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TWI431141B - 濺鍍裝置，二重回轉快門單元，及濺鍍方法 - Google Patents

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TWI431141B
TWI431141B TW099104445A TW99104445A TWI431141B TW I431141 B TWI431141 B TW I431141B TW 099104445 A TW099104445 A TW 099104445A TW 99104445 A TW99104445 A TW 99104445A TW I431141 B TWI431141 B TW I431141B
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Taichi Hiromi
Tadaaki Murakami
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Canon Anelva Corp
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Description

濺鍍裝置，二重回轉快門單元，及濺鍍方法
本發明係有關一種具有可用以製造薄膜的結構的濺鍍裝置、濺鍍方法及二重回轉快門單元，尤指具有複數靶子的濺鍍裝置、安裝在濺鍍裝置內的二重回轉快門單元，及濺鍍方法。
一種習知的濺鍍裝置係使用一藉組合兩可自主的受控制以回轉的快門來形成的二重回轉快門機構，自複數置於一真空室內的靶子選擇出一待濺鍍的靶子(見日本公開專利第2005-256112號案)。
日本公開專利第2005-256112號案所揭示的濺鍍裝置(複數陰極濺鍍沈積裝置)具有四個置於單一真空室內的靶子，及一具有兩可相互自主性的回轉，且分別具有開口的快門板的二重回轉快門機構。二重回轉快門機構藉組合形成於第一快門板內的開口及形成於第二快門板內的開口來選擇一靶子，及連續的釋出選擇出的靶子。藉上述方式，一薄膜可藉一預濺鍍作業及一主濺鍍作業而沈積在一基底上。
此濺鍍裝置控制第一快門板的旋轉操作，使得任何包容於其他靶子內的物質不會沈積在被選出待濺鍍的靶子上。如此可防止在預濺鍍時，任何包容於其他靶子內的物質物質黏著於選出的靶子的表面上。如此可防止在主濺鍍過程中發生任何污染交叉.
不幸的，上述二重回轉快門機構可能會因濺鍍材料及釋出/卸料(discharge)條件的關係而發生交叉污染。當例如傾向於大量散佈到周圍的金(Au)被選為濺鍍材料時，Au原子可能會不良的進入一盤托架及一毗鄰選出的濺鍍陰極的濺鍍陰極內，而在其等之上形成薄膜。
此外，由於日本公開專利第2005-256112號案所揭示的濺鍍裝置其濺鍍氣體入口是設於離濺鍍陰極(靶子)相當遠的位置，故靠近靶子的濺鍍氣體的壓力在釋出觸發(discharge triggering)時難以上升。此缺點造成難以釋出或在低壓釋出時不穩定。此也可能造成各個陰極位置的釋出壓力存有差異。
本發明是針對上述問題提出方案，且提供一種藉防止一濺鍍物質散佈到四周而可更可靠的防止交叉污染的濺鍍裝置，一種安裝在濺鍍裝置內的二重回轉快門單元，及一種濺鍍方法。
本發明的另一目的是提供一種可允許穩定釋出及釋出觸發的濺鍍裝置，一種安裝在濺鍍裝置內的二重回轉快門單元，及一種濺鍍方法。
本發明人提出可克服上述問題的方案，本發明藉將澱積護罩安裝在習知二重回轉快門機構的快門板上，即可可防止靶子的任何交叉污染及穩定濺鍍氣體壓力。
依據本發明的一型態，其提供一種濺鍍裝置，包含：複數設於一真空室內的濺鍍陰極；一二重回轉快門機構，具有一第一快門板及一第二快門板，設置成在面向該濺鍍陰極的同時，可自主性的回轉，且各具有至少一在一特定位置形成於其內的開口，該第二快門板是設於一比該第一快門板遠離該濺鍍陰極的位置；及第一澱積護罩，設於該濺鍍陰極及該第一快門板之間，且側向的包圍在該第一快門板之側的該濺鍍陰極的前表面區域。
依據本發明的另一型態，其提供一種二重回轉快門單元，包含：一第一快門板及一第二快門板，設置成在面向一設於一真空室內的濺鍍陰極的同時，可自主性的回轉，且各具有至少一在一特定位置形成於其內的開口，該第二快門板是設於一比該第一快門板遠離該濺鍍陰極的位置；其中一包圍該第一快門板內的開口的第二澱積護罩，係安裝於在該第二快門板之側的該第一快門板的一表面上。
依據本發明再一型態，其提供一種由一濺鍍裝置執行的濺鍍方法，該濺鍍裝置包含複數設於一真空室內的濺鍍陰極，及一具有第一快門板及第二快門板的二重回轉快門機構，第一快門板及第二快門板是設置成在面向該濺鍍陰極的同時，可自主性的回轉，且各具有至少一在一特定位置形成於其內的開口，該第二快門板是設於一比該第一快門板遠離該濺鍍陰極的位置；其中一側向的包圍在該第一快門板之側的該濺鍍陰極的一前表面區域的第一澱積護罩，是設於該濺鍍陰極及該第一快門板之間，且其中一包圍該第一快門板內的開口的第二澱積護罩，係安裝於在該第二快門板之側的該第一快門板的一表面上，該方法包含：一預濺鍍步驟，藉在該第一快門板內的開口是定位在該前表面區域內，而在該第二快門板內的開口並非定位在該前表面區域內的配置情形下，在導引一濺鍍氣體進入在該第一快門板之側的該濺鍍陰極的前表面區域內的同時執行釋放；一主濺鍍步驟，藉該第一快門板內的開口及該第二快門板內的開口均定位在該前表面區域內的配置情形下，在導引一濺鍍氣體進入在該第一快門板之側的該濺鍍陰極的前表面區域內的同時執行釋放。
依據本發明，可將一濺鍍氣體及一濺鍍物質自靶子的前表面上的電漿產生區移動通過其中的間隙加以狹窄化。如此在預濺鍍及主濺鍍過程中可防止一濺鍍物質散佈四周，而可穩定在靶子前表面上的電漿產生區內的濺鍍氣體壓力。因此提供一種濺鍍裝置，可防止靶子之間的交叉污染，且具有穩定釋出效率及優良的點火性能，一種安裝在濺鍍裝置內的二重回轉快門單元，及一種濺鍍方法。
本發明的特色將在參考下列示範性實施例及圖式後，有更清楚的認知。
本發明的一實施例將依據各附圖來說明。本文所述的各構件及配置僅在敘述各範例，而非在於侷限本發明。其等可修飾成各種形態，而不脫離本發明的範疇。
圖1至3是說明依據本發明一實施例的濺鍍裝置(複數陰極濺鍍沈積裝置)的視圖，其中圖1是濺鍍裝置的一概意剖視圖；圖2是一濺鍍陰極的周圍的放大示意圖；及圖3是濺鍍陰極的周圍的放大透視圖。為了簡單化敘述，有部分元件並未揭示於圖中。
依據本發明的濺鍍裝置1具有複數由不同材料製成的靶子(目標物)，及一在濺鍍沈積腔室(真空室)內的濺鍍陰極，及藉相繼的堆積由不同材料製成的薄膜於一基底上來形成一多層薄膜。在需要製造具有一GMR元件或TMR元件的磁頭或MRAM時，在不需中斷在真空室內，由基底最底層至最上層的沈積的情形下，濺鍍裝置1可藉濺鍍一多層薄膜而連續的堆積。因此，可有效的將磁性薄膜澱積在基底上。
濺鍍裝置1的一實施例將在下文中加以說明。如圖1所示，依據此實施例的濺鍍裝置1具有一真空室11、基底托架20、二重回轉快門機構30、濺鍍工具40及濺鍍氣體供應裝置(未示)為主要構成元件。雖然在圖1中，基底22在濺鍍裝置1內是設於上方側，而濺鍍工具40是設於下方側，但本發明也可適用於一種配置，其中基底22及濺鍍工具40是可視需要，而在上方及下方位置之間互換的。
真空室11是由習知用於濺鍍裝置上的不鏽鋼或鋁合金製成，且是一氣密中空本體、大致呈矩形的平行六面體。一用以負載/卸載基底22(基底輸送盤)的負載鎖室(未示)是藉一閘閥(未示)來連接至真空室11的側表面。
一排氣口13在靠近真空室11底表面處，形成於真空室11內。排氣口13是連接至一真空泵，例如乾泵(dry pump)、低溫泵、或渦輪分子泵，且可將真空室11抽空至約10-5 至10-7 Pa。
基底托架20是一檯面狀構件，可將基底22固持於其下表面上，且可使用一夾頭或基底輸送盤(均未示)來固持基底22。基底托架20係附接至一基質轉軸24上，且係被支撐於真空室11的上方部分，使得在維持氣密的同時，其垂直運動及回轉是可受控制的。一習知的垂直水平調節機構及回轉控制機構可用作基質轉軸24，本文將不敘述其細節。
二重回轉快門機構30係設於基底托架20及濺鍍工具40之間。二重回轉快門機構30具有一結構，其中兩個可經一轉軸自主性的受控制以回轉的快門板是成平行的垂直堆疊。設於濺鍍陰極42側(在靶子43之側)的快門板是第一快門板32，而設於基底托架20側(在基底22之側)的是第二快門板34。「平行」乙詞在此處的意涵是「大致(實質上)平行」。
轉軸36具有雙重結構，包括設於其外側邊的一管狀構件(未示)及設於其內側邊的一桿狀構件(未示)；兩者均可自主的受控制以回轉。管狀構件是連接至第一快門板32，而桿狀構件是連接至第二快門板34。一習知的回轉控制機構可用作轉軸36，故本文將不敘述其細節。
第一快門板32及第二快門板34具有形成於其等的特定部位上的開口32a及34a。例如，該第一快門板32具有一開口(第一開口)32a形成其內，而該第二快門板34具有一開口(第二開口)34a形成其內。各別開口(第一開口32a及第二開口34a)係建構成可在至少一靶子上對齊，且具有等於或稍大於靶子直徑的直徑。欲指出者，開口32a及34a的上述位置及數量只是範例，而本發明並不侷限於此。
第一開口32a及第二開口34a的邊緣較佳者是錐形的。濺鍍物質黏附在第一開口32a邊緣上的黏著量，可藉將此邊緣錐形化成為平滑彎曲狀而減少之。如此可防止，例如，任何不正常的釋出及污染，而致發生黏著於第一開口32a邊緣上的濺鍍物質剝落及掉落靶子43上的現象。
該第一快門板32較佳者是安裝有一澱積護罩(第二澱積護罩37)以包圍該形成的第一開口32a。
第二澱積護罩37的下方部分向內或向外彎折而自然的具有一概略L形橫斷面，且此下方部分是安裝在第一快門板32上。雖然第二澱積護罩37的高度可以是任意值，但應將其設定的夠低，以免第二澱積護罩37碰觸到第二快門板34，及足以抑制濺鍍氣體自靶子43的前表面區域遷移。在此實施例中，第二澱積護罩37及第二快門板34之間的間隙是調整為極小距離，超過此距離即妨礙到快門的回轉。
第二澱積護罩37與第一開口32a的邊緣間隔開一特定距離。更具體言之，第二澱積護罩37具有一等於濺鍍陰極42直徑的直徑，以防止受到濺鍍陰極42所產生的磁場的不良影響。由第一開口32a的周圍(邊緣)至第二澱積護罩37內部之間的距離是由第二澱積護罩37的直徑來決定。濺鍍陰極42所產生的磁場的不良影響是釋出的不穩定性。
另一方面，由第一開口32a的邊緣至第二澱積護罩37內部之間的直接距離需設定成比第二澱積護罩37的高度為長。此設定距離可大幅減小黏著在第二澱積護罩37上的物質掉落入第一開口32a的機率，即便是此物質剝落且部分懸掛在第一開口32a上。即是，如此可防止任何不正常的釋出及污染，而不致發生剝落的物質黏著於靶子43上的現象。
在此實施例中，第二澱積護罩37是在滿足上述所有條件的情形下，安裝在第一快門板32上。
雖然當由第一開口32a的邊緣至第二澱積護罩37內部之間的距離是設定的較長時也可得相同效果，但此距離最好是約為第二澱積護罩37高度的兩倍或低於此值；以防止第二澱積護罩37接觸到沿第一快門板的另一開口設置的毗鄰的第二澱積護罩。在此實施例中，第二澱積護罩37的高度是13 mm，而由第一開口32a的邊緣至第二澱積護罩37內部之間的距離是16 mm。
濺鍍工具40具有複數設於真空室11底表面上的特定位置的濺鍍陰極42，及包含有用於濺鍍沈積的物質的靶子43，充當主要構成元件。靶子43係固定在設於濺鍍陰極42上表面上的背靠板44。
在此實施例中，濺鍍工具40具有四個濺鍍陰極42，其上分別設置有包含有不同濺鍍物質的靶子43。濺鍍陰極42是一磁控管電極，具有設於背靠板44下方側的旋轉磁鐵47。
如圖2所示，各濺鍍陰極42的側表面被概為圓柱狀構件45所包圍，而其外周圍，在背靠板44側邊上，是被一環狀陰極遮蔽46(cathode shield)所覆蓋。在靶子43附接至濺鍍陰極42上的同時，陰極遮蔽46包圍靶子43的外周圍，以便與靶子43的上表面在大致同一表面水平。各濺鍍陰極42及各圓柱狀構件45之間，及各濺鍍陰極42及各陰極遮蔽46之間，具有特定間隙形成於其等之間。雖然圓柱狀構件45在此實施例中的具有圓形圓柱狀，本發明並不侷限於此，只要是圓柱狀構件45具有包圍各濺鍍陰極42的形狀即可。
濺鍍陰極42的一實施例將在下文中加以說明。圓柱狀構件45概為圓形圓柱狀的不鏽鋼構件，以其等之間有一特定間隙的情形下覆蓋濺鍍陰極42。圓柱狀構件45的上方端連接至陰極遮蔽46的外方邊緣，而其下方端固定及固持在濺鍍陰極42的側表面上，或在真空室11的底表面上。圓柱狀構件45內側表面及濺鍍陰極42側表面之間的間隙是調整為極小距離，超過此距離即妨礙到快門的回轉。
圓柱狀構件45的下方端最好是沿整個周長固定至濺鍍陰極42的側表面，或是真空室11的底表面上，同時維持氣密。
陰極遮蔽46概為環狀不鏽鋼構件，設置成平行於靶子43，且在其間具有一特定間隙的情形下包圍靶子43的外方周圍。陰極遮蔽46的外方邊緣是沿整個周長氣密的接觸圓柱狀構件45的上方端。雖然陰極遮蔽46內部邊緣及靶子43的側表面43之間的間隙可以是任意距離，但陰極遮蔽46較佳者是沿整個周長與靶子43的外方周圍間隔開一特定距離。本文中，上述的「平行」乙詞係指「實質上平行」，而「一特定距離」乙詞係指「一實質特定距離」。
如下文將述及者，形成於濺鍍陰極42及圓柱狀構件45之間，及濺鍍陰極42與陰極遮蔽46之間的間隙是充當濺鍍氣體導入路徑及氣體出口54。
雖然陰極遮蔽46是設置成幾乎與靶子43的上表面齊平，但其也可設置成稍微高於靶子43，或設置成覆蓋靶子43的上方外緣。
陰極遮蔽46的特點為具有第一澱積護罩38，安裝在其上表面(其在第一快門板32之側的表面)。第一澱積護罩38係設於陰極遮蔽46及第一快門板32之間。第一澱積護罩38的下方部分係向內或向外彎折，而自然的具有一概略L形橫斷面，且此下方部分是安裝在陰極遮蔽46上。雖然第一澱積護罩38的高度可以是任意值，但應將其設定的夠低，以免第一澱積護罩38碰觸到第一快門板32，及足以抑制濺鍍氣體自靶子43的前表面區域遷移。
第一澱積護罩38的直徑最好是設定成與形成於第一快門板32內的第一開口32a的直徑相等。此有助於將濺鍍物質黏著於第一快門板32的區域的面積減至最小。
上述第一澱積護罩38也可安裝在第一快門板32的下表面上。此外，一與第一澱積護罩38相對應的構件可藉使圓柱狀構件45延伸向第一快門板32而形成。在任一情形下，均可達成與上述配置(其中第一澱積護罩38是安裝在陰極遮蔽46的上表面上)相同的效果。
濺鍍氣體供應裝置(未示)具有至少一充當濺鍍氣體供應源的貯氣瓶(未示)、一濺鍍氣體導管(未示)及氣體出口54。該管具有，例如，一閥及流量控制器(均未示)。由貯氣瓶供應的濺鍍氣體，經由該管被導入真空室11，且自氣體出口54釋出。
如圖2所示，此實施例的氣體出口54構成在靶子43及陰極遮蔽46之間的上述間隙。此外，該管也連接至一氣體入口52，此氣體入口52將一濺鍍氣體導入濺鍍陰極42及圓柱狀構件45之間的間隙內。即是，一濺鍍氣體經該管由氣體入口52導入濺鍍陰極42及圓柱狀構件45之間的間隙，且隨後自靶子43及陰極遮蔽46之間的間隙(氣體出口54)導引出，而進入靶子43的前表面區域(電漿產生區)。
藉將一濺鍍氣體導入在濺鍍陰極42及圓柱狀構件45之間的間隙內，則供應入在靶子43及陰極遮蔽46之間的間隙(氣體出口54)的氣體壓力得以穩定。即是，可減小歸因於氣體導引位置所導致的濺鍍氣體壓力的波動及濺鍍氣體壓力的差異。此原因之一是一氣體被選擇性的導入釋出靶子部位。另一原因是因為氣體出口54是環狀，故氣體在圓形靶子上有效的循環。
藉將濺鍍陰極42及圓柱狀構件45之間的間隙設計成比靶子43及陰極遮蔽46之間的間隙為大，可使濺鍍氣體壓力穩定。這是因為在暫時性的儲存濺鍍氣體時，強化了緩衝作用。
如上文所述及者，藉導引一濺鍍氣體經介於靶子43及陰極遮蔽46之間的間隙(氣體出口54)至靶子43的前表面，濺鍍氣體可藉環狀循環由靶子43外方邊緣的整個周長均勻的供應進入靶子43的前表面區域內，故而穩定了此區域內的濺鍍氣體的壓力。此外，第一澱積護罩38及第二澱積護罩37可調節自靶子43的前表面區域流出的濺鍍氣體的量。因此可將靶子43的前表面區域內的濺鍍氣體的壓力設定成比在與靶子43間隔開的真空室11內的濺鍍氣體的壓力高。如此可提供一具有較穩定釋出效率及釋出激發性(點火性能)的濺鍍裝置1。本文中，在快門板側邊上的靶子43前表面區域及濺鍍陰極42前表面區域係指在基底22側邊上的靶子43及濺鍍陰極42的電漿產生區。
二重回轉快門單元(二重回轉快門機構30)較佳者是事先藉將安裝第二澱積護罩37的第一快門板32及第二快門板34整合成一體來形成。此整合可藉在第一快門板32及第二快門板34被組裝至濺鍍裝置1上時，調節其等之間的間隙量(大小)及其他操作，而便利其等(第一快門板及第二快門板的定位)。即是，可改良維修效率及組裝精度。
依據此實施例的濺鍍裝置1的操作及效果將在下文中加以說明。
首先，在形成於第一快門板32的第一開口32a的位置與靶子43的位置相對齊，而形成於第二快門板34的第二開口34a的位置不與靶子43的位置相對齊的情形下，執行預濺鍍。即是，靶子43的前表面區域被第一澱積護罩38、第二澱積護罩37及第二快門板34所包圍。由於濺鍍氣體是由靶子43外方周圍的氣體出口54所導引，故在靶子43前表面區域內的濺鍍氣體的壓力可立即上升而便利點火及釋出。
第一澱積護罩38及第二澱積護罩37防止被此預濺鍍所濺鍍的物質進入一毗鄰的靶子43內。如此可防止靶子43之間的交叉污染。在此需一提者，在第二快門板34上的相同位置是被控制成設於一靶子43的上方側。即是，在預濺鍍時，在第二快門板34上的各別特定區域是面對相對應的靶子43。如此可防止在預濺鍍時，由於包容於各別靶子43內的物質黏著於定位在各別靶子43上方側的第二快門板34的下表面而造成的任何污染。
其次，在形成於第一快門板32的第一開口32a的位置及形成於第二快門板34的第二開口34a的位置均與靶子43的位置相對齊的情形下，執行主濺鍍。即是，靶子43的前表面區域是側向的被第一澱積護罩38及第二澱積護罩37所包圍，但是對基底22敞口的。同樣的，由於濺鍍氣體是由靶子43外方周圍的氣體出口54所導引，故在靶子43前表面區域內的濺鍍氣體的壓力可立即上升而便利點火及釋出(尤其是低壓釋出)。
由於第一澱積護罩38及第二澱積護罩37也可防止主濺鍍所濺鍍的物質進入毗鄰的靶子43，故靶子43之間不會有交叉污染發生。
當立即濺鍍複數靶子43時，上述狀態可藉改變形成於第一快門板32及第二快門板34內的開口的配置及數量來設定。
如上文所述及者，依據此實施例的濺鍍裝置1可將一濺鍍氣體及濺鍍物質通過其中的間隙加以狹窄化，該濺鍍氣體及濺鍍物質係藉分別安裝在陰極遮蔽46及第一快門板32上的第一澱積護罩38及第二澱積護罩37的至少一者，自靶子43的前表面上的電漿產生區移動通過該間隙。
基於此原因，可防止被濺鍍的濺鍍物質在預濺鍍及主濺鍍的過程中濺散至周圍，進而可穩定在靶子43前表面區域內的濺鍍氣體的壓力。如此，即便是濺鍍一傾向於大量散佈至周圍的物質(例如Au)，也可防止靶子43之間的任何交叉污染，及獲得穩定釋出及優良的點火性能。
此外，濺鍍氣體壓力在藉導引濺鍍氣體通過靶子43外方周圍及概為環狀陰極遮蔽46之間的間隙，均勻的供應至靶子43的前表面區域內的同時，可被穩定化。此外，在靶子43的前表面區域內的濺鍍氣體壓力可設定為比與靶子43間隔開的真空室11內的壓力為高。尤其是由於氣體供應口(氣體出口54)是位於靶子43附近，故當觸發器需要暫時性的高壓力時，可獲得高濺鍍氣體壓力。也可在濺鍍氣體壓力介於高壓至低壓之間的廣泛範圍內常獲得穩定釋出。因此可得較穩定的釋出及較佳點火性能。
依據此實施例的濺鍍裝置1具有二重回轉快門機構30，因此與其中快門是獨立設於各別濺鍍陰極43上的結構(分離的快門結構)相較下，可小型化及減低成本。由於於分離的快門結構不同，濺鍍裝置1不需設有空隙，以當快門打開時來讓快門板穿過，也不需為各別的快門設置回轉導引機構。
雖然在此實施例中第一快門板及第二快門板安裝了澱積護罩，但是即便是僅有第一快門板安裝了澱積護罩，本發明的效果也可滿意的獲得。
雖然本發明係以示範性實施例來敘述，但是本發明並不侷限於該等示範性實施例。下列申請專利範圍的範疇應廣義的闡述，以涵蓋所有的修飾例、等效結構及功能。
1．．．濺鍍裝置
11．．．真空室
13．．．排氣口
20．．．基底托架
22．．．基底
24．．．基質轉軸
30．．．二重回轉快門機構
32．．．第一快門板
32a．．．第一開口
34．．．第二快門板
34a．．．第二開口
36．．．轉軸
37‧‧‧第二澱積護罩
38‧‧‧第一澱積護罩
40‧‧‧濺鍍工具
42‧‧‧濺鍍陰極
43‧‧‧靶子
44‧‧‧背靠板
45‧‧‧圓柱狀構件
46‧‧‧陰極遮蔽
47‧‧‧旋轉磁鐵
52‧‧‧氣體入口
54‧‧‧氣體出口
圖1是濺鍍裝置的概意剖視圖；
圖2是一濺鍍陰極周圍的放大示意圖；及
圖3是濺鍍陰極周圍的放大透視圖。
30．．．二重回轉快門機構
32．．．第一快門板
32a．．．第一開口
34．．．第二快門板
34a．．．第二開口
37．．．第二澱積護罩
38．．．第一澱積護罩
43．．．靶子
44．．．背靠板
45．．．圓柱狀構件
46．．．陰極遮蔽
47．．．旋轉磁鐵
52．．．氣體出口

Claims (8)

  1. 一種濺鍍裝置，包含：複數濺鍍陰極，設於一真空室內；一二重回轉快門單元，具有一第一快門板及一第二快門板，設置成可自主性的回轉，且各具有至少一在一特定位置形成於其內的開口，該第二快門板是設於一比該第一快門板遠離該濺鍍陰極的位置，在該第一快門板的開口之位置對齊該等濺鍍陰極的前表面區域，且該第二快門板的開口之位置未對齊該等濺鍍陰極的該前表面區域的情況下，執行預濺鍍，並且，在該第一快門板的開口及該第二快門板的開口之該等位置均對齊該等濺鍍陰極的該前表面區域的情況下，執行濺射沉積；及澱積護罩，設於該第一快門板及該第二快門板之間以防止設在該等濺鍍陰極之靶子的濺鍍物質，藉由執行濺射沉積時濺鍍物質在該第一快門板及該第二快門板之間的間隙的移動，而附著到其他設於該等濺鍍陰極上之靶子，其中，設於該第一快門板及該第二快門板之間的該澱積護罩圍繞與該等濺鍍陰極的該前表面區域對齊的該第一快門板的開口以及該第二快門板的開口。
  2. 如申請專利範圍第1項的濺鍍裝置，更包括另一澱積護罩，設於該濺鍍陰極及該第一快門板之間，且側向的包圍該濺鍍陰極的前表面區域。
  3. 如申請專利範圍第1項的濺鍍裝置，其中該澱積護罩是建構成具有與該濺鍍陰極的直徑相同的直徑。
  4. 如申請專利範圍第1項的濺鍍裝置，其中該濺鍍陰極包含：一陰極遮蔽，以與一靶子的外方周圍之間具有一特定間隙的方式包圍該靶子外方周圍，及一圓柱狀構件，連接至該陰極遮蔽，且以與該濺鍍陰極的一側表面具有一特定間隙的方式包圍該濺鍍陰極的側表面；及其中濺鍍氣體可經該濺鍍陰極及該圓柱狀構件之間的間隙，與該靶子及該陰極遮蔽之間的間隙，被導引入該靶子的前表面上。
  5. 如申請專利範圍第2項的濺鍍裝置，其中該另一澱積護罩係安裝於在該第一快門板之側的該陰極遮蔽的一表面。
  6. 如申請專利範圍第1項的濺鍍裝置，其中在該第一快門板內的一開口的邊緣是錐形的。
  7. 一種二重回轉快門單元，包含：一第一快門板及一第二快門板，設置成可自主性的回轉，且各具有至少一在一特定位置形成於其內的開口，該第二快門板是設於一比該第一快門板遠離該濺鍍陰極的位置，在該第一快門板的開口之位置對齊該等濺鍍陰極的前表面區域，以及該第二快門板的開口之位置未對齊該等濺鍍陰極的該前表面區域的情況下，執行預濺鍍，並且，在該第一快門板的開口及該第二快門板的開口之該等位置均對齊該等濺鍍陰極的該前表面區域的情況下，執行濺射沉積； 其中，一澱積護罩係設於該第一快門板及該第二快門板之間以防止設在該等濺鍍陰極之靶子的濺鍍物質，藉由執行濺射沉積時濺鍍物質在該第一快門板及該第二快門板之間的間隙的移動，而附著到其他設於該等濺鍍陰極上之靶子，以及其中，設於該第一快門板及該第二快門板之間的該澱積護罩係圍繞與該等濺鍍陰極的該前表面區域對齊的該第一快門板的開口以及該第二快門板的開口。
  8. 一種由一濺鍍裝置執行的濺鍍方法，該濺鍍裝置包含複數設於一真空室內的濺鍍陰極，及一具有第一快門板及第二快門板的二重回轉快門單元，第一快門板及第二快門板是設置成可自主性的回轉，且各具有至少一在一特定位置形成於其內的開口，該第二快門板是設於一比該第一快門板遠離該濺鍍陰極的位置，在該第一快門板的開口之位置對齊該等濺鍍陰極的前表面區域，以及該第二快門板的開口之位置未對齊該等濺鍍陰極的該前表面區域的情況下，執行預濺鍍，並且，在該第一快門板的開口及該第二快門板的開口之該等位置均對齊該等濺鍍陰極的該前表面區域的情況下，執行濺射沉積；以及一澱積護罩係設於該第一快門板及該第二快門板之間以防止設在該等濺鍍陰極之靶子的濺鍍物質，藉由執行濺射沉積時濺鍍物質在該第一快門板及該第二快門板之間的間隙的移動，而附著到其他設於該等濺鍍陰極上之靶子，其中，設於該第一快門板及該第二快門板之間的該澱 積護罩係圍繞與該等濺鍍陰極的該前表面區域對齊的該第一快門板的開口以及該第二快門板的開口，該方法包含：一預濺鍍步驟，藉在該第一快門板內的開口是定位在該前表面區域內，而在該第二快門板內的開口並非定位在該前表面區域內的配置情形下，在導引一濺鍍氣體進入在該第一快門板之側的該濺鍍陰極的前表面區域內的同時執行釋出；一主濺鍍步驟，藉該第一快門板內的開口及該第二快門板內的開口均定位在該前表面區域內的配置情形下，在導引一濺鍍氣體進入在該第一快門板之側的該濺鍍陰極的前表面區域內的同時執行釋出。
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