TWI416772B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種封裝結構,特別係一種發光二極體的封裝結構。
相比於傳統的發光源,發光二極體(Light Emitting Diode,LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優點,其作為一種新型的發光源,已經被越來越多地應用到各領域當中,如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等等。
常見的發光二極體封裝結構通常包括基板、設置在基板上的電極、發光二極體晶片、以及圍繞在發光二極體晶片周圍的反射杯。然而,習知技術中,反射杯往往採用塑膠材質製成,使得發光二極體封裝結構產生不需要的特定光場,影響發光二極體封裝結構的光學特性。另外,反射杯、電極分別固定在基板上,製造工藝複雜,並且因為反射杯、電極及基板之間的接合力欠佳,使得發光二極體封裝結構的可靠度降低,直接影響到發光二極體封裝結構的使用壽命。
有鑒於此,有必要提供一種具有較佳可靠度及光學性能的發光二極體封裝結構。
一種發光二極體封裝結構,包括支架、設置在支架上的第一電極、第二電極及發光二極體晶片,該第一電極包括一個電極部、一體連接電極部的反射部,該第二電極包括電極部、一體連接電極部的反射部,所述發光二極體晶片分別電性連接第一電極的電極部、第二電極的電極部,所述第一電極的反射部、第二電極的反射部共同圍繞發光二極體晶片以將發光二極體晶片發出的光線反射出去。
本發明發光二極體封裝結構藉由第一電極、第二電極的反射部用作反射杯將發光二極體晶片發出的光線反射出去,結構簡單可靠。
10‧‧‧發光二極體封裝結構
20‧‧‧支架
21‧‧‧第一表面
22‧‧‧第二表面
30‧‧‧第一電極
31、41‧‧‧電極部
32、42‧‧‧反射部
33、43‧‧‧嵌入部
34、44‧‧‧接觸部
40‧‧‧第二電極
50‧‧‧發光二極體晶片
51、52‧‧‧導線
60‧‧‧封裝層
70‧‧‧絕緣層
311、411‧‧‧底面
312、412‧‧‧頂面
313、413‧‧‧側部
314、414‧‧‧切口
335、435‧‧‧端緣
圖1為本發明一實施例的發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖2為圖1發光二極體封裝結構的剖面示意圖。
圖3為圖1發光二極體封裝結構的仰視圖。
下面將結合附圖對本發明實施例作進一步的詳細說明。
請參閱圖1至圖3,本發明一實施例提供的發光二極體封裝結構10包括一個支架20、嵌設於支架20內的第一電極30及第二電極40、設置與第一電極30上的發光二極體晶片50以及封裝發光二極體晶片50的封裝層60。
該支架20呈矩形設置,在其他實施例中可根據特定的需求而相應調整。該支架20利用高導熱絕緣的材質構成,如高分子化合物、
矽或陶瓷。該支架20具有一第一表面21及與第一表面21相對的第二表面22。該支架20中部設有容置槽(圖未標)以設置發光二極體晶片50及封裝層60。
所述第一電極30由金屬材料一體製成,其厚度小於支架20的厚度。第一電極30呈半盤狀設置,包括一置於支架20的容置槽內的電極部31、自電極部31向上向外延伸的反射部32、連接反射部32頂緣的嵌入部33。所述電極部31呈平板狀設置。該電極部31具有一底面311及與底面311相對的頂面312。該頂面312用於安置所述發光二極體晶片50,該底面311與支架20的第一表面21共面,以將發光二極體晶片50產生的熱量從底面311傳遞至外界。該電極部31具有一靠近第二電極40的側部313,該側部313底部設有一切口314。該反射部32自電極部31除側部313以外的邊緣上傾斜向上延伸。反射部32的表面可以鍍設反射材料薄層,如金屬銀。該嵌入部33設置於支架20內部,呈彎折設置。嵌入部33與反射部32共同形成n形拱起結構,以與支架20相互卡持結合。嵌入部33的頂面(圖未標)與支架20的第二表面22相隔一定距離。嵌入部33遠離反射部32的一端緣335與支架20的第一表面21共面。所述第一電極30還包括二自嵌入部33的端緣335延伸的接觸部34。
所述第二電極40與第一電極30的結構相似,並與第一電極30相隔絕緣。第二電極40包括置於支架20的容置槽內的電極部41、自電極部41向上向外延伸的反射部42、連接反射部42頂緣的嵌入部43。該電極部41具有一底面411及與底面411相對的頂面412。該底面411與支架20的第一表面21共面。該電極部41具有一靠近第一
電極30的側部413,該側部413底部設有一切口414。該反射部42自電極部41除側部413以外的邊緣上傾斜向上延伸。該嵌入部43設置於支架20內部,呈彎折設置。嵌入部43與反射部42共同形成n形拱起部,以與支架20緊密結合。嵌入部43遠離反射部42的一端緣435與支架20的第一表面21共面。所述第二電極40還包括二自嵌入部43的端緣435延伸的接觸部44。
所述第一電極30與第二電極40之間設有絕緣層70。該絕緣層70連接支架20的兩側部並將第一電極30與第二電極40電性隔絕。該絕緣層70嵌入於第一電極30的切口314與第二電極的切口414以增加第一電極30、第二電極40與支架20的密合度。可以理解地,絕緣層70可以係與支架20一體製成。
所述發光二極體晶片50設置於第一電極30的電極部31上,並藉由導線51、52分別電性連接第一電極30的電極部31、第二電極40的電極部41。所述封裝層60設置於支架20的容置槽內,即設置於第一電極30的電極部31、反射部32、第二電極40的電極部41、反射部42、及絕緣層70所圍成的凹槽內。該封裝層60一併覆蓋發光二極體晶片50及導線51、52。該封裝層60採用透光材料製成,該封裝層60的內部還可以包含光波長轉換材料,以改善發光二極體晶片50發出光的光學特性。當然,該封裝層60的上表面也可塗覆一層光波長轉換材料(圖未示),以起到改變光學特性的效果。在其他實施例中,該發光二極體晶片50可以係覆晶結構設置,導線51、52則可以省略。
由於第一電極30與第二電極40的反射部32、42形成圍繞發光二極
體晶片50的金屬反射杯,避免了習知技術中因使用塑膠反光杯造成的亮度衰減及老化的情況,提高出光效率,並且減少了反光杯的製造程式,節約製造成本。同時,第一電極30、第二電極40的嵌入部33彎折嵌入於所述支架20內,使第一電極30、第二電極40不易從支架20處脫落,從而加強了支架20與第一電極30、第二電極40之間的連接強度。另外,第一電極30增加了對發光二極體晶片50的散熱面積,提高發光二極體封裝結構的壽命。
綜上所述,本發明符合發明專利要件,爰依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,舉凡熟悉本案技藝之人士,在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。
10‧‧‧發光二極體封裝結構
20‧‧‧支架
21‧‧‧第一表面
22‧‧‧第二表面
30‧‧‧第一電極
31、41‧‧‧電極部
32、42‧‧‧反射部
33、43‧‧‧嵌入部
40‧‧‧第二電極
50‧‧‧發光二極體晶片
51‧‧‧導線
60‧‧‧封裝層
70‧‧‧絕緣層
311、411‧‧‧底面
312、412‧‧‧頂面
313、413‧‧‧側部
314、414‧‧‧切口
335、435‧‧‧端緣
Claims (9)
- 一種發光二極體封裝結構,包括支架、設置在支架上的第一電極、第二電極及發光二極體晶片,該支架包括一第一表面以及與該第一表面相對的第二表面,該支架的中部形成有容置槽,其改良在於:該第一電極包括一個電極部、一體連接電極部的反射部,該第二電極包括電極部、一體連接電極部的反射部,該第一電極的電極部及第二電極的電極部位於所述容置槽的底部,且其底面均與所述支架的第一表面共面且外露於支架的第一表面,所述第一電極的反射部及第二電極的反射部分別沿所述容置槽的內表面向上延伸且收容於所述支架的內部,所述第一電極的反射部及第二電極的反射部的外露的表面均與所述容置槽的內表面平齊設置,所述發光二極體晶片分別電性連接第一電極的電極部、第二電極的電極部,所述第一電極的反射部、第二電極的反射部共同圍繞發光二極體晶片以將發光二極體晶片發出的光線反射出去。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構,其中該第一電極的反射部自第一電極的電極部向上向外傾斜延伸,所述第二電極的反射部自第二電極的電極部向上向外傾斜延伸。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構,其中該第一電極還包括一連接該第一電極的反射部的嵌入部,所述第二電極還包括一連接該第二電極的反射部的嵌入部,該第一電極、第二電極的嵌入部彎折設置並嵌入於所述支架內。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝結構,其中該第一 電極的嵌入部與第一電極的反射部共同形成一拱起結構以與支架相互卡持,所述第二電極的嵌入部與第二電極的反射部共同形成一拱起結構以與支架相互卡持。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝結構,其中該第一電極的嵌入部、第二電極的嵌入部均相隔所述支架的頂面一定距離。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝結構,其中該第一電極的嵌入部、第二電極的嵌入部均呈彎折設置。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構,其中該第一電極與第二電極之間設有一絕緣層,該絕緣層與所述支架連接。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝結構,其中該第一電極靠近絕緣層的一側底部設有切口,第二電極靠近絕緣層的一側底部設有另一切口,所述絕緣層嵌入所述第一電極、第二電極的切口。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構,其中該發光二極體晶片設置在第一電極的電極部上。
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2010
- 2010-12-30 TW TW99146771A patent/TWI416772B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
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| TWM394575U (en) * | 2010-04-15 | 2010-12-11 | I Chiun Precision Ind Co Ltd | Improved structure of light emitting diode supporting stand |
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