TWI541062B

TWI541062B - 乾式剝離硼－碳膜的方法

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Publication number: TWI541062B
Application number: TW101115611A
Authority: TW
Inventors: 李光德Ｄ; 拉提蘇哈; 山卡克里西南蘭普拉卡西; 西蒙斯馬丁Ｊ; 傑米爾艾爾芬; 金秉憲
Original assignee: 應用材料股份有限公司
Priority date: 2011-05-12
Filing date: 2012-05-02
Publication date: 2016-07-11
Also published as: JP5933694B2; JP2014516205A; KR101682081B1; CN103443909A; US9299581B2; WO2012154429A2; KR20140036203A; TW201247312A; WO2012154429A3; US20120285492A1

Description

乾式剝離硼-碳膜的方法

本發明的實施例大致關於乾式剝離硼-碳膜的方法。

已經證實硼-碳膜(例如，摻雜硼的碳)作為蝕刻硬遮罩時相較於非晶碳而言具有優異的圖案化效能。然而，因為無法利用氧電漿來灰化硼-碳膜，硼-碳膜並不容易剝離。可利用氟或氯搭配氧來乾式剝離硼碳膜；然而，氟與氯對介電材料而言是腐蝕性的，介電材料諸如常見於半導體基板上的氧化矽、氮化矽與氮氧化矽。包含硫酸與過氧化氫的濕蝕刻溶液亦可移除硼-碳膜；然而，濕蝕刻溶液會傷害暴露的金屬表面或鑲嵌的金屬，金屬是常見於半導體基板上的金屬。

因此，需要自基板移除硼-碳膜的改良方法。

本發明的實施例大致關於利用含氧氧化劑搭配含氫還原劑乾式剝離硼-碳膜的方法。在一實施例中，利用氫與氧的交替電漿來移除硼-碳膜。在另一實施例中，利用共同流動的氧與氫電漿來移除含硼-碳膜。可在上述氧電漿的任一者以外再利用一氧化二氮電漿，或者可利用一氧化二氮電漿來取代上述氧電漿的任一者。在另一實施例中，利用自水蒸氣產生的電漿來移除硼-碳膜。硼-碳移除製程亦可包括在硼-碳膜的移除之前的視情況的聚合物移除製程。聚合物移除製程包括暴露硼-碳膜至含氧氣體、含氟氣體或上述之組合形成的電漿，以自硼-碳膜的表面移除基板蝕刻製程過程中產生的任何碳基聚合物。

在一實施例中，自基板剝離膜的方法包括將基板上具有膜的基板置於腔室中，其中膜包括硼或碳的至少一者。接著暴露膜至氧離子或自由基與氫離子或自由基以產生一或多個揮發性化合物，並將一或多個揮發性化合物自腔室排出。

在另一實施例中，自置於腔室中的基板剝離硼-碳膜的方法包括暴露包括硼與碳的基板至包含氧自由基或離子與氫自由基或離子的電漿。氫自由基或離子與硼反應以形成揮發性硼物種，而氧自由基或離子與碳反應以形成揮發性碳物種。接著自腔室移除揮發性硼物種與揮發性碳物種。

在另一實施例中，自置於腔室中的基板剝離膜的方法包括暴露基板至包括H_xO_y的化合物形成的電漿，其中x與y是大於1的整數或非整數。接著用電漿接觸膜以形成一或多個揮發性物種，並自腔室移除揮發性物種。

本發明的實施例可執行於自Applied Materials,Inc.(美國加州聖克拉拉市)取得的Producer® SE或Producer® GT腔室。預期其他腔室(包括其他製造商生產的彼等腔室)可受益於本文所述的實施例。

第1圖是流程圖100，流程圖100描繪根據本發明的一實施例利用交替氫與氧電漿移除硼-碳膜的方法。流程圖100開始於操作102，操作102中將基板上具有硼-碳膜(例如，硼-碳硬遮罩)的基板置於剝離腔室中的基板支撐件上。將基板與基板上的硼-碳膜加熱至低於約750℃(例如，約200℃至約400℃)的溫度。硼-碳膜可為摻雜硼的碳，或硼與碳化物的原子比例約2：1或更低的氫化碳化硼。基板通常為含矽基板(例如，300毫米的矽晶圓)，且基板可具有一或多個介電層或導電金屬層配置於基板上。舉例而言，基板可具有二氧化矽層配置於基板上，而硼-碳層配置於二氧化矽層上以在先前執行的二氧化矽層的蝕刻過程中作為蝕刻硬遮罩。預期可應用含矽基板以外的基板。

在將基板置於支撐件上後，可在聚合物移除操作104中視情況移除位在硼-碳膜上的碳基聚合物。在先前執行的蝕刻製程過程中在硼-碳層的上表面上產生碳基聚合物，硼-碳層在蝕刻製程過程中作為蝕刻硬遮罩。蝕刻過程中，暴露基板與基板上的硼-碳層至蝕刻劑(例如，C₄F₈)以將所需的圖案蝕刻進入基板。由於碳與氟的聚合化作用，蝕刻製程產生碳基聚合物，碳基聚合物亦可包括矽及/或氧。通常在移除較高分子量分子的剝離製程之前移除碳基聚合物，以允許硼-碳膜的更有效率剝離。

藉由暴露碳基聚合物至含氟氣體、含氧氣體或上述之組合形成的電漿，自硼-碳膜的表面移除碳基聚合物。舉例而言，可利用比例約100：1的氧氣與NF₃形成的電漿移除碳基聚合物。一般而言，電漿中所需的氟量隨著碳基聚合物中存在的矽量增加。由於含氧電漿能夠移除碳基聚合物(特別是當碳基聚合物包含相當低量的矽時)，可因為在操作106中暴露基板至含氧電漿之故省略操作104(論述於下)。

聚合物移除製程過程中，在一流動速率下將利用氧氣與NF₃氣體遠端產生的電漿提供至剝離腔室，流動速率是每300毫米基板約1 SCCM至約15,000 SCCM(例如，約100 SCCM至約5,000 SCCM)。氧與NF₃的比例是約 100：1至約1000：1。將剝離腔室中的壓力維持在約1毫托至約760托(例如，約4毫托至約10托)的範圍中，同時將基板維持在低於750℃的溫度下。氧與NF₃與碳基聚合物反應以形成揮發性化合物，接著自剝離腔室排出揮發性化合物。上述條件下，在每分鐘約2,000埃至每分鐘約10,000埃的速率下移除碳基聚合物。預期可過度蝕刻碳基聚合物，以確保自基板的表面的移除。

在自硼-碳層移除碳基聚合物層之後，在操作106中自基板的表面剝離硼-碳層。操作106包括兩個子操作(106A與106B)。在子操作106A中，暴露硼-碳層至離子化含氧化合物(例如，氧電漿)，且隨後在子操作106B中，暴露基板至離子化含氫化合物(例如，氫電漿)。在子操作106A中，氧離子與硼-碳膜的碳反應以形成可自腔室排出的揮發性化合物(例如，CO₂)。在約10秒至約50秒的暴露至離子化氧之後，由於移除碳之故，硼-碳膜在膜的表面附近形成相當高濃度的硼。由於膜的表面上可用的碳降低之故，硼-碳膜的移除速率開始降低。在此時間點上，停止含氧化合物至剝離腔室的流動速率，並自剝離腔室排出殘餘的含氧化合物。

在子操作106B中，暴露硼-碳層至含氫化合物電漿，含氫化合物電漿與硼-碳層中的硼反應以形成揮發性化合物(例如，B₂H₆)，接著自腔室排出揮發性化合物。暴露硼-碳層至氫電漿達約10秒至約50秒，直到硼-碳膜在硼-碳膜的表面附近具有相當高濃度的碳為止。在預定時間後，終止氫氣的流動，並接著重複子操作106A。可重複包括子操作106A與106B的操作106所需次數，以自基板表面充分地移除硼-碳膜。

在每300毫米基板約5SCCM至約15,000SCCM的流動速率下，將含氫化合物與含氧化合物各自提供至剝離腔室。舉例而言，可分別在約500SCCM至約10,000SCCM以及約250SCCM至約5000SCCM的流動速率下將氫氣與氧氣提供至剝離腔室。利用RF產生器離子化含氫化合物與含氧化合物，RF產生器運作在13.56MHz下並施加約100瓦至約3,000瓦(例如，約1,000瓦至約3,000瓦)的功率。將剝離腔室中的壓力維持在約1毫托至約760托(諸如，約50毫托至約10托或約5托至約100托)範圍中的壓力下。

值得注意的是，由於含氧化合物與碳反應而含氫化合物與硼反應，可根據硼-碳膜的原子組成來調整各個化合物的暴露時間，以達成所需的移除速率。舉例而言，若硼-碳膜中的硼濃度約為硼-碳膜中的碳濃度的兩倍，則氫暴露時間可高於氧暴露時間，例如高出約兩倍(假設兩個電漿具有大約相同的蝕刻速率)。

流程圖100描繪移除硼-碳膜的一實施例；然而，亦可預期有其他的實施例。在一實施例中，操作102、104與106均在相同腔室中執行。在另一實施例中，可預期操作104可發生於個別的腔室(例如，蝕刻腔室)且可在將基板置於剝離腔室中之前發生。在另一實施例中，可預期操作104的電漿除了遠端產生式以外可為電容耦合式或電感耦合式，或以電容耦合式或電感耦合式取代遠端產生式。舉例而言，預期可自含氟氣體與含氧氣體產生電容耦合式電漿。或者，可自水蒸氣與惰性氣體產生電容耦合式電漿。在上述實施例中，可在約10 SCCM與10,000 SCCM之間(例如，約4,000 SCCM)的流動速率下將水蒸氣引導至腔室。可在約3,000 SCCM的流動速率下提供惰性氣體至腔室。

在另一實施例中，預期可在操作104中應用其他的含氟氣體。舉例而言，預期可應用CF₄、C₃F₆、CHF₃、CH₂F₂與CH₃F。在另一實施例中，預期可透過感應耦合原位產生或遠端產生操作104的NF₃電漿或操作106的含氧或含氫電漿。在又另一實施例中，預期可利用載氣(諸如，氬、氦或氮)將操作106的含氧化合物與含氫化合物攜帶至剝離腔室。可在約5 SCCM至約15,000 SCCM的流動速率下將載氣提供至包含300毫米基板的剝離腔室。在另一實施例中，預期可利用載氣在子操作106A與106B之間沖洗腔室，以避免氫與氧之間的反應。在又另一實施例中，預期可在子操作106A之前執行子操作106B。

在另一實施例中，預期可在操作106中應用任何提供氧的化合物，諸如O₂、N₂O、CO₂、NO或NO₂。此外，亦預期可在操作106中的氫氣以外再應用其他含氫化合物，或應用其他含氫化合物取代操作106中的氫氣。舉例而言，預期可在氫氣以外再應用氨或應用氨取代氫氣。

在一實例中，在7托的腔室壓力與400℃的基板溫度下，暴露厚度約2000埃的硼-碳膜至1500 SCCM的氫電漿達30秒。接著在7托的腔室壓力與400℃的基板溫度下，暴露硼-碳膜至1500 SCCM的氧電漿達30秒。進一步暴露硼-碳膜至交替的氫與氧電漿，直到移除膜為止。在約20分鐘內移除硼-碳膜。

第2圖是流程圖200，流程圖200描繪根據本發明的一實施例利用包含氧與氫兩者的電漿移除硼-碳膜的方法。流程圖200包括操作102、104與206。操作102與104相似於參照流程圖100所述的操作102與104。在操作102中將基板置於支撐件上並在操作104中移除碳基聚合物後，在操作206中暴露基板與基板上的硼-碳膜至含氫化合物(例如，雙原子氫)與含氧化合物(例如，雙原子氧)形成的電漿或離子化氣體。因此，雖然流程圖100的操作106暴露硼-碳膜至循環交替的含氫與含氧電漿，但操作206暴露硼-碳膜至同時的含氫與含氧電漿。

在操作206中，在每300毫米基板約5 SCCM至約15,000 SCCM的流動速率下，將含氫化合物與含氧化合物提供至剝離腔室，以自基板的表面移除硼-碳層。舉例而言，可在約200 SCCM至約4,000 SCCM的流動速率下提供含氫化合物與含氧化合物。利用RF產生器離子化含氫化合物與含氧化合物，RF產生器運作在13.56 MHz下並施加約100瓦至約3,000瓦(例如，約1,500瓦至約2,000瓦)的功率。將基板維持在低於750℃的溫度下(例如，約 400℃下)。通常將剝離腔室中的壓力維持在低於約20托(例如，約7托至約19托)的壓力下。藉由將腔室壓力維持在低於約20托下，可大幅降低剝離腔室中氧電漿與氫電漿的非樂見與危險性反應的可能性。

腔室中的含氫電漿與含氧電漿接觸硼-碳膜並反應以形成揮發性化合物，接著自腔室排出揮發性化合物。由於氧通常與硼-碳膜的碳形成揮發性化合物而氫通常與硼形成揮發性化合物，預期可根據硼-碳膜的組成調整氧與氫的相對比例(及/或氧與氫的流動速率)，以達成所需的移除速率。表1描繪利用變化的製程參數，硼-碳膜自300毫米基板的表面的移除速率中的變化。

關於增加的氧或氫流動速率，電漿中的過量氧或氫通常在蝕刻速率上的影響極小。蝕刻速率受限於位在硼-碳膜的表面上的硼或碳的數量，氧或氫可與硼或碳形成揮發性化合物，且蝕刻速率通常並不隨著過量製程氣體的併入而明顯增加。然而，應當注意的是，當製程氣體是限制的反應物時(例如，硼-碳膜的表面上存在過量的反應物位置)，可透過額外製程氣體的併入而增加蝕刻速率。

流程圖200描繪剝離硼-碳膜的一實施例；然而，亦可預期其他的實施例。在另一實施例中，預期可利用每300毫米基板低於15,000 SCCM的流動速率的載氣(諸如，氬、氦或氮)將操作206的含氧化合物與含氫化合物引導至剝離腔室。將載氣併入製程體積會降低蝕刻硼-碳膜的速率，但亦會增加電漿均勻性與穩定性。

第3A圖與第3B圖描繪在利用包含氧與氫的電漿時，腔室壓力與RF功率對蝕刻速率的影響。在第3A圖中，利用在1,000瓦的RF功率下自2,000 SCCM的氫氣與1,000 SCCM的氧氣形成的電漿，在400℃下自基板移除硼-碳膜。隨著腔室中的壓力提高，硼-碳膜的蝕刻速率相應的提高。因此，本文所述的所有方法中，可藉由調整腔室中的壓力來控制硼-碳膜的蝕刻速率。在第3B圖中，利用自2,000 SCCM的氫氣與1,000 SCCM的氧氣形成的電漿在400℃下移除硼-碳膜。將腔室壓力維持在9托下。隨著施加至電漿的RF功率提高，硼-碳膜的蝕刻速率相應的提高。

第4圖是描繪根據本發明的一實施例利用自氫與一氧化二氮產生的電漿移除硼-碳膜的方法的流程圖。流程圖400包括操作102、104與406。操作102與104相似於參照流程圖100所述的操作102與104。在操作102中將基板置於支撐件上並在操作104中移除碳基聚合物後，在操作406中暴露基板與基板上的硼-碳膜至自氫與一氧化二氮形成的電漿。因此，雖然流程圖200利用氧作為氧化劑以自硼-碳膜移除碳，但流程圖400利用一氧化二氮作為氧化劑。當利用氧作為氧化劑時可能發生製程環境中不樂見反應，而利用一氧化二氮作為氧化劑可允許增加腔室中的壓力，藉此提高蝕刻速率，同時降低製程環境中不樂見反應發生的可能性。

在操作406中，針對300毫米基板，在約5 SCCM至約15,000 SCCM的流動速率下提供氫氣與一氧化二氮氣體至剝離腔室，以自基板的表面移除硼-碳層。舉例而言，可在約200 SCCM至約4,000 SCCM的流動速率下各自提供氫氣與一氧化二氮氣體。利用RF產生器離子化氫氣與一氧化二氮氣體，RF產生器運作在13.56 MHz下並施加約100瓦至約3,000瓦(例如，約1,500瓦至約2,000瓦)的功率。將基板維持在低於750℃的加熱溫度下(例如，約400℃下)。將剝離腔室中的壓力維持在低於760托(例如，約40托至約60托)下。一氧化二氮電漿與氫電漿與硼-碳膜反應以形成揮發性化合物，接著自腔室排出揮發性化合物。

表2描繪利用自氫與一氧化二氮形成的電漿自300毫米基板的表面移除硼-碳膜的某些示範性製程方案。

如表2中所述，應用一氧化二氮作為氧化劑通常產生比起利用氧作為氧化劑時較高的蝕刻速率。此情形部分是因為利用一氧化二氮時可應用較高的腔室壓力。在另一實施例中，預期氧化氣體可為一氧化二氮與氧的混合物，該例子中，可允許腔室中的壓力超過20托。再者，雖然參照共同流動的一氧化二氮與氫氣來描述流程圖400，但預期可用周期性方式將一氧化二氮與氫氣獨立地提供至腔室。在又另一實施例中，預期一氧化二氮以外可再應用二氧化碳，或者可應用二氧化碳取代一氧化二氮。

第5圖是流程圖500，流程圖500描繪根據本發明的一實施例利用自水蒸氣產生的電漿移除硼-碳膜的方法。流程圖500包括操作102、104與506。操作102與104相似於參照流程圖100所述的操作102與104。在操作102中將基板置於支撐件上並在操作104中移除碳基聚合物後，在操作506中暴露基板與基板上的硼-碳膜至自水蒸氣產生的電漿。

在操作506中，藉由水蒸氣產生器(WVG)產生水蒸氣並將水蒸氣提供至剝離腔室，在剝離腔室中將水蒸氣點燃成電漿，以自基板的表面蝕刻硼-碳膜。在每300毫米基板約5 SCCM至約15,000 SCCM的流動速率下將水蒸氣引導至剝離腔室。將基板維持在低於約750℃(例如，約300℃至約500℃)的溫度下，同時將腔室中的壓力維持在低於約760托(諸如，約10托至約50托或約10托至約760托)下。將約10瓦至3,000瓦範圍中的RF功率施加至水蒸氣，以產生包含氧、氫與羥離子或自由基的電漿，電漿與硼-碳膜反應以形成可自腔室排出的揮發性化合物。

流程圖500描繪剝離硼-碳膜的一實施例；然而，亦可預期有額外的實施例。舉例而言，預期可透過原位蒸氣產生方法來產生水蒸氣。在另一實施例中，預期可將氧與氫的非化學計量組合(例如，H_xO_y，其中x與y可為大於0的整數或非整數兩者)輸入至WVG或藉由WVG產生氧與氫的非化學計量組合。在上述實施例中，可藉由水蒸氣產生器產生某些過氧化氫。在另一實施例中，預期水蒸氣以外，可再將氧氣、氦氣、氮氣、氬氣、一氧化二氮氣體及/或氫氣提供至剝離腔室。在上述實施例中，已經發現添加氫可提高硼-碳膜的移除速率，特別是在包含高於碳濃度的硼濃度的硼-碳膜中。已經發現添加其他載氣(例如，氦)可降低硼-碳膜的移除速率並同時改善蝕刻均勻性。在另一實施例中，預期水蒸氣可用來剝離實質上不含硼的碳膜(例如，非晶碳)。或者，預期水蒸氣可用來剝離實質上不含碳的硼膜(例如，非晶硼)。

在另一實施例中，預期可在操作506中離子化含氟氣體或含氯氣體，並搭配水蒸氣來增加硼-碳膜的蝕刻速率。在上述實施例中，可省略操作104。通常在約10 SCCM與50 SCCM之間的流動速率下將含氟氣體或含氯氣體提供至腔室。為了避免不樂見地蝕刻位在基板上的介電材料，可在接近操作506終點時，漸弱、降低或排除含氟氣體或含氯氣體的流動速率。咸信接近操作106終點降低流動速率不會不樂見地蝕刻暴露的介電材料，這是因為含氟氣體或含氯氣體輔助硼-碳層的移除的機制。

一般而言，基板上的介電材料暴露在先前蝕刻製程過程中形成進入基板中的介層洞或溝槽中，而硼-碳材料暴露於基板的上表面上。因此，進入腔室並被點燃成電漿的含氟氣體或含氯氣體通常在接觸介層洞或溝槽中的介電材料之前，接觸硼-碳層並與硼-碳層反應。然而，由於移除了硼-碳膜，提高了含氟氣體或含氯氣體接觸並非樂見地移除介電材料的可能性。因此，隨著含硼層厚度的減少降低含氟氣體或含氯氣體的流動速率，以降低介電材料蝕刻的可能性。

在另一實施例中，在產生電容耦合式水蒸氣電漿時，基板與位在腔室中的面板之間的間距可在約20密爾至約600密爾的範圍中。當在較高壓力(例如，高於約7托)下的較大體積(例如，在處理大面積基板時)中處理基板時，基板之間的間距減少是有利的。在高於約7托的壓力下處理基板時，減少的間距促進電漿持續性。在一實例中，在約30托下處理基板時，基板與面板之間的間距可約為300密爾。在40托下，基板與面板之間的間距可在約240密爾至約270密爾的範圍中。在約50托的壓力下，基板與面板之間的間距可低於200密爾。

表3描繪回應於製程氣體流動速率中的變化的硼-碳膜的蝕刻速率中的變化。表3中的實例23-30各自包括至少500 SCCM的氦氣作為載氣以增加蝕刻均勻性，並可如表3中所示般包含額外的載氣。

如表3中所示，包含載氣的最高總流動速率(250 SCCM的氦與750 SCCM的氬)的實例29具有最低的蝕刻速率。第6圖描繪水蒸氣電漿的蝕刻選擇性。電漿A包括利用1900瓦的RF功率產生成為電漿的1,000 SCCM的水蒸氣與500 SCCM的氦。將剝離腔室維持在50托下，並將基板維持在400℃下。電漿A在每分鐘約570埃的速率下蝕刻硼-碳膜，且並未蝕刻氧化矽、氮化矽或非晶矽。

電漿B包括利用1900瓦的RF功率產生成為電漿的1,000 SCCM的水蒸氣、250 SCCM的氦與150 SCCM的氫。將剝離腔室維持在50托下，並將基板維持在400℃下。電漿B在每分鐘約770埃的速率下蝕刻硼-碳膜，且並未蝕刻氧化矽、氮化矽或非晶矽。

本文所述的方法的優點包括剝離硼-碳膜而不傷害位在基板上的介電材料或下方的金屬層。剝離方法可允許藉由改變電漿組成來控制蝕刻速率以及蝕刻均勻性。

雖然上述係針對本發明之實施例，但可在不悖離本發明之基本範圍下設計出本發明之其他與更多實施例，本發明之範圍是由隨後之申請專利範圍所確定。

100、200、400、500‧‧‧流程圖

102、104、106、206、406、506‧‧‧操作

106A、106B‧‧‧子操作

為了詳細理解本發明上述之特徵，可參照某些描繪於附圖中的實施例來理解簡短概述於【發明說明】中的本發明的更明確描述。然而，需注意附圖僅描繪本發明之典型實施例而因此不被視為本發明之範圍的限制因素，因為本發明可允許其他等效實施例。

第1圖是描繪根據本發明的一實施例利用交替的氫與氧電漿移除硼-碳膜的方法的流程圖。

第2圖是描繪根據本發明的一實施例利用包含氧與氫兩者的電漿移除硼-碳膜的方法的流程圖。

第3A圖與第3B圖描繪在利用包含氧與氫的電漿時腔室壓力與RF功率在蝕刻速率上的影響。

第4圖是描繪根據本發明的一實施例利用自氫與一氧化二氮產生的電漿移除硼-碳膜的方法流程圖。

第5圖是描繪根據本發明的一實施例利用自水蒸氣產生的電漿移除硼-碳膜的方法的流程圖。

第6圖描繪水蒸氣電漿的蝕刻選擇性。

為了促進理解，可盡可能應用相同的元件符號來標示圖式中相同的元件。預期一個實施例的元件與特徵可有利地併入其他實施例而不需特別詳述。

100‧‧‧流程圖

102、104、106‧‧‧操作

106A、106B‧‧‧子操作

Claims

一種自一基板剝離一硼-碳膜的方法，該方法包括以下步驟：將該基板置於一腔室中，該基板具有該硼-碳膜於該基板上方；暴露該硼-碳膜至一電漿，該電漿包含數個氧自由基或離子與數個氫自由基或離子；使該等氫自由基或離子與該硼反應以形成一揮發性硼物種；使該等氧自由基或離子與該碳反應以形成一揮發性碳物種；及自該腔室移除該揮發性硼物種與該揮發性碳物種，其中該暴露該硼-碳膜的步驟包括：將一製程氣體引導至該腔室，該製程氣體包括H_xO_y，其中x與y可為大於1的整數或非整數；及自該製程氣體產生一電漿。
如請求項1所述之方法，其中該包括H_xO_y的製程氣體包括水蒸氣。
如請求項2所述之方法，其中暴露該硼-碳膜的步驟包括：利用一水蒸氣產生器產生水蒸氣；將該水蒸氣流入該腔室；及利用RF功率自該水蒸氣形成一電漿。
如請求項1所述之方法，其中該腔室中的壓力是大於約5托，而該基板是經放置與一位在該腔室中的面板的一表面相隔低於約600密爾。
一種自一基板剝離一硼-碳膜的方法，該方法包括以下步驟：將該基板置於一腔室中，該基板具有該硼-碳膜於該基板上方；暴露該硼-碳膜至一電漿，該電漿包含數個氧自由基或離子與數個氫自由基或離子；使該等氫自由基或離子與該硼反應以形成一揮發性硼物種；使該等氧自由基或離子與該碳反應以形成一揮發性碳物種；及自該腔室移除該揮發性硼物種與該揮發性碳物種，其中該暴露該硼-碳膜的步驟包括：將一製程氣體引導至該腔室，該製程氣體包括H_xO_y以及一含氧化合物或一含氫化合物的至少一者，其中x與y可為大於1的整數或非整數；及自該製程氣體產生一電漿。
一種自一基板剝離一包括硼與碳之膜的方法，該方法包括以下步驟：將該基板置於一腔室中，該基板具有該膜於該基板上方；暴露該膜至一電漿，該電漿包含數個氧離子或自由基與數個氫離子或自由基，其中該電漿係由一包括H_xO_y的化合物所形成，其中x與y可為大於1的整數或非整數；藉由以該電漿接觸該膜而使該等氫自由基或離子與該硼反應以形成一揮發性硼物種以及使該等氧自由基或離子與該碳反應以形成一揮發性碳物種；及自該腔室移除該揮發性硼物種與該揮發性碳物種。
如請求項6所述之方法，其中該腔室中的壓力是大於約5托，而該基板是經放置與一位在該腔室中的面板的一表面相隔低於約600密爾。
如請求項6所述之方法，其中該基板被維持在一約200℃至約400℃範圍中的溫度下。