施型態之晶圓加工用膠帶的變形例之晶圓加工用膠帶10b之概觀圖。

圖4係供說明圖1之晶圓加工用膠帶10之製造方法之圖。

圖5係供說明圖1之晶圓加工用膠帶10之製造方法之接於圖4之圖。

10．．．晶圓加工用膠帶

11．．．脫模膜

22(12)．．．接著劑層

23a．．．標籤部

23b．．．周邊部

26．．．第1切痕部

27a．．．層積部

27b．．．層積部

Claims (8)

1. 一種晶圓加工用膠帶，其特徵係具備：長尺寸之脫模膜、具有設於前述脫模膜上的特定的平面形狀之1個以上之接著劑層、分別覆蓋前述接著劑層，且在該接著劑層的周圍以接觸於前述脫模膜的方式設置的1個以上之黏著膜；前述脫模膜，在該脫模膜之被層積前述接著劑層之面，被形成沿著該接著劑層的外周之環狀的切痕部，於前述脫模膜與前述黏著膜被層積之層積部，對應於有前述切痕部的位置之前述層積部的600~700nm波長的透過率A與對應於沒有前述切痕部的位置之前述層積部的600~700nm波長的透過率B之透過率差C(=A-B)，為0.1%以上。
2. 如申請專利範圍第1項之晶圓加工用膠帶，其中前述透過率差C為0.6~1.3%。
3. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓加工用膠帶，其中前述透過率A為75~95%。
4. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓加工用膠帶，其中具備於前述脫模膜上以包圍前述黏著膜的外側的方式設置的，由前述黏著膜所構成的周邊部。
5. 一種晶圓加工用膠帶之製造方法，其特徵為具備：(a)於長尺寸之脫模膜上被設置具有特定的平面形 狀之複數個接著劑層，前述脫模膜與前述接著劑層以此順序被層積之接著膜上，以覆蓋前述接著劑層，且在前述接著劑層的周圍接觸於前述脫模膜的方式，層積黏著膜的步驟，(b)於藉由前述步驟(a)形成的前述接著膜與前述黏著膜所構成的層積體，於前述脫模膜與前述黏著膜所構成的層積部，形成複數個由前述黏著膜的表面到達到前述脫模膜為止的，分別之包圍前述接著劑層的環狀之第2切痕部之步驟；於前述步驟(a)之前，具備：(c)於前述脫模膜上設置具有特定的平面形狀之複數個前述接著劑層時，沿著該接著劑層的外周之環狀的第1切痕部，形成於前述脫模膜上的步驟；前述步驟(b)，於前述脫模膜與前述黏著膜被層積之前述層積部，根據對應於有前述切痕部的位置之前述層積部之600~700nm波長的透過率A與對應於沒有前述脫模膜與前述切痕部的位置之前述層積部之600~700nm波長的透過率B之透過率差C(=A-B)，認識前述第1切痕部，根據認識的前述第1切痕部形成包圍前述接著劑層的環狀之第2切痕部。
6. 如申請專利範圍第5項之晶圓加工用膠帶之製造方法，其中前述步驟(c)，係以前述透過率差C成為0.1%以上的方式形成前述第1切痕部。
7. 如申請專利範圍第5項之晶圓加工用膠帶之製造 方法，其中前述步驟(c)，係以前述透過率差C成為0.6~1.3%的方式形成前述第1切痕部。
8. 如申請專利範圍第5~7項之任一項之晶圓加工用膠帶之製造方法，其中替代前述步驟(b)，而具備(d)藉由前述步驟(a)形成的前述接著膜與前述黏著膜所構成的前述層積體，於前述脫模膜與前述黏著膜所構成的前述層積部，形成複數個由前述黏著膜的表面到達到前述脫模膜為止的，分別包圍前述接著劑層的環狀之前述第2切痕部，同時於前述第2切痕部的外側形成第3切痕部的步驟。