TWI428966B - 基板處理裝置以及清潔方法 - Google Patents

Description

基板處理裝置以及清潔方法

本發明有關於基板處理裝置，且更具體而言，有關於使用處理溶液來處理半導體基板的基板處理裝置，以及清潔上述裝置的方法。

在半導體元件製造中需要各種處理，諸如沈積、微影(photo)、蝕刻以及磨光(polishing)。

通常，在預定的容器內實施半導體製程，其中晶圓設置在此容器中並利用處理溶液或處理氣體對晶圓進行處理。此等半導體製程通常產生顆粒，其較易黏附在容器的內壁上。具體而言，用作處理溶液以處理晶圓的化學溶液能夠與空氣反應並產生鹽，並且此鹽黏附在反應室的內壁上。

當此等雜質不斷地聚集在容器的內壁上時，在後續的半導體處理中，雜質可以在容器內漂浮並黏附到晶圓上，以致引起晶圓瑕疵。

為防止上述情況發生，需要經常清潔容器的內部。清潔容器的方法包括操作者手動清潔以及使用虛擬(dummy)晶圓的清潔。手動清潔的方法包括：首先，操作者拆卸所有容器；其後，操作者手動清潔每一容器的內壁。當如上實施對容器的手動清潔時，會延長清潔該容器所需要的時間，因此減小了工作效率以及產出。產出的減少是因為在清潔時此容器不能用於半導體製程。

在使用虛擬晶圓(dummy wafer)的方法中，虛擬晶圓首先安裝在轉頭(spin head)上，然後旋轉虛擬晶圓並且在虛擬晶圓上提供清潔溶液。提供在虛擬晶圓上的清潔溶液借助於旋轉此虛擬晶圓的離心力而噴射到容器的內壁上，以清潔該容器。然而，為了增加產出，半導體處理系統設有多個容器，並且在每一容器中同時執行半導體處理。因此，當在此等容器之一者中使用虛擬晶圓來完成清潔時，其餘容器在等待清潔時保持無產出。因此，清潔各容器的時間較長，且工作效率以及產出較低。

本發明提供了具有改良的基板清潔效率和更大產出的基板處理裝置。

本發明還提供了用於清潔上述基板處理裝置的方法。

本發明的實施例提供了基板支撐構件，其包括轉頭、固定軸桿、供應管以及轉動接頭。

轉頭具有安裝於其上的基板，並在一個方向上轉動，以及限定了向側面噴射流體的至少一個噴射孔。固定軸桿耦接到轉頭，以支撐轉頭。供應管設置在固定軸桿內，以傳送流體。該轉動接頭耦接到轉頭以及該固定軸桿，以接收供應管傳送的流體並將此流體提供到噴射孔。

具體地，噴射孔可以限定成從轉頭的側面向轉頭的中軸線延伸。

該轉動接頭可以包括主體部份、轉動部份以及至少一個軸承。主體部份可以固定到固定軸桿並且可以包括至少 一個供應孔，來自供應管的流體可經由此供應孔而進入主體部份。轉動部份可以耦接到轉頭並與轉頭協同轉動，並且可以包括耦接到固定軸桿以接收流體並排放所接收的流體的至少一個排放孔。軸承可以居間設置在轉動部份以及主體部份之間，以將轉動部份耦接到主體部份。

基板支撐構件還可以包括耦接到轉動部份以及轉頭的至少一個清潔管，以提供從排放孔排放到噴射孔的流體。

基板支撐構件還可以包括耦接到主體部份以及供應管的至少一個連接管，以提供從供應管排放到主體部份的流體。

在本發明的其它實施例中，基板處理裝置包括一處理容器以及一基板支撐構件。

處理容器提供了一種執行基板處理的空間。基板支撐構件設置在處理容器內以固定基板，並限定了向處理容器噴射流體的至少一個噴射孔，以清潔該處理容器。

用於清潔根據上述實施例的基板處理裝置的方法。首先，提供流體到設置在處理容器內的基板支撐構件。轉動此基板支撐構件，同時噴射來自基板支撐構件的流體，以清潔該處理容器。在此，流體從基板支撐構件的側面噴射。

當噴射流體時，在處理容器內可將基板支撐構件竪直地調整到合適的位置。

流體可以包括用於清潔該處理容器的清潔溶液，以及用於乾燥該處理容器的乾燥氣體。

具體地，關於該處理容器的清潔，首先，可經由轉動 基板支撐構件以及噴射該清潔溶液來清潔該處理容器。然後，可經由轉動基板支撐構件以及噴射該乾燥氣體來乾燥該處理容器。

參考附圖來詳細介紹本發明的較佳實施例。然而，本發明可以不同的形式實施，並且不應將其解釋成是對本文所述的實施例之限制。再者，提供此等實施例以使得本發明更清楚完整，並且更充分地向本領域熟知其技藝者傳達本發明的範圍。

圖1是根據實施例的基板處理裝置的透視圖。

參考圖1，基板處理裝置400包括處理容器100、基板支撐構件200以及多個噴嘴310和320。

處理容器100是具有頂部開口的圓柱形，其提供處理空間以處理晶圓10。處理容器100的頂部開口配備為用於晶圓10的擷取和插入包裝(package)。處理空間容納基板支撐構件200。當在晶圓10上實施處理時，基板支撐構件200固定該插入至處理容器100中的晶圓10。處理容器100以及基板支撐構件200的配置將在下文參考圖2至圖7作詳細介紹。

多個噴嘴310以及320配備於處理容器100的外部。噴嘴310以及320將用於清潔或蝕刻晶圓10的處理溶液或處理氣體供應至固定在基板支撐構件200上的晶圓10。

在圖1中，雖然將晶圓10說明為基板處理裝置400處理的基板的示例，然而本發明並不限於此，並且基板可 以是玻璃基板或各種其它類型基板中之任一者。

下文中，參考附圖，提供對處理容器100以及基板支撐構件200的詳細介紹。

圖2是圖1中的處理容器以及基板夾持構件的橫截面圖。

參考圖2，處理容器100設有圓柱形的第一、第二以及第三收集容器110、120以及130。在本實施例中，雖然處理容器100包括三個收集容器110、120以及130，但是可增加或減少收集容器110、120以及130的數量。

第一至第三收集容器110、120以及130回收(recover)在晶圓10的處理期間被供應至晶圓10的處理溶液。亦即，基板處理裝置400利用基板支撐構件200來旋轉晶圓10，並且使用處理溶液來處理晶圓10。因此，供應至晶圓10的處理溶液是散開狀的(scattered)，並且第一至第三收集容器110、120以及130回收自晶圓10散開的處理溶液。

具體而言，第一至第三收集容器110、120以及130各設有環狀底面以及從此底面延伸的圓形側壁。第二收集容器120包括第一收集容器110並且與第一收集容器110隔開。第三收集容器130包括第二收集容器120並且與第二收集容器120隔開。

第一至第三收集容器110、120以及130分別限定第一至第三收集空間RS1、RS2以及RS3，其中自晶圓10散開的處理溶液進入到第一至第三收集空間RS1、RS2以及RS3中。第一收集空間RS1藉由第一收集容器110來限定，以 回收用於晶圓10的第一製程的第一處理溶液。第二收集空間(second collection space)RS2限定在第一收集容器110以及第二收集容器120之間的空間中，以回收用於晶圓10的第二製程的第二處理溶液。第三收集空間RS3限定在第二收集容器120以及第三收集容器130之間的空間中，以回收用於晶圓10的第三製程的第三處理溶液。在此，第三處理溶液可以是用於漂洗晶圓10的漂洗溶液。

雖然在上文中，已經介紹了第一至第三收集容器110、120以及130根據晶圓10的處理順序而依序地回收處理溶液的示例；然而，第一至第三收集容器110、120以及130回收處理溶液的順序可以根據晶圓10的處理順序以及位置而改變。

第一至第三收集容器110、120以及130各具有中心處有開口的上表面。上表面是斜面，各斜面以及相對的底面之間的距離從它們在側壁處的連接部向開口逐漸增加。因此，自晶圓10散開的處理溶液沿第一至第三收集容器110、120以及130的上表面而導入至收集空間RS1、RS2以及RS3中。

第一收集容器(collection container)110連接到第一收集線(collection line)141。第一處理溶液進入到第一收集空間RS1並經由第一收集線141而排出到外部。第二收集容器120連接到第二收集線143。第二處理溶液進入到第二收集空間RS2並經由第二收集線143而排出到外部。第三收集容器130連接到第三收集線145。第三處理溶液 進入到第三回收空間RS3並經由第三收集線145而排出到外部。

處理容器100耦接到可改變處理容器100的垂直位置的升降器(elevator)330。升降器330配備於第三收集容器130的外壁處，以在基板支撐構件200的垂直位置固定的情況下提升/降低該處理容器100。因此，可改變該處理容器100以及設置在基板支撐構件200上的晶圓10的相對垂直位置。因此，該處理容器100能夠選擇使用各收集空間RS1、RS2以及RS3以回收不同類型的處理溶液以及受污染氣體。

在本實施例中，基板處理裝置400竪直地移動處理容器100，以改變該處理容器100以及設置在基板支撐構件200上的晶圓10的相對垂直位置。然而，基板處理裝置400可以竪直地移動基板支撐構件200，以改變該處理容器100以及設置在基板支撐構件200上的晶圓的相對垂直位置。

圖3是圖2中所示的基板支撐構件的橫截面圖，圖4是圖3中所示的基板支撐構件的透視圖，並且圖5是圖4中所示的轉頭的平面圖。

參考圖2以及圖3，基板支撐構件200容納於處理容器100內。基板支撐構件200包括轉頭210、轉動軸桿220、固定軸桿230、轉動接頭240以及多個清潔管250。

參考圖4以及圖5，轉頭210具有圓盤的形狀，並且其頂面面向晶圓10。轉頭210的頂面設有支撐晶圓10的多個卡盤插銷(chuck pin)211。卡盤插銷211卡夾該晶圓 10以固定轉頭210上的晶圓10。

多個噴射孔212限定在轉頭210的側面中。噴射孔212限定成彼此遠離，以自轉頭210的側面分別向轉頭210的中心延伸。因此，當自轉頭210的頂部觀察時，噴射孔設置成放射狀(radial shape)。

轉動軸桿220耦接於轉頭210的背面。轉動軸桿220連接到轉動驅動器340，並藉由轉動驅動器340產生的轉動力而轉動。轉動軸桿220的轉動力可傳輸到轉頭210，以轉動轉頭210，使得固定在轉頭210上的晶圓10轉動。

再次參考圖2以及圖3，轉動軸桿220耦接到固定軸桿230。固定軸桿230具有插入到轉動軸桿220中的一端部，並采用多個軸承361，以與轉動軸桿220耦接。因此，固定軸桿230不轉動，且僅該轉動軸桿220轉動。固定軸桿230具有內置供應管231。

供應管231沿固定軸桿230的長度方向延伸，並連接到外流體供應器350。流體供應器350供應用於清潔該處理容器100的清潔流體CF。清潔流體CF包括用於清潔該處理容器100的清潔溶液，以及用於乾燥該處理容器100的乾燥氣體。清潔溶液的示例是去離子(DI)水並且該乾燥氣體的示例是氮氣。流體供應器350首先將清潔溶液提供至供應管231，以清潔該處理容器400，並且在該處理容器100的清潔完成之後，供應該乾燥氣體。

供應管231的排放端耦接到轉動接頭240，並且供應管231提供清潔流體CF至轉動接頭240。

圖6是圖3中所示的轉動接頭及周邊機構的耦接透視圖，並且圖7是圖6中所示的轉動接頭的具體透視圖。

參考圖3以及圖6，轉動接頭240安裝在轉動軸桿220內，並且耦接到轉頭210以及固定軸桿230。在本實施例中，轉動接頭240具有圓柱形狀；然而，其可以是其它形狀。

轉動接頭240可以包括耦接到固定軸桿230的主體部份241以及耦接到轉頭210的轉動部份243。

參考圖6以及圖7，主體部份241限定至少一個供應孔241a，並且供應孔241a連接到供應管231的排放端。因此，來自供應管231的清潔流體CF被供應至主體部份241。

在本實施例中，主體部份241將供應孔241a限定在耦接到固定軸桿230(圖3中)的下表面處並且供應孔241a直接與供應管231相連接。然而，供應孔241a可以限定在主體部份241的側面中。在這種情況下，基板支撐構件200可以設有單獨的連接管，其將限定在主體部份241的側面中的供應孔連接至供應管231。

主體部份241經由軸承(未顯示)而耦接到轉動部份243。因此，由於主體部份241固定，僅轉動部份243能夠轉動。轉動部份243在其側面中限定多個排放孔243a。排放孔243a彼此遠離，並且排放來自主體部份241的清潔流體CF。排放孔243a連接至多個清潔管250。

清潔管250中之每一者連接到排放孔中之每一者，並 經由相對應的排放孔243a而接收該清潔流體CF。在本實施例中，排放孔243a以及清潔管250的數量取決於噴射孔(spray hole)212的數量。

再次參考圖2以及圖3，清潔管250的排放端連接到噴射孔212。每一噴射孔212接收經由與其連接的清潔管所供應的清潔流體CF，並且清潔流體CF噴射在處理容器100的內壁，以清潔該處理容器100。

具體而言，噴射孔212限定在轉頭210的面向第一至第三收集容器110、120以及130的側壁的側面中。因此，清潔流體CF從轉頭210的側面噴向處理容器100的內壁，亦即噴向第一以及第二收集容器110以及120的側壁及上表面以及第三收集容器130的內壁。

同樣，當轉頭210藉由轉動驅動器340的驅動而在一方向上轉動時，轉頭210噴射該清潔流體CF。因此，轉頭210噴射的清潔流體CF的噴射壓力提高，使得清潔流體CF均勻地噴射在第一至第三收集容器110、120以及130的內壁上。

當使用該處理容器100的清潔流體CF來執行清潔處理時，改變了轉頭210以及處理容器100的底面的相對垂直高度。因此，轉頭210供應的清潔流體CF均勻地噴射到第一至第三收集容器110、120以及130中之每一者上。

類似地，在旋轉時，轉頭210自其側面噴射清潔流體CF，以清潔該處理容器100。因此，為了清潔該基板處理裝置400的處理容器100，無需拆卸該處理容器100或使 用一虛擬晶圓。因此，基板處理裝置400能夠減少用於清潔該處理容器100的時間，增加清潔效率，並提高生產以及產品的產出。

雖然在附圖中沒有顯示，但是基板處理裝置400還可以包括後噴嘴。後噴嘴可以配備於基板支撐構件200上，以供應用於清潔晶圓10的背面的清潔溶液或處理氣體。

下文中，參考附圖以提供對清潔處理容器100的詳細介紹。

圖8是在圖2的基板處理裝置中清潔該處理容器的製程的橫截面圖，並且圖9是圖8中所示的噴射來自基板支撐構件的清潔流體的製程的平面圖。為了清楚地描述從轉頭210噴射的清潔流體CF，圖9繪示了經部份切除的第三收集容器130。

參考圖3以及圖8，處理容器100首先經由升降器330的操作而竪直地移動，使得轉頭210的上表面與第三收集容器130的上表面相鄰。

接下來，藉由轉動該驅動器340使該轉動軸桿220轉動，並且藉由該轉動軸桿220的轉動而使轉頭210在一個方向上轉動。同時，耦接到轉頭210的轉動接頭240的轉動部份243在與轉頭210相同的方向上轉動。

流體供應器350將清潔流體CF供應到供應管231並且供應管231將清潔流體CF供應到轉動接頭240的主體部份241。在此，流體供應器350首先提供由清潔溶液和乾燥氣體中而來的清潔溶液。

轉動接頭240的轉動部份243與轉頭210協同轉動並且將清潔溶液提供到清潔管250。因為轉動接頭240的一部份固定到固定軸桿230並且一部份與轉頭210一起轉動，因此較易將清潔溶液供應至旋轉的轉頭210。

清潔管250將清潔溶液供應至噴射孔212並且供應至噴射孔212的清潔溶液向第三收集容器130的內壁噴射。

參考圖8以及圖9，轉頭210在一個方向上轉動並且噴射清潔溶液。因此，提高了清潔溶液的噴射壓力，並且清潔溶液均勻地噴射在第三收集容器130的內壁上，因此提高了清潔的效率。

清潔溶液從轉頭210的側面噴射至第三收集容器130以及第二收集容器120之間，以清潔第三收集容器130的內壁以及第二收集容器120的外部。

當使用清潔溶液完成第三收集容器130的清潔時，升降器330提升該處理容器100，使得轉頭210的上表面與第二收集容器120的上表面相鄰。因此，來自轉頭210的清潔溶液噴射在第二收集容器120的內壁以及第一收集容器110的外部上，以清潔第二收集容器120。

當使用清潔溶液以完成第二收集容器120的清潔時，升降器330提升該處理容器100，使得轉頭210的上表面與第一收集容器110的上表面相鄰。因此，來自轉頭210的清潔溶液噴射在第一收集容器110的內壁上，以清潔第一收集容器110。

在本實施例中，基板處理裝置400將轉頭210的垂直 位置從第三收集容器130連續地移動至第一收集容器110，以清潔該處理容器100。然而，相反地可以將轉頭210的垂直位置從第一收集容器110移動至第三收集容器130，以清潔該處理容器100。

當使用清潔流體以完成第一至第三收集容器110、120以及130的清潔時，流體供應器350將乾燥氣體提供至基板支撐構件200，並且轉頭210噴射該乾燥氣體，以乾燥第一至第三收集容器110、120以及130。

藉由基板支撐構件200噴射該乾燥氣體的製程與噴射清潔溶液的製程相同，並因此省略其詳細介紹。

下文提供對藉由基板支撐構件200噴射該乾燥氣體的製程的簡介。首先，流體供應器350將乾燥氣體提供至供應管231，並且供應管231將乾燥氣體提供至轉動接頭240。轉動接頭240經由清潔管240而將乾燥氣體提供至轉動的轉頭210。在其轉動時轉頭210噴射該乾燥氣體，以乾燥該處理容器100。

如上所述，根據本發明的基板處理裝置採用安裝有基板的基板支撐構件，以清潔該處理容器的內壁。因此，因為基板處理裝置能夠在不拆卸處理容器或不使用虛擬晶圓的情況下清潔該處理容器，所以能夠減少清潔時間，並提高清潔效率、生產力以及產品的產出。

上述揭露的主旨被認為是說明性的，而不是限制性的，並且申請專利範圍試圖覆蓋所有落入本發明精神及範圍內的該等修改、改進及其它實施例。因此，在法律允許 的最大範圍內，本發明的範圍藉由申請專利範圍的最寬泛解釋而限定，而不應該受到上述詳細介紹的限制或僅限於上述詳細介紹。

10‧‧‧晶圓

100‧‧‧製程容器

110‧‧‧收集容器

120‧‧‧收集容器

130‧‧‧收集容器

141‧‧‧收集線

143‧‧‧收集線

145‧‧‧收集線

200‧‧‧基板支撐構件

210‧‧‧轉頭

211‧‧‧卡盤插銷

212‧‧‧噴射孔

220‧‧‧轉動軸桿

230‧‧‧固定軸桿

231‧‧‧供應管

240‧‧‧轉動接頭

241‧‧‧主體部分

241a‧‧‧供應孔

243a‧‧‧排放孔

243‧‧‧轉動部分

250‧‧‧清潔管

310‧‧‧噴嘴

320‧‧‧噴嘴

330‧‧‧升降器

340‧‧‧轉動驅動器

350‧‧‧流體供應器

361‧‧‧軸承

400‧‧‧處理裝置

RS1‧‧‧收集空間

RS2‧‧‧收集空間

RS3‧‧‧收集空間

圖1是根據實施例的基板處理裝置的透視圖。

圖2是圖1中的處理容器以及基板夾持構件的橫截面圖。

圖3是圖2中所示的基板支撐構件的橫截面圖。

圖4是圖3中所示的基板支撐構件的透視圖。

圖5是圖4中所示的轉頭的平面圖。

圖6是圖3中所示的轉動接頭及周邊機構的耦接的透視圖。

圖7是圖6中所示的轉動接頭的具體透視圖。

圖8是在圖2的基板處理裝置中清潔一處理容器的處理的橫截面圖。

圖9是圖8中所示的基板支撐構件噴射一清潔流體的製程的平面圖。

10‧‧‧晶圓

100‧‧‧製程容器

200‧‧‧基板支撐構件

310‧‧‧噴嘴

320‧‧‧噴嘴

400‧‧‧處理裝置

Claims (14)

1. 一種基板支撐構件，包括：轉頭，在所述轉頭上安裝有基板，並且所述轉頭在一個方向上轉動，所述轉頭限定了向側面噴射流體的至少一個噴射孔；固定軸桿，耦接到所述轉頭，以支撐所述轉頭；供應管，設置在所述固定軸桿內，以傳送所述流體；以及轉動接頭，耦接至所述轉頭以及所述固定軸桿，以接收藉由所述供應管傳送的所述流體並將所述流體提供至所述噴射孔，其中所述轉動接頭包括：主體部份，固定至所述固定軸桿並包括至少一個供應孔，其中，來自所述供應管的所述流體透過所述供應孔而進入所述主體部分中；轉動部份，耦接到所述轉頭並與所述轉頭協同轉動，所述轉動部份包括耦接到所述固定軸桿的至少一個排放孔，以接收所述流體並排放所述接收的流體；以及至少一個軸承，居間置於所述轉動部份以及所述主體部份之間，以將所述轉動部份耦接至所述主體部份。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐構件，其中將所述噴射孔限定成從所述轉頭的側面向所述轉頭的中軸線延伸。
3. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐構件，還包括耦接到所述轉動部份以及所述轉頭的至少一個清潔管，以提供從所述排放孔排放到所述噴射孔的所述流體。
4. 如申請專利範圍第3項所述之基板支撐構件，還包括耦接到所述主體部份以及所述供應管的至少一個連接管，以提供從所述供應管排放到所述主體部份的所述流體。
5. 一種基板處理裝置，包括：處理容器，提供一種於所述處理容器中執行基板製程的空間；以及基板支撐構件，設置在所述處理容器內，以固定所述基板，並限定至少一個噴射孔，其中，所述噴射孔向所述處理容器噴射流體，以清潔所述處理容器，其中基板支撐構件包括：轉頭，在所述轉頭上安裝有所述基板，並且所述轉頭在一個方向上旋轉並限定所述噴射孔；固定軸桿，耦接到所述轉頭，以支撐所述轉頭；供應管，設置在所述固定軸桿內，以傳送所述流體；以及轉動接頭，耦接至所述轉頭以及所述固定軸桿，以接收藉由所述供應管傳送的所述流體並將所述流體提供至所述噴射孔，其中所述轉動接頭包括：主體部份，固定至所述固定軸桿並包括至少一個供應孔，其中，來自所述供應管的所述流體透過所述供應孔而進入所述主體部分中； 轉動部份，耦接到所述轉頭並與所述轉頭協同轉動，所述轉動部份包括耦接到所述固定軸桿的至少一個排放孔，以接收所述流體並排放所述接收的流體；以及至少一個軸承，居間置於所述轉動部份以及所述主體部份之間，以將所述轉動部份耦接至所述主體部份。
6. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中所述噴射孔限定成，從所述轉頭的側面朝向所述轉頭的中軸線延伸。
7. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，還包括耦接至所述轉動部份以及所述轉頭的至少一個清潔管，以提供從所述排放孔排放到所述噴射孔的所述流體。
8. 如申請專利範圍第7項所述之基板處理裝置，還包括耦接到所述主體部份以及所述供應管的至少一個連接管，以提供從所述供應管排放到所述主體部份的所述流體。
9. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中所述流體是用於清潔所述處理容器的清潔溶液。
10. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中所述流體是用於乾燥所述處理容器的乾燥氣體。
11. 一種用於清潔基板處理裝置的方法，所述方法包括：將流體提供至設置在處理容器內的基板支撐構件；以及 藉由轉動所述基板支撐構件以及同時噴射來自所述基板支撐構件的所述流體來清潔所述處理容器，其中當噴射所述流體時，在所述處理容器內將所述基板支撐構件竪直地調整在合適的位置。
12. 如申請專利範圍第11項所述之用於清潔基板處理裝置的方法，其中所述流體從所述基板支撐構件的側面噴射。
13. 如申請專利範圍第12項所述之用於清潔基板處理裝置的方法，其中所述流體包括用於清潔所述處理容器的清潔溶液，以及用於乾燥所述處理容器的乾燥氣體。
14. 如申請專利範圍第13項所述之用於清潔基板處理裝置的方法，其中所述處理容器的所述清潔包括：經由所述基板支撐構件的轉動以及噴射所述清潔溶液來清潔所述處理容器；以及經由所述基板支撐構件的轉動以及噴射所述乾燥氣體來乾燥所述處理容器。