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TWI419317B - 感光結構之製造方法 - Google Patents

感光結構之製造方法 Download PDF

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TWI419317B
TWI419317B TW099126494A TW99126494A TWI419317B TW I419317 B TWI419317 B TW I419317B TW 099126494 A TW099126494 A TW 099126494A TW 99126494 A TW99126494 A TW 99126494A TW I419317 B TWI419317 B TW I419317B
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TW
Taiwan
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manufacturing
layer
forming
circuit layer
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TW099126494A
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TW201208047A (en
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Siewseong Tan
Yihsiang Chiu
Jenchieh Chen
Original Assignee
Memsor Corp
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Description

感光結構之製造方法
本揭示內容是有關於一種感光電路之製造方法，且特別是有關於一種感光結構之製造方法。
半導體製程在電子裝置應用愈來愈廣的情形下，將各種不同的元件予以整合於同一晶片上，已經是主流趨勢。諸如光感測元件、主動元件電路、微結構等等，均可在分開進行光感測主動元件製程與微結構製程後，整合於同一基材上。如此的製造方法又稱為系統級封裝(System-in-Package；SIP)。
另一種習知製程是在形成光感測元件及主動元件電路後，再進行微結構的製程，再進行主動元件電路的金屬化製程而完成晶圓層級(wafer level)的系統，並在將晶圓切割為晶片後，進行封裝完成晶片的製造。在微結構製造過程中，通常採用反應性離子蝕刻(RIE)之電漿蝕刻方式形成微結構中，可移動的構件或部份。但是，上述方式所形成的微結構之輪廓(profile)並不理想。並且，反應性離子蝕刻所需設備昂貴。此外，微結構形成後，在進行晶片封裝之前，環境中的微粒或污染物可能掉落至微結構中，使其無法運作。
因此，如何設計一個新的感光結構之製造方法，以克服上述之缺失，乃為此一業界亟待解決的問題。
因此，本揭示內容之一態樣是在提供一種感光結構之製造方法，包含下列步驟：(a)形成電路層於第一基板之上表面，其中第一基板包含至少一光感測元件，電路層包含至少一元件結構及至少一釋放特徵結構，且釋放特徵結構由金屬材料形成，並形成於部份之光感測元件及元件結構上；(b)覆蓋第一濾光層於電路層之部份區域上；以及(c)藉由濕蝕刻製程移除釋放特徵結構。
依據本揭示內容一實施例，其中形成電路層之步驟包含形成互補式金氧半導體元件及/或雙載子互補式金氧半導體元件。其中形成互補式金氧半導體元件及/或雙載子互補式金氧半導體元件時包含形成釋放特徵結構。
依據本揭示內容另一實施例，於步驟(a)更包含形成保護層於電路層上，其中保護層不覆蓋釋放特徵結構。於步驟(c)前更包含形成抗蝕刻層於第一濾光層上保護層上。於步驟(c)後更包含配置第二基板於電路層上方以及第一濾光層上。其中第二基板為玻璃基板或矽基材，且具有為約50μm至約500μm之厚度。第二基板包含第二濾光層，以置於電路層及第一濾光層之部份區域上。
依據本揭示內容又一實施例，其中釋放特徵結構形成於元件結構上並圍繞元件結構之周圍部份，以貫穿電路層，於藉由濕蝕刻製程移除釋放特徵結構後，更包含：曝露出第一基板之上表面於曝露出第一基板之上表面後更包含一步驟：非等向性蝕刻第一基板之上表面之部份。於步驟(c)後更包含下列步驟：(d)形成孔洞於第一基板之下表面，以曝露出對應於連接墊下方之電路層；(e)填充高分子材料於孔洞中；以及(f)移除第一基板對應於微機電結構下之部份，以釋放微機電結構。在步驟(e)後及步驟(d)前更包含一步驟：研磨第一基板之下表面，俾減少第一基板之厚度。
依據本揭示內容再一實施例，其中釋放特徵結構形成於元件結構或光感測元件上並穿透電路層之一深度，於藉由濕蝕刻製程移除釋放特徵結構後，更包含：曝露電路層對應深度之部份。
依據本揭示內容更具有之一實施例，其中元件結構實質上為微光機電結構。
依據本揭示內容再具有之一實施例，其中形成保護層之步驟包含形成氧化物層。濕蝕刻製程使用包含硫酸及過氧化氫之蝕刻劑。
依據本揭示內容一實施例，非等向性蝕刻包含深式反應離子蝕刻步驟。非等向性蝕刻第一基板之上表面之部份之步驟，包含形成凹陷部於第一基板，且凹陷部之深度為約5μm至約60μm。
依據本揭示內容一實施例，其中非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟。
依據本揭示內容另一實施例，其中非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟以及一深式反應離子蝕刻步驟。
依據本揭示內容又一實施例，於步驟(f)後更包含下列步驟：(g)形成第三基板於第一基板下；(h)形成連接孔，俾貫穿第三基板、高分子材料以及電路層，俾藉由連接孔曝露出連接墊；(i)形成導電層於連接孔之側壁上，俾與連接墊相連接；以及(j)形成連接導體凸塊於導電層上。其中連接墊電性連接於元件結構，俾使元件結構藉由連接墊、導電層以及連接導體凸塊與外部電路連接。連接墊亦可電性連接於互補式金氧半導體元件及/或雙載子互補式金氧半導體元件，俾使互補式金氧半導體元件及/或雙載子互補式金氧半導體元件藉由連接墊、導電層以及連接導體凸塊與外部電路連接。
應用本揭示內容之優點在於藉由整合式的感光結構之製造方法，可以在同一製程內完成感光結構中不同類型的元件，而輕易地達到上述之目的。
請同時參照第1A圖以及第2A圖至第2J圖。第1A圖為本揭示內容一實施例中，感光結構之製造方法之流程圖。第2A圖至第2J圖為本揭示內容一實施例中，各製程階段的剖面示意圖。感光結構之製造方法包括下列步驟(應瞭解到，在本實施方式中所提及的步驟，除特別敘明其順序者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同時或部分同時執行。)
進行步驟101，形成電路層200於第一基板210之上表面。請參照第2A圖，電路層200形成於第一基板210之上表面212。於一實施例中，第一基板210可為矽晶圓，並包含光感測元件214a、214b、214c及214d。電路層200包含元件結構202、釋放特徵結構204以及介電材料層206。釋放特徵結構204由金屬材料所製成。實質上，金屬材料內亦會包含介電層材料，同時在後續之濕蝕刻時會將此介電層材料移除。釋放特徵結構204可形成於部份之光感測元件及元件結構202上。
於本實施例中，釋放特徵結構204形成於光感測元件214a、214d上，並圍繞元件結構202的周邊之一部分，以貫穿電路層200。其中，形成於光感測元件214a上的釋放特徵結構204貫穿電路層200較深之深度，以形成於光感測元件214a一較短距離的上方。而形成於光感測元件214d上的釋放特徵結構204則僅貫穿電路層200一較淺之深度，與光感測元件214d間具有較長之距離，而此距離內的電路層200更包含有形狀的金屬層201。
在一實施例中，形成電路層200的步驟包含形成一互補式金氧半導體(CMOS)元件208。在習知的互補式金氧半導體元件208的標準製程中，可包括4道的金屬化製程以及2道的多晶矽化製程(2P4M製程)，亦可包括5道的金屬化製程以及1道的多晶矽化製程(1P5M製程)。因此，在一實施例中，在形成互補式金氧半導體元件208的過程中，藉由適當設計的光罩，同時形成釋放特徵結構204。以上僅以互補式金氧半導體等元件為舉例說明，並非用以限制本發明，其他例如雙載子互補式金氧半導體(BiCMOS)等元件，或是其他類型的製程與結構亦可適用於本發明，不限於互補式金氧半導體或是雙載子互補式金氧半導體的製程與結構。此外，本發明亦不限於2P4M製程或1P5M製程，其他的製程方式亦可適用於本發明。例如，在形成互補式金氧半導體元件208的通孔時，可同時移除介電層中預設為釋放特徵結構204位置的介電材料。然後，在形成互補式金氧半導體元件208的金屬層時，可同時填充金屬材料至上述預設位置。因此，可以在形成互補式金氧半導體元件208時，逐步形成釋放特徵結構204。在另一實施例中，形成互補式金氧半導體元件208的金屬層係為鋁，而填充在互補式金氧半導體元件208中通孔的金屬為鎢。因此，可形成由鋁及鎢所構成的釋放特徵結構204。在又一實施例中，在電路層200包括連接墊203。連接墊203為金屬所製成，且電性連接互補式金氧半導體元件208。
在一實施例中，在形成互補式金氧半導體元件208的過程中，同時形成元件結構202。於本實施例中，元件結構202位於光感測元件214c上。於其他實施例中，元件結構202可不需形成於光感測元件上方，而可獨立形成於電路層200中。元件結構202的部份結構可在形成互補式金氧半導體元件208的過程中同時形成，其他諸如微結構中之電性金屬接線也可以在形成互補式金氧半導體元件208的過程中形成。因此，元件結構202的部份結構可包括與互補式金氧半導體元件208相同的金屬層(例如鋁及/或鎢)。並且，部份結構間的金屬層可互相電性連接後，再連接至電路層200半導體電路中。
於本實施例中，可由第2A圖得知，電路層200包含M1、M2、M3及M4四個金屬層以及接點(contact)、V1、V2、V3三個通孔(via)。其中，有形狀的金屬層201、元件結構202、連接墊203、釋放特徵結構204以及互補式金氧半導體元件208各具有部份結構對應至上述M1-M4的金屬層及V1-V3的通孔。舉例來說，互補式金氧半導體元件208對應至M1-M3的金屬層以及V1-V2的通孔。元件結構202周圍的釋放特徵結構204則具有接點204a與第一基板210相接。
在另一實施例中，如第2A圖所示，元件結構202包括與互補式金氧半導體元件208相同的介電材料205(例如氧化矽及/或氮化矽)，且介電材料205位在元件結構202的外側表面。介電材料205的厚度可為約0.1微米至約3微米，例如為約1微米、2微米或3微米。
在一實施例中，形成電路層200的步驟更包含同時形成保護層230於電路層200上。如第2A圖所示，保護層230形成於電路層200上方。在一實施例中，保護層230可覆蓋連接墊203。但保護層230並不覆蓋釋放特徵結構204。換言之，釋放特徵結構204是暴露於外在環境，以便進行後續步驟。
在一實施例中，保護層230可為例如氧化矽層或氮化矽層，或保護層230可為包含氧化矽及氮化矽的多層結構。保護層230可利用習知的化學氣相沈積技術或其他的技術形成。
在步驟102中，覆蓋第一濾光層207於電路層200之部份區域上。如第2B圖所示，於本實施例中，第一濾光層207形成並覆蓋於對應光感測元件214b的電路層200上的保護層230上，以及形成並覆蓋於對應元件結構202(包含光感測元件214c)的電路層200上。第一濾光層207可提供一濾光之功能，使光線在經過第一濾光層207時，僅有部份波段的光可以通過，以使其所覆蓋的光感測元件214b、元件結構202及光感測元件214c可以針對這些波段的光執行特定的功能。需注意的是，於不同的區域中，可因應其下方所對應的元件所具有不同的需求，形成具有不同的濾光特性的第一濾光層207。舉例來說，形成於光感測元件214b上的第一濾光層207可用以進行濾光以僅允許綠光通過，而形成於元件結構202上的第一濾光層207可用以進行濾光以僅允許紅光通過。
於一實施例中，形成第一濾光層207時，可同時形成抗蝕刻層232，除可提供電路層200的頂部更進一步的保護與抗蝕外，亦可在第一濾光層207之材質不具抗蝕性時，提供第一濾光層207保護之作用。抗蝕刻層232實質上可與保護層230為相同之材質，如氧化層(oxide)。而於另一實施例中，當第一濾光層207之材質本身即具抗蝕性時，可不需於其上形成抗蝕刻層232。
在步驟103中，藉由濕蝕刻製程移除釋放特徵結構204，以露出第一基板210。如第2C圖所示，藉由濕蝕刻製程將第2B圖中的釋放特徵結構204移除。於本實施例中，光感測元件214a及光感測元件214d上方之釋放特徵結構204形成於光感測元件214a及光感測元件214d上並穿透電路層200之一對應的深度，因此在藉由濕蝕刻製程移除釋放特徵結構204後，曝露出電路層200對應此深度之部份。
而在元件結構202周邊之釋放特徵結構204，則在移除後露出第一基板210。移除釋放特徵結構204後，元件結構202本身以及元件結構202與電路層200的其他部分間形成一間隙d。在一實施例中，間隙d之寬度為約1微米至約4微米，例如可為2微米或3微米。在步驟104中，所採用的蝕刻劑對於金屬材料與氧化物材料(或氮化物)具有高的蝕刻選擇比，例如高於15：1或高於20：1，例如可為約30：1或更高。因此，在移除釋放特徵結構204時，可以得到較佳的側壁輪廓。在一實施例中，釋放特徵結構204為鋁及鎢所構成，保護層230為氧化矽層。濕蝕刻製程使用一包含硫酸以及過氧化氫之蝕刻劑。在一特定實施例中，硫酸與過氧化氫的重量比為約2：1，在蝕刻釋放特徵結構204的金屬材料時，可以得到滿意的側壁輪廓。
在習知的技術中，通常採用反應性離子蝕刻(reactive ion etching；RIE)移除電路層中的介電材料(諸如氧化矽或氮化矽)。但是使用反應性離子蝕刻，所形成的蝕刻側壁輪廓並不理想。而且，反應性離子蝕刻所需得設備昂貴。因此，根據本發明一實施例，係在所欲移除的區域中預先填入金屬材料，形成釋放特徵結構204。然後再利用濕蝕刻將釋放特徵結構204移除。藉由使用具有高蝕刻選擇比的蝕刻劑，可以達到更佳的蝕刻側壁輪廓(相較於反應離子蝕刻)。再者，釋放特徵結構204可在形成電路層200的同時形成，無須額外製程。所以，本發明具有低製程成本的優點，且能達到更佳的蝕刻輪廓。
在步驟104中，非等向性蝕刻露出的第一基板210之一部分。如第2E圖所示(第2D圖之部份於後敘述)，藉由非等向性蝕刻移除在步驟103中露出的第一基板210的一部分。在一實施例中，非等向性蝕刻包括一深式反應離子蝕刻(Deep Ion reactive Etching；DRIE)步驟。在另一實施例中，非等向性蝕刻第一基板210的步驟包括形成一凹陷部240於第一基板210中，且凹陷部240之深度為約10微米至約60微米，例如為約20微米、30微米、40微米或50微米。在非等向性蝕刻過程中，保護層230(例如氧化矽或氮化矽等)可保護其下的金屬層(例如連接墊203及電路層200中的金屬層)或是第一濾光層207，避免在非等向性蝕刻過程中破壞金屬層應有的電性或是第一濾光層207之功能。
在步驟103之移除釋放特徵結構204後，在某些情況下，所露出的第一基板210的上表面(即間隙d的位置)可能形成氧化物，例如氧化矽。因此，於一實施例中，在進行步驟104之前，可非必要性地進行一RIE製程，以先形成第2D圖的結構，再進行前述的深式反應離子蝕刻形成第2E圖之結構。藉由RIE製程，間隙d中的第一基板210表面上的氧化物可被移除，而部份由於移除釋放特徵結構204而露出的凹槽，將較第2C圖中，進一步為RIE製程蝕刻地更深。
接著請參照第1B圖。第1B圖為接續第1A圖之感光結構之製造方法的步驟104所連接之A點之後的流程圖。
在步驟104後的步驟105中，配置一第二基板250於電路層200上方。如第2F圖所示，在電路層200上方配置第二基板250。第二基板250可覆蓋在元件結構202的上方，以保護元件結構202，並避免微粒掉落至凹陷部240。在一實施例中，第二基板250可例如為玻璃基板或一矽基材，玻璃基板或矽基材的厚度為約50微米至約500微米，例如為100微米、200、300微米或400微米。在另一實施例中，第二基板250與保護層230之間配置黏著層252，用以固定第二基板250。實質上，黏著層252圍繞著第二基板250及電路層200之周圍，由於第2F圖為部份之側剖視圖，因此僅繪示出一側的黏著層252。
於另一實施例中，第二基板250實質上更包含第二濾光層254。如第2F圖所示，於本實施例中，第二濾光層254形成於對應光感測元件214a、214b及214d的上方。第二濾光層254可形成於第二基板250的任一側，並且可重疊設置。如同第一濾光層207，第二濾光層254亦可提供濾光之功能，使光線在經過第二濾光層254時，僅有部份波段的光可以通過。於已經覆蓋有第一濾光層207之處，如光感測元件214b亦可再對應之上面形成第二濾光層254，以加強濾光之功效，或是額外再濾除其他波段的光。如同第一濾光層207，對應不同區域中所形成的第二濾光層254，可因應不同的需求而具有不同的濾光特性。
在步驟105之後，可非必要性地進行步驟106。在步驟106中，研磨第一基板210之下表面216，以減少第一基板210的厚度，如第2G圖所示。例如第一基板210研磨後的厚度可為約50微米至微米300微米。
在步驟107中，形成一孔洞260於第一基板210之下表面，以露出位於連接墊203下方之電路層200，如第2H圖所示。於第一基板210形成孔洞260的方法可為乾蝕刻法、濕蝕刻法、機械鑽孔或雷射鑽孔。在一實施例中，孔洞260具有一傾斜的側壁262。側壁262與電路層200的下表面209形成一大於90度的夾角θ，例如可為約100度、110度、120度、140度或150度。
在步驟108中，填充一高分子材料於孔洞中，如第2I圖示。高分子材料264填充於孔洞260中。在一實施例中，高分子材料264可為環氧樹脂(epoxy)。在另一實施例中，所填充的高分子材料264表面與第一基板210的下表面216大致齊平。
在步驟109中，移除第一基板210之一下表面216的一部分，以釋放元件結構202。於本實施例中，元件結構202可藉由光感測元件214c的輔助而成為一微光機電結構。而於另一實施例中，元件結構202之下方可不設置光感測元件214c，而僅為一微機電結構。「釋放元件結構」係指使上述之微機電結構或微光機電結構產生具有可相對移動的構造或部件。在一實施例中，利用非等向性蝕刻移除第一基板210的下表面216的一部分，以「釋放微機電結構」，如第2J圖所示。在另一實施例中，藉由DRIE製程移除位於凹陷部240及元件結構202下方的第一基板210的一部分，使元件結構202能相對於第一基板210或第二基板250產生位移。在另一實施例中，元件結構202可藉由如彈性支撐件(未繪示)之結構而連接於電路層200的其他部分。因此，當元件結構202受外力時，可產生微小的相對位移。
需注意的是，於一實施例中，在形成電路層200時，亦可形成僅為一懸浮結構之光感測元件結構202，且與光感測元件結構上方無金屬層遮蔽，如第2K圖所示。
上述之感光結構之製造方法，可在同一製程內形成感光結構中不同的元件，並可藉由釋放特徵結構，使感光結構中的元件具有較佳的側壁輪廓。更進一步地，藉由包含第二濾光層的第二基板的設置，不但可以達到防止元件被微粒污染的功效，更可加強電路層上的第一濾光層外，更佳的濾光效果。
在其他實施方式中，於完成步驟101至步驟109後，可接續進行步驟301至步驟304。請參見第3圖，其繪示在完成步驟101至步驟109之後的製造流程圖。第4A圖至4C圖係繪示上述步驟301至步驟304中各製程階段的剖面示意圖。
在步驟301中，配置一第三基板400於第一基板210下方，如第4A圖所示。在一實施例中，第三基板400可與第二基板250為相同材料，例如矽基材或玻璃基板。第二基板250及第三基板400形成一包圍元件結構202的封閉空間。因此，第二基板250及第三基板400可保護元件結構202免於受損及防止微粒進入，而確保元件結構202正常運作。
在步驟302中，由第三基板400之一側形成連接孔402，如第4B圖所示。連接孔402大致位於填充高分子材料264之處，且貫穿第三基板400、高分子材料264以及電路層200而露出連接墊203。形成連接孔402的方法可為機械鑽孔或雷射鑽孔等。在一實施例中，連接墊203電性連接互補式金氧半導體元件208。在另一實施例中，連接墊203電性連接元件結構202。
步驟303中，形成導電層404於連接孔402中，如第4C圖所示。導電層404與連接墊203相連接，用以輸入或輸出電子訊號進入電路層200中的電路系統。可利用一般習知的濺鍍製程形成導電層404，導電層404的材料可例如為銅、鋁、銀或鎢。在一實施例中，導電層404由連接孔402延伸至第三基板400的下表面406。
步驟304中，形成連接導體凸塊408於導電層404上。請再參見第4C圖，在一實施例中，連接導體凸塊408形成在位於第三基板400上的導電層404，因此電子訊號可經由連接導體凸塊408輸入或輸出元件結構202。於一實施例中，電子訊號亦可經由連接導體凸塊408輸入或輸出電路層200中的其他元件，如互補式金氧半導體元件208及/或雙載子互補式金氧半導體元件等。可使用任何習知的方法形成連接導體凸塊408，例如網印製程或佈植錫球方式等。元件結構202可經由連接導體凸塊408連接至其他外部電路(未繪示)。完成步驟304，即完成晶圓層級的微機電結構封裝。
於本實施例中，感光結構之製造方法更進一步地在同一製程內藉由第三基板的設置達到防止感光結構內的元件被微粒污染的功效，並可使元件藉由晶圓層級的微機電結構封裝，可與外部電路進行電性連接及溝通。
雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
101-109．．．步驟
200．．．電路層
201．．．金屬層
202．．．元件結構
203．．．連接墊
204．．．釋放特徵結構
204a．．．接點
205．．．介電材料
206‧‧‧介電材料層
207‧‧‧第一濾光層
208‧‧‧互補式金氧半導體元件
209‧‧‧下表面
210‧‧‧第一基板
212‧‧‧上表面
214a-214d‧‧‧光感測元件
216‧‧‧下表面
230‧‧‧保護層
232‧‧‧抗蝕刻層
240‧‧‧凹陷部
250‧‧‧第二基板
252‧‧‧黏著層
254‧‧‧第二濾光層
260‧‧‧孔洞
262‧‧‧側壁
264‧‧‧高分子材料
301-304‧‧‧步驟
400‧‧‧第三基板
402‧‧‧連接孔
404‧‧‧導電層
406‧‧‧下表面
408‧‧‧連接導體凸塊
為讓本揭示內容之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1A圖及第1B圖為本揭示內容一實施例中，感光結構之製造方法之流程圖；
第2A圖至第2J圖為第1A圖及第1B圖中的製造方法中，各製程階段的剖面示意圖；
第2K圖為為本揭示內容另一實施例中，形成有懸浮結構的感光結構之示意圖；
第3圖為本揭示內容另一實施例中，感光結構之製造方法之流程圖；以及
第4A圖至第4C圖為第3圖的製造方法中，各製程階段的剖面示意圖。
200．．．電路層
201．．．金屬層
202．．．元件結構
203．．．連接墊
207．．．第一濾光層
208．．．互補式金氧半導體元件
210．．．第一基板
214a-214d．．．光感測元件
250．．．第二基板
254．．．第二濾光層
264．．．高分子材料
400．．．第三基板
402．．．連接孔
404．．．導電層
406．．．下表面
408．．．連接導體凸塊

Claims (23)

  1. 一種感光結構之製造方法，包含下列步驟：(a)形成一電路層於一第一基板之一上表面，其中該第一基板包含至少一光感測元件，該電路層包含至少一元件結構，及至少一釋放特徵結構，且該釋放特徵結構由一金屬材料形成，並形成於部份之該光感測元件及該元件結構上；(b)覆蓋一第一濾光層於該電路層之部份區域上；以及(c)藉由一濕蝕刻製程移除該釋放特徵結構。
  2. 如請求項1所述之製造方法，其中形成該電路層之步驟包含形成一互補式金氧半導體元件(CMOS)及/或一雙載子互補式金氧半導體元件(BiCMOS)。
  3. 如請求項2所述之製造方法，其中形成該互補式金氧半導體(CMOS)元件及/或該雙載子互補式金氧半導體(BiCMOS)元件時包含形成該釋放特徵結構。
  4. 如請求項1所述之製造方法，於步驟(a)更包含形成一保護層於該電路層上，其中該保護層不覆蓋該釋放特徵結構。
  5. 如請求項4所述之製造方法，其中於步驟(c)前 更包含形成一抗蝕刻層於該第一濾光層上及該保護層上。
  6. 如請求項1所述之製造方法，於步驟(c)後更包含配置一第二基板於該電路層上方以及該第一濾光層上。
  7. 如請求項6所述之製造方法，其中該第二基板為一玻璃基板或一矽基材，且具有為約50μm至約500μm之一厚度。
  8. 如請求項7所述之製造方法，其中該第二基板包含一第二濾光層，以置於該電路層及該第一濾光層之部份區域上。
  9. 如請求項1所述之製造方法，其中該釋放特徵結構形成於該元件結構上並圍繞該元件結構之一周圍部份，以貫穿該電路層，於藉由該濕蝕刻製程移除該釋放特徵結構後，更包含：曝露出該第一基板之該上表面。
  10. 如請求項9所述之製造方法，於曝露出該第一基板之該上表面後更包含一步驟：非等向性蝕刻該第一基板之該上表面之一部份。
  11. 如請求項10所述之製造方法，其中該電路層更 包含一連接墊，該元件結構為一微機電結構，於步驟(c)後更包含下列步驟：(d)形成一孔洞於該第一基板之一下表面，以曝露出對應於該連接墊下方之該電路層；(e)填充一高分子材料於該孔洞中；以及(f)移除該第一基板對應於該微機電結構下之一部份，以釋放該微機電結構。
  12. 如請求項11所述之製造方法，其中在步驟(d)前更包含一步驟：研磨該第一基板之該下表面，俾減少該第一基板之厚度。
  13. 如請求項1所述之製造方法，其中該釋放特徵結構形成於該元件結構或該光感測元件上並穿透該電路層之一深度，於藉由該濕蝕刻製程移除該釋放特徵結構後，更包含：曝露該電路層對應該深度之部份。
  14. 如請求項11所述之製造方法，其中該元件結構實質上為一微光機電結構。
  15. 如請求項4所述之製造方法，其中形成該保護層之步驟包含形成一氧化物層。
  16. 如請求項1所述之製造方法，其中該濕蝕刻製程係使用包含硫酸及過氧化氫之一蝕刻劑。
  17. 如請求項10所述之製造方法，其中該非等向性蝕刻包含一深式反應離子蝕刻步驟。
  18. 如請求項10所述之製造方法，其中該非等向性蝕刻該第一基板之該上表面之該部份之步驟，包含形成一凹陷部於該第一基板，且該凹陷部之深度為約5μm至約60μm。
  19. 如請求項10所述之製造方法，其中該非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟以及一深式反應離子蝕刻步驟。
  20. 如請求項10所述之製造方法，其中該非等向性蝕刻包含一反應離子蝕刻步驟。
  21. 如請求項11所述之製造方法，於步驟(f)後更包含下列步驟：(g)形成一第三基板於該第一基板下；(h)形成一連接孔，俾貫穿該第三基板、該高分子材料以及該電路層，俾藉由該連接孔曝露出該連接墊； (i)形成一導電層於該連接孔之一側壁上，俾與該連接墊相連接；以及(j)形成一連接導體凸塊於該導電層上。
  22. 如請求項21所述之製造方法，其中該連接墊電性連接於該元件結構，俾使該元件結構藉由該連接墊、該導電層以及該連接導體凸塊與一外部電路連接。
  23. 如請求項21所述之製造方法，其中形成該電路層之步驟包含形成一互補式金氧半導體元件及/或一雙載子互補式金氧半導體元件，該連接墊電性連接於該互補式金氧半導體元件及/或該雙載子互補式金氧半導體元件，俾使該互補式金氧半導體元件及/或該雙載子互補式金氧半導體元件藉由該連接墊、該導電層以及該連接導體凸塊與一外部電路連接。
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