TWI414785B - 酸鹼值測量系統 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種酸鹼值測量系統，且特別關於一種結合可撓式酸鹼感測陣列與將測量值進行加權融合(weighted data fusion)運算之加權融合運算模組的酸鹼值測量系統。
而J. Van Der Spiegel等人(J. Van der Spiegel,I. Lauks,P. Chan D. Babic,1983,“The extended gate chemical sensitive field effect transistor as multi-species microprobe”,Sensors and Actuators B,Vol. 4,pp.291-298.)，於1983年提出分離式離子感測場效應電晶體之元件為水平式的陣列架構，共包含四個感測部分，分別利用沈積於閘極上之IrOx
、LaF3
、AgCl與Ag2
S等不同感測薄膜，可作為偵測H+
、F-
、Cl-
、Ag+
四種離子之感測器。
中華民國發明專利第I258173號揭示一種多晶矽薄膜電晶體離子感測裝置與製作方法。其於玻璃基板上形成一多晶矽薄膜電晶體離子感測裝置。此裝置包含一離子感測部、一訊號處理電路、一驅動電路，及一顯示區。其中感測薄膜係酵素薄膜、二氧化矽、矽的氮化物、三氧化二鋁、二氧化鈦以及鉭之氧化物等材料，依據不同之待測物可置換不同感測薄膜，由於此離子感測裝置係將系統整合於一玻璃基板上，故達到感測元件積體化之目標。
中華民國發明專利第I295729號揭示酸鹼度感測器之製備方法，所製備之酸鹼度感測器含有該酸鹼度感測器之系統以及量測方法。本發明係利用反應性濺鍍法備製氮化鈦延伸式感測場效電晶體，以氮化鈦作為酸鹼離子感測器之感測膜的優點係擁有較低之片電阻(Sheet Resistance)、較佳之導電性、高熔點(Melting Point：2930℃)、非常穩定之高溫特性、金屬介面中良好之附著性、及具防腐蝕性，可承受較高之酸鹼溶液。
本發明提供一種酸鹼值測量系統，包括：一酸鹼感測裝置，包括：一可撓式酸鹼感測陣列。該可撓式酸鹼感測陣列包括一可撓式基板；一第一絕緣層於該可撓式基板上；複數個導電層於該第一絕緣層上；以及複數條導線於該第一絕緣層上分別與該複數個導電層接觸，其中該複數個導電層與該複數條導線形成複數個可撓式酸鹼感測電極，其中以該酸鹼感測裝置對一待測液進行n次測量，且n為大於1之整數，而每一次測量各該可撓式酸鹼感測電極產生一訊號，各該可撓式酸鹼感測電極分別產生n個訊號。該酸鹼感測裝置還包括一參考電極；以及一讀出電路模組與該可撓式酸鹼感測陣列耦接，用以分別接收各可撓式酸鹼感測電極產生之n個訊號。酸鹼值測量系統更包括：一資料擷取模組與該讀出電路模組耦接，用以將各該可撓式酸鹼感測電極產生之n個訊號轉換為各該可撓式酸鹼感測電極所測得之n個測量值；以及一加權融合運算模組與該資料擷取模組耦接，用以對該資料擷取模組所轉換之所有測量值進行加權運算以產生該待測液之酸鹼值。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖示，作詳細說明如下：
於本發明中，將可撓式酸鹼感測陣列與將測量值進行加權融合(weighted data fusion)運算之加權融合運算模組進行結合，以獲得一可撓曲、易攜帶之生醫感測產品，並且減少因單一感測器所造成之測量誤差的酸鹼值測量系統。
第1圖顯示本發明一實施例之酸鹼值測量系統100的示意圖。酸鹼值測量系統100可包括一酸鹼感測裝置101、一資料擷取模組103與一加權融合運算模組105。
酸鹼感測裝置101可包括一可撓式酸鹼感測陣列107、一參考電極109與一讀出電路模組111。可撓式酸鹼感測陣列107可包括複數個可撓式酸鹼感測電極113。而讀出電路模組111與複數個可撓式酸鹼感測電極113及參考電極109耦接，其中參考電極109用以提供穩定電壓。在一實施例中，參考電極可包括銀/氯化銀參考電極。
參見第2a與2b圖。在一實施例中，酸鹼感測裝置101之可撓式酸鹼感測陣列107的形成方法如下所述。
首先，提供一可撓式基板201，並提供一第一絕緣層203於可撓式基板201上。之後將複數個導電層205形成於第一絕緣層203上，且形成複數條導線207於第一絕緣層203上並分別與複數個導電層205接觸以形成複數個可撓式酸鹼感測電極113。可撓式基板201的材料可包括聚乙烯對苯二甲酸酯、聚醚碸或聚碳酸脂。第一絕緣層203的材料可包括環氧樹脂、環氧-聚氨酯或紫外光絕緣膠。導電層205的材料可包括銦錫氧化物、氮化釕、二氧化釕或二氧化鈦，且導電層205可以射頻濺鍍(radio frequency sputtering,RF sputtering)固定於第一絕緣層203上。而導線可以網版印刷形成。又，複數個可撓式酸鹼感測電極113可包括2、4或8個感測電極。
在另一實施例中，可撓式酸鹼感測陣列107可更包括一第二絕緣層209於複數個導電層205與該複數條導線207上，其中第二絕緣層209具有複數個開口211分別露出複數個導電層205之部分以形成複數個感測窗口211a，複數個感測窗口211a可包括2、4或8個感測窗口。其中，第二絕緣層209露出複數條導線207末與導電層205接觸之一端作為對外電性接點。第二絕緣層的材料可包括可包括環氧樹脂、環氧-聚氨酯或紫外光絕緣膠。
在又另一實施例中，參見第3圖，參考電極109可與上述之複數個可撓式酸鹼感測電極113位於相同之基板上。一參考電極層213形成於可撓式基板201與第一絕緣層203之間，且第一絕緣層203具有至少一開口215露出參考電極層213之部分以形成與複數個可撓式酸鹼感測電極113位於相同基板101上之參考電極109。參考電極層可包括一金屬層與一導電高分子層於金屬層上(未顯示)。金屬層的材料可包括銅、鋁或銀，導電高分子層的材料包括聚砒硌、聚苯胺或聚噻吩。在一實施例中，參考電極層213可為一T字形，其中T字形之尾端為一對外電性接點。
又，在上述參考電極109與複數個可撓式酸鹼感測電極113位於相同之基板上的實施例中，可撓式酸鹼感測陣列107也可更包括一第二絕緣層209於複數個導電層205與複數條導線207上，其中第二絕緣層209具有複數個開口211分別露出複數個導電層205之部分以形成複數個感測窗口211a，複數個感測窗口211a可包括2、4或8個感測窗口。又其中，第二絕緣層209露出複數條導線205未與導電層205接觸之一端作為對外電性接點，且第二絕緣層209另具有露出上述之第一絕緣層203的至少一開口215的開口215’以露出參考電極109。第二絕緣層的材料可包括可包括環氧樹脂、環氧-聚氨酯或紫外光絕緣膠。
再次參見第1圖，以酸鹼感測裝置101對一待測液123進行n次測量，且n為大於1之整數，而各可撓式酸鹼感測電極113會於每一次測量產生一訊號，因此各可撓式酸鹼感測電極113分別產生n個訊號。而讀出電路模組111則用以分別接收各可撓式酸鹼感測電極113產生之n個訊號。
資料擷取模組103與讀出電路模組111耦接，用以將各可撓式酸鹼感測電極113產生之n個訊號轉換為各可撓式酸鹼感測電極113所測得之n個測量值。加權融合運算模組105與資料擷取模組103耦接，用以對資料擷取模組103所轉換出之所有測量值進行加權融合運算以產生待測液之酸鹼值。
此外，加權融合運算模組105可包括算數平均運算單元115、一標準差運算單元117、一加權係數運算單元119與一加總運算單元121。
算數平均運算單元115與資料擷取模組103耦接，用以分別計算資料擷取模組103所轉換出之源自各可撓式酸鹼感測電極113之n個測量值的平均值。標準差運算單元117與算數平均運算單元115耦接，用以根據上述之n個測量值及其平均值產生上述n個測量值的標準差。加權係數運算單元119與標準差運算單元117耦接，用以根據分別屬於各可撓式酸鹼感測電極113之所有標準差分別產生對應於各可撓式酸鹼感測電極113之加權係數。加總運算單元121與算數平均運算單元115及加權係數運算單元119耦接，用以將各可撓式酸鹼感測電極113之n個測量值的平均值乘以對應於各可撓式酸鹼感測電極113之加權係數以產生各可撓式酸鹼感測電極113之n個測量值的加權值，並將全部之加權值進行加總以產生一加權融合值。其中此加權融合值即代表待測液之酸鹼值。
在另一實施例中，資料擷取模組103與加權融合運算模組105可位於一個人電腦407中，如第4圖所示。
參見第4圖，酸鹼值測量系統400可更包括一延伸板405，且讀出電路模組111可更包括一放大電路401與一濾波器403。放大電路401介於可撓式酸鹼感測陣列107與濾波器403之間並與二者耦接，用以放大來自可撓式酸鹼感測陣列107之訊號。又濾波器模組403用以濾除雜訊。而延伸板405介於讀出電路模組111與個人電腦407之間，用以耦接濾波器403及資料擷取模組103。
以下對由算數平均運算單元115、一標準差運算單元117、一加權係數運算單元119與一加總運算單元121組成之加權融合運算模組105所進行之加權融合運算進行更進一步敘述。
加權融合運算：標準差係一組數據自平均值分散的程度之一種測量觀念。一較大之標準差，代表大部份之數據與平均值之間差異較大，而一較小之標準差，代表大部份之數據較接近平均值。假設一感測電極其測量之一組數據為x1
,x2
,x3
,...,xn
(皆為實數)，則其平均值如式(1)所示(由算數平均運算單元115所進行)：
其中n代表測量次數、xi
代表各測量值。
而此一組數據之標準差如式(2)所示(由標準差運算單元117所進行)：
其中n代表測量次數、xi
代表各測量值、代表各酸鹼感測電極所測得之n個測量值的平均值。
考量m個感測電極對一維目標進行測量之情況。對於不同之加權係數，為使總均方誤差最小，各感測電極所得之測量值以自適應的方式(self-adaptive)尋找各個感測電極之最佳加權係數，使數據融合後之值最接近真實值。
設m個感測電極之方差分別為，所要估計之真實值為X，各感測電極之測量值平均值分別為，彼此互相獨立，並且是X之無偏差估計(unbiassed estimation)，各感測電極之加權係數分別為w1
,w2
,...,wm
，數據融合後之值與加權係數需滿足下列關係式：
其中，式(3)由無偏差估計(unbiassed estimation)推得，數據融合後之總均方誤差為：
由式(5)可得知，總均方誤差σ2
為各加權係數之多元二次函數，因此必存在最小值，該最小值為藉由加權係數w1
,w2
,...,wm
滿足式(4)之多元函數極值求得。依據拉格朗日乘數法理論(lagrange multiplier method)，可求出總方差最小時所對應之加權係數(由加權係數運算單元119所進行)，如式(6)所示：
其中σi
代表一特定酸鹼感測電極之n個測量值的標準差、σj
代表各酸鹼感測電極之n個測量值的標準差。
以二個感測電極為例，於總均方最小意義之下，得到目標數據之最佳估計，只要適當的選擇w1
使式(5)為最小，並將式(6)二邊求w1
之偏導數，並令其偏導數等於零，求得(由加總運算單元121所進行)：
因此，數據X之最佳估計(由加總運算單元121所進行)為
其中加權係數W1
、W2
可由式(7)得到。由式(8)得知測量值之均方差越小，其對應之加權係數越大，即測量值數據之可靠度越佳。反之，測量值之誤差均方差越大，其對應之加權係數越小，即測量值數據之可靠度越差。
估計誤差之均方差為：
由式(9)得知，,i=1,2，即於誤差均方差最小之意義下，二個感測電極融合後之估計誤差較任一單感測電極為小，故可增加感測結果之正確性。
可撓式酸鹼感測陣列依據不同之感測電極數目，由式(6)可得知其加權係數之計算及結果，如表1所示。
藉由本發明之系統可解決因單一元件損壞或不穩定所造成之測量誤差。
參見第3圖。首先提供材料為聚乙烯對苯二甲酸酯之可撓式基板。將此基板101置於含有適量丙酮溶液之燒杯中，並經由超音波振盪器振盪3-5分鐘後，以去離子水(DI water)清洗此基板101。接著，再將此經丙酮溶液潔淨過之基板101置入含有適量乙醇溶液之玻璃燒杯中，使用超音波振盪器振盪5分鐘後，再以去離子水清洗基板101，而後以無塵紙將基板101輕輕拭乾。
接著，以銀膠將T字形之參考電極層213固定於基板101上，並將此固定完成之元件置於120℃烤箱中烘烤20分鐘。然後，利用環氧樹脂作為絕緣層203覆蓋於參考電極層213上，並露出參考電極層213部分區域作為溶液檢測用。接著將此固定之元件置於140℃烤箱中烘烤40分鐘。
將8個導電層205以射頻濺鍍(radio frequency sputtering,RF sputtering)法固定於絕緣層215上。接著以用銀膠將8條金屬導線207固定於絕緣層215上，並分別與上述8個導電層205部分電性連接。之後將此固定完成之元件置於120℃烤箱中烘烤20分鐘。接著利用環氧樹脂作為絕緣層209將銀膠之部份加以固定，並將其上述元件大體封裝，留下約8個直徑1.5mm大小之感測窗口211a露出有部份之導電層205，並留下露出參考電極之開口。將此元件置於140℃烤箱中烘烤40分鐘，以烤乾絕緣層209。經過絕緣層209封裝後之元件於水溶液中進行感測時有良好之防水及絕緣效果。
參見第4圖。提供一本發明具有8個感測電極(感測窗口)之可撓式酸鹼感測陣列(無參考電極層於其中)(形成方法可參考實施例1)，並提供一銀/氯化銀參考電極109。分別將可撓式酸鹼感測陣列及參考電極與讀出電路模組111(儀錶放大器IC LT1167)耦接。
讀出電路模組111包括一放大電路401與一濾波器403。放大電路401介於可撓式酸鹼感測陣列107與濾波器403之間並與二者耦接，用以放大來自可撓式酸鹼感測陣列107之訊號。又濾波器模組403用以濾除雜訊。資料擷取模組103(NI PCI 6010)與讀出電路模組111耦接。而延伸板405介於讀出電路模組111與個人電腦407之間。
個人電腦407中具有算數平均運算單元115與資料擷取模組103耦接，標準差運算單元117與算數平均運算單元115耦接，加權係數運算單元119與標準差運算單元117耦接，加總運算單元121與算數平均運算單元115及加權係數運算單元119耦接。算數平均運算單元115、標準差運算單元117、加權係數運算單元119與加總運算單元121由LabVIEW軟體來執行運算。
藉由此測量系統一次可得知一組8個數據，其係分別獲自8個感測電極。
以實施例2之酸鹼值測量系統對pH 7之標準緩衝溶液進行測量。將可撓式酸鹼感測陣列與pH 7之標準緩衝溶液接觸，一次測量獲得8組資料，並且進行10次之重覆測量。測量結果顯示於表2。
由本發明系統所測得之pH 7標準緩衝溶液的pH值為6.9972(經加權融合運算)，而將可撓式酸鹼感測陣列所測得之所有數據經平均融合後(各感測電極測量值之平均值的平均)，所計算得出之pH 7標準緩衝溶液pH值為6.9365，故本發明系統所測得之結果較接近實際值。
以本發明具8個感測電極之可撓式酸鹼感測陣列對不同pH值緩衝溶液進行測量。各感測電極之測量結果顯示於第5圖與第6圖。
第5圖顯示本發明具8個感測電極之可撓式酸鹼感測陣列於不同酸鹼濃度溶液中所得之響應電壓/pH曲線圖，其結果顯示陣列式網版印刷感測裝置之8個檢測窗口皆具有優異之酸鹼感測特性。
第6圖顯示本發明具8個感測電極之可撓式酸鹼感測陣列於於不同酸鹼濃度溶液中所得之校正曲線圖，其結果顯示陣列式網版印刷感測裝置之酸鹼感測度介於44.31mV/pH至56.88mV/pH間。
以實施例2之酸鹼值測量系統對不同飲料進行測量。將可撓式酸鹼感測陣列分別與礦泉水(味丹企業股份有限公司)、牛奶(味全食品工業股份有限公司)及檸檬汁(統一企業公司)接觸，一次測量獲得8組資料，並且進行10次之重覆測量。測量結果顯示於表3與第7圖。
自表3與第7圖可以得知，由本發明系統所測得之礦泉水、牛奶以及檸檬汁pH值分別為pH 6.6841、pH 6.6453以及pH 5.2476(經加權融合運算)，而將可撓式酸鹼感測陣列所測得之所有數據經平均融合後(各感測電極測量值之平均值的平均)，所計算得出之礦泉水、牛奶以及檸檬汁pH值分別為pH 7.008、pH 7.0365以及pH 4.915。以酸鹼檢測儀測量得礦泉水、牛奶及檸檬汁之pH值(分別為pH 6.57、pH 6.74以及pH 5.79)為基準，可得知本發明系統所得之結果較為準確。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、400．．．酸鹼值測量系統
101．．．酸鹼感測裝置
103．．．資料擷取模組
105．．．加權融合運算模組
107．．．可撓式酸鹼感測陣列
109．．．參考電極
111．．．讀出電路模組
113．．．可撓式酸鹼感測電極
115．．．算數平均運算單元
117．．．標準差運算單元
119．．．加權係數運算單元
121．．．加總運算單元
123．．．待測液
201．．．可撓式基板
203．．．第一絕緣層
205．．．導電層
207．．．導線
209．．．第二絕緣層
211．．．開口
211a．．．感測窗口
213．．．參考電極層
215、215’．．．開口
401．．．放大電路
403．．．濾波器
405．．．延伸板
407．．．個人電腦
第1圖顯示本發明一實施例之酸鹼值測量系統。
第2a圖顯示本發明一實施例之可撓式酸鹼感測陣列的分解圖。
第2b圖顯示本發明一實施例之可撓式酸鹼感測陣列的剖面圖。
第3圖顯示本發明另一實施例之可撓式酸鹼感測陣列的分解圖。
第4圖顯示本發明另一實施例之酸鹼值測量系統。
第5圖顯示本發明可撓式酸鹼感測陣列於不同酸鹼濃度溶液中所得之響應電壓/pH曲線圖。
第6圖顯示本發明可撓式酸鹼感測陣列於不同酸鹼濃度溶液中所得之校正曲線圖。
第7圖顯示使用不同方法或系統測量礦泉水、牛奶以及檸檬汁之酸鹼值的結果。
100．．．酸鹼值測量系統
101．．．酸鹼感測裝置
103．．．資料擷取模組
105．．．加權融合運算模組
107．．．可撓式酸鹼感測陣列
109．．．參考電極
111．．．讀出電路模組
113．．．可撓式酸鹼感測電極
115．．．算數平均運算單元
117．．．標準差運算單元
119．．．加權係數運算單元
121．．．加總運算單元
123．．．待測液
Claims (24)
- 一種酸鹼值測量系統，包括：一酸鹼感測裝置，包括：一可撓式酸鹼感測陣列，包括：一可撓式基板；一第一絕緣層於該可撓式基板上；複數個導電層於該第一絕緣層上；以及複數條導線於該第一絕緣層上分別與該複數個導電層接觸，其中該複數個導電層與該複數條導線形成複數個可撓式酸鹼感測電極，其中以該酸鹼感測裝置對一待測液進行n次測量，且n為大於1之整數，而每一次測量各該可撓式酸鹼感測電極產生一訊號，各該可撓式酸鹼感測電極分別產生n個訊號；一參考電極；以及一讀出電路模組與該可撓式酸鹼感測陣列耦接，用以分別接收各可撓式酸鹼感測電極產生之n個訊號；一資料擷取模組與該讀出電路模組耦接，用以將各該可撓式酸鹼感測電極產生之n個訊號轉換為各該可撓式酸鹼感測電極所測得之n個測量值；以及一加權融合運算模組與該資料擷取模組耦接，用以對該資料擷取模組所轉換之所有測量值進行加權運算以產生該待測液之酸鹼值。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該可撓式基板的材料包括聚乙烯對苯二甲酸酯、聚醚碸或聚碳酸脂。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該第一絕緣層的材料包括環氧樹脂、環氧-聚氨酯或紫外光絕緣膠。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該複數個可撓式酸鹼感測電極包括2、4或8個感測電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該導電層的材料包括銦錫氧化物、氮化釕、二氧化釕或二氧化鈦。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該導電層係以射頻濺鍍固定於該第一絕緣層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該導線的材料包括銅、鋁或銀。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該導線係以網版印刷形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，更包括一第二絕緣層於該複數個導電層與該複數條導線上，其中該第二絕緣層具有複數個開口分別露出該複數個導電層以形成複數個感測窗口。
- 如申請專利範圍第9項所述之酸鹼值測量系統，其中該複數個感測窗口包括2、4或8個感測窗口。
- 如申請專利範圍第9項所述之酸鹼值測量系統，其中該第二絕緣層的材料包括環氧樹脂、環氧-聚氨酯或紫外光絕緣膠。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該參考電極係藉由於該可撓式基板與該第一絕緣層之間形成一參考電極層，並於該第一絕緣層上形成至少一開口以露出該參考電極層之部分來形成。
- 如申請專利範圍第12項所述之酸鹼值測量系統，其中該酸鹼感測裝置，其中該參考電極層包括：一金屬層；以及一導電高分子層於該金屬層上。
- 如申請專利範圍第13項所述之酸鹼值測量系統，其中該酸鹼感測裝置，其中該金屬層的材料包括銅、鋁或銀。
- 如申請專利範圍第13項所述之酸鹼值測量系統，其中該酸鹼感測裝置，其中該導電高分子層的材料包括聚砒硌、聚苯胺或聚噻吩。
- 如申請專利範圍第12項所述之酸鹼值測量系統，更包括一第二絕緣層於該複數個導電層與該複數條導線上，其中該第二絕緣層具有複數個開口分別露出複數個導電層之部分以形成複數個感測窗口，且露出該第一絕緣層之至少一開口以露出該參考電極。
- 如申請專利範圍第16項所述之酸鹼值測量系統，其中該複數個感測窗口包括2、4或8個感測窗口。
- 如申請專利範圍第16項所述之酸鹼值測量系統，其中該第二絕緣層的材料包括環氧樹脂、環氧-聚氨酯或紫外光絕緣膠。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該參考電極包括一銀/氯化銀參考電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該讀出電路模組與各該可撓式酸鹼感測電極及該參考電極耦接。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該加權融合運算模組包括：一算數平均運算單元與該資料擷取模組耦接，用以分別計算該資料擷取模組所轉換出之源自各該可撓式酸鹼感測電極之n個測量值的平均值；一標準差運算單元與該算數平均運算單元耦接，用以根據該n個測量值及其平均值產生該n個測量值的標準差；一加權係數運算單元與該標準差運算單元耦接，用以根據分別屬於各該可撓式酸鹼感測電極之所有標準差分別產生對應於各該可撓式酸鹼感測電極之加權係數；以及一加總運算單元與該算數平均運算單元及該加權係數運算單元耦接，用以將各可撓式酸鹼感測電極之n個測量值的平均值乘以對應於各該可撓式酸鹼感測電極之加權係數以產生各該可撓式酸鹼感測電極之n個測量值的加權值，並將全部之該加權值進行加總以產生一加權融合值，其中該加權融合值為該待測液之酸鹼值。
- 如申請專利範圍第21項所述之酸鹼值測量系統，其中該資料擷取模組與該加權融合運算模組位於一個人電腦中。
- 如申請專利範圍第1項所述之酸鹼值測量系統，其中該讀出電路模組更包括：一濾波器，用以濾除雜訊；以及一放大電路，介於該可撓式酸鹼感測裝置與該濾波器之間並與二者耦接，用以放大來自該酸鹼感測裝置之訊號。
- 如申請專利範圍第23項所述之酸鹼值測量系統，更包括一延伸板介於該讀出電路模組與該個人電腦之間，用以耦接該濾波器與該資料擷取模組。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200538724A (en) * | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Hewlett Packard Development Co | Chemical-sensing devices |
| US7582500B2 (en) * | 2006-01-04 | 2009-09-01 | National Yunlin University Of Science And Technology | Reference pH sensor, preparation and application thereof |
| TW200944789A (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-01 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Calcium ion sensors and fabrication method thereof, and sensing systems comprising the same |
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2009
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|---|---|---|---|---|
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| TW200944789A (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-01 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Calcium ion sensors and fabrication method thereof, and sensing systems comprising the same |
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