TWI424041B

TWI424041B - Anisotropic conductive film and a hardening agent

Info

Publication number: TWI424041B
Application number: TW100128063A
Authority: TW
Inventors: Akira Otani; Keisuke Fukumoto
Original assignee: Asahi Kasei E Materials Corp
Priority date: 2010-08-06
Filing date: 2011-08-05
Publication date: 2014-01-21
Also published as: CN103081236B; TW201217481A; WO2012018123A1; KR101456396B1; JPWO2012018123A1; CN103081236A; KR20130041121A; JP5373973B2

Description

異向導電性接著膜及硬化劑

本發明係關於一種於微細圖案之電性連接中，低溫連接性優異，並且剝離強度之可靠性優異的異向導電性接著膜，使用其之連接結構體之製造方法及硬化劑。

異向導電性接著膜係將導電性粒子分散於絕緣性接著劑中之膜，換言之，係為簡便地進行液晶顯示器與IC(integrated circuit，積體電路)晶片或TCP(Tape Carrier Package，捲帶式封裝體)之連接、FPC(Flexible Printed Circuit，可撓性印刷電路)與TCP之連接、或FPC與印刷配線板之連接而使用之連接構件，例如廣泛地用於筆記型電腦或行動電話之液晶顯示器與控制IC之連接用途，最近亦用於將IC晶片直接搭載於印刷基板或可撓性配線板上之倒裝晶片封裝中。

另一方面，近年來於該領域中，隨著所連接之基板之薄型化、大型化之發展，為緩和由連接時之溫度差所引起之翹曲，於低溫下進行連接之要求高漲。

異向導電性接著膜就連接可靠性之方面而言，主要使用熱硬化型之黏合樹脂。作為硬化性樹脂，主要使用環氧樹脂，作為硬化劑，主要使用作為陰離子聚合型硬化劑之三級胺或咪唑類。進而，已知藉由使三級胺類或咪唑類微膠囊化而提高保存穩定性之技術。作為可以較該陰離子聚合型硬化劑低之溫度硬化之硬化劑，提出有陽離子型硬化劑(專利文獻1)。又，為兼具低溫硬化性與保存性而調配穩定劑之方法(專利文獻2)已眾所周知。進而，提出有藉由於陽離子硬化性樹脂組成物中，將陽離子硬化劑之相對離子設為有機硼化合物，而降低雜質離子之影響之方法(專利文獻3及4)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第3907217號公報

[專利文獻2]日本專利第3589422號公報

[專利文獻3]日本專利特開2008-303167號公報

[專利文獻4]日本專利特開2010-132614號公報

然而，即便於使用該等陽離子硬化劑之情形時，亦難以兼具低溫連接性與剝離強度之可靠性，存在於吸濕狀態下保持時剝離強度容易下降之課題。

本發明所欲解決之課題係提供一種於相向之配線電路彼此之電性連接中，低溫連接性優異，並且難以產生剝離強度下降的高可靠性之異向導電性接著膜。又，係提供一種兼具保存性與低溫硬化性之陽離子硬化劑。

本發明者等人為解決上述課題而反覆進行努力研究，結果發現：藉由下述組成可獲得低溫連接性、剝離強度可靠性優異之異向導電性接著膜，從而完成了本發明。

即，本發明如下所述。

[1]　一種異向導電性接著膜，其包含：含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑；相對於該含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑100質量份為0.01~15質量份的通式(1)所表示之陽離子產生劑：

[化1]

{式(1)中，Q為經取代或未經取代之萘甲基、或者經取代或未經取代之苄基，A為具有1~5個取代基之苯基，於Q為經取代或未經取代之萘甲基時，該1~5個取代基之哈密特常數(Hammett constant)之和為-0.3~0，於Q為經取代或未經取代之苄基時，該1~5個取代基之哈密特常數之和為0~+0.5，R₄ 為碳數1~6之烷基，並且Y^- 為通式(2)所表示之陰離子：

[化2]

[式(2)中，X分別獨立為氟、氯或溴]}；及相對於該含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑之總體積為0.1~20體積%之導電性粒子。

[2]　如[1]之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，Q為經取代或未經取代之萘甲基，A之1~5個取代基之哈密特常數之和為-0.3~0。

[3]　如[1]之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，Q為經取代或未經取代之苄基，A之1~5個取代基之哈密特常數之和為0~+0.5。

[4]　如[1]之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，A為通式(4)所表示之基：

[化3]

{式(4)中，R₁ 為甲基、乙醯基、苯氧羰基、苄氧羰基、苯甲醯基或9-茀基羰基，並且R₂ 及R₃ 為氫、鹵素或碳數1~6之烷基}。

[5]　如[4]之異向導電性接著膜，其中於式(4)中，R₁ 為乙醯基、苯氧羰基、苄氧羰基或苯甲醯基，並且R₂ 及R₃ 為氫或甲基。

[6]　如[1]至[5]中任一項之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，Q為通式(3)：

[化4]

{式(3)中，R₅ 為氫、甲基、甲氧基或鹵素}所表示之經取代或未經取代之苄基、α-萘甲基或β-萘甲基。

[7]　如[6]之異向導電性接著膜，其中於式(3)中，R₅ 為氫或甲基。

[8]　如[1]至[7]中任一項之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，R₄ 為甲基。

[9]　如[1]至[8]中任一項之異向導電性接著膜，其中於式(2)中，X為氟。

[10]　如[1]至[9]中任一項之異向導電性接著膜，其中相對於上述陽離子產生劑100質量份，含有與由上述陽離子產生劑產生之陽離子種反應之陽離子捕捉劑0.1~20質量份。

[11]　如[10]之異向導電性接著膜，其中上述陽離子捕捉劑為選自由硫脲化合物、4-烷基苯硫酚化合物及4-羥基苯基-二烷基鋶鹽所組成之群中之1種以上。

[12]　如[1]至[11]中任一項之異向導電性接著膜，其中由上述陽離子產生劑產生之陽離子種至少為2種以上。

[13]　如[1]至[12]中任一項之異向導電性接著膜，其中上述有機黏合劑含有間苯二酚型環氧樹脂。

[14]　一種連接結構體之製造方法，其包含：經由如[1]至[13]中任一項之異向導電性接著膜，對具有對應之電極配置之一對電子電路基板進行加熱及加壓的步驟。

[15]　一種連接結構體，其係藉由如[14]之製造方法而獲得者。

[16]　一種陽離子產生劑，其係由通式(1)所表示者：

[化5]

{式(1)中，Q為經取代或未經取代之萘甲基、或者經取代或未經取代之苄基，A為具有1~5個取代基之苯基，於Q為經取代或未經取代之萘甲基時，該1~5個取代基之哈密特常數之和為-0.3~0，於Q為經取代或未經取代之苄基時，該1~5個取代基之哈密特常數之和為0~+0.5，R₄ 為碳數1~6之烷基，並且Y^- 為通式(2)所表示之陰離子：

[化6]

[式(2)中，X分別獨立為氟、氯或溴]}。

[17]　一種異向導電性接著膜，其係包含具有環氧基之有機黏合劑、陽離子產生劑及導電性粒子者，80℃、10秒之條件下之環氧基反應率未達10%，且140℃、10秒之條件下之環氧基反應率為80%以上。

本發明可於相向之電路彼此之電性連接中，發揮低溫連接性優異，並且難以產生剝離強度下降之效果。又，本發明可提供一種兼具保存性與低溫硬化性之陽離子硬化劑。

以下對本發明進行具體說明。

本發明之一實施形態係一種異向導電性接著膜，其包含具有環氧基之有機黏合劑、陽離子產生劑、及導電性粒子，其於80℃、10秒之條件下之環氧基反應率未達10%，且140℃、10秒之條件下之環氧基反應率為80%以上。

80℃、10秒之條件下之環氧基反應率較佳為未達10%，更佳為未達5%，進而較佳為未達2%。於80℃、10秒之條件下之環氧基反應率未達10%之情形時，保存穩定性良好，並且不易受暫時黏貼於電路基板時之熱之影響，故而較佳。

140℃、10秒之條件下之環氧基反應率較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為95%以上。於140℃、10秒之條件下之環氧基反應率為80%以上之情形時，連接電阻值、剝離強度良好，且連接後之可靠性亦變得穩定，故而較佳。

環氧基反應率之測定可藉由FT-IR(fourier transform infrared radiation，傅立葉轉換紅外光譜)法測定環氧基吸光度比。

本發明之一實施形態係一種異向導電性接著膜，其包含：含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑；相對於該含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑100質量份為0.01~15質量份的通式(1)所表示之陽離子產生劑：

[化7]

{式(1)中，A為取代苯基，Q為經取代或未經取代之萘甲基、或者經取代或未經取代之苄基，R₄ 為碳數1~6之烷基，並且Y^- 為通式(2)所表示之陰離子：

[化8]

又，於上述式(1)中，較佳為A為具有1~5個取代基之苯基，該1~5個取代基之哈密特常數之和為-0.3~0，並且Q為經取代或未經取代之萘甲基。

又，於上述式(1)中，較佳為A為具有1~5個取代基之苯基，該1~5個取代基之哈密特常數之和為0~+0.5，並且Q為經取代或未經取代之苄基。

哈米特規則係為定量地論述取代基對苯衍生物之反應或平衡造成之影響，而由L. P. Hammett於1935年提倡之經驗規則，如今其合理性已被廣泛認可。哈米特規則所求出之哈密特常數有σp值與σm值，其等之值可於大量普通書籍中找到。例如於J. A. Dean編寫之「Lange's Handbook of Chemistry」第12版，1979年(McGraw-Hill)或「化學之領域」增刊，122號，96~103頁，1979年(南光堂)，Chem. Rev.,1991年，第91卷，165~195頁等中有詳細敍述。

再者，本發明中雖然以哈密特之取代基常數限定、說明各取代基，但並不意味著各取代基僅限定於具有上述書籍中所示之文獻中已知之值的取代基，需理解為亦包括即便其值未記載於文獻中，但根據哈米特規則進行測定時係包含在其範圍內的取代基。

於哈密特常數為負之情形時，表示取代基為供電子性取代基，當上述式(1)中Q為經取代或未經取代萘甲基，並且苯基之取代基之哈密特常數之和為-0.3~0時，可兼具良好之陽離子產生性與適度之保存穩定性。該哈密特常數之和更佳為-0.27~0之情形，進而較佳為-0.25~0之情形。

於哈密特常數為正之情形時，表示取代基為吸電子性取代基，當上述式(1)中Q為經取代或未經取代苄基，並且苯基之取代基之哈密特常數之和為0~+0.5時，可兼具良好之陽離子產生性與適度之保存穩定性。該哈密特常數之和較佳為0~+0.4之情形，更佳為0~+0.35之情形，進而較佳為0~+0.30之情形。

又，於上述式(1)中，於Q所表示之取代基為取代苄基之情形時，該等取代基之哈密特常數之和較佳為在-0.2~+0.2之範圍內，更佳為在-0.15~+0.15之範圍內，進而較佳為在-0.1~+0.1之範圍內。於在-0.2~+0.2之範圍內時，可兼具陽離子產生性與保存穩定性，故而較佳。

更具體而言，請參照後述表2中記載的苯基之取代基的哈密特常數之和。

本發明之一實施形態係一種異向導電性接著膜，其包含：含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑；相對於該含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑成分100質量份為0.01~15質量份的下述通式(5)所表示之陽離子產生劑：

[化9]

{式(5)中，R₁ 為甲基、乙醯基、苯氧羰基、苄氧羰基、苯甲醯基或9-茀基羰基，R₂ 及R₃ 為氫、鹵素或碳數1~6之烷基，R₄ 為碳數1~6之烷基，Q為下述通式(3)：

[化10]

(式(3)中，R₅ 為氫、甲基、甲氧基或鹵素)所表示之基、α-萘甲基或β-萘甲基，並且Y^- 為下述通式(2)所表示之陰離子：

[化11]

<陽離子產生劑>

本發明所使用之陽離子產生劑只要為上述通式(1)或(5)所表示者則可為任意之結構，就保存穩定性之方面而言，較佳於50℃以上產生陽離子種者。

作為由本發明之陽離子產生劑熱分解而產生之陽離子種，只要與陽離子聚合性物質之反應性充分，則可為任意之結構，較佳為苄基陽離子種、α-萘基陽離子種、β-萘基陽離子種或醯基陽離子種。就連接形成性之方面而言，較佳為至少1種為醯基陽離子種。進而，尤佳為所產生之陽離子種為包含醯基陽離子種在內之至少2種以上。

作為陽離子產生劑之抗衡陰離子，只要具有式(2)之結構即可，就雜質離子之觀點而言，尤佳為氟化合物。

本發明之異向導電性接著膜中之陽離子產生劑之含量相對於含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑100質量份為0.01~15質量份，較佳為0.5~5質量份。於陽離子產生劑之含量未達0.01質量份之情形時，硬化不充分，無法獲得充分之電性連接性，於陽離子產生劑之含量超過15質量份之情形時，保存性下降。

<陽離子捕捉劑>

本發明所使用之陽離子捕捉劑只要為與由陽離子產生劑熱分解而產生之陽離子種反應者，則可為任意之結構者，較佳為選自由硫脲化合物、4-烷基苯硫酚化合物、及4-羥基苯基-二烷基鋶鹽所組成之群中之1種以上。

以下表示陽離子捕捉劑之具體例。作為硫脲化合物，可列舉：伸乙硫脲、N,N'-二丁基硫脲、三甲基硫脲等。作為4-烷基苯硫酚化合物，可列舉：4-甲基苯硫酚、4-乙基苯硫酚、4-丁基苯硫酚等。作為4-羥基苯基二烷基鋶鹽，可列舉：甲基硫酸4-羥基苯基二甲基鋶、甲基硫酸4-羥基苯基二丁基鋶等。

本發明之異向導電性接著膜中之陽離子捕捉劑之含量相對於陽離子產生劑100質量份為0.1~20質量份。

較佳為陽離子捕捉劑之含量相對於陽離子產生劑100質量份為0.5~10質量份。於陽離子捕捉劑之含量未達0.1質量份之情形時，連接可靠性下降，於超過20質量份之情形時，連接性下降。

<導電性粒子>

本發明之異向導電性接著膜所包含之導電性粒子相對於有機黏合劑之總體積為0.1~20體積%，較佳為0.5~15體積%，進而較佳為1~10體積%。於導電性粒子之含量超過20體積%之情形時，鄰接之端子間之絕緣性變得不充分，於未達0.1體積%之情形時，連接性下降。導電性粒子為金、銀、銅、鎳、銀、鉛、錫等之金屬粒子，或者包含該等之合金、例如焊錫、銀銅合金等之粒子，碳等之導電性粒子，以該等導電性粒子或作為非導電性粒子之玻璃、陶瓷、塑膠粒子為核並於表面被覆導電性材料所得者。對塑膠粒子進行金屬鍍敷所得之粒子藉由彈性變形而連接可靠性優異，故而尤佳。

作為塑膠粒子，可使用自下述者中1種或組合2種以上之核：環氧樹脂、苯乙烯樹脂、聚矽氧樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂、苯胍胺樹脂、胺基甲酸酯樹脂、酚樹脂、聚酯樹脂、二乙烯基苯交聯體、NBR(Nitrile-Butadiene Rubber，丁腈橡膠)、SBR(Styrene Butadiene Rubber，苯乙烯-丁二烯橡膠)等聚合物。於該等塑膠粒子中可含有氧化矽等無機物。藉由無電解鍍敷等方法於該等塑膠粒子上形成Ni鍍敷層，從而可獲得導電性粒子，又，亦可於Ni鍍敷層上進而形成金等Ni以外之金屬層。進而，以導電性粒子為核，藉由絕緣材料被覆該核之表面，壓接時內部之導電性粒子排開表面之絕緣層而與被連接電路接觸者亦有效。於使用該導電性粒子之情形時，容易防止鄰接之端子間之短路，且亦可用於端子間隔較窄之被連接電路之情形。

導電性粒子之粒徑較佳為0.1~20 μm，更佳為1~10 μm，進而較佳為2~8 μm。於粒徑未達0.1 μm之情形時，會受被連接端子之表面粗糙度之不均的影響，連接容易變得不穩定，又，於超過20 μm之情形時，鄰接之端子間容易產生短路。導電性粒子之平均粒徑之標準偏差越小越佳，較佳為平均粒徑之50%以下，更佳為20%以下，進而較佳為10%以下，尤佳為5%以下。測定導電性粒子之平均粒徑可使用庫爾特計數器(Coulter counter)等已知之方法。為防止鄰接之端子間之短路，亦可於不損害連接電阻之範圍內併用絕緣粒子。

又，為防止短路，亦可藉由積層複數層之方法等，使導電性粒子在異向導電性接著膜之厚度方向上局部地存在。

為提高保存穩定性，預先將有機黏合劑成分中之陽離子產生劑微膠囊化之方法亦有效。作為微膠囊化之方法，可使用已知之方法，但較佳為使用溶劑蒸發法、噴霧乾燥法、凝聚法、界面聚合法。

<含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑>

有機黏合劑成分中之陽離子聚合性物質為酸聚合性、或酸硬化性之物質，例如為環氧樹脂、聚乙烯醚、聚苯乙烯等。上述陽離子聚合性物質可單獨使用，或亦可併用2種以上。

作為上述陽離子聚合性物質，較佳為環氧樹脂。環氧樹脂較佳為於1分子中具有2個以上環氧基之化合物。具體而言，更佳為具有縮水甘油醚基、縮水甘油酯基、脂環式環氧基之化合物，將分子內之雙鍵環氧化之化合物，具有2個以上之上述取代基之化合物。進而，為提高耐環境性，亦可使用間苯二酚型環氧樹脂。

於本發明中，有機黏合劑成分包含黏合樹脂與陽離子聚合性物質，可與陽離子聚合性物質混合之黏合樹脂為熱塑性樹脂、與環氧樹脂具有反應性之熱硬化性樹脂等。可與陽離子聚合性物質混合之熱塑性樹脂為：苯氧樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚乙烯丁醛樹脂、烷基化纖維素樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等與陽離子聚合性物質具有相容性之樹脂。該等樹脂中，具有羥基、羧基等極性基之樹脂由於與陽離子聚合性樹脂之相容性優異，故而較佳。又，陽離子聚合性物質藉由陽離子而聚合或硬化，與上述黏合樹脂一起作為機黏合劑成分而發揮功能。

<其他成分>

本發明所使用之有機黏合劑成分中，可進而含有其他成分。作為其他成分，可列舉：絕緣粒子、填充劑、軟化劑、促進劑、抗老化劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑、偶合劑、離子捕捉劑等。於絕緣粒子及填充劑等固形成分之情形時，較佳為該等之最大直徑未達導電性粒子之平均粒徑。作為偶合劑，就提高接著性之方面而言，較佳為含有酮亞胺基、乙烯基、丙烯醯基、胺基、環氧基或異氰酸酯基之矽烷偶合劑。

其他成分之含量較佳為相對於有機黏合劑成分為50質量份以下，進而較佳為20質量%以下。

將有機黏合劑與陽離子產生劑、陽離子捕捉劑及導電性粒子等成分混合時，可視需要使用溶劑。作為溶劑，例如可列舉：甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇單烷基醚乙酸酯、丙二醇單烷基醚乙酸酯等。

<異向導電性接著膜>

本發明之異向導電性接著膜可為單層之膜，亦可為積層有複數層膜之膜。於積層複數層膜之情形時，亦可積層不包含導電性粒子之膜。

作為異向導電性接著膜之製造方法，可藉由預先將導電性粒子、陽離子產生劑、有機黏合劑、及視需要之陽離子捕捉劑於溶劑中混合而製備塗佈液，繼而藉由敷料器塗裝等將上述塗佈液塗佈於分離膜上，於烘箱中使溶劑揮發而製造。

於積層複數層之情形時，較佳為層壓法。於進行層壓之情形時，可例示使用熱輥進行層壓之方法等。於使用熱輥進行積層之情形時，熱輥之溫度較佳為較陽離子產生劑產生陽離子種之溫度低之溫度。

作為異向導電性接著膜所使用之分離膜，例如可例示聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酯、PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(polyethylene naphthalate，聚萘二甲酸乙二酯)、尼龍、氯乙烯、聚乙烯醇等之膜。作為較佳之保護膜用之樹脂，可列舉聚丙烯、PET等。該分離膜較佳為進行氟處理、Si處理、醇酸處理等表面處理。分離膜之膜厚較佳為20 μm以上、100 μm以下。

將本發明之異向導電性接著膜視需要切成所需之寬度，並捲繞成捲軸狀。

本發明之異向導電性接著膜可較好地用於液晶顯示器與TCP、TCP與FPC、FPC與印刷配線基板之連接，或將IC晶片直接封裝於基板上之倒裝晶片封裝中。

<使用異向導電性接著膜之連接方法及連接結構體>

使用異向導電性接著膜之連接結構體之製造方法包含：經由本發明之異向導電性接著膜，對具有對應之電極配置之一對電子電路基板進行加熱及加壓的步驟。例如，作為使用本發明之異向導電性接著膜之連接方法，可列舉如下方法：準備由ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)配線或金屬配線等形成電路與電極之玻璃基板等電路基板、及在與電路基板之電極成對之位置形成電極之IC晶片等電路構件，將本發明之異向導電性接著膜黏貼於電路基板上的配置電路構件之位置，繼而以使各自之電極相互成對之方式將電路基板與電路構件之位置對準後，進行熱壓接而進行連接。

黏貼異向導電性接著膜時，為剝離分離膜，可進行加熱及加壓。加熱及加壓之條件例如較佳為於30℃以上80℃以下之溫度、0.1 MPa以上1 MPa以下之壓力下持續進行0.5秒以上、3秒以下之加熱及加壓。

連接時之熱壓接較佳為於120℃以上、180℃以下(更佳為130℃以上、170℃以下，最佳為140℃以上、160℃以下)之溫度範圍內，對電路構件面積於0.1 MPa以上、50 MPa以下(更佳為0.5 MPa以上、40 MPa以下)之壓力範圍內進行3秒以上、15秒以下(更佳為4秒以上、12秒以下)之時間之加熱及加壓。

較佳為將相向之連接基板之溫度差調整為120℃以下而進行連接，更佳為溫度差為100℃以下，進而較佳為70℃以下。

各基板之溫度差可於相向之連接基板上分別放置熱電偶而進行測定。

藉由保持上述之溫度範圍、壓力範圍、黏貼或熱壓接時間、及基板間之溫度差，可提供一種能夠獲得高連接可靠性，並且對耐熱性較低之基板之連接有利，可抑制基板之翹曲，且對短縮步驟時間有利的電路基板之電性連接。

[實施例]

以下，根據實施例對本發明進而進行具體說明。

實施例1

將包含1,2,3,4-丁烷四甲酸與3-氧化環己烯-1-甲醇(3-cyclohexaneoxide-1-methanol)之酯的脂環式環氧樹脂30 g、雙酚A型液狀環氧樹脂15 g、3,4-環氧環己基甲酸-3,4-環氧環己基甲酯5 g、平均分子量25,000之苯氧樹脂50 g溶解於甲苯-乙酸乙酯之混合溶劑(1比1)中，獲得固形物成分為50%之溶液。

以四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶為100質量份、N,N'-二乙基硫脲為5質量份之方式進行調配且溶解於γ-丁內酯中，製成50質量份之溶液。以使得以固形質量比計，樹脂成分為100、四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶及N,N'-二乙基硫脲之合計為2之方式進行調配，進而，以相對於有機黏合劑之總體積成為3體積%之方式，調配、分散於以苯胍胺樹脂為核之粒子表面設置有0.2 μm厚之鎳層，且於該鎳層之外側設置有0.03 μm厚之金層的平均粒徑3.2 μm之導電性粒子，獲得分散液。然後，將上述分散液塗佈於厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜上，於40℃下進行吹風乾燥，獲得膜厚20 μm之異向導電性接著膜。

實施例2

除使用四(五氟苯基)硼酸4-乙醯氧基苯基-苄基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

實施例3

除使用四(五氟苯基)硼酸4-苯甲醯氧基苯基-鄰甲基苄基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

實施例4

除使用四(五氟苯基)硼酸4-苯氧基羰氧基苯基-苄基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

實施例5

除使用四(五氟苯基)硼酸4-甲氧基苯基-β-萘基甲基甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶，使用甲基硫酸4-羥基苯基二甲基鋶代替N,N'-二乙基硫脲以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

實施例6

除使用四(五氟苯基)硼酸4-乙醯氧基苯基苄基甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶，使用間苯二酚型環氧樹脂15 g代替雙酚A型液狀環氧樹脂15 g以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

實施例7

除使用四(五氟苯基)硼酸4-乙醯氧基-2-甲基苯基苄基甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

比較例1

除使用四(五氟苯基)硼酸對羥基苯基-苄基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶，不調配N,N'-二乙基硫脲以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

比較例2

除使用四(五氟苯基)硼酸4-甲氧基羰氧基苯基-苄基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶，不調配N,N'-二乙基硫脲以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

比較例3

除使用六氟磷酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

比較例4

除使用四(五氟苯基)硼酸4-羥基苯基-α-萘基甲基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

比較例5

除使用四(五氟苯基)硼酸4-乙醯氧基苯基-α-萘基甲基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

比較例6

除使用四(五氟苯基)硼酸4-氰基苯基-苄基-甲基鋶代替實施例1之四(五氟苯基)硼酸4-苄氧基羰氧基苯基-鄰甲基苄基甲基鋶以外，與實施例1同樣地獲得異向導電性膜。

(連接電阻值測定方法)

於在整個面上形成有氧化銦-氧化鋅(IZO)之薄膜的厚度200 μm之聚碳酸酯膜基板(表面電阻200 Ω/sq)上，暫時黏貼寬度2 mm之異向導電性膜，使用寬度2.5 mm之壓接頭，於50℃、0.3 MPa且3秒鐘之條件下進行加壓後，剝離聚對苯二甲酸乙二酯之基礎膜。於剝離面上暫時連接具有包含配線寬度80 μm、配線間距150 μm且厚度18 μm之鍍金銅配線(鍍金厚度0.3 μm)之電路200條的可撓性印刷配線板(材質：聚醯亞胺樹脂，厚度：25 μm)後，使用寬度1.5 mm之壓接頭，於130℃、8秒且0.9 MPa之條件下進行加壓而壓接。壓接後，藉由四端子法之電阻計測定鄰接端子間之電阻值，作為連接電阻值。

(剝離強度)

將所壓接之可撓性印刷配線板切斷成寬度10 mm，使用Instron測定90°剝離強度。測定係於拉伸速度50 mm/min下進行。將測定值作為剝離強度。將判定基準示於以下。

α：剝離強度為700 g/cm以上者

β：剝離強度為500 g/cm以上且未達700 g/cm者

γ：剝離強度未達500 g/cm者

(耐環境試驗後剝離強度)

將所壓接之印刷配線板於85℃且85%相對濕度之環境下保持100小時，繼而進行循環試驗(於-40℃、100℃下各保持30分鐘，1次循環為1小時)100次循環，然後於25℃下放置1小時後，測定上述剝離強度。

將耐環境性之判定基準示於以下。

α：剝離強度為初始值之70%以上者

β：剝離強度為初始值之50%以上且未達70%者

γ：剝離強度未達初始值之50%者

(保存穩定性)

將異向導電性膜放入至密閉容器中，於25℃下保存2週後，測定上述剝離強度。將保存穩定性之判定基準示於以下。

α：剝離強度為初始值之70%以上者

β：剝離強度為初始值之50%以上且未達70%者

γ：剝離強度未達初始值之50%者

(反應率測定)

環氧基反應率之測定係藉由FT-IR法測定環氧基吸光度比。將形成於膜基材上之寬度2 mm、長度20 mm之異向導電性接著膜夾入於厚度30 μm之Teflon(註冊商標)膠帶中，使用寬度2.5 mm之加壓加熱頭於10秒、0.3 MPa下進行壓接，從而製作樣品。於壓接前後進行FT-IR測定，由壓接前後之吸光度比計算出環氧基反應率。環氧基之吸光度比之計算方法係使用甲基吸收強度作為內部標準，並藉由以下之計算式計算出反應率。

反應率(%)=(1-((a/b)/(A/B)))×100

A：壓接前之環氧基吸收強度

B：壓接前之甲基吸收強度

a：壓接後之環氧基吸收強度

b：壓接後之甲基吸收強度

140℃、10秒之條件下之環氧基反應率

α：80%以上者

β：50%以上且未達80%者

γ：未達50%者

80℃、10秒之條件下之環氧基反應率

α：未達10%者

β：10%以上且未達20%者

γ：20%以上者

將以上之結果示於表1。又，將上述式(1)中之苯基之取代基的哈密特常數之和示於表2。

由上述表1亦可知：使用本發明之實施例與比較例相比，保存後之剝離強度下降較少，且耐環境試驗後之剝離強度下降亦較低，顯示出良好之連接電阻。

Claims

一種異向導電性接著膜，其包含：含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑；相對於該含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑100質量份為0.01~15質量份的通式(1)所表示之陽離子產生劑： {式(1)中，Q為經取代或未經取代之萘甲基、或者經取代或未經取代之苄基，A為具有1~5個取代基之苯基，於Q為經取代或未經取代之萘甲基時，該1~5個取代基之哈密特常數之和為-0.3~0，於Q為經取代或未經取代之苄基時，該1~5個取代基之哈密特常數之和為0~+0.5，R₄ 為碳數1~6之烷基，並且Y^- 為通式(2)所表示之陰離子： [式(2)中，X分別獨立為氟、氯或溴]}；及相對於該含有陽離子聚合性物質之有機黏合劑之總體積為0.1~20體積%之導電性粒子。
如請求項1之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，Q為經取代或未經取代之萘甲基，A之1~5個取代基之哈密特常數之和為-0.3~0。
如請求項1之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，Q為經取代或未經取代之苄基，A之1~5個取代基之哈密特常數之和為0~+0.5。
如請求項1之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，A為通式(4)所表示之基： {式(4)中，R₁ 為甲基、乙醯基、苯氧羰基、苄氧羰基、苯甲醯基或9-茀基羰基，並且R₂ 及R₃ 為氫、鹵素或碳數1~6之烷基}。
如請求項4之異向導電性接著膜，其中於式(4)中，R₁ 為乙醯基、苯氧羰基、苄氧羰基或苯甲醯基，並且R₂ 及R₃ 為氫或甲基。
4或5之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，Q為通式(3)： {式(3)中，R₅ 為氫、甲基、甲氧基或鹵素}所表示之經取代或未經取代之苄基、α-萘甲基或β-萘甲基。
如請求項6之異向導電性接著膜，其中於式(3)中，R₅ 為氫或甲基。
如請求項6之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，R₄ 為甲基。
如請求項7之異向導電性接著膜，其中於式(1)中，R₄ 為甲基。
如請求項6之異向導電性接著膜，其中於式(2)中，X為氟。
如請求項7之異向導電性接著膜，其中於式(2)中，X為氟。
如請求項8之異向導電性接著膜，其中於式(2)中，X為氟。
如請求項9之異向導電性接著膜，其中於式(2)中，X為氟。
如請求項1至5中任一項之異向導電性接著膜，其中相對於上述陽離子產生劑100質量份，含有與由上述陽離子產生劑產生之陽離子種反應之陽離子捕捉劑0.1~20質量份。
如請求項14之異向導電性接著膜，其中上述陽離子捕捉劑為選自由硫脲化合物、4-烷基苯硫酚化合物及4-羥基苯基-二烷基鋶鹽所組成之群中之1種以上。
如請求項1至5中任一項之異向導電性接著膜，其中由上述陽離子產生劑產生之陽離子種至少為2種以上。
如請求項1至5中任一項之異向導電性接著膜，其中上述有機黏合劑含有間苯二酚型環氧樹脂。
一種連接結構體之製造方法，其包含：經由如請求項1至5中任一項之異向導電性接著膜，對具有對應之電極配置之一對電子電路基板進行加熱及加壓的步驟。
一種連接結構體，其係藉由如請求項18之製造方法而獲得者。
一種陽離子產生劑，其係由通式(1)所表示者： {式(1)中，Q為經取代或未經取代之萘甲基、或者經取代或未經取代之苄基，A為具有1~5個取代基之苯基，於Q為經取代或未經取代之萘甲基時，該1~5個取代基之哈密特常數之和為-0.3~0，於Q為經取代或未經取代之苄基時，該1~5個取代基之哈密特常數之和為0~+0.5，R₄ 為碳數1~6之烷基，並且Y^- 為通式(2)所表示之陰離子： [式(2)中，X分別獨立為氟、氯或溴]}。
一種異向導電性接著膜，其係包含具有環氧基之有機黏合劑、陽離子產生劑及導電性粒子者，於80℃、10秒之條件下之環氧基反應率未達10%，且140℃、10秒之條件下之環氧基反應率為80%以上。