TWI429323B

TWI429323B - Organic electroluminescent element

Info

Publication number: TWI429323B
Application number: TW095131019A
Authority: TW
Inventors: Hideki Kamata
Original assignee: Tokki Kk
Priority date: 2005-08-25
Filing date: 2006-08-23
Publication date: 2014-03-01
Also published as: WO2007023789A1; TW200721890A; WO2007023789A8; KR20080037024A; KR101234948B1

Description

有機電激發光元件

本發明係為有關有機電激發光元件之構成。

以往之有機電激發光元件(以下，稱為OLED)係由如以下之順序所製作。

(1)於玻璃基板上，以濺鍍法或蒸鍍法，將如陽極電極用ITO之金屬薄膜進行成膜，並經由光微影法而形成陽極電極配線圖案。

(2)使用金屬光罩依序成膜正孔注入層(CuPc)，正孔輸送層(α-NPD)，發光層(Alq₃ +摻雜劑)，電子輸送層(Alq₃ )，電子注入層(LiF)，形成有機發光層之後，更加地，採用陰極電極用金屬光罩，將金屬薄膜(Al，Al/Li，Mn，Mn/Ag...etc.)進行成膜，並形成陰極電極配線圖案而形成發光部。

(3)於經由上述(1)及(2)之處理的取樣(發光部)上，將由無機膜的單層或層積，由有機膜的單層或層積或者無機膜極有機膜的層積膜而成的封合膜，進行成膜，此情況，如圖1，圖2所示，有著以金屬光罩B等遮弊端子部A，並作為成未將封合膜C成膜於此端子部A，形成供電端子之必要，然而，圖中符號D係為基板，E係為發光部。

另外，對於由任何理由而無法以金屬光罩進行遮蔽的情況，係有需要應用所謂半導體或，TFT之光微影處理的手法。

作為對於上述之OLED的供電端子形成手法，現在係遮蔽屏法為一般，而作為遮蔽屏之材料，係採用矽，陶瓷，玻璃等熱膨脹係數接近之日本冶金製之NAS42(42%Ni-Fe合金)或低膨脹係之NAS(36%Ni-Fe合金)或SUS430等。

於如此作為而形成供電用開口部之有機電激發光元件，作為由藉由ACF(Anisotropic Conductive Film)而連接例如附有驅動器IC之FPC(Flexible Print Circuit Board)或IC裸晶片等之驅動電路的端子情況，安裝驅動電路等而製造有機EL顯示器。

但，對於為了確保OLED之性賴性能，係為防止大氣中之氧極水分的影響，則有必要以封合膜完全地被覆有機層與腐蝕性高之陰極電極層，此時，如將封合層作為較有機層及陰極電極層為大時，係可確保裝置性能，但產生裝置之元件面積變大之問題點。

隨之，有必要選擇可維持裝置性能之最佳的封合面積，此時，對於利用遮蔽屏而對OLED形成供電端子部之情況，係成為有必要光罩的調整，更加地，對於為了作為攜帶用等之顯示面板而安裝OLED顯示裝置，係有必要進可能縮小顯示部以外之面積，因此，則產生提升光罩調整精確度，將設計充裕度抑制成最小限度之必要，但無法迴避高成本之情況。

另外，作為封合膜，對於交互地將無機層與有機層進行複數層成膜的情況，係成為需要有機層用之金屬光罩或無機層用之光罩，更加地，在量產線中，係亦需要光罩之自動交換機構，並且，對於將無機層與有機層的組合作為複數層形成之情況，係需要多數之預備光罩，而成為非常複雜，且高成本之設備，並且，金屬光罩係需要定期性地進行交換洗淨，而週轉資金亦產生非常高的問題。

為了解決對於如此之封合膜成膜時，根據使用金屬光罩之問題點，係如採用在封合成膜工程未使用金屬光罩之處理即可。

例如，如適用在半導體裝置或TFT裝置，一般所採用之最終表面穩定膜成膜之後的由光微影處理之端部露出工程即可，但，對於此工程，係成為需要光阻劑塗佈，光阻劑曝光，光阻劑顯像，蝕刻，光阻劑剥離洗淨之5工程，更加地，針對在光阻劑顯像工程，光阻劑剥離洗淨工程係有潤施工程，對於OLED製造處理係為不適合之工程之同時，產生非常高成本處理之問題。

更加地，對於封合膜為層積構造，且從無機層與有機層而成之情況，係針對在蝕刻工程，對於乾蝕刻之情況係有需要交換蝕刻氣體，而對於濕蝕刻之情況係有必要交換蝕刻液，並層積數越多，處理係更作為複雜化。

另外，在安裝驅動電路於上述有機EL元件時，對於供電用開口部，係例如供電端子部為Al等腐蝕性金屬之情況，有以熱硬化性或UV硬化性之矽樹脂或，環氧樹脂，固定與FPC或IC裸晶片之連接部而謀求供電端子部之腐蝕防止對策情況，但，對於這些硬化劑係現狀為無封合性，而供電用開口部係為被完全封合。

因此，申請專利人係針對在專利文獻1(日本特開2006-66364號公報)，提案有未採用光罩而在將封合膜進行成膜後，只於端子部上，由根據雷射而形成供電用開口部之情況，無須進行光微影法等之麻煩的工程，而可以簡易的方法來解決上述問題點之有機EL元件之製造方法。

[專利文獻1]日本特開2006-66364號公報

本發明係為為了解決如上述之問題點之同時，更謀求封合性的提升，將上述專利文獻1進行各種檢討而結果完成之構成，其中，提供可由第二封合膜而遮蔽第一封合膜之開口部，並實現可良好阻止從基板垂直方向及基板水平方向雙方，對於發光部水分侵入之封合膜構成，對於封合性優越之高性賴性之有機EL元件者。

參照所附圖面，說明本發明之主旨。

係為於依序層積陽極，有機發光層，陰極於基板11上而成之發光部12上，由形成封合此發光部12之封合膜而成之有機EL元件，其特徵為，於發光部12上，形成封合此發光部12之第一封合膜13，並由照射雷射光於層積在前述陽極及陰極的端子部14上之前述前述第一封合膜13之一部分的情況，除去此端子部14上之第一封合膜13，形成供電用開口部15，並於從此供電用開口部15露出之端子部14，連接前述發光部驅動用之驅動電路16的端子17而安裝驅動電路16之後，呈完全隱蔽此供電用開口部15及前述第一封合膜13地，於基板11上形成第二封合膜18者。

另外，係為於依序層積陽極，有機發光層，陰極於基板31上而成之發光部32上，由形成封合此發光部32之封合膜而成之有機EL元件，其特徵為，於發光部32上，將封合此發光部32之第一封合膜33進行成膜，並由照射雷射光於層積在前述陽極及陰極的端子部34上之前述第一封合膜33之一部分的情況，除去此端子部34上之第一封合膜33，形成由前述第一封合膜33而成之側周部與，由此第一封合膜33露出之前述端子部34而成之底部所構成之第一供電用開口部35，之後，由於前述第一封合膜33上，封合前述發光部32之同時，將亦遮蔽前述第一供電用開口部35之側周部及底部的第二封合膜36，進行成膜，並照射雷射光於遮蔽前述第一供電用開口部35之底部的第二封合膜36，除去層積於前述第一供電用開口部35之底部的前述第二封合膜36而使前述端子部34露出之情況，形成使前述端子部34露出於前述第一供電用開口部35內之第二供電用開口部37者。

另外，如申請專利範圍第2項之有機EL元件，其特徵為：由呈留下層積於前述第一供電用開口部35之側周部上的前述封合膜36地，照射前述雷射光於遮蔽前述第一供電用開口部35之底部的第二封合膜36而除去之情況，形成前述第二供電用開口部37之情況。

另外，如申請專利範圍第3項之有機EL元件，其特徵為：前述第二供電用開口部37之開口面積則成為較前述第一供電用開口部35之開口面積為小地，由照射前述雷射光於遮蔽前述第一供電用開口部35之底部的第二封合膜36而除去之情況，形成前述第二供電用開口部37之情況。

另外，如申請專利範圍第1項至第5項之任一項之有機EL元件，其特徵為：未使用光罩而將前述第一封合膜13．33或前述第二封合膜18．36，成膜於基板11．31之全表面的情況。

另外，如申請專利範圍第1項至第5項之任一項之有機EL元件，其特徵為：前述第一封合膜13．33或前述第二封合膜18．36，係各自由層積複數層之有機膜或複數層之無機膜，或者複數之有機膜或複數之無機膜而成者。

另外，如申請專利範圍第6項之有機EL元件，其特徵為：前述第一封合膜13．33或前述第二封合膜18．36，係各自由層積複數層之有機膜或複數層之無機膜，或者複數之有機膜或複數之無機膜而成者。

本發明係因由如以上所構成，故可根據第二封合膜，遮蔽第一封合膜之開口端部情況，並成為實現可良好阻止從基板垂直方向及基板水平方向雙方，對於發光部水分侵入之封合膜構成，對於封合性優越之高性賴性之有機EL元件。

[為了實施發明之最佳形態]

令認為最佳之本發明的實施形態(如何實施發明？)，依據圖面，表示本發明之作用而簡單地進行說明。

於由依序成膜例如由ITO而成之陽極(陽極電極)與，正孔注入層(CuPc)，正孔輸送層(α-NPD)，發光層(Alq₃ +摻雜劑)，電子輸送層(Alq₃ )，電子注入層(LiF)而成之有機發光層與，由Al而成之陰極(陰極電極)於基板11上而成之發光部12上，將封合此發光部12之第一封合膜13進行成膜。

此時，針對在申請專利範圍第1項之發明，例如未採用光罩而於發光部12之全表面，將第一封合膜13進行成膜，由只對於陽極及陰極之端子部14上的第一封合膜13，照射雷射光之情況，部分去除第一封合膜33，形成露出此端子部14之供電用開口部15。

即，因並非如以往採用光罩，將具有供電用開口部之封合膜進行成膜，而可由去除成膜於發光部12上之全表面的第一封合膜13之一部分而形成供電用開口部15，故成為無需光罩，而採用光罩時之不良情況，即，以往所需之光罩的調整機構或，預備多數光罩或，光罩之自動交換機構等，係均不需要，而成為極低成本，且亦無需定期交換洗淨光罩，故亦成為對於維護性優越之構成。

另外，對於為了謀求有機EL元件之更高密度化、高解像度化，係有需要盡可能地縮小發光部12(顯示部)以外的面積，但，採用光罩的情況，上述之光罩的維護機構之更高精細化係因成為非常高成本，故不易實現，而透過某種程度的誤差，依據充裕情況而必須設定同為發光部之間隔，但，如根據申請專利範圍第1項記載之發明，因無需光罩的調整，故均無如上述之問題，而可盡可能地縮小發光部12以外之面積情況，並可實現更高密度化、高解像度化。

另外，與光微影處理不同，因亦無需以極簡易的工程進行潤濕工程，故當然可阻止元件的劣化，而可極低成本地，將第一封合膜13進行成膜。

接著，於從由如上述作為而成之供電用開口部15露出之端子部14，以藉由例如ACF20，根據熱壓著連接驅動電路16之端子17的情況，安裝驅動電路16。

但，在此狀態中，係因未封合供電用開口部15，故有從此供電用開口部15，水分侵入之可能性。

因此，針對在申請專利範圍第1項記載之發明，係更加地將封合供電用開口部15之第二封合膜18，成膜於基板11上，具體來說，第二封合膜18係呈完全隱蔽前述供電用開口部15及第一封合膜13地形成，此時，例如，如將第二封合膜作為18成膜於基板全表面，亦可與上述第一封合膜13同樣地，不採用光罩而可進行成膜，更加地，對於轉入性高，而至影子的部分為止可成膜之成膜方法，例如，根據CVD法或浸漬塗佈法而成膜於基板全表面之情況，係例如，亦可於驅動電路16之底部與基板11之間的空間部，良好地進行成膜，並可由簡易的手法，確實地封合供電用開口部15。

隨之，由根據第二封合膜18封合經由雷射加工去除第一封合膜13而成之供電用開口部15之情況，可無須光罩或潤濕工程而更確實地阻止根據OLED之水分的劣化情況，另外，對於第一封合膜13，假設有缺陷部之情況，亦可修補此缺陷部，由此，將可製造高精細之有機EL顯示器。

另外，針對在申請專利範圍第2項之發明，於由依序成膜例如由ITO而成之陽極(陽極電極)與，正孔注入層(CuPc)，正孔輸送層(α-NPD)，發光層(Alq₃ +摻雜劑)，電子輸送層(Alq₃ )，電子注入層(LiF)而成之有機發光層與，由Al而成之陰極(陰極電極)於基板11上而成之發光部32上，將封合此發光部32之第一封合膜33進行成膜之後，接著，照射雷射光於層積在發光部32 之端子部34上的第一封合膜13之一部分而除去，並形成由側周部(第一封合膜138)與底部(從第一封合膜13露出之端子部34)而成之第一供電用開口部35。

接著，亦呈隱部前述第一供電用開口部35之周側部及底部地，將第二封合膜36成膜於第一封合膜33上，由此，由層積第二封合膜36於第一封合膜33之情況，即使對於第一封合膜33與第二封合膜36各自有缺陷，亦可相互進行修補，並可更確實地阻止從對於發光部32之基板垂直方向之水分侵入之情況。

接著，照射雷射光於隱蔽第一供電用開口部35之底部的第二封合膜36而除去層積在前述底部上之第二封合膜36，保持根據第二封合膜36隱蔽第一供電用開口部35之側周部之狀態，形成露出端子部34於第一供電用開口部35內之第二供電用開口部37。

隨之，由根據第二封合膜36隱蔽第一供電用開口部35之側周部之情況，亦可阻止從對於發光部32之基板平行方向之水分侵入之情況，即，例如，採用將第一封合膜成膜於發光部之後，未形成供電用開口部於此第一封合膜而將第二封合膜進行層積成膜，對於第一封合膜與第二封合膜，彙整形成供電用開口部之方法的情況，第一封合膜與第二封合膜之開口端部(側周部)則露出，而從基板平行方向水分侵入之可能性則變高，但，針對在申請專利範圍第2項之發明，係因呈保持根據第二封合膜36隱蔽第一封合膜33之側周部之狀態地(呈留下層積於第一供電用開口部35之側周部上之第二封合膜36地)，除去層積於第一供電用開口部35之底部上之第二封合膜36，故可不使第一封合膜33之側周部露出而只使端子部34露出情況，並由此，可良好地阻止從其第一封合膜33之側周部之水分的侵入情況。

[實施例1]

關於本發明之具體的實施例1，依據圖面進行說明。

實施例1係為於依序層積陽極，有機發光層，陰極於基板11上而成之發光部12上，由形成封合此發光部12之封合膜而成之有機EL元件，其中，於前述發光部12上，形成封合此發光部12之第一封合膜13，並由照射雷射光於層積在前述陽極或陰極的端子部14上之前述前述第一封合膜13之一部分的情況，除去此端子部14上之第一封合膜13，形成供電用開口部15，並於從此供電用開口部15露出之端子部14，連接前述發光部驅動用之驅動電路16的端子17而安裝驅動電路16之後，呈完全隱蔽此供電用開口部15及前述第一封合膜13地，於基板11上形成第二封合膜18者。

有機EL元件係採用如圖6所示之有機EL元件製造裝置而製造。

例如，如圖6所示，將形成有根據光微影法而形成之陽極配線ITO電極之玻璃基板11，收納於裝入室，並進行真空排氣，接著，開啟閘閥，將前述玻璃基板11移動至被進行真空排氣之電漿洗淨室，再導入氧氣，並根據高頻率生成氧電漿，進行表面處理，接著，將前述玻璃基板11移動至被進行真空排氣之第一有機成膜室，並將正孔注入層進行蒸鍍成膜，更加地，移動前述玻璃基板11於被進行真空排氣之各有機成膜室(2~4)，並將各紅，綠，藍之發光層進行成膜。

更加地，移動前述玻璃基板11於被進行真空排氣之有機成膜室5，再將電子輸送層進行蒸鍍成膜，更加地，在被進行真空排氣之成膜室6，將電子注入層進行蒸鍍成膜，並在被進行真空排氣之金屬電極蒸鍍室，將陰極配線電極膜進行成膜。

接著，移動前述玻璃基板11至被進行真空排氣或氮置換之第一雷射加工室，並經由雷射而形成陰極配線電極。

接著，移動前述玻璃基板11至被進行真空排氣或氮置換之薄膜封合室，並形成第一封合膜13。

對於此薄膜封合室，係設置有根據濺鍍法或真空蒸鍍法，將第一封合膜13進行成膜之封合膜形成機構，並根據此封合膜形成機構，將由各自由層積複數層之有機膜或複數層之無機膜，或者複數之有機膜或複數之無機膜而成之層積膜，成膜於基板11之略全面(參照圖3)。

作為無機膜，係例如採用矽氧化膜(SiO₂ )，矽氮化物(SiN，SiON)，氧化鋁(AlO_X )等，例外，作為有機膜，係採用環氧系，聚醯亞胺系，丙烯酸系，矽系之熱硬化型或UV硬化型或者熱硬化及UV硬化併用型之樹脂等。

更加地，移動前述玻璃基板11至第二雷射加工室，並經由雷射除去端子部14上之第一封合膜13，形成從供電用開口部15露出之供電端子部。

對於第二雷射加工室，係設置有振盪作為封合膜除去機構之雷射光的雷射振盪器(光源)與，作為由驅動前述基板11而將從雷射振盪器的雷射光，照射至前述端子部14上之第一封合膜13的規定部位之驅動部之具有載置基板之X，Y載置台的雷射加工裝置，並作為雷射振盪器，採用氣體雷射振盪器或固體雷射振盪器，然而，針對在實施例1，係作為設置驅動基板11之驅動部的構成，但，亦可作為設置驅動雷射振盪器之驅動部的構成。

例如，作為前述氣體雷射振盪器，係採用CO₂ ，KrF，ArF，F₂ ，XeCl，XeF或HeCd雷射振盪器即可，而作為前述固體雷射振盪器係採用Ti藍寶石，YAG或YVO₄ 雷射振盪器即可。

具體來說，前述封合膜除去工程，將係各自由層積複數層之有機膜或複數層之無機膜，或者複數之有機膜或複數之無機膜而成之層積膜內，因應任何一層的波長吸收特性之波長的雷射光進行照射，可成一次去除複數層地構成，即，無須一層一層除去層積膜，而根據選定最佳之同一家光條件情況，可無須變更雷射種類而去除由層積膜而成之第一封合膜，例如，作為雷射，採用具有最下層的膜容易吸收之波長之雷射(或作為最下層的膜，採用由容易吸收雷射的波長之材料而成之構成)，並由除去此最下層的膜之情況而設定為可彙整除去層積在其上方的膜，然而，由去除並非最下層的膜之情況，亦可設定為可除去複數的膜。

隨之，在除去層積複數之有機膜或無機膜的層積膜之情況，亦無須一層一層除去，而由一個工程，可簡單且有效率地除去第一封合膜13而形成供電用開口部。

另外，針對在實施例1，係並未完全去除端子部14上之第一封合膜13，而如圖4所示，呈設定為除去一部分，具體來說，係將端子部14之連接端子19上之一部分的第一封合膜13，設定為呈除去成長方形狀，隨之，供電用開口部15的大小係以最小即可完成，由此，良好地發揮根據第一封合膜13之封合作用。

另外，亦可作為具備：由照射雷射光在層積成膜於前述發光部12上之第一封合膜13的周緣部情況而閉塞之封合周緣部閉塞機構之構成，另，如此根據閉塞封合周緣部之情況，封合作用係成為更佳，並可盡可能阻止元件的劣化，具體來說，此封合周緣部閉塞機構係亦可作為將上述第二雷射加工室，與封合膜去除機構間用之構成，而亦可作為另外設置雷射加工室之工程。

另外，對於此情況，前述第一封合膜13則呈包含：只對於照射前述雷射光之周緣部，含有熱硬化性成分而成膜之有機膜或，只對於前述周緣部，含有成膜之前述熱硬化性成份之有機膜或，遍佈所有基板前面，含有熱硬化性成份而成膜之有機膜地，設定前述封合膜形成機構即可。

以上，關於前述實施例之有機成膜係想定為低分子有機EL材料，並關於就真空真鍍法進行說明。

作為其他實施例，關於就高分子有機EL材料之有機成膜，係亦可採用噴墨法。

另外，對於更加地將高分子有機材料，利用旋塗法，噴射法之情況，係亦考慮追加真空排氣或真空置換之乾燥室或，在雷射加工室，將有機成膜進行圖案化形成之實施例。

作為其他的實施例，針對在於具有運送基板至各處理室之機構的運送室周圍，具有裝入室，電漿洗淨室，有機成膜室，濺鍍室，CVD室，金屬電極蒸鍍室，薄膜封合室及排出室之有機EL元件製造裝置，作為將有機成膜室，濺鍍室，CVD室，金屬電極蒸鍍室，薄膜封合室之中至少一台以上之處理室與，一台或複數台之雷射加工室一體化之有機EL元件製造裝置。

另外，於沿著前述運送室之周圍或前述運送室之運送方向的位置，配設前述處理室之同時，配設前述雷射加工室。

另外，前述有機成膜室，濺鍍室，CVD室，金屬電極蒸鍍室，薄膜封合室及雷射加工室內的環境係為根據真空環境或Ar等不活性氣體或氮氣等之非氧化性環境，且露點則作為-50℃以下之乾燥環境。

另外，前述有機成膜室係具有：將有機材料或金屬材料，採用電阻加熱，電子光束加熱，高頻率誘導加熱等之蒸鍍源加熱手段及，將高分子有機材料，採用包含噴墨法，旋塗法，網版印刷法之各種印刷法或噴射印刷法而進行成膜之手段，並濺鍍室係具有：將有機材料或絕緣材料，採用常規，磁管控，離子束，ECR等之濺鍍法而進行成膜之手段，而CVD室係具有：將金屬材料或絕緣材料，採用減壓，常壓，電漿法而進行成膜之手段，金屬電極蒸鍍室係具有：將金屬材料，以電阻加熱，電子光束加熱，高頻率誘導加熱等之蒸鍍源加熱手段。

另外，薄膜封合室係具有：附加根據作為與大氣環境遮斷之情況，防止大氣環境中的水及氧直接與有機EL元件表面接觸情況之機能的封合膜之手段，而前述雷射加工室係具有：由雷射光，將透明導電膜，有機EL膜，金屬電極膜，氧化矽，氮化矽，氧化鋁等之陶瓷膜，進行加工的手段。

在實施例1之中，係作為於具有運送基板至前述各處理室之機構的前述運送室周圍，設置裝入室，電漿洗淨室，第一有機成膜室，第二有機成膜室，有機成膜室3，陰極金屬蒸鍍室，雷射加工室，薄膜封合室及排出室之構成。

另外，亦可作為於具有運送基板至前述各處理室之機構的前述運送室周圍，設置裝入室，電漿洗淨室，濺鍍室(透明導電膜形成)，第一雷射加工室，第一有機成膜室，第二有機成膜室，有機成膜室3，金屬電極蒸鍍室，第二雷射加工室，薄膜封合室及排出室之構成。

另外，亦可作為於具有運送基板至各處理室之機構的運送室周圍，設置裝入室，電漿洗淨室，濺鍍室(透明導電膜形成)，第一雷射加工室，第一有機成膜室，第二有機成膜室，有機成膜室3，金屬電極蒸鍍室，第二雷射加工室，薄膜封合室，雷射加工室3及排出室之構成。

另外，亦可作為於具有運送基板至各處理室之機構的運送室周圍，設置裝入室，電漿洗淨室，濺鍍室(透明導電膜形成)，雷射加工室及排出室之構成。

前述裝入室兼具前述排出室之情況係亦可只有裝入室。

另外，將雷射加工室作為複數室，但亦可只由一室來兼具。

另外，亦可將有機成膜室作為三室，而亦可由一室來兼具，當然亦可作為四室以上。

另外，在實施例1中，係將各處理室與雷射加工室配設於運送室之周圍(通稱：分組方式)，但亦可作為，於如圖7所示之運送室之運送方向，依序將各處理室與雷射加工室作為縱列(通稱：水平方式)之構成。

接著，於如上述作為而製作之有機EL元件，連接安裝有機EL元件(發光部12)驅動用之驅動電路16，具體來說，係作為驅動電路16，係採用搭載IC裸晶片或驅動之FPC。

另外，安裝形態，係亦均可採用例如，藉由FPC或TAB而連接之構成或，直接安裝驅動-裸晶片IC於基板上之COG(Chip On Glass)等。

針對在實施例1，係如圖4，5所示，由連接採用FPC之驅動電路16(附有驅動IC之FPC)的端子17於前述端子部14之連接端子19的情況，安裝驅動電路16於基板11上。

具體來說，如上述，由藉由ACF20(異方性導電膜)，根據熱壓著連接從形成於第一封合膜13之供電用開口部15露出之端子部14(ITO膜)的連接端子19或，陰極之端子部14的連接端子19與，驅動電路16的端子17(驅動電路配線圖案)情況，安裝驅動電路16於基板11上，然而，圖中符號21係為含於ACF20之導電粒子。

然而，雖無圖示，根據COG連接而安裝驅動電路1(驅動-裸晶片IC)之情況，亦可於從根據第一封合膜13而包覆全面之玻璃基板上之有機EL元件之引出配線的端部上面，根據雷射加工，形成供電開口部，並由藉由ACF20之情況，根據熱壓著連接驅動電路16情況。

接著，將安裝於基板11上之驅動電路16及，成為基底之前述第一封合膜13之任一，亦作為呈完全隱蔽地，將第二封合膜13進行成膜，隨之，由可不使用光罩而簡易地完全封合供電用開口部15，確實防止從雷射加工時之唯一掛念事項之供電用開口部15的大氣中之氧或水分等侵入之同時，亦可完全隱蔽位在其外緣之第一封合膜13 之情況，實現更確實之封合，另，作為成膜方法，係理想採用浸漬塗佈或電漿CVD法等之轉入性佳，前述IC裸晶片與基板11之間等，至影子的部分為止可確實成膜之成膜方法。

針對在實施例1，係由將安裝前述驅動電路16之基板11，浸漬於儲存有成膜溶液之儲存槽之後，由使其乾燥而進行加熱處理之情況而進行成膜(浸漬塗佈法)。

接著，將組裝有控制前述驅動電路16之控制器或其他電子部件等之印刷基板(PCB：Printed Circuit Board)，安裝於基板11，再由安裝電纜或框體之情況，製造有機EL顯示器。

實施例1係因如上述作成，故於未使用金屬光罩而將封合膜進行成膜之後，根據採用雷射加工法而形成其OLED顯示裝置之供電端子部之情況，將可製造可確保面板之小尺寸化與高性賴性之OLED，例如，根據於將製造OLED之情況作為目的之分組型的有機EL元件製造裝置，設置雷射加工室(封合膜除去機構)與封合薄膜室(封合膜成膜機構)之情況，將可製造高精確度，高密度，高性能之OLED。

另外，根據對於封合膜成膜機構未使用金屬光罩之情況，將無需金屬光罩之交換機構，調整機構，金屬光罩及蒸鍍托盤等之移動機構，而裝置係作為非常簡略化，因此，根據裝置成本的降低，不良情況及維護頻度之降低，謀求裝置嫁動率之提升。

更加地，亦可大幅地削減金屬光罩成本，金屬光罩及裝著托盤，這些的洗淨工程與，週轉資金情況。

另外，在封合膜為層機構造之情況，對於雷射加工之情況，係亦可根據對各異種光罩，無變更雷射種類而選定最佳之同一加工條件，進行供電端子部之封合膜開口加工。

另外，如作為呈由照射雷射情況而閉塞封合膜之周緣部之構成，可將此封合膜的封合作用作為更佳，並盡可能地阻止根據此封合膜所封合之發光部的劣化情況。

更加地，可由簡易的手法，確實防止從前述供電用開口部之水分等之侵入，由此，可製造高精細之有機EL顯示器。

隨之，實施例1係不只可單以廉價且效率佳地製造前述有機EL元件，而可製造極高品質，且商品價值高的有機EL顯示器。

[實施例2]

實施例2係為採用與實施例1不同之封合膜構造之情況，而其餘係與實施例1相同。

具體來說，實施例2係如圖8~11所示，於依序層積陽極，有機化合物層，陰極於基板31上而成之發光部32上，由形成封合此發光部32之封合膜而成之有機EL元件，其中，以於前述發光部32上，將封合此發光部32之第一封合膜33進行成膜，並由照射雷射光於層積在前述陽極及陰極的端子部34上之前述第一封合膜33之一部分的情況，除去此端子部34上之第一封合膜33之情況，形成由前述第一封合膜33而成之側周部與，由此第一封合膜33露出之前述端子部34而成之底部所構成之第一供電用開口部35，之後，以於前述第一封合膜33上，封合前述發光部32之同時，將亦遮蔽前述第一供電用開口部35之側周部及底部的第二封合膜36，進行成膜，並照射雷射光於遮蔽前述第一供電用開口部35之底部的第二封合膜36，除去層積於前述第一供電用開口部35之底部的前述第二封合膜36而使前述端子部34露出之情況，形成使前述端子部34露出於前述第一供電用開口部35內之第二供電用開口部37者。

即，實施例2係與實施例1相同，將於形成有電極及發光層之玻璃基板31上，各自由層積複數層之有機膜或複數層之無機膜，或者複數之有機膜或複數之無機膜而成之層積膜，成膜於基板31之略全面(參照圖8。在圖8中，第一封合膜33係隱蔽於第二封合膜36，但與第二封合膜36同樣地，成膜於基板31之略全面)，並更加地，針對在第二雷射加工室，根據雷射而除去端子部34上之第一封合膜33，再形成從第一供電用開口部35露出之供電端子部(參照圖9，10)。

接著，移動前述玻璃基板31至前述薄膜封合室，並封合前述發光部31於第一封合膜33上之同時，將亦遮蔽前述第一供電用開口部35之側周部及底部的第二封合膜 36，進行成膜，具體來說，前述第一供電用開口部35，係由前述第一封合膜33之開口端面33a而成之側周面與，作為在前述端子部34，從前述第一封合膜33之開口部露出之上面34a而成的底部所構成，另，作為其第二封合膜36，係採用與前述第一封合膜33相同之構成者，然而，亦可另外設置：將第二封合膜36進行成膜之薄膜封合室。

更加地，移動前述玻璃基板31至第二雷射加工室，並根據上述雷射加工裝置，呈殘留層積在前述第一供電用開口部35之側周部的前述第二封合膜36地，除去層積於端子部34上之第二封合膜36，並形成從第一供電用開口部35及第二供電用開口部37露出之供電端子部(參照圖11)。

具體來說，係由呈不去除層積於前述第一供電用開口部35之側周上之前述第二封合膜36地，去除層積於前述第一供電用開口部35之底部上之前述第二封合膜36之一部分之情況，前述第二供電用開口部37的開口徑，則呈較由第二供電用開口部37層積於前述第一供電用開口部35之開放端側的側周部上之第二封合膜36內徑為小口徑地，形成前述第二供電用開口部37。

即，殘留層積於前述第一供電用開口部35之底部上之前述第二封合膜36之外周部，並只去除中央部，將前述前述第一供電用開口部35之側周部上之第二封合膜36與端子部34之接觸面積，作為盡可能地變寬。

對於如此作為而製作之有機EL元件，藉由前述供電用端子，連接安裝有機EL元件(發光部32)驅動用之驅動電路，並將組裝有控制此驅動電路之控制器或其他電子部件等之印刷基板(PCB：Printed Circuit Board)，安裝於基板31，再由安裝電纜或框體之情況，製造有機EL顯示器。

實施例2係因如上述作為，故於形成在基板31上之發光部32上，將封合此發光部32之第一封合膜33進行成膜，並照射雷射光於層積於發光部32之端子部34上的第一封合膜33之一部分而去除，再形成由側周部(第一封合膜33)與底部(從第一封合膜33露出之端子部34)而成之第一供電用開口部35之後，由呈亦被覆前述第一供電用開口部35之側周部及底部地，將第二封合膜36成膜於第一封合膜33上，並層積第二封合膜36於第一封合膜33上之情況，即使對於第一封合膜33與第二封合膜36，各自有缺陷，亦可相互修補，進而成為可更確實地阻止從對於發光部32之基板垂直方向的水分侵入情況。

更加地，因照射雷射光於隱蔽第一供電用開口部35之底部的第二封合膜36而除去層積在前述底部上之第二封合膜36，保持根據第二封合膜36隱蔽第一供電用開口部35之側周部之狀態，形成露出端子部34之第二供電用開口部37，故根據第二封合膜36隱蔽第一供電用開口部35之側周部之情況，亦可阻止從對於發光部32之基板平行方向之水分侵入之情況，即，可不使第一封合膜33之側周部露出而只使端子部34露出情況，並由此，可良好地阻止從其第一封合膜33之側周部之水分的侵入情況。

另外，由第二供電用開口部37的開口徑，則呈較由第二供電用開口部37層積於前述第一供電用開口部35之開放端側的側周部上之第二封合膜36內徑為小口徑地，照射前述雷射光於隱蔽前述第一供電用開口部35之底部的第二封合膜36而去除之情況，因形成前述第二供電用開口部37，故由此，可確保增加端子部34與第二封合膜36之接觸面積，進而可更使封合性提升。

另外，第一封合膜33及第二封合膜36係因未採用光罩而成膜於前述基板31之略全面，故成為無需光罩，而採用光罩時之不良情況，即，以往所需之光罩的調整機構或，預備多數光罩或，光罩之自動交換機構等，係均不需要，而成為極低成本，且亦無需定期交換洗淨光罩，故亦成為對於維護性優越之構成，另外，與光微影處理不同，因亦無需以極簡易的工程進行潤濕工程，故當然可阻止元件的劣化，而可極低成本地，將封合膜33進行成膜。

另外，第一封合膜33及第二封合膜36係因作為各自由層積複數層之有機膜或複數層之無機膜，或者複數之有機膜或複數之無機膜而成之層積膜，故成為可更良好地阻止對於從基板垂直方向之發光部32的水分侵入情況。

隨之，實施例2係可確實地阻止從對於發光部之基板垂直方向的水分侵入情況，係當然亦可確實地阻止從基板平行方向的水分侵入，而成為對於封合性極優越之性賴性高之有機EL元件。

本發明係不限定於實施例1，2之構成，而各構成要件之具體構成係為可適宜設計之構成。

5‧‧‧有機成膜室

6‧‧‧有機成膜室

11、31‧‧‧基板

12、32‧‧‧發光部

13、33‧‧‧第一封合部

14、34‧‧‧端子部

15‧‧‧供電用開口部

16‧‧‧驅動電路

17‧‧‧端子

18、36‧‧‧第二封合部

19‧‧‧連接端子

20‧‧‧ACF

21‧‧‧導電粒子

35‧‧‧第一供電用開口部

37‧‧‧第二供電用開口部

[圖1]係為以往例之封合膜形成法之概略說明圖。

[圖2]係為以往例之有機EL元件的概略說明圖。

[圖3]係為實施例1之封合膜形成法之概略說明圖。

[圖4]係為實施例1之端子部之擴大概略說明圖。

[圖5]係為實施例1之端子部與驅動電路之連接部分的擴大概略說明剖面圖。

[圖6]係為表示在有機EL元件之分組方式的一例之概略構成說明圖。

[圖7]係為表示在有機EL元件之水平方式的一例之概略構成說明圖。

[圖8]係為將實施例2的一部分作為缺口之概略說明斜視圖。

[圖9]係為實施例2之要部的概略說明平面圖。

[圖10]係為實施例2之要部的概略說明剖面圖。

[圖11]係為實施例2之要部的概略說明剖面圖。

11‧‧‧基板

13‧‧‧第一封合部