TWI431091B

TWI431091B - Wafer processing tape

Info

Publication number: TWI431091B
Application number: TW99110745A
Authority: TW
Inventors: Kunihiko Ishiguro; Shinichi Ishiwata; Yasumasa Morishima
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2010-04-07
Filing date: 2010-04-07
Publication date: 2014-03-21
Also published as: TW201134908A

Description

晶圓加工用膠帶

本發明係關於一種在將半導體晶圓切斷成半導體元件(晶片)的切割工程、及將所被切斷的晶片與引線架及其他晶片接著的晶粒黏合(die bonding)工程等兩個工程所被使用的晶圓加工用膠帶。

在半導體裝置的製造工程中，實施將半導體晶圓切斷(dicing)成晶片單位的工程、拾取所被切斷的半導體元件(晶片)的工程、進一步將所被拾取的晶片接著於引線架及封裝基板等的晶粒黏合(安裝)工程。

作為用於上述半導體裝置的製造工程的晶圓加工用膠帶，已知有在基材薄膜上，依次形成有黏著劑層與接著劑層的晶圓黏著用薄膜(例如參照專利文獻1)。

但是，藉由屬於最為一般使用的切割方法的高速旋轉的薄型砥石(切割刀)來切斷晶片時，伴隨著晶片的薄型化，由於切割刀的旋轉振動，相鄰的晶片彼此相接觸，存在有產生晶片破裂或晶片缺損等屑片的問題。

為了減少如上所示之切割時的屑片(chipping)，已知有一種晶圓加工用膠帶，將半導體元件的厚度設為W(μm)、接著劑層的厚度設為A(μm)、接著劑層硬化後之25℃時的貯藏彈性係數設為E(GPa)時，以W×E/A=Q表示的Q的值為0.5～80(例如參照專利文獻2)。

(先前技術文獻) (專利文獻)

(專利文獻1)日本特開2002-226796號公報

(專利文獻2)日本特開2005-026547號公報

在上述專利文獻2所記載的晶圓加工用膠帶中，並未考慮到接著劑層和黏著劑層的關係，而依接著劑層和黏著劑層的組合，會有無法防止晶片破裂或晶片缺損等屑片的問題。

因此，本發明的目的在於提供一種可以降低切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片(chipping)的晶圓加工用膠帶。

本發明人等發現使用具有基材薄膜、設置在基材薄膜上的黏著劑層、及設置在黏著劑層上的接著劑層的晶圓加工用膠帶來製造半導體裝置時，由於切割時的晶片彼此的接觸係因切割刀旋轉振動而產生，因此為了降低切割時的晶片破裂或晶片缺損，使黏著薄膜具有吸收振動的功能(應力吸收性能)則極為有效。

本發明係根據上述發現研創而成。

本發明第1態樣的晶圓加工用膠帶，係具有：由基材薄膜和設置在該基材薄膜上的黏著劑層所構成的黏著薄膜、及設置在前述黏著劑層上的接著劑層的晶圓加工用膠帶，其特徵在於：使前述黏著薄膜具有吸收振動的功能。

根據該構成，由於使黏著薄膜具有吸收振動的功能，因此，在切割時，接著劑層因切割刀的旋轉振動所引起的振動會被黏著薄膜所吸收，難以傳遞到晶片，而降低鄰接晶片彼此的接觸。藉此，降低切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片。

本發明第2態樣的晶圓加工用膠帶，其特徵在於：將前述黏著薄膜在80℃的損耗角正切設定為tanδfilm，將前述接著劑層在80℃的損耗角正切設定為tanδad時，tanδad/tanδfilm為5.0以下。

根據該構成，藉由將tanδad/tanδfilm設定為5.0以下，黏著薄膜軟化為可以充分吸收振動的程度。因此，接著劑層因切割刀的旋轉振動所引起的振動會被黏著薄膜所吸收，難以傳遞到晶片，而降低鄰接晶片(經單片化的附接著劑層的晶片)彼此的接觸。藉此，降低切割時的晶片破裂或晶片缺損等的屑片。較佳為tanδad/tanδfilm為3.4以下。

藉由本發明，可以實現可以降低切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片的晶圓加工用膠帶。

以下，根據圖示，對本發明之實施形態進行說明。

第1圖係表示一實施形態的晶圓加工用膠帶10的剖面圖。該晶圓加工用膠帶10具有：由基材薄膜12a和形成於其上的黏著劑層12b所構成的黏著薄膜12、及層積於該黏著薄膜12上的接著劑層13。如上所示，在晶圓加工用膠帶10，依序形成有基材薄膜12a、黏著劑層12b、和接著劑層13。

其中，黏著劑層12b可由一層黏著劑層所構成，亦可由層積有兩層以上的黏著劑層者所構成。其中，在第1圖中係顯示為了保護接著劑層13，而在晶圓加工用膠帶10上設置剝離襯墊11的情形。

黏著薄膜12及接著劑層13亦可配合使用工程或裝置而預先切斷(預切割)成規定形狀。本發明的晶圓加工用膠帶係包含：按半導體晶圓每一片份予以切斷的形態、和將形成有複數個其的長條片材捲繞在輥上的形態。

本實施形態的晶圓加工用膠帶10之特徵在於具有以下的構成。將黏著薄膜12的80℃的損耗角正切設定為tanδfilm，將接著劑層13的80℃的損耗角正切設定為tanδad時，tanδad/tanδfilm為5.0以下。較佳為tanδad/tanδfilm為3.4以下。

一般而言，對樣品週期性地賦予變形ε時，如果樣品為完全的彈性體，則與其對應的應力σ不會發生時間上的遲緩，而以同相位表現。但是，在樣品上存在黏性要素時，響應會產生遲緩(變形的輸入和響應的相位差δ)。具有該時間上的遲緩的變形ε和應力σ係藉由下述式(1)作為複彈性係數(complex elastic modulus)(E^* )表示。

E^* =σ/ε

E^* =E’+iE”　…式(1)

另外，在本發明中使用的損耗角正切tanδ係藉由下述式(2)表示。

tanδ=E”/E’　…式(2)

在此，E’為貯藏彈性係數，E”為損失彈性係數。

貯藏彈性係數E’係表示彈性上的性質，損失彈性係數E”及損耗角正切tanδ係表示黏性上、亦即能量損失的性質。

如上所示，以相當於黏性的損失彈性係數E”和相當於彈性的貯藏彈性係數E’的比(E”/E’)所表示的損耗角正切tanδ係反映振動吸收性，其值愈大，黏性愈高(變軟)，振動吸收性愈高。相反地，其值愈小，黏性愈低(變硬)，振動吸收性愈低。

當tanδad/tanδfilm超過5.0時，相對於接著劑層13，黏著薄膜12過硬，因此，在切割時，切割刀21(第3圖)的旋轉振動不能藉由黏著薄膜12被充分吸收，該旋轉振動引起的接著劑層13的振動會傳遞到半導體晶片2。由此，鄰接的半導體晶片2(經單片化之附接著劑層的半導體晶片2)彼此相接觸，產生晶片破裂或晶片缺損。若tanδad/tanδfilm為5.0以下，較佳為3.4以下，則黏著薄膜12亦較軟，因此，接著劑層13因切割刀21的旋轉振動而引起的振動會藉由黏著薄膜12而被充分吸收而降低，難以傳遞到半導體晶片2。由此，鄰接的半導體晶片2彼此間的接觸被降低。由此，切割時的晶片破裂或晶片缺損等的屑片被減低。

以下，針對本實施形態的晶圓加工用膠帶10的各構成要素詳加說明。

(接著劑層)

接著劑層13在貼合半導體晶圓1等並予以切割後，在拾取半導體晶片2時，從黏著薄膜12剝離而附著在半導體晶片2上，作為將半導體晶片2固定在基板或引線架時的接著劑加以使用。因此，接著劑層13在拾取工程中，具有可以在附著於經單片化的半導體晶片2的狀態下從黏著薄膜12剝離的剝離性，此外具有充分的接著可靠性，俾以在晶粒黏合工程中，將半導體晶片2接著固定於基板或引線架。

接著劑層13為將接著劑預先進行膜化而得者，可以使用例如用於接著劑的周知的聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物。

從硬化後的耐熱性良好方面來看，尤其以使用環氧樹脂為佳。環氧樹脂若為硬化而呈現接著作用者即可。作為環氧樹脂，以高Tg(玻璃轉化溫度)化為目的，可添加多官能環氧樹脂，以多官能環氧樹脂而言，例示有：苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等。環氧樹脂的硬化劑係可以使用通常作為環氧樹脂硬化劑加以使用者，可列舉：胺類、聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、及1分子中具有2個以上酚性羥基的化合物即雙酚A、雙酚F、雙酚S等。尤其由於吸濕時的耐電蝕性優異，因此以使用屬於酚醛樹脂的苯酚酚醛清漆樹脂及雙酚酚醛清漆樹脂為佳。另外，從可以縮短用於硬化的熱處理的時間方面來看，較佳為與硬化劑一起使用硬化促進劑。以硬化促進劑而言，可以使用2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯等各種咪唑類等的鹽基。

另外，為了強化對半導體晶片2或引線架20的接著力，以將矽烷耦合劑或鈦耦合劑作為添加劑而添加於上述材料或其混合物中為宜。另外，亦可以耐熱性的提高或流動性的調節為目的而添加填料。以如上所示之填料而言，有二氧化矽、氧化鋁、銻氧化物等。該等填料若為最大粒子徑比接著劑層13的厚度小，即可以任意比例來摻合不同粒子徑的填料。

為了提高tanδad，可加多環氧樹脂及酚醛樹脂等低分子量成分，減少丙烯酸樹脂等高分子量成分。此外，在摻合填料時，可減少填料摻合量，為了降低tanδ，可以與上述相反地進行。

接著劑層13的厚度沒有特別限制，通常以5～100μm左右為佳。此外，接著劑層13係可層積在黏著薄膜12的黏著劑層12b的全面上，亦可將預先切斷(預切割)成與所貼合的半導體晶圓1相對應的形狀的接著劑層層積在黏著劑層12b的一部分上。在將切斷成與半導體晶圓1相對應的形狀的接著劑層13作層積時，如第2圖所示，在貼合半導體晶圓1的部分係有接著劑層13，在貼合切割用的環狀框架20的部分並沒有接著劑層13，而僅存在有黏著薄膜12的黏著劑層12b。一般而言，接著劑層13難以與被接體剝離，因此，藉由使用經預切割的接著劑層13，可得到如下效果：可使環狀框架20貼合於黏著薄膜12，且在使用後的片材剝離時不易在環狀框架產生殘漿。

(黏著薄膜)

黏著薄膜12具有充分的黏著力，俾以在切割半導體晶圓1時，半導體晶圓1不會剝離，並且具有低黏著力，俾以在切割後，在拾取半導體晶片2時，可輕易地從接著劑層13剝離。在本實施形態中，如第1圖所示，黏著薄膜12係使用在基材薄膜12a設有黏著劑層12b的黏著薄膜。

以黏著薄膜12的基材薄膜12a而言，只要是以往週知的基材薄膜，就可以沒有特別限制地使用，如後所述，在本實施形態中，以黏著劑層12b而言，使用能量硬化性的材料中的放射線硬化性的材料，因此使用具有放射線透射性者。

例如，作為基材薄膜12a的材料，可以列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或者該等化合物的混合物；聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯類共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體及該等化合物的混合物。此外，基材薄膜12a可為選自該等群組的2種以上的材料混合而成者，亦可為將該等進行單層或複層化而得者。基材薄膜12a的厚度沒有特別限定，可以適當設定，以50～200μm為佳。

tanδfilm係用於基材薄膜12a的樹脂的構造而引起的。更詳而言之，分子量愈高且纏繞點間分子量愈小，則tanδfilm愈高。

在本實施形態中，藉由對黏著薄膜12照射紫外線等放射線，使黏著劑層12b硬化，可輕易從接著劑層13剝離黏著劑層12b，因此，較佳為在黏著劑層12b的樹脂中適當摻合黏著劑所使用的週知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、加成反應型有機聚矽氧烷系樹脂、矽丙烯酸酯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚異戊二烯或苯乙烯‧丁二烯共聚物或其加氫物等各種彈性體等或在其混合物中適當摻合放射線聚合性化合物而調製黏著劑。此外，亦可添加各種界面活性劑或表面平滑劑。黏著劑層的厚度沒有特別限定，可以適當設定，以5～30μm為佳。

該放射線聚合性化合物係使用例如可藉由光照射而三次元網狀化的分子內具有至少2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物、或取代基中具有光聚合性碳-碳雙鍵基的聚合物或低聚物。具體而言，可以使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等、矽丙烯酸酯等、丙烯酸或各種丙烯酸酯類的共聚物等。

此外，除如上所述的丙烯酸酯類化合物之外，還可以使用胺基甲酸酯丙烯酸酯類低聚物。胺基甲酸酯丙烯酸酯類低聚物係使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)與末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物反應而得，該末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物係使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物、與多元異氰酸酯化合物(例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得。其中，在黏著劑層12b亦可混合選自上述樹脂的2種以上而成者。

其中，對於黏著劑層12b的樹脂，除對黏著薄膜12照射放射線而使黏著劑層12b硬化的放射線聚合性化合物之外，亦可適當摻合丙烯酸類黏著劑、光聚合引發劑、硬化劑等而調製黏著劑層12b。

使用光聚合引發劑時，可使用例如苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等光聚合引發劑的摻合量係以相對丙烯酸類共聚物100質量份為0.01～5質量份為佳。

(晶圓加工用膠帶的使用方法)

在半導體裝置的製造工程中，晶圓加工用膠帶10如下使用。在第2圖中，表示在晶圓加工用膠帶10貼合有半導體晶圓1與環狀框架20的情形。首先，如第2圖所示，將黏著薄膜12的黏著劑層12b黏貼在環狀框架20，使半導體晶圓1與接著劑層13相貼合。該等的黏貼順序沒有限制，可在使半導體晶圓1與接著劑層13相貼合後，將黏著薄膜12的黏著劑層12b黏貼在環狀框架20。此外，亦可同時進行黏著薄膜12在環狀框架20的黏貼、與半導體晶圓1在接著劑層13的貼合。

而且，實施半導體晶圓1的切割工程(第3圖)，接著，實施對黏著薄膜12照射能量線、例如紫外線的工程。具體而言，為了利用切割刀21來切割半導體晶圓1與接著劑層13，藉由吸附台22從黏著薄膜12面側吸附支撐晶圓加工用膠帶10。而且，利用切割刀21將半導體晶圓1與接著劑層13切斷成2單元半導體晶片並進行單片化，之後，從黏著薄膜12的下面側照射能量線。藉由該能量線照射，使黏著劑層12b硬化，使其黏著力降低。其中，可取代能量線的照射，利用加熱等外部刺激而使黏著薄膜12的黏著劑層12b的黏著力降低。黏著劑層12b由兩層以上的黏著劑層層積而構成時，亦可藉由能量線照射使各黏著劑層內的一層或所有層硬化，使各黏著劑層內的一層或所有層的黏著力降低。

之後，如第4圖所示，實施將保持有經切割的半導體晶片2及接著劑層13的黏著薄膜12朝環狀框架20的圓周方向拉伸的擴展工程。具體而言，相對保持有經切割的複數個半導體晶片2及接著劑層13的狀態的黏著薄膜12，使中空圓柱形狀的頂出構件30從黏著薄膜12的下面側上升，使黏著薄膜12朝環狀框架20的圓周方向拉伸。藉由擴展工程，加寬半導體晶片2彼此的間隔，提高藉由CCD攝影機等所得之半導體晶片2的識別性，同時，可以防止在拾取時由於鄰接的半導體晶圓2彼此相接觸而產生的半導體晶片彼此的再接著。

實施擴展工程後，如第5圖所示，在將黏著薄膜12作擴展的狀態下，實施拾取半導體晶片2的拾取工程。具體而言，從黏著薄膜12的下面側利用銷31將半導體晶片2頂出，同時，從黏著薄膜12的上面側利用吸附夾具32吸附半導體晶片2，由此，將經單片化的半導體晶片2連同接著劑層13一起拾取。

而且，在實施拾取工程後，實施晶粒黏合工程。具體而言，利用在拾取工程中連同半導體晶片2一起被拾取的接著劑層13，將半導體晶片2接著在引線架或封裝基板等。

接著，針對本發明之實施例進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。

將具有表1所示的接著劑層(A)～(C)的接著薄膜及黏著薄膜(1)～(3)分別切割成直徑370mm、320mm的圓形，且將黏著薄膜(1)～(3)之任一者的黏著劑層、和具有接著劑層(A)～(C)之任一者的接著薄膜的接著劑層相貼合。最後，將接著薄膜的PET膜從接著劑層剝離，得到表1所示的實施例1～4及比較例1～5的各晶圓加工用膠帶。

(接著劑層的製作)

＜接著劑層(A)＞

將作為環氧樹脂的YDCN-703(東都化成(股)製商品名，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧當量210g/eq、分子量1200、軟化點80℃)50重量份、作為酚醛樹脂的Milex XLC-LL(三井化學(股)製商品名、羥基當量175g/eq、吸水率1.8%、350℃時的加熱重量減少率4%)50重量份、作為矽烷耦合劑的Z-6044(東麗‧道康寧(股)製商品名、3-環氧丙氧基丙基甲基甲氧基矽烷)0.35重量份、作為二氧化矽填料的S0-C2(Admatechs(股)製商品名、比重2.2g/cm³ 、莫氏硬度7、平均粒子徑0.5μm、比表面積6.0m² /g)35重量份、作為硬化促進劑的Curezol 2PZ(四國化成(股)製商品名、2-苯基咪唑)3重量份、作為丙烯酸樹脂的SG-P3(Nagase chemteX(股)製商品名、重量平均分子量85萬、玻璃轉化溫度10℃)250重量份在有機溶劑中進行攪拌，得到接著劑層組成物。將該接著劑層組成物塗敷在經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，進行乾燥而製作出具有膜厚20μm的接著劑層(A)的接著薄膜。該接著劑層(A)的動態黏彈性測定所得之硬化前80℃的損耗角正切tanδad為0.162。該損耗角正切tanδad的測定方法如後所述。

＜接著劑層(B)＞

將作為環氧樹脂的YDCN-703(東都化成(股)製商品名，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧當量210g/eq、分子量1200、軟化點80 ℃)55重量份、作為酚醛樹脂的Milex XLC-LL(三井化學(股)製商品名、羥基當量175g/eq、吸水率1.8%、350℃時的加熱重量減少率4%)45重量份、作為矽烷耦合劑的Z-6044(東麗‧道康寧(股)製商品名、3-環氧丙氧基丙基甲基甲氧基矽烷)0.3重量份、作為二氧化矽填料的S0-C2(Admatechs(股)製商品名、比重2.2g/cm³ 、莫氏硬度7、平均粒子徑0.5μm、比表面積6.0m² /g)30重量份、作為硬化促進劑的Curezol 2PZ(四國化成(股)製商品名、2-苯基咪唑)0.4重量份、作為丙烯酸樹脂的SG-P3(Nagase chemteX(股)製商品名、重量平均分子量85萬、玻璃轉化溫度10℃)275重量份在有機溶劑中進行攪拌，得到接著劑層組成物。將該接著劑層組成物塗敷在經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，進行乾燥而製作出具有膜厚20μm的接著劑層(B)的接著薄膜。該接著劑層(B)的動態黏彈性測定所得之硬化前80℃的損耗角正切tanδad為0.232。

＜接著劑層(C)＞

將作為環氧樹脂的YDCN-703(東都化成(股)製商品名，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環氧當量210g/eq、分子量1200、軟化點80℃)55重量份、作為酚醛樹脂的Milex XLC-LL(三井化學(股)製商品名、羥基當量175g/eq、吸水率1.8%、350℃時的加熱重量減少率4%)45重量份、作為矽烷耦合劑的Z-6044(東麗‧道康寧(股)製商品名、3-環氧丙氧基丙基甲基甲氧基矽烷)1.5重量份、作為二氧化矽填料的S0-C2(Admatechs(股)製商品名、比重2.2g/cm³ 、莫氏硬度7、平均粒子徑0.5μm、比表面積6.0m² /g)150重量份、作為硬化促進劑的Curezol 2PZ(四國化成(股)製商品名、2-苯基咪唑)0.5重量份、作為丙烯酸樹脂的SG-P3(Nagase chemteX(股)製商品名、重量平均分子量85萬、玻璃轉化溫度10℃)100重量份在有機溶劑中進行攪拌，得到接著劑層組成物。將該接著劑層組成物塗敷在經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，進行乾燥而製作出具有膜厚20μm的接著劑層(C)的接著薄膜。該接著劑層(C)的動態黏彈性測定所得之硬化前80℃的損耗角正切tanδad為0.619。

(黏著薄膜的製作)

＜黏著薄膜(1)＞

使丙烯酸丁酯65重量份、丙烯酸2-羥基乙酯25重量份、丙烯酸10重量份進行自由基聚合，在滴加2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯進行反應而合成的重量平均分子量80萬的丙烯酸共聚物中添加作為硬化劑的聚異氰酸酯3重量份、作為光聚合引發劑的1-羥基-環己基-苯基-酮1重量份並混合，做成黏著劑層組成物。

將製得的黏著劑層組成物以乾燥膜厚為10μm的方式塗敷在塗敷用膜(基材薄膜12a以外的塗敷用膜)，在120℃下乾燥3分鐘。其後，將塗敷在該膜上的黏著劑層組成物作為基材薄膜12a，使其轉印在厚度100μm的聚丙烯-彈性體(PP：HSBR=80：20的彈性體)樹脂薄膜上，藉此製作出黏著薄膜(1)。該黏著薄膜(1)的動態黏彈性測定的80℃的損耗角正切tanδfilm為0.098。

其中，聚丙烯(PP)係使用日本Polychem股份有限公司製的Novatec FG4，加氫苯乙烯丁二烯(HSBR)係使用JSR股份有限公司製的DYNARON 1320P。另外，塗敷用膜係使用經矽酮脫模處理的PET膜(帝人：Purex S-314、厚度25μm)。

＜黏著薄膜(2)＞

作為基材薄膜12a，除了使用MFR1.2、熔點71℃的乙烯-異丁烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙基)三元共聚物-Zn++-離聚物樹脂(三井-杜邦聚合化學公司(Mitsui-Dupont Polychemicals Co.)製、HIMILAN AM-7316)以外，與黏著薄膜(1)同樣進行製作。該黏著薄膜(2)的動態黏彈性測定的80℃的損耗角正切tanδfilm為0.068。

＜黏著薄膜(3)＞

作為基材薄膜12a，除了使用MFR2.2、熔點97℃的乙烯-異丁烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙基)三元共聚物樹脂(三井-杜邦聚合化學公司(Mitsui-Dupont Polychemicals Co.)製、NUCREL AN4217-3C)以外，與黏著薄膜(1)同樣進行製作。該黏著薄膜(3)的動態黏彈性測定的80℃的損耗角正切tanδfilm為0.016。

(接著劑層(A)～(C)的損耗角正切)

準備兩個在分離膜(PET)上塗敷20μm接著劑層(A)者，利用接著劑層(A)使彼此貼合，並剝離分離膜後，進一步重複藉由接著劑層(A)使彼此貼合在分離膜上塗敷有20μm接著劑層(A)者的工程，層積至其為1mm的厚度，衝壓成8mmΦ，形成為接著劑層(A)的樣品。

使用動態黏彈性測定裝置ARES(REOLOGICA公司製)，對硬化前的接著劑層(A)的樣品，測定出在樣品厚度1mm、板直徑8mmΦ、頻率1Hz的剪斷條件下，在升溫速度10℃/分鐘的條件下從室溫升溫至200℃時的80℃的接著劑層(A)的損耗角正切tanδad。接著劑層(B)及接著劑層(C)的各損耗角正切tanδad亦與接著劑層(A)的損耗角正切tanδad相同進行測定。

(黏著薄膜(1)～(3)的損耗角正切)

將上述黏著薄膜(1)～(3)分別切斷為寬度5mm作為樣品。使用動態黏彈性測定裝置RSAIII(TA Instrument公司製)，測定出在吸盤間距20mm、頻率10Hz的拉伸條件下，以升溫速度10℃/分鐘的條件從-10℃升溫到150℃時的80℃的黏著薄膜(1)的損耗角正切tanδfilm。黏著薄膜(2)及黏著薄膜(3)的各損耗角正切tanδfilm亦與黏著薄膜(1)的損耗角正切tanδfilm相同進行測定。

(屑片性能)

在厚度200μm的矽晶圓的背面黏貼實施例1～4及比較例1～5的各晶圓加工用膠帶，切割成7.5mm×7.5mm後，用光學顯微鏡觀察模具的剖面，評估晶片有無缺損。如表1所示，將具有晶片發生破裂者的情況設定為××，將晶片缺損多處發生者設定為×，將發現晶片缺損者設定為△，將幾乎沒有觀察到晶片缺損的情況設定為○，進行屑片性能評估。

從表1可知，在實施例1～4中，切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片(切割時的屑片)充分降低。

相對於此，在比較例1～5中，產生有切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片。

根據本實施形態的晶圓加工用膠帶10，由於將黏著薄膜12的80℃的損耗角正切tanδfilm和接著劑層13的80℃的損耗角正切tanδad的比tanδad/tanδfilm設定為5.0以下，因此可藉由黏著薄膜12來充分吸收切割刀21(第3圖)的旋轉振動。在切割時，由於接著劑層13的切割刀21的旋轉振動引起的振動藉由黏著薄膜12被充分吸收而藉此被減低，故難以傳遞到半導體晶片2。藉此，降低鄰接的半導體晶片2彼此的接觸，且降低切割時的晶片破裂或晶片缺損等屑片。

藉由將上述比tanδad/tanδfilm設定為3.4以下，如表1所示，切割時的晶片破裂或晶片缺損幾乎不會發生。因此，可以充分降低切割時的晶片破裂或晶片缺損等的屑片。

1．．．半導體晶圓

2．．．半導體晶片(半導體元件)

10．．．晶圓加工用膠帶

11．．．剝離襯墊

12．．．黏著薄膜

12a．．．基材薄膜

12b．．．黏著劑層

13．．．接著劑層

20．．．引線架

21．．．切割刀

22．．．吸附台

30．．．頂出構件

31．．．銷

32．．．吸附夾具

第1圖係表示本發明的實施形態的晶圓加工用膠帶的剖面圖。

第2圖係在晶圓加工用膠帶上貼合有半導體晶圓的圖。

第3圖係用於說明切割工程的圖。

第4圖係用於說明擴展工程的圖。

第5圖係用於說明拾取工程的圖。