TWI428051B - 發光二極體驅動配置 - Google Patents
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Description
本發明係有關於發光二極體(LEDs)之驅動配置。
本發明之開發主要係針對驅動發光二極體中作為光源(所謂的高通量的發光二極體)是可行的,而其良好的功率因素是基本要遵守的需求。
一個好的驅動發光二極體的電路配置即為所謂的半橋(half-bridge)共振拓撲電路,在此一配置下,一個或多個發光二極體可由變壓器之次級繞組來驅動,而變壓器之初級繞組是共振電路的一部份並可經由半橋控制器中所驅動之半橋配置來供給,則供給至該共振電路的電壓實質上為一具有頻率在20÷200kHz範圍內的方波,其包絡(envelop)可由50-60Hz的主要電壓正弦波形(sine waveform)來調變。
此一配置的一個基本缺點在於當輸入至該半橋的電壓低於該發光二極體之門檻電壓乘上變壓器的匝數比(初級匝數/次級匝數)之值時,其不能發生能量轉換。此導致在初級部分會有相當長的零電流週期並因此導致不好的功率因素。
此問題理論上可用減少該變壓器的匝數比(初級匝數/次級匝數)來解決,然而,此會導致在驅動一個或多個發光二極體適應不匹配的不理想情況,並同樣地會在初級繞組上增加不理想的強大電流。
在稍後部分,其值得提及的是該發光二極體之驅動配置可考量作為一般可期待於包括小型的,可期待便宜的,且低功率的驅動器中,其也必須在安全性與電磁干擾(EMI)上遵守相當嚴格的規定。
本發明之目的因此針對前述有關於半橋拓撲之問題可提供一個有效的解決方式。
依據本發明,其目的可藉由提出如申請專利範圍所具有之特徵來配置達成。在此該申請專利範圍為本發明所揭露組成之一部分而以。
本發明之較佳實施例之說明如下:在一第一步驟中,如第1、2圖所示之一般說明所提供之電路配置。
該二個圖係顯示一電路配置(通常表示為10)用來當作一個或多個發光二極體L的驅動電路。在這二個圖示中只有一個發光二極體L是附代條件顯示的,其該配置可用來驅動一個或多個附加的發光二極體,如該二個圖中所示其可串聯連接到每個整流器及/或並聯連接至複數個整流器。
在某種程度上,該發光二極體或每個串聯的發光二極體L可經由一”倍壓器(voltage doubler)”驅動配置,其包含一對二極體D1,D2以及一對電容器C3,C4。該些二極體扮演整流器的角色以確保該討論中的發光二極體或多個發光二極體可在該發光二極體所做的光源的方向中可被電流流過。可二擇一的是,該發光二極體或每個串聯的發光二極體L可經由一個全橋整流器來驅動。
該電路10係連接以用在交流主要電源Vin上(典型為200÷240V或100÷120V 50-60Hz的主要電源)。
該裝置10之整體配置包含,從該主要電源Vin與朝向該發光二極體或多個發光二極體L順流的行進:-一線路濾波器12,用以濾除從電力供給之不理想的高頻雜訊成份,-一橋式整流器14,其可供給一半橋整流器16,以及-一變壓器18,其具有由該半橋所供給之初級繞組18a以及次級繞組18b其依次供給該發光二極體或多個發光二極體L。
該橋式整流器14可實質上供應該半橋式配置16作為電壓信號以對照第二線路16b的第一線路16a上,在接地與一節點17a之間可配置一電阻器17在該第二線路16b上,而在節點17a上的電壓發展可被測出用來作為供給至半橋16的電流強度的測量。
在節點17a上的該”電流強度”信號可供給至一控制器電路20,該控制電路或控制器20如同發光二極體電流回授信號一樣,同時也在線路16a上檢測(經由一線路20a)主要電壓信號,此發光二極體電流回授信號可提供在線路21上以下將作詳細的說明。
該控制器20可控制二個電子開關22a,22b,一般為互補式金氧半電晶體(MOSFET)S1,S2的形式。
除非在如下的內容另作說明,該一般電路佈局敘述到目前為止與一般習知技術中之配置相當,因此其結構與操作之更詳細的說明在此提供是不需要的。此應用在性能上,針對控制器20,可用以選擇性地適用在不同的操作情況且其驅動信號可應用至電子開關22a,22b上。
首先,其可由各種不同的方波驅動信號頻率應用在該電子開關22a,22b之控制閘上,作為檢測節點17a信號之功能並經由線路20a與22以穩定該發光二極體或多個發光二極體L之操作情況來達成。
該電子開關22a,22b可由該配置在半橋配置16之二臂上之控制器20來驅動,而該半橋配置16可連接該二線路16a與16b至該變壓器18之初級繞組18a的多個端埠之一上。
該電容器C1,C2係同樣地配置在該半橋配置16之其它二臂上,亦即該二臂可連接線路16a,16b與變壓器18之初級繞組18a之其它端埠。
如第1圖所示之配置中,該電容器C1與C2可與變壓器18之磁化電感Lu1一起形成一並聯共振電路,該變壓器18之磁化電感Lu1可塑造成一與變壓器18之初級繞組18a並聯連接之由感器。
該討論中之共振電路也包含一串聯連接該初級繞組18a之電感器LD1,代表該變壓器之漏磁電感。
無論該特定配置有無被採用,討論中之共振頻率之典型值係在該切換頻率之下。
如第1圖所示其配置之基本原則操作下,可提供該討論中的共振電路以提升電壓而從該主要電壓的瞬間於零交越附近流過該發光二極體或多個發光二極體,此一電壓提升效果可確保甚至當半橋配置16之輸入電壓低於發光二極體之門檻電壓時(乘上該變壓器18之匝數比)能量會發生轉換。
特別地是,該並聯共振轉換器包含共振感應(Lu1加上LD1),其具有提升電壓至發光二極體門檻電壓之能力,此一轉換器之提升效果可藉由控制器20用在該電子開關22a,22b來增加切換頻率至接近共振配置之共振頻率。
此操作原則可參照第3圖圖示而可被較佳的解釋。
實質上,所指的圖解係描述輸入電壓至發光二極體電壓增益G(縱座標刻度)對照控制器20之切換頻率f之變化(橫座標刻度)。
該圖示之峰值變化係有關於共振電路之品質因素Q,其可被設計(以習知方式)來匹配該電路之特定操作需求。
一般來說,若該控制器切換頻率從“正常”值f1改變為另一個接近共振電路(即第3圖圖示之峰值)之共振頻率fr時,該增益大小G可從第一值G1對應地增加到第二較高的值G2。
當f2的典型值為超過fr數十kHz以上時,針對f1之典型值可以超過f2數十kHz以上。
因此,該控制器20可於交流正弦波輸入線電壓之半週期期間操作(就其本身而言以習知方式)以改變驅動信號之頻率而用在電子開關22a,22b上,此可減少輸入電壓之零交越點附近之頻率(例如從f1到f2)以提供討論中之頻率而更接近該共振頻率fr以提升輸入電壓,並可利用電子開關22a,22b之驅動信號頻率可增加(例如由恢復至f1)在其它部分以上以及在主要電壓之峰值附近。
此一變化可圖示於第4圖圖解中表示。
在此,該切換信號SW可由控制器20而用在電子開關22a,22b之閘上係描述一般時間刻度t對一輸入電壓之半週週期IW而從主電源Vin取得。
該特定原則規定切換信號SW之頻率變化可在該輸入電壓之半週週期IW之上而適合(可能由實驗檢驗或自動地由一乘法器)作為一如第3圖中共振圖示之功能並與該理想提升之效應一致。
前述與第3圖有關之提升機制,可提供該轉換器20之切換頻率以提供較接近於該共振配置之共振頻率fr,其包含可產生較低切換頻率(即經過頻率f1到頻率f2)之電容器C1,C2。該些技術將立即察知一類似的影響,其可-至少理論上-以一互補的方式來完成,那就是當需要提升效果時,可藉由選擇性地增加該轉換器20之切換頻率,參照第3圖之曲線,此選擇配置需要頻率f1小於頻率f2才行,並且該頻率f2係依序小於頻率fr。
當可實施時,此一可選擇之配置表示目前一些理由之次佳解決方式,其包含如控制器20之電流操作頻率f1係一般被選為相對高頻率的事實,此外,選擇一切換頻率低於共振頻率意味著於初級與次級側上的一個不希望增加的功率損失。
第4圖中的變化表示實質代表該控制器20之切換頻率之某些頻率調變,其可藉由利用輸入電壓信號IV當作調變實體來達成。
此操作模式可完全適合操作該控制器20作為一傳統PFC(功率因素修正)控制器,其包含一內部主要電流回授迴路,其用以影響一正弦主要電流波形,以及一外部迴路,用以控制該平均發光二極體電流,基於該控制器20係做成對於輸入電流(經由該感測電阻17)、該主要電壓(經由線路20a)與該變壓器電流配置(經由線路21)是敏感的。
如第1圖中所示之配置,該發光二極體之電流不能在變壓器18之初級側測量,其為因為各自的電流是該發光二極體電流與該共振電流的總和。
基於此原因該電流強度測量迴授線路21可於變壓器18之次級側上連接至21a(次級繞組18b)。
至於固定輸出負載,該外部控制器回路可被移掉並且可增加一簡單主要電壓前饋控制設計以確保固定功率可供給該發光二極體或多個發光二極體於不同的線電壓上。如第1圖所示之配置可呈現許多優點。
其可採取一個價廉的電路形式,藉由倍壓器C3與C4之電容值而不用檢測每個串聯發光二極體之回授電流,以適用於具有不同的順向電壓值Vf之該發光二極體或多個發光二極體之間,來確保一良好的電流匹配。此外,有關於諧波產生之覆行標準可能容易實現,如EN標準61000-3-2類別C,同時,該控制器20之切換頻率之”擺動(wobbling)”機制係與第4圖之說明有關而導致產生一有用的電磁雜訊之展開:此頻譜展開係對於降低電磁干擾(EMI)是有助益的。然而,該整流器一般係放置在關於電源供應單元之殼體外部,亦即,位於該發光二極體模組上,以降低整個電源供應單元本身之尺寸。
所有前述之應用也可用在如第2圖中之可替代的實施例上,在此可替代的實施例中,一額外共振電感L2可與該變壓器18之初級繞組並聯配置,在第2圖中,該變壓器18之磁化電感沒有明確地顯示其被電流流過,其與整個主要電流相比較一般可將其忽略掉。
參照第2圖所示,針對變壓器10之磁化電感Lu1之典型值可為1÷20mH之範圍內,當找到一個合適的L2值在0.2÷5mH之範圍內時,變壓器10之漏電感LD1之典型值可為0.02÷1mH之範圍內。
如第2圖圖式中之實施例,該發光二極體電流針對線路21之回授節點21a係被配置在該變壓器18之初級側上,而該提供在回授線路21上之信號因此可為一負載電流之修正測量並且可正確地用來執行電流回授/保護。此外,在第2圖之可選擇實施例中,該共振電流係主要藉由電感器L2來傳送,並且該變壓器之初級繞組上的總有效電流(RMS current)可相對地降低。
一附加電感器L4(其典型值在0.02÷2mH之範圍內)可更進一步被串並聯配置連接到電感器L2與變壓器之初級繞組18a上,而可更進一步降低該轉換器之共振頻率fr。
熟悉該項技術者將可立即體會到,第1圖與第2圖中之圖式實施例將可更進一步包含額外的元件。
例如一電容器可被直接配置在橋式二極體之順流上,其為了濾除該半橋之切換電流而與標準DM及/或CM濾波器互相作用是可行的。同樣地,一額外的電感器可串聯加在每個單元(cell)上以改善並聯單元(parallel cells)之間的電流匹配。
在沒有損害本發明之原則下,詳細內容與實施例是可多樣化的,甚至顯著地是,關於前述只經由範例之敘述與圖示,將不背離本發明所附加之申請專利範圍之範圍。
10...電路配置
16...半橋配置
16a、16b、20a...線路
17...檢測電阻
17a...節點
18...變壓器
18a...初級繞組
18b...次級繞組
20...控制器
21...回授線路
22a、22b...切換
f2...第二值
f1...第一值
fr...共振頻率
C1、C2、C3、C4...電容器
Lu1、LD1...電感器
L1、L2、L4...額外電感
IV...輸入電壓
Vin...交流主要電源
Vf...順向電壓值
S1、S2...互補式金氧半電晶體
12...線路濾波器
14...橋式整流器
L...發光二極體
G、G1、G2...增益值
本發明現在將經由範例並參照附加圖示說明,其中:第1圖在此說明配置的第一實施例方塊圖。
第2圖在此圖示說明配置的一個可替代實施例的方塊圖。
第3圖與第4圖為第1圖與第2圖之電路操作代表圖。
10...電路配置
16...半橋配置
16a、16b、20a...線路
17...檢測電阻
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18a...初級繞組
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C1、C2、C3、C4...電容器
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Vin...交流主要電源
S1、S2...互補式金氧半電晶體
12...線路濾波器
14...橋式整流器
L...發光二極體
Claims (13)
- 一種可驅動至少一個LED(發光二極體)之電源供應裝置,其包含:-一變壓器(18),其具有一可驅動該至少一個發光二極體之次級繞組(18b),以及一初級繞組(18a);-一半橋裝置(16),用以被供給一輸入電壓(IV)並耦接至該變壓器(18);-一共振電路(C1,C2,Lu1;C1,C2,LD1),其介於該半橋裝置(16)與該變壓器(18)之初級繞組(18a)之間,該共振電路具有一共振頻率(fr),以及-一控制器(20),其配置成以介於至少一第一值(f1)與至少一第二值(f2)之間的切換頻率變量切換(22a,22b)該半橋裝置(16),其中該第二值(f2)係比該第一值(f1)更接近該共振頻率(fr),因此經由該變壓器(18)產生一朝向該至少一個LED供給電壓之提升效果,其中該至少第一值(f1)與該至少第二值(f2)二者均高於該共振頻率(fr),藉此該至少第二值(f2)係低於該至少第一值(f1)。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中:-該電源供應裝置設置在一殼體中;-該至少一個LED可經由一整流器而連接至該變壓器(18)之次級繞組(18b),其中該整流器可放置於該殼體之外部。
- 如申請專利範圍第2項之裝置,其中包含一個或多個串聯LEDs,其連接至該變壓器(18)之次級繞組(18b),該等LEDs之每一者經由該整流器而放置在該殼體之外部。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中該輸入電壓(IV)係一交流電壓,其具有零交越區域,當該輸入電壓(IV)位於該零交越區域中時,該控制器(20)可配置成以該至少一第二值(f2)之切換頻率切換(22a,22b)該半橋裝置(16)。
- 如申請專利範圍第4項之裝置,其中該輸入電壓為一正弦電壓,該控制器(20)配置成以使用該輸入電壓(IV)作為該切換頻率之調變實體。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中該半橋裝置(16)包含至少一個電容器(C1,C2)以與該變壓器之磁化及漏磁電感一起產生該共振電路。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中該變壓器(18)之磁化電感(Lu1)包含於該共振電路中以定義其共振頻率(fr)。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中包含至少一個額外電感器(L2,L4)係插入於該半橋裝置(16)與該變壓器(18)之初級繞組(18a)之間,以定義該共振電路之共振頻率(fr)。
- 如申請專利範圍第8項之裝置,其中該至少一個額外電感器(L2)係與該變壓器(18)之初級繞組(18a)作並聯配 置。
- 如申請專利範圍第8項之裝置,其中該至少一個額外電感器(L4)係與該變壓器(18)之初級繞組(18a)作串聯配置。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中包含一回授線路(21),用以供給該控制器一回授信號(21),其中該回授信號表示供給該至少一個LED之電流強度。
- 如申請專利範圍第11項之裝置,其中該回授線路(21)連接至該變壓器(18)之次級繞組(18b)。
- 如申請專利範圍第11項之裝置,其中:-該共振電路包含一電感器(L2),其與至該變壓器(18)之初級繞組(18a)並聯連接,以及-該回授線路(21)係連接至該變壓器(18)之次級繞組(18b)。
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