TWI418056B

TWI418056B - 發光元件

Info

Publication number: TWI418056B
Application number: TW96141611A
Authority: TW
Inventors: Min Hsun Hsieh
Original assignee: Epistar Corp
Priority date: 2007-11-01
Filing date: 2007-11-01
Publication date: 2013-12-01
Also published as: TW200921932A

Description

發光元件

本發明係關於一種發光元件，尤其關於一種具有一非半導體載體之發光元件。

發光二極體(Light Emitting Diode；LED)係一種固態半導體元件，其至少包含一p-n接面(p-n junction)，此p-n接面係形成於p型與n型半導體層之間。當於p-n接面上施加一定程度之偏壓時，p型半導體層中之電洞與n型半導體層中之電子會結合而釋放出光。此光產生之區域一般又稱為發光區(light-emitting region)。

LED的主要特徵在於尺寸小、發光效率高、壽命長、反應快速、可靠度高和色度良好，目前已經廣泛使用在電器、汽車、招牌和交通號誌上。隨著全彩LED的問世，LED已逐漸取代傳統的照明設備，如螢光燈和白熱燈泡。

液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)已被廣泛地使用在各項電子產品，如桌上型或筆記型電腦、移動式電話、車用導航系統和電視等螢幕。一般的設計裡，LCD的光源是由背光模組(Back Light Unit；BLU)提供，LED則為BLU的主要光源之一。

一發光元件，包含一非半導體載體；一接合層，位於非半導體載體之上；一反射層，位於接合層之上；及一發光疊層，位於反射層之上。其中，發光疊層包含一第一束縛層；一發光層，位於第一束縛層之上；及一第二束縛層，位於發光層之上，其中，非半導體載體、接合層與反射層不含有半導體材料。

一發光元件，包含一非半導體載體；一接合層，位於非半導體載體之上；一反射層，位於接合層之上；及一發光疊層，位於反射層之上。其中，發光疊層包含一第一束縛層；一發光層，位於第一束縛層之上；一第二束縛層，位於發光層之上；及一第一電流擴散層，位於第二束縛層之上。其中，非半導體載體、接合層與反射層不含有半導體材料。

一發光元件，包含一非半導體載體；一接合層，位於非半導體載體之上；一反射層，位於接合層之上；一圖案化導電層，位於反射層之上，且被一介電層圍繞；及一發光疊層，位於圖案化導電層之上。其中，發光疊層包含一第一束縛層；一發光層，位於第一束縛層之上；一第二束縛層，位於發光層之上；及一第一電流擴散層，位於第二束縛層之上。其中，非半導體載體、接合層、反射層、圖案化導電層與介電層不含有半導體材料。

一發光元件，包含一非半導體載體；一接合層，位於非半導體載體之上；一反射層，位於接合層之上；一圖案化導電層，位於反射層之上，且被一介電層包圍；及一發光疊層，位於圖案化導電層之上。其中，發光疊層包含一第一束縛層；一發光層，位於第一束縛層之上；一第二束縛層，位於發光層之上；一第一電流擴散層，位於第二束縛層之上；一導電接觸層，位於第一電流擴散層之上；及一第二電流擴散層，位於導電接觸層之上。其中，非半導體載體、接合層、反射層、圖案化導電層與介電層不含有半導體材料。

如圖1A-1C所示，一發光元件1包含一非半導體載體10；一接合層11，位於非半導體載體10之上；一反射層12，位於接合層11之上；一圖案化導電層13，位於反射層12之上且被一介電層14圍繞；以及一發光疊層15，位於圖案化導電層13之上。其中，非半導體載體10、接合層11、反射層12、圖案化導電層13與介電層14皆不含有半導體材料。

非半導體載體10可承載發光疊層15，具有良好的導熱或導電的能力。其材料主要為非半導體材料，例如導體或絕緣體，包含但不限於金屬、電絕緣材料、複合材料、、金屬基複合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基複合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)或上述材料之組合。

接合層11用以接合非半導體載體10與反射層12，可為金屬或非金屬材料。其材料包含但不限於聚醯亞胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烯(PFCB)、環氧樹酯(Epoxy)、其他有機黏結材料、銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、錫化金(AuSn)、銀化銦(InAg)、金化銦(InAu)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、銦化鈀(PdIn)或上述材料之組合。

反射層12可反射自發光疊層15射出之光，其材料包含但不限於銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、錫(Pb)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、上述材料之組合或布拉格反射層。

圖案化導電層13用以形成發光疊層15與反射層12之間的歐姆接觸，其材料包含但不限於金(Au)、銀(Ag)、鈹化金(AuBe)、鎳化金(AuNi)、鍺化金(AuGe)與上述材料之組合所構成之群組。

於發光疊層15與反射層12之間形成介電層14，可避免發光疊層15與反射層12在製程中彼此反應而降低反射層12之反射能力。除此之外，因為介電層14的折射率與發光疊層15相異，可使部分來自發光疊層15的光產生全反射，再搭配可反射其餘透過介電層14之光的反射層12，可達成全方位反射(ODR,Omni Directional Reflection)的功效，使光線向全方位射出，增加光摘出效率。介電層14之材料包含但不限於介電材料、Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烯(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、矽膠(Silicone)、玻璃、氧化鋁、氮化矽(SiN_x)、氧化矽(SiO₂)、氧化鈦(TiO₂)、上述材料之組合或其他透明絕緣材料。

發光疊層15包含一第一束縛層151，位於圖案化導電層13之上；一發光層152，位於第一束縛層151之上；與一第二束縛層153，位於發光層152之上。其中，第一束縛層151可為p型或n型半導體，第二束縛層153之電性則與第一束縛層151相異。如第1B圖所示，第二束縛層153的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率。發光層152之結構可分為單異質結構(single heterostructure；SH)、雙異質結構(double heterostructure；DH)、雙側雙異質結構(double-side double heterostructure；DDH)、以及多層量子井(multi-quantum well；MQW)等，其材料包含但不限於II-VI族、III-V族或CdZnSe。

發光元件1更包含一第一墊片a，位於第二束縛層153之上；與一第二墊片b，位於非半導體載體10之下；此時，非半導體載體10較佳地係為一導體。第一墊片a與第二墊片b分別與發光疊層15與非半導體載體10形成電性連接，當第一墊片a與第二墊片b分別位於非半導體載體10之相異側，發光元件1為一垂直結構。如圖1C所示，一保護層16形成於發光疊層15之上，環繞第一墊片a側壁並沿發光疊層15向外延伸，以保護發光疊層15與其下之其他結構免於受潮或震動等傷害，也避免因打線造成的短路。保護層16之材料包含但不限於介電材料、Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烯(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、矽膠(Silicone)、玻璃、氧化鋁、氧化矽、氧化鈦、SiN_X、旋塗玻璃(SOG)、上述材料之組合或其他透明材料。

另一實施例如圖2A-2C所示，一發光元件2包含一非半導體載體20；一接合層21，位於非半導體載體20之上；一反射層22，位於接合層21之上；一圖案化導電層23，位於反射層22之上且被一介電層24圍繞；一發光疊層25，位於圖案化導電層23之上。其中，非半導體載體20、接合層21、反射層22、圖案化導電層23與介電層24皆不含有半導體材料。

發光疊層25包含一第一束縛層251，位於圖案化導電層23之上；一發光層252，位於第一束縛251之上；與一第二束縛層253，位於發光層252之上；更包含一第一電流擴散層254，位於第二束縛層253之上。第一電流擴散層254相對於發光層252所發之光為透明，除了有增加光摘出效率的功能，還有助於散佈電流。除此之外，如第2B圖所示，第一電流擴散層254的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率。其材料包含但不限於砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物或上述材料之組合所構成之群組。

發光元件2更包含一第一墊片a，位於第一電流擴散層254之上；與一第二墊片b，位於非半導體載體20之下；此時，非半導體載體20較佳地係為一導體。第一墊片a與第二墊片b分別與發光疊層25與非半導體載體10形成電性連接，當第一墊片a與第二墊片b分別位於非半導體載體20之相異側，發光元件2為一垂直結構。如圖2C所示，一保護層26形成於發光疊層25之上，環繞第一墊片a側壁並沿發光疊層25向外延伸，以保護發光疊層25與其下之其他結構免於受潮或震動等傷害，也避免因打線造成的短路。

另一實施例如圖3A-3D所示，一發光元件3包含一非半導體載體30；一接合層31，位於非半導體載體30之上；一反射層32，位於接合層31之上；一圖案化導電層33，位於反射層32之上且被一介電層34圍繞；一發光疊層35，位於圖案化導電層33之上。其中，非半導體載體30、接合層31、反射層32、圖案化導電層33與介電層34皆不含有半導體材料。

發光疊層35包含一第一束縛層351，位於圖案化導電層33之上；一發光層352，位於第一束縛層351之上；一第二束縛層353，位於發光層352之上；一導電接觸層354，位於第二束縛層353之上；與一第一電流擴散層355，位於導電接觸層354之上。

第一電流擴散層355用以散佈電流，增加發光效率，藉由導電接觸層354與第二束縛層353形成歐姆接觸。第一電流擴散層 355的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率，如第3B圖所示。導電接觸層354的表面亦可同時做粗化處理，以形成非平整表面，如第3C圖所示。第一電流擴散層355之材料包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅(ZnO)等金屬氧化物或上述材料之組合所構成之群組。導電接觸層354之材料包含但不限於磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、金屬或上述材料之組合所構成之群組。

發光元件3更包含一第一墊片a，位於第一電流擴散層355之上；與一第二墊片b，位於非半導體載體30之下；此時，非半導體載體30較佳地係為一導體。第一墊片a與第二墊片b分別與發光疊層35與非半導體載體30形成電性連接，當第一墊片a與第二墊片b分別位於非半導體載體30之相異側，發光元件3為一垂直結構。如圖3D所示，一保護層36形成於發光疊層35之上，環繞第一墊片a側壁並沿發光疊層35向外延伸，以保護發光疊層35與其下之其他結構免於受潮或震動等傷害，也避免因打線造成的短路。

另一實施例如圖4A-4D所示，一發光元件4包含一非半導體載體40；一接合層41，位於非半導體載體40之上；一反射層42，位於接合層41之上；一圖案化導電層43，位於反射層42之上且被一介電層44圍繞；一發光疊層45，位於圖案化導電層43之上。其中，發光疊層45包含一第一束縛層451，位於圖案化導電層43之上；一發光層452，位於第一束縛層451之上；一第二束縛層453，位於發光層452之上；一第一電流擴散454，位於第二束縛層453之上；一導電接觸層層455，位於第一電流擴散層454之上；與一第二電流擴散層456，位於導電接觸層455之上。其中，接合層41、反射層42、圖案化導電層43與介電層44皆不含有半導體材料。

如第4B圖所示，第一電流擴散層454與第二束縛層453形成歐姆接觸，用以散佈電流，增加發光效率。第一電流擴散層454的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率。其材料包含但不限於砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)或上述材料之合成所構成之群組。第二電流擴散層456用以散佈電流，增加發光效率，藉由導電接觸層455與第一電流擴散層454形成歐姆接觸。如第4C圖所示，第二電流擴散層456的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率，導電接觸層455的表面亦可同時做粗化處理，以形成非平整表面。第二電流擴散層456之材料包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅(ZnO)或上述材料之組合所構成之群組。導電接觸層455之材料包含但不限於磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、金屬或上述材料之組合所構成之群組。

發光元件4更包含一第一墊片a，位於第二電流擴散層456之上；與一第二墊片b，位於非半導體載體40之下；此時，非半導體載體40較佳地係為一導體。第一墊片a與第二墊片b分別與發光疊層45與非半導體載體40形成電性連接，當第一墊片a與第二墊片b分別位於非半導體載體40之相異側，發光元件4為一垂直結構。如圖4D所示，一保護層46形成於發光疊層45之上，環繞第一墊片a側壁並沿發光疊層45向外延伸，以保護發光疊層45與其下之其他結構免於受潮或震動等傷害，也避免因打線造成的短路。

另一實施例如圖5A-5D所示，一發光元件5包含一非半導體載體50；一接合層51，位於非半導體載體50之上；一反射層52，位於接合層51之上；一圖案化導電層53，位於反射層52之上且被一介電層54圍繞；一發光疊層55，位於圖案化導電層53之上；以及一第一墊片a與一第二電片b，位於發光疊層55之上。其中，非半導體載體50、接合層51、反射層52、圖案化導電層53與介電層54皆不含有半導體材料。

發光疊層55包含一第一束縛層551、一發光層552與一第二束縛層553。發光疊層55被蝕刻裸露出部分第一束縛層551，此時，第一墊片a位於第二束縛層553之上，而且第二墊片b位於第一束縛層551裸露的部分之上，非半導體載體50較佳地係為一絕緣體。如第5B圖所示，第二束縛層553的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率。當第一墊片a與第二墊片b分別位於非半導體載體50之相同側，發光元件5為一水平結構。

如圖5C所示，發光疊層55更包含一第一電流擴散層554，位於第二束縛層553之上，並與第二束縛層553形成歐姆接觸，用以散佈電流，增加發光效率。第一電流擴散層554的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率。其材料包含但不限於砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)或上述材料之組合所構成之群組。此時，第一墊片a則位於第一電流擴散層554之上，第二墊片位於第一束縛層551裸露的部分之上。一保護層56形成於發光疊層55之上，分別環繞第一墊片a之側壁與第二墊片b之側壁並沿發光疊層55向外延伸，以保護發光疊層55與其下之其他結構免於受潮或震動等傷害，也避免因打線造成的短路。

如圖5D所示，發光疊層55更包含一導電接觸層555，位於第一電流擴散層554之上，與一第二電流擴散層556，位於導電接觸層555之上。此時，第一墊片a則位於第二電流擴散層556之上，第二墊片位於第一束縛層551裸露的部分之上。第二電流擴散層556用以散佈電流，增加發光效率，藉由導電接觸層555與第一電流擴散層554形成歐姆接觸。第二電流擴散層556的表面可做粗化處理，以形成非平整表面，增加光摘出效率，導電接觸層555的表面亦可同時做粗化處理，以形成非平整表面。第二電流擴散層556之材料包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅(ZnO)或上述材料之組合所構成之群組。導電接觸層555之材料包含但不限於磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、金屬或上述材料之組合所構成之群組。

惟上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟於此項技藝之人士均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發明之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。

10,20,30,40,50‧‧‧非半導體載體

11,21,31,41,51‧‧‧接合層

12,22,32,42,52‧‧‧反射層

13,23,33,43,53‧‧‧圖案化導電層

14,24,34,44,54‧‧‧介電層

15,25,35,45,55‧‧‧發光疊層

151,251,351,451,551‧‧‧第一束縛層

152,252,352,452,552‧‧‧發光層

153,253,353,453,553‧‧‧第二束縛層

254,454,554‧‧‧第一電流擴散層

354,455,555‧‧‧導電接觸層

456,556‧‧‧第二電流擴散層

16,26,36,46,56‧‧‧保護層

第1A~1C圖係顯示本發明一實施例之發光元件之剖面圖

第2A~2C圖係顯示本發明另一實施例之半導體發光裝置之剖面圖。

第3A~3D圖係顯示本發明另一實施例之半導體發光裝置之剖面圖。

第4A~4D圖係顯示本發明另一實施例之半導體發光裝置之剖面圖。

第5A~5D圖係顯示本發明另一實施例之半導體發光裝置之剖面圖。

1‧‧‧發光元件

10‧‧‧非半導體載體

11‧‧‧接合層

12‧‧‧反射層

13‧‧‧圖案化導電層

14‧‧‧介電層

15‧‧‧發光疊層

151‧‧‧第一束縛層

152‧‧‧發光層

153‧‧‧第二束縛層

16‧‧‧保護層

Claims

一發光元件，包含：一非半導體載體；一接合層，係位於該非半導體載體之上；一反射層，係位於該接合層之上；一圖案化導電層，係位於該反射層之上，且被一介電層包圍；及一發光疊層，係位於該圖案化導電層之上，包含：一第一束縛層；一發光層，係位於該第一束縛層之上；一第二束縛層，係位於該發光層之上；一第一電流擴散層，係位於該第二束縛層之上；一導電接觸層，係位於該第一電流擴散層之上；及一第二電流擴散層，係位於該導電接觸層之上，其中該非半導體載體、該接合層、該反射層、該圖案化導電層與該介電層不含有半導體材料。
如請求項1所述之發光元件，更包含：一保護層，係位於該第二電流擴散層之上。
如請求項2所述之發光元件，其中該保護層之材料係選自由介電材料、Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烯(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、矽膠(Silicone)、玻璃、氧化鋁、氧化矽、氧化鈦、SiN_X、旋塗玻璃(SOG)、上述材料之組合與其他透明材料所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該非半導體載體之材料係選自由金屬、電絕緣材料、複合材料、金屬基複合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基複合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)與上述材料之組合所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該接合層之材料係選自由聚醯亞胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烯(PFCB)、環氧樹酯(Epoxy)、其他有機黏結材料、銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、錫化金(AuSn)、銀化銦(InAg)、金化銦(InAu)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、銦化鈀(PdIn)與上述材料之組合所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該反射層之材料係選自由銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、錫(Pb)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、上述材料之組合與布拉格反射層所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該介電層之材料係選自由介電材料、Su8、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烯(PFCB)、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、矽膠(Silicone)、玻璃、氧化鋁、氮化矽(SiN_x)、氧化矽(SiO₂)、氧化鈦(TiO₂)、上述材料之組合與其他透明絕緣材料所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該圖案化導電層係用以形成歐姆接觸。
如請求向1所述之發光元件，其中該圖案化導電層之材料係選自由金(Au)、銀(Ag)、鈹化金(AuBe)、鎳化金(AuNi)、鍺化金(AuGe)與上述材料之組合所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該發光層之結構係選自由單異質結構(single heterostructure；SH)、雙異質結構(double heterostructure；DH)、雙側雙異質結構(double-side double heterostructure；DDH)與多層量子井(multi-quantum well；MQW)所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該第二束縛層具有至少一非平整表面。
如請求項1所述之發光元件，其中該第一電流擴散層具有至少一非平整表面。
如請求項1所述之發光元件，其中該第一電流擴散層之材料係選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅(ZnO)或上述材料之組合所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該第一電流擴散層之材料係選自由砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)或上述材料之組合所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該導電接觸層具有至少一非平整表面。
如請求項1所述之發光元件，其中該導電接觸層之材料係選自由磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化鋁鎵 (AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、金屬或上述材料之組合所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，其中該導電接觸層形成圖案化分佈。
如請求項1所述之發光元件，其中該第二電流擴散層具有至少一非平整表面。
如請求項1所述之發光元件，其中該第二電流擴散層之材料係選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅(ZnO)或上述材料之組合所構成之群組。
如請求項1所述之發光元件，係為一垂直結構。
如請求項1所述之發光元件，係為一水平結構。