TWI421645B - 圖案化的方法以及用於圖案化的堆疊結構 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種圖案化的方法及用於圖案化之堆疊結構。
目前在液晶顯示器(LCD)製作過程中，薄膜電晶體陣列(TFT array)製程仍是採用傳統積體電路(IC)產業之真空鍍膜、黃光顯影、與蝕刻等製程。而隨著面板尺寸的不斷增加，真空鍍膜方式將有製程設備成本過高與良率下降的問題，相較於傳統的物理氣相沈積方式所需的高成本，噴墨印刷(Ink-Jet Printing，IJP)製程近來引起相當多的重視。
噴墨印刷技術在平面顯示器(FPD)製程成本上有下列的優勢：(1)大幅節省了傳統薄膜電晶體液晶顯示器(TFT LCD)製程如薄膜沈積、黃光、微影、蝕刻中所需購置的鉅額設備和維護費用。(2)相較於旋塗(Spin-coating)製程，IJP有圖案化能力(約數十微米)與較佳材料利用率。(3)傳統黃光微影製程在更改產品設計時，需更改一整套光罩之設計，而噴墨印刷技術僅需進行程式和控制參數(Recipe)調變，即可因應不同產品之噴印需求。
雖然，噴墨印刷技術相較傳統製程具上述優點，但其圖案化能力僅約30~60微米以上，無法符合高解析之需求。
本發明提供一種圖案化的方法，可使用高能光束以提高圖案的解析度。
本發明提供一種圖案化的方法，在欲以高能光束熔損的薄膜上多沉積一層未經圖案化的覆蓋層(Cover layer)，使其減緩高能光束能量對薄膜材料的影響，以改善薄膜的型態、平整性與圖案的精確性。
本發明提供一種用於高能光束圖案化之堆疊結構，其減緩高能光束能量對薄膜材料的影響，以改善薄膜的平整性與圖案的精確性。
本發明提出一種圖案化的方法，包括在基板上提供待圖案化的第一薄膜，接著，在第一薄膜上形成未經圖案化的覆蓋層，此未經圖案化的覆蓋層之材質與第一薄膜之材質相異。之後，以光束熔損未經圖案化的覆蓋層與第一薄膜，以形成圖案化的覆蓋層與圖案化的第一薄膜。其後，再選擇性移除圖案化的覆蓋層。
本發明又提出一種待圖案化之堆疊結構，包括第一薄膜與未經圖案化的覆蓋層。第一薄膜為待圖案化層。未經圖案化的覆蓋層，覆蓋於第一薄膜上，其材質與第一薄膜之材質相異。
本發明之圖案化的方法，使用高能光束以提高圖案的解析度。並且，本發明提供一種用於高能光束圖案化之堆疊結構，在欲以高能光束熔損的薄膜上多沉積一層未經圖案化的覆蓋層(Cover layer)，使其減緩高能光束能量對薄膜
材料的影響，以改善薄膜的型態、平整性與圖案的精確性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
噴墨印刷技術可搭配高能光束如雷射的熔損(Ablation)技術來達成金屬導線的圖案化，以提高圖案的解析度。然而薄膜經由雷射熔損製程來圖案化時，雷射的高能量卻會造成薄膜邊緣處翹起(Film curled)的現象，此現象改變了薄膜的線寬，並且衍生了粗糙度變差，甚至於附著力下降的問題。若將雷射能量降低，則有薄膜無法移除乾淨的疑慮。
本發明是在欲以高能光束熔損的薄膜上多沉積一層覆蓋層(Cover layer)，使其減緩高能光束能量對薄膜材料的影響，以改善薄膜的平整性與圖案的精確性，提供具有良好之薄膜型態(morphology)的圖案化薄膜。
圖1A至1C-1是依照本發明一實施例所繪示之一種圖案化的方法。圖2A至2C-1是依照本發明另一實施例所繪示之一種圖案化的方法。
請參照圖1A與2A，本實施例之圖案化的方法，是先將待圖案化薄膜12形成在基板10上。接著，於薄膜12上多沉積一層覆蓋層14。
基板10之材質例如是玻璃、矽、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸環己烷對二甲醇酯(PCT)、聚醯亞胺(PI)、聚苯醚碸(PES)，或前述
材料之組合。
薄膜12包括導電層、絕緣層、半導體層或至少前述兩種材料所構成之複合材料層或堆疊層。導電層之材質至少包含Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Pt、Pd金屬或其合金。絕緣層之材質包括無機材料、有機材料或其組合。無機材料至少包括SiNx
、SiO2
、Al2
O3
、Al2
O3
、Ta2
O5
、TiO2
、ZrO2
、HfO2
，其中SiNx
之中的X表示任何可能的數值；有機材料至少包括苯並環丁烯、有機矽氧烷、聚醯亞胺或矽酸鹽。半導體層之材質至少包括Si、Ge、GaAs、CdTe、ZnO、ZnSnO、InZnO、InGaZnO、InGaO或其它相似之金屬氧化物半導體材料。
薄膜12可以是未經圖案化的薄膜，如圖1A所示，或是已經過圖案化的薄膜，如圖2A所示。
請參照圖1A，在一實施例中，上述薄膜12例如是以物理氣相沉積(Physical vapor deposition)、化學氣相沉積(Chemical vapor deposition)、溶液態製程沉積(Solution-processed deposition)、電鍍沉積(Electroplating deposition)、無電鍍沉積(Electroless plating deposition)、噴墨印刷沉積(Inkjet printing deposition)，或其他類似的方法所形成之未圖案化的薄膜。
請參照圖2A，在另一實施例中，上述薄膜12是以噴墨印刷沉積方式，在低溫下直接形成已圖案化的薄膜，以減少材料的成本以及機台設備的成本並應用。當然，上述薄膜12亦可採用其他可以直接圖案化的沉積製程所形成
之已圖案化的薄膜。或者，也可以採用物理氣相沉積、化學氣相沉積、溶液態製程沉積、電鍍沉積、無電鍍沉積或噴墨印刷沉積形成未圖案化層，再以任何已知的圖案化製程先進行圖案化。
上述覆蓋層14可以是單層或是多層結構。多層結構之覆蓋層14的各層可以是由單一種或多種材料所構成。覆蓋層14之材質與薄膜之材質相異。覆蓋層14包括光阻層、導電層、絕緣層、半導體層或至少前述兩種材料層所構成之複合材料層或堆疊層。光阻層可以是正光阻層或是負光阻層。導電層之材質至少包含Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Pt、Pd金屬或其合金。絕緣層之材質至少包括無機材料、有機材料或其組合。無機材料至少包括SiNx
、SiO2
、Al2
O3
、Al2
O3
、Ta2
O5
、TiO2
、ZrO2
、HfO2
；有機材料至少包括苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、有機矽氧烷(siloxane)、聚醯亞胺(PI)或矽酸鹽(silsequioxane)。半導體層之材質至少包括Si、Ge、GaAs、CdTe、ZnO、ZnSnO、InZnO、InGaZnO、InGaO或其它相似之金屬氧化物半導體材料。上述覆蓋層的形成方法例如是物理氣相沉積、化學氣相沉積、溶液態製程沉積、電鍍沉積、無電鍍沉積、噴墨印刷沉積，或其他類似的方法。
之後，以高能光束16透過光罩30熔損覆蓋層14與薄膜12，以形成圖案化的覆蓋層14a與圖案化的薄膜12a，如圖1B與2B所示。
所述之高能光束16是指波長為1奈米以上的光束，
例如是波長為1奈米至20000奈米的光束，包括雷射，例如是氣體雷射、液態雷射、固態雷射或半導體雷射。氣體雷射例如是準分子雷射，其示範例如ArF(193奈米)、KrF(248奈米)、XeCl(308奈米)或XeCl(351奈米)；氮氣雷射(337奈米)；氬氣雷射(488奈米、514奈米)；氦氖雷射(632.8奈米)或二氧化碳雷射(10600奈米)。液態雷射如染料雷射(400~700奈米)。固態雷射如Nd：YAG雷射(1064奈米)。半導體雷射的波長例如是390~1550奈米。所使用的雷射的波長，與欲熔損的薄膜和覆蓋層的材質與厚度有關，可以是一特定波長，或一波長範圍，例如是248奈米，或是150奈米至400奈米。所使用的雷射的能量與欲熔損的薄膜12和覆蓋層14的材質與厚度有關，例如是10至100000埃。在一實施例中，薄膜12為厚度100至300奈米的銀金屬薄膜，覆蓋層14為厚度1000至2000奈米的光阻材料，所使用的高能光束波長為248奈米且能量為300毫焦耳/平方公分，雷射槍數(shot number)為10次。在另一實施例中，薄膜12為厚度150至250奈米的銀金屬薄膜，覆蓋層14為厚度200至300奈米的有機絕緣材料，所使用的高能光束波長為248奈米且能量為400毫焦耳/平方公分，雷射槍數(shot number)為1次。當薄膜12為具有第一圖案的圖案化的薄膜時，其後所進行的高能光束熔損製程，則可以使得所形成之圖案化薄膜12a具有第二圖案。熔損製程可以僅是一個修邊處理製程，使得所形成之第二圖案與第一圖案的形狀相似但是尺寸不同。當然，熔損製
程也可以使得所形成之第二圖案與第一圖案在形狀上完全不同。
利用高能光束如雷射來熔損薄膜可以簡化圖案化製程，不須經由繁複的曝光顯影製程。而在熔損過程中高能光束對薄膜12所產生的熱效應則可透過覆蓋於薄膜12上覆蓋層14來減緩之，以減緩翹起現象，改善圖案化後的薄膜12a的平整性與圖案的精確性。
請參照圖1C與2C，在一實施例中，在進行高能光束熔損製程之後，可以將圖案化的覆蓋層14a移除。在另一實施例中，請參照圖1C-1與2C-1，在進行高能光束熔損製程之後，仍將圖案化的覆蓋層14a保留，直接繼續進行後續的製程。後續的製程例如是在基板10上形成另一層薄膜18，例如是導電層、絕緣層、半導體層或至少前述兩種薄膜所構成之複合材料層或堆疊層，以覆蓋在圖案化的覆蓋層14a上且在形成另一層薄膜18之後，圖案化的覆蓋層14a仍被保留，如圖1C-1與2C-1。
本發明之方法可以應用於各種領域，以下茲舉薄膜電晶體以及太陽能電池為應用例說明之，然而，本發明並不以此為限。
圖3A至3C是依照本發明實施例所繪示之一種下閘極結構下接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
請參照圖3A，本實施例薄膜電晶體的製造方法係先在基板110上形成閘極112。
之後，在基板110上方形成覆蓋層114，覆蓋住閘極
112。
接著，以高能光束116如準分子雷射透過光罩130熔損覆蓋層114與閘極112，進行修邊處理，以形成圖案化的覆蓋層114a與再次圖案化的閘極112a，如圖3B所示。在一實施例中，所使用的雷射例如是波長為248奈米的準分子雷射。
之後，請參照圖3C，於基板110上形成介電層118。介電層118與圖案化的覆蓋層114a共同組成絕緣層118。
然後，於介電層118上形成源極接觸層120與汲極接觸層122。
之後，在源極接觸層120與汲極接觸層122之間的間隙124中形成主動層126，與源極接觸層120及汲極接觸層122電性耦接，以完成下閘極結構下接觸式(BGBC)之薄膜電晶體100A之製作。
以上是以下閘極結構下接觸式之薄膜電晶體100A之製作來說明之，然而，本發明並不限於此，下閘極結構上接觸式(BGTC)、上閘極結構上接觸式(TGTC)以及上閘極結構下接觸式(TGBC)之薄膜電晶體也可以採用類似於上述下閘極結構下接觸式的方法來製造。
圖3A-1至3C-1是依照本發明實施例所繪示之一種下閘極結構上接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
請參照圖3A-1與3B-1，在基板110上形成閘極112。之後，在基板110上方形成覆蓋層114，覆蓋住閘極112。
接著，以高能光束116如準分子雷射透過光罩130熔損覆蓋層114與閘極112，進行修邊處理，以形成圖案化的覆蓋層114a與再次圖案化的閘極112a。
之後，請參照圖3C-1，於基板110上形成介電層118。介電層118與圖案化的覆蓋層114a共同組成絕緣層118。然後，於介電層118上形成主動層126。之後，於主動層126上形成源極接觸層120與汲極接觸層122，完成下閘極結構上接觸式之薄膜電晶體100B之製作。
圖3A-2至3C-2是依照本發明實施例所繪示之一種上閘極結構上接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
請參照圖3A-2，在基板110上形成主動層126。之後，於主動層126上形成源極接觸層120與汲極接觸層122。接著，於基板110上形成介電層118，覆蓋住源極接觸層120與汲極接觸層122。
之後，參照圖3B-2，在介電層118上形成閘極112。然後，在基板110上方形成覆蓋層114，覆蓋住閘極112。接著，以高能光束116如準分子雷射透過光罩130熔損覆蓋層114與閘極112，進行修邊處理，以形成圖案化的覆蓋層114a與再次圖案化的閘極112a，完成上閘極結構上接觸式之薄膜電晶體100C之製作，如圖3C-2。
圖3A-3至3C-3是依照本發明實施例所繪示之一種上閘極結構下接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
請參照圖3A-3，在基板110上形成源極接觸層120與汲極接觸層122。之後，於基板110上形成主動層126，覆蓋源極接觸層120與汲極接觸層122上。接著，於主動層126上形成介電層118。
之後，參照圖3B-3，在介電層118上形成閘極112。然後，在基板110上方形成覆蓋層114，覆蓋住閘極112。接著，以高能光束116如準分子雷射透過光罩130熔損覆蓋層114與閘極112，進行修邊處理，以形成圖案化的覆蓋層114a與再次圖案化的閘極112a，完成上閘極結構下接觸式之薄膜電晶體100D之製作，如圖3C-3。
上述基板110可以是硬式基板或是可撓式基板。硬式基板的材質例如是玻璃、石英或矽晶圓。可撓式基板之材質可以是塑膠例如壓克力、PET、PEN、PCT、PI、PES、金屬箔(metal foil)或是紙或前述材料之組合。
上述閘極112的材質包括金屬、摻雜多晶矽或透明導電氧化物等導電層。金屬例如是金、銀、鋁、銅、鉻、鎳、鈦、鉑、鈀或前述材料的合金等。透明導電氧化物如銦錫氧化物等。閘極112的形成方法例如是以噴墨製程，直接形成圖案化的導電層，以做為閘極112。
上述覆蓋層114可以是單層或是多層結構。覆蓋層114中各層可以是由單一種或多種材料所構成。覆蓋層114之材質包括絕緣層，絕緣層之材質例如是以上實施例所述之無機材料、有機材料或其組合，於此不再贅述。覆蓋層114之厚度例如是10至100000埃。
上述介電層118可以是單層或是多層結構。介電層118可為有機材料者，例如是介電常數低於4的有機材料。此外，介電層118中各層之材質可以是由單一種有機材料所構成、多種有機材料所構成，或是包含有機材料與無機材料。介電層118之材質可以是感光性材料或不可感光性材料，例如是聚亞醯胺(PI)、聚乙烯酚(Polyvinyl phenol)、聚苯乙烯(PS)、壓克力或環氧樹脂。當然，在形成介電層118之前，如有需要也可以先將圖案化的覆蓋層114a移除之。
上述源極接觸層120與汲極接觸層122的形成方法例如是先形成一層導電材料層，然後，再將其圖案化。導電材料層之材質例如是金屬如金、銀、鋁、銅、鉻、鎳、鈦、鉑、鈀或前述材料的合金等。導電材料層之形成方法包括進行物理氣相沈積製程，物理氣相沈積製程例如是濺鍍製程或是蒸鍍製程。在另一實施例中，源極接觸層120與汲極接觸層122的形成方法也可以直接形成圖案化的導電層，例如是以噴墨製程來施行之。
上述主動層126可以是經過圖案化或是未經過圖案化者，其材質例如是半導體或是有機半導體。半導體例如是非晶矽、多晶矽、Ge、GaAs、CdTe和ZnO、InZnO、ZnSnO、InGaZnO、InGaO或其它相似之金屬氧化物半導體材料。有機半導體包括N型或P型之有機小分子、有機高分子、或有機小分子及有機高分子之混合物。有機小分子之材質例如是並五苯(Pentacene)或並四苯(Tetracene)。有機半導體高分子例如是聚(3-己烷基)噻吩
(Poly-(3-hexylthiophene)，P3HT)。
以上的實施例是以高能光束熔損閘極112為例來說明之，然而，本發明並不以此為限，如有需要也可以應用於以上述所述的各材料層中，例如是源極接觸層120、汲極接觸層122或主動層126。
圖4A至圖4C是依照本發明另一實施例所繪示之一種太陽能電池的製造方法的剖面流程示意圖。
請參照圖4A，在透明基板200上依序形成透明電極(前電極)202、光電轉換層與抗反射層210。透明基板200可以是硬式基板或可撓式基板。硬式基板例如是作為建築物之帷幕玻璃基板。可撓式基板例如是塑膠基板。透明電極202做為前電極，其材質例如是透明導電氧化物(transparent conductive oxide，TCO)，比如是銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、摻氟氧化錫(Fluorine-doped Tin Oxide，FTO)、摻鋁氧化鋅(Aluminium-doped zinc oxide，AZO)、摻鎵氧化鋅(Gallium-doped Zinc Oxide，GZO)或其組合。透明電極202的形成方法例如是採用化學氣相沈積法(CVD)、物理氣相沈積法(PVD)或是噴塗法形成於基板10上。
光電轉換層例如是由第一導電型層204、本質層(或稱為I層)206、第二導電型層208所構成。在一實施例中，第一導電型為P型且第二導電型為N型。在另一實施例中，第一導電型為N型且第二導電型為P型。以下以第一導電型層204為P型層，第二導電型層208為N型層為例
來說明本發明之透明型太陽能電池模組，然而，本發明並不以此為限。
P型層204為具有P型摻質的半導體或P型絕緣層。P型摻質例如是硼。P型摻質的半導體例如是P型非晶矽、P型微晶矽、P型碳化矽或P型氧化矽。P型絕緣層例如是P型氧化矽。在一實施例中，P型層204為P型非晶矽，其厚度例如是5~10奈米(nm)。在另一實施例中，P型層204為P型氧化矽，其厚度例如是5~10奈米。P型層204的形成方法例如是在透明電極202形成於基板200上之後，利用化學氣相沈積法形成在透明電極202上。P型層204中的P型摻質可以在沈積時臨場進行之，或是在沈積製程結束之後，再利用離子植入製程以形成之。
本質層206之材質包括本質半導體、本質摻質半導體，摻質例如是氟。本質層206例如是本質非晶矽、本質微晶矽(intrinsic microcrystalline silicon)、本質非晶矽摻雜氟、或本質微晶矽摻雜氟。在一實施例中，本質層206為本質非晶矽，其厚度例如是90~100奈米。在另一實施例中，本質層206為非晶矽摻雜氟，其厚度例如是小於100奈米。本質層206的形成方法例如是在P型層204形成於透明電極202上之後，利用化學氣相沈積法形成在P型層204上。
N型層208是指材料層中具有例如是氮、磷或是砷等。N型材料層之材質包括N型非晶矽(N-a-Si)、N型微晶矽(N-c-Si)、N型氧化矽(N-SiOx
)、氮化矽(SiNx
)、N型碳化
矽(N-SiCx
)。N-SiOx
、N-SiNx
以及N-SiCx
之中的X表示任何可能的數值。
抗反射層210形成在N型層208上。抗反射層210之材質可以反射長波長的光線，提升元件之效率。抗反射層210之材質例如是非晶質含氫的氮化矽(a-SiNx
：H，其中的X表示任何可能的數值)。
其後，在抗反射層210上形成金屬層212。金屬層212是以噴墨印刷沉積方式或是其他可以直接圖案化的沉積製程所形成之已圖案化的薄膜。金屬層212金屬例如是金、銀、鋁、銅、鉻、鎳、鈦、鉑、鈀或前述材料的合金等。之後，於金屬層212上形成一層覆蓋層214。可以是單層或是多層結構。覆蓋層204中各層可以是由單一種或多種材料所構成。覆蓋層204之材質例如是以上實施例所述者，於此不再贅述。覆蓋層204之厚度例如是10至100000埃。
接著，請參照圖4B，以高能光束216如準分子雷射透過光罩230熔損覆蓋層214與金屬層212，進行修邊處理製程，以形成圖案化的覆蓋層204a與再次圖案化的金屬層212a。再次圖案化的金屬層212a，以做為背電極。在一實施例中，所使用的雷射例如是波長為248奈米的準分子雷射。
之後，請參照圖4C，移除覆蓋層204a。
在基板上噴墨印刷1 x 1cm2
大小的銀金屬薄膜後，接著，沉積一層光阻層做為覆蓋層，再以波長為248奈米且能量為300毫焦耳/平方公分的準分子雷射對覆蓋層與銀金屬薄膜進行雷射熔損製程，雷射槍數(shot number)為10次，以同時將覆蓋層與銀金屬薄膜圖案化，於雷射熔損製程後，直接將覆蓋層移除。由掃描式電子顯微鏡(SEM)的結果顯示銀薄膜邊緣鮮少或僅有少數有輕微翹起的現象。
此例與例一相同，但是，覆蓋層改以有機絕緣材料且所使用的雷射能量改為400mJ/cm2
，雷射槍數改為1次，並且在雷射熔損製程後仍將覆蓋層保留下來。由SEM結果顯示銀薄膜經雷射熔損製程後，其邊緣並無翹起的現象。
本發明在欲以高能光束熔損的薄膜上多沉積一層覆蓋層，透過簡易的製程，可減緩高能光束能量對薄膜材料的影響，改善薄膜的型態、平整性與圖案的精確性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、110、200‧‧‧基板
12、12a、18‧‧‧薄膜
14、14a、114、114a、214、214a‧‧‧覆蓋層
16、116、216‧‧‧高能光束
30、130、230‧‧‧光罩
112、112a‧‧‧閘極
118‧‧‧介電層
120‧‧‧源極接觸層
122‧‧‧汲極接觸層
124‧‧‧間隙
126‧‧‧主動層
202‧‧‧透明電極
204‧‧‧第一導電型層
206‧‧‧本質層
208‧‧‧第二導電型層
210‧‧‧抗反射層
212‧‧‧金屬層
圖1A至1C-1是依照本發明一實施例所繪示之一種圖案化的方法。
圖2A至2C-1是依照本發明另一實施例所繪示之一種圖案化的方法。
圖3A至3C是依照本發明實施例所繪示之一種下閘極結構下接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
圖3A-1至3C-1是依照本發明實施例所繪示之一種下閘極結構上接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
圖3A-2至3C-2是依照本發明實施例所繪示之一種上閘極結構上接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
圖3A-3至3C-3是依照本發明實施例所繪示之一種上閘極結構下接觸式之薄膜電晶體的製造方法的剖面示意圖。
圖4A至圖4C是依照本發明另一實施例所繪示之一種太陽能電池的製造方法的剖面流程示意圖。
10‧‧‧基板
12‧‧‧薄膜
14‧‧‧覆蓋層
16‧‧‧高能光束
30‧‧‧光罩
Claims (26)
- 一種圖案化的方法，包括：在一基板上提供一第一薄膜，該第一薄膜待圖案化；在該第一薄膜上形成一未經圖案化的覆蓋層，其中該未經圖案化的覆蓋層之材質與該第一薄膜之材質相異；以一光束透過一光罩熔損該未經圖案化的覆蓋層與該第一薄膜，以形成一圖案化的覆蓋層與一圖案化的第一薄膜；以及選擇性移除該圖案化的覆蓋層。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，其中該光束包括氣體雷射、液態雷射、固態雷射或半導體雷射。
- 如申請專利範圍第2項所述之圖案化的方法，其中該氣體雷射包括準分子雷射。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜具有一第一圖案，該圖案化的第一薄膜具有一第二圖案，且該光束熔損該未經圖案化的覆蓋層與該第一薄膜之步驟，是對具有該第一圖案之該第一薄膜進行修邊處理製程，以形成該第二圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜為未圖案化層。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜與該未經圖案化的覆蓋層分別包括導電層、絕緣層、半導體層或至少前述兩種材料層所構成之複合材料層或堆疊層。
- 如申請專利範圍第6項所述之圖案化的方法，其中該導電層之材質至少包含Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Pt、Pd金屬或其合金；該絕緣層之材質包括無機材料、有機材料或其組合，其中該無機材料至少包括SiNx 、SiO2 、Al2 O3 、Al2 O3 、Ta2 O5 、TiO2 、ZrO2 、HfO2 ，該有機材料至少包括苯並環丁烯(BCB)、有機矽氧烷(siloxane)、聚醯亞胺(PI)或矽酸鹽(silsequioxane)；以及該半導體層之材質至少包括Si、Ge、GaAs、CdTe、ZnO、InZnO、ZnSnO、InGaZnO、InGaO或其它金屬氧化物半導體材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，其中該未經圖案化的覆蓋層包括光阻層。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜是用以形成閘極、源極接觸層、汲極接觸層或主動層。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，更包括於該圖案化的覆蓋層上形成至少一第二薄膜。
- 如申請專利範圍第10項所述之圖案化的方法，更包括在形成該第二薄膜之前，移除該圖案化的覆蓋層。
- 如申請專利範圍第11項所述之圖案化的方法，其中在形成該第二薄膜之後，該圖案化的覆蓋層仍被保留。
- 如申請專利範圍第10項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜為一閘極，形成該第二薄膜的方法包括：於該基板上形成一介電層；於該介電層上形成一源極接觸層與一汲極接觸層；以 及於該源極接觸層與該汲極接觸層之間的一間隙中形成一主動層。
- 如申請專利範圍第10項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜為一閘極，形成該第二薄膜的方法包括：於該基板上形成一介電層；於該介電層上形成一主動層；以及於該主動層上形成一源極接觸層與一汲極接觸層。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，更包括於提供該第一薄膜之前，於該基板上形成至少一第三薄膜。
- 如申請專利範圍第15項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜為一閘極，形成該第三薄膜的方法包括：於該基板上形成一主動層；於該主動層上形成一源極接觸層與一汲極接觸層；以及於該基板上形成一介電層，覆蓋該源極接觸層與該汲極接觸層。
- 如申請專利範圍第15項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜為一閘極，形成該第三薄膜的方法包括：於該基板上形成一源極接觸層與一汲極接觸層；於該基板上形成一主動層，覆蓋該源極接觸層與該汲極接觸層並填入於該源極接觸層與該汲極接觸層之間的間隙； 於該基板上形成一介電層，覆蓋該主動層。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案化的方法，其中該第一薄膜為太陽能電池之電極層且該基板的形成包括：提供一透明基板；形成一透明電極於該透明基板上；形成一光電轉換層於該透明電極上；形成一抗反射層於該光電轉換層上。
- 一種待圖案化之堆疊結構，包括：一第一薄膜，該第一薄膜為一待圖案化層；以及一未經圖案化的覆蓋層，覆蓋於該第一薄膜上，其中該未經圖案化的覆蓋層之材質與該第一薄膜之材質相異，當一光束透過一光罩熔損該第一薄膜時，該未經圖案化的覆蓋層覆蓋於該第一薄膜上，其中在以一光束透過一光罩熔損該第一薄膜時，該未經圖案化的覆蓋層覆蓋於該第一薄膜上。
- 如申請專利範圍第19項所述之待圖案化之堆疊結構，用於高能光束圖案化，其中高能光束為波長為1奈米以上的光束。
- 如申請專利範圍第19項所述之待圖案化之堆疊結構，其中該第一薄膜具有一第一圖案，該圖案化的第一薄膜具有一第二圖案，且該第二圖案與該第一圖案的形狀相似但是尺寸不同。
- 如申請專利範圍第19項所述之待圖案化之堆疊結構，其中該第一薄膜具有一第一圖案，該圖案化的第一薄 膜具有一第二圖案，且該第二圖案與該第一圖案的形狀相完全不同。
- 如申請專利範圍第19項所述之待圖案化之堆疊結構，其中該第一薄膜為未圖案化層。
- 如申請專利範圍第19項所述之待圖案化之堆疊結構，其中該第一薄膜以及該未經圖案化的覆蓋層分別包括導電層、絕緣層、半導體層或至少前述兩種薄膜所構成之複合材料層或堆疊層。
- 如申請專利範圍第24項所述之待圖案化之堆疊結構，其中該導電層之材質至少包含Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Pt、Pd金屬或其合金；該絕緣層之材質包括無機材料、有機材料或其組合，其中無機材料至少包括SiNx 、SiO2 、Al2 O3 、Al2 O3 、Ta2 O5 、TiO2 、ZrO2 、HfO2 ，該有機材料至少包括苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、有機矽氧烷(siloxane)、聚醯亞胺(PI)或矽酸鹽(silsequioxane)；以及該半導體層之材質至少包括Si、Ge、GaAs、CdTe和ZnO、InZnO、ZnSnO、InGaZnO、InGaO或其它金屬氧化物半導體材料。
- 如申請專利範圍第24項所述之待圖案化之堆疊結構，其中該未經圖案化的覆蓋層包括光阻層。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| TW98118038A TWI421645B (zh) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 圖案化的方法以及用於圖案化的堆疊結構 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| TW98118038A TWI421645B (zh) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 圖案化的方法以及用於圖案化的堆疊結構 |
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ID=45001216
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| EP0180101B1 (en) * | 1984-11-01 | 1991-12-27 | International Business Machines Corporation | Deposition of patterns using laser ablation |
| TW379358B (en) * | 1997-06-21 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device having liquid crystal display device |
| EP1257881B1 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-19 | Macdermid Graphic Arts, Inc. | Laser imaged printing plates comprising a multi-layer slip film |
| WO2006129126A2 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Plastic Logic Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
| TW200917543A (en) * | 2007-06-21 | 2009-04-16 | Idemitsu Kosan Co | Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor |
-
2009
- 2009-06-01 TW TW98118038A patent/TWI421645B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0180101B1 (en) * | 1984-11-01 | 1991-12-27 | International Business Machines Corporation | Deposition of patterns using laser ablation |
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| EP1257881B1 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-19 | Macdermid Graphic Arts, Inc. | Laser imaged printing plates comprising a multi-layer slip film |
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| TW200917543A (en) * | 2007-06-21 | 2009-04-16 | Idemitsu Kosan Co | Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor |
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