TWI412302B - 中間多層配線板製品及製造多層配線板之方法 - Google Patents
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Description
本案基於並主張2008年5月28日所申請之第2008-138885號日本專利申請案及2008年5月30日所申請之第2008-142667號日本專利申請案之優先權,在此上述申請案藉由參照其全文來倂入本文中。
本發明係關於一種中間多層配線板製品(亦即,多層配線板之中間製品的製造方法,或多層配線板之中間製品),包括製品形成區,其中複數製品部成為沿著一平面方向而配置之製品;以及框部,包圍該製品形成區,以及關於一種從多層配線板之中間製品獲得多層配線板之製造方法。
關於有效製造配線板之技術,複數配線板製品係自一個中間配線板製品獲得。此種中間製品通常包含:製品形成區,其中將成為製品之複數製品部沿著一平面方向而配置;以及框部,包圍該製品形成區。製品側導體層係形成於將成為製品之製品部的表面上,然而沒有導體層形成於不會成為製品之該框部之表面上。近年來,藉由鍍覆形成之處導體層(框側導體層)係為了抑制翹曲(warping或warpage)而以實心圖案設置在該框部之表面上。此外,另一種配線板包含具有網孔圖案而非實心圖案之框側導體層(例如,參照JP-A-2007-180212)。
關於該配線板之中間製品,中間多層配線板製品已付諸實際使用。該中間多層配線板製品包括核心板及形成於該核心板之每個前面與背面上之累積層。在該中間多層配線板製品中,例如,藉由將樹脂浸漬強化纖維而製成之樹脂板(諸如玻璃環氧板等)係被用作該核心板。該累積層係藉由交替堆疊樹脂絕緣層及導體層於該核心板之每個前面及背面上,藉以利用該核心板之剛性而製成。簡言之,該核心板強化該中間多層配線板製品並具有遠厚於該累積層之厚度。該中間製品包括一內連線(特別是貫穿孔導體等),其穿過該核心板以於形成在該核心板之前面及背面上的累積層之間建立電性連接。該中間製品容許半導體積體電路元件(IC晶片)(諸如電腦之微處理器等裝置)被裝配於其上。
近來,隨著半導體積體電路元件變快,而元件中所使用的信號頻率逐漸增加(亦即,變高)。在此情況下,穿過該核心板之內連線充當大電感,其相繼導致高頻信號中傳輸損失及錯誤電路操作的發生。因此,會阻礙到該半導體積體電路元件之速度的增加。鑑於此缺失,本發明提出一種無核心多層配線板(亦即,配線板沒有任何核心板)(例如,參照JP-B-3664720)。由於自該無核心配線板省略比較厚的核心板,故該內連線之整體長度變短。因此,可降低高頻信號中的傳輸損失,並且該半導體積體電路元件可在高速中被操作。
然而,由於該無核心配線板以不具核心板來製造,故該無核心配線板之強度可能會不充分。當將一多層配線板製作為一無核心配線板時,即使虛導體層形成於框部之表面上,中間多層配線板製品之強度仍不充分。因此,當諸如半導體積體電路元件及電容器之構件黏著至中間製品上時,以及當用來黏著的銲錫冷卻時,在製品形成區與該框部間熱膨脹係數差所造成之熱應力影響下,該中間製品可能會翹曲,因而降低該多層配線板之良率。
本發明係考量上述情況而完成。本發明之目的係提供一種中間多層配線板製品,其防止翹曲的發生而改善製品良率。本發明之另一目的係提供一種製造可改善良率之多層配線板的方法。
依照本發明之一態樣,中間多層配線板製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊、第一導體層及第二導體層。該堆疊包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區。該第一導體層係形成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上。該第二導體層係形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上。該框部具有以其厚度方向穿過該框部之複數切部(cut),該等複數切部係大體上等間隔配置。
因此,依照此多層配線板之中間製品的態樣,在構件連接該第一導體層時,即使施加由該製品形成區與該框部間熱膨脹係數差所造成之熱應力至該中間多層配線板製品,使該等複數切部變形而抑制熱應力的影響。該等切部係於該框部中以大體上相同間隔來配置,其中該框部可在施加熱應力至該中間製品時,使該等切部內的變形量相等。因此,均勻地抑制熱應力之影響。因此,可防止於該中間多層配線板製品中翹曲之發生,以及可改善從中間製品所生產之製品的良率。
當該多層配線板不包括核心板且包括交替堆疊之樹脂絕緣層及第一導體層時,其中該等樹脂絕緣層係相同類型之樹脂絕緣層且該等第一導體層係透過以一方向而直徑擴大之導通孔來連接,該多層配線板無法具有充分強度且該中間多層配線板製品之翹曲變得更明顯。然而,當在該不具有核心板之該多層配線板中設置該等切部時,可更有效防止在中間製品中發生翹曲。
在此及隨後的態樣中,該”中間配線板製品”係指相對於最終的多層配線板製品的槪念。具體言之,該”中間製品”指定為未完成分離製程之多層配線板。該分離製程係用以藉由將該框部自該製品形成區移除並沿著該等製品部之輪廓線所設定之切線,切除該等製品形成區而將製品互相分離。一般而言,中間多層配線板製品、製品形成區以及製品部從上面觀看(平面視圖)具有大致矩形的形狀。該製品部之面積遠小於該製品形成區之面積。因此,例如,數十到數百個製品部係配置在該製品形成區內。
該”框部”係指不會成為製品且在製程期間自該製品形成區分離及移除,並且包圍該製品形成區之周圍的區域。第二導體層係形成於該框部中作為所謂的虛導體層(dummy conductor layer)。
該中間多層配線板製品具有一包括複數堆疊樹脂絕緣層之結構。該樹脂絕緣層可例如依照絕緣特性(耐熱及防潮)來選擇。該樹脂絕緣層可以下列任何材料來形成:熱固性樹脂(諸如環氧樹脂、苯酚樹脂、胺基甲酸酯樹脂、矽氧樹脂及聚醯亞胺樹脂);以及熱塑性樹脂(諸如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚縮醛樹脂及聚丙烯樹脂)。此外,其也可使用包含任何該等樹脂及諸如玻璃纖維(編織而成之玻璃織物或非編織而成之玻璃織物)之無機纖維之複合材料,或者該樹脂及諸如聚醯亞胺纖維之有機纖維之複合材料,或者藉由以熱固性樹脂(諸如環氧樹脂)浸漬三維網孔狀氟系樹脂材料(諸如經膨脹之PTFE)所獲得之樹脂-樹脂複合材料。為了形成中間層連接用的導通導體(via conductor),也可事先在該樹脂絕緣層中形成導通孔(via holes)。
該第一導體層與該第二導體層可在該樹脂絕緣層上被圖案化,例如,藉由扣除法、半加成法、全加成法等。該第一導體層與該第二導體層例如係以金屬材料(諸如銅、銅合金、鎳、鎳合金、錫、錫合金等)來形成。
用以連接一構件之銲錫凸塊可被設在形成於該堆疊之最外樹脂絕緣層上之第一導體層上。該銲錫凸塊可在該第一導體層與該構件間作電性連接。
形成該銲錫凸塊之金屬材料可依照形成一將被裝配構件之連接端子的材料、及其類似物來選擇。例如,下列材料之任何一者可被用作形成該銲錫球之金屬材料:Pb-Sn-系銲錫(諸如90Pb-10Sn、95Pb-5Sn、或40Pb-60Sn);Sn-Sb-系銲錫;Sn-Ag-系銲錫;Sn-Ag-Cu-系銲錫;Au-Ge-系銲錫;及Au-Sn-系銲錫。
該構件之範例可為在半導體製程中所製造之電容器、半導體積體電路元件(IC晶片)、MEMS(微機電系統)、及其類似物元件。此外,該IC晶片可為DRAM(動態隨機存取記憶體)、SRAM(靜態隨機存取記憶體)等。該”半導體積體電路元件”可指用作電腦之微處理器之元件、及其類似物。
該等複數切部以其厚度方向穿過該框部且在該框部的外端中打開。該切部從該厚度方向觀之可具有大體上為V形、大體上為U形或其它類似形狀。該等複數切部之至少一者也可為一狹縫(slit),其為沿著該等製品部之輪廓線所設定之切線的延伸來配置,並具有大體上相同於鄰近製品部之輪廓線間之間隔的寬度。在此種情況下,複數切部係依照一般為等間隔配置之製品部來配置,以及因此變得容易以等間隔來配置該等複數切部。雖然該切部之深度沒有特別限定,但該深度可被大體上設定為相等於該框部的寬度(從該框部與該製品形成區之間的邊界到該框部的外端的距離)。具體言之,該框部也可被複數切部分離。換言之,當該等切部變得較深時,施加至該中間多層配線板製品之熱應力的影響可被更有效地減低。因此,可更可靠地防止該中間製品的翹曲發生。
該框部可具有複數端部(edge portin)包圍該製品形成區及複數轉角部,每一轉角部係連接相鄰的端部。該等複數切部中,可配置位在該等轉角部之切部以除去該等轉角部。依照以此方式所配置之該等切部,大於設在該等端部上之切部的切部可被製作在該等轉角部中。因此,施加至中間多層配線板製品之熱應力的影響可被更可靠地抑制。如上所述,可更可靠地防止該中間製品的翹曲發生,並且製品良率可被進一步的提高。
該等複數切部可在該第一導體層及該第二導體層形成後才形成。當該等複數切部在該第一導體層與該第二導體層形成前就形成時,其將在藉由透過蝕刻將金屬箔圖案化以形成該第一導體層與該第二導體層時,變得難以附著用來蝕刻的遮罩。
依照本發明之另一態樣,中間多層配線板製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊、第一導體層及第二導體層。該堆疊包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區。該第一導體層係形成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上。除了配置於該框部中之複數非形成區外,該第二導體層係形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面積比。
依照此中間多層配線板製品之態樣,如此配置複數非形成區,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面積比。因此,其可降低該製品形成區之間之熱膨脹係數與該框部之熱膨脹係數的差異。即使當一構件連接至該第一導體層時由該熱膨脹係數差所造成之熱應力施加至該中間多層配線板製品,翹曲幾乎不會發生在該中間製品中。因此,可提高由該等中間製品所生產的製品良率。
基於說明的目的,該”第一導體層對製品形成區之第一面積比”係指第一導體層所占用之已知面積(當該已知面積被設在該製品形成區之表面上時)的比例(露出比例)。同樣地,該”第二導體層對框部之面積比”係指該第二導體層所占用之已知面積(當該已知面積被設在該框部之表面上時)的比例(露出比例)。此外,該表示”該第一導體層對該製品形成區之第一面積比等於該第二導體層對該框部之第二面積比”係假設包括該第一及第二面積比係大體上互相相等之情況,以及包括該等面積比係彼此完全相等之情況。
藉由配置該等複數非形成區於該框部內之所有樹脂絕緣層上,在堆疊之每一層中該第一導體層對該製品形成區之第一面積比可等於該框側導體層對該框部之第二面積比。因此,其可降低該製品形成區與該框部之間的熱膨脹係數的差值。因此,即使由熱膨脹係數差值所造成之熱應力施加至該多層配線板之中間製品,翹曲亦幾乎不會在該中間製品中發生。
當該多層配線板為不包括核心板且包括交替堆疊樹脂絕緣層與第一導體層之配線板時,其中該樹脂絕緣層為相同類型且該等第一導體層僅透過以一方向而直徑擴大之導通孔來連接,該多層配線板之強度為不充分的,且該中間多層配線板製品之翹曲會增加或變得更明顯。然而,當該等非形成區為設在不具核心板之多層配線板中時,可更有效地防止翹曲在中間製品中發生。
該等複數非形成區係配置在該框部內之該等樹脂絕緣層之至少一者上。該等非形成區可具有大體上為V形、大體上為U形、及其類似形狀。該等複數非形成區之至少一者也可為狹縫形區,其沿著該製品部之輪廓線所設定之切線的延伸來配置。在此情況下,複數非形成區係依照一般以等間隔配置之該等製品部來配置,且因此其變得易於以等間隔配置該等複數非形成區。因此,其變得易於使該第二導體層對該框部之第二面積比在該框部中的任何區域上均為一致。因此,其可降低該製品形成區與該框部間的熱膨脹係數差值。故即使施加由熱膨脹係數差所造成之熱應力於多層配線板之中間製品,該中間製品之翹曲也幾乎不會發生。當該非形成區為狹縫形區域時,雖然沒有特別限定,但該非形成區之深度可被設定為相等於,例如,該框部之寬度(從該框部與該製品形成區之間的邊界到該框部的最外端的距離)。具體言之,該第二導體層可藉由複數非形成區來分離。
該框部可具有複數端部,該等端部包圍該製品形成區及複數轉角部,每一轉角部連接相鄰之端部。在該等複數非形成區中,位在該等轉角部之非形成區可占用整個轉角部,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比等於該第二導體層對該框部之第二面積比。該第二導體層可具有一網孔狀圖案,以使得該第二導體層對該框部之第二面積比等於該第一導體層對該製品形成區之第一面積比。用以配置非形成區之方法可依照該第一導體層對該製品形成區之第一面積比來選擇。
當該第二導體層以網孔狀圖案作成時,可減輕圖案設計的負擔。因此,防止成本增加變得容易達成。只要包含導體層之區域與不包含導體層之區域係以規則性圖案連續地呈現,該網孔狀第二導體層可為任何層。然而,從減輕圖案設定負擔的觀點來看,最好配置互相相交的複數線圖案。更具體言之,該網孔狀第二導體層最好藉由造成複數等間隔配置之第一線圖案以及複數等間隔配置之第二線圖案以一直角互相相交的方式來作成。在此情況下,雖然該線圖案之寬度沒有特別限定,但其可較佳的將該線圖案之寬度例如設定為從0.1mm到1.5mm的範圍;進一步地,可設在從0.2mm到1.3mm的範圍,以及更特別地,可設在從0.3mm到1.0mm的範圍。
依照本發明之另一態樣,製造多層配線板之方法包含:製備製程,包含製備多層配線板之中間製品;以及切部形成製程。該中間製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊、第一導體層及第二導體層。該堆疊包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區。該第一導體層係形成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上。該第二導體層係形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上。該切部形成製程包含形成複數切部於該中間製品之框部中,以便以其厚度方向穿過該框部。
依照此多層配線板之製造方法的態樣,當一構件在該切部形成製程後連接至該第一導體層時,若施加由該製品形成區與該框部之間的熱膨脹係數差所造成的熱應力至該等複數樹脂絕緣層,該熱應力之影響可會藉由該等複數切部之變形來抑制。因此,其可抑制翹曲在該中間多層配線板製品中發生,以及因此可提升由中間製品所生產的多層配線板的良率。
製造本態樣之多層配線板之方法將於下文作說明。
在製備製程中,製備一中間多層配線板製品,該中間多層配線板製品包含:經堆疊之複數樹脂絕緣層;製品形成區,其中將成為製品之複數製品部係以縱向與橫向予以配置;框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成於製品部內的該樹脂絕緣層上;及第二導體層,形成於該框部內之該樹脂絕緣層上。
該製備製程包含:堆疊製程,包含將該等複數樹脂絕緣層堆疊於底部組件上,該底部組件之一個表面具有金屬箔;底部組件移除製程,包含在該堆疊製程後將該底部組件移除,以便露出該金屬箔;第一導體層形成製程,包含在該底部組件移除製程後圖案化該金屬箔,以便在最外層樹脂絕緣層上之該等複數製品部內製作該第一導體層;以及銲錫凸塊形成製程,包含在該第一導體層形成製程後,於該最外層樹脂絕緣層上所形成之該第一導體層上製作用以連接一構件之銲錫凸塊。藉由同時執行該第二導體層形成製程(用以在該最外層樹脂絕緣層上之該框部內形成該第二導體層)及該第一導體層形成製程,可縮短製造多層配線板之製程。
例如,可用使用銀、金、鉑、銅、鈦、鋁、鈀、鎳及鎢之任何一者作為該金屬箔。特別地,金屬箔最好由銅製成。若該金屬箔由銅製成,則相較於該金屬箔由其它材料製成來說,可降低該金屬箔之電阻並增強該金屬箔之傳導性。
在隨後之切部形成製程中,複數切部以其厚度方向穿過該框部而形成於該框部中。該等切部可藉由對該框部鑽孔、使該框部接受雷射機械處理、利用打孔沖模將該框部打孔、及其類似方式來形成。
該切部形成製程可在該第一導體層形成製程之後才執行。當該切部形成製程在第一導體層形成製程前執行時,其在透過該第一導體層形成製程中之蝕刻來執行圖案化時,將變得難以附著用來蝕刻的遮罩。此外,該切部形成製程可在該銲錫凸塊形成製程前先被執行。當該切部形成製程在該銲錫凸塊形成製程之後才執行時,該銲錫凸塊(其對於構件連接來說是重要的)在該等切部形成期間會受損。
之後,執行一分離製程,其用以藉由自該製品形成區移除該等框部,以及沿著該等製品部之輪廓線所設定之切線來切割該製品形成區,而將製品互相分開,藉以獲得複數件製品(多層配線板)。
依照本發明之再另一個態樣,製造多層配線板之方法包含:製備製程,包含製備中間多層配線板製品;以及分離製程。該中間製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊;第一導體層及第二導體層。該堆疊包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區。該第一導體層係形成於該製品部內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上。除了配置於該框部中之複數非形成區外,該第二導體層形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面積比。該分離製程包含從該製品形成區移除該框部,以及沿著切線切割該製品形成區,藉以互相分離該等複數製品部(亦即,該等製品)。
因此,依照此多層配線板之製造方法的態樣,在該製備製程中配置複數非形成區,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比等於該第二導體層對該框部之第二面積比。因此,其可降低該製品形成區與該框部之間熱膨脹之係數差。因此,當在該製備製程後將一構件連接至該第一導體層時,即使施加熱膨脹係數差所造成之熱應力至該中間多層配線板製品,翹曲也幾乎不會在該中間製品中發生。因此,可提升從該等中間製品所生產的多層配線板之良率。
此態樣之製造多層配線板之方法的態樣將於下文作說明。
在製備製程中,製備一中間多層配線板製品,該中間多層配線板製品包含:經堆疊之複數樹脂絕緣層;製品形成區,其中將成為製品之複數製品部係以縱向與橫向予以配置;框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成於該製品部內的該樹脂絕緣層之上;第二導體層,形成於該框部內之該樹脂絕緣層上;以及複數非形成區,其配置於該框部內之該等樹脂絕緣層之至少一者上,並且其中沒有形成該第二導體層,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比等於該第二導體層對該框部之第二面積比。
本發明之其它特徵及優點將揭露於下述發明例示實施例之詳細說明中或從該詳細說明中即可顯然得知。
本發明之例示實施例將參照圖式作詳細說明。
第一例示實施例
第1圖為顯示一例示實施例之無核心配線板101(多層配線板)之剖面視圖。該無核心配線板101為一不具有任何核心板之配線板,且其具有由交替堆疊以銅製成之導體層51與四層由環氧樹脂製成之樹脂絕緣層41、42、43及44所製成之結構。該等樹脂絕緣層41到44為具有相同厚度及以相同材料製成(亦即,該等樹脂絕緣層41到44為相同類型的樹脂絕緣層)之中間絕緣層。
端子墊52係於該無核心配線板101之前面102(從該等樹脂絕緣層41~44之堆疊的底層41開始數的第四層上之樹脂絕緣層44的表面)上以一陣列圖案來配置。此外,該樹脂絕緣層44之實質整體表面係以防焊劑128覆蓋。用以露出該各個端子墊52之開口129係於該防焊劑128中形成。複數銲錫凸塊130係配置於該各個端子墊52之表面上。該等銲錫凸塊130係電氣連接面向具有大體上為矩形、平板形之IC晶片131(構件)之各個連接端子132。該等端子墊52與該銲錫凸塊130所形成的區域為該IC晶片131可裝配於其中之IC晶片裝配區133。
如第1圖中所示,BGA墊53係於該無核心配線板101之背面103上(在該堆疊之第一層上的樹脂絕緣層41之下面上)以陣列圖案來配置。該樹脂絕緣層41之實質整體表面係以防焊劑142覆蓋。用以露出該各個BGA墊53之開口145係於該防焊劑142中形成。複數銲錫凸塊155係設置於該各個BGA墊53之表面上,以及該無核心配線板101係藉由該等銲錫凸塊155而裝配於沒有圖示之母板上。
導通孔146及導通導體147係設在該等樹脂絕緣層41到44中。該等導通孔146之每一者具有倒截頂圓錐形,以及透過YAG雷射或二氧化碳氣體雷射之使用,藉由穿過該等樹脂絕緣層41到44而形成。該等導通導體147係以一方向(第1圖中之向上方向)而直徑增加,以及其與該等導體層51、該等端子墊52及該等BGA墊53互相電氣連接。
現在將說明該無核心配線板101之中間製品11。
如第2及3圖中所示,當該無核心配線板101之中間製品11上方觀之,其具有大體上為矩形形狀。該中間製品11包括製品形成區28及用以包圍該製品形成區28之周圍的框部29。五個將為製品(該無核心配線板101)之正方形製品部27係沿著該中間製品11之主要表面的方向而配置於該製品形成區28中。該框部29具有四個被配置為包圍該等製品形成區28之端部30,以及四個連接相鄰的端部30之轉角部31。
如第3圖中所示,作為例示第一導體層之該等導體層51係形成於該等製品部27之每一者內之該等樹脂絕緣層41到44之表面上。作為例示第一導體層之該等端子墊52係形成於該等製品部27之每一者內的該堆疊中最外層處之樹脂絕緣層44之表面上。作為例示第一導體層之該等BGA墊53係形成於該等製品部27之每一者內的最外層處之樹脂絕緣層41的下面上。作為例示第二導體層之框側導體層54係形成於該等框部29之每一者內之各個樹脂絕緣層41到44上。該框側導體層54於該等框部29之每一者內之實質整體區域上方為形成以具有實質矩形形狀之平面導體。所有該等框側導體層54均沒有殘留在最終製品中且其被稱為虛導體層。
如第2及3圖中所示,該無核心配線板101之中間製品11係沿著各個製品部27之輪廓線120切割。沿著這些輪廓線120延伸的線界定為切線121。更具體言之,用以分割該等製品部27之切線121係設在該等相鄰製品部27之輪廓線之間。此外,其它用以將該框部自該製品形成區28分離之切線121係在該等製品部27之輪廓線120與該框側導體層54之內緣之間的區域內,沿著該製品形成區28與該框部29之間的界線來設定。
如第2圖中所示,該框部29具有複數狹縫61(切除區),當以厚度方向(平面觀看)觀看時,該等狹縫之每一者大體上為U形。該等狹縫61係於該等端部30中等間隔設置,且沿著該切線121之延伸方向配置(或配置於其上)。該等狹縫61之部分係配置於該等端部30與該等轉角部31之間的界線上。配置該等狹縫61使得界定於該等相鄰狹縫61之間的區域的每一者小於一預定或已知尺寸。該等狹縫61之每一者係以一厚度方向(具體言之,該等樹脂絕緣層41到44、該框側導體層54、以及該等防焊劑128與142)穿過該框部29而形成,以及於該框部29之外端變為開啟。每一狹縫61之寬度係大體上設定為相等於該等相鄰製品部27之輪廓線120之間的間隔,或者該製品部27之輪廓線120與該框側導體層54之內緣間的間隔。該等狹縫61之每一者的深度(亦即,該狹縫61從其開口到其內部深度之長度)係設為稍小於該框側導體層54之寬度(從該框側導體層54之內緣到該框側導體層54之外緣的距離)。
現在將說明製造該無核心配線板101之方法。
在製備製程中,第2及3圖中所示之該無核心配線板101之中間製品11係預先生產且製備好。該無核心配線板101之中間製品11以下列方式製備。如第4圖中所示,首先製備展現足夠強度之支撐板70,諸如,玻璃環氧板。其次,於部分處於硬化狀態之該支撐板70上附加以環氧樹脂製成之片狀絕緣樹脂底部組件,以便形成底部樹脂絕緣層71,藉以獲得含有支撐板70與基板樹脂絕緣層71之底部組件69。如第5圖中所示,設置多層金屬片組件72於該底部組件69之一表面(具體言之,該底部樹脂絕緣層71之上表面)上。該多層金屬片組件72係設在部分處於硬化狀態之底部樹脂絕緣層71上。因此,其可獲得充分的黏著力,使得該多層金屬片組件72在隨後製程期間不會從該該底部樹脂絕緣層71剝落。該多層金屬片組件72包括二片處於可剝落狀態且互相黏著之銅箔73、74(金屬箔)。具體言之,該多層金屬片組件72係經由鍍覆金屬(例如,鍍鉻)藉由堆疊銅箔73與74之薄片而製成。
隨後,如第6圖中所示,該片狀絕緣樹脂底部組件40係堆疊於該多層金屬片組件72上,以及於真空中藉由真空壓力熱壓機(沒有顯示)對該底部組件40加壓及加熱,以便固化該絕緣樹脂底部組件40,藉以於第一層上形成該樹脂絕緣層41(堆疊製程)。如第7圖中所示,該導通孔146係藉由執行雷射機械處理及用以去除各個導通孔146中之髒污的去污處理而形成於該樹脂絕緣層41中之特定位置。隨後,例如,藉由習知技術,執行無電解鍍銅或電解鍍銅,藉以於各個導通孔146中形成該導通導體147。此外,例如藉由習知技術(例如,半加成法)執行蝕刻,藉以於該樹脂絕緣層41上將一導體層51圖案化(參照第8圖)。
如上所述,藉由用以製作在該第一層上之該樹脂絕緣層41及形成於其上之該導體層51之相同技術,於該第二到第四層上之該等樹脂絕緣層42到44及該等導體層51上也以堆疊方式形成於該樹脂絕緣層41上。施加感光性環氧樹脂於製作該等端子墊52處之該樹脂絕緣層44上方,以及將如此所施加之樹脂固化,藉以形成該防焊劑128。當設置遮罩時,使該防焊劑128接受曝光及顯影,藉以透過圖案化製作該防焊劑128中之該等開口129。依照前述製程,將內部堆疊有該多層金屬片組件72、該等樹脂絕緣層41到44、及該等導體層51之層化製品80形成於支撐板70上(參照第9及10圖)。如第9圖中所示,位在該多層金屬片組件72上之該多層化製品80上之區域係作為經堆疊之配線區81,該經堆疊之配線區81將成為該無核心配線板101之中間製品11。此外,如第10圓中所示,二個區塊82係沿著該多層製品80之主要表面而配置於其上,三個中間製品11係沿著該主要表面之方向而配置於該等區塊82之每一者中,以及該等區塊82之周圍係被周圍部83所包圍。
在接下來的第一分離製程中,該多層化製品80藉由切片機切除(省略顯示於圖式中),藉以移除該各個區塊82之周圍部83。此時,如第10圖中所示,該底部樹脂絕緣層71與該支撐板70(其均位在該經堆疊之配線區81下方)係沿著該各個區塊82與其周圍部83之間的邊界切割。藉此,將該等區塊82互相分離,藉以獲得二個區塊82(參照第11圖)。
在該等區塊82之每一者中,移除該底部組件69以露出該銅箔73(底部組件移除製程)。更具體言之,如第12圖中所示,該經堆疊之配線部81係藉由剝下該經堆疊之金屬片72中之二片銅箔73與74而自該支撐板70分離。如第13圖中所示,該經堆疊之配線區81(該樹脂絕緣層41)的背面103(下面)上之該銅箔73係藉由蝕刻而予以圖案化,以便於最外層之樹脂絕緣層41上的該製品部27內形成BGA墊53(第一導體層形成製程)。之後,如第14圖中所示,於內部形成有該BGA墊53之該樹脂絕緣層41上方施加感光環氧樹脂,以及將該樹脂固化,藉以形成該防焊劑142覆蓋該經堆疊之配線部81的背面103(防焊劑形成製程)。接著當設置一遮罩於該防焊劑142上時,使該防焊劑142接受曝光及顯影,藉以將該防焊劑142圖案化以形成該等開口145。
在接下來的切部形成製程中,該等複數狹縫61係形成於形成該區塊82之每個中間製品11之該等框部29中(參照第15圖)。具體言之,藉由一起槽機(router)將框部29中位居相鄰的中間製品11之框部29互相接觸的區域作機械處理,以便形成延伸孔60。該等延伸孔60成為一特定中間製品11之狹縫61以及鄰近於該特定中間製品11之中間製品11的狹縫61。此外,藉由該起槽機框部29中位居相鄰的中間製品11之框部29不會互相接觸的區域作機械處理,以便形成該等狹縫61。這些狹縫61係在已形成該等導體層51、該等端子墊52、該等BGA墊53以及該框側導體層54之後(在第一導體層形成製程之後)才形成。
接著,在形成於最外層之樹脂絕緣層44上的各個端子墊52上形成用以連接IC晶片之銲錫凸塊130(銲錫凸塊形成製程)。該切部形成製程係於該銲錫凸塊形成製程前先執行。在此製程中,銲錫球係藉由未圖示之銲錫球裝配機的使用而配置在該等各個端子墊52上,以及該等銲錫球接著以一已知溫度加熱,使得銲錫回流及該等銲錫凸塊130形成於該等各個端子墊52上。同樣地,該等銲錫凸塊155也形成於在該多層化配線區81之背面103上所形成的該等各個BGA墊53上。
在隨後第二分離製程中,該等區塊82係藉由切片機(沒有顯示)沿著該等中間製品11間的邊界切割。該等中間製品11因而互相分離,以便獲得第2及3圖中所示之該無核心配線板101之中間製品11。
在隨後IC晶片裝配製程中,該IC晶片131係裝配在形成該等中間製品11之每一者的各個製品部27(該無核心配線板101)之該IC晶片裝配區133之每一者上。形成於該IC晶片131上之表面連接端子132係與形成於該製品部27上之各個銲錫凸塊130對準。對該等銲凸塊130加熱以便回流,使得該表面連接端132與該銲錫凸塊130黏著在一起。因此,該IC晶片131係裝配於該製品部27上。
在隨後第三分離製程中,藉由習知切割機切割該等框部29且自該製品形成區28移除,以及該製品形成區28係沿著該等切線121切割。該等製品部27係互相分離為複數件無核心配線板101(參照第1圖)。
依照該第一例示實施例,可獲得下述優點。
(1)依照此例示實施例之無核心配線板101之中間製品11,在冷卻用以連接該IC晶片131之銲錫凸塊130期間,即使在施加由該製品形成區28與該框部29之間的熱膨脹係數差所造成的熱應力至該中間製品11時,藉由該等複數狹縫61之變形來降低熱應力之影響。此外,該等狹縫61於該等框部29中係以大體上等間隔來設置,當施加熱應力至該等狹縫61時,便能在各個狹縫61中提供一致的變形量。因此,該熱應力均勻地減少。因此,可防止該等中間製品11中翹曲的發生,使得從該等中間製品11獲得的製品(該等無核心配線板101)的良率可提升。
(2)在該第一例示實施例中,該製品形成區28之部分係以該等第一導體層(該導體層51與該端子墊52)來覆蓋,然而該框部29之實質整體區域係以該第二導體層(框側導體層54)來覆蓋。因此,於該第一導體層對該製品形成區28之面積比及該第二導體層對該框部29之面積比之間存有大的差異。當該IC晶片131裝配在該端子墊52上時且當冷卻該等用於連接之銲錫凸塊130時,由該等面積比之差異所造成之熱應力係施加於該中間製品11上。然而,在第一例示實施例中,由該面積比之差異所造成之熱應力的影響可藉由該等複數狹縫61來抑制。
該第一例示實施例可以下述方式來變更。
在該第一例示實施例之無核心配線板101之中間製品11中,該等複數切部之每一者係以狹縫61來形成。然而,該中間製品可含有切部,其中該等切部之若干具有不同於該狹縫61的形狀。第16圖顯示依照該第一例示實施例之一變形的中間製製品111。在該中間製品111中,設在該等端部30中之切部係以如第一例示實施例中所述之該狹縫61來形成。另一方面,設在該等轉角部31上的切部係以藉由移除該等各個轉角部31所形成之切部112來形成。換言之,該等切部112係藉由各個經移除之轉角部31來界定。形成於該等各個轉角部31上之該等切部112可被形成比設在該等端部30上之切部(狹縫61)遠大。因此,施加至該中間製品111之熱應力的影響可被更可靠地降低。因此,可更可靠地防止該中間製品111中之翹曲發生,使得製品良率進一步提升。
該第一例示實施例之狹縫61係沿著該等製品部27之輪廓線120所設定之切線121的延伸而配置在該等框部29中。然而,該等狹縫61在該中間製品11之主要表面的方向中也可被配置在稍微偏離該等切線121之延伸的位置。
該第一例示實施例之切部形成製程是在該第一導體層形成製程與該銲錫凸塊形成製程之間執行。然而,該切部形成製程可在該銲錫凸塊形成製程與該第二分離製程之間,或者在該第二分離製程與該IC晶片裝配製程之間執行。
第二例示實施例
將參照圖式說明本發明之第二例示實施例。在第二例示實施例中,非形成區係形成於一中間製品上以代替該第一例示實施例之該等切部61。與該第一例示實施例相關聯之類似或相同元件及操作係以相同元件符號來表示,並且在此例示實施例中省略其說明。
第17圖為顯示依照第二例示實施例之無核心配線板的中間製品12之平面示意圖。由於本例示實施例之無核心配線板的剖面視圖與第1圖中所示相同,且沿著第17圖之A-A線切下之該中間製品12的剖面視圖與第3圖中所示相同,故省略其相關說明。
如第17圖中所示,複數非形成區62配置於該框部29中之該等樹脂絕緣層41到44之每一者上。在該非形成區62中,沒有形成該框側導體層54。該非形成區62具有一狹縫形狀,其係大體上以一致的間隔配置於該等端部30之每一者中,且其沿著各個切線121之延伸來配置(或配置於其上)。該等非形成區62之部分係沿著該等端部30與該等轉角部31之間的界線來配置。由於該各個非形成區62於該框部29之內緣及外緣係開啟的,故該等非形成區62之每一者的長度係設定為等於該框側導體層54之寬度(從該框側導體層54之內緣到其外緣之距離)。具體言之,該框側導體層54係藉由該各個非形成區62來劃分。此外,該非形成區62之寬度係設定為等於相鄰的製品區27之輪廓線120間的間隔或該製品部27之輪廓線120與該框側導體層54之內側間的間隔。
該等非形成區62係配置在該等框部29中之該樹脂絕緣層41到44之每一者上,使得該第一導體層(該等導體層51或該等端子墊52)對該製品形成區28之第一面積比,於每一層上,成為等於該第二導體層(框側導體層54)對該框部29之面積比。更具體言之,在該第一層之樹脂絕緣層41的表面上,該導體層51對該製品形成區28之第一面積比與該框側導體層54對該框部29之第二面積比二者均設為67%。於第二層之該樹脂絕緣層42的表面上,該導體層51對該製品形成區28之第一面積比與該框側導體層54對該框部29之第二面積比二者均設為86%。於第三層之該樹脂絕緣層43的表面上,該導體層51對該製品形成區28之第一面積比與該框側導體層54對該框部29之第二面積比二者均設為64%。於第四層之該樹脂絕緣層44的表面上,該導體層51與該等端子墊52對該製品形成區28之第一面積比與該框側導體層54占用該框部29之第二面積比二者均設為78%。
接著,說明依照該第二例示實施例之製造無核心配線板的方法。首先,如第4及5圖中所示,執行該製備製程。其次,如第6圖中所示執行該堆疊製程,以及接著如第7圖中所示形成該等導通孔146。之後,如第8圖中所示形成該等導通導線147與該等導體層51。
在第二例示實施例中,在相同於用以圖案化該導體層51之製程中,該框側導體層54係於該等中間製品12之框部29中之該樹脂絕緣層41上圖案化,並且該等複數非形成區62(其中沒有該框側導體層54)也在該等框部29中形成。
接著,如第9圖中所示,於該支撐板70上形成該層化製品80。第18圖為顯示該第二例示實施例之層化製品80的平面視圖。接著,以如同第一例示實施例之方式執行該第一分離製程。第19圖為顯示該第二例示實施例之該區塊82的平面視圖,其中該區塊82係藉由該第一分離製程來分開。此後,執行第12圖中所示之該底部組件移除製程、第13圖中所示之該第一導體層形成製程,以及第14圖中所示之該防焊劑形成製程。此外,該銲錫凸塊形成製程與該第二分離製程係如同該第一例示實施例來執行,藉以獲得第17圖(與第3圖)中所示之該中間製品12。此後,如同該第一例示實施例執行該第一分離製程,藉以獲得該等複數件無核心配線板101(第1圖)。
現在說明用以評估無核心配線板之中間製品中之翹曲的方法以及評估結果。
首先,以如下方式製備用來測量之樣本(測量樣本):製備相同於該第二例示實施例之中間製品的中間製品12作為一範例樣本;以及製備一中間製品151(參照第20圖)作為比較範例之樣本,在該中間製品151中,該非形成區62沒有在該框部29中形成以及該框側導體層54覆蓋6該框部29之實質整體區域。
接著,對(該範例及該比較範例之)該等測量樣本加熱,藉以造成形成於該等端子墊52上之各個銲錫凸塊130回流。測量於該等測量樣本之每一者中所發生的翹曲量。具體言之,該等測量樣本之每一者係設在支撐底座(support bed)(沒有顯示)上,以及測量從該支撐底座表面到該測量樣本具有最大上升距離之點的高度作為翹曲量。
翹曲之測量結果,該比較範例之中間製品151中的翹曲量為2.458mm,然而該範例(亦即,依照該第二例示實施例)之中間製品12中的翹曲量為0.464mm。因此,該實施例之中間製品12中的翹曲量確定比該比較範例之中間製品151中的翹曲量還小。因此,其顯示配置該等複數非形成區62於該框部29中使其難以在中間製品中造成翹曲。
依照該第二例示實施例,可獲得下述之優點。
(1)在該第二例示實施例之無核心配線板101的中間製品12中,藉由配置該等複數非形成區62使該第一導體層對該製品形成區28之第一面積比與該第二導體層(該框側導體層54)對該框部29之第二面積比互相相等。因此,降低該製品形成區28與該框部29之間的熱膨脹係數差。故若在冷卻用於連接該IC晶片131之該等銲錫凸塊130期間,將由該熱膨脹係數差所造成的熱應力施加至該中間製品12,則翹曲幾乎不會在該中間製品12中發生。因此,可提升該等中間製品12所生產之製品(該無核心配線板101)之良率。
(2)在該第二例示實施例中,該等第一導體層(該導體層51與該端子墊52)係於該樹脂絕緣層41到44之每一者上圖案化,且該等框側導體層54(與該等非形成區62)係被同時圖案化,以及因此可縮短製造該無核心配線板101之製程。此外,該等非形成區62具有一相對簡單的形狀,諸如狹縫形狀。因此,可減輕圖案設計的負擔,使其容易防止該無核心配線板101之成本的增加。
該第二例示實施例也可被以下列方式來改變。
在該第二例示實施例之無核心配線板101之中間製品12中,所有該等複數非形成區62係形成為狹縫形區域,該等區域之每一者以該各個切線121之延伸來延伸。然而,設在該等轉角部31上之該等非形成區可具有不同於該等狹縫形非形成區62之形狀。第21及23圖顯示依照該第二例示實施例之變形的中間製品110與161。在第21圖所示之中間製品110中,設在該等轉角部31上之非形成區112在該各個轉角部31之整個區域中延伸。此外,在第23圖所示之中間製品161中,設在該等轉角部31上之非形成區162延伸到該等轉角部31之整個區域中。
雖然該第二例示實施例之非形成區62配置在沿著該框部29之製品部27的輪廓線120所設定的切線121之延伸上,但該等非形成區62之部分也可被配置在如第21及23圖中所示之該中間製品110、161的主要表面的方向中離開該等切線121之延伸的位置上。
在該第二例示實施例之無核心配線板101之中間製品12中,該框側導體層54係以平面形式於該框部29中形成。然而,該框側導體層可具有不同於該框側導體層54之形狀。第22到24圖顯示中間製品161、171及181。在第22圖所示之中間製品171中,具有網孔狀圖案之框側導體層172係形成於該框部29中。在第23圖所示之中間製品161中,具有磚塊形式之框側導體層163係形成於該框部29中。在第24圖所示之中間製品181中,具有波浪圖案之框側導體層182係形成於該框部29中。
此外,該第一及第二例示實施例可作如下修改。
在該第一及第二例示實施例之製造無核心配線板101的方法中,用以連接IC晶片之銲錫凸塊130係分別形成於最外層上之樹脂絕緣層44上所形成的該等複數端子墊52上。然而,該等端子墊52可為將被裝置至另一連接組件(諸如母板)的BGA墊,以及銲錫凸塊可被形成於該各個BGA墊上。在此情況下,用以連接IC晶片之端子墊可設在經堆疊之配線區81的背面103上。
該第一及第二例示實施例之第一導體層形成製程中,該銅箔73係藉由蝕刻來圖案化,以形成該等BGA墊53。然而,在透過蝕刻而完成移除該銅箔73後,可分別形成該等BGA墊53。
在該第一及第二例示實施例之堆疊製程中,在將為該等BGA墊53之金屬層已被形成於該銅箔73上後,可形成該樹脂絕緣層41。在此情況下,在用以露出該金屬層之導通孔146形成於該樹脂絕緣層41中後,形成該導通導體147於該各個導通孔146中。如上所述,藉由形成該等導通導體後,藉由蝕刻來完全移除該銅箔73,以便露出該金屬層,以及該金屬層可被形成為該BGA墊53。
所屬技術領域之通常知識者將認知到在不脫離本發明之教示下,附加步驟及架構為可行的。此詳細說明以及特別為所揭露之例示實施例之特定內容係主要為了便於清楚理解而給定,並且將從其中了解必要限制,本發明之變更修正在所屬技術領域中之該等熟悉該項技術者閱讀本揭示時將變得顯而易知,且在不脫離所請求發明之精神或範圍下可被製成。
因此,本發明之範圍可藉由隨附申請專利範圍及其法定等效物所界定,且不侷限於所給定之範例。
11、12、110、151、161、171、181...中間製品
27...製品部
28...製品形成區
29...框部
30...端部
31...轉角部
40...片狀絕緣樹脂底部組件
41~44...樹脂絕緣層
51...導體層
52...端子墊
53...BGA墊
54、163、172、182...框側導體層
60...延伸孔
61...狹縫
62...非形成區
69...底部組件
70...支撐板
71...板樹脂絕緣層
72...多層金屬片組件
73~74...銅箔
80...多層製品
81...經堆疊之配線區
82...區塊
83...周圍部
101...無核心配線板
102...無核心配線板之前面
103...無核心配線板之背面
111...中間製品
112...切部
120...輪廓線
121...切線
128...防焊劑
129、145...開口
130、155...銲錫凸塊
131...IC晶片
132...連接端子
133...IC晶片裝配區
142...防焊劑
146...導通孔
147...導通導體
第1圖為顯示本發明之第一與第二例示實施例之無核心配線板的剖面示意圖;
第2圖為顯示依照第一例示實施例之無核心配線板之中間製品的平面示意圖;
第3圖為沿著第2圖所示之線A-A切下之剖面視圖;
第4圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於一點上構件之架構圖;
第5圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第6圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第7圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第8圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第9圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第10圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第11圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第12圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第13圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第14圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第15圖為顯示依照第一例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第16圖為顯示第一例示實施例之變形之無核心配線板之中間製品的平面示意圖;
第17圖為顯示依照第二例示實施例之無核心配線板之中間製品的平面示意圖;
第18圖為顯示依照第二例示實施例製造無核心配線板之方法中於一點上構件之架構圖;
第19圖為顯示依照第二例示實施例製造無核心配線板之方法中於另一點上構件之架構圖;
第20圖為顯示比較範例之無核心配線板之中間製品的平面示意圖;
第21圖為顯示依照第二例示實施例之變形之無核心配線板之中間製品的平面示意圖;
第22圖為顯示依照第二例示實施例之另一變形之無核心配線板之中間製品的平面示意圖;
第23圖為顯示依照第二例示實施例之再另一變形之無核心配線板之中間製品的平面示意圖;
第24圖為顯示依照第二例示實施例之另一變形之無核心配線板之中間製品的平面示意圖。
11...中間製品
27...製品部
28...製品形成區
29...框部
30...端部
31...轉角部
51...導體層
54...框側導體層
61...狹縫
120...輪廓線
121...切線
130...銲錫凸塊
Claims (19)
- 一種中間多層配線板製品,包含:複數樹脂絕緣層之堆疊,該堆疊包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及第二導體層,形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上;其中該框部具有以其厚度方向完全穿過該框部之複數切部(cut),該等複數切部係大體上等間隔配置。
- 如申請專利範圍第1項之中間多層配線板製品,其中該等複數切部之至少一者為一狹縫,其沿著循該等複數製品部之每一者的輪廓線所設定之延長切線(extension of a cutting line)而延伸,以及具有大體上相等於相鄰製品部之輪廓線之間的間隔的寬度。
- 如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品,其中該框部具有包圍該製品形成區之複數端部(edge portion),及每一者連接相鄰的端部之複數轉角部(corner portion),及 其中該等複數切部之至少一者係設在藉由移除一對應轉角部所形成之該等複數轉角部之至少一者中。
- 如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品,其中該等複數切部在形成該第一導體層與該第二導體層之後形成。
- 如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品,其中更包含銲錫凸塊,用以連接設在形成於該堆疊之最外樹脂絕緣層上之該第一導體層上之構件。
- 如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品,其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂絕緣層及複數第一導體層,其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹脂絕緣層製成,以及其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大(diametrically enlarged)之導通孔來連接。
- 一種中間多層配線板製品,包含:複數樹脂絕緣層之堆疊,該堆疊包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者將成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及第二導體層,除了配置於該框部中之複數非形成區 外,該第二導體層形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面積比,其中該等複數非形成區之至少一者具有沿著循該等複數製品部之每一者的輪廓線所設定之延長切線而延伸之狹縫形狀,及其中具有狹縫形狀的該等複數非形成區之至少一者係延伸到該框部的外端。
- 如申請專利範圍第7項之中間多層配線板製品,其中除了該等複數非形成區外,該等複數第二導體層之每一者係形成於該等複數樹脂絕緣層之每一者上,使得該第一面積比與該第二面積比在該等複數樹脂絕緣層之每一者中彼此相等。
- 如申請專利範圍第7或8項之中間多層配線板製品,其中該框部具有包圍該製品形成區之複數端部,及每一者連接相鄰的端部之複數轉角部,及其中該等複數非形成區之至少一者係設在該等複數轉角部之至少一者中,以便占有對應轉角部之整個面積。
- 如申請專利範圍第7或8項之中間多層配線板製品,其中該第二導體層具有一網孔狀圖案(meshed pattern),以具有相等於該第一面積比之第二面積比。
- 如申請專利範圍第7或8項之中間多層配線板製品,其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂 絕緣層及複數第一導體層,其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹脂絕緣層製成,以及其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大之導通孔來連接。
- 一種製造多層配線板之方法,包含:製備製程,包含製備多層配線板之中間製品,該中間製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊,該堆疊包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者將成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及第二導體層,形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上;以及切部形成製程,包含形成複數切部於該中間製品之框部中,以便以其厚度方向穿過該框部。
- 如申請專利範圍第12項之方法,其中該等複數切部係大體上以相等間隔配置。
- 如申請專利範圍第12或13項之方法,其中該製備製程包含:堆疊製程,包含將該等複數樹脂絕緣層堆疊於底部組件之一個表面上,其中該底部組件包含一形成於該一 表面上之金屬箔;底部組件移除製程,包含在該堆疊製程後將該底部組件移除,以便露出該金屬箔;第一導體層形成製程,包含在該底部組件移除製程後圖案化該金屬箔,以便在該堆疊之最外樹脂絕緣層上之該等複數製品部內形成該第一導體層;以及銲錫凸塊形成製程,包含在該第一導體層形成製程後,於該第一導體層上形成銲錫凸塊,該銲錫凸塊係用來連接一構件;以及其中該切部形成製程係於該第一導體層形成製程之後執行。
- 如申請專利範圍第14項之方法,其中該切部形成製程係在該銲錫凸塊形成製程之前執行。
- 如申請專利範圍第12或13項之方法,其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂絕緣層及複數第一導體層,其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹脂絕緣層製成,以及其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大之導通孔來連接。
- 一種製造多層配線板之方法,包含:製備製程,包含製備多層配線板之中間製品,該中間製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊,該堆疊包含:製品形成區, 包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部之每一者將成為該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及第二導體層,除了配置於該框部中之複數非形成區外,該第二導體層形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面積比;以及分離製程,包含從該製品形成區移除該框部,以及沿著切線切割該製品形成區,藉以互相分離該等複數製品部。
- 如申請專利範圍第17項之方法,其中該製備製程包含:堆疊製程,包含將該等複數樹脂絕緣層堆疊於底部組件之一個表面上,其中該底部組件包含一形成於該一表面上之金屬箔;底部組件移除製程,包含在該堆疊製程後將該底部組件移除,以便露出該金屬箔;第一導體層形成製程,包含在該底部組件移除製程之後圖案化該金屬箔,以便在該堆疊之最外樹脂絕緣層上之該等複數製品部內形成該第一導體層;以及銲錫凸塊形成製程,包含在該第一導體層形成製程 後,於該第一導體層上形成銲錫凸塊,該銲錫凸塊係用來連接一構件。
- 如申請專利範圍第17或18項之方法,其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂絕緣層及複數第一導體層,其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹脂絕緣層製成,以及其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大之導通孔來連接。
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