TWI413085B

TWI413085B - 單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器及其驅動方法

Info

Publication number: TWI413085B
Application number: TW98135005A
Authority: TW
Inventors: Po Sheng Shih; Jia Shyong Cheng; Po Yang Chen; Jiunn Shyong Lin
Original assignee: Innolux Corp
Priority date: 2009-10-15
Filing date: 2009-10-15
Publication date: 2013-10-21
Also published as: TW201113860A

Description

單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器及其驅動方法

本發明係關於一種半穿反液晶顯示器，尤指一種令反射區及穿透區的穿透率完全相同的單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器及其驅動方法。

按，為因應不同使用環境的電子產品，液晶顯示器係依據不同光源環境區分成穿透式、反射式及半穿反式，其中半穿反式液晶顯示器配合使用背光模組，但部份顯示光源則仰賴外界環境光線。以高階行動顯示(mobile display)需求之電子產品(如手機與數位相機等)來說，因使用的場合常常在戶外，因此該等電子產品大多採用半穿反液晶顯示器作為符合高階行動顯示需求之電子產品的較佳解決方案。

以下謹進一步說明半穿反液晶顯示器驅動原理及技術演變過桯。

首先請參閱圖一，早期半穿反液晶顯示器10係包含有一基板(Substrate以下簡稱上板)11、一薄膜電晶體基板(TFT Substrate以下簡稱下板)12及夾設於其間的液晶層13，其中下板12定義有複數矩陣排列的畫素(pixel area)，各畫素(pixel area)包含了一穿透區121與一反射區122。其中該反射區122係於下板12的基板上形成有一反射層(reflective layer)123，因此外界光線自上板11穿入至該反射層123後，會由反射層123 加以反射後再自上板11穿出，由於上板11與下板12之間夾設有液晶層13，故該反射的外界光線即可作為顯示用光源。至於下板12背後的背光光源則會直接穿過穿透區121，再經液晶層13自上板11穿出；因此，所謂半穿反液晶顯示器10即有效利用背光光源及外部光源作為顯示光源，相較穿透式液晶顯示器來說即不使用高功率背光光源，除省電外亦有助於縮減整體電子產品的體積。

然而，上述半穿反液晶顯示器10卻因為增加反射層而因為灰階反轉(gray level inversion)現象造成顯像品質不佳的技術缺點。以單一素畫來說，由於外部光線進入反射區到被反射至上板11，故其光程差(optical path difference)是背光光源二倍，而造成了灰階反轉現象。因此如圖二所示，為了讓穿透區121與反射區122的光程差一致，市面上現有產品已採用所謂的雙晶穴間隙(dual cell gap)畫素的半穿反液晶顯示器10a，其特徵係在上板對應反射區122位置向下形成有一層絕緣凸塊(overcoat layer)124，使得反射區122的晶穴間隙D2約為穿透區晶穴間隙D1的一半。如此一來即調整穿透區121與反射區122的光程差大致相等，請配合參閱圖三，為反射區以四組不同晶穴間隙(4.0um/2.2um/2.0um/1.8um)大小進行模擬電壓對反射率(以下簡稱VR)曲線結果，由此圖可知，與穿透區晶穴間隙(4.0um)的電壓對穿透率(以下簡稱VT)曲線相較，相同為4.0um晶穴間隙的VR曲線明顯受到二倍行程差異而與穿透區 VT曲線明顯不一致，然而僅為穿透區區晶穴間隙D1(4.0um)一半差距的反射區晶穴間隙D2(2.0um)，其VR曲線則更貼近穿透區VT曲線，因此該雙晶穴間隙畫素架構確實能令背光光線與反射光光線的行程趨於一致，以改善灰階反轉缺點。然而，此一雙晶穴間隙晝素架構亦衍生其它缺點，諸如製程複雜、低良率及絕緣凸塊124邊緣易產生液晶漏光現象等等，仍無法有效提高半穿反液晶顯示器的顯像品質。

有鑒於上述雙晶穴間隙畫素架構所衍生的各項問題，各面板廠又回歸設計單晶穴間隙(single cell gap)畫素架構，但配合另一種以降低反射區電壓以達到調整反射區VR區線與及穿透區VT曲線一致的技術，來解決灰階反轉問題。

上述降低反射區電壓的其中一種方式為電容耦合式(capacitor coupled type；CC)，如圖四所示，為此種方式的單一畫素等效電路圖，該畫素的單一薄膜電晶體TFT1的汲極D分別與儲存電容C_ST、穿透區儲存電容C_CLC1及反射區液晶電容C_LC2連接，其中於反射區中再加入一耦合電容C_C，且該耦合電容C_C與連接反射區液晶電容C_LC2串聯連接之間。因此，該反射區電壓VR即能藉由串接的耦合電容C_C與其液晶電容C_LC2的電容分壓而調整較穿透區V_D電壓為小，由於反射區及穿透區電壓不同，而能縮小穿透區穿透率與反射區的反射率差異，如圖五所示。然而，此一電容耦合式也有許多致命缺點，如下列：

1.穿透區與反射區的液晶反轉臨界電壓值(Threshold Voltage)仍不同V_th1,V_th2，如圖五所示，所以穿透區的VT曲線仍與反射區VR曲線不一致。

2.反射區的畫素電極V_R一直為浮接狀態，無法避免累積電荷，進而造成殘影現象。

因此，目前已有另一種方式來解決上述電容耦合式的缺點，請參閱圖六，即以上述電耦合式基礎架構再於各畫素中再額外加入一第二共同電極線V_com2及一補償電容C₂，該補償電容C₂係與該第二共同電極線V_com2連接，因此可利用第二共同電極線V_com2的電壓變化與補償電容C₂的耦合效應，使得穿透區與反射區的液晶反轉臨界電壓V_th1,V_th2較為接近，誠如圖七所示。然而，同樣藉由電容分壓原理調整穿透區電壓V_D與反射區電壓V_R不同來解決灰階反轉問題，但由於反射區的分壓電壓仍為固定值，故僅能解決部分技術問題，而在顯像上還有許多諸如下列的問題無法解決：

1.穿透區VR曲線與反射區的VT曲線仍無法完全相同，如圖七所示，尤其是在高灰階影像時兩個區域的VT曲線差異更為顯著。

2.反射區的畫素電極V_R同樣呈現浮接狀態，因此還是有因電荷累積而產生的殘影現象。

3.因為第二共同電極線V_COM2為浮接狀態，而容易有水平串擾(horizontal cross-talk)現象產生。

綜上所述，目前採用單晶穴間隙畫素結構的半穿反液晶顯示器仍需一種更佳的克服灰階反轉問題的技術方案。

有鑑於上述既有單晶穴間隙畫素結構的半穿反液晶顯示器所採的降低反射區電壓驅動方法衍生出的技術問題，本發明主要發明目的係提供一種確保反射區及穿透區之穿透率完全相同的半穿反液晶顯示器的驅動方法，此外本發明採用此種驅動電路，該半穿反液晶顯示器具有低成本、高良率、無殘影及無水平串擾(horizontal cross-talk)等優點。

欲達上述目的所使用的主要技術手係令該半穿反液晶顯示器驅動方法係於其下板之各畫素中加入一多工器，配合調變掃描訊號及不同電壓資料訊號，以分別控制各畫素的穿透區與反射區的電壓，進而調整穿透區與反射區的VT曲線及VR曲線一致。

較佳地，本發明所使用多工器的設計係包含有二種，其中一種係於各畫素的穿透區內形成單一薄膜電晶體，其閘極係連接至本畫素掃描線，再於反射區內形成二個串聯連接的薄膜電晶體，而此兩串聯連接薄膜電晶體的閘極係分別連接本畫素的掃描線及本畫素的下一條掃描線；是以，配合依序輸入至本畫素及下一畫素掃描線的調變掃描訊號，即可控制穿透區及反射區的啟閉順序及開啟時間，由於穿透區與反射區啟閉順序及開啟時間不同，即能分別對穿透區及反射區寫入不同電壓資料訊號。是以，本發明的各畫素反射區電壓與穿透區電壓即能在顯示相同灰階時寫入不相同電壓的資料訊號，實現調整穿透區與反射區的VT曲線及VR曲線一致的目的。

較佳地，本發明另一種多工器設計方式係於下板形成複數子掃描線，以與原複數掃描線交錯排列，故各畫素即對應有一條掃描線及一條子掃描線，再將反射區內的單一薄膜電晶體閘極與穿透區的單一薄膜電晶體閘極分別連接至本畫素的子掃描線及掃描線，配合依序送入的調變掃描訊號，控制穿透區與反射區的薄膜電晶體啟閉順序及開啟時間不同，而對穿透區與反射區的儲存電容寫入不同電壓訊號。是以，各畫素反射區電與穿透區電壓即能在顯示相同灰階時寫入不相同電壓的資料訊號，實現調整穿透區與反射區的VT曲線及VR曲線一致的目的。

請參閱圖八，為一本發明單晶穴間隙之半穿反液晶顯示器20係包含有一半穿反液晶面板21、一時序控制器22、一掃描驅動電路23、一資料驅動電路24、一公共電壓產生電路25及一伽瑪電壓產生器26。

上述半穿反液晶面板21係包含有一上板(圖中未示)及一下板211，其間夾設有液晶層(圖中未示)，而該下板211則形成有共電極(V_com)及複數呈橫縱交錯排列的掃描線(G₁~G_N)及資料線D₁~D_M，其中掃描線G₁~G_N與資料線D₁~D_M交會處定義為一畫素212；再請配合圖九所示，係本發明下板211第一較佳實施例之單一畫素等效電路圖，其包含有一穿透區A_T、一反射區A_R及一多工器。其中下板211的複數掃描線G₁~G_N及資料線D₁~D_M分別與掃描驅動電路23及資料驅動電路24連接，由掃描驅動電路23週期性地依序輸出調變掃描訊號至複數掃描線G₁~G_N，而資料驅動電路24則針對各畫素212所欲顯示灰階分別輸出二組不同電壓資料訊號的至各畫素212所對應的資料線D_m(m為1~M中之一)。又該共電極(V_com)係連接至該公共電壓產生電路25，以提供各畫素212相同的低電壓準位。

於本實施例中各畫素的多工器係包含有：一穿透區薄膜電晶體TFT1，係形成於穿透區A_T中，其汲極D係與一穿透區儲存電容C_ST1及一穿透區液晶電容C_LC1連接，而閘極G係連接至下板211本畫素掃描線G_n(n為1~N中之一)，至於源極S則連接至下板211本畫素資料線D_m。

一反射區第一薄膜電晶體TFT2，係形成於反射區AR中，其源極S係連接至下板211本畫素資料線D_m，而閘極G連接至本畫素掃描線G_n。

一反射區第二薄膜電晶體TFT3，係形成於反射區A_R中，其源極S係連接至該反射區第一薄膜電晶體TFT2的汲極D，而閘極G係連接至本畫素的下一畫素掃描線G_n+1，至於汲極D則連接至一反射區儲存電容C_ST2及一反射區液晶電容C_LC2。

請配合參閱圖十，係為本實施例配合使用的調變掃描訊號及資料訊號波形圖，由於反射區第一及第二薄膜電晶體TFT2,TFT3的閘極G分別連接本畫素掃描線G_n及本畫素的下一畫素掃描線G_n+1，故本波形圖揭示本畫素前一掃描線G_n-1、本畫素掃描線G_n及下一畫素掃描線G_n+1的波形。由此波形圖可知，掃描驅動電路23輸出至各掃描線G₁~G_N的掃描訊號，其脈波長度共佔有2H時間，其中0H-0.5H時間為第一高電位訊號P1而1H-2H第二高電位訊號P2，又前後掃描線G_n,G_n+1的掃描訊號係保持1H時間差；是以，本畫素反射區第一及第二薄膜電晶體TFT2,TFT3的閘極G會在本畫素掃描訊號G_n於1H-1.5H之間第二高電位P2及下一掃描訊號0H-0.5H的第一高電位P1時間中導通，將此0.5H時間差中送入至本畫素資料線的電壓資料訊號V_R寫入反射區的儲存電容C_ST2中；再者，由於穿透區的薄膜電晶體TFT1閘極G係同樣連接至本畫素掃描線G_n，因此穿透區的薄膜電晶體TFT1係呈現導通的開啟狀態，故在本掃描訊號G_n的1H-1.5H會一併將對應反射區的電壓資料訊號V_R寫入至穿透區儲存電容C_ST2，而於1.5H-2.0H將對應穿透區電壓資料訊號V_T寫入穿透區儲存電容C_ST1，令反射區與穿透區儲存電容C_ST1,C_ST2儲存有呈現同一灰階值的不同電壓值V_R,V_T；因此，調整穿透區與反射區的VT曲線及VR曲線一致。

上述實施例中調變掃描訊號可進一步藉由以下方式獲得之，請配合參閱圖十一，即將下板211的複數掃描線G₁~G_N依其形成位置順序分為奇數掃描線G₁,G₃...與偶數掃描線G₂,G₄...G_n，其中奇數掃描線G₁,G₃...的出線端係形成於下板211基板的左側，而偶數掃描線G₂,G₄...G_n的出線端則形成於下板211基板的右側，因此可再增加一掃描驅動電路23a，令二個掃描驅動電路23,23a分別連接奇數掃描線G₁,G₃...及偶數掃描線G₂,G₄...G_n。此外，再請配合參閱圖十二，再配合一提供一第一時序訊號OE_L及一第二時序訊號OE_R的時序控制器22a，其中第一時序訊號OE_L與第二時序訊號OE_R頻率相同，時序相差1H，其中脈波佔0.5H。該第一及第二時序訊號係分別輸出至二掃描驅動電路23,23a，令各掃描驅動電路23,23a將原本佔有1H高電位的掃描訊號調整成2H高電位掃描訊號G₁’,G₂’,G₃’.....G_n’，再分別與順序對應的第一及第二時序訊號OE_L,OE_R相減，而得出如同圖十所示的調變掃描訊號G₁,G₂,G₃.....G_n。

再者，在本實施例由於必須分別提供不同電壓資料訊號V_R,V_T至反射區與穿透區，因此資料驅動電路24提高至二倍操作頻率，才能分別於1H時間內輸出二組不同電壓資料訊號V_R,V_T至各條資料訊號線D_m。請配合參閱圖十三所示，由於設計倍頻的資料驅動電路較為複雜，故欲寫入反射區及穿透區相同灰階值而提供至各資料線不同電壓方式，可藉由直接調整伽瑪電壓產生器26所提供予資料驅動電路24不同灰階值之伽瑪電壓γ 0,γ 1，令資料驅動電路24不必增加操作頻率，而能同樣讓資料驅動電路24分別輸出對應電壓資料訊號至反射區及穿透區。

誠如圖十四所示，單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器在未加入補償技術前所模擬穿透區及反射區的電壓及灰階曲線圖，由圖中可知若對單一畫素的穿透區及反射區寫入相同電壓，則會分別呈現不同灰階值。因此，本發明藉由穿射區及反射區的不同灰階的電壓差，調整同一條資料線寫入二種不同的電壓資料訊號，令單一畫素穿透區及反射區呈現相同的灰階值。配合圖十五所示，經採用本發明驅動方法所得到穿透區及反射區在呈現任一灰階值時，其VT曲線與VR曲線能完全相同。

以上為本發明下板第一較佳實施例，以下謹進一步參閱圖十六說明本發明下板其中一畫素212a的第二較佳實施例。

本實施例的下板畫素212a與第一較佳實施例結構大致相同，惟下板的複數掃描線G₁~G_N再水平交錯形成有複數子掃描線G₁’~G_N’，故各畫素212a即對應有一條掃描線G_n及一條子掃描線G_n’；其中複數掃描線G₁~G_N及複數子掃描線G₁’~G_N’則與掃描驅動電路(圖中未示)連接，至於本實施例單一畫素212a的多工器係進一步包含有：一穿透區薄膜電晶體TFT1，係形成於穿透區A_T中並與本畫素掃描線G_n、資料線D_m、穿透區儲存電容C_ST1及穿透區液晶電容C_LC1連接，受本畫素掃描線G_n的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線D_m的電壓資料寫入穿透區儲存電容C_ST1中；及一反射區薄膜電晶體TFT2，係形成於反射區A_R中並與本畫素子掃描線G_n’、資料線D_m、反射區儲存電容C_ST2及反射區液晶電容C_LC2連接，受本畫素子掃描線G_n’的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線D_m的電壓資料寫入反射區儲存電容C_ST2中。

請配合參閱圖十七，係為本實施例配合使用的調變掃描訊號及資料訊號波形圖。該掃描驅動電路(圖中未示)係先後依序交替輸出調變掃描訊號至各畫素的子掃描線G_n’及掃描線G_n。其中各子掃描訊號G_n’及各掃描訊號G_n係包含0.5H高電位訊號，相鄰的子掃描訊號G_n’及掃描訊號G_n係為0.5H的時間差，因此同一畫素的子掃描訊號G_n’及掃描訊號G_n的高電位訊號總時間為1H。由於單一畫素的子掃描訊號G_n’的高電位訊號較掃描訊號G_n早0.5H時間，又其反射區薄膜電晶體TFT2閘極G係連接至子掃描線G_n’，故該反射區薄膜電晶體TFT2閘極先導通，並將此時本畫素資料線D_m上的電壓資料訊號V_R寫入至反射區儲存電容C_ST2，並持續0.5H時間，之後穿透區的薄膜電晶體TFT1閘極G被掃描線G_n的高電位訊號驅動而導通，並將此時本畫素資料線D_m上的對應電壓資料訊號V_T寫入至穿透區儲存電容C_ST1。此外，如圖十八所示，掃描驅動電路亦可維持輸出1H高電位訊號至各掃描線G_n，但仍維持輸出0.5H高電位訊號至各子掃描線G_n’，令單一畫素的子掃描訊號G_n’與掃描訊號G_n有0.5H時間的重疊。

由圖十七及圖十八的波形圖可知，由於必須分別提供不同電壓資料訊號V_T,V_R至反射區與穿透區，因此資料驅動電路提高至二倍操作頻率，分別於1H時間內輸出二組不同電壓資料訊號V_T,V_R至各條資料訊號線D_m，故為簡化設計倍頻的資料驅動電路，亦藉由直接調整伽瑪電壓產生器所提供予資料驅動電路不同灰階值之伽瑪電壓，讓資料驅動電路不必增加操作頻率，同樣讓資料驅動電路分別輸出對應電壓資料訊號至反射區及穿透區。

誠如上述本發明半穿反液晶顯示器的第二較佳實例，由於其下板掃描線較第一較佳實施例下板掃描線的二倍，會直接突顯下板周邊線路佈局面積不足之問題；因此，如圖十九所示，為本發明第二實施例下板掃描線G₁~G_N與子掃描線G₁’~G_N’的佈局圖案示意圖。本實施例中下板211對應顯示區域213的各條子掃描線G₁’~G_N’線段及各條掃描線G₁~G_N線段以第一道金屬製程成形之，而在下板21顯示區域213範圍外的各條子掃描線G₁’~G_N’線段及各條掃描線G₁~G_N線段則交替以第二道金屬製程成形之。舉例來說，下板顯示區域213範圍內的各條掃描線G₁~G_N線段仍以第一道金屬製程成形，而下板顯示區域213範圍外的各條子掃描線G₁’~G_N’線段則以第二道金屬製程成形之，其中以第一及第二道金屬製程成形的各條子掃描線G₁’~G_N’交界處，再以導電孔214貫穿電連接。由於第一及第二道金屬製程係以絕緣層隔離，在下板顯示區域213範圍外的各條子掃描線G₁’~G_N’線段及各條掃描線G₁~G_N線段橫向間距可縮短，在有限面積上提高佈線密度。雖然各掃描線G₁~G_N及子掃描線G₁’~G_N’係因第一及第二道金屬製程所成形，而造成其RC延遲時間並不相同，但由於本發明穿透區與反射區的電壓原本就不同，而且每個畫素所看到的狀況都一樣，故不會因RC延遲時間不同造成顯像畫面不均勻(mura)問題。

綜上所述，本發明的半穿反液晶顯示器驅動方法係於其下板之各畫素中加入一多工器，配合調變掃描訊號及不同電壓資料訊號，以分別控制各畫素的穿透區與反射區的電壓，進而調整穿透區與反射區的VT曲線及VR曲線一致，此外本發明採用此種驅動電路，該半穿反液晶顯示器具有低成本、高良率、無殘影及無水平串擾(horizontal cross-talk)等優點。

10‧‧‧半穿反液晶顯示器

11‧‧‧上板

12‧‧‧下板

121‧‧‧穿透區

122‧‧‧反射區

123‧‧‧反射層

124‧‧‧絕緣凸塊

20‧‧‧半穿反液晶顯示器

21‧‧‧半穿反液晶面板

211‧‧‧下板

212,212a‧‧‧畫素

213‧‧‧顯示區域

22,22a‧‧‧時序控制器

23,23a‧‧‧掃描驅動電路

24‧‧‧資料驅動電路

25‧‧‧公共電壓產生電路

26‧‧‧伽瑪電壓產生器

214‧‧‧導電孔

圖一：係一種單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器單畫素的縱向剖面圖。

圖二：係另一種雙晶穴間隙式半穿反液晶顯示器單畫素的縱向剖面圖。

圖三：係圖二模擬不同間隙大小的VR曲線及VT曲線圖。

圖四：係另一種單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器單畫素的等效電路圖。

圖五：係實現圖四的液晶顯示器的VT曲線及VR曲線圖。

圖六：係又一種單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器單畫素的等效電路圖。

圖七：係實現圖六的液晶顯示器的VT曲線及VR曲線圖。

圖八：係本發明單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器第一較佳實施例的結構示意圖。

圖九：係圖八單一畫素等效電路圖。

圖十：係圖八的調變掃描訊號及資料訊號波形圖。

圖十一：本發明單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器另一結構示意圖。

圖十二：圖十一的第一及第二時序訊號與奇/偶數掃描訊號波形圖。

圖十三：係圖八另一調變掃描訊號及資料訊號波形圖。

圖十四：係圖一未加入補償技術前所模擬穿透區及反射區的電壓及灰階曲線圖。

圖十五：係圖八模擬穿透區及反射區的電壓及灰階曲線圖。

圖十六：係本發明單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器第二較佳實施例之單一畫素等效電路圖。

圖十七：係圖十六的調變掃描訊號及資料訊號波形圖。

圖十八：係圖十六的另一調變掃描訊號及資料訊號波形圖。

圖十九：係實現圖十六下板掃描線G₁~G_N與子掃描線G₁’~G_N’的佈局圖案示意圖。

212‧‧‧畫素

Claims

一種單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，其中該半穿反液晶顯示器包含有一薄膜電晶體基板，其上定義複數矩陣排列畫素，各畫素包含有一反射區及一穿透區，其改良在於：該驅動方法係於下板之各畫素中加入一多工器，該多工器係分別與反射區儲存電容及穿透區儲存電容連接，該多工器藉由調變掃描訊號及不同電壓資料訊號，分別將不同電壓資料訊號寫入各畫素的反射區儲存電容及穿透區儲存電容，以調整穿透區與反射區的VT曲線及VR曲線一致。
如申請專利範圍第1項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，其中各多工器係包含有：一穿透區薄膜電晶體，係形成於穿透區中並與本畫素掃描線、資料線及穿透區儲存電容連接，受本畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中；一反射區第一薄膜電晶體，係形成於反射區中並與本畫面掃描線及資料線連接，受本畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉；及一反射區第二薄膜電晶體，係形成於反射區中並與該反射區第一薄膜電晶體串聯連接，並與本畫素的下一畫素掃描線及反射區儲存電容連接；受本畫素的下一畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並與反射區第一薄膜電晶體同時開啟時，透過反射區第一薄膜電晶體將本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中。
如申請專利範圍第1項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，係進一步於該下板形成有交錯水平排列的複數掃描線及複數子掃描線，以與複數資料線橫縱交叉，令各畫素對應有一條掃描線及子掃描線；其中又各多工器係包含有：一穿透區薄膜電晶體，係形成於穿透區中並與本畫素掃描線、資料線及穿透區儲存電容連接，受本畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中；及一反射區薄膜電晶體，係形成於反射區中並與本畫素子掃描線、資料線及穿透區儲存電容連接，受本畫素子掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中。
如申請專利範圍第2項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，其中該下板複數掃描線係依序週期性接收一調變掃描訊號，各調變掃描訊號係為2H的驅動訊號，其包含有一0.5H第一高電位訊號、一0.5H的低電位訊號及一1H第二高電位訊號，並且前後條掃描線的調變掃描訊號間隔1H的時間差。
如申請專利範圍第4項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，其中產生該調變掃描訊號方式係先取得二組時序相差1H而脈波時間佔0.5H的時序訊號，再令包含有2H高電位訊號的奇數及偶數掃描訊號分別與此二組時序訊號相減。
如申請專利範圍第3項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，其中該下板複數子掃描線及掃描線係依序週期性接收一調變掃描訊號，該調變掃描訊號係為0.5H的驅動訊號，並且各畫素對應的子掃描線與掃描線的調變掃描訊號為間隔0.5H時間差。
如申請專利範圍第3項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，其中該下板複數子掃描線係依序週期性接收一第一調變掃描訊號，而複數掃描線係依序週期性接收第二調變訊號，其中第一調變訊號為0.5H的高電位訊號，而第二調變訊號為1H的高電位訊號，並且各畫素對應的子掃描線與掃描線的調變掃描訊號無時間差。
如申請專利範圍第1項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器的驅動方法，其中該半穿反液晶顯示器係進一步包含有一資料驅動電路及連接至該資料驅動電路的一伽瑪電壓產生器，其中該資料驅動電路係提供各畫素資料線的電壓資料訊號，而藉由直接調整伽瑪電壓產生器提供至該資料驅動電路不同灰階值之伽瑪電壓，讓資料驅動電路分別輸出對應電壓資料訊號至反射區及穿透區。
一種單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，係包含有一半穿反液晶面板、一時序控制器，一掃描驅動電路及一資料驅動電路；其改良在於：上述半穿反液晶面板係包含有一上板及一下板，其間夾設有液晶層，而該下板則形成有共電極及複數呈橫縱交錯排列的掃描線及資料線，其中掃描線與資料線交會處定義為一畫素，其中各畫素包含有一穿透區、一反射區及一多工器，該多工器係與本畫素掃描線及資料線連接；上述掃描驅動電路係連接至複數掃描線，以週期性地依序輸出調變掃描訊號至複數掃描線，驅動各畫素多工器，以決定反射區及穿透區的啟閉順序及開啟時間；上述資料驅動電路係連接至複數資料線，係針對相同灰階值輸出二組不同電壓的資料訊號至各畫素的開啟中的穿透區及反射區；及上述時序控制器係提供固定時序訊號予掃描驅動電路及資料驅動電路。
如申請專利範圍第9項所述一種單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中各多工器係包含有：一穿透區薄膜電晶體，係形成於穿透區中並與本畫素掃描線、資料線及穿透區儲存電容連接，受本畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中；一反射區第一薄膜電晶體，係形成於反射區中並與本畫面掃描線及資料線連接，受本畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉；及一反射區第二薄膜電晶體，係形成於反射區中並與該反射區第一薄膜電晶體串聯連接，並與本畫素的下一畫素掃描線及反射區儲存電容連接；受本畫素的下一畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並與反射區第一薄膜電晶體同時開啟時，透過反射區第一薄膜電晶體將本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中。
如申請專利範圍第9項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中該下板進一步形成與複數掃描線水平交錯的複數子掃描線，以與複數資料線橫縱交叉，令各畫素對應有一條掃描線及子掃描線；其中各多工器係包含有：一穿透區薄膜電晶體，係形成於穿透區中並與本畫素掃描線、資料線及穿透區儲存電容連接，受本畫素掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中；及一反射區薄膜電晶體，係形成於反射區中並與本畫素子掃描線、資料線及穿透區儲存電容連接，受本畫素子掃描線的調變掃描訊號驅動而啟閉，並將開啟當時本畫素資料線的電壓資料寫入穿透區儲存電容中。
如申請專利範圍第10項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中該掃描驅動電路輸出調變掃描訊號係為2H的驅動訊號，其包含有一0.5H第一高電位訊號、一0.5H的低電位訊號及一1H第二高電位訊號，並且前後條掃描線的調變掃描訊號間隔1H的時間差。
如申請專利範圍第12項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中：複數掃描線，係包含形成於下板兩相對側的奇數掃描線與偶數掃描線；該時序控制器，係提供一第一時序訊號及一第二時序訊號，其中第一時序訊號與第二時序訊號頻率相同，時序相差1H，其中脈波佔0.5H；該掃描驅動電路，係依序產生包含有2H高電位訊號的奇數及偶數掃描訊號，並將奇數及偶數掃描訊號分別與第一及第二時序訊號相減，輸出調變掃描訊號。
如申請專利範圍第11項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中該下板複數子掃描線及掃描線係依序週期性接收一調變掃描訊號，該調變掃描訊號係為0.5H的驅動訊號，並且各畫素對應的子掃描線與掃描線的調變掃描訊號為間隔0.5H時間差。
如申請專利範圍第11項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中該下板複數子掃描線係依序週期性接收一第一調變掃描訊號，而複數掃描線係依序週期性接收第二調變訊號，其中第一調變訊號為0.5H的高電位訊號，而第二調變訊號為1H的高電位訊號，並且各畫素對應的子掃描線與掃描線的調變掃描訊號無時間差。
如申請專利範圍第9項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其進一包含有：一伽瑪電壓產生器，係連接至該資料驅動電路，並提供至該資料驅動電路不同灰階值之伽瑪電壓，讓資料驅動電路分別輸出對應電壓資料訊號至反射區及穿透區；及一公共電壓產生電路，係連接至該共電極，以提供各畫素相同的低電壓準位。
一種如申請專利範圍第11項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中該半穿反液晶顯示器下板對應顯示區的各條子掃描線線段及各條掃描線線段以第一道金屬製程成形之，而在下板顯示區域範圍外的各條子掃描線線段及各條掃描線線段交替地以第二道金屬製程成形之，其中以第一道金屬製程與第二道金屬製程形成的掃描線段係以導電孔貫穿電連接之。
如申請專利範圍第17項所述之單晶穴間隙式半穿反液晶顯示器，其中下板顯示區域範圍外的各條子掃描線線段係以第二道金屬製程為之，而下板顯示區域範圍外各條掃描線線段以第一道金屬製程成形，其中下板顯示區域範圍內外子掃描線線段再以導電孔貫穿電連接之。