TWI424490B

TWI424490B - 垂直輪廓修正

Info

Publication number: TWI424490B
Application number: TW095136939A
Authority: TW
Inventors: 沙加地史; 西瑞葛利諾彼得; 金智深; 黃興頌; 哈德森艾瑞克
Original assignee: 泛林股份有限公司
Priority date: 2005-10-05
Filing date: 2006-10-04
Publication date: 2014-01-21
Also published as: CN104392906A; US7682516B2; WO2007041423A9; CN101278381A; WO2007041423A1; US20070075038A1; TW200729332A; KR20080059626A

Description

垂直輪廓修正

本發明係有關於半導體裝置的形成。

在半導體晶圓處理的期間，半導體裝置的特徵係使用熟知的圖案化及蝕刻製程，而被界定於晶圓中。在這些製程中，光阻(PR)材料係沈積於晶圓上，而後暴露於藉由光罩所過濾的光。光罩一般為玻璃板，其係圖案化有阻絕光傳遞經過光罩之例示性特徵幾何。

在通過光罩之後，光會接觸光阻材料的表面。光會改變光阻材料的化學成分，使得顯影劑可移除一部分的光阻材料。在正光阻材料的情況中，會移除暴露出的區域，而在負光阻材料的情況中，會移除未暴露出的區域。之後，蝕刻晶圓，以自不再受到光阻材料保護的區域移除底下的材料，且藉以界定所想要的特徵於晶圓中。

此種製程可能會使遮罩特徵具有不規則的垂直輪廓。

為了達成上述且依據本發明的目的，提供一種蝕刻層中的特徵之蝕刻方法。經圖案化之光阻遮罩係形成於具有含側壁的光阻特徵之蝕刻層之上，其中光阻特徵的側壁具有沿著光阻特徵的深度方向之不規則輪廓。將光阻特徵的側壁中之沿著光阻特徵的深度方向之不規則輪廓修正為包含至少一個週期，其中各週期包含側壁沈積階段及輪廓成形階段。特徵係經由該等光阻特徵而被蝕刻入蝕刻層中，移除該遮罩。

在本發明的另一表現形式中，提供一種蝕刻層中之具有垂直輪廓側壁的特徵之蝕刻方法。經圖案化之光阻遮罩係形成於具有含側壁的光阻特徵之蝕刻層之上，其中光阻特徵的側壁具有非垂直的輪廓側壁。非垂直的輪廓側壁被修正而形成具有包含複數個週期的垂直輪廓側壁之光阻特徵，其中各週期包含側壁沈積階段及輪廓成形階段。具有垂直輪廓側壁的特徵係經由該等光阻特徵而被蝕刻入蝕刻層中，移除遮罩。

在本發明的另一表現形式中，提供一種蝕刻層中的特徵之蝕刻裝置，位於具有含沿著光阻特徵的深度方向之不規則輪廓的光阻特徵之光阻遮罩之下。提供電漿處理室，其包含用以形成電漿處理室圍壁之室壁、用以支撐電漿處理室圍壁內的基體之基體支撐物、用以調節電漿處理室圍壁中的壓力之壓力調節器、用以將電源提供給電漿處理室圍壁以維持電漿之至少一電極、用以將氣體送入電漿處理室圍壁之氣體入口、及用以自電漿處理室圍壁排出氣體之氣體出口。氣體源係與氣體入口流體連接，其中氣體源包含光阻特徵側壁沈積氣體源、輪廓成形氣體源、及蝕刻層蝕刻氣體源。控制器係可控制地連接至氣體源及此至少一電極，其包含至少一處理器及電腦可讀取媒體。電腦可讀取媒體包含用以修正不規則輪廓的電腦可讀取碼，其包含複數個週期，其中各週期包含用以提供來自於沈積氣體源的沈積氣體之電腦可讀取碼、用以自沈積氣體產生電漿之之電腦可讀取碼、用以阻絕來自於沈積氣體源的沈積氣體之電腦可讀取碼、用以提供來自於輪廓成形氣體源的輪廓成形氣體之電腦可讀取碼、用以自輪廓成形氣體產生電漿之電腦可讀取碼、及用以阻絕來自於該輪廓成形氣體源的輪廓成形氣體之電腦可讀取碼。電腦可讀取媒體進一步包含用以蝕刻此蝕刻層的電腦可讀取碼及用以移除光阻遮罩的電腦可讀取碼。

本發明的這些及其他特徵將於以下本發明的詳細說明且結合以下圖式而做更詳細的說明。

本發明現在將參照如附圖中所例舉的一些較佳實施例而做詳細地說明。在以下的說明中，會提出許多特定細節，以提供本發明的全盤了解。然而，對於熟習此項技術者而言，顯然可知的是，本發明可在沒有這些特定細節中的某些或全部而被實施。在其他例子中，不會詳細說明熟知的製程步驟及/或結構，以便不會使本發明產生不必要地混淆。

為了促進了解，圖1為可用於本發明的實施例中之製程的高階流程圖。提供經圖案化之光阻遮罩(步驟104)。圖2A為基體204上之待蝕刻層208的示意剖面圖，基體204具有含位於形成疊層200的蝕刻層208上之特徵214(位於ARL 210之上)的經圖案化之光阻遮罩212。然後，使光阻層圖案化，以形成具有光阻側壁的光阻特徵。該圖案化製程可致使光阻特徵的側壁213具有不規則垂直輪廓。圖2A中所顯示之垂直方向的光阻特徵不規則側壁輪廓是傾斜的。在此說明書及申請專利範圍中，垂直方向係定義為沿著光阻特徵的深度方向「d」之方向，如圖2A中所顯示，如同相對於環繞光阻特徵的周圍之不規則物，使得光阻特徵具有非垂直的側壁輪廓。因此，沿著光阻特徵的垂直方向之不規則輪廓為沿著光阻特徵的深度方向之不規則輪廓。

光阻特徵的垂直方向之不規則輪廓被修正(步驟108)。圖2B為經圖案化之光阻遮罩212的示意剖面圖，其中光阻特徵的側壁215具有垂直方向的修正輪廓。圖3係用以修正光阻特徵的側壁中之垂直方向的輪廓之更詳細的流程圖(步驟108)。在此例中，遮罩的側壁中之垂直方向的輪廓之修正係實施於兩階段週期程序中。週期程序中的一個階段為側壁上的沈積(步驟304)，而另一階段為輪廓成形。額外的階段可加入於每一個週期中。較佳而言，此步驟係於1至20週期的期間來予以實施。更較佳而言，此步驟係於2至10週期的期間來予以實施。

更較佳而言，側壁沈積階段(步驟304)使用包含CF₄ 與H₂ 的組合、或CH₃ F與N₂ 的組合、或具有如氫、氮、或氧的氧化或還原添加劑之C_x F_y 或C_x H_y F_z 中之至少之一的沈積氣體。更一般而言，沈積氣體包含碳氫化合物、碳氟化合物、及碳氟氫化合物中之至少之一。更較佳而言，沈積氣體更包含載送氣體，如氬或氙。更較佳而言，沈積氣體更包含氧化添加劑及還原添加劑中之至少之一，如O₂ 、H₂ 、或NH₃ 。輪廓成形階段使用包含C_x F_y 及NF₃ 及C_x H_y F_z 中之至少之一的輪廓成形氣體。更較佳而言，輪廓成形氣體更包含載送氣體，如氬或氙。更較佳而言，輪廓成形氣體更包含氧化添加劑及還原添加劑中之至少之一，如O₂ 、H₂ 、或NH₃ 。

然後，特徵係經由修正過的光阻遮罩而被蝕刻入蝕刻層208中(步驟112)。圖2C顯示蝕刻入蝕刻層208中的特徵232。

然後，剝除光阻(步驟116)。圖2D顯示已去除光阻遮罩之後的疊層200。可實施額外的形成步驟(步驟124)。例如，接點240然後可形成於特徵之中。為了產生雙鑲嵌結構，在形成接點之前，可先蝕刻渠溝。在形成接點之後，可實施額外的製程。

修正傾斜側壁的例子

在一例中，多個步驟製程被用來形成碳氫化合物層。經圖案化之光阻層被形成(步驟104)，在此例中，光阻特徵214的側壁215具有垂直方向的不規則輪廓，側壁為傾斜的，如圖2A中所顯示。具有蝕刻層208的基體204、ARC層210、以及經圖案化之光阻遮罩212係置於蝕刻室中。

圖4為可用於成形垂直方向的光阻遮罩特徵之輪廓、蝕刻、及剝除光阻遮罩之處理室400的示意視圖。電漿處理室400包含圍限環(confinement ring)402、上電極404、下電極408、連接至氣體入口的氣體源410、以及連接至氣體出口的排出泵420。氣體源410包含沈積氣體源412及輪廓成形氣體源416。氣體源410可包含額外的氣體源，例如蝕刻氣體源418。在電漿處理室400內，基體204係置於下電極408之上。下電極408結合用以固持基體204之適合的基體夾盤機構(例如，靜電的機械夾鉗，或類似機構)。反應器頂部428結合正置於與下電極408階段對之上電極404。上電極404、下電極408、以及圍限環402界定圍限電漿體積。氣體係藉由氣體源410而被供應至圍限電漿體積，且經由圍限環402及排出泵420的排出埠而自圍限電漿體積排出。第一射頻(RF)源444係電氣連接至上電極404。第二射頻(RF)源448係電氣連接至下電極408。室壁452圍繞圍限環402、上電極404、以及下電極408。第一射頻源444及第二射頻源448均可包含27MHz的電源及2MHz的電源。將射頻源連接至電極的不同組合係可能的。在藉由加州Fremont的LAM Research Corporation^T ^M 所製造之Lam研究公司的雙頻電容式(DFC)系統(其可用於本發明的較佳實施例中)之情況中，27MHz及2MHz電源兩者組成連接至下電極的第二射頻源448，而上電極係接地。控制器435係可控制地連接至射頻源444，448、排出泵420、以及氣體源410。當待蝕刻層208為介電質層(如氧化矽或有機矽酸鹽玻璃)時，將會使用DFC系統。

圖5A及5B例舉電腦系統1300，其適用於實施本發明的實施例中所使用之控制器435。圖5A顯示電腦系統的一種可能實際形式。當然，該電腦系統可具有範圍從積體電路、印刷電路板、及小的手持式裝置到巨大超級電腦之許多實際形式。電腦系統1300包含監視器1302、顯示器1304、外殼1306、磁碟機1308、鍵盤1310、以及滑鼠1312。碟片1314為用來將資料轉移至電腦系統1300及轉移來自電腦系統1300的資料之電腦可讀取媒體。

圖5B為電腦系統1300的方塊圖之一例。附加於系統匯流排1320的是廣泛的子系統。處理器1322(也被稱為中央處理單元，或CPUs)係耦接至包含記憶體1324的儲存裝置。記憶體1324包含隨機存取記憶體(RAM)及唯讀記憶體(ROM)。如此項技術中所熟知的，ROM用來將資料及指令單向地轉移至CPU，而RAM典型上係用來以雙向的方式轉移資料及指令。這兩種類型的記憶體均可包含以下所述之任何適合的電腦可讀取媒體。固定式磁碟1326也雙向耦接至CPU 1322；其提供額外的資料儲存容量且也可包含以下所述之任何的電腦可讀取媒體。固定式磁碟1326可用來儲存程式、資料，等等，並且典型上為比主要的儲存器更慢之次要的儲存媒體(例如硬碟)。將會了解的是，於適當情況中，固定式磁碟1326內所包含的資訊可以用標準的形式被結合入做為記憶體1324中的虛擬記憶體。可移式磁碟1314可採用底下所述之任何形式的電腦可讀取媒體。

CPU 1322也被耦接至各種輸入/輸出裝置，例如顯示器1304、鍵盤1310、滑鼠1312、以及揚聲器1330。一般而言，輸入/輸出裝置可為視訊顯示器、軌跡球、滑鼠、鍵盤、麥克風、觸控感應式顯示器、轉換卡讀取器、磁帶或紙帶讀取器、平板電腦、觸控筆、語音或手寫辨識器、生物測定讀取器、或其他電腦中的任一種。CPU 1322可選擇性地使用網路介面1340而被耦接至另一電腦或電信網路。具有此種網路介面，可預期到的是，在實施上述方法步驟的情況中，CPU可從網路接收資訊，或可將資訊輸出至網路。此外，本發明的方法實施例僅可於CPU 1322上執行，或可於例如與分擔部分處理的遠端CPU相結合之網際網路的網路上執行。

此外，本發明的實施例另有關於具有電腦可讀取媒體的電腦儲存產品，電腦可讀取媒體之上具有電腦碼，用以實施各種電腦實施之操作。媒體及電腦碼可以是為本發明的目的而特別設計且建構的媒體及電腦碼，或者他們可以是熟習電腦軟體技術者所熟知且可用的類型。電腦可讀取媒體的例子包含，但不受限於：例如硬碟、軟碟、及磁帶的磁性媒體；例如CD－ROMs及全像裝置的光學媒體；例如軟磁光碟的磁光媒體；以及特別被組構來儲存且執行程式碼的硬體裝置，例如特殊應用積體電路(ASICs)、可程式化邏輯裝置(PLDs)及ROM與RAM裝置。電腦碼的例子包含：例如由編譯器所產生之機械碼，以及含有藉由電腦使用解譯器所執行的較高階碼之檔案。電腦可讀取媒體也可以是藉由載波中所具體實施的電腦資料訊號所傳送，且代表可由處理器所執行之一序列指令的電腦碼。

多週期多階段程序被用來修正光阻遮罩的垂直輪廓(步驟108)。側壁階段上的沈積之一例(步驟304)提供150sccm的CH₃ F、75sccm的N₂ 、及100sccm的Ar之流動。壓力係設定為80m托耳(Torr)。基體係保持於20℃的溫度。第二射頻(RF)源448於27MHz的頻率處提供400瓦，而於2MHz的頻率處提供0瓦。

輪廓成形階段之一例(步驟308)產生含有氣體(例如100sccm的CF₄ )的鹵素(亦即，氟、溴、氯)。在此例中，在輪廓成形的期間，CF₄ 為唯一的氣體。提供20m托耳的壓力給此室。第二射頻(RF)源448於27MHz的頻率處提供600瓦，而於2MHz的頻率處提供0瓦。

在其他實施例中，各週期可另包含額外的沈積及/或輪廓成形階段。

較佳而言，經修正之輪廓的垂直側壁為自底部至頂部產生與特徵的底部成88°至90°間之角度的側壁。

待蝕刻層的一例可為習知蝕刻層，例如SiN、SiC、氧化物、或低k電介質。習知蝕刻法可用來蝕刻待蝕刻層。

為了剝除光阻及側壁層(步驟116)，可使用氧灰化。

若並未修正垂直方向的不規則輪廓，則具有傾斜側壁的遮罩可致使最終的特徵具有傾斜側壁。側壁之垂直方向的不規則輪廓之修正會提供具有垂直輪廓的特徵。

後退側壁的例子

在一例中，經圖案化之光阻遮罩612係形成(步驟104)有具有垂直方向的不規則輪廓之光阻特徵614，其為後退側壁615，如圖6A中所顯示。光阻遮罩612係配置於ARL610之上，ARL610係配置於蝕刻層608之上，蝕刻層608係配置於基體604之上。疊層600係置於蝕刻室中，如圖4中所顯示。

多週期多階段程序被用來修正光阻遮罩的垂直輪廓(步驟108)，如圖6B中所顯示。對於沈積階段(步驟304)而言，可使用前例中所使用的沈積方法。輪廓成形階段(步驟308)的一例可使用前例中的方法。不同參數的變化(如沈積階段的沈積週期與輪廓成形階段的輪廓成形週期之比率)可被用來修正垂直方向之不同的不規則成形輪廓。

待蝕刻層的一例可為習知蝕刻層，如SiN、SiC、氧化物、或低k電介質。習知蝕刻法可被用來將特徵620蝕刻入蝕刻層608中，如圖6C中所顯示。

為了剝除光阻及側壁層(步驟116)，可使用氧灰化。

若並未修正輪廓，則具有後退側壁的遮罩可致使最終的特徵具有傾斜側壁。側壁之垂直輪廓的修正提供具有垂直輪廓的特徵。

駐波側壁的例子

在一例中，經圖案化之光阻遮罩712係形成(步驟104)有具有駐波變形的側壁715之光阻特徵714，如圖7A中所顯示。在不希望被理論所限制之下，吾人階段信光阻特徵尺寸會產生駐留光波。結果，光阻特徵的側壁係依據駐波而變形。光阻遮罩712係配置於ARL 710之上，ARL710係配置於蝕刻層708之上，蝕刻層708係配置於基體704之上。疊層700係置於蝕刻室中，如圖4中所顯示。

多週期多階段程序被用來修正光阻遮罩的垂直輪廓(步驟108)，如圖7B中所顯示。對於沈積階段(步驟304)而言，可使用前例中所使用的沈積方法。輪廓成形階段(步驟308)的一例可使用前例中的方法。不同參數的變化(如沈積階段的沈積週期與輪廓成形階段的輪廓成形週期之比率)可被用來修正垂直方向之不同的不規則成形輪廓。

待蝕刻層的一例可為習知蝕刻層，如SiN、SiC、氧化物、或低k電介質。習知蝕刻法可被用來將具有垂直輪廓側壁720的特徵蝕刻入蝕刻層708中，如圖7C中所顯示。

為了剝除光阻及側壁層(步驟116)，可使用氧灰化。

頸縮側壁的例子

在一例中，圖案化光阻遮罩812係形成(步驟104)有具有垂直方向的不規則輪廓之光阻特徵814，其為頸縮側壁815，如圖8A中所顯示。光阻遮罩812係配置於ARL 810之上，ARL810係配置於蝕刻層808之上，蝕刻層808係配置於基體804之上。疊層800係置於蝕刻室中，如圖4中所顯示。

多個週期多個階段的程序係用來未修正光阻遮罩的垂直輪廓(步驟108)，如圖8B中所顯示。

本發明係沿著特徵的深度方向修正具有垂直輪廓的光阻特徵之側壁(如傾斜、後退、駐波、及頸縮的側壁中之至少之一)。這些不規則物中之至少之一包含這些不規則物的組合，如較接近底部的後退物，與接近產生弓狀或深紅色玻璃形側壁的頂端之頸縮側壁的組合。

雖然本發明已就許多較佳實施例的觀點做說明，但是落於本發明的範圍內可有改變、修飾、變化、及不同替代等效物。也應該要注意的是，實施本發明的方法及裝置有許多變化方式。因此意謂以下後附的申請專利範圍係解讀為包含如落入本發明的真實精神及範圍內之所有此種改變、修飾、變化、及不同替代等效物。

200．．．疊層

204．．．基體

208．．．待蝕刻層

210．．．ARL

212．．．經圖案化之光阻遮罩

213．．．側壁

214．．．特徵

215．．．側壁

232．．．特徵

240．．．接點

400．．．處理室

402．．．圍限環

404．．．上電極

408．．．下電極

410．．．氣體源

412．．．沈積氣體源

416．．．輪廓成形氣體源

418．．．蝕刻氣體源

420．．．排出泵

428．．．反應器頂部

435．．．控制器

444．．．第一射頻(RF)源

448．．．第二射頻(RF)源

452．．．室壁

1300．．．電腦系統

1302．．．監視器

1304．．．顯示器

1306．．．外殼

1308．．．碟機

1310．．．鍵盤

1312．．．滑鼠

1314．．．碟片

1320．．．系統匯流排

1322．．．處理器

1324‧‧‧記憶體

1326‧‧‧固定式磁碟

1330‧‧‧揚聲器

1340‧‧‧網路介面

600‧‧‧疊層

604‧‧‧基體

608‧‧‧蝕刻層

610‧‧‧ARL

612‧‧‧經圖案化之光阻遮罩

614‧‧‧光阻特徵

615‧‧‧後退側壁

620‧‧‧特徵

700‧‧‧疊層

704‧‧‧基體

708‧‧‧蝕刻層

710‧‧‧ARL

712‧‧‧經圖案化之光阻遮罩

714‧‧‧光阻特徵

715‧‧‧側壁

720‧‧‧垂直輪廓側壁

800‧‧‧疊層

804‧‧‧基體

808‧‧‧蝕刻層

810‧‧‧ARL

812．．．經圖案化之光阻遮罩

814．．．光阻特徵

815．．．頸縮側壁

本發明係藉由例子而非藉由限制，而舉例說明於伴隨的圖式中，且其中相同的參考標號代表相同的元件，且其中：圖1係可用於本發明的實施例中之製程的高階流程圖；圖2A-D係依據本發明的實施例所處理之疊層的示意剖面圖；圖3係修正光阻遮罩的垂直輪廓之步驟的更詳細流程圖；圖4係可用於實施本發明的電漿處理室之示意圖；圖5A－B 繪示電腦系統，其適用於實施本發明的實施例中所使用之控制器；圖6A－C 係依據本發明的實施例所處理之疊層的示意剖面圖；圖7A－C 係依據本發明的實施例所處理之疊層的示意剖面圖；以及圖8A－B 係依據本發明的實施例所處理之疊層的示意剖面圖。

Claims

一種蝕刻層中的特徵之蝕刻方法，包含下列步驟：形成經圖案化之光阻遮罩於具有含側壁的光阻特徵之該蝕刻層上，其中，該等光阻特徵的該等側壁具有沿著該等光阻特徵的深度方向之不規則輪廓；沿著該等光阻特徵之該等側壁之該等光阻特徵的深度方向修正該等不規則輪廓包含至少一個週期，其中，各週期包含：側壁沈積階段；及輪廓成形階段，其中，該輪廓成形階段係實施於該側壁沈積階段之後；在完成該修正該等不規則輪廓的步驟之後，經由該等光阻特徵而將特徵蝕刻入該蝕刻層中；以及移除該遮罩。
如申請專利範圍第1項之方法，其中，該等不規則輪廓為傾斜側壁、頸縮側壁、後退側壁、以及駐波變形側壁中的至少其中之一。
如申請專利範圍第2項之方法，其中，該側壁沈積階段包含：提供沈積氣體，其包含碳氫化合物、碳氟化合物、及碳氟氫化合物中的至少其中之一；自該沈積氣體形成電漿；以及停止該沈積氣體的流動。
如申請專利範圍第3項之方法，其中，該輪廓成形階段包含：提供輪廓成形氣體，其包含C_x F_y 、NF₃ 、及C_x H_y F_z 中的至少其中之一；自該輪廓成形氣體形成電漿；以及停止該輪廓成形氣體的流動。
如申請專利範圍第4項之方法，其中，該沿著該等光阻特徵之深度方向修正該等不規則輪廓之步驟使該等光阻特徵的該等側壁轉變成垂直輪廓側壁。
如申請專利範圍第5項之方法，其中，該等垂直輪廓側壁為自底部至頂部產生與該等光阻特徵的底部成88°至90°間之角度的側壁。
如申請專利範圍第6項之方法，其中，該沈積氣體另包含氧化添加劑及還原添加劑中的至少其中之一。
如申請專利範圍第7項之方法，其中，該沈積氣體另包含載送氣體。
如申請專利範圍第8項之方法，其中，該輪廓成形氣體另包含氧化添加劑及還原添加劑的至少其中之一。
如申請專利範圍第9項之方法，其中，該輪廓成形氣體另包含載送氣體。
如申請專利範圍第1項之方法，其中，該側壁沈積階段包含：提供沈積氣體，其包含碳氫化合物、碳氟化合物、及碳氟氫化合物中的至少其中之一；自該沈積氣體形成電漿；以及停止該沈積氣體的流動。
如申請專利範圍第1項之方法，其中，該沿著該等光阻特徵之深度方向修正該等不規則輪廓之步驟使該等光阻特徵的該等側壁轉變成垂直輪廓側壁。
如申請專利範圍第12項之方法，其中，該等垂直輪廓側壁為自底部至頂部產生與該等光阻特徵的底部成88°至90°間之角度的側壁。
如申請專利範圍第1項之方法，其中，該修正該等不規則輪廓之步驟包含複數個週期。
如申請專利範圍第1項之方法，其中，該側壁沈積階段和該輪廓成形階段提供非保形沉積。
如申請專利範圍第1項之方法，其中，該修正該等不規則輪廓之步驟自非垂直輪廓中提供垂直側壁。
一種蝕刻層中之具有垂直輪廓側壁的特徵之蝕刻方法，包含下列步驟：形成經圖案化之光阻遮罩於具有含側壁的光阻特徵之該蝕刻層之上，其中，該等光阻特徵的該等側壁具有非垂直輪廓側壁；修正該等非垂直輪廓側壁，以形成具有垂直輪廓側壁之光阻特徵包含複數個週期，其中，各週期包含：側壁沈積階段；及輪廓成形階段，在完成該側壁沈積階段之後；在完成該修正該等非垂直輪廓的步驟之後，經由該等光阻特徵，將具有垂直輪廓側壁的特徵蝕刻入該蝕刻層中；以及移除該遮罩。
如申請專利範圍第17項之方法，其中，該側壁沈積階段包含：提供沈積氣體，其包含碳氫化合物、碳氟化合物、及碳氟氫化合物中的至少其中之一，以及氧化添加劑及還原添加劑中的至少其中之一；自該沈積氣體形成電漿；以及停止該沈積氣體的流動。
如申請專利範圍第18項之方法，其中，該輪廓成形階段包含：提供輪廓成形氣體，其包含C_x F_y 、NF₃ 、及C_x H_y F_z 中的至少其中之一，以及氧化添加劑及還原添加劑中的至少其中之一；自該輪廓成形氣體形成電漿；以及停止該輪廓成形氣體的流動。
如申請專利範圍第19項方法，其中，該沿著該等光阻特徵之深度方向修正非垂直輪廓之步驟使該等光阻特徵的該等側壁轉變成垂直輪廓側壁。