TWI433171B

TWI433171B - 熱敏電阻元件

Info

Publication number: TWI433171B
Application number: TW100149430A
Authority: TW
Inventors: Yi An Sha; Kuo Chang Lo; Tsungmin Su
Original assignee: Polytronics Technology Corp
Priority date: 2011-12-29
Filing date: 2011-12-29
Publication date: 2014-04-01
Also published as: TW201327588A

Description

熱敏電阻元件

本發明係關於一種熱敏電阻元件，特別是於高溫時具有高維持電流之熱敏電阻元件。

由於具有正溫度係數(Positive Temperature Coefficient；PTC)或負溫度係數(Negative Temperature Coefficient；NTC)特性之導電複合材料之電阻對溫度變化具有反應敏銳的特性，可作為電流感測元件之材料。以PTC為例，由於PTC導電複合材料在正常溫度下之電阻可維持極低值，使電路或電池得以正常運作。但是，當電路或電池發生過電流(over-current)或過高溫(over-temperature)的現象時，其電阻值會瞬間提高至一高電阻狀態(至少10² Ω以上)，而將過量之電流降低，以達到保護電池或電路元件之目的。

PTC導電複合材料係由一種或一種以上具結晶性之聚合物及導電填料所組成。聚合物一般為聚烯烴類聚合物，例如：聚乙烯，而導電填料一般為碳黑。然而，以碳黑作為導電填料之PTC元件因為受到材料熱焓(thermal mass)不足且電阻較高的影響，導致其維持電流(hold current)較低，特別是當溫度升高時，其維持電流將迅速降低，故無法滿足大電流之二次電池之保護使用。

為了克服傳統使用碳黑之PTC元件維持電流較低的問題，本發明使用不同的導電填料及成分比例，使得PTC元件於高溫仍具有高維持電流。本發明之熱敏電阻元件可搭配二次電池的電路設計，以滿足大電流二次電池保護使用。

本發明一實施例之熱敏電阻元件包括：第一導電構件、第二導電構件以及高分子材料層。該高分子材料層係疊設於第一導電構件及第二導電構件之間，且具有正溫度係數之特性，該高分子材料層包含至少一結晶性高分子聚合物及散佈於該結晶性高分子聚合物中之至少一導電填料。該導電填料選自金屬粉末或導電碳化陶瓷粉末，且該導電填料佔該高分子材料層之重量百分比介於72~96%。該熱敏電阻元件具有一元件面積，於60℃時，其對應之維持電流除以該元件面積之值介於0.16A/mm² ~0.8A/mm² 之間。其中該熱敏電阻元件於60℃之維持電流與25℃之維持電流之比值介於65~95%。

一實施例中，熱敏電阻元件於60℃對應之維持電流之熱切斷溫度(Thermal Cut-Off；TCO)小於95℃。前述TCO溫度並非限制於60℃所對應之維持電流。另外亦可利用於溫度T對應之維持電流加以定義如下：於溫度T對應之維持電流之TCO溫度小於T+35℃，其中T≧60℃。

一實施例中，本發明之熱敏電阻元件係以焊接方式電氣連接保護電路模組(Protection Circuit Module；PCM)及二次電池成串聯或並聯結構。其中焊接包含點焊、迴焊、超音波焊接或雷射焊接。

為讓本發明之上述和其他技術內容、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出相關實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

本發明熱敏電阻元件所使用之高分子材料層之成份及重量(單位：公克)如表一所示。其中LDPE-1係低密度結晶性聚乙烯(密度：0.924g/cm³ ，熔點：113℃)；HDPE-1係高密度結晶性聚乙烯(密度：0.943g/cm³ ，熔點：125℃)；HDPE-2係高密度結晶性聚乙烯(密度：0.961g/cm³ ，熔點：131℃)。導電填料則選用碳化鈦(TiC)、碳化鎢(WC)及碳化鉬(MoC)等。本發明實施例中，導電填料佔高分子材料層之重量百分比介於72~96%，特別是介於75~94%，較佳地介於78~92%。導電填料佔高分子材料層之重量百分比亦可為74%、78%、80%、85%或90%。LDPE-1佔該高分子材料層之重量百分比小於5%或較佳地小於3%。HDPE-1和HDPE-2之總和佔該高分子材料層之重量百分比介於3~25%或較佳介於5~20%之間。特而言之，較低密度之HDPE-1佔該高分子材料層之重量百分比約小於20%，較高密度之HDPE-2佔該高分子材料層之重量百分比約小於20%。高密度聚乙烯HDPE-1和HDPE-2之熔點均大於115℃。

製作過程如下：將批式混錬機(Haake-600)進料溫度定在160℃，進料時間為2分鐘，進料程序為按表一所示之重量，加入定量的結晶性高分子聚合物，攪拌數秒鐘，再加入導電碳化陶瓷填料碳化鈦粉末(其粒徑大小係介於0.1μm至50μm之間)。混鍊機旋轉之轉速為40rpm。3分鐘之後，將其轉速提高至70rpm，繼續混錬7分鐘後下料，而形成一具有PTC特性之導電複合材料。

將上述導電複合材料以上下對稱方式置入外層為鋼板，中間厚度為0.33mm及0.2mm之模具中，模具上下各置一層鐵弗龍脫模布，先預壓3分鐘，預壓操作壓力50kg/cm² ，溫度為180℃。排氣之後進行壓合，壓合時間為3分鐘，壓合壓力控制在100kg/cm² ，溫度為180℃，之後再重覆一次壓合動作，壓合時間為3分鐘，壓合壓力控制在150kg/cm² ，溫度為180℃，之後形成一高分子PTC材料層。一實施例中，該PTC材料層之厚度大於0.1mm，較佳地大於0.2mm或0.3mm。

將該PTC材料層裁切成20×20cm² 之正方形，再利用壓合將二金屬箔片直接物理性接觸於該PTC材料層上下表面，其係於該PTC材料層表面以上下對稱方式依序覆蓋金屬箔片。接著，壓合專用緩衝材、鐵弗龍脫模布及鋼板而形成一多層結構。該多層結構再進行壓合形成緻密結構，壓合時間為3分鐘，操作壓力為70kg/cm² ，溫度為180℃。之後，以模具衝切形成晶片狀熱敏電阻元件10，如圖1所示。熱敏電阻元件10之晶片尺寸係小於25mm² ，或較佳地小於20mm² 。

申言之，熱敏電阻元件10包含相當於前述金屬箔片之第一導電構件11、第二導電構件12以及高分子材料層13。較佳地，熱敏電阻元件10製程中可經熱壓，以形成緻密結構。熱敏電阻元件10中該高分子材料層13與同體積之該結晶性高分子聚合物之重量比值(即兩者之密度比值)介於2.5~12之間，較佳地介於3~10之間。

依製程需要，可再將二金屬電極片22以錫膏(solder paste)藉著迴焊方式上下連接於該二導電構件11和12上，製成軸狀式之熱敏電阻元件20。

除上述表列之材料外，高分子材料層可選用具結晶性的聚烯烴類聚合物(例如高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚乙烯蠟、乙烯聚合物、聚丙烯、聚氯乙烯或聚氟乙烯等)、烯烴類單體與壓克力類單體之共聚合物(例如乙烯-壓克力酸共聚合物、乙烯-壓克力脂共聚合物)或烯烴類單體與乙烯醇類單體之共聚合物(例如乙烯-乙烯醇共聚合物)等，並且可以選用一種或多種聚合物材料。該低密度聚乙烯可用傳統Ziegler-Natta催化劑或用Metallocene催化劑聚合而成，亦可經由乙烯單體與其它單體(例如：丁烯(butene)、己烯(hexene)、辛烯(octene)、丙烯酸(acrylic acid)或醋酸乙烯酯(vinyl acetate))共聚合而成。

導電填料可選自金屬粉末或導電碳化陶瓷粉末。其中該金屬粉末可選自：鎳、鈷、銅、鐵、錫、鉛、銀、金、鉑、釩或其合金；該導電碳化陶瓷粉末可選自：碳化鈦、碳化鎢、碳化釩、碳化硼、碳化鋯、碳化鈮、碳化鉭、碳化鉬、碳化鉿。導電碳化陶瓷填料外型包含破碎狀、多角型、球形或片狀，粒徑大小係介於0.1μm至50μm之間。

參照表二，一實施例中，熱敏電阻元件10係進行維持電流(I-hold)測試。在此，維持電流係表示在某一溫度下不造成熱敏電阻元件10觸發(trip)之最大電流。於60℃時，I-hold/晶片面積之值約為0.16~0.8A/mm² ，特別是0.18~0.75A/mm² ，較佳為0.2~0.7A/mm² 之間。I-hold/晶片面積之值亦可為0.3A/mm² 、0.4A/mm² 、0.5A/mm² 或0.6A/mm² 等。通常在較小的元件面積尺寸下，具有較大的I-hold。故熱敏電阻元件10之元件面積以小於25mm² 為較佳。採用碳黑系統作為導電填料之比較例1和2之維持電流均小於0.05A/mm² ，不適合大電流之應用。

熱敏電阻元件10於60℃和25℃之維持電流比值(I-hold＠60℃/I-hold＠25℃)係介於65~95%之間，亦即I-hold隨溫度升高時之下降速率較慢，相較於傳統碳黑系統之比較例1和2，I-hold＠60℃/I-hold＠25℃均小於30%。由此可見，本發明之熱敏電阻元件10可於高溫時仍具有高維持電流，亦即其I-hold的隨溫度升高的降幅可大幅降低，如圖2之示意圖所示。

另外，本發明將熱敏電阻元件於烘箱內通以I-hold相關電流進行熱切斷溫度(Thermal Cut-Off；TCO)測試。當烘箱內溫度逐漸升高至熱敏電阻元件觸發大幅限制電流時所對應的溫度即為TCO溫度。

本實施例中，利用60℃下對應之I-hold進行測試，其結果如表三所示。以I-hold＠60℃進行測試，各晶片之TCO溫度均小於95℃，特別是小於90℃，甚至小於85℃。就範圍而言，I-hold＠60℃對應之TCO溫度範圍介於60~95℃，特別是介於65~85℃。就實務上，TCO溫度亦可於其他大於等於60℃對應之維持電流進行量測，其需符合於溫度T對應之維持電流之熱切斷溫度小於T+35℃，其中T≧60℃。

以下係將熱敏電阻元件10於二次電池保護之應用實施例進行說明。

參照圖3，該熱敏電阻元件10可串接形成於保護電路模組(Protective Circuit Module；PCM)30上，再以串聯二次電池31、32及負載33形成迴路，藉此當過電流發生時，熱敏電阻元件10可即時降低電流，而對於二次電池31和32進行過電流保護。一實施例中，熱敏電阻10與二次電池31和32或PCM 30間以點焊、迴焊、超音波焊接、雷射焊接進行電氣連接。

參照圖4，本實施例係並聯二次電池31和32，二次電池31和32各自串聯一熱敏電阻元件10，提供較大電流之過電流保護。一實施例中，熱敏電阻10與二次電池31和32或PCM 30間以點焊、迴焊、超音波焊接、雷射焊接進行電氣連接。

綜上，本發明之熱敏電阻元件之維持電流具有較低之溫度依存性，亦即維持電流隨溫度上升而下降之幅度較小，故於高溫時其仍具有高維持電流，從而本發明之熱敏電阻元件可搭配二次電池的電路設計，以滿足大電流二次電池保護使用。

本發明之技術內容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不背離本發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發明之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。

10、20．．．熱敏電阻元件

11．．．第一導電構件

12．．．第二導電構件

13．．．高分子材料層

22．．．金屬電極片

30．．．保護電路模組

31、32．．．電池

33．．．負載

圖1係本發明一實施例之熱敏電阻元件示意圖；

圖2係熱敏電阻元件之維持電流與溫度關係示意圖；

圖3係本發明第一實施例之熱敏電阻元件於二次電池之應用示意圖；以及

圖4係本發明第二實施例之熱敏電阻元件於二次電池之應用示意圖。

10、20．．．熱敏電阻元件

11．．．第一導電構件

12．．．第二導電構件

13．．．高分子材料層

22．．．金屬電極片

Claims

一種熱敏電阻元件，包括：一第一導電構件；一第二導電構件；以及一高分子材料層，該高分子材料層係疊設於第一導電構件及第二導電構件之間，且具有正溫度係數之特性，該高分子材料層包含至少一結晶性高分子聚合物及散佈於該結晶性高分子聚合物中之至少一導電填料，其中該導電填料選自金屬粉末或導電碳化陶瓷粉末，且該導電填料佔該高分子材料層之重量百分比介於72~96%，其中該金屬粉末係選自：鎳、鈷、銅、鐵、錫、鉛、銀、金、鉑、釩或其合金，該導電碳化陶瓷粉末係選自：碳化鈦、碳化鎢、碳化釩、碳化鋯、碳化鈮、碳化鉭、碳化鉬、碳化鉿；其中該熱敏電阻元件具有一元件面積，於60℃時，其對應之維持電流除以該元件面積之值介於0.16A/mm² ~0.8A/mm² 之間；其中該熱敏電阻元件於60℃之維持電流與25℃之維持電流之比值介於65~95%。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中於溫度T對應之維持電流之熱切斷溫度小於T+35℃，其中T≧60℃。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中該結晶性高分子聚合物包含高密度聚乙烯及低密度聚乙烯。
根據請求項3之熱敏電阻元件，其中該高密度聚乙烯佔該高分子材料層之重量百分比介於3~25%。
根據請求項3之熱敏電阻元件，其中該低密度聚乙烯佔該高分子材料層之重量百分比小於5%。
根據請求項3之熱敏電阻元件，其中該高密度聚乙烯之熔點大於115℃。
根據請求項3之熱敏電阻元件，其中該高密度聚乙烯包含兩種密度不同之高密度聚乙烯。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中該元件面積小於25mm² 。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中該高分子材料層包含經熱壓之緻密結構。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中該高分子材料層與同體積之該結晶性高分子聚合物之重量比值介於2.5~12之間。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中該導電填料佔該高分子材料層之重量百分比介於75~94%。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中於60℃時，其對應之維持電流除以該元件面積之值介於0.18~0.75A/mm² 之間。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其中於60℃對應之維持電流之熱切斷溫度介於65~85℃。
根據請求項1之熱敏電阻元件，其係以焊接方式電氣連接保護電路模組及二次電池成串聯或並聯結構。
根據請求項14之熱敏電阻元件，其中焊接包含點焊、迴焊、超音波焊接或雷射焊接。